JP6521242B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
典型的な基板処理工程では、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給される。その後、リンス液が基板に供給され、それによって、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板上のリンス液を排除するためのスピンドライ工程が行われる。スピンドライ工程では、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているリンス液が振り切られて除去(乾燥)される。一般的なリンス液は脱イオン水である。
下記特許文献1のように、リンス処理後スピンドライ工程の前に有機溶剤の液体を基板の表面に供給する場合には、有機溶剤の液体がパターンの間に入り込む。有機溶剤の表面張力は、典型的なリンス液である水よりも低い。そのため、表面張力に起因するパターン倒壊の問題が緩和される。
加熱流体は、液体(加熱液)であってもよいし、気体(加熱ガス)であってもよい。加熱液の一例は、水である。加熱ガスの一例は、不活性ガスおよび水蒸気である。加熱流体は、裏面全域に供給されてもよいし、裏面の一部に供給されてもよい。
請求項2に記載の発明は、前記ポスト加熱工程と前記スピンドライ工程とが連続して実行される、請求項1に記載の基板処理方法である。
請求項3に記載の発明は、前記スピンドライ工程において前記基板の裏面に加熱流体が供給される、請求項1または請求項2に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、スピンドライ工程実行時の基板温度をより高くすることができる。したがって、スピンドライ工程をより短時間に完了することができる。
この方法によれば、基板の回転半径方向に沿って配列された複数の加熱流体吐出口から加熱流体が基板の裏面に向けて吐出される。加熱流体吐出口からの加熱流体の吐出と並行して、基板を回転させることにより、基板の裏面の全域に加熱流体を供給することが可能である。したがって、ポスト加熱工程において、低表面張力液体の液膜を、基板の表面全域において加熱することが可能である。これにより、基板の表面全域においてパターンの倒壊を効果的に抑制できる。
この方法によれば、基板の下面に吐出された加熱流体が基板の上面に回り込みにくくなる。
この方法によれば、基板の裏面に供給された加熱流体の流量は、当該加熱流体が基板の表面に回り込まないような流量に設定されている。したがって、ポスト加熱工程において、基板の表面に対する低表面張力液体の供給を停止する場合であっても、高温の基板の表面への回り込みを確実に防止しながら、低表面張力液体の液膜を加熱できる。
請求項8に記載の発明は、前記低表面張力液体供給工程は、有機溶剤と気体とを混合して生成された前記有機溶剤の液滴を、前記表面の少なくとも外周部に供給する液滴供給工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
一般的に、基板の表面の外周部は、有機溶剤の置換性が低いとされている。しかしながら、表面の少なくとも外周部に、低表面張力液体の液滴を供給することにより、基板の表面の外周部における、有機溶剤の置換性を改善できる。
この方法によれば、基板の表面全域において、低表面張力液体への置換性能を向上させることができる。
この方法によれば、二流体ノズルから基板の表面への液滴の供給に先立って、基板の表面の全域を覆う低表面張力液体の液膜が形成される。そのため、二流体ノズルから吐出された低表面張力液体の液滴は有機溶剤の液膜に衝突する。したがって、低表面張力液体の液滴が乾燥状態の基板の表面に直接衝突することを回避でき、これにより、パーティクルの発生を抑制できる。
この方法によれば、液滴吐出工程後に、基板の表面に当該表面を覆う低表面張力液体の液膜が保持される。そのため、スピンドライ工程の開始前に、基板の表面が液膜から露出することを防止できる。基板の表面が部分的に露出すると、パーティクルの発生により基板の清浄度が低下したり、処理の均一性が低下したりするおそれがある。しかしながら、基板の表面の、液膜からの露出を防止できるので、これにより、基板の清浄度の低下や処理の均一性の低下を招くことを防止できる。
この方法によれば、基板の表面の周囲の雰囲気を窒素雰囲気に維持しながら、当該表面を乾燥させることができるから、乾燥後におけるウォーターマークの発生を抑制または防止できる。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液を用いて基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御ユニット3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱形の処理チャンバ4と、処理チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に薬液を供給するための薬液供給ユニット6と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット7と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面(基板Wの表面)に、有機溶剤(低表面張力液体)の一例のIPAを供給するための有機溶剤供給ユニット(低表面張力液体供給ユニット)8と、スピンチャック5に保持されている基板Wの下面(基板Wの裏面)に、加熱流体の一例である温水を供給する下面供給ユニット(加熱流体供給ユニット)9と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ10とを含む。
FFU13は隔壁12の上方に配置されており、隔壁12の天井に取り付けられている。FFU13は、隔壁12の天井から処理チャンバ4内に清浄空気を送る。排気装置14は、処理カップ10内に接続された排気ダクト15を介して処理カップ10の底部に接続されており、処理カップ10の底部から処理カップ10の内部を吸引する。FFU13および排気装置14により、処理チャンバ4内にダウンフロー(下降流)が形成される。
スピンベース18は、基板Wの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面18aを含む。上面18aには、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば4個)の挟持部材19(図6を併せて参照)が配置されている。複数個の挟持部材19は、スピンベース18の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。
リンス液供給ユニット7は、リンス液ノズル24を含む。リンス液ノズル24は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック5の上方で、その吐出口を基板Wの上面中央部に向けて固定的に配置されている。リンス液ノズル24には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるリンス液配管25が接続されている。リンス液配管25の途中部には、リンス液ノズル24からのリンス液の供給/供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ26が介装されている。リンス液バルブ26が開かれると、リンス液配管25からリンス液ノズル24に供給された連続流のリンス液が、リンス液ノズル24の下端に設定された吐出口から吐出される。また、リンス液バルブ26が閉じられると、リンス液配管25からリンス液ノズル24へのリンス液の供給が停止される。リンス液は、たとえば脱イオン水(DIW)であるが、DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
図3および図4に示すように、第2のノズルホルダ34は、ノズルアーム35に沿って直線状に延びる略棒状の部材である。第2のノズルホルダ34に、第2の有機溶剤ノズル32が取り付けられている。第1および第2の有機溶剤ノズル31,32は、略同じ高さに配置されている。
回動ユニット36は、スピンチャック5の上方を含む水平面内で第1および第2の有機溶剤ノズル31,32を水平に移動させる。図3および図4に示すように、回動ユニット36は、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32を、ノズル相互の位置関係を一定に保ちながら、それぞれ、スピンチャック5に保持された基板Wの上面に沿って延びる円弧状の軌跡X1に沿って水平に移動させる。第1および第2の有機溶剤ノズル31,32は、第1の有機溶剤ノズル31が基板Wの上面中央部の上方に配置されるセンタ位置(図3に示す第1および第2の有機溶剤ノズル31,32の位置)と、第1の有機溶剤ノズル31が基板Wの上面周縁部の上方に配置されるエッジ位置(図4に示す第1および第2の有機溶剤ノズル31,32の位置)との間を水平移動させられる。基板Wが直径300mmの円形基板である場合、センタ位置は、平面視で、第1の有機溶剤ノズル31の吐出口が、基板Wの回転軸線A1からホーム(home)側に9mm隔てられ、かつ第2の有機溶剤ノズル32の吐出口が基板Wの回転軸線A1からフィード(Feed)側に91mm隔てられた位置である。また、エッジ位置は、平面視で、第1の有機溶剤ノズル31の吐出口が基板Wの回転軸線A1からホーム側に142.5mm隔てられ、かつ第2の有機溶剤ノズル32の吐出口が基板Wの回転軸線A1からホーム側に42.5mm隔てられた位置である。すなわち、センタ位置は、後述する吐出領域DA(図15B参照)が基板Wの上面中央部(表面の中央部)に配置される位置であり、エッジ位置は、吐出領域DAが基板Wの上面周縁部(表面の周縁部)に配置される位置である。
外筒46および内筒47は、各々共通の中心軸線A3上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒47の内部空間は、第1の有機溶剤配管37からの有機溶剤が流通する直線状の有機溶剤流路48となっている。また、外筒46および内筒47との間には、第1の気体配管38から供給される気体が流通する円筒状の気体流路49が形成されている。
第1の気体バルブ41を開いて気体吐出口52から気体を吐出させながら、第1の有機溶剤バルブ39を開いて有機溶剤吐出口51から有機溶剤を吐出させることにより、第1の有機溶剤ノズル31の近傍で有機溶剤に気体を衝突(混合)させることにより有機溶剤の微小の液滴を生成することができ、有機溶剤を噴霧状に吐出することができる。
下面ノズル60は、ノズル部63を備えた、いわゆるバーノズルの形態を有している。下面ノズル60は、図6に示すように、加熱液を吐出する複数の吐出口(加熱流体吐出口)89が、基板Wの回転半径方向に沿って配列されたノズル部63と、ノズル部63を支持するベース部64とを含む。下面ノズル60は、PTFE(polytetrafluoroethylene)等の耐薬品性を有する合成樹脂を用いて形成されている。ベース部64は、回転軸線A1と同軸の円柱状である。ベース部64は、基板Wの下面中央部に対向する位置に配置される。ベース部64は、スピンベース18の上面18aの中央部から上方に突出している。ノズル部63は、ベース部64の上方に配置されている。ノズル部63は、基板Wの下面とスピンベース18の上面18aとの間に配置される。
図2に示すように、処理ユニット2は、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に、気体を供給するための気体ノズル(対向部材)100をさらに含む。気体ノズル100には、気体ノズル100を移動するためのノズル移動ユニット99が結合されている。
制御ユニット3は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ16、排気装置14、回動ユニット36、ノズル移動ユニット99等の動作を制御する。さらに、制御ユニット3は、薬液バルブ23、リンス液バルブ26、第1の有機溶剤バルブ39第1の流量調整バルブ40、第1の気体バルブ41、第2の有機溶剤バルブ55、第2の流量調整バルブ56、加熱液バルブ58、第3の流量調整バルブ59、第2の気体バルブ102等の開閉動作等を制御する。
未処理の基板Wは、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、処理チャンバ4内に搬入され、基板Wがその表面(パターン形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡され、スピンチャック5に基板Wが保持される(S1:基板保持工程)。基板Wの搬入に先立って、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32は、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、気体ノズル100も、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。
その後、制御ユニット3は、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32をホーム位置に退避させ、かつノズル移動ユニット99を制御して、気体ノズル100をスピンチャック5の側方のホーム位置から、基板Wの上方の上位置(図15Dに実線で示す位置)に配置する。気体ノズル100が上位置および次に述べる近接位置に配置された状態では、気体ノズル100は、基板Wの上面中央部に対向している。
置換工程(S4)は、第1の液膜形成工程T1(図15A参照)と、液滴供給工程T2(図15B参照)と、第2の液膜形成工程T3(図15C参照)と、ノズル入替工程(ポスト加熱工程、パドル工程)T4(図15D参照)とを含む。第1の液膜形成工程T1、液滴供給工程T2、および第2の液膜形成工程T3を一括りに説明するときは、有機溶剤供給工程(低表面張力液体供給工程、第2の加熱流体供給工程)T1〜T3という。
さらに本実施形態では、各吐出口89は、上面視において基板Wの半径方向に交差する方向に、かつ基板Wの回転方向Drに沿った方向に加熱液を吐出する。このため、基板Wの下面から表面への加熱液の回り込みが生じにくい。
第1の液膜形成工程T1では、基板Wの回転速度が次に述べるように変化する。すなわち、第1の液膜形成工程T1の開始後たとえば約3.5秒間、基板Wの回転速度がパドル速度に保たれた後、基板Wの回転は、前記の液処理回転速度よりも遅い中回転速度(たとえば約100rpm)まで加速され、この中回転速度でたとえば約6秒間維持される。その後、基板Wの回転はパドル速度まで減速され、パドル速度に約2.5秒間保たれる。第1の液膜形成工程T1の開始から、予め定める期間(たとえば約12秒間)が経過すると、第1の液膜形成工程T1が終了し、次いで、液滴供給工程T2(図15B参照)が開始される。
また、液滴供給工程T2では、制御ユニット3は、回動ユニット36を制御して、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32を、センタ位置(図3に示す位置)とエッジ位置(図4に示す位置)との間を、軌跡X1に沿って水平に往復移動させる(ハーフスキャン)。 また、第1および第2の有機溶剤ノズル32の移動速度(すなわち、吐出領域DAのスキャン速度)は、たとえば、約7mm/秒に設定されている。
一般的に、基板Wの上面(表面)の外周部は、有機溶剤の置換性が低いとされている。しかしながら、基板Wの上面(表面)の外周部に吐出領域DAを設定することにより、低表面張力液体の液滴を供給することにより、基板Wの上面(表面)の外周部における、有機溶剤の置換性を改善できる。
また、液滴供給工程T2においても、基板Wの下面への加熱液の供給は続行されている。そのため、基板W上の有機溶剤の液膜を温めながら液滴供給工程T2を実行できる。これにより、有機溶剤への置換性能を向上させることができる。
第2の液膜形成工程T3では、第1の液膜形成工程T1の場合と同様、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32は、カバーセンター位置(図15Aに示す第1および第2の有機溶剤ノズル31,32の位置)に静止状態で配置される。また、第2の液膜形成工程T3では、第1の液膜形成工程T1の場合と同様、第2の有機溶剤ノズル32からのみ有機溶剤が吐出され(カバーIPA吐出)、第1の有機溶剤ノズル31から有機溶剤は吐出されない。
それにより、第2の有機溶剤ノズル32から有機溶剤が吐出され、基板Wの上面中央部に着液する。第2の有機溶剤ノズル32からの有機溶剤の吐出流量は、たとえば約0.3(リットル/分)に設定されている。
パドル速度まで減速した後予め定める期間(たとえば10.0秒間)が経過すると、第1の有機溶剤バルブ39が閉じられて、基板Wの上面への有機溶剤の供給が停止される。それにより、第2の液膜形成工程T3が終了する。次いで、ポスト加熱工程T4(図15D参照)が開始される。
また、ポスト加熱工程T4では、第2の液膜形成工程T3に引き続いて、基板Wの下面への加熱液の供給が続行されている。すなわち、ポスト加熱工程T4では、基板Wの上面(表面)への有機溶剤の供給を停止した状態で、基板Wの下面(裏面)に加熱流体が供給される。
また、ポスト加熱工程T4では、基板Wがパドル速度で回転させられるので、基板Wの上面に当該上面を覆う有機溶剤の液膜160がパドル状に支持される。そのため、置換工程後であってスピンドライ工程の開始前に、基板Wの表面(パターン形成面)が液膜から露出することを防止できる。基板Wの表面(パターン形成面)が部分的に露出すると、パーティクルの発生により基板Wの清浄度が低下したり、処理の均一性が低下したりするおそれがある。しかし、この実施形態では、基板Wの上面(表面)の、有機溶剤の液膜160からの露出を防止できるので、これにより、基板Wの清浄度の低下や処理の均一性の低下を招くことを防止できる。
この実施形態では、スピンドライ工程(S5)は、第1のスピンドライ工程T5(図15E参照)と、第2のスピンドライ工程T6(図15F参照)とを含む。
第1のスピンドライ工程T5は、第2のスピンドライ工程T6の開始に先立って、基板Wの回転速度を、予め定める第1の乾燥速度(たとえば約1000rpm)まで段階的に上昇させる工程である。制御ユニット3は、スピンモータ16を制御して、基板Wの回転速度を、パドル速度から、たとえば4段階(約10rpm→約50rpm(約0.2秒間)→約75rpm(約0.2秒間)→約100rpm(約2.0秒間)→約1000rpm)で上昇させる。基板Wの回転速度が第1の乾燥速度に達すると、その第1の乾燥速度に維持される。
基板Wの回転速度が第1の乾燥速度に達した後、制御ユニット3は、ノズル移動ユニット99を制御して、気体ノズル100を上位置から、上位置よりも基板Wに接近する近接位置に下降させる。気体ノズル100の下降に要する期間は、たとえば約2.0秒間である。
気体ノズル100が近接位置に配置されると、第1のスピンドライ工程T5は終了する。第1のスピンドライ工程T5の終了に伴い、制御ユニット3は、加熱液バルブ58を閉じて、基板Wの下面への加熱液の供給を停止する。
また、スピンドライ工程(S5)の初期段階(すなわち、第1のスピンドライ工程T5)においても、基板Wの下面(裏面)に加熱液が供給されている。
その後、第1のスピンドライ工程T5に引き続いて、第2のスピンドライ工程T6が開始される。制御ユニット3は、スピンモータ16を制御して、基板Wの回転を予め定める第1の乾燥速度(たとえば約1000rpm)まで加速させる。また、制御ユニット3は、第2の気体バルブ102を開いて、窒素ガスを3つの気体吐出口(上側気体吐出口105、下側気体吐出口106および中心気体吐出口107)から吐出させる。このときにおける、上側気体吐出口105、下側気体吐出口106および中心気体吐出口107からの窒素ガスの吐出流量はたとえば、それぞれ、100(リットル/分)、100(リットル/分)および50(リットル/分)である。これにより、上下方向に重なる三層の環状気流が基板Wの上方に形成され、この三層の環状気流によって基板Wの上面が保護される。基板Wの上面(表面)の周囲の雰囲気を窒素雰囲気に維持しながら、当該上面を乾燥させることができるから、乾燥後における、基板Wの上面のウォーターマークの発生を抑制または防止できる。
基板Wの回転速度が予め定める第2の乾燥速度に加速されてから予め定める期間(たとえば10秒間)が経過すると、制御ユニット3は、スピンモータ16を制御してスピンチャック5の回転を停止させる。また、制御ユニット3は、スピンチャック5による基板Wの回転を停止させた後、第2の気体バルブ102を閉じて、3つの気体吐出口105,106,107からの気体の吐出を停止させ、かつノズル移動ユニット99を制御して、気体ノズル100をホーム位置に退避させる。その後、基板Wが処理チャンバ4から搬出される。
たとえば、前述の実施形態では、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32を共通のノズルアーム35で支持する場合を例に挙げて説明したが、第1および第2の有機溶剤ノズル31,32がそれぞれ、別々のノズルアームによって支持されるようになっていてもよい。
また、液滴供給工程T2において、吐出領域(図15B参照)をスキャンさせずに静止状態としてもよい。この場合、基板Wの上面周縁部における有機溶剤への置換性を向上させるべく、吐出領域(図15B参照)が基板Wの上面周縁部に配置されることが望ましい。
また、前述の実施形態では、第1および第2の液膜形成工程T1,T3において、第2の有機溶剤ノズル32から有機溶剤の連続流を吐出するとして説明したが、第1の気体バルブ41を閉じながら第1の有機溶剤バルブ39を開くことにより、第1および第2の液膜形成工程T1,T3において、第1の有機溶剤ノズル31から連続流の有機溶剤を吐出するようにしてもよい。この場合、第1の有機溶剤ノズル31の構成を廃止することも可能であり、コストダウンを図ることができる。
また、パドル速度として10rpmの低速を例示したが、パドル速度は、基板Wの回転速度は50rpm以下の低速であってもよいし、零であってもよい。
また、気体ノズル100が3つの気体吐出口105,106,107を有しているとして説明したが、3つの気体吐出口105,106,107の全てを有していなくても、少なくとも1つの気体吐出口を有していればよい。
また、下面ノズル60が、ノズル部63を1つのみ備えているとして説明したが、2つまたはそれ以上のノズル部63を備えていてもよい。また、下面ノズル60がノズル部63を備えたバーノズルであるとして説明したが、下面ノズルが、ノズル部63を備えない構成(たとえば、中心軸ノズル)であってもよい。
また、前述の実施形態では、スピンドライ工程(S5)の初期段階(第1のスピンドライ工程T5)で基板Wの下面に加熱流体を供給しスピンドライ工程(S5)の後段階(第2のスピンドライ工程T6)では加熱流体の供給を停止した。しかし、スピンドライ工程(S5)全体を通して基板Wの下面に加熱流体を供給してもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
3 制御ユニット
5 スピンチャック(基板保持ユニット)
8 有機溶剤溶剤供給ユニット(低表面張力液体供給ユニット)
9 下面供給ユニット(加熱流体供給ユニット)
89 吐出口(加熱流体吐出口)
100 気体ノズル(対向部材)
W 基板
Claims (13)
- 基板の表面に付着しているリンス液を、当該リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体に置換する置換工程と、
前記置換工程の終了後、前記基板を所定の回転軸線回りに回転させて前記低表面張力液体を振り切ることにより前記表面を乾燥させるスピンドライ工程とを含み、
前記置換工程は、
前記表面の反対側の裏面に加熱流体を供給しながら、前記低表面張力液体を前記表面に供給する低表面張力液体供給工程と、
前記低表面張力液体供給工程の終了後前記スピンドライ工程の開始前に、前記低表面張力液体の前記表面への供給を停止した状態で、前記基板における前記表面の反対側の裏面に、加熱流体を供給するポスト加熱工程と、前記ポスト加熱工程に並行して、前記基板を静止状態とさせ、または前記回転軸線回りにパドル速度で前記基板を回転させるパドル工程とを含む、基板処理方法。 - 前記ポスト加熱工程と前記スピンドライ工程とが連続して実行される、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記スピンドライ工程において前記基板の裏面に加熱流体が供給される、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記ポスト加熱工程は、前記基板の回転半径方向に沿って配列された複数の加熱流体吐出口から前記加熱流体を同時に前記裏面に向けて吐出する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記ポスト加熱工程は、前記回転軸線に直交する方向に見たときに、前記基板の回転半径方向に交差する方向に加熱流体を前記裏面に向けて吐出する、請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記加熱流体は加熱液を含み、
前記ポスト加熱工程における前記加熱液の流量は、前記基板の裏面に供給された前記加熱流体が前記表面に回り込まないような流量に設定されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記低表面張力液体供給工程は、前記基板の表面の上方に配置された低表面張力液体ノズルから前記低表面張力液体を吐出する工程を含み、
前記スピンドライ工程は、前記基板の表面の上方に対向部材を対向させた状態で実行するものであり、
前記ポスト加熱工程に並行して、前記低表面張力液体ノズルの前記基板の上方からの退避を行い、かつ前記対向部材の前記基板の上方への配置を行う、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記低表面張力液体供給工程は、有機溶剤と気体とを混合して生成された前記有機溶剤の液滴を、前記表面の少なくとも外周部に供給する液滴供給工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記液滴供給工程は、
前記表面内の吐出領域に向けて、二流体ノズルから前記有機溶剤の前記液滴を吐出する液滴吐出工程と、
前記液滴吐出工程に並行して、前記表面の中央部と前記表面の周縁部との間で前記吐出領域を移動させる吐出領域移動工程とをさらに含む、請求項8に記載の基板処理方法。 - 前記低表面張力液体供給工程は、前記液滴吐出工程に先立って実行され、前記表面に前記有機溶剤を供給して、前記表面の全域を覆う前記有機溶剤の液膜を形成する第1の液膜形成工程とを含む、請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記低表面張力液体供給工程は、前記液滴吐出工程後に実行され、前記表面に前記有機溶剤を供給して、前記表面の全域を覆う前記有機溶剤の液膜を形成する第2の液膜形成工程とを含む、請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記スピンドライ工程は、前記表面の周囲の雰囲気を窒素雰囲気に維持しながら実行する、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板の表面に、リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給ユニットと、
前記基板における前記表面の反対側の裏面に、加熱流体を供給する加熱流体供給ユニットと、
前記低表面張力液体供給ユニットおよび前記加熱流体供給ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは、前記表面に付着している前記リンス液を、前記低表面張力液体に置換する置換工程と、前記置換工程の終了後、前記基板を所定の回転軸線回りに回転させて前記低表面張力液体を振り切ることにより前記表面を乾燥させるスピンドライ工程とを実行し、
前記制御ユニットが、前記置換工程において、前記表面の反対側の裏面に加熱流体を供給しながら、前記低表面張力液体を前記表面に供給する低表面張力液体供給工程と、前記低表面張力液体供給工程の終了後前記スピンドライ工程の開始前に、前記低表面張力液体の前記表面への供給を停止した状態で、前記基板における前記裏面に、加熱流体を供給するポスト加熱工程と、前記ポスト加熱工程に並行して、前記基板を静止状態とさせ、または前記回転軸線回りにパドル速度で前記基板を回転させるパドル工程とを実行する、基板処理装置。
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