WO2023127493A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2023127493A1
WO2023127493A1 PCT/JP2022/046002 JP2022046002W WO2023127493A1 WO 2023127493 A1 WO2023127493 A1 WO 2023127493A1 JP 2022046002 W JP2022046002 W JP 2022046002W WO 2023127493 A1 WO2023127493 A1 WO 2023127493A1
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WO
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opening
valve
degree
liquid
substrate
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PCT/JP2022/046002
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English (en)
French (fr)
Inventor
健太郎 杉本
直彦 吉原
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • substrate processing apparatuses for processing substrates have been used in manufacturing processes for devices including substrates, such as semiconductor devices and liquid crystal display devices.
  • the substrate is, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.
  • Patent Document 1 discloses a single substrate processing apparatus that processes substrates one by one.
  • a substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a spin chuck and a processing liquid supply device.
  • a spin chuck rotates the substrate.
  • the processing liquid supply device supplies the processing liquid to the substrate held by the spin chuck.
  • the processing liquid supply device includes a nozzle, a supply pipe, and a valve.
  • the nozzle ejects the processing liquid toward the substrate.
  • a supply pipe supplies the processing liquid to the nozzle.
  • a valve is provided in the supply pipe.
  • the processing liquid is supplied to the substrate by being discharged from the nozzle.
  • the valve has a valve body and a valve seat. The valve is closed when the valve body comes into contact with the valve seat, and the valve is opened when the valve body leaves the valve seat.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing dripping of a processing liquid from a nozzle when the substrate processing apparatus is not processing a substrate. I will provide a.
  • the substrate processing apparatus processes the substrate by supplying the processing liquid to the substrate from the nozzle.
  • the substrate processing apparatus includes a liquid sending pipe, a supply pipe, a return pipe, a branch, a first valve, and a second valve.
  • the liquid-sending pipe guides the processing liquid.
  • the supply pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe to the nozzle.
  • the return pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe along a path different from that of the supply pipe.
  • the branching portion is a branching point of the liquid feeding pipe, the supply pipe, and the return pipe.
  • the first valve is provided in the liquid-sending pipe, and is capable of adjusting the flow rate of the processing liquid supplied from the liquid-sending pipe to the branch portion.
  • the second valve is provided on the return line.
  • the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the supply pipe, and a discharge state is achieved in which the processing liquid is discharged from the nozzle. .
  • a processing liquid return state is established in which the processing liquid is circulated from the supply pipe to the return pipe.
  • the first valve may be a valve that does not completely close the processing liquid flow path of the liquid feeding pipe in a closed state.
  • the flow path through which the processing liquid passes is a first flow path located on the side of the liquid sending pipe with respect to the branch portion, and There may be a second flow path positioned on the supply pipe side and a third flow path positioned on the return pipe side with respect to the branch.
  • the first angle may be greater than the second angle.
  • the second angle may be an angle formed by a first direction from the branch portion toward the first flow channel and a second direction from the branch portion toward the second flow channel.
  • the first angle may be an angle formed by the first direction and a third direction from the branch portion toward the third flow path.
  • the first channel and the third channel may extend substantially horizontally from the branching portion.
  • the second channel may extend upward from the branch.
  • the substrate processing apparatus may further include a storage tank that stores the processing liquid supplied from the return pipe.
  • the tip of the nozzle may be positioned higher than the outlet of the return pipe.
  • the liquid feeding pipe and the supply pipe may not be provided with valves other than the first valve.
  • the substrate processing apparatus may further include a controller that controls the first valve and the second valve.
  • the controller may be capable of switching the degree of opening of the first valve between at least a first degree of opening and a second degree of opening.
  • the second degree of opening may be smaller than the first degree of opening.
  • the controller may set the opening degree of the first valve to the first opening degree and close the second valve to bring the ejection state into the state.
  • the control unit may set the opening degree of the first valve to the second opening degree and open the second valve to bring the processing liquid into the returning state.
  • the controller can switch the opening degree of the first valve to at least the first opening degree, the second opening degree, and the third opening degree. There may be.
  • the third degree of opening may be smaller than the second degree of opening.
  • the controller changes the degree of opening of the first valve from the second degree of opening to the third degree of opening, and maintains the second valve in the open state, thereby reducing the amount of liquid that is smaller than that in the discharge state.
  • a discharge stop state may be established in which the treatment liquid is circulated from the liquid supply pipe to the return pipe.
  • the substrate processing apparatus may further include a moving mechanism that moves the nozzle between the processing position and the retracted position.
  • the processing position may be a position above the substrate.
  • the retracted position may be a position separated from above the substrate.
  • the controller may control the moving mechanism.
  • the control unit may switch the opening degree of the first valve between the first opening degree, the second opening degree, the third opening degree, and the fourth opening degree.
  • the fourth degree of opening may be smaller than the first degree of opening and larger than the second degree of opening.
  • the controller changes the opening degree of the first valve from the third opening degree to the fourth opening degree in a state in which the nozzle is arranged at the retracted position, and changes the second valve from the open state to the A preliminary discharge state in which the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the supply pipe to discharge the processing liquid from the nozzle may be achieved by closing the nozzle.
  • the controller changes the degree of opening of the first valve from the fourth degree of opening to the second degree of opening in a state where the nozzle is arranged at the retracted position, and changes the degree of opening of the second valve from the closed state to the By opening the supply pipe, the processing liquid may be returned to the predischarged state in which the processing liquid flows from the supply pipe to the return pipe.
  • the control unit moves the nozzle from the retracted position to the processing position before the processing liquid in the supply pipe runs out in the preliminary ejection processing liquid returning state, and the opening degree of the first valve is increased. is changed from the second opening degree to the first opening degree, and the second valve is changed from the open state to the closed state to bring the discharge state into the discharge state.
  • a substrate processing method is a substrate processing method for processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle.
  • a substrate processing method opens a first valve provided in a liquid sending pipe, and closes a second valve provided in a return pipe connected to the liquid sending pipe.
  • the processing liquid is circulated from the liquid feeding pipe to the supply pipe connected to the liquid feeding pipe, the return pipe, and the nozzle, and the processing liquid is discharged from the nozzle to process the substrate. and circulating the processing liquid from the supply line to the return line by opening the second valve from the closed state.
  • the step of setting the degree of opening of the first valve to the first degree of opening and closing the second valve to discharge the processing liquid from the nozzle. and setting the degree of opening of the first valve to a second degree of opening smaller than the first degree of opening, and opening the second valve to allow the processing liquid to flow through the return pipe. steps may be performed.
  • the degree of opening of the first valve is changed from the second degree of opening to a third degree of opening smaller than the second degree of opening, and the second valve is
  • the method may further include a step of allowing a smaller amount of the processing liquid to flow from the liquid feeding pipe to the return pipe than the step of discharging the processing liquid from the nozzle by maintaining the open state.
  • the opening degree of the first valve is changed from the third opening degree to the first to a fourth degree of opening smaller than the degree of opening of the second valve, and to switch the second valve from the open state to the closed state, thereby transferring the processing from the liquid supply pipe to the supply pipe.
  • the present invention it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing dripping of a processing liquid from a nozzle while the substrate processing apparatus is not processing a substrate.
  • FIG. 4 is a side view schematically showing the configuration of the processing unit;
  • FIG. FIG. 4 is a flow chart showing an example of substrate processing performed by the substrate processing apparatus;
  • It is a schematic diagram which shows the structure of a chemical
  • It is a schematic diagram which shows the structure around a supply mechanism.
  • It is a cut end view of an interposed member.
  • It is a schematic diagram which shows the pressure of a chemical
  • It is a schematic diagram which shows the state in which the 2nd valve
  • FIG. 5 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus in the chemical solution supplying process for supplying the chemical solution to the substrate
  • FIG. 7 is a timing chart showing the opening degree of the first valve, the opening degree of the second valve, and the flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid nozzle in the chemical liquid supply process of supplying the chemical liquid to the substrate
  • FIG. 11 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus of the second embodiment in chemical solution supply processing
  • FIG. 10 is a diagram showing a timing chart of the opening degree of the first valve, the opening degree of the second valve, the flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid nozzle, and the position of the chemical liquid nozzle in the chemical liquid supply process of the substrate processing apparatus of the second embodiment; . It is a figure which shows the structure around the interposition member of the substrate processing apparatus by the 1st modification of this invention. It is a figure which shows the structure around the supply mechanism of the substrate processing apparatus by the 2nd modification of this invention.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the invention.
  • the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer type apparatus that processes substrates W one by one.
  • the substrate W is, for example, a silicon wafer, a resin substrate, or a glass/quartz substrate.
  • a substantially disk-shaped semiconductor substrate is exemplified.
  • the shape of the substrate W is not particularly limited.
  • the substrate W may be formed, for example, in a rectangular shape.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of load ports LP, a plurality of processing units 1, a storage section 2, and a control section 3.
  • the load port LP holds a substrate container C containing substrates W.
  • the processing unit 1 processes the substrate W transported from the load port LP with a processing fluid.
  • a processing fluid indicates, for example, a processing liquid or a processing gas.
  • the storage unit 2 includes a main storage device (eg, semiconductor memory) such as ROM (Read Only Memory) and RAM (Random Access Memory), and may further include an auxiliary storage device (eg, hard disk drive).
  • main storage device eg, semiconductor memory
  • ROM Read Only Memory
  • RAM Random Access Memory
  • auxiliary storage device eg, hard disk drive
  • the main memory and/or auxiliary memory store various computer programs executed by the controller 3 .
  • the control unit 3 includes processors such as a CPU (Central Processing Unit) and an MPU (Micro Processing Unit). The control unit 3 controls each element of the substrate processing apparatus 100 .
  • processors such as a CPU (Central Processing Unit) and an MPU (Micro Processing Unit).
  • the control unit 3 controls each element of the substrate processing apparatus 100 .
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a transfer robot.
  • the transport robot transports the substrate W between the load port LP and the processing unit 1 .
  • the transport robots include an indexer robot IR and a center robot CR.
  • the indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR.
  • the center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the processing units 1 .
  • Each of the indexer robot IR and the center robot CR includes a hand that supports the substrate W. As shown in FIG.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a plurality of fluid boxes 4 and chemical liquid cabinets 5 .
  • a plurality of fluid boxes 4 and processing units 1 are arranged inside a housing 100 a of the substrate processing apparatus 100 .
  • the chemical solution cabinet 5 is arranged outside the housing 100 a of the substrate processing apparatus 100 .
  • the chemical solution cabinet 5 may be arranged on the side of the substrate processing apparatus 100 . Further, the chemical solution cabinet 5 may be arranged under (underground) the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed.
  • a plurality of processing units 1 constitute a tower TW that is vertically stacked.
  • a plurality of towers TW are provided.
  • a plurality of towers TW are arranged to surround the center robot CR in plan view.
  • three processing units 1 are stacked in the tower TW. Also, four towers TW are provided.
  • the number of processing units 1 constituting the tower TW is not particularly limited. Also, the number of towers TW is not particularly limited.
  • a plurality of fluid boxes 4 correspond to a plurality of towers TW, respectively.
  • the liquid medicine in the liquid medicine cabinet 5 is supplied to the tower TW corresponding to the fluid box 4 via the fluid box 4 .
  • the chemical liquid is supplied to all the processing units 1 included in the tower TW.
  • FIG. 2 is a side view schematically showing the configuration of the processing unit 1. As shown in FIG.
  • the processing unit 1 includes a chamber 6, a spin chuck 10, and a cup 14.
  • the chamber 6 includes a partition 8, a shutter 9, and an FFU 7 (fan filter unit).
  • the partition 8 has a hollow shape.
  • the partition wall 8 is provided with a transfer port.
  • the shutter 9 opens and closes the transfer port.
  • the FFU 7 creates a downflow of clean air inside the chamber 6 . Clean air is air that has been filtered.
  • the center robot CR loads the substrate W into the chamber 6 through the transfer port, and carries out the substrate W from the chamber 6 through the transfer port.
  • the spin chuck 10 is placed inside the chamber 6 .
  • the spin chuck 10 holds the substrate W horizontally and rotates it around the rotation axis A1.
  • the rotation axis A1 is a vertical imaginary axis that passes through the central portion of the substrate W. As shown in FIG.
  • the spin chuck 10 includes a plurality of chuck pins 11, a spin base 12, a spin motor 13, a cup 14, and an elevating unit 15.
  • the spin base 12 is a disk-shaped member.
  • a plurality of chuck pins 11 hold the substrate W horizontally on the spin base 12 .
  • the spin motor 13 rotates the chuck pins 11 to rotate the substrate W around the rotation axis A1.
  • the spin chuck 10 of this embodiment is a clamping type chuck that brings a plurality of chuck pins 11 into contact with the outer peripheral surface of the substrate W.
  • the spin chuck 10 may be a vacuum chuck.
  • the vacuum chuck holds the substrate W horizontally by sucking the back surface (lower surface) of the substrate W, which is the non-device forming surface, onto the upper surface of the spin base 12 .
  • the cup 14 receives the processing liquid discharged from the substrate W.
  • the cup 14 includes an inclined portion 14a, a guide portion 14b, and a liquid receiving portion 14c.
  • the inclined portion 14a is a tubular member extending obliquely upward toward the rotation axis A1.
  • the inclined portion 14 a includes an annular upper end having an inner diameter larger than that of the substrate W and the spin base 12 .
  • the upper end of the inclined portion 14 a corresponds to the upper end of the cup 14 .
  • the upper end of the cup 14 surrounds the substrate W and the spin base 12 in plan view.
  • the guide portion 14b is a cylindrical member that extends downward from the lower end (outer end) of the inclined portion 14a.
  • the liquid receiving portion 14c is positioned below the guide portion 14b and forms an upwardly open annular groove.
  • the elevating unit 15 elevates the cup 14 between the raised position and the lowered position.
  • the upper end of the cup 14 is positioned above the spin chuck 10 .
  • the upper end of the cup 14 is positioned below the spin chuck 10 .
  • the cup 14 When the processing liquid is supplied to the substrate W, the cup 14 is positioned at the raised position. The processing liquid splashed outward from the substrate W is received by the inclined portion 14a and then collected in the liquid receiving portion 14c via the guide portion 14b.
  • the processing unit 1 further includes a rinse liquid nozzle 16 , a rinse liquid pipe 17 and a rinse liquid valve 18 .
  • the rinse liquid nozzle 16 discharges the rinse liquid toward the substrate W held by the spin chuck 10 .
  • the rinse liquid nozzle 16 is connected to the rinse liquid pipe 17 .
  • a rinse liquid valve 18 is interposed in the rinse liquid pipe 17 .
  • the rinse liquid is, for example, pure water (deionized water).
  • the rinse liquid is not limited to pure water, and may be carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and/or dilute hydrochloric acid water.
  • the diluted concentration is, for example, a concentration of 10 ppm or more and 100 ppm or less.
  • the processing unit 1 further includes a chemical liquid nozzle 21 and a nozzle moving unit 22.
  • the chemical liquid nozzle 21 ejects the chemical liquid toward the substrate W held by the spin chuck 10 .
  • the nozzle moving unit 22 moves the chemical liquid nozzle 21 between the processing position and the retracted position.
  • the processing position indicates a position where the chemical nozzle 21 discharges the chemical toward the substrate W.
  • FIG. Moreover, the processing position is a position above the substrate W.
  • the retracted position indicates a position where the chemical nozzle 21 is separated from the substrate W.
  • FIG. The retracted position is a position separated from above the substrate W. As shown in FIG.
  • the nozzle moving unit 22 moves the chemical liquid nozzle 21 by rotating the chemical liquid nozzle 21 around the swing axis A2, for example.
  • the swing axis A2 is a vertical imaginary axis positioned around the cup 14 .
  • the chemical nozzle 21 is an example of the "nozzle” of the present invention.
  • the nozzle moving unit 22 is an example of the "moving mechanism" of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a chemical supply device 30 .
  • the chemical liquid supply device 30 supplies the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 of the processing unit 1 .
  • the chemical liquid supplied to the chemical liquid nozzle 21 contains, for example, isopropyl alcohol (IPA).
  • IPA isopropyl alcohol
  • a chemical solution is an example of the "treatment liquid" of the present invention.
  • FIG. 3 is a flow chart showing an example of the processing performed on the substrate W by the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG.
  • step S ⁇ b>1 the control unit 3 performs a transfer process for transferring the substrate W into the chamber 6 .
  • the procedure of the transport process will be described below.
  • the central robot CR supports the substrate W with its hand and moves the hand into the chamber 6 . Then, the center robot CR places the substrate W supported by the hand on the spin chuck 10 . As a result, the substrate W is transferred onto the spin chuck 10 .
  • the chuck pins 11 grip the substrate W. Then, the spin motor 13 rotates the chuck pin 11 . As a result, the substrate W rotates. After the substrate W rotates, the process proceeds to step S2.
  • step S2 the control unit 3 performs chemical liquid supply processing for supplying the chemical liquid to the substrate W.
  • the procedure of the chemical solution supply process will be described below.
  • the nozzle moving unit 22 moves the chemical liquid nozzle 21 to the processing position. Then, the lifting unit 15 lifts the cup 14 to the raised position. Then, the chemical liquid supply device 30 starts supplying the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 . As a result, the chemical liquid nozzle 21 discharges the chemical liquid toward the substrate W.
  • FIG. 1 the nozzle moving unit 22 moves the chemical liquid nozzle 21 to the processing position. Then, the lifting unit 15 lifts the cup 14 to the raised position. Then, the chemical liquid supply device 30 starts supplying the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 . As a result, the chemical liquid nozzle 21 discharges the chemical liquid toward the substrate W.
  • the chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 21 lands on the upper surface of the substrate W, and then flows outward from the substrate W while following the upper surface of the substrate W during rotation. As a result, a liquid film of the chemical liquid is formed so as to cover the entire upper surface of the substrate W.
  • the nozzle moving unit 22 may cause the chemical nozzle 21 to stand still, or may cause the chemical nozzle 21 to scan above the substrate W while the chemical nozzle 21 is discharging the chemical.
  • step S3 When a predetermined time elapses after the supply of the chemical solution to the chemical solution nozzle 21 is started, the supply of the chemical solution to the chemical solution nozzle 21 is stopped. Then, the nozzle moving unit 22 moves the liquid medicine nozzle 21 to the retracted position. When the chemical liquid nozzle 21 reaches the retracted position, the process proceeds to step S3.
  • step S3 the control unit 3 performs a rinse liquid supply process of supplying pure water, which is an example of a rinse liquid, to the substrate W.
  • pure water which is an example of a rinse liquid
  • the rinse liquid valve 18 is opened, and the rinse liquid nozzle 16 starts discharging pure water.
  • the pure water that has landed on the upper surface of the substrate W flows outward from the substrate W along the upper surface of the substrate W during rotation.
  • the chemical liquid on the substrate W is washed away by pure water discharged from the rinse liquid nozzle 16 .
  • a liquid film of pure water is formed over the entire upper surface of the substrate W. As shown in FIG.
  • step S4 When a predetermined period of time has passed since the rinse liquid valve 18 was opened, the rinse liquid valve 18 is closed, and the discharge of pure water onto the substrate W is stopped. When the ejection of pure water onto the substrate W is stopped, the process proceeds to step S4.
  • step S4 the control unit 3 performs a drying process of drying the substrate W by rotating the substrate W.
  • the procedure of the drying process will be described below.
  • the spin motor 13 rotates the substrate W at a high rotational speed (for example, several thousand rpm) greater than the rotational speed of the substrate W during the chemical liquid supply process and the rotational speed of the substrate W during the rinse liquid supply process. As a result, the liquid is removed from the substrate W, so that the substrate W is dried.
  • a high rotational speed for example, several thousand rpm
  • the spin motor 13 stops the rotation of the substrate W after a predetermined time has elapsed since the substrate W started rotating at high speed. When the substrate W stops rotating, the process proceeds to step S5.
  • step S ⁇ b>5 the control unit 3 performs unloading processing for unloading the substrate W from the chamber 6 .
  • the procedures of the unloading process will be described.
  • the lifting unit 15 lowers the cup 14 to the lower position. Then, the center robot CR causes the hand to enter the chamber 6 . Then, the plurality of chuck pins 11 release the substrate W from its grip.
  • the center robot CR supports the substrate W on the spin chuck 10 with a hand. Then, the center robot CR withdraws the hand from the inside of the chamber 6 while supporting the substrate W with the hand. As a result, the processed substrate W is unloaded from the chamber 6 .
  • step S5 When the processed substrate W is unloaded from the chamber 6, the unloading process shown in step S5 is completed.
  • steps S1 to S5 the plurality of substrates W transported to the substrate processing apparatus 100 are processed one by one.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the chemical supply device 30. As shown in FIG.
  • a plurality of chemical liquid supply devices 30 are provided.
  • a plurality of chemical supply devices 30 correspond to a plurality of towers TW (see FIG. 1), respectively.
  • the chemical liquid supply device 30 supplies the chemical liquid to all the processing units 1 that constitute the corresponding tower TW.
  • one tower TW is composed of three processing units 1 . Therefore, one chemical supply device 30 supplies the chemical to three processing units 1 .
  • the chemical solution supply device 30 includes a supply tank 31, a circulation pipe 32, a circulation pump 33, a circulation filter 34, and a circulation heater 35.
  • the supply tank 31 stores the chemical liquid.
  • the circulation pipe 32 is a tubular member. A circulation path through which the chemical liquid circulates is formed in the circulation pipe 32 .
  • the circulation pipe 32 has an upstream end 32a and a downstream end 32b.
  • the circulation pipe 32 communicates with the supply tank 31 . Specifically, the upstream end 32 a and the downstream end 32 b of the circulation pipe 32 communicate with the supply tank 31 .
  • the circulation pump 33 sends the chemical liquid in the supply tank 31 to the circulation pipe 32 .
  • the circulation pump 33 operates, the chemical liquid in the supply tank 31 is sent to the upstream end 32 a of the circulation pipe 32 .
  • the chemical solution sent to the upstream end 32a is transported through the circulation pipe 32 and discharged to the supply tank 31 from the downstream end 32b.
  • the circulation pump 33 continues to operate, the chemical continues to flow in the circulation pipe 32 from the upstream end 32a toward the downstream end 32b. As a result, the chemical circulates through the circulation pipe 32 .
  • the circulation filter 34 removes foreign matter such as particles from the chemical solution circulating through the circulation pipe 32 .
  • the circulation heater 35 adjusts the temperature of the chemical by heating the chemical.
  • the circulation heater 35 maintains the temperature of the chemical solution at a constant temperature (eg, 60° C.) higher than room temperature, for example.
  • the temperature of the chemical liquid circulating in the circulation pipe 32 is kept constant by the circulation heater 35 .
  • a circulation pump 33 , a circulation filter 34 , and a circulation heater 35 are installed in the circulation pipe 32 .
  • the supply tank 31 , circulation pump 33 , circulation filter 34 , and circulation heater 35 are installed inside the chemical solution cabinet 5 .
  • a pressurizing device may be provided instead of the circulation pump 33 .
  • the pressurizing device sends out the chemical liquid in the supply tank 31 to the circulation pipe 32 by increasing the pressure in the supply tank 31 .
  • the chemical liquid supply device 30 further includes a plurality of supply mechanisms 40 . In this embodiment, three supply mechanisms 40 are provided.
  • Each of the multiple supply mechanisms 40 communicates with the circulation pipe 32 .
  • a chemical liquid circulating in the circulation pipe 32 is supplied to each of the plurality of supply mechanisms 40 .
  • a plurality of supply mechanisms 40 correspond to a plurality of processing units 1 .
  • the supply mechanism 40 supplies the chemical liquid to the corresponding processing unit 1 .
  • the chemical liquid supplied to the processing unit 1 is discharged from the chemical liquid nozzle 21 .
  • the chemical supply device 30 further includes a recovery tank 51, a recovery pipe 52, a recovery pump 53, and a recovery filter 54.
  • the collection tank 51 is an example of the "storage tank" of the present invention.
  • the recovery tank 51 communicates with each of the multiple supply mechanisms 40 .
  • the recovery tank 51 stores the chemical liquid that has passed through each of the plurality of supply mechanisms 40 without being discharged from the chemical liquid nozzle 21 .
  • a through hole 51 a is formed in the upper surface of the recovery tank 51 .
  • the recovery tank 51 functions as a gas-liquid separation device that separates gas and liquid. Therefore, it is possible to prevent the chemical solution mixed with gas from being supplied from the recovery tank 51 to the supply tank 31 .
  • the recovery pipe 52 is a tubular member.
  • the recovery pipe 52 guides the chemical solution in the recovery tank 51 to the supply tank 31 .
  • the recovery pipe 52 includes an upstream end 52a and a downstream end 52b.
  • the upstream end 52 a communicates with the recovery tank 51 .
  • the downstream end 52 b communicates with the supply tank 31 .
  • the recovery pump 53 is installed in the recovery pipe 52 .
  • the recovery pump 53 pressure-feeds the chemical solution in the recovery tank 51 to the supply tank 31 through the recovery pipe 52 .
  • a recovery filter 54 is installed in the recovery pipe 52 .
  • the recovery filter 54 removes foreign matter from the chemical liquid flowing through the recovery pipe 52 .
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration around the supply mechanism 40. As shown in FIG.
  • the supply mechanism 40 has a liquid supply pipe 41, a branch portion 42, a supply pipe 43, and a return pipe 44.
  • the liquid-sending pipe 41 , the supply pipe 43 , and the return pipe 44 communicate with each other via the branch portion 42 .
  • the liquid feeding pipe 41 is a tubular member.
  • the liquid-sending pipe 41 guides the chemical solution circulating in the circulation pipe 32 to the outside of the circulation pipe 32 .
  • the liquid-sending pipe 41 includes an upstream end 41a and a downstream end 41b.
  • the upstream end 41 a communicates with the circulation pipe 32 .
  • the supply pipe 43 is a tubular member.
  • the supply pipe 43 guides the chemical solution guided by the liquid supply pipe 41 to the chemical solution nozzle 21 .
  • the supply pipe 43 includes an upstream end 43a and a downstream end 43b.
  • the upstream end portion 43 a communicates with the downstream end portion 41 b of the liquid feeding pipe 41 via the branch portion 42 .
  • the downstream end 43 b communicates with the chemical nozzle 21 .
  • the return pipe 44 is a tubular member.
  • the return pipe 44 guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe 41 along a path different from that of the supply pipe 43 .
  • the return pipe 44 guides the chemical solution to the recovery tank 51 .
  • Return line 44 includes an upstream end 44a and a downstream end 44b.
  • the upstream end portion 44 a communicates with each of the downstream end portion 41 b of the liquid supply pipe 41 and the upstream end portion 43 a of the supply pipe 43 via the branch portion 42 .
  • the downstream end portion 44 b communicates with the recovery tank 51 .
  • the supply mechanism 40 further has a flow meter 45 , an interposed member 46 , a first valve 47 and a second valve 48 .
  • the flow meter 45 detects the flow rate of the chemical liquid flowing through the liquid sending pipe 41 .
  • a flow meter 45 is installed in the liquid feeding pipe 41 .
  • the flow rate of the chemical liquid indicates the amount of the chemical liquid per unit time flowing through a predetermined position in the liquid-sending pipe 41 .
  • the interposed member 46 is arranged at the branch portion 42 .
  • the interposed member 46 is a hollow member.
  • the interposed member 46 is, for example, an ejector.
  • the interposed member 46 is interposed between the liquid feed pipe 41 , the supply pipe 43 and the return pipe 44 .
  • the liquid-sending pipe 41 , the supply pipe 43 , and the return pipe 44 are communicated with each other via an interposed member 46 .
  • the first valve 47 is installed on the liquid feeding pipe 41 .
  • the first valve 47 can adjust the flow rate of the chemical liquid supplied from the liquid feeding pipe 41 to the branch portion 42 . That is, the opening degree of the first valve 47 can be adjusted.
  • the degree of opening indicates the extent to which the first valve 47 is open. As the degree of opening of the first valve 47 decreases, the extent to which the first valve 47 is open decreases.
  • the first valve 47 includes a drive source such as a motor, and changes the opening by the power of the drive source.
  • the controller 3 shown in FIG. 1 controls the degree of opening of the first valve 47 by operating the drive source.
  • the first valve 47 is, for example, a motor needle valve.
  • the first valve 47 may be a valve other than the motor needle valve, such as a diaphragm valve.
  • a second valve 48 is installed in the return pipe 44 .
  • the second valve 48 opens and closes the return line 44 .
  • the opening of the second valve 48 cannot be adjusted. That is, the second valve 48 switches between passing and stopping the passage of the chemical liquid in the return pipe 44 .
  • FIG. 4 the flow of the chemical solution in the chemical solution supply device 30 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 6 is a cut end view of the interposed member 46.
  • the interposed member 46 has a first member 46a, a second member 46b, and a third member 46c.
  • the first member 46a, the second member 46b, and the third member 46c are hollow members and communicate with each other.
  • a space where the first member 46a, the second member 46b, and the third member 46c communicate with each other constitutes the branch portion 42.
  • the first member 46a and the third member 46c protrude from the branch portion 42 in opposite directions.
  • the second member 46b protrudes from the branch portion 42 in a direction perpendicular to each of the first member 46a and the third member 46c.
  • the first member 46a and the third member 46c are arranged to extend in the vertical direction (the direction along the X direction), but the first member 46a and the third member 46c are arranged vertically. You may arrange
  • the first member 46a has a first opening 4A.
  • the first opening 4A communicates the inside and the outside of the first member 46a.
  • a downstream end 41b of the liquid feeding pipe 41 is connected to the first opening 4A.
  • the second member 46b has a second opening 4B.
  • the second opening 4B communicates the inside and the outside of the second member 46b.
  • An upstream end 43a of the supply pipe 43 is connected to the second opening 4B.
  • the third member 46c has a third opening 4C.
  • the third opening 4C communicates the inside and the outside of the third member 46c.
  • An upstream end 44a of the return pipe 44 is connected to the third opening 4C.
  • the chemical liquid flowing through the liquid feeding pipe 41 is supplied to the inside of the interposed member 46 via the first opening 4A.
  • the chemical solution inside the interposed member 46 is supplied to the supply pipe 43 through the second opening 4B.
  • the chemical solution inside the interposition member 46 is supplied to the return pipe 44 through the third opening 4C.
  • the flow path for the chemical liquid has a branch portion 42, a first flow path R1, a second flow path R2, and a third flow path R3.
  • the branch portion 42 is a branch point of the liquid sending pipe 41 , the supply pipe 43 and the return pipe 44 .
  • a first flow path R ⁇ b>1 indicates a flow path of the chemical liquid located on the liquid feeding pipe 41 side with respect to the branch portion 42 .
  • the first flow path R1 is located between the branch portion 42 and the upstream end portion 41a (see FIG. 5) of the liquid feeding pipe 41.
  • a second flow path R ⁇ b>2 indicates a flow path of the chemical liquid located on the supply pipe 43 side with respect to the branch portion 42 .
  • the second flow path R2 is positioned between the branch portion 42 and the downstream end portion 43b of the supply pipe 43.
  • a third flow path R ⁇ b>3 indicates a flow path for the chemical solution located on the return pipe 44 side with respect to the branch portion 42 .
  • the third flow path R3 is located between the branch portion 42 and the downstream end portion 44b of the return pipe 44. As shown in FIG.
  • the supply mechanism 40 further has a throttle portion 46d.
  • the narrowed portion 46d is arranged in the first flow path R1.
  • the narrowed portion 46d functions as an orifice that narrows the flow path area of the first flow path R1.
  • the channel area is the cross-sectional area of the chemical channel perpendicular to the direction in which the chemical flows.
  • the narrowed portion 46d is formed in the first member 46a of the interposed member 46. As shown in FIG. The narrowed portion 46 d faces the branch portion 42 . The throttle portion 46 d ejects the chemical solution toward the branch portion 42 . In this embodiment, the narrowed portion 46 d is positioned near the branch portion 42 . Therefore, the chemical liquid flows into the branching portion 42 immediately after being ejected from the throttle portion 46d.
  • FIG. 6 shows a first direction Q1, a second direction Q2, and a third direction Q3.
  • a first direction Q1 indicates a direction from the branch portion 42 toward the first flow path R1.
  • a second direction Q2 indicates a direction from the branch portion 42 toward the second flow path R2.
  • a third direction Q3 indicates a direction from the branch portion 42 toward the third flow path R3.
  • FIG. 6 further shows the first angle ⁇ 1 and the second angle ⁇ 2.
  • a first angle ⁇ 1 indicates an angle formed by the first direction Q1 and the third direction Q3. Specifically, the first angle ⁇ 1 indicates the smallest angle among the angles formed by the first direction Q1 and the third direction Q3.
  • a second angle ⁇ 2 indicates an angle formed by the first direction Q1 and the second direction Q2. Specifically, the second angle ⁇ 2 indicates the smallest angle among the angles formed by the first direction Q1 and the second direction Q2.
  • the first angle ⁇ 1 is larger than the second angle ⁇ 2 (first angle ⁇ 1>second angle ⁇ 2). That is, the third flow path R3 is less curved with respect to the first flow path R1 than the second flow path R2. Therefore, the chemical liquid flowing from the first flow path R1 to the branch portion 42 is mainly guided to the third flow path R3. In other words, the throttle portion 46d ejects the chemical liquid toward the third flow path R3.
  • the first angle ⁇ 1 is about 180 degrees and the second angle ⁇ 2 is about 90 degrees.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing the pressure of the chemical solution.
  • FIG. 7 shows the first pressure P1, the second pressure P2, and the third pressure P3.
  • the first pressure P1 indicates the pressure of the chemical solution located upstream of the narrowed portion 46d in the first flow path R1.
  • a second pressure P2 indicates the pressure of the chemical solution located at the branch portion 42 .
  • the third pressure P3 indicates the pressure of the chemical liquid positioned in the second flow path R2.
  • FIG. 7 further shows the first moving direction X1 and the first moving speed V1.
  • the first moving direction X1 indicates the moving direction of the chemical liquid flowing upstream of the narrowed portion 46d in the first flow path R1.
  • the first moving speed V1 indicates the moving speed of the chemical liquid flowing upstream of the narrowed portion 46d in the first flow path R1.
  • FIG. 7 further shows the second moving direction X2 and the second moving speed V2.
  • the second movement direction X2 indicates the movement direction of the chemical liquid when it flows from the first flow path R1 into the branch portion 42. As shown in FIG.
  • the second movement direction X2 is the direction opposite to the first direction Q1 shown in FIG.
  • the second moving speed V2 indicates the moving speed of the chemical when the chemical flows into the branch portion 42 from the first flow path R1.
  • the flow passage area of the narrowed portion 46d is smaller than the flow passage area upstream of the narrowed portion 46d. Therefore, according to Bernoulli's theorem, in the constricted portion 46d, the moving speed of the chemical solution increases and the pressure of the chemical solution decreases compared to the upstream portion of the constricted portion 46d. As a result, the chemical solution accelerated and decompressed by the throttle portion 46d is ejected from the throttle portion 46d.
  • the second moving speed V2 becomes higher than the first moving speed V1 (second moving speed V2>first moving speed V1). Also, the second pressure P2 becomes lower than the first pressure P1 (second pressure P2 ⁇ first pressure P1).
  • the first pressure P1 is changed by changing the opening of the first valve 47 shown in FIG. As the degree of opening of the first valve 47 decreases, the area of the first flow path R1 where the first valve 47 is positioned decreases. As a result, the flow rate of the chemical solution passing through the first valve 47 per unit time decreases, so the first pressure P1 decreases. Also, the second pressure P2 decreases as the first pressure P1 decreases.
  • the second pressure P2 is changed by changing the second valve 48 shown in FIG. 5 to the open state or the closed state.
  • the second valve 48 When the second valve 48 is closed, the flow rate of the chemical liquid passing through the third flow path R3 becomes zero, so the second pressure P2 increases.
  • the second valve 48 when the second valve 48 is opened, the flow rate of the chemical liquid passing through the third flow path R3 increases, so the second pressure P2 decreases.
  • the adjustment of the degree of opening of the first valve 47 and the switching of the open/close state of the second valve 48 are performed by the controller 3 shown in FIG.
  • FIG. 7 shows a first diameter D1, a second diameter D2, a third diameter D3, a fourth diameter D4, and a fifth diameter D5.
  • the first diameter D1 indicates the diameter of the portion of the first flow path R1 located upstream of the narrowed portion 46d.
  • a second diameter D2 indicates the diameter of the throttle portion 46d.
  • a third diameter D3 indicates the diameter of a portion of the first flow path R1 located downstream of the narrowed portion 46d.
  • a fourth diameter D4 indicates the diameter of the upstream portion of the third flow path R3.
  • the upstream portion of the third flow path R3 indicates the vicinity of the branch portion 42 in the third flow path R3.
  • a fifth diameter D5 indicates the diameter of the upstream portion of the second flow path R2.
  • the upstream portion of the second flow path R2 indicates the vicinity of the branch portion 42 in the second flow path R2.
  • the first diameter D1 is larger than the second diameter D2 (first diameter D1>second diameter D2).
  • the third diameter D3 is larger than the second diameter D2 (third diameter D3>second diameter D2).
  • the fourth diameter D4 is greater than or equal to the third diameter D3 (fourth diameter D4 ⁇ third diameter D3).
  • the fourth diameter D4 is greater than or equal to the fifth diameter D5 (fourth diameter D4 ⁇ fifth diameter D5). Note that the size relationship between the fourth diameter D4 and the fifth diameter D5 is not particularly limited.
  • the fourth diameter D4 may be smaller than the fifth diameter D5.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a state in which the second valve 48 is closed.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a state in which the second valve 48 is open.
  • the control unit 3 closes the second valve 48 (see FIG. 5) so that the chemical liquid supplied from the first flow path R1 to the branching unit 42 is It flows into the flow path R2. In the present embodiment, all of the chemical liquid supplied from the first flow path R1 to the branch portion 42 flows into the second flow path R2. In addition, the control unit 3 adjusts the opening degree of the first valve 47 to adjust the flow rate of the chemical liquid supplied from the first flow path R1 to the branching unit 42 . Thereby, the discharge amount of the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 21 is adjusted.
  • control unit 3 adjusts the degree of opening of the first valve 47 with the second valve 48 (see FIG. 5) in the open state, thereby It is possible to adjust the pressure difference between the pressure P2 and the third pressure P3.
  • the pressure difference between the second pressure P2 and the third pressure P3 causes the drawing force F1 to occur.
  • the drawing force F1 indicates the force that draws the chemical solution in the second flow path R2 into the branching portion 42 . As the degree of opening of the first valve 47 increases, the pulling force F1 increases.
  • a suck back occurs due to the generation of the pulling force F1. Suck back indicates that all or part of the chemical liquid in the second flow path R2 is drawn into the branch portion 42 by the drawing force F1. As a result, the ejection of the chemical solution from the chemical solution nozzle 21 is stopped.
  • the chemical liquid that has flowed from the second flow path R2 to the branch portion 42 due to the suckback is caught in the flow X of the chemical liquid ejected from the narrowed portion 46d, and is supplied to the third flow path R3 (aspirate effect). Then, the chemical liquid supplied to the third flow path R3 is supplied to the recovery tank 51. As shown in FIG.
  • the degree of opening of the first valve 47 it is also possible to maintain the stagnant end position Z of the liquid chemical at a constant position.
  • the larger the degree of opening of the first valve 47 the higher the retention end position Z is held.
  • the tip of the chemical nozzle 21 is arranged at a position higher than the discharge port 44c of the downstream end 44b of the return pipe 44. Therefore, by opening the second valve 48 from the closed state, suckback occurs according to the siphon principle. That is, the chemical liquid in the second flow path R2 is drawn into the branch portion 42, and the ejection of the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 21 is stopped.
  • the tip of the chemical nozzle 21 is arranged at a position higher than the discharge port 44c of the return pipe 44. Therefore, by opening the second valve 48 from the closed state, the opening degree of the first valve 47 is changed. Regardless, the chemical liquid in the second flow path R2 is drawn into the branch portion 42. As shown in FIG. Further, the speed at which the chemical liquid in the second flow path R2 is drawn into the branch portion 42 increases as the opening degree of the first valve 47 increases.
  • the first valve 47 is a valve that does not completely close the processing liquid channel (part of the first channel R1) of the liquid sending pipe 41 in the closed state. That is, when the opening degree of the first valve 47 is the minimum opening degree, the first valve 47 is not closed but is open. In this case, the first valve 47 is slightly open. Therefore, during a period in which the chemical solution nozzle 21 does not eject the chemical solution, the second valve 48 is opened to allow the chemical solution supplied from the first flow path R1 to the branch portion 42 to flow to the third flow path R3.
  • the first valve 47 is a valve that does not completely close the processing liquid channel (part of the first channel R1) of the liquid sending pipe 41 in the closed state. Therefore, unlike the case where the first valve 47 is closed and the flow path of the liquid feeding pipe 41 is completely closed, particles are not generated in the first valve 47 due to the opening and closing operation of the first valve 47. can be suppressed. Specifically, for example, in the case of a configuration in which the first valve is closed by bringing the valve body and the valve seat of the first valve into contact with each other, the valve body and the valve seat repeatedly contact and separate from each other. , particles are generated.
  • the first valve 47 is a valve that does not close completely, it is possible to suppress the generation of particles in the first valve 47 due to the opening and closing operation of the first valve 47 . In this way, since it is possible to suppress the generation of particles in the first valve 47 , it is possible to suppress ejection of particles from the chemical liquid nozzle 21 . Therefore, contamination of the substrate W can be suppressed.
  • no valve is provided on the upstream side of the chemical liquid nozzle 21 to completely close the flow path in the closed state.
  • at least the channel from the chemical nozzle 21 to the circulation filter 34 is not provided with a valve that completely closes the channel in the closed state.
  • no valves other than the first valve 47 are provided in the liquid feeding pipe 41 and the supply pipe 43 . Therefore, the discharge of particles from the chemical liquid nozzle 21 can be further suppressed, and the contamination of the substrate W can be further suppressed.
  • FIG. 10 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 100 in the chemical supply process (step S2) for supplying the chemical to the substrate W.
  • FIG. 11 shows the timing of the opening degree of the first valve 47, the opening degree of the second valve 48, and the flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid nozzle 21 in the chemical liquid supply process (step S2) for supplying the chemical liquid to the substrate W. It is a figure which shows a chart.
  • step S21 the substrate processing apparatus 100 is in a discharge stop state.
  • the ejection stop state is a state in which the chemical liquid is not ejected from the chemical liquid nozzle 21 .
  • the chemical liquid nozzle 21 is arranged at the retracted position.
  • the control unit 3 closes the first valve 47 (to a third opening degree described later) and opens the second valve 48 . Note that the first valve 47 is not completely closed in this embodiment.
  • step S22 the control unit 3 moves the chemical liquid nozzle 21 from the retracted position to the processing position.
  • step S23 the controller 3 sets the degree of opening of the first valve 47 to the first degree of opening, and closes the second valve 48 .
  • the first degree of opening is the degree of opening of the first valve 47 when the processing liquid is supplied to the substrate W.
  • FIG. The first opening degree is appropriately set according to the type of processing liquid and the processing conditions for the substrate W such as the film to be processed of the substrate W.
  • the processing liquid is supplied from the chemical liquid nozzle 21 to the substrate W by setting the opening degree of the first valve 47 to the first opening degree and closing the second valve 48 . In other words, it is in a discharge state. After the predetermined processing time has elapsed, the process proceeds to step S24.
  • step S24 the control unit 3 opens the second valve 48 and changes the opening degree of the first valve 47 from the first opening degree to the second opening degree.
  • the pulling force F1 is generated and suck back occurs.
  • the processing liquid is returned.
  • suck back may be referred to as processing liquid return.
  • the second degree of opening is smaller than the first degree of opening.
  • the second degree of opening is not particularly limited, the second degree of opening is preferably small because the liquid medicine passing through the first valve 47 is not discharged from the liquid medicine nozzle 21 in step S24.
  • the second degree of opening may be the same as the first degree of opening, for example. Air bubbles may be generated in the supply line 43 due to suckback. Also from this point, it is preferable to make the second degree of opening smaller than the first degree of opening. As described above, it is also possible to hold the stagnant end position Z of the liquid chemical at a predetermined position of the supply pipe 43 by adjusting the second degree of opening to adjust the drawing force F1.
  • the tip of the chemical solution nozzle 21 is arranged at a position higher than the discharge port 44c of the downstream end 44b of the return pipe 44. Therefore, in step S24, the chemical solution nozzle 21 and the supply The chemical solution in the pipe 43 is recovered in the recovery tank 51 via the branch portion 42 and the return pipe 44 . Further, when the tip of the chemical nozzle 21 is arranged at a position higher than the discharge port 44c of the return pipe 44, suckback occurs even when the first valve 47 is closed.
  • step S25 the controller 3 changes the opening degree of the first valve 47 from the second opening degree to the third opening degree while keeping the second valve 48 open.
  • the third degree of opening is smaller than the second degree of opening.
  • the third degree of opening is the degree of opening that closes the first valve 47 .
  • the third degree of opening is the degree of opening that does not completely close the liquid feeding pipe 41 .
  • step S24 or step S25 the control unit 3 moves the liquid medicine nozzle 21 from the ejection position to the retracted position. As a result, the discharge is stopped.
  • the timing for moving the liquid medicine nozzle 21 from the ejection position to the retracted position is not particularly limited as long as it is after the suckback in step S24 occurs.
  • the substrate processing method of the present embodiment opens the first valve 47 and closes the second valve 48 so that the liquid supply pipe 41 is closed.
  • a step (step S23) of discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 21 by circulating the chemical liquid from the supply pipe 43 is included.
  • the substrate processing method also includes a step of allowing the chemical solution to flow from the supply pipe 43 to the return pipe 44 by opening the second valve 48 from the closed state (step S24). Therefore, by opening the second valve 48 from the closed state, it is possible to prevent the chemical liquid from dripping from the chemical liquid nozzle 21 while the substrate processing apparatus 100 is not processing the substrate W.
  • step S24 the suck back can be properly performed. For example, it is possible to suppress the occurrence of air bubbles in the supply pipe 43 due to rapid suckback.
  • step S25 A process (step S25) of circulating a smaller amount of the chemical solution from the liquid supply pipe 41 to the return pipe 44 than the step of discharging the chemical solution (step S23) is included. Therefore, it is possible to prevent the chemical from flowing from the liquid supply pipe 41 to the recovery tank 51 through the return pipe 44 when the chemical is not discharged onto the substrate W.
  • the second valve 48 is kept open except for the step of discharging the chemical liquid (step S23). Therefore, even if the first valve 47 cannot be kept closed due to a failure or the like, the chemical liquid that has passed through the first valve 47 can be recovered in the recovery tank 51 via the second valve 48 and the return pipe 44. .
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 100 of the second embodiment in the chemical supply process (step S2).
  • FIG. 13 shows the opening degree of the first valve 47, the opening degree of the second valve 48, the flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid nozzle 21, and 4 is a diagram showing a timing chart of the position of the chemical nozzle 21.
  • the substrate processing apparatus 100 is in a discharge stop state in step S21, as in the first embodiment.
  • the ejection stop state is a state in which the chemical liquid is not ejected from the chemical liquid nozzle 21 .
  • the chemical liquid nozzle 21 is arranged at the retracted position.
  • the control unit 3 closes the first valve 47 (third opening) and opens the second valve 48 . Note that the first valve 47 is not completely closed in this embodiment.
  • step S211 the control unit 3 supplies the chemical solution to the supply pipe 43 and the chemical solution nozzle 21, and causes the chemical solution nozzle 21 to eject (preliminary ejection) the chemical solution.
  • the insides of the supply pipe 43 and the chemical solution nozzle 21 can be filled with the chemical solution, so that the insides of the supply pipe 43 and the chemical solution nozzle 21 can be cleaned.
  • the gas in the chamber 6 flows into the inside of the supply pipe 43 and the chemical solution nozzle 21 due to the return of the processing solution described above. Therefore, the inside of the supply pipe 43 and the chemical solution nozzle 21 may be contaminated by the inflowing gas.
  • the inside of the supply pipe 43 and the chemical nozzle 21 can be cleaned by circulating the chemical solution through the supply pipe 43 and the chemical nozzle 21 . Therefore, it is possible to prevent the contaminated chemical liquid from being discharged onto the substrate W in the subsequent chemical liquid discharging step (step S23).
  • step S211 the controller 3 changes the opening degree of the first valve 47 from the third opening degree to the fourth opening degree, and changes the second valve 48 from the open state to the closed state.
  • the chemical liquid is supplied to the substrate W from the chemical liquid nozzle 21 .
  • a preliminary ejection state is entered.
  • the fourth degree of opening is less than the first degree of opening and greater than the second degree of opening. By making the fourth degree of opening smaller than the first degree of opening, it is possible to suppress consumption of the chemical liquid by preliminary ejection.
  • the fourth degree of opening may be, for example, the same as the first degree of opening, or may be greater than the first degree of opening.
  • step S212 the control unit 3 opens the second valve 48 and changes the opening degree of the first valve 47 from the fourth opening degree to the second opening degree. As a result, a pulling force F1 is generated and suckback occurs. In other words, the preliminary ejection treatment liquid returning state is entered.
  • the degree of opening of the first valve 47 in step S212 may be smaller than the degree of opening of the first valve 47 in step S24.
  • the opening degree of the first valve 47 in step S212 may be set to a fifth opening degree that is smaller than the second opening degree. In this case, the speed at which the chemical solution inside the chemical solution nozzle 21 and the supply pipe 43 returns to the branch portion 42 becomes slow.
  • step S22 the control unit 3 moves the chemical liquid nozzle 21 from the retracted position to the processing position.
  • the control unit 3 moves the chemical liquid nozzle 21 from the retracted position to the processing position before the chemical liquid inside the supply pipe 43 runs out in the preliminary ejection processing liquid returning state.
  • step S23 the controller 3 sets the degree of opening of the first valve 47 to the first degree of opening, and closes the second valve 48 .
  • the control unit 3 changes the opening degree of the first valve 47 from the second opening degree to the first opening degree before the chemical liquid inside the supply pipe 43 runs out in the preliminary ejection processing liquid returning state,
  • the discharge state is set by closing the second valve 48 from the open state.
  • steps S24 and S25 of the present embodiment are the same as steps S24 and S25 of the first embodiment, so description thereof will be omitted.
  • the substrate processing method of the present embodiment moves the chemical liquid nozzle 21 from the retracted position to the processing position before the chemical liquid inside the supply pipe 43 runs out, Further, by changing the opening degree of the first valve 47 from the second opening degree to the first opening degree and closing the second valve 48 from the open state, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 21 and the substrate W is removed. It includes processing steps (steps S22 and S23). Therefore, it is possible to prevent the gas from flowing into the supply pipe 43 and the entire inside of the chemical nozzle 21 during the period from the preliminary ejection to the movement of the chemical nozzle 21 to the processing position and the ejection of the chemical from the chemical nozzle 21. can. Therefore, it is possible to prevent the inside of the supply pipe 43 and the chemical liquid nozzle 21 from being contaminated with gas.
  • FIG. 14 is a diagram showing the structure around the interposed member 46 of the substrate processing apparatus 100 according to the first modified example of the present invention.
  • the first modified example an example in which the first flow path R1 and the third flow path R3 extend substantially horizontally from the branch portion 42 will be described.
  • the first member 46a and the third member 46c of the interposed member 46 are arranged to extend substantially horizontally.
  • the second member 46b is arranged to extend upward.
  • the first flow path R1 and the third flow path R3 extend substantially horizontally from the branch portion 42 .
  • the second flow path R2 extends upward from the branch portion 42 . Therefore, in the discharge stop state, it is possible to prevent the chemical liquid in the interposing member 46 from flowing out to the supply pipe 43 , so that it is possible to further prevent the chemical liquid from dripping from the chemical liquid nozzle 21 .
  • the second flow path R2 may extend downward.
  • FIG. 15 is a diagram showing the structure around the supply mechanism 40 of the substrate processing apparatus 100 according to the second modification of the present invention.
  • the intermediate member 46 is not provided at the branch portion 42 that is the branch point of the liquid feed pipe 41, the supply pipe 43, and the return pipe 44.
  • the interposed member 46 is not provided at the branch portion 42 which is the branch point of the liquid feed pipe 41, the supply pipe 43, and the return pipe 44.
  • the narrowed portion 46d for narrowing the flow passage area of the first flow passage R1 is not provided around the branch portion 42 . Even if the throttle portion 46d is not provided, the chemical liquid can flow from the supply pipe 43 to the return pipe 44 as described above.
  • the supply mechanism 40 includes an interposed member 146 .
  • the interposed member 146 may not be provided.
  • the interposed member 146 has a first member 46a, a second member 46b, and a third member 46c. Since the interposed member 146 is configured similarly to the interposed member 46 and has the same function as the interposed member 46, detailed description of the interposed member 146 is omitted.
  • a return pipe 44 is connected to the second member 46 b of the interposed member 146 .
  • Air, nitrogen gas, or the like flows into the first member 46a.
  • the third member 46c is connected to the collection tank 51 via piping.
  • the first valve 47 is a valve that does not completely close the flow path of the liquid feeding pipe 41 in the closed state, but the present invention is not limited to this.
  • the first valve 47 may be a valve that completely closes the flow path of the liquid feeding pipe 41 in the closed state.
  • the tip of the chemical liquid nozzle 21 is arranged at a position higher than the discharge port 44c of the downstream end 44b of the return pipe 44, but the present invention is not limited to this.
  • the tip of the chemical liquid nozzle 21 may be arranged at the same position as the discharge port 44c of the downstream end 44b of the return pipe 44 or at a position lower than the discharge port 44c. In this case, no suckback occurs due to the siphon principle.
  • the opening degree of the first valve 47 is adjusted.
  • the present invention is not limited to this, and the first valve 47 may not be able to adjust the opening degree. That is, the first valve 47 may be changeable between two states, the open state and the closed state.
  • step S23 in order to suppress the contaminated chemical liquid from being discharged onto the substrate W in the chemical liquid discharge step (step S23), preliminary discharge is performed to prevent the supply pipe 43 and the chemical liquid nozzle 21 from being discharged.
  • the branch portion 42 may be arranged near the chemical nozzle 21 and the supply pipe 43 may be shortened. In this case, since the amount of contamination inside the supply pipe 43 can be suppressed, contamination of the substrate W by the contaminated chemical solution can be suppressed.
  • a rinse liquid may be used as the treatment liquid.
  • the present invention can be used in the fields of substrate processing apparatuses and substrate processing methods.
  • Control unit 21 Chemical liquid nozzle (nozzle) 22: Nozzle moving unit (moving mechanism) 41 : Liquid sending pipe 42 : Branch portion 43 : Supply pipe 44 : Return pipe 44c : Discharge port 47 : First valve 48 : Second valve 51 : Collection tank (accommodation tank) 100: substrate processing apparatus Q1: first direction Q2: second direction Q3: third direction R1: first flow path R2: second flow path R3: third flow path W: substrate ⁇ 1: first angle ⁇ 2: second angle

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Abstract

基板処理装置（１００）は、送液配管（４１）と、供給配管（４３）と、戻り配管（４４）と、分岐部（４２）と、第１バルブ（４７）と、第２バルブ（４８）とを備える。分岐部（４２）は、送液配管（４１）、供給配管（４３）及び戻り配管（４４）の分岐点である。第１バルブ（４７）は、送液配管（４１）に設けられ、処理液の流量を調整可能である。第２バルブ（４８）は、戻り配管（４４）に設けられる。第１バルブ（４７）を開状態にし、第２バルブ（４８）を閉状態にすることによって、送液配管（４１）から供給配管（４３）に処理液を流通させて薬液ノズル（２１）から処理液を吐出する吐出状態になる。第２バルブ（４８）を閉状態から開状態にすることによって、供給配管（４３）から戻り配管（４４）に処理液を流通させる処理液戻し状態になる。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　従来、半導体装置及び液晶表示装置のような基板を含む装置の製造工程では、基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板は、例えば、半導体ウエハ又は液晶表示装置用ガラス基板である。
　特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。特許文献１に記載の基板処理装置は、スピンチャックと、処理液供給装置とを備える。スピンチャックは、基板を回転させる。処理液供給装置は、スピンチャックに保持されている基板に処理液を供給する。処理液供給装置は、ノズルと、供給配管と、バルブとを含む。ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。供給配管は、ノズルに処理液を供給する。バルブは、供給配管に設けられる。処理液は、ノズルから吐出されることで、基板に供給される。バルブは、弁体と弁座とを有する。弁体が弁座に接触することによりバルブが閉じられ、弁体が弁座から離れることによりバルブが開かれる。
特開２００９－２２２１８９号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の基板処理装置では、バルブが閉じられた後、バルブとノズルとの間に処理液が残っていることがあった。この場合、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、バルブとノズルとの間に存在する処理液がノズルから垂れ落ちることがあった。
　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、ノズルから処理液が垂れ落ちることを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
　本発明の第１の局面による基板処理装置は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する。基板処理装置は、送液配管と、供給配管と、戻り配管と、分岐部と、第１バルブと、第２バルブとを備える。前記送液配管は、前記処理液を案内する。前記供給配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する。前記戻り配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する。前記分岐部は、前記送液配管、前記供給配管及び前記戻り配管の分岐点である。前記第１バルブは、前記送液配管に設けられ、前記送液配管から前記分岐部に供給される処理液の流量を調整可能である。前記第２バルブは、前記戻り配管に設けられる。前記第１バルブを開状態にし、前記第２バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する吐出状態になる。前記第２バルブを閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる処理液戻し状態になる。
　本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記第１バルブは、閉状態において前記送液配管の処理液流路を完全に閉じないバルブであってもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記処理液が通過する流路は、前記分岐部に対して前記送液配管側に位置する第１流路と、前記分岐部に対して前記供給配管側に位置する第２流路と、前記分岐部に対して前記戻り配管側に位置する第３流路とを有してもよい。第１角度は、第２角度よりも大きくてもよい。前記第２角度は、前記分岐部から前記第１流路へ向かう第１方向と、前記分岐部から前記第２流路へ向かう第２方向とがなす角度であってもよい。前記第１角度は、前記第１方向と、前記分岐部から前記第３流路へ向かう第３方向とがなす角度であってもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記第１流路及び前記第３流路は、前記分岐部から略水平方向に延びてもよい。前記第２流路は、前記分岐部から上方に延びてもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置は、前記戻り配管から供給される前記処理液を収容する収容タンクをさらに備えてもよい。前記ノズルの先端は、前記戻り配管の排出口よりも高い位置に配置されてもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記送液配管及び前記供給配管には、前記第１バルブ以外のバルブは設けられていなくてもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置は、前記第１バルブ及び前記第２バルブを制御する制御部をさらに備えてもよい。前記制御部は、前記第１バルブの開度を少なくとも第１の開度及び第２の開度に切り替え可能であってもよい。前記第２の開度は、前記第１の開度よりも小さくてもよい。前記制御部は、前記第１バルブの開度を前記第１の開度にし、前記第２バルブを閉状態にすることによって、前記吐出状態にしてもよい。また、前記制御部は、前記第１バルブの開度を前記第２の開度にし、前記第２バルブを開状態にすることによって、前記処理液戻し状態にしてもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置において、前記制御部は、前記第１バルブの開度を少なくとも前記第１の開度、前記第２の開度及び第３の開度に切り替え可能であってもよい。前記第３の開度は、前記第２の開度よりも小さくてもよい。前記制御部は、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から前記第３の開度にし、前記第２バルブを前記開状態に保持することによって、前記吐出状態よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる吐出停止状態にしてもよい。
　本発明の第１の局面による基板処理装置は、前記ノズルを処理位置と退避位置との間で移動させる移動機構をさらに備えてもよい。前記処理位置は、前記基板の上方の位置であってもよい。前記退避位置は、前記基板の上方から離隔した位置であってもよい。前記制御部は、前記移動機構を制御してもよい。前記制御部は、前記第１バルブの開度を前記第１の開度、前記第２の開度、前記第３の開度及び第４の開度に切り替え可能であってもよい。前記第４の開度は、前記第１の開度よりも小さく、前記第２の開度よりも大きくてもよい。前記制御部は、前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第３の開度から前記第４の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する予備吐出状態にしてもよい。前記制御部は、前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第４の開度から前記第２の開度にし、前記第２バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる予備吐出処理液戻し状態にしてもよい。前記制御部は、前記予備吐出処理液戻し状態で前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記処理位置に移動させ、且つ、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から前記第１の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記吐出状態にしてもよい。
　本発明の第２の局面による基板処理方法は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する基板処理方法である。本発明の第２の局面による基板処理方法は、送液配管に設けられた第１バルブを開状態にし、前記送液配管に接続される戻り配管に設けられた第２バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管及び前記戻り配管と前記ノズルとに接続される供給配管に、前記送液配管から前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程と、前記第２バルブを前記閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程とを含む。
　本発明の第２の局面による基板処理方法において、前記第１バルブの開度を第１の開度にし、前記第２バルブを閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出する工程を実行し、前記第１バルブの開度を前記第１の開度よりも小さい第２の開度にし、前記第２バルブを開状態にすることによって、前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程を実行してもよい。
　本発明の第２の局面による基板処理方法は、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から、前記第２の開度よりも小さい第３の開度にし、前記第２バルブを前記開状態に保持することによって、前記ノズルから前記処理液を吐出する工程よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる工程をさらに含んでもよい。
　本発明の第２の局面による基板処理方法は、前記ノズルを前記基板の上方から離隔した退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第３の開度から、前記第１の開度よりも小さく前記第２の開度よりも大きい第４の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する工程と、前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第４の開度から前記第２の開度にし、前記第２バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程と、前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記基板の上方の処理位置に移動させ、且つ、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から前記第１の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程とをさらに含んでもよい。
　本発明によれば、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、ノズルから処理液が垂れ落ちることを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す平面図である。 処理ユニットの構成を模式的に示す側面図である。 基板処理装置によって実行される基板に対する処理の一例を示すフロー図である。 薬液供給装置の構成を示す模式図である。 供給機構周辺の構成を示す模式図である。 介装部材の切断端面図である。 薬液の圧力を示す模式図である。 第２バルブが閉状態になっている状態を示す模式図である。 第２バルブが開状態になっている状態を示す模式図である。 基板に対して薬液を供給する薬液供給処理における基板処理装置の動作の一例を示すフロー図である。 基板に対して薬液を供給する薬液供給処理における第１バルブの開度、第２バルブの開度、及び、薬液ノズルを流通する薬液の流量のタイミングチャートを示す図である。 第２実施形態の基板処理装置の薬液供給処理における動作の一例を示すフロー図である。 第２実施形態の基板処理装置の薬液供給処理における第１バルブの開度、第２バルブの開度、薬液ノズルを流通する薬液の流量、及び、薬液ノズルの位置のタイミングチャートを示す図である。 本発明の第１変形例による基板処理装置の介装部材周辺の構造を示す図である。 本発明の第２変形例による基板処理装置の供給機構周辺の構造を示す図である。
　本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
（第１実施形態）
　図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す平面図である。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
　基板Ｗは、例えば、シリコンウエハ、樹脂基板、又は、ガラス・石英基板である。本実施形態では、基板Ｗとして、略円板状の半導体基板が例示されている。しかし、基板Ｗの形状は特に限定されない。基板Ｗは、例えば、矩形状に形成されていてもよい。
　基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、複数の処理ユニット１と、記憶部２と、制御部３とを備える。
　ロードポートＬＰは、基板Ｗを収容した基板収容器Ｃを保持する。処理ユニット１は、ロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理流体で処理する。処理流体は、例えば、処理液、又は処理ガスを示す。
　記憶部２は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）のような主記憶装置（例えば、半導体メモリー）を含み、補助記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）をさらに含んでもよい。主記憶装置、及び／又は，補助記憶装置は、制御部３によって実行される種々のコンピュータープログラムを記憶する。
　制御部３は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）及びＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。制御部３は、基板処理装置１００の各要素を制御する。
　基板処理装置１００は、搬送ロボットをさらに備える。搬送ロボットは、ロードポートＬＰと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットは、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲとを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲ、及びセンターロボットＣＲの各々は、基板Ｗを支持するハンドを含む。
　基板処理装置１００は、複数の流体ボックス４と、薬液キャビネット５とをさらに備える。複数の流体ボックス４と、処理ユニット１とは、基板処理装置１００の筐体１００ａの内部に配置されている。薬液キャビネット５は、基板処理装置１００の筐体１００ａの外部に配置されている。薬液キャビネット５は、基板処理装置１００の側方に配置されていてもよい。また、薬液キャビネット５は、基板処理装置１００が設置されるクリーンルームの下（地下）に配置されていてもよい。
　複数の処理ユニット１は、上下に積層されたタワーＴＷを構成する。タワーＴＷは複数設けられる。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。
　本実施形態では、タワーＴＷには、３つの処理ユニット１が積層される。また、タワーＴＷは４つ設けられる。なお、タワーＴＷを構成する処理ユニット１の個数は特に限定されない。また、タワーＴＷの個数も特に限定されない。
　複数の流体ボックス４は、それぞれ、複数のタワーＴＷと対応する。薬液キャビネット５内の薬液は、流体ボックス４を介して、流体ボックス４と対応するタワーＴＷに供給される。その結果、タワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に対して薬液が供給される。
　図２を参照して、処理ユニット１について説明する。図２は、処理ユニット１の構成を模式的に示す側面図である。
　図２に示すように、処理ユニット１は、チャンバー６と、スピンチャック１０と、カップ１４とを含む。
　チャンバー６は、隔壁８と、シャッター９と、ＦＦＵ７（ファン・フィルタ・ユニット）とを含む。隔壁８は、中空の形状を有する。隔壁８には搬送口が設けられる。シャッター９は、搬送口を開閉する。ＦＦＵ７は、クリーンエアーのダウンフローをチャンバー６内に形成する。クリーンエアーは、フィルターによってろ過された空気である。
　センターロボットＣＲは、搬送口を通じてチャンバー６に基板Ｗを搬入し、搬送口を通じてチャンバー６から基板Ｗを搬出する。
　スピンチャック１０は、チャンバー６内に配置される。スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持しつつ、回転軸線Ａ１回りに回転させる。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な仮想軸である。
　スピンチャック１０は、複数のチャックピン１１と、スピンベース１２と、スピンモータ１３と、カップ１４と、昇降ユニット１５とを含む。
　スピンベース１２は、円板状の部材である。複数のチャックピン１１は、スピンベース１２上で基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンモータ１３は、複数のチャックピン１１を回転させることにより、回転軸線Ａ１回りに基板Ｗを回転させる。
　本実施形態のスピンチャック１０は、複数のチャックピン１１を基板Ｗの外周面に接触させる挟持式のチャックである。しかし、本発明はこれに限定されない。スピンチャック１０は、バキューム式のチャックでもよい。バキューム式のチャックは、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより、基板Ｗを水平に保持する。
　カップ１４は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。カップ１４は、傾斜部１４ａと、案内部１４ｂと、液受部１４ｃとを含む。傾斜部１４ａは、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる筒状の部材である。傾斜部１４ａは、基板Ｗ及びスピンベース１２よりも大きい内径を有する円環状の上端を含む。傾斜部１４ａの上端は、カップ１４の上端に相当する。カップ１４の上端は、平面視で基板Ｗ及びスピンベース１２を取り囲んでいる。案内部１４ｂは、傾斜部１４ａの下端部（外端部）から下方に延びる円筒状の部材である。液受部１４ｃは、案内部１４ｂの下部に位置し、上向きに開いた環状の溝を形成する。
　昇降ユニット１５は、上昇位置と、下降位置との間でカップ１４を昇降させる。カップ１４が上昇位置に位置するとき、カップ１４の上端が、スピンチャック１０よりも上方に位置する。カップ１４が下降位置に位置するとき、カップ１４の上端が、スピンチャック１０よりも下方に位置する。
　基板Ｗに処理液が供給されるとき、カップ１４は上昇位置に位置する。基板Ｗから外方に飛散した処理液は、傾斜部１４ａによって受け止められた後、案内部１４ｂを介して液受部１４ｃ内に集められる。
　処理ユニット１は、リンス液ノズル１６と、リンス液配管１７と、リンス液バルブ１８とをさらに含む。リンス液ノズル１６は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。リンス液ノズル１６は、リンス液配管１７に接続されている。リンス液配管１７には、リンス液バルブ１８が介装されている。
　リンス液バルブ１８が開かれると、リンス液配管１７からリンス液ノズル１６にリンス液が供給される。そして、リンス液がリンス液ノズル１６から吐出される。リンス液は、例えば、純水（脱イオン水：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　Ｗａｔｅｒ）である。リンス液は、純水に限定されず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、及び／又は、希釈濃度の塩酸水であってもよい。希釈濃度は、例えば、１０ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下の濃度である。
　処理ユニット１は、薬液ノズル２１と、ノズル移動ユニット２２とをさらに含む。薬液ノズル２１は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに向けて薬液を吐出する。ノズル移動ユニット２２は、処理位置と退避位置との間で薬液ノズル２１を移動させる。処理位置は、薬液ノズル２１が基板Ｗに向けて薬液を吐出する位置を示す。また、処理位置は、基板Ｗの上方の位置である。退避位置は、薬液ノズル２１が基板Ｗから離間した位置を示す。また、退避位置は、基板Ｗの上方から離隔した位置である。ノズル移動ユニット２２は、例えば、揺動軸線Ａ２回りに薬液ノズル２１を旋回させることで薬液ノズル２１を移動させる。揺動軸線Ａ２は、カップ１４の周辺に位置する鉛直な仮想軸である。なお、薬液ノズル２１は、本発明の「ノズル」の一例である。また、ノズル移動ユニット２２は、本発明の「移動機構」の一例である。
　基板処理装置１００は、薬液供給装置３０をさらに備える。薬液供給装置３０は、処理ユニット１の薬液ノズル２１に薬液を供給する。薬液ノズル２１に供給される薬液は、例えば、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ　ａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）を含む。薬液は、本発明の「処理液」の一例である。
　図３を参照して、基板処理装置１００によって実行される基板Ｗに対する処理の一例について説明する。図３は、基板処理装置１００によって実行される基板Ｗに対する処理の一例を示すフロー図である。
　図３に示すように、ステップＳ１において、制御部３は、基板Ｗをチャンバー６内に搬送する搬送処理を行う。以下では、搬送処理の手順について説明する。
　まず、薬液ノズル２１が基板Ｗの上方から退避している状態で、センターロボットＣＲが基板Ｗをハンドで支持しつつ、ハンドをチャンバー６内に進入させる。そして、センターロボットＣＲは、ハンドで支持されている基板Ｗをスピンチャック１０上に置く。その結果、基板Ｗがスピンチャック１０上に搬送される。
　基板Ｗがスピンチャック１０上に搬送されると、チャックピン１１が基板Ｗを把持する。そして、スピンモータ１３がチャックピン１１を回転させる。その結果、基板Ｗが回転する。基板Ｗが回転すると、処理がステップＳ２に移行する。
　ステップＳ２において、制御部３は、基板Ｗに対して薬液を供給する薬液供給処理を行う。以下では、薬液供給処理の手順について説明する。
　まず、ノズル移動ユニット２２が、薬液ノズル２１を処理位置に移動させる。そして、昇降ユニット１５が、カップ１４を上昇位置まで上昇させる。そして、薬液供給装置３０が薬液ノズル２１への薬液の供給を開始する。その結果、薬液ノズル２１が基板Ｗに向けて薬液を吐出する。
　薬液ノズル２１から吐出された薬液は、基板Ｗの上面に着液した後、回転中の基板Ｗの上面に沿いつつ、基板Ｗの外方に向かって流れる。その結果、薬液の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うように形成される。なお、薬液ノズル２１が薬液を吐出しているときに、ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル２１を静止させてもよいし、基板Ｗの上方で走査させてもよい。
　薬液ノズル２１への薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、薬液ノズル２１への薬液の供給が停止される。そして、ノズル移動ユニット２２が薬液ノズル２１を退避位置に移動させる。薬液ノズル２１が退避位置に到達すると、処理がステップＳ３に移行する。
　ステップＳ３において、制御部３は、基板Ｗに対してリンス液の一例である純水を供給するリンス液供給処理を行う。以下では、リンス液供給処理の手順について説明する。
　まず、リンス液バルブ１８が開かれて、リンス液ノズル１６が純水の吐出を開始する。基板Ｗの上面に着液した純水は、回転中の基板Ｗの上面に沿いつつ、基板Ｗの外方に向かって流れる。基板Ｗ上の薬液は、リンス液ノズル１６から吐出された純水によって洗い流される。その結果、純水の液膜が基板Ｗの上面全域に形成される。
　リンス液バルブ１８が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ１８が閉じられて、基板Ｗへの純水の吐出が停止される。基板Ｗへの純水の吐出が停止されると、処理がステップＳ４に移行する。
　ステップＳ４において、制御部３は、基板Ｗの回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥処理を行う。以下では、乾燥処理の手順について説明する。
　まず、スピンモータ１３が基板Ｗを、薬液供給処理時の基板Ｗの回転速度、及びリンス液供給処理時の基板Ｗの回転速度よりも大きい回転速度（例えば、数千ｒｐｍ）で高速回転させる。その結果、基板Ｗから液体が除去されるので、基板Ｗが乾燥する。
　基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１３が基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転が停止すると、処理がステップＳ５に移行する。
　ステップＳ５において、制御部３は、基板Ｗをチャンバー６から搬出する搬出処理を行う。以下では、搬出処理の手順について説明する。
　まず、昇降ユニット１５が、カップ１４を下位置まで下降させる。そして、センターロボットＣＲが、ハンドをチャンバー６内に進入させる。そして、複数のチャックピン１１が基板Ｗの把持を解除する。
　複数のチャックピン１１が基板Ｗの把持を解除した後、センターロボットＣＲは、スピンチャック１０上の基板Ｗをハンドで支持する。そして、センターロボットＣＲは、ハンドで基板Ｗを支持しつつ、ハンドをチャンバー６の内部から退避させる。その結果、処理済みの基板Ｗがチャンバー６から搬出される。
　処理済みの基板Ｗがチャンバー６から搬出されると、ステップＳ５に示す搬出処理が終了する。
　ステップＳ１からステップＳ５に示す処理が繰り返されることで、基板処理装置１００に搬送された複数の基板Ｗが一枚ずつ処理される。
　次に、図４を参照して、薬液供給装置３０について説明する。図４は、薬液供給装置３０の構成を示す模式図である。
　薬液供給装置３０は、複数設けられる。複数の薬液供給装置３０は、それぞれ、複数のタワーＴＷ（図１参照）と対応する。薬液供給装置３０は、対応するタワーＴＷを構成する全ての処理ユニット１に対して薬液を供給する。
　本実施形態では、１つのタワーＴＷは、３つの処理ユニット１で構成される。従って、１つの薬液供給装置３０が、３つの処理ユニット１に薬液を供給する。
　図４に示すように、薬液供給装置３０は、供給タンク３１と、循環配管３２と、循環ポンプ３３と、循環フィルター３４と、循環ヒータ３５とを含む。
　供給タンク３１は、薬液を貯留する。循環配管３２は、管状の部材である。循環配管３２内には、薬液が循環する循環路が形成される。循環配管３２は、上流側端部３２ａと、下流側端部３２ｂとを有する。循環配管３２は、供給タンク３１に連通する。具体的には、循環配管３２の上流側端部３２ａと、下流側端部３２ｂとが供給タンク３１に連通する。
　循環ポンプ３３は、供給タンク３１内の薬液を循環配管３２に送る。循環ポンプ３３が作動すると、供給タンク３１内の薬液が循環配管３２の上流側端部３２ａに送られる。上流側端部３２ａに送られた薬液は、循環配管３２内を搬送されて、下流側端部３２ｂから供給タンク３１に排出される。循環ポンプ３３が作動し続けることで、上流側端部３２ａから下流側端部３２ｂに向かって、循環配管３２内に薬液が流れ続ける。その結果、薬液が循環配管３２を循環する。
　循環フィルター３４は、循環配管３２を循環する薬液から、パーティクルのような異物を除去する。循環ヒータ３５は、薬液を加熱することで、薬液の温度を調整する。循環ヒータ３５は、薬液の温度を、例えば、室温よりも高い一定の温度（例えば、６０℃）に保持する。循環配管３２を循環する薬液の温度は、循環ヒータ３５により一定の温度に保持される。
　循環ポンプ３３、循環フィルター３４、及び循環ヒータ３５は、循環配管３２に設置される。
　供給タンク３１、循環ポンプ３３、循環フィルター３４、及び循環ヒータ３５は、薬液キャビネット５内に設置される。
　循環ポンプ３３に代えて、加圧装置を設けてもよい。加圧装置は、供給タンク３１内の気圧を上昇させることにより、供給タンク３１内の薬液を循環配管３２に送り出す。
　薬液供給装置３０は、複数の供給機構４０をさらに備える。本実施形態では、３つの供給機構４０が設けられる。
　複数の供給機構４０の各々は、循環配管３２に連通する。複数の供給機構４０の各々には、循環配管３２を循環する薬液が供給される。
　複数の供給機構４０は、複数の処理ユニット１と対応する。供給機構４０は、対応する処理ユニット１に薬液を供給する。処理ユニット１に供給された薬液は、薬液ノズル２１から吐出される。
　薬液供給装置３０は、回収タンク５１と、回収配管５２と、回収ポンプ５３と、回収フィルター５４とをさらに有する。なお、回収タンク５１は、本発明の「収容タンク」の一例である。
　回収タンク５１は、複数の供給機構４０の各々と連通する。回収タンク５１は、薬液ノズル２１から吐出されること無く複数の供給機構４０の各々を通過した薬液を収容する。回収タンク５１の上面には、貫通孔５１ａが形成されている。これにより、供給機構４０から回収タンク５１に薬液と気体とが混ざった状態で回収された場合であっても、貫通孔５１ａから気体を外部に排出できる。つまり、回収タンク５１は、気体と液体とを分離する気液分離装置として機能する。よって、気体の混ざった薬液が回収タンク５１から供給タンク３１に供給されることを抑制できる。
　回収配管５２は、管状の部材である。回収配管５２は、回収タンク５１内の薬液を供給タンク３１へ案内する。回収配管５２は、上流側端部５２ａと、下流側端部５２ｂとを含む。上流側端部５２ａは、回収タンク５１に連通する。下流側端部５２ｂは、供給タンク３１に連通する。
　回収ポンプ５３は、回収配管５２に設置される。回収ポンプ５３は、回収配管５２を通じて、回収タンク５１内の薬液を供給タンク３１へ圧送する。回収フィルター５４は、回収配管５２に設置される。回収フィルター５４は、回収配管５２を流れる薬液から異物を除去する。
　次に、図５を参照して、供給機構４０について説明する。図５は、供給機構４０周辺の構成を示す模式図である。
　図５に示すように、供給機構４０は、送液配管４１と、分岐部４２と、供給配管４３と、戻り配管４４とを有する。送液配管４１、供給配管４３、及び戻り配管４４は、分岐部４２を介して互いに連通する。
　送液配管４１は、管状の部材である。送液配管４１は、循環配管３２を循環する薬液を循環配管３２の外部に案内する。送液配管４１は、上流側端部４１ａと、下流側端部４１ｂとを含む。上流側端部４１ａは、循環配管３２に連通する。
　供給配管４３は、管状の部材である。供給配管４３は、送液配管４１により案内された薬液を薬液ノズル２１に案内する。供給配管４３は、上流側端部４３ａと、下流側端部４３ｂとを含む。上流側端部４３ａは、分岐部４２を介して送液配管４１の下流側端部４１ｂと連通する。下流側端部４３ｂは、薬液ノズル２１に連通する。
　戻り配管４４は、管状の部材である。戻り配管４４は、送液配管４１によって案内された処理液を供給配管４３とは異なる経路に沿って案内する。本実施形態では、戻り配管４４は、薬液を回収タンク５１に案内する。戻り配管４４は、上流側端部４４ａと、下流側端部４４ｂとを含む。上流側端部４４ａは、分岐部４２を介して送液配管４１の下流側端部４１ｂ、及び供給配管４３の上流側端部４３ａの各々と連通する。下流側端部４４ｂは、回収タンク５１に連通する。
　供給機構４０は、流量計４５と、介装部材４６と、第１バルブ４７と、第２バルブ４８とをさらに有する。
　流量計４５は、送液配管４１を流れる薬液の流量を検出する。流量計４５は、送液配管４１に設置される。薬液の流量は、詳細には、送液配管４１内の所定位置を流れる単位時間当たりの薬液の量を示す。
　介装部材４６は、分岐部４２に配置される。介装部材４６は、中空の部材である。介装部材４６は、例えば、エジェクタである。介装部材４６は、送液配管４１と、供給配管４３と、戻り配管４４との間に介装される。送液配管４１、供給配管４３、及び戻り配管４４は、介装部材４６を介して互いに連通される。
　第１バルブ４７は、送液配管４１に設置される。本実施形態では、第１バルブ４７は、送液配管４１から分岐部４２に供給される薬液の流量を調整可能である。つまり、第１バルブ４７は、開度を調整可能である。開度は、第１バルブ４７が開いている程度を示す。第１バルブ４７の開度が小さくなる程、第１バルブ４７が開いている程度が小さくなる。
　第１バルブ４７は、モータのような駆動源を含み、駆動源の動力により開度を変更する。図１に示す制御部３は、駆動源を操作することで、第１バルブ４７の開度を制御する。第１バルブ４７は、例えば、モーターニードルバルブである。なお、第１バルブ４７は、例えば、ダイヤフラムバルブ等の、モーターニードルバルブ以外のバルブであってもよい。
　第２バルブ４８は、戻り配管４４に設置される。本実施形態では、第２バルブ４８は、戻り配管４４を開閉する。第２バルブ４８は、開度を調整できない。つまり、第２バルブ４８は、戻り配管４４内の薬液の通過と通過停止とを切り替える。
　次に、図４及び図５を参照して、薬液供給装置３０内の薬液の流れについて説明する。
　図４及び図５に示すように、循環配管３２を循環する薬液は、循環配管３２から送液配管４１に流入すると、送液配管４１により分岐部４２へ案内される。分岐部４２から供給配管４３へ供給された薬液は、薬液ノズル２１から吐出される。分岐部４２から戻り配管４４へ供給された薬液は、戻り配管４４から回収タンク５１へ排出される。回収タンク５１へ排出された薬液は、回収配管５２を通じて供給タンク３１に供給される。供給タンク３１に供給された薬液は、循環配管３２を循環する。
　次に、図６を参照して、介装部材４６について説明する。図６は、介装部材４６の切断端面図である。
　図６に示すように、介装部材４６は、第１部材４６ａと、第２部材４６ｂと、第３部材４６ｃとを有する。第１部材４６ａ、第２部材４６ｂ、及び第３部材４６ｃは、中空の部材であり、互いに連通する。第１部材４６ａ、第２部材４６ｂ、及び第３部材４６ｃが互いに連通する空所が、分岐部４２を構成する。
　第１部材４６ａ、及び第３部材４６ｃは、分岐部４２から互いに反対方向に突出する。第２部材４６ｂは、分岐部４２から、第１部材４６ａ、及び第３部材４６ｃの各々に対して垂直な方向に突出する。なお、図５及び図６では、第１部材４６ａ及び第３部材４６ｃは上下方向（Ｘ方向に沿った方向）に延びるように配置されているが、第１部材４６ａ及び第３部材４６ｃは上下方向以外の方向（例えば、略水平方向）に延びるように配置されてもよい。
　第１部材４６ａは、第１開口部４Ａを有する。第１開口部４Ａは、第１部材４６ａの内部と外部とを連通する。第１開口部４Ａには、送液配管４１の下流側端部４１ｂが連結される。
　第２部材４６ｂは、第２開口部４Ｂを有する。第２開口部４Ｂは、第２部材４６ｂの内部と外部とを連通する。第２開口部４Ｂには、供給配管４３の上流側端部４３ａが連結される。
　第３部材４６ｃは、第３開口部４Ｃを有する。第３開口部４Ｃは、第３部材４６ｃの内部と外部とを連通する。第３開口部４Ｃには、戻り配管４４の上流側端部４４ａが連結される。
　送液配管４１を流れる薬液は、第１開口部４Ａを介して介装部材４６の内部に供給される。介装部材４６の内部の薬液は、第２開口部４Ｂを介して供給配管４３に供給される。介装部材４６の内部の薬液は、第３開口部４Ｃを介して戻り配管４４に供給される。
　薬液の流路は、分岐部４２と、第１流路Ｒ１と、第２流路Ｒ２と、第３流路Ｒ３とを有する。分岐部４２は、送液配管４１、供給配管４３、及び戻り配管４４の分岐点である。第１流路Ｒ１は、分岐部４２に対して送液配管４１側に位置する薬液の流路を示す。第１流路Ｒ１は、分岐部４２と送液配管４１の上流側端部４１ａ（図５参照）との間に位置する。第２流路Ｒ２は、分岐部４２に対して供給配管４３側に位置する薬液の流路を示す。第２流路Ｒ２は、分岐部４２と供給配管４３の下流側端部４３ｂとの間に位置する。第３流路Ｒ３は、分岐部４２に対して戻り配管４４側に位置する薬液の流路を示す。第３流路Ｒ３は、分岐部４２と戻り配管４４の下流側端部４４ｂとの間に位置する。
　供給機構４０は、絞り部４６ｄをさらに有する。絞り部４６ｄは、第１流路Ｒ１に配置される。絞り部４６ｄは、第１流路Ｒ１の流路面積を絞るオリフィスとして機能する。流路面積は、薬液が流れる方向に対して垂直な薬液の流路の断面積である。
　本実施形態では、絞り部４６ｄは、介装部材４６の第１部材４６ａに形成される。絞り部４６ｄは、分岐部４２と対向する。絞り部４６ｄは分岐部４２に向けて薬液を噴出する。本実施形態では、絞り部４６ｄは、分岐部４２の近傍に位置する。従って、薬液は、絞り部４６ｄから噴出した直後に、分岐部４２に流れ込む。
　図６は、第１方向Ｑ１と、第２方向Ｑ２と、第３方向Ｑ３とを示す。第１方向Ｑ１は、分岐部４２から第１流路Ｒ１へ向かう方向を示す。第２方向Ｑ２は、分岐部４２から第２流路Ｒ２へ向かう方向を示す。第３方向Ｑ３は、分岐部４２から第３流路Ｒ３へ向かう方向を示す。
　図６は、第１角度θ１と、第２角度θ２とをさらに示す。第１角度θ１は、第１方向Ｑ１と第３方向Ｑ３とがなす角度を示す。第１角度θ１は、詳細には、第１方向Ｑ１と第３方向Ｑ３とがなす角度のうち、最も小さい角度を示す。第２角度θ２は、第１方向Ｑ１と第２方向Ｑ２とがなす角度を示す。第２角度θ２は、詳細には、第１方向Ｑ１と第２方向Ｑ２とがなす角度のうち、最も小さい角度を示す。
　第１角度θ１は、第２角度θ２よりも大きい（第１角度θ１＞第２角度θ２）。すなわち、第３流路Ｒ３の方が第２流路Ｒ２よりも第１流路Ｒ１に対して屈曲していない。従って、第１流路Ｒ１から分岐部４２に流れる薬液は、主に第３流路Ｒ３へ案内される。言い換えれば、絞り部４６ｄは、第３流路Ｒ３に向けて薬液を噴出する。
　本実施形態では、第１角度θ１は約１８０度であり、第２角度θ２は約９０度である。
　図７を参照して、薬液の圧力について説明する。図７は、薬液の圧力を示す模式図である。
　図７は、第１圧力Ｐ１と、第２圧力Ｐ２と、第３圧力Ｐ３とを示す。第１圧力Ｐ１は、第１流路Ｒ１のうち絞り部４６ｄよりも上流の領域に位置する薬液の圧力を示す。第２圧力Ｐ２は、分岐部４２に位置する薬液の圧力を示す。第３圧力Ｐ３は、第２流路Ｒ２に位置する薬液の圧力を示す。
　図７は、第１移動方向Ｘ１と、第１移動速度Ｖ１とをさらに示す。第１移動方向Ｘ１は、第１流路Ｒ１内において絞り部４６ｄの上流を流れている薬液の移動方向を示す。第１移動速度Ｖ１は、第１流路Ｒ１内において絞り部４６ｄの上流を流れている薬液の移動速度を示す。
　図７は、第２移動方向Ｘ２と、第２移動速度Ｖ２とをさらに示す。第２移動方向Ｘ２は、薬液が第１流路Ｒ１から分岐部４２に流れ込むときの薬液の移動方向を示す。第２移動方向Ｘ２は、図６に示す第１方向Ｑ１の反対方向である。第２移動速度Ｖ２は、薬液が第１流路Ｒ１から分岐部４２に流れ込むときの薬液の移動速度を示す。
　本実施形態では、絞り部４６ｄから噴出した薬液は、第１流路Ｒ１から分岐部４２に流れ込む際、第２移動方向Ｘ２に向かいつつ第２移動速度Ｖ２で移動している。
　図７に示すように、絞り部４６ｄの流路面積は、絞り部４６ｄの上流の流路面積よりも小さい。従って、ベルヌーイの定理により、絞り部４６ｄでは、絞り部４６ｄの上流に比べて、薬液の移動速度が増加すると共に、薬液の圧力が減少する。その結果、絞り部４６ｄで加速されると共に減圧された薬液が、絞り部４６ｄから噴出する。
　絞り部４６ｄで加速されると共に減圧された薬液が絞り部４６ｄから噴出するので、第２移動速度Ｖ２が第１移動速度Ｖ１よりも大きくなる（第２移動速度Ｖ２＞第１移動速度Ｖ１）。また、第２圧力Ｐ２が第１圧力Ｐ１よりも小さくなる（第２圧力Ｐ２＜第１圧力Ｐ１）。
　図５に示す第１バルブ４７の開度が変更されることで、第１圧力Ｐ１が変更される。第１バルブ４７の開度が小さくなる程、第１流路Ｒ１のうち第１バルブ４７が位置する場所の流路面積が小さくなる。その結果、第１バルブ４７を通過する単位時間当たりの薬液の流量が少なくなるので、第１圧力Ｐ１が小さくなる。また、第１圧力Ｐ１が小さくなるにつれて、第２圧力Ｐ２が小さくなる。
　また、図５に示す第２バルブ４８が開状態又は閉状態に変更されることで、第２圧力Ｐ２が変更される。第２バルブ４８が閉状態になると、第３流路Ｒ３を通過する薬液の流量がゼロになるので、第２圧力Ｐ２が大きくなる。その一方、第２バルブ４８が開状態になると、第３流路Ｒ３を通過する薬液の流量が多くなるので、第２圧力Ｐ２が小さくなる。
　なお、第１バルブ４７の開度の調整、及び、第２バルブ４８の開閉状態の切り替えは、図１に示す制御部３により行われる。
　図７は、第１径Ｄ１と、第２径Ｄ２と、第３径Ｄ３と、第４径Ｄ４と、第５径Ｄ５とを示す。第１径Ｄ１は、第１流路Ｒ１のうち絞り部４６ｄの上流に位置する部分の径を示す。第２径Ｄ２は、絞り部４６ｄの径を示す。第３径Ｄ３は、第１流路Ｒ１のうち絞り部４６ｄの下流に位置する部分の径を示す。第４径Ｄ４は、第３流路Ｒ３の上流部の径を示す。第３流路Ｒ３の上流部は、第３流路Ｒ３のうち分岐部４２の近傍を示す。第５径Ｄ５は、第２流路Ｒ２の上流部の径を示す。第２流路Ｒ２の上流部は、第２流路Ｒ２のうち分岐部４２の近傍を示す。
　第１径Ｄ１は、第２径Ｄ２よりも大きい（第１径Ｄ１＞第２径Ｄ２）。第３径Ｄ３は、第２径Ｄ２よりも大きい（第３径Ｄ３＞第２径Ｄ２）。第４径Ｄ４は、第３径Ｄ３以上の大きさを有する（第４径Ｄ４≧第３径Ｄ３）。第４径Ｄ４は、第５径Ｄ５以上の大きさを有する（第４径Ｄ４≧第５径Ｄ５）。なお、第４径Ｄ４と第５径Ｄ５との大小関係は特に限定されない。第４径Ｄ４が第５径Ｄ５よりも小さくてもよい。
　次に、図７から図９を参照して、第１バルブ４７の開度と、第２バルブ４８の開閉状態と、薬液ノズル２１からの薬液の吐出量との関係について説明する。図８は、第２バルブ４８が閉状態になっている状態を示す模式図である。図９は、第２バルブ４８が開状態になっている状態を示す模式図である。
　図７及び図８に示すように、制御部３が、第２バルブ４８（図５参照）を閉状態にすることによって、第１流路Ｒ１から分岐部４２に供給された薬液は、第２流路Ｒ２に流れる。本実施形態では、第１流路Ｒ１から分岐部４２に供給された薬液の全てが、第２流路Ｒ２に流れる。また、制御部３が、第１バルブ４７の開度を調整することによって、第１流路Ｒ１から分岐部４２に供給される薬液の流量が調整される。これにより、薬液ノズル２１から吐出される薬液の吐出量が調整される。
　その一方、図７及び図９に示すように、制御部３が、第２バルブ４８（図５参照）を開状態にした状態で、第１バルブ４７の開度を調整することによって、第２圧力Ｐ２と第３圧力Ｐ３との圧力差を調整することが可能である。
　例えば、第２圧力Ｐ２を第３圧力Ｐ３よりも小さくすることで、第２圧力Ｐ２と第３圧力Ｐ３との圧力差により（第２圧力Ｐ２＜第３圧力Ｐ３）、引込力Ｆ１が発生する。引込力Ｆ１は、第２流路Ｒ２内の薬液を分岐部４２に引き込む力を示す。第１バルブ４７の開度が大きくなる程、引込力Ｆ１が大きくなる。
　引込力Ｆ１が発生することで、サックバックが生じる。サックバックは、第２流路Ｒ２内の薬液の全部又は一部が引込力Ｆ１により分岐部４２に引き込まれることを示す。その結果、薬液ノズル２１から薬液が吐出されることが停止される。
　サックバックにより第２流路Ｒ２から分岐部４２に流れた薬液は、絞り部４６ｄから噴出される薬液の流れＸに巻き込まれることで、第３流路Ｒ３に供給される（アスピレート効果）。そして、第３流路Ｒ３に供給された薬液は、回収タンク５１に供給される。
　なお、例えば、第１バルブ４７の開度を所定の値に保持することによって、薬液の滞留端部位置Ｚを一定の位置に保持することも可能である。この場合、第１バルブ４７の開度が大きい程、滞留端部位置Ｚが高い位置で保持される。滞留端部位置Ｚが高くなる程、滞留端部位置Ｚが分岐部４２に近づく。滞留端部位置Ｚが低くなる程、滞留端部位置Ｚが薬液ノズル２１に近づく。
　本実施形態では、図５に示すように、薬液ノズル２１の先端は、戻り配管４４の下流側端部４４ｂの排出口４４ｃよりも高い位置に配置される。従って、第２バルブ４８を閉状態から開状態にすることによって、サイフォンの原理によりサックバックが生じる。つまり、第２流路Ｒ２内の薬液が分岐部４２に引き込まれ、薬液ノズル２１から薬液が吐出されることが停止される。
　本実施形態では、薬液ノズル２１の先端が戻り配管４４の排出口４４ｃよりも高い位置に配置されるため、第２バルブ４８を閉状態から開状態にすることによって、第１バルブ４７の開度にかかわらず、第２流路Ｒ２内の薬液が分岐部４２に引き込まれる。また、第１バルブ４７の開度が大きい程、第２流路Ｒ２内の薬液が分岐部４２に引き込まれる速度が大きくなる。
　本実施形態では、第１バルブ４７は、閉状態において送液配管４１の処理液流路（第１流路Ｒ１の一部）を完全に閉じないバルブである。つまり、第１バルブ４７の開度が最小開度の場合、第１バルブ４７が閉じられず、開いている。この場合、第１バルブ４７は、僅かに開いている。従って、薬液ノズル２１から薬液を吐出しない期間は、第２バルブ４８を開状態にすることによって、第１流路Ｒ１から分岐部４２に供給される薬液を第３流路Ｒ３に流す。
　以上、図５から図９を参照して説明したように、第１バルブ４７を開状態にし、第２バルブ４８を閉状態にすることによって、送液配管４１から供給配管４３に薬液を流通させて薬液ノズル２１から薬液を吐出する吐出状態になる。その一方、第２バルブ４８を閉状態から開状態にすることによって、供給配管４３から戻り配管４４に薬液を流通させる処理液戻し状態になる。従って、第２バルブ４８を閉状態から開状態にすることによって、基板処理装置１００が基板Ｗの処理を行っていない状態で、薬液ノズル２１から薬液が垂れ落ちることを抑制できる。
　また、上記のように、第１バルブ４７は、閉状態において送液配管４１の処理液流路（第１流路Ｒ１の一部）を完全に閉じないバルブである。従って、第１バルブ４７を閉状態において送液配管４１の流路を完全に閉じるように構成する場合とは異なり、第１バルブ４７の開閉動作に起因して第１バルブ４７でパーティクルが生じることを、抑制できる。具体的には、例えば、第１バルブの弁体と弁座とを接触させることにより第１バルブを閉状態にする構成の場合、弁体と弁座とが互いに接触と離隔とを繰り返すことによって、パーティクルが生じる。本実施形態では、第１バルブ４７は完全に閉じないバルブであるため、第１バルブ４７の開閉動作に起因して第１バルブ４７でパーティクルが生じることを抑制できる。このように、第１バルブ４７でパーティクルが生じることを抑制できるので、薬液ノズル２１からパーティクルが吐出されることを抑制できる。よって、基板Ｗが汚染されることを抑制できる。
　また、本実施形態では、薬液ノズル２１の上流側には、閉状態において流路を完全に閉じるバルブは設けられていない。本実施形態では、少なくとも薬液ノズル２１から循環フィルター３４までの流路には、閉状態において流路を完全に閉じるバルブは設けられていない。また、本実施形態では、送液配管４１及び供給配管４３には、第１バルブ４７以外のバルブは設けられていない。従って、薬液ノズル２１からパーティクルが吐出されることをより抑制できるので、基板Ｗが汚染されることをより抑制できる。
　次に、図１０及び図１１を参照して、基板Ｗに対して薬液を供給する薬液供給処理（ステップＳ２）における基板処理装置１００の動作について詳細に説明する。図１０は、基板Ｗに対して薬液を供給する薬液供給処理（ステップＳ２）における基板処理装置１００の動作の一例を示すフロー図である。図１１は、基板Ｗに対して薬液を供給する薬液供給処理（ステップＳ２）における第１バルブ４７の開度、第２バルブ４８の開度、及び、薬液ノズル２１を流通する薬液の流量のタイミングチャートを示す図である。
　図１０及び図１１に示すように、ステップＳ２１において、基板処理装置１００は、吐出停止状態になっている。吐出停止状態は、薬液ノズル２１から薬液が吐出されない状態である。吐出停止状態において、薬液ノズル２１は、退避位置に配置されている。また、吐出停止状態において、制御部３は、第１バルブ４７を閉状態（後述する第３の開度）にし、第２バルブ４８を開状態にしている。なお、本実施形態では、第１バルブ４７は完全に閉じていない。
　次に、ステップＳ２２において、制御部３は、薬液ノズル２１を退避位置から処理位置に移動させる。
　次に、ステップＳ２３において、制御部３は、第１バルブ４７の開度を第１の開度にし、第２バルブ４８を閉状態にする。第１の開度は、基板Ｗに処理液を供給する際の第１バルブ４７の開度である。第１の開度は、処理液の種類、及び、基板Ｗの被処理膜などの基板Ｗに対する処理条件によって適宜設定される。
　第１バルブ４７の開度が第１の開度にされ、第２バルブ４８が閉状態にされることによって、薬液ノズル２１から基板Ｗに処理液が供給される。言い換えると、吐出状態になる。所定の処理時間が経過すると、ステップＳ２４に進む。
　次に、ステップＳ２４において、制御部３は、第２バルブ４８を開状態にし、第１バルブ４７の開度を第１の開度から第２の開度にする。これにより、上述したように、引込力Ｆ１が発生し、サックバックが生じる。言い換えると、処理液戻し状態になる。以下、サックバックを処理液戻しと記載することがある。
　本実施形態では、第２の開度は、第１の開度よりも小さい。第２の開度は、特に限定されるものではないが、ステップＳ２４では第１バルブ４７を通過する薬液は薬液ノズル２１から吐出されないため、第２の開度は小さい方が好ましい。また、第２の開度を例えば第１の開度と同じにしてもよいが、第２の開度が大きい状態で第２バルブ４８を閉状態から開状態に急激に変化させると、急激なサックバックによって供給配管４３内に気泡が生じる可能性がある。この点からも、第２の開度を第１の開度よりも小さくすることが好ましい。なお、上述したように、第２の開度を調整して引込力Ｆ１を調整することによって、薬液の滞留端部位置Ｚを供給配管４３の所定位置に保持することも可能である。
　ただし、上述したように、本実施形態では、薬液ノズル２１の先端は、戻り配管４４の下流側端部４４ｂの排出口４４ｃよりも高い位置に配置されるため、ステップＳ２４では薬液ノズル２１及び供給配管４３の薬液は、分岐部４２及び戻り配管４４を介して回収タンク５１に回収される。また、薬液ノズル２１の先端が戻り配管４４の排出口４４ｃよりも高い位置に配置される場合、第１バルブ４７を閉状態にしてもサックバックが生じる。
　次に、ステップＳ２５において、制御部３は、第２バルブ４８を開状態にしたまま、第１バルブ４７の開度を第２の開度から第３の開度にする。第３の開度は、第２の開度よりも小さい。第３の開度は、第１バルブ４７を閉状態にする開度である。なお、本実施形態では、第３の開度は、送液配管４１を完全には閉じない開度である。
　また、制御部３は、ステップＳ２４又はステップＳ２５において、薬液ノズル２１を吐出位置から退避位置に移動させる。これにより、吐出停止状態になる。なお、薬液ノズル２１を吐出位置から退避位置に移動させるタイミングは、ステップＳ２４のサックバックが生じた後であれば、特に限定されない。
　以上、図１０及び図１１を参照して説明したように、本実施形態の基板処理方法は、第１バルブ４７を開状態にし、第２バルブ４８を閉状態にすることによって、送液配管４１から供給配管４３に薬液を流通させて薬液ノズル２１から薬液を吐出する工程（ステップＳ２３）を含む。また、基板処理方法は、第２バルブ４８を閉状態から開状態にすることによって、供給配管４３から戻り配管４４に薬液を流通させる工程（ステップＳ２４）を含む。従って、第２バルブ４８を閉状態から開状態にすることによって、基板処理装置１００が基板Ｗの処理を行っていない状態で、薬液ノズル２１から薬液が垂れ落ちることを抑制できる。
　また、上記のように、第２バルブ４８を閉状態から開状態にし、第１バルブ４７の開度を第１の開度から第２の開度にすることによって、戻り配管４４に薬液を流通させる工程（ステップＳ２４）を実行する。従って、サックバックを適切に行うことができる。例えば、急激なサックバックによって供給配管４３内に気泡が生じることを抑制できる。
　また、上記のように、本実施形態の基板処理方法は、第１バルブ４７の開度を第２の開度から第３の開度にし、第２バルブ４８を開状態に保持することによって、薬液を吐出する工程（ステップＳ２３）よりも少ない量の薬液を送液配管４１から戻り配管４４に流通させる工程（ステップＳ２５）を含む。従って、基板Ｗに薬液を吐出しない状態において、送液配管４１から戻り配管４４を介して回収タンク５１に薬液が流通することを抑制できる。
　また、本実施形態では、薬液を吐出する工程（ステップＳ２３）を除き、第２バルブ４８は開状態に保持される。従って、第１バルブ４７が故障等によって閉状態に保持できなくなった場合であっても、第１バルブ４７を通過した薬液を、第２バルブ４８及び戻り配管４４を介して回収タンク５１に回収できる。
（第２実施形態）
　次に、図１２及び図１３を参照して、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１００の薬液供給処理（ステップＳ２）における動作について説明する。第２実施形態では、図１０及び図１１に示した薬液供給処理とは異なり、基板Ｗに薬液を吐出する工程（ステップＳ２３）の前に、供給配管４３及び薬液ノズル２１の汚染を低減する例について説明する。図１２は、第２実施形態の基板処理装置１００の薬液供給処理（ステップＳ２）における動作の一例を示すフロー図である。図１３は、第２実施形態の基板処理装置１００の薬液供給処理（ステップＳ２）における第１バルブ４７の開度、第２バルブ４８の開度、薬液ノズル２１を流通する薬液の流量、及び、薬液ノズル２１の位置のタイミングチャートを示す図である。
　図１２及び図１３に示すように、第１実施形態と同様、ステップＳ２１において、基板処理装置１００は、吐出停止状態になっている。吐出停止状態は、薬液ノズル２１から薬液が吐出されない状態である。吐出停止状態において、薬液ノズル２１は、退避位置に配置されている。また、吐出停止状態において、制御部３は、第１バルブ４７を閉状態（第３の開度）にし、第２バルブ４８を開状態にしている。なお、本実施形態では、第１バルブ４７は完全に閉じていない。
　次に、ステップＳ２１１において、制御部３は、供給配管４３及び薬液ノズル２１に薬液を供給し、薬液ノズル２１から薬液を吐出（予備吐出）させる。これにより、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部を薬液で満たすことができるので、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部を清浄化できる。具体的には、上述の処理液戻しによって、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部には、チャンバー６内の気体が流入している。このため、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部が流入した気体によって汚染されている可能性がある。本実施形態では、供給配管４３及び薬液ノズル２１に薬液を流通させることによって、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部を清浄化できる。よって、後の薬液吐出工程（ステップＳ２３）において、汚染された薬液が基板Ｗに吐出されることを抑制できる。
　ステップＳ２１１では、制御部３は、第１バルブ４７の開度を第３の開度から第４の開度にし、第２バルブ４８を開状態から閉状態にする。これにより、薬液ノズル２１から基板Ｗに薬液が供給される。言い換えると、予備吐出状態になる。第４の開度は、第１の開度よりも小さく、第２の開度よりも大きい。第４の開度を第１の開度よりも小さくすることによって、予備吐出により薬液の消費を抑えることができる。なお、第４の開度を、例えば、第１の開度と同じにしてもよいし、第１の開度より大きくしてもよい。
　次に、ステップＳ２１２において、制御部３は、第２バルブ４８を開状態にし、第１バルブ４７の開度を第４の開度から第２の開度にする。これにより、引込力Ｆ１が発生し、サックバックが生じる。言い換えると、予備吐出処理液戻し状態になる。なお、ステップＳ２１２における第１バルブ４７の開度を、ステップＳ２４における第１バルブ４７の開度よりも小さくしてもよい。言い換えると、ステップＳ２１２における第１バルブ４７の開度を、第２の開度よりも小さい第５の開度にしてもよい。この場合、薬液ノズル２１及び供給配管４３の内部の薬液が分岐部４２に戻る速度は、遅くなる。
　次に、ステップＳ２２において、制御部３は、薬液ノズル２１を退避位置から処理位置に移動させる。本実施形態では、制御部３は、予備吐出処理液戻し状態で供給配管４３の内部の薬液が無くなる前に、薬液ノズル２１を退避位置から処理位置に移動させる。
　次に、ステップＳ２３において、制御部３は、第１バルブ４７の開度を第１の開度にし、第２バルブ４８を閉状態にする。本実施形態では、制御部３は、予備吐出処理液戻し状態で供給配管４３の内部の薬液が無くなる前に、第１バルブ４７の開度を第２の開度から第１の開度にし、第２バルブ４８を開状態から閉状態にすることによって、吐出状態にする。
　なお、本実施形態のステップＳ２４及びステップＳ２５は、第１実施形態のステップＳ２４及びステップＳ２５と同様であるため、その説明を省略する。
　以上、図１２及び図１３を参照して説明したように、本実施形態の基板処理方法は、供給配管４３の内部の薬液が無くなる前に、薬液ノズル２１を退避位置から処理位置に移動させ、且つ、第１バルブ４７の開度を第２の開度から第１の開度にし、第２バルブ４８を開状態から閉状態にすることによって、薬液ノズル２１から薬液を吐出して基板Ｗを処理する工程（ステップＳ２２及びステップＳ２３）を含む。従って、予備吐出を行ってから、薬液ノズル２１を処理位置に移動させて薬液ノズル２１から薬液を吐出するまでの間に、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部全体に気体が流入することを抑制できる。よって、供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部が気体で汚染されることを抑制できる。
　第２実施形態のその他の構成、基板処理方法、及び効果は、第１実施形態と同様である。
（第１変形例）
　次に、図１４を参照して、本発明の第１変形例による基板処理装置１００について説明する。図１４は、本発明の第１変形例による基板処理装置１００の介装部材４６周辺の構造を示す図である。第１変形例では、第１流路Ｒ１及び第３流路Ｒ３が分岐部４２から略水平方向に延びる例について説明する。
　図１４に示すように、第１変形例では、介装部材４６の第１部材４６ａ及び第３部材４６ｃは、略水平方向に延びるように配置される。第２部材４６ｂは、上方向に延びるように配置される。言い換えると、第１流路Ｒ１及び第３流路Ｒ３は、分岐部４２から略水平方向に延びる。また、第２流路Ｒ２は、分岐部４２から上方に延びる。従って、吐出停止状態において、介装部材４６内の薬液が供給配管４３に流れ出ることを抑制できるので、薬液ノズル２１から薬液が垂れ落ちることをより抑制できる。なお、第１流路Ｒ１及び第３流路Ｒ３が略水平方向に延びる場合に、第２流路Ｒ２が下方に延びてもよい。
（第２変形例）
　次に、図１５を参照して、本発明の第２変形例による基板処理装置１００について説明する。図１５は、本発明の第２変形例による基板処理装置１００の供給機構４０周辺の構造を示す図である。第２変形例では、送液配管４１、供給配管４３及び戻り配管４４の分岐点である分岐部４２に、介装部材４６が設けられていない例について説明する。
　図１５に示すように、第２変形例では、送液配管４１、供給配管４３及び戻り配管４４の分岐点である分岐部４２に、介装部材４６が設けられていない。具体的には、分岐部４２周辺には、第１流路Ｒ１の流路面積を絞る絞り部４６ｄが設けられていない。絞り部４６ｄを設けない場合であっても、上述したように、供給配管４３から戻り配管４４に薬液を流通させることができる。
　さらに、この第２実施例では、供給機構４０は、介装部材１４６を備える。なお、分岐部４２に介装部材４６が設けられていない構成において、介装部材１４６が設けられていなくてもよい。
　介装部材１４６は、第１部材４６ａと、第２部材４６ｂと、第３部材４６ｃとを有する。介装部材１４６は、介装部材４６と同様に構成されているとともに介装部材４６と同様の機能を有するため、介装部材１４６の詳細な説明を省略する。
　介装部材１４６の第２部材４６ｂには、戻り配管４４が接続される。第１部材４６ａには、空気又は窒素ガスなどが流入される。第３部材４６ｃは、配管を介して回収タンク５１に接続される。第１部材４６ａに対する空気又は窒素ガスの流入量を調整することによって、絞り部４６ｄ（図示せず）を通過した後の内圧を調整することが可能である。よって、第２部材４６ｂ内の薬液を第３部材４６ｃに向けて吸引することができるので、戻り配管４４を通過する薬液の流量を調整できる。その結果、薬液ノズル２１及び供給配管４３から分岐部４２に薬液を戻す速度を調整できる。

　以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

　また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
　上記の実施形態では、第１バルブ４７は、閉状態において送液配管４１の流路を完全に閉じないバルブである例について示したが、本発明はこれに限らない。第１バルブ４７は、閉状態において送液配管４１の流路を完全に閉じるバルブであってもよい。ただし、この場合、弁体と弁座との接触面積が比較的小さい、例えばモーターニードルバルブを用いることが好ましい。
　また、上記の実施形態では、薬液ノズル２１の先端を、戻り配管４４の下流側端部４４ｂの排出口４４ｃよりも高い位置に配置する例について説明したが、本発明はこれに限らない。薬液ノズル２１の先端を、戻り配管４４の下流側端部４４ｂの排出口４４ｃと同じ位置、又は排出口４４ｃよりも低い位置に配置してもよい。この場合、サイフォンの原理によるサックバックは生じない。
　また、薬液ノズル２１の先端を、戻り配管４４の下流側端部４４ｂの排出口４４ｃと同じ高さ、又は排出口４４ｃよりも低い位置に配置した場合、第１バルブ４７の開度を調整することによって、滞留端部位置Ｚを、薬液ノズル２１の先端から供給配管４３の上流側端部４３ａまでの所定位置に留めることも可能である。
　また、上記の実施形態では、第１バルブ４７が開度を調整可能である例について説明したが、本発明はこれに限らず、第１バルブ４７は、開度を調整できなくてもよい。つまり、第１バルブ４７は、開状態又は閉状態の２つの状態に変更可能であってもよい。
　また、例えば、第２実施形態では、薬液吐出工程（ステップＳ２３）において、汚染された薬液が基板Ｗに吐出されることを抑制するために、予備吐出を行って供給配管４３及び薬液ノズル２１の内部を清浄化する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、薬液ノズル２１の近傍に分岐部４２を配置し、供給配管４３を短くしてもよい。この場合、供給配管４３の内部の汚染量を抑制できるので、汚染された薬液によって基板Ｗが汚染されることを抑制できる。
　また、上記の実施形態では、処理液として薬液を用いる例について説明したが、本発明はこれに限らない。処理液としてリンス液を用いてもよい。
　本発明は、基板処理装置及び基板処理方法の分野に利用可能である。
３　　　　：制御部
２１　　　：薬液ノズル（ノズル）
２２　　　：ノズル移動ユニット（移動機構）
４１　　　：送液配管
４２　　　：分岐部
４３　　　：供給配管
４４　　　：戻り配管
４４ｃ　　：排出口
４７　　　：第１バルブ
４８　　　：第２バルブ
５１　　　：回収タンク（収容タンク）
１００　　：基板処理装置
Ｑ１　　　：第１方向
Ｑ２　　　：第２方向
Ｑ３　　　：第３方向
Ｒ１　　　：第１流路
Ｒ２　　　：第２流路
Ｒ３　　　：第３流路
Ｗ　　　　：基板
θ１　　　：第１角度
θ２　　　：第２角度

Claims (13)

  1. 　ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する基板処理装置であって、
    　前記処理液を案内する送液配管と、
    　前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する供給配管と、
    　前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する戻り配管と、
    　前記送液配管、前記供給配管及び前記戻り配管の分岐点である分岐部と、
    　前記送液配管に設けられ、前記送液配管から前記分岐部に供給される処理液の流量を調整可能な第１バルブと、
    　前記戻り配管に設けられる第２バルブと
    　を備え、
    　前記第１バルブを開状態にし、前記第２バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する吐出状態になり、
    　　前記第２バルブを閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる処理液戻し状態になる、基板処理装置。
  2. 　前記第１バルブは、閉状態において前記送液配管の処理液流路を完全に閉じないバルブである、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記処理液が通過する流路は、
    　　前記分岐部に対して前記送液配管側に位置する第１流路と、
    　　前記分岐部に対して前記供給配管側に位置する第２流路と、
    　　前記分岐部に対して前記戻り配管側に位置する第３流路と
    　を有し、
    　第１角度は、第２角度よりも大きく、
    　前記第２角度は、前記分岐部から前記第１流路へ向かう第１方向と、前記分岐部から前記第２流路へ向かう第２方向とがなす角度であり、
    　前記第１角度は、前記第１方向と、前記分岐部から前記第３流路へ向かう第３方向とがなす角度である、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記第１流路及び前記第３流路は、前記分岐部から略水平方向に延び、
    　前記第２流路は、前記分岐部から上方に延びる、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記戻り配管から供給される前記処理液を収容する収容タンクをさらに備え、
    　前記ノズルの先端は、前記戻り配管の排出口よりも高い位置に配置される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記送液配管及び前記供給配管には、前記第１バルブ以外のバルブは設けられていない、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 　前記第１バルブ及び前記第２バルブを制御する制御部をさらに備え、
    　前記制御部は、前記第１バルブの開度を少なくとも第１の開度及び第２の開度に切り替え可能であり、
    　前記第２の開度は、前記第１の開度よりも小さく、
    　前記制御部は、
    　　前記第１バルブの開度を前記第１の開度にし、前記第２バルブを閉状態にすることによって、前記吐出状態にし、
    　　前記第１バルブの開度を前記第２の開度にし、前記第２バルブを開状態にすることによって、前記処理液戻し状態にする、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記制御部は、前記第１バルブの開度を少なくとも前記第１の開度、前記第２の開度及び第３の開度に切り替え可能であり、
    　前記第３の開度は、前記第２の開度よりも小さく、
    　前記制御部は、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から前記第３の開度にし、前記第２バルブを前記開状態に保持することによって、前記吐出状態よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる吐出停止状態にする、請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 　前記ノズルを処理位置と退避位置との間で移動させる移動機構をさらに備え、
    　前記処理位置は、前記基板の上方の位置であり、
    　前記退避位置は、前記基板の上方から離隔した位置であり、
    　前記制御部は、
    　　前記移動機構を制御し、
    　　前記第１バルブの開度を前記第１の開度、前記第２の開度、前記第３の開度及び第４の開度に切り替え可能であり、
    　前記第４の開度は、前記第１の開度よりも小さく、前記第２の開度よりも大きく、
    　前記制御部は、
    　　前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第３の開度から前記第４の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する予備吐出状態にし、
    　　前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第４の開度から前記第２の開度にし、前記第２バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる予備吐出処理液戻し状態にし、
    　　前記予備吐出処理液戻し状態で前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記処理位置に移動させ、且つ、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から前記第１の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記吐出状態にする、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 　ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する基板処理方法であって、
    　送液配管に設けられた第１バルブを開状態にし、前記送液配管に接続される戻り配管に設けられた第２バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管及び前記戻り配管と前記ノズルとに接続される供給配管に、前記送液配管から前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程と、
    　前記第２バルブを前記閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程と
    　を含む、基板処理方法。
  11. 　前記第１バルブの開度を第１の開度にし、前記第２バルブを閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出する工程を実行し、
    　前記第１バルブの開度を前記第１の開度よりも小さい第２の開度にし、前記第２バルブを開状態にすることによって、前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程を実行する、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 　前記第１バルブの開度を前記第２の開度から、前記第２の開度よりも小さい第３の開度にし、前記第２バルブを前記開状態に保持することによって、前記ノズルから前記処理液を吐出する工程よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる工程をさらに含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 　前記ノズルを前記基板の上方から離隔した退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第３の開度から、前記第１の開度よりも小さく前記第２の開度よりも大きい第４の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する工程と、
    　前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第１バルブの開度を前記第４の開度から前記第２の開度にし、前記第２バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程と、
    　前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記基板の上方の処理位置に移動させ、且つ、前記第１バルブの開度を前記第２の開度から前記第１の開度にし、前記第２バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程と
    　をさらに含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
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