TW202335073A

TW202335073A - 基板處理裝置及基板處理方法

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Publication number: TW202335073A
Application number: TW111149861A
Authority: TW
Inventors: 杉本健太郎; 吉原直彦
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2021-12-28
Filing date: 2022-12-26
Publication date: 2023-09-01
Also published as: WO2023127493A1; JP2023098079A

Abstract

本發明之基板處理裝置(100)，其具備有：送液配管(41)、供給配管(43)、返回配管(44)、分歧部(42)、第一閥(47)、及第二閥(48)。分歧部(42)係送液配管(41)、供給配管(43)及返回配管(44)之分歧點。第一閥(47)被設於送液配管(41)，可調整處理液的流量。第二閥(48)被設於返回配管(44)。藉由將第一閥(47)設為開放狀態且將第二閥(48)設為關閉狀態，使成為處理液自送液配管(41)朝向供給配管(43)流通而自藥液噴嘴(21)吐出處理液之吐出狀態。藉由將第二閥(48)自關閉狀態設為開放狀態，使成為處理液自供給配管(43)朝向返回配管(44)流通之處理液返回狀態。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。

以往，在如半導體裝置及液晶顯示裝置之包含有基板之裝置的製造步驟中，使用對基板進行處理之基板處理裝置。基板例如為半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板。

專利文獻1揭示有一種單片式之基板處理裝置，其用以一片一片地處理基板。於專利文獻1記載之基板處理裝置，其具備有旋轉卡盤及處理液供給裝置。旋轉卡盤使基板旋轉。處理液供給裝置朝保持於旋轉卡盤之基板供給處理液。處理液供給裝置具備有噴嘴、供給配管及閥。噴嘴朝基板吐出處理液。供給配管朝噴嘴供給處理液。閥被設於供給配管。處理液藉由自噴嘴吐出而供給至基板。閥具備有閥體及閥座。藉由閥體與閥座接觸而將閥關閉，且藉由閥體自閥座分離而將閥開放。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2009-222189號公報

(發明所欲解決之問題)

然而，於專利文獻1記載之基板處理裝置中，其存在以下之情況：將閥關閉之後，於閥與噴嘴之間殘留有處理液。於此情況下，在基板處理裝置未進行基板處理之狀態下，閥與噴嘴之間存在之處理液有時會自噴嘴滴落。

本發明係鑑於上述問題所完成者，其目的在於，提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可於基板處理裝置未進行基板處理之狀態下，抑制處理液自噴嘴滴落。 (解決問題之技術手段)

本發明之第一態樣之基板處理裝置，其係利用自噴嘴朝向基板供給處理液而對前述基板進行處理者。該基板處理裝置具備有：送液配管、供給配管、返回配管、分歧部、第一閥、及第二閥。前述送液配管導引前述處理液。前述供給配管將由前述送液配管所導引之前述處理液朝向前述噴嘴導引。前述返回配管沿著與前述供給配管不同之路徑導引由前述送液配管所導引之前述處理液。前述分歧部係前述送液配管、前述供給配管及前述返回配管之分歧點。前述第一閥被設於前述送液配管，可調整自前述送液配管供給至前述分歧部之處理液的流量。前述第二閥被設於前述返回配管。藉由將前述第一閥設為開放狀態且將前述第二閥設為關閉狀態，以成為吐出狀態，該吐出狀態係使前述處理液自前述送液配管朝向前述供給配管流通而自前述噴嘴吐出前述處理液的狀態。藉由將前述第二閥自關閉狀態設為開放狀態，以成為處理液返回狀態，該處理液返回狀態係使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通的狀態。

於本發明之第一態樣之基板處理裝置中，前述第一閥亦可為，於關閉狀態下不完全將前述送液配管之處理液流路關閉之閥。

於本發明之第一態樣之基板處理裝置中，供前述處理液通過之流路，亦可包含有：第一流路，其相對於前述分歧部位於前述送液配管側；第二流路，其相對於前述分歧部位於前述供給配管側；及第三流路，其相對於前述分歧部位於前述返回配管側。第一角度亦可大於第二角度。前述第二角度亦可為，自前述分歧部朝向前述第一流路之第一方向與自前述分歧部朝向前述第二流路之第二方向所夾之角度。前述第一角度亦可為，前述第一方向與自前述分歧部朝向前述第三流路之第三方向所夾之角度。

於本發明之第一態樣之基板處理裝置中，前述第一流路及前述第三流路亦可自前述分歧部朝大致水平方向延伸。前述第二流路亦可自前述分歧部朝上方延伸。

本發明之第一態樣之基板處理裝置，亦更具備有收容槽，其收容來自前述返回配管所供給之前述處理液。前述噴嘴之前端亦可被配置於較前述返回配管之排出口為高的位置。

於本發明之第一態樣之基板處理裝置中，亦可於前述送液配管及前述供給配管不設置前述第一閥以外的閥。

本發明之第一態樣之基板處理裝置，亦更具備有控制部，其控制前述第一閥及前述第二閥。前述控制部亦可將前述第一閥之開度至少切換為第一開度及第二開度。前述第二開度亦可為小於前述第一開度。前述控制部亦可藉由將前述第一閥之開度設為前述第一開度且將前述第二閥設為關閉狀態，以設為前述吐出狀態。此外，前述控制部亦可藉由將前述第一閥之開度設為前述第二開度且將前述第二閥設為開放狀態，以設為前述處理液返回狀態。

於本發明之第一態樣之基板處理裝置中，前述控制部亦可將前述第一閥之開度至少切換為前述第一開度、前述第二開度及第三開度。前述第三開度亦可為小於前述第二開度。前述控制部亦可藉由將前述第一閥之開度自前述第二開度設為前述第三開度，且將前述第二閥保持於前述開放狀態，以設為吐出停止狀態，該吐出停止狀態係使較前述吐出狀態少量之前述處理液自前述送液配管朝向前述返回配管流通的狀態。

本發明之第一態樣之基板處理裝置，其更具備移動機構，其使前述噴嘴於處理位置與退避位置之間移動。前述處理位置亦可在前述基板之上方的位置。前述退避位置亦可在離開前述基板上方的位置。前述控制部亦可控制前述移動機構。前述控制部亦可將前述第一閥之開度切換為前述第一開度、前述第二開度、前述第三開度及第四開度。前述第四開度亦可為小於前述第一開度，且大於前述第二開度。前述控制部亦可於將前述噴嘴配置於前述退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第三開度設為前述第四開度且將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，以設為預備吐出狀態，該預備吐出狀態係使前述處理液自前述送液配管朝向前述供給配管流通而自前述噴嘴吐出前述處理液的狀態。前述控制部亦可於將前述噴嘴配置於前述退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第四開度設為前述第二開度，且將前述第二閥自前述關閉狀態設為前述開放狀態，以設為預備吐出處理液返回狀態，該預備吐出處理液返回狀態係使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通的狀態。前述控制部亦可於前述預備吐出處理液返回狀態下前述供給配管內部之前述處理液耗盡之前，藉由使前述噴嘴自前述退避位置移動至前述處理位置，且將前述第一閥之開度自前述第二開度設為前述第一開度，將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，以設為前述吐出狀態。

本發明之第二態樣之基板處理方法，其係藉由自噴嘴朝基板供給處理液而對前述基板進行處理者。本發明之第二態樣之基板處理方法，其包含有以下之步驟：藉由將設於送液配管之第一閥設為開放狀態，且將設於與前述送液配管連接之返回配管之第二閥設為關閉狀態，使前述處理液自前述送液配管朝連接於前述送液配管及前述返回配管、與前述噴嘴之供給配管流通，而自前述噴嘴吐出前述處理液對前述基板進行處理之步驟；及藉由將前述第二閥自前述關閉狀態設為開放狀態，使前述處理液自前述供給配管朝前述返回配管流通之步驟。

於本發明之第二態樣之基板處理方法中，亦可執行藉由將前述第一閥之開度設為第一開度且將前述第二閥設為關閉狀態，而自前述噴嘴吐出前述處理液之步驟，且執行藉由將前述第一閥之開度設為小於前述第一開度之第二開度且將前述第二閥設為開放狀態，而使前述處理液朝向前述返回配管流通之步驟。

本發明之第二態樣之基板處理方法，亦可更包含以下之步驟：藉由將前述第一閥之開度自前述第二開度設為小於前述第二開度之第三開度，且將前述第二閥保持於前述開放狀態，而使較自前述噴嘴吐出前述處理液之步驟為少量之前述處理液自前述送液配管朝向前述返回配管流通之步驟。

本發明之第二態樣之基板處理方法，亦可更包含以下之步驟：於將前述噴嘴配置於離開前述基板之上方的退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第三開度設為小於前述第一開度且大於前述第二開度之第四開度，且將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，而使前述處理液自前述送液配管朝向前述供給配管流通，自前述噴嘴吐出前述處理液之步驟；於將前述噴嘴配置於前述退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第四開度設為前述第二開度，且將前述第二閥自前述關閉狀態設為前述開放狀態，而使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通之步驟；及於前述供給配管內部之前述處理液耗盡之前，藉由使前述噴嘴自前述退避位置朝向前述基板之上方的處理位置移動，且將前述第一閥之開度自前述第二開度設為前述第一開度，將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，而自前述噴嘴吐出前述處理液對前述基板進行處理之步驟。 (對照先前技術之功效)

根據本發明，可提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可於基板處理裝置未進行基板處理之狀態下，抑制處理液自噴嘴滴落。

以下，參照圖式，對於本發明之實施形態進行說明。再者，於圖中，對相同或同等部分被賦予相同之元件符號且省略其重複說明。

(第1實施形態) 參照圖1，對於本發明第1實施形態之基板處理裝置100進行說明。圖1為示意表示本發明第1實施形態之基板處理裝置100之構成的俯視圖。

如圖1所示，基板處理裝置100係一片一片地處理基板W之單片式裝置。

基板W例如為矽晶圓、樹脂基板或玻璃、石英基板。於本實施形態中，作為基板W，例示了大致圓盤狀之半導體基板。但是，基板W之形狀並未特別受限制。基板W例如亦可形成為矩形。

基板處理裝置100具備有：複數個裝載埠LP、複數個處理單元1、記憶部2、及控制部3。

裝載埠LP對收容基板W之基板收容器C進行保持。處理單元1以處理流體對自裝載埠LP搬送來的基板W進行處理。處理流體係指例如處理液或處理氣體。

記憶部2包含有諸如唯讀記憶體ROM(Read Only Memory)、及隨機存取記憶體RAM(Random Access Memory)之主記憶裝置(例如，半導體記憶體)，且亦可進一步包含有輔助記憶裝置(例如，硬碟驅動器)。主記憶裝置、及/或輔助記憶裝置係記憶由控制部3執行之各種電腦程式。

控制部3包含有諸如CPU(Central Processing Unit)、及MPU(Micro Processing Unit)之處理器。控制部3係控制基板處理裝置100之各要件。

基板處理裝置100還具備有搬送機器人。搬送機器人係於裝載埠LP與處理單元1之間搬送基板W。搬送機器人具備有索引機器人IR(indexer robot)及中央機器人CR(center robot)。索引機器人IR係於裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W。中央機器人CR係於索引機器人IR與處理單元1之間搬送基板W。索引機器人IR及中央機器人CR分別具備有支撐基板W之手部。

基板處理裝置100還具備有複數個流體盒4及藥液貯存櫃5。複數個流體盒4及處理單元1係被配置於基板處理裝置100之框體100a內部。藥液貯存櫃5係被配置於基板處理裝置100之框體100a外部。藥液貯存櫃5亦可被配置於基板處理裝置100之側面。此外，藥液貯存櫃5亦可被配置於設置有基板處理裝置100之無塵室的下面(地下)。

複數個處理單元1被構成為上下堆疊之塔TW。塔TW被設置有複數個。複數個塔TW被配置為於俯視下圍繞中央機器人CR。

於本實施形態中，於塔TW中堆疊有3個處理單元1。此外，設置有4個塔TW。再者，構成塔TW之處理單元1之個數無特別限制。此外，塔TW之個數亦無特別限制。

複數個流體盒4分別與複數個塔TW相對應。藥液貯存櫃5內之藥液經由流體盒4供給至與流體盒4相對應之塔TW。其結果，對包含於塔TW內之全部處理單元1供給藥液。

以下參照圖2，對處理單元1進行說明。圖2為示意表示處理單元1之構成的側視圖。

如圖2所示，處理單元1具備有：腔室6、旋轉卡盤10、及杯體14。

腔室6具備有：隔壁8、閘門9、及FFU7 (風扇過濾器單元) 。隔壁8具有中空之形狀。於隔壁8設置有搬送口。閘門9係開閉搬送口。FFU7係於腔室6內形成清潔空氣之降流。潔淨空氣係藉由過濾器過濾後之空氣。

中央機器人CR通過搬送口將基板W搬入至腔室6，且通過搬送口自腔室6搬出基板W。

旋轉卡盤10係被配置於腔室6內。旋轉卡盤10一面水平保持基板W一面繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉軸線A1係通過基板W中央部之鉛垂的虛擬軸。

旋轉卡盤10具備有：複數個卡盤銷11、旋轉座12、旋轉馬達13、杯體14、及升降單元15。

旋轉座12係圓盤狀構件。複數個卡盤銷11係於旋轉座12上以水平之姿勢保持基板W。旋轉馬達13藉由使複數個卡盤銷11旋轉，而使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。

本實施形態之旋轉卡盤10係使複數個卡盤銷11接觸至基板W外周面之夾持式卡盤。然而，本發明不受限於此。旋轉卡盤10亦可為真空式之吸盤。真空式之吸盤係藉由將非元件形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉座12之上表面，而水平保持基板W。

杯體14承接來自基板W排出之處理液。杯體14具備有：傾斜部14a、導引部14b、及受液部14c。傾斜部14a係朝向旋轉軸線A1於斜上方延伸之筒狀構件。傾斜部14a包含有圓環狀之上端，該圓環狀之上端具有較基板W及旋轉座12大之內徑。傾斜部14a之上端相當於杯體14之上端。於俯視下，杯體14之上端圍繞基板W及旋轉座12。導引部14b係自傾斜部14a之下端部(外端部)朝下方延伸之圓筒狀構件。受液部14c係位於導引部14b之下部，且形成朝上方開放之環狀溝槽。

升降單元15使杯體14於上升位置與下降位置之間升降。當杯體14位於上升位置時，杯體14之上端位於較旋轉卡盤10更靠上方之位置。當杯體14位於下降位置時，杯體14之上端位於較旋轉卡盤10更靠下方之位置。

於朝基板W供給處理液時，杯體14位於上升位置。自基板W朝外側飛散之處理液，藉由傾斜部14a承接後經由導引部14b收集至受液部14c內。

處理單元1還具備有：清洗液噴嘴16、清洗液配管17、及清洗液閥18。清洗液噴嘴16朝向保持於旋轉卡盤10之基板W吐出清洗液。清洗液噴嘴16連接於清洗液配管17。於清洗液配管17插入安裝有清洗液閥18。

若將清洗液閥18開放，則自清洗液配管17將清洗液供給至清洗液噴嘴16。然後，自清洗液噴嘴16吐出清洗液。清洗液例如為純水(去離子水：Deionized Water)。清洗液不限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及/或稀釋濃度之鹽酸水。稀釋濃度例如為10ppm以上且100ppm以下之濃度。

處理單元1還具備有：藥液噴嘴21、及噴嘴移動單元22。藥液噴嘴21朝向保持於旋轉卡盤10之基板W吐出藥液。噴嘴移動單元22使藥液噴嘴21於處理位置與退避位置之間移動。處理位置表示藥液噴嘴21朝向基板W吐出藥液之位置。此外，處理位置係基板W之上方的位置。退避位置表示藥液噴嘴21離開基板W的位置。此外，退避位置係離開基板W之上方的位置。噴嘴移動單元22例如藉由使藥液噴嘴21繞擺動軸線A2旋轉而使藥液噴嘴21移動。擺動軸線A2係位於杯體14周邊之鉛垂的虛擬軸。再者，藥液噴嘴21係本發明「噴嘴」之一例。此外，噴嘴移動單元22係本發明「移動機構」之一例。

基板處理裝置100還具備有藥液供給裝置30。藥液供給裝置30將藥液供給至處理單元1之藥液噴嘴21。供給至藥液噴嘴21之藥液例如包含有異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)。藥液係本發明「處理液」之一例。

參照圖3，對於藉由基板處理裝置100對基板W執行處理之一例進行說明。圖3為表示藉由基板處理裝置100對基板W執行處理之一例的流程圖。

如圖3所示，於步驟S1中，控制部3進行將基板W搬送至腔室6內之搬送處理。以下，對於搬送處理之程序進行說明。

首先，在藥液噴嘴21自基板W之上方退避之狀態下，中央機器人CR一面以手部支撐基板W，一面使手部進入腔室6內。然後，中央機器人CR將以手部支撐之基板W載置於旋轉卡盤10上。其結果，將基板W搬送至旋轉卡盤10上。

當基板W被搬送至旋轉卡盤10上時，則卡盤銷11夾持基板W。然後，旋轉馬達13使卡盤銷11旋轉。其結果，基板W旋轉。當基板W旋轉時，則使處理轉移至步驟S2。

於步驟S2中，控制部3進行對基板W供給藥液之藥液供給處理。以下，對於藥液供給處理之程序進行說明。

首先，噴嘴移動單元22使藥液噴嘴21移動至處理位置。然後，升降單元15使杯體14上升至上升位置。然後，藥液供給裝置30開始朝藥液噴嘴21供給藥液。其結果，藥液噴嘴21朝向基板W吐出藥液。

自藥液噴嘴21吐出之藥液係落液於基板W之上表面後，一面沿著旋轉中之基板W上表面，一面朝向基板W外側流動。其結果，以覆蓋基板W上表面整個區域之方式被形成藥液之液膜。再者，於藥液噴嘴21吐出藥液時，噴嘴移動單元22可使藥液噴嘴21靜止，亦可使其於基板W上方進行掃描。

當朝藥液噴嘴21開始供給藥液起經過既定時間，則停止朝藥液噴嘴21供給藥液。然後，噴嘴移動單元22使藥液噴嘴21移動至退避位置。當藥液噴嘴21到達退避位置時，則使處理轉移至步驟S3。

於步驟S3中，控制部3進行對基板W供給清洗液之一例即純水之清洗液供給處理。以下，對於清洗液供給處理之程序進行說明。

首先，將清洗液閥18開放，清洗液噴嘴16開始吐出純水。落液於基板W上表面之純水係一面沿著旋轉中之基板W上表面，一面朝向基板W外側流動。基板W上之藥液被自清洗液噴嘴16吐出之純水沖洗流掉。其結果，於基板W之上表面整個區域形成純水之液膜。

當自清洗液閥18開放起經過既定時間，則關閉清洗液閥18，停止朝基板W吐出純水。當停止朝基板W吐出純水時，則使處理轉移至步驟S4。

於步驟S4中，控制部3進行藉由基板W之旋轉使基板W乾燥之乾燥處理。以下，對於乾燥處理之程序進行說明。

首先，旋轉馬達13使基板W以較藥液供給處理時基板W之旋轉速度、及清洗液供給處理時基板W之旋轉速度更大之旋轉速度(例如，數千rpm)高速旋轉。其結果，液體自基板W被除去，而對基板W進行乾燥。

當基板W之高速旋轉開始起經過既定時間，則旋轉馬達13使基板W之旋轉停止。當基板W之旋轉停止時，則使處理轉移至步驟S5。

於步驟S5中，控制部3進行將基板W自腔室6搬出之搬出處理。以下，對於搬出處理之程序進行說明。

首先，升降單元15使杯體14下降至下部位置。然後，中央機器人CR使手部進入腔室6內。然後，複數個卡盤銷11解除對基板W之夾持。

於複數個卡盤銷11解除了對基板W之夾持後，中央機器人CR以手部支撐旋轉卡盤10上之基板W。然後，中央機器人CR一面以手部支撐基板W，一面使手部自腔室6之內部退避。其結果，處理後之基板W被自腔室6搬出。

當自腔室6搬出處理完畢之基板W時，則結束步驟S5所示之搬出處理。

藉由重複進行自步驟S1至步驟S5所示之處理，對搬送至基板處理裝置100之複數個基板W一片一片地進行處理。

接著，參照圖4，對藥液供給裝置30進行說明。圖4為表示藥液供給裝置30之構成的示意圖。

藥液供給裝置30設置有複數個。複數個藥液供給裝置30分別與複數個塔TW(參照圖1)相對應。藥液供給裝置30對構成相對應之塔TW的全部處理單元1供給藥液。

於本實施形態中，一個塔TW由3個處理單元1構成。因此，一個藥液供給裝置30將藥液供給至3個處理單元1。

如圖4所示，藥液供給裝置30具備有：供給槽31、循環配管32、循環泵33、循環過濾器34、及循環加熱器35。

供給槽31儲存藥液。循環配管32係管狀構件。於循環配管32內，形成有用於藥液循環之循環路徑。循環配管32具有上游側端部32a及下游側端部32b。循環配管32係與供給槽31連通。具體而言，循環配管32之上游側端部32a及下游側端部32b係與供給槽31相連通。

循環泵33係將供給槽31內之藥液輸送至循環配管32。當循環泵33動作時，則供給槽31內之藥液被輸送至循環配管32之上游側端部32a。被輸送至上游側端部32a之藥液於循環配管32內被輸送，且自下游側端部32b被排出至供給槽31。藉由循環泵33之持續動作，藥液自上游側端部32a朝向下游側端部32b於循環配管32內持續流動。其結果，藥液於循環配管32內循環。

循環過濾器34自於循環配管32內循環之藥液去除如粉塵之異物。循環加熱器35藉由加熱藥液而被調整藥液之溫度。循環加熱器35將藥液之溫度被保持於例如高於室溫之固定溫度(例如，60°C)。於循環配管32內循環之藥液之溫度係藉由循環加熱器35保持於固定之溫度。

循環泵33、循環過濾器34及循環加熱器35係設置於循環配管32。

供給槽31、循環泵33、循環過濾器34及循環加熱器35係設置於藥液貯存櫃5內。

亦可取代循環泵33而設置加壓裝置。加壓裝置藉由使供給槽31內之氣壓上升，而將供給槽31內之藥液送出至循環配管32。

藥液供給裝置30還具備有複數個供給機構40。於本實施形態中，設置有3個供給機構40。

複數個供給機構40之各者係與循環配管32相連通。於循環配管32內循環之藥液被供給至複數個供給機構40之各者。

複數個供給機構40係與複數個處理單元1相對應。供給機構40將藥液供給至相對應之處理單元1。供給至處理單元1之藥液自藥液噴嘴21吐出。

藥液供給裝置30還具備有：回收槽51、回收配管52、回收泵53、及回收過濾器54。再者，回收槽51係本發明「收容槽」之一例。

回收槽51係與複數個供給機構40之各者相連通。回收槽51收容未自藥液噴嘴21吐出而通過複數個供給機構40之各者的藥液。於回收槽51上表面形成有貫通孔51a。藉此，即使藥液與氣體以混合之狀態自供給機構40被回收至回收槽51，亦可自貫通孔51a將氣體排出至外部。即，回收槽51係作為將氣體與液體分離之氣液分離裝置而發揮功能。藉此，其可抑制混合有氣體之藥液自回收槽51供給至供給槽31。

回收配管52係管狀構件。回收配管52將回收槽51內之藥液朝供給槽31導引。回收配管52具備有：上游側端部52a、及下游側端部52b。上游側端部52a連通至回收槽51。下游側端部52b連通至供給槽31。

回收泵53被設置於回收配管52。回收泵53通過回收配管52將回收槽51內之藥液朝供給槽31壓送。回收過濾器54被設置於回收配管52。回收過濾器54自流動於回收配管52內之藥液去除異物。

接著，參照圖5，對於供給機構40進行說明。圖5為表示供給機構40周邊之構成的示意圖。

如圖5所示，供給機構40具有：送液配管41、分歧部42、供給配管43、及返回配管44。送液配管41、供給配管43及返回配管44係經由分歧部42相互連通。

送液配管41係管狀構件。送液配管41將循環於循環配管32內之藥液導引至循環配管32之外部。送液配管41具備有：上游側端部41a、及下游側端部41b。上游側端部41a連通至循環配管32。

供給配管43係管狀構件。供給配管43將藉由送液配管41所導引之藥液導引至藥液噴嘴21。供給配管43具備有：上游側端部43a、及下游側端部43b。上游側端部43a係經由分歧部42而與送液配管41之下游側端部41b連通。下游側端部43b連通至藥液噴嘴21。

返回配管44係管狀構件。返回配管44沿著與供給配管43不同之路徑，導引由送液配管41所導引之處理液。於本實施形態中，返回配管44將藥液導引至回收槽51。返回配管44具備有：上游側端部44a、及下游側端部44b。上游側端部44a經由分歧部42而分別與送液配管41之下游側端部41b及供給配管43之上游側端部43a連通。下游側端部44b連通至回收槽51。

供給機構40還具備有：流量計45、插入安裝構件46、第一閥47、及第二閥48。

流量計45檢測流動於送液配管41之藥液的流量。流量計45被設置於送液配管41。藥液的流量詳細表示流動於送液配管41內既定位置之每單位時間的藥液量。

插入安裝構件46被配置於分歧部42。插入安裝構件46係中空之構件。插入安裝構件46例如為射出器(ejector)。插入安裝構件46插入安裝於送液配管41、供給配管43、及返回配管44之間。送液配管41、供給配管43及返回配管44係經由插入安裝構件46相互連通。

第一閥47被設置於送液配管41。於本實施形態中，第一閥47可調整自送液配管41供給至分歧部42之藥液的流量。也就是說，第一閥47可調整開度。開度表示第一閥47開放之程度。第一閥47開度越小，則第一閥47開放之程度越小。

第一閥47具備有如馬達之驅動源，且藉由驅動源之動力變更開度。圖1所示之控制部3藉由操作驅動源而控制第一閥47之開度。第一閥47例如為馬達針閥。再者，第一閥47亦可為例如隔膜閥等之馬達針閥以外的閥。

第二閥48被設置於返回配管44。於本實施形態中，第二閥48對返回配管44進行開閉。第二閥48不能調整開度。亦即，第二閥48對返回配管44內藥液之通過及通過停止進行切換。

接著，參照圖4及圖5，對於藥液供給裝置30內藥液之流動進行說明。

如圖4及圖5所示，當循環於循環配管32內之藥液自循環配管32流入送液配管41時，則藉由送液配管41被朝分歧部42導引。自分歧部42朝供給配管43供給之藥液係自藥液噴嘴21吐出。自分歧部42朝返回配管44供給之藥液係自返回配管44被朝回收槽51排出。朝回收槽51排出之藥液係通過回收配管52被供給至供給槽31。供給至供給槽31之藥液於循環配管32內循環。

接著，參照圖6，對於插入安裝構件46進行說明。圖6為插入安裝構件46的切斷端面圖。

如圖6所示，插入安裝構件46具備有：第一構件46a、第二構件46b、及第三構件46c。第一構件46a、第二構件46b及第三構件46c係中空之構件，且相互連通。第一構件46a、第二構件46b及第三構件46c相互連通之空間部位係構成分歧部42。

第一構件46a及第三構件46c係自分歧部42朝彼此相反之方向突出。第二構件46b係自分歧部42朝分別與第一構件46a及第三構件46c垂直之方向突出。再者，於圖5及圖6中，第一構件46a及第三構件46c配置為朝上下方向(沿X方向之方向)延伸，但第一構件46a及第三構件46c亦可配置為朝上下方向以外之方向(例如，大致水平方向)延伸。

第一構件46a具有第一開口部4A。第一開口部4A連通第一構件46a之內部與外部。於第一開口部4A連結有送液配管41之下游側端部41b。

第二構件46b具有第二開口部4B。第二開口部4B連通第二構件46b之內部與外部。於第二開口部4B連結有供給配管43之上游側端部43a。

第三構件46c具有第三開口部4C。第三開口部4C連通第三構件46c之內部與外部。於第三開口部4C連結有返回配管44之上游側端部44a。

流動於送液配管41之藥液經由第一開口部4A被供給至插入安裝構件46之內部。插入安裝構件46內部之藥液經由第二開口部4B被供給至供給配管43。插入安裝構件46內部之藥液經由第三開口部4C被供給至返回配管44。

藥液之流路具備有：分歧部42、第一流路R1、第二流路R2、及第三流路R3。分歧部42係送液配管41、供給配管43及返回配管44之分歧點。第一流路R1表示相對於分歧部42而位於送液配管41側藥液之流路。第一流路R1係位於分歧部42與送液配管41之上游側端部41a(參照圖5)之間。第二流路R2表示相對於分歧部42而位於供給配管43側藥液之流路。第二流路R2係位於分歧部42與供給配管43之下游側端部43b之間。第三流路R3表示相對於分歧部42而位於返回配管44側藥液之流路。第三流路R3係位於分歧部42與返回配管44之下游側端部44b之間。

供給機構40還具有節流部46d。節流部46d被配置於第一流路R1。節流部46d係作為對第一流路R1之流路面積進行縮減之孔(orifice)而發揮功能。流路面積係與藥液流動方向垂直之藥液流路的截面積。

於本實施形態中，節流部46d被形成於插入安裝構件46之第一構件46a。節流部46d係與分歧部42相對向。節流部46d朝向分歧部42射出藥液。於本實施形態中，節流部46d位於分歧部42之附近。因此，藥液自節流部46d射出後立即流入分歧部42。

圖6表示第一方向Q1、第二方向Q2及第三方向Q3。第一方向Q 1表示自分歧部42朝向第一流路R1之方向。第二方向Q2表示自分歧部42朝向第二流路R2之方向。第三方向Q3表示自分歧部42朝向第三流路R3之方向。

圖6進一步表示第一角度θ1及第二角度θ2。第一角度θ1表示第一方向Q1與第三方向Q3所夾之角度。具體而言，第一角度θ1表示第一方向Q1與第三方向Q3所夾之角度中之最小角度。第二角度θ2表示第一方向Q1與第二方向Q2所夾之角度。具體而言，第二角度θ2表示第一方向Q1與第二方向Q2所夾之角度中之最小角度。

第一角度θ1大於第二角度θ2(第一角度θ1＞第二角度θ2)。亦即，與第二流路R2相比，第三流路R3相對於第一流路R1並不彎曲。因此，自第一流路R1流動至分歧部42之藥液係主要被朝第三流路R3導引。換言之，節流部46d朝向第三流路R3射出藥液。

於本實施形態中，第一角度θ1約為180度，第二角度θ2約為90度。

以下參照圖7，對於藥液之壓力進行說明。圖7為表示藥液之壓力的示意圖。

圖7表示第一壓力P1、第二壓力P2及第三壓力P3。第一壓力P1表示位於第一流路R1中較節流部46d更靠上游區域之藥液的壓力。第二壓力P2表示位於分歧部42之藥液的壓力。第三壓力P3表示位於第二流路R2之藥液的壓力。

圖7進一步表示第一移動方向X1及第一移動速度V1。第一移動方向X1表示於第一流路R1內且流動於節流部46d上游之藥液的移動方向。第一移動速度V1表示於第一流路R1內且流動於節流部46d上游之藥液的移動速度。

圖7進一步表示第二移動方向X2及第二移動速度V2。第二移動方向X2表示藥液自第一流路R1流入分歧部42時藥液的移動方向。第二移動方向X2係圖6所示之第一方向Q1之相反方向。第二移動速度V2表示藥液自第一流路R1流入分歧部42時藥液的移動速度。

於本實施形態中，自節流部46d射出之藥液係在自第一流路R1流入至分歧部42時，一面朝向第二移動方向X2一面以第二移動速度V2移動。

如圖7所示，節流部46d的流路面積小於節流部46d之上游的流路面積。因此，根據伯努利定理，於節流部46d中，藥液的移動速度係較節流部46d之上游增加，並且藥液的壓力減少。其結果，自節流部46d射出藉由節流部46d加速並且減壓後之藥液。

由於自節流部46d射出藉由節流部46d加速並且減壓後之藥液，因此第二移動速度V2大於第一移動速度V1(第二移動速度V2＞第一移動速度V1)。此外，第二壓力P2小於第一壓力P1(第二壓力P2＜第一壓力P1)。

藉由變更圖5所示之第一閥47的開度，以變更第一壓力P1。第一閥47的開度越小，則第一流路R1中第一閥47所在位置之流路面積越小。其結果，由於通過第一閥47之每單位時間的藥液流量減少，因此第一壓力P1變小。此外，隨著第一壓力P1減小，第二壓力P2亦變小。

此外，藉由將圖5所示之第二閥48變更為開放狀態或關閉狀態，以變更第二壓力P2。當第二閥48成為關閉狀態時，則通過第三流路R3之藥液流量為零，因此第二壓力P2增大。另一方面，當第二閥48成為開放狀態時，則通過第三流路R3之藥液流量增加，因此第二壓力P2變小。

再者，第一閥47的開度之調整、及第二閥48的開閉狀態之切換係藉由圖1所示之控制部3進行。

圖7表示第一直徑D1、第二直徑D2、第三直徑D3、第四直徑D4、及第五直徑D5。第一直徑D1表示第一流路R1中位於節流部46d之上游部分的直徑。第二直徑D2表示節流部46d的直徑。第三直徑D3表示第一流路R1中位於節流部46d之下游部分的直徑。第四直徑D4表示第三流路R3之上游部的直徑。第三流路R3之上游部係表示第三流路R3中分歧部42之附近。第五直徑D5表示第二流路R2之上游部的直徑。第二流路R2之上游部係表示第二流路R2中分歧部42之附近。

第一直徑D1大於第二直徑D2(第一直徑D1＞第二直徑D2)。第三直徑D3大於第二直徑D2(第三直徑D3＞第二直徑D2)。第四直徑D4具有第三直徑D3以上之大小(第四直徑D4≧第三直徑D3)。第四直徑D4具有第五直徑D5以上之大小(第四直徑D4≧第五直徑D5)。再者，第四直徑D4與第五直徑D5之大小關係並無特別受限制。第四直徑D4亦可小於第五直徑D5。

接著，參照圖7至圖9，對於第一閥47之開度、第二閥48之開閉狀態、藥液自藥液噴嘴21之吐出量的關係進行說明。圖8為表示第二閥48成為關閉狀態的示意圖。圖9為表示第二閥48成為開放狀態的示意圖。

如圖7及圖8所示，控制部3將第二閥48(參照圖5)設為關閉狀態，藉此，自第一流路R1供給至分歧部42之藥液朝第二流路R2流動。於本實施形態中，自第一流路R1供給至分歧部42之藥液全部朝第二流路R2流動。此外，控制部3藉由調整第一閥47之開度，而調整自第一流路R1供給至分歧部42之藥液流量。藉此，調整自藥液噴嘴21吐出之藥液的吐出量。

另一方面，如圖7及圖9所示，控制部3在將第二閥48(參照圖5)設為開放狀態之狀態下，藉由調整第一閥47之開度，可調整第二壓力P2與第三壓力P3之壓力差。

例如，藉由將第二壓力P2設為小於第三壓力P3，利用第二壓力P2與第三壓力P3之壓力差(第二壓力P2＜第三壓力P3)，產生吸引力F1。吸引力F1表示將第二流路R2內之藥液吸引至分歧部42之力。第一閥47之開度越大，則吸引力F1越大。

因為產生吸引力F1因而發生回吸(suck back)現像。回吸表示第二流路R2內藥液之全部或一部分因吸引力F1而被吸入分歧部42之情況。其結果，則停止自藥液噴嘴21吐出藥液。

藉由回吸而自第二流路R2流動至分歧部42之藥液被捲入自節流部46d射出之藥液的液流X，而被供給至第三流路R3(抽吸效果)。然後，供給至第三流路R3之藥液則被供給至回收槽51。

再者，例如，藉由將第一閥47之開度保持於既定之值，亦可將藥液之滯留端部位置Z保持於固定之位置。於此情況下，第一閥47之開度越大，則滯留端部位置Z被保持於越高之位置。滯留端部位置Z越高，則滯留端部位置Z越接近分歧部42。滯留端部位置Z越低，則滯留端部位置Z越接近藥液噴嘴21。

於本實施形態中，如圖5所示，藥液噴嘴21之前端係被配置於較返回配管44之下游側端部44b之排出口44c為高的位置。藉此，藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，根據虹吸原理產生回吸。即，第二流路R2內之藥液被吸入分歧部42，而停止自藥液噴嘴21吐出藥液。

於本實施形態中，由於藥液噴嘴21之前端係被配置於較返回配管44之排出口44c為高的位置，因此藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，不管第一閥47之開度如何，第二流路R2內之藥液皆被吸入分歧部42。此外，第一閥47之開度越大，則第二流路R2內之藥液被吸入分歧部42之速度越快。

於本實施形態中，第一閥47係於關閉狀態下不完全將送液配管41之處理液流路(第一流路R1之一部分)關閉的閥。即，於第一閥47之開度為最小開度時，第一閥47不被關閉而開放。此時，第一閥47係略微開放。因此，於不自藥液噴嘴21吐出藥液之期間，藉由將第二閥48設為開放狀態，可使自第一流路R1供給至分歧部42之藥液朝第三流路R3流動。

以上，如參照圖5至圖9所說明者，藉由將第一閥47設為開放狀態且將第二閥48設為關閉狀態，而成為吐出狀態，該吐出狀態係使藥液自送液配管41朝供給配管43流通且自藥液噴嘴21吐出藥液的狀態。另一方面，藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，而成為處理液返回狀態，該處理液返回狀態係使藥液自供給配管43朝返回配管44流通的狀態。藉此，藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，在基板處理裝置100不進行基板W之處理之狀態時，可抑制藥液自藥液噴嘴21滴落。

此外，如上所述，第一閥47係於關閉狀態下不完全將送液配管41之處理液流路(第一流路R1之一部分)關閉的閥。藉此，與將第一閥47構成為於關閉狀態下完全將送液配管41之流路關閉之情況不同，其可抑制起因於第一閥47之開閉動作而於第一閥47產生之粉塵。具體而言，例如，當藉由使第一閥之閥體與閥座接觸而使第一閥成為關閉狀態之構成時，由於反復使閥體與閥座相互接觸及分離而產生粉塵。於本實施形態中，由於第一閥47係不完全關閉的閥，因此可抑制起因於第一閥47之開閉動作而於第一閥47產生粉塵。如此，由於可抑制於第一閥47產生粉塵，因此可抑制自藥液噴嘴21吐出粉塵。藉此，其可抑制基板W被污染。

此外，於本實施形態中，在藥液噴嘴21之上游側不設置於關閉狀態下將流路完全關閉的閥。於本實施形態中，至少於自藥液噴嘴21至循環過濾器34之流路不設置在關閉狀態下將流路完全關閉的閥。此外，於本實施形態中，於送液配管41及供給配管43不設置第一閥47以外的閥。藉此，其可進一步抑制自藥液噴嘴21吐出粉塵，因此可進一步抑制基板W被污染。

接著，參照圖10及圖11，對於朝基板W供給藥液之藥液供給處理(步驟S2)中基板處理裝置100之動作，進行詳細說明。圖10為表示對基板W供給藥液之藥液供給處理(步驟S2)中基板處理裝置100之動作的一例之流程圖。圖11表示對基板W供給藥液之藥液供給處理(步驟S2)中第一閥47之開度、第二閥48之開度及流通於藥液噴嘴21之藥液流量的時序圖。

如圖10及圖11所示，於步驟S21中，基板處理裝置100成為吐出停止狀態。吐出停止狀態係不從藥液噴嘴21吐出藥液之狀態。在吐出停止狀態下，藥液噴嘴21係被配置於退避位置。此外，於吐出停止狀態下，控制部3將第一閥47設為關閉狀態(後述之第三開度)，且將第二閥48設為開放狀態。再者，於本實施形態中，第一閥47不完全關閉。

接著，於步驟S22中，控制部3使藥液噴嘴21自退避位置朝處理位置移動。

接著，於步驟S23中，控制部3將第一閥47之開度設為第一開度且將第二閥48設為關閉狀態。第一開度係朝基板W供給處理液時第一閥47之開度。第一開度係根據處理液之種類及基板W之被處理膜等對基板W的處理條件而被適宜設定。

藉由將第一閥47之開度設為第一開度且將第二閥48設為關閉狀態，自藥液噴嘴21朝基板W被供給處理液。換言之，其處於吐出狀態。當經過既定之處理時間，則進入步驟S24。

接著，於步驟S24中，控制部3將第二閥48設為開放狀態且將第一閥47之開度自第一開度設為第二開度。藉此，如上述，其產生吸引力F1，進而發生回吸。換言之，其成為處理液返回狀態。以下，有時將回吸記載為處理液返回。

於本實施形態中，第二開度小於第一開度。第二開度雖無特別限制，但於步驟S24中，由於通過第一閥47之藥液不自藥液噴嘴21吐出，因此較佳為第二開度較小。此外，亦可將第二開度設為例如與第一開度相同，但當在第二開度較大之狀態下使第二閥48自關閉狀態急劇變化為開放狀態，則有因急劇回吸而於供給配管43內產生氣泡之可能性。從此點而言，較佳為將第二開度設為小於第一開度。此外，如上述，亦可藉由調整第二開度以調整吸引力F1，將藥液之滯留端部位置Z保持於供給配管43之既定位置。

然而，如上述，於本實施形態中，由於藥液噴嘴21之前端係被配置於較返回配管44之下游側端部44b之排出口44c為高的位置，因此，於步驟S24中，藥液噴嘴21及供給配管43之藥液經由分歧部42及返回配管44被回收至回收槽51。此外，於藥液噴嘴21之前端配置於較返回配管44之排出口44c為高的位置時，即使將第一閥47設為關閉狀態，亦會產生回吸。

接著，於步驟S25中，控制部3維持將第二閥48設為開放狀態，並將第一閥47之開度自第二開度設為第三開度。第三開度為小於第二開度。第三開度係將第一閥47設為關閉狀態之開度。再者，於本實施形態中，第三開度係不完全將送液配管41關閉之開度。

此外，於步驟S24或步驟S25中，控制部3使藥液噴嘴21自吐出位置朝退避位置移動。藉此，則成為吐出停止狀態。再者，使藥液噴嘴21自吐出位置朝退避位置移動之時機，只要是在步驟S24之回吸產生之後，則無特別限制。

以上，如參照圖10及圖11所說明，本實施形態之基板處理方法包含有以下之步驟(步驟S23)：藉由將第一閥47設為開放狀態且將第二閥48設為關閉狀態，而使藥液自送液配管41朝供給配管43流通且自藥液噴嘴21吐出藥液。此外，基板處理方法包含有以下之步驟(步驟S24)：藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，使藥液自供給配管43朝返回配管44流通。因此，藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，於基板處理裝置100不進行基板W之處理之狀態下，其可抑制藥液從藥液噴嘴21滴落。

此外，如上述，被執行以下之步驟(步驟S24)：藉由將第二閥48自關閉狀態設為開放狀態，且將第一閥47之開度自第一開度設為第二開度，使藥液朝返回配管44流通。因此，其可適當地進行回吸。例如，其可抑制因急劇之回吸而於供給配管43內產生氣泡。

此外，如上述，本實施形態之基板處理方法包含有以下之步驟 (步驟S25) ：藉由將第一閥47之開度自第二開度設為第三開度，且將第二閥48保持為開放狀態，使較吐出藥液之步驟(步驟S23)少量之藥液自送液配管41朝返回配管44流通。藉此，於不朝基板W吐出藥液之狀態下，其可抑制藥液自送液配管41經由返回配管44朝回收槽51流通。

此外，於本實施形態中，除了吐出藥液之步驟(步驟S23)以外，第二閥48係被保持於開放狀態。因此，即使於第一閥47因故障等而不能保持為關閉狀態時，亦可將通過第一閥47之藥液經由第二閥48及返回配管44回收至回收槽51。

(第2實施形態) 接著，參照圖12及圖13，對本發明第2實施形態之基板處理裝置100之藥液供給處理(步驟S2)的動作進行說明。於第2實施形態中，對以下例進行說明，即其與圖10及圖11所示之藥液供給處理不同，而於朝基板W吐出藥液之步驟(步驟S23)之前，減少供給配管43及藥液噴嘴21之污染之例。圖12為表示第2實施形態之基板處理裝置100之藥液供給處理(步驟S2)中動作之一例的流程圖。圖13為表示第2實施形態之基板處理裝置100之藥液供給處理(步驟S2)中第一閥47之開度、第二閥48之開度、流通於藥液噴嘴21之藥液流量、及藥液噴嘴21之位置的時序圖。

如圖12及圖13所示，其與第1實施形態相同，於步驟S21中，基板處理裝置100成為吐出停止狀態。吐出停止狀態係不從藥液噴嘴21吐出藥液之狀態。於吐出停止狀態下，藥液噴嘴21被配置於退避位置。此外，於吐出停止狀態下，控制部3將第一閥47設為關閉狀態(第三開度)，且將第二閥48設為開放狀態。再者，於本實施形態中，第一閥47不完全關閉。

接著，於步驟S211中，控制部3朝供給配管43及藥液噴嘴21供給藥液，使藥液從藥液噴嘴21吐出(預備吐出)。藉此，由於可利用藥液充滿供給配管43及藥液噴嘴21之內部，因此可將供給配管43及藥液噴嘴21之內部淨化。具體而言，由於前述之處理液返回，腔室6內之氣體則流入供給配管43及藥液噴嘴21之內部。因此，供給配管43及藥液噴嘴21之內部存在被流入之氣體污染之可能性。於本實施形態中，藉由使藥液朝供給配管43及藥液噴嘴21流通，其可將供給配管43及藥液噴嘴21之內部淨化。藉此，其可於後續之藥液吐出步驟(步驟S23)中，抑制被污染之藥液朝基板W吐出。

於步驟S211中，控制部3將第一閥47之開度自第三開度設為第四開度，且將第二閥48自開放狀態設為關閉狀態。藉此，自藥液噴嘴21朝基板W供給藥液。換言之，其成為預備吐出狀態。第四開度小於第一開度且大於第二開度。藉由將第四開度設為小於第一開度，可藉由預備吐出抑制藥液之消耗。再者，第四開度例如可與第一開度相同，亦可大於第一開度。

接著，於步驟S212中，控制部3將第二閥48設為開放狀態，且將第一閥47之開度自第四開度設為第二開度。藉此，則產生吸引力F1，進而產生回吸。換言之，其成為預備吐出處理液返回狀態。再者，亦可將步驟S212中第一閥47之開度設為小於步驟S24中之第一閥47之開度。換言之，亦可將步驟S212中第一閥47之開度設為小於第二開度之第五開度。於此情況下，藥液噴嘴21及供給配管43內部之藥液返回分歧部42之速度變慢。

接著，於步驟S22中，控制部3使藥液噴嘴21自退避位置朝處理位置移動。於本實施形態中，控制部3係在預備吐出處理液返回狀態下供給配管43內部之藥液耗盡之前，使藥液噴嘴21自退避位置朝處理位置移動。

接著，於步驟S23中，控制部3將第一閥47之開度設為第一開度，且將第二閥48設為關閉狀態。於本實施形態中，控制部3係於預備吐出處理液返回狀態下供給配管43內部之藥液耗盡之前，將第一閥47之開度自第二開度設為第一開度，且將第二閥48自開放狀態設為關閉狀態，藉此而設為吐出狀態。

再者，本實施形態之步驟S24及步驟S25係與第1實施形態之步驟S24及步驟S25相同，因此省略其說明。

以上，如參照圖12及圖13所說明，本實施形態之基板處理方法包含以下之步驟(步驟S22及步驟S23)：於供給配管43內部之藥液耗盡之前，使藥液噴嘴21自退避位置朝處理位置移動，且將第一閥47之開度自第二開度設為第一開度，將第二閥48自開放狀態設為關閉狀態，藉此，自藥液噴嘴21吐出藥液而對基板W進行處理。因此，於進行預備吐出後，於使藥液噴嘴21朝處理位置移動且自藥液噴嘴21吐出藥液之前之期間內，其可抑制氣體流入供給配管43及藥液噴嘴21之內部整體。藉此，其可抑制供給配管43及藥液噴嘴21之內部被氣體污染。

第2實施形態之其他構成、基板處理方法及效果係與第1實施形態相同。

(第1變形例) 接著，參照圖14，對於本發明第1變形例之基板處理裝置100進行說明。圖14為表示根據本發明第1變形例，基板處理裝置100的插入安裝構件46周邊的構造圖。於第1變形例中，對第一流路R1及第三流路R3自分歧部42起於大致水平方向延伸之例進行說明。

如圖14所示，於第1變形例中，插入安裝構件46之第一構件46a及第三構件46c係以朝大致水平方向延伸之方式被配置。第二構件46b係以朝上方延伸之方式被配置。換言之，第一流路R1及第三流路R3係自分歧部42起朝大致水平方向延伸。此外，第二流路R2係自分歧部42起朝上方延伸。因此，其可於吐出停止狀態下，抑制插入安裝構件46內之藥液朝供給配管43之流出，因此其可進一步抑制藥液自藥液噴嘴21滴落。再者，當於第一流路R1及第三流路R3朝大致水平方向延伸時，第二流路R2亦可朝下方延伸。

(第2變形例) 接著參照圖15，對根據本發明第2變形例之基板處理裝置100進行說明。圖15為表示根據本發明第2變形例之基板處理裝置100的供給機構40周邊的構造圖。於第2變形例中，對在送液配管41、供給配管43及返回配管44之分歧點，即分歧部42未設置插入安裝構件46之例進行說明。

如圖15所示，於第2變形例中，在送液配管41、供給配管43及返回配管44之分歧點，即分歧部42，未設置插入安裝構件46。具體而言，於分歧部42周邊未設置將第一流路R1之流路面積縮小之節流部46d。即使在不設置節流部46d之情況下，如上述，亦可使藥液自供給配管43朝返回配管44流通。

進而，於該第2變形例中，供給機構40具備有插入安裝構件146。再者，亦可於未在分歧部42設置插入安裝構件46之構成中，不設置插入安裝構件146。

插入安裝構件146具備有：第一構件46a、第二構件46b、及第三構件46c。由於插入安裝構件146係與插入安裝構件46同樣地被構成，並且具有與插入安裝構件46相同之功能，因此省略對插入安裝構件146之詳細說明。

在插入安裝構件146之第二構件46b被連接有返回配管44。空氣或氮氣等被流入第一構件46a。第三構件46c係經由配管與回收槽51所連接。藉由調整空氣或氮氣朝第一構件46a之流入量，其可調整通過節流部46d(未圖示)後之內壓。藉此，由於可將第二構件46b內之藥液朝第三構件46c吸引，因此可調整通過返回配管44之藥液流量。其結果，可調整藥液自藥液噴嘴21及供給配管43朝分歧部42返回之速度。

以上，雖已參照圖式對於本發明之實施形態進行了說明。但是，本發明不受限於上述實施形態，只要於不超出其實質內容之範圍內，其可於各種態樣中被實施。此外，上述實施形態所揭示之複數個構成要件亦可適當地變更。例如，可將某一實施形態所示之全部構成要件中某構成要件追加至另一個實施形態之構成要件、或者可將某實施形態所示之全部構成要件中數個構成要件自實施形態中刪除。

此外，為了容易理解本發明，圖式係以各個構成要件作為主體進行示意性表示者，圖示中各構成要件之厚度、長度、數量、間隔等，視製作圖式之情況，其有時可能與實際不同。此外，上述實施形態所示之各構成要件之構成僅係一例而已，並非被特別限定者，當然其可於實質上不超出本發明之功效的範圍內進行各種變更。

於上述實施形態中，雖已例示了第一閥47係於關閉狀態下不完全將送液配管41之流路關閉的閥，但本發明並不受限於此。第一閥47亦可為於關閉狀態下完全將送液配管41之流路關閉的閥。但是，於此情況下，較佳為，使用閥體與閥座之接觸面積比較小的例如馬達針閥。

此外，於上述實施形態中，雖已對於將藥液噴嘴21之前端配置於較返回配管44之下游側端部44b之排出口44c為高的位置之例進行了說明，但本發明不受限於此。其亦可將藥液噴嘴21之前端配置於與返回配管44之下游側端部44b之排出口44c相同的位置、或者低於排出口44c的位置。於此情況下，其不會產生因虹吸原理所引起之回吸。

此外，在將藥液噴嘴21之前端配置於與返回配管44之下游側端部44b之排出口44c相同的高度、或者低於排出口44c的位置時，藉由調整第一閥47之開度，亦可使滯留端部位置Z停留於自藥液噴嘴21之前端至供給配管43之上游側端部43a間的既定位置。

此外，於上述實施形態中，雖已對第一閥47可調整開度之例進行了說明，但本發明並不受限於此，第一閥47亦可為不能調整開度者。即，第一閥47亦可在開放狀態或關閉狀態之2個狀態間變更。

此外，例如於第2實施形態中，雖已對於藥液吐出步驟(步驟S23)中，為了抑制污染之藥液朝基板W吐出，而進行預備吐出將供給配管43及藥液噴嘴21之內部淨化之例進行了說明，但本發明不受限於此。例如，其亦可於藥液噴嘴21附近配置分歧部42，以縮短供給配管43。於此情況下，其可抑制供給配管43內部之污染量，因此可抑制被污染之藥液污染基板W。

此外，於上述實施形態中，雖已對於使用藥液作為處理液之例進行了說明，但本發明不受限於此。其亦可使用清洗液作為處理液。 (產業上之可利用性)

本發明可應用於基板處理裝置及基板處理方法之領域。

1:處理單元 2:記憶部 3:控制部 4:流體盒 4A:第一開口部 4B:第二開口部 4C:第三開口部 5:藥液貯存櫃 6:腔室 7:FFU(風扇過濾器單元) 8:隔壁 9:閘門 10:旋轉卡盤 11:卡盤銷 12:旋轉座 13:旋轉馬達 14:杯體 14a:傾斜部 14b:導引部 14c:受液部 15:升降單元 16:清洗液噴嘴 17:清洗液配管 18:清洗液閥 21:藥液噴嘴 22:噴嘴移動單元 30:藥液供給裝置 31:供給槽 32:循環配管 32a:上游側端部 32b:下游側端部 33:循環泵 34:循環過濾器 35:循環加熱器 40:供給機構 41:送液配管 41a:上游側端部 41b:下游側端部 42:分歧部 43:供給配管 43a:上游側端部 43b:下游側端部 44:返回配管 44a:上游側端部 44b:下游側端部 44c:排出口 45:流量計 46:插入安裝構件 46a:第一構件 46b:第二構件 46c:第三構件 46d:節流部 47:第一閥 48:第二閥 51:回收槽 51a:貫通孔 52:回收配管 52a:上游側端部 52b:下游側端部 53:回收泵 54:回收過濾器 100:基板處理裝置 100a:框體 A1:旋轉軸線 A2:擺動軸線 C:基板收容器 D1:第一直徑 D2:第二直徑 D3第三直徑 D4:第四直徑 D5:第五直徑 CR:中央機器人 IR:索引機器人 LP:裝載埠 P1:第一壓力 P2:第二壓力 P3:第三壓力 Q1:第一方向 Q2:第二方向 Q3:第三方向 R1:第一流路 R2:第二流路 R3:第三流路 θ1:第一角度 θ2:第二角度 TW:塔 X1:第一移動方向 X2:第二移動方向 V1:第一移動速度 V2:第二移動速度 W:基板 Z:滯留端部位置

圖1為示意表示本發明第1實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。圖2為示意表示處理單元之構成的側視圖。圖3為表示藉由基板處理裝置對基板執行處理之一例的流程圖。圖4為表示藥液供給裝置之構成的示意圖。圖5為表示供給機構周邊之構成的示意圖。圖6為插入安裝構件的切斷端面圖。圖7為表示藥液之壓力的示意圖。圖8為表示第二閥成為關閉狀態的示意圖。圖9為表示第二閥成為開放狀態的示意圖。圖10為表示對基板供給藥液之藥液供給處理中基板處理裝置之動作之一例的流程圖。圖11為表示對基板供給藥液之藥液供給處理中第一閥之開度、第二閥之開度及流通於藥液噴嘴之藥液流量的時序圖。圖12為表示第2實施形態之基板處理裝置之藥液供給處理中動作之一例的流程圖。圖13為表示第2實施形態之基板處理裝置之藥液供給處理中第一閥之開度、第二閥之開度、流通於藥液噴嘴之藥液流量、及藥液噴嘴之位置的時序圖。圖14為表示本發明第1變形例之基板處理裝置之插入安裝構件周邊的構造圖。圖15為表示本發明第2變形例之基板處理裝置之供給機構周邊的構造圖。

10:旋轉卡盤

21:藥液噴嘴

30:藥液供給裝置

40:供給機構

41:送液配管

41a:上游側端部

41b:下游側端部

42:分歧部

43:供給配管

43a:上游側端部

43b:下游側端部

44:返回配管

44a:上游側端部

44b:下游側端部

44c:排出口

45:流量計

46:插入安裝構件

47:第一閥

48:第二閥

51:回收槽

52:回收配管

Claims

一種基板處理裝置，其係利用自噴嘴朝向基板供給處理液而對前述基板進行處理者；其具備有：送液配管，其導引前述處理液；供給配管，其將由前述送液配管所導引之前述處理液朝向前述噴嘴導引；返回配管，其沿著與前述供給配管不同之路徑導引由前述送液配管所導引之前述處理液；分歧部，其係前述送液配管、前述供給配管及前述返回配管之分歧點；第一閥，其被設於前述送液配管，可調整自前述送液配管供給至前述分歧部之處理液的流量；及第二閥，其被設於前述返回配管；藉由將前述第一閥設為開放狀態且將前述第二閥設為關閉狀態，以成為吐出狀態，該吐出狀態係使前述處理液自前述送液配管朝向前述供給配管流通而自前述噴嘴吐出前述處理液的狀態，藉由將前述第二閥自關閉狀態設為開放狀態，以成為處理液返回狀態，該處理液返回狀態係使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通的狀態。
如請求項1之基板處理裝置，其中，前述第一閥係於關閉狀態下不完全將前述送液配管之處理液流路關閉之閥。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，供前述處理液通過之流路，其包含有：第一流路，其相對於前述分歧部位於前述送液配管側；第二流路，其相對於前述分歧部位於前述供給配管側；及第三流路，其相對於前述分歧部位於前述返回配管側，且第一角度大於第二角度，前述第二角度係自前述分歧部朝向前述第一流路之第一方向與自前述分歧部朝向前述第二流路之第二方向所夾之角度，前述第一角度係前述第一方向與自前述分歧部朝向前述第三流路之第三方向所夾之角度。
如請求項3之基板處理裝置，其中，前述第一流路及前述第三流路係自前述分歧部朝大致水平方向延伸，前述第二流路係自前述分歧部朝上方延伸。
如請求項1或2之基板處理裝置，其更具備有：收容槽，其收容來自前述返回配管所供給之前述處理液；前述噴嘴之前端係被配置於較前述返回配管之排出口為高的位置。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，於前述送液配管及前述供給配管不設置前述第一閥以外的閥。
如請求項1或2之基板處理裝置，其更具備有：控制部，其控制前述第一閥及前述第二閥；前述控制部可將前述第一閥之開度至少切換為第一開度及第二開度，前述第二開度為小於前述第一開度，前述控制部藉由將前述第一閥之開度設為前述第一開度且將前述第二閥設為關閉狀態，以設為前述吐出狀態，且藉由將前述第一閥之開度設為前述第二開度且將前述第二閥設為開放狀態，以設為前述處理液返回狀態。
如請求項7之基板處理裝置，其中，前述控制部可將前述第一閥之開度至少切換為前述第一開度、前述第二開度及第三開度，前述第三開度為小於前述第二開度，前述控制部係藉由將前述第一閥之開度自前述第二開度設為前述第三開度，且將前述第二閥保持於前述開放狀態，以設為吐出停止狀態，該吐出停止狀態係使較前述吐出狀態少量之前述處理液自前述送液配管朝向前述返回配管流通的狀態。
如請求項8之基板處理裝置，其更具備有：移動機構，其使前述噴嘴於處理位置與退避位置之間移動；前述處理位置係在前述基板之上方的位置，前述退避位置係在離開前述基板上方的位置，前述控制部控制前述移動機構，前述控制部可將前述第一閥之開度切換為前述第一開度、前述第二開度、前述第三開度及第四開度，前述第四開度為小於前述第一開度，且大於前述第二開度，前述控制部於將前述噴嘴配置於前述退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第三開度設為前述第四開度且將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，以設為預備吐出狀態，該預備吐出狀態係使前述處理液自前述送液配管朝向前述供給配管流通而自前述噴嘴吐出前述處理液的狀態，且於將前述噴嘴配置於前述退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第四開度設為前述第二開度，且將前述第二閥自前述關閉狀態設為前述開放狀態，以設為預備吐出處理液返回狀態，該預備吐出處理液返回狀態係使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通的狀態，且於前述預備吐出處理液返回狀態下前述供給配管內部之前述處理液耗盡之前，藉由使前述噴嘴自前述退避位置移動至前述處理位置，且將前述第一閥之開度自前述第二開度設為前述第一開度，將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，以設為前述吐出狀態。
一種基板處理方法，其係利用自噴嘴朝向基板供給處理液而對前述基板進行處理者；其包含有以下之步驟：藉由將設於送液配管之第一閥設為開放狀態，且將設於與前述送液配管連接之返回配管之第二閥設為關閉狀態，使前述處理液自前述送液配管朝向連接於前述送液配管及前述返回配管、與前述噴嘴之供給配管流通，而自前述噴嘴吐出前述處理液對前述基板進行處理之步驟；及藉由將前述第二閥自前述關閉狀態設為開放狀態，使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通之步驟。
如請求項10之基板處理方法，其中，執行藉由將前述第一閥之開度設為第一開度且將前述第二閥設為關閉狀態，而自前述噴嘴吐出前述處理液之步驟，且執行藉由將前述第一閥之開度設為小於前述第一開度之第二開度且將前述第二閥設為開放狀態，而使前述處理液朝向前述返回配管流通之步驟。
如請求項11之基板處理方法，其更包含以下之步驟：藉由將前述第一閥之開度自前述第二開度設為小於前述第二開度之第三開度，且將前述第二閥保持於前述開放狀態，而使較自前述噴嘴吐出前述處理液之步驟少量之前述處理液自前述送液配管朝前述返回配管流通之步驟。
如請求項12之基板處理方法，其更包含以下之步驟：於將前述噴嘴配置於離開前述基板之上方的退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第三開度設為小於前述第一開度且大於前述第二開度之第四開度，且將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，而使前述處理液自前述送液配管朝前述供給配管流通，自前述噴嘴吐出前述處理液之步驟；於將前述噴嘴配置於前述退避位置之狀態下，藉由將前述第一閥之開度自前述第四開度設為前述第二開度，且將前述第二閥自前述關閉狀態設為前述開放狀態，而使前述處理液自前述供給配管朝向前述返回配管流通之步驟；及於前述供給配管內部之前述處理液耗盡之前，藉由使前述噴嘴自前述退避位置朝向前述基板之上方的處理位置移動，且將前述第一閥之開度自前述第二開度設為前述第一開度，將前述第二閥自前述開放狀態設為前述關閉狀態，而自前述噴嘴吐出前述處理液對前述基板進行處理之步驟。