WO2021177078A1 - 基板処理方法、及び基板処理装置 - Google Patents

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宏紀 櫻井
一樹 小佐井
和義 篠原
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
  • the treatment liquid is supplied from directly above the center position of the substrate surface, a liquid film of the treatment liquid is formed on the entire surface of the substrate, and then a replacement liquid that replaces the treatment liquid is placed at the center position. It is supplied from directly above and forms a liquid film of the replacement liquid on the entire surface of the substrate.
  • this substrate processing apparatus supplies the treatment liquid to a position outside the supply position of the replacement liquid.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique for suppressing the generation of particles at or near the center position of the substrate surface.
  • the substrate processing method has the following (A) to (D).
  • A) The processing liquid is supplied to the center position of the rotating substrate surface.
  • B) The supply position of the treatment liquid is moved from the center position to the first eccentric position.
  • C) The supply position of the treatment liquid is stopped at the first eccentric position, and the replacement liquid that replaces the treatment liquid is supplied to a second eccentric position different from the first eccentric position.
  • D) The supply position of the treatment liquid is moved from the first eccentric position to the direction opposite to the center position, and the supply position of the replacement liquid is moved from the second eccentric position to the center position.
  • FIG. 1 (A) is a diagram showing an example of S101 of FIG. 4
  • FIG. 1 (B) is a diagram showing an example of S103 of FIG. 4
  • FIG. 1 (C) is a diagram showing an example of S104 of FIG. (D) is a diagram showing a reference example of the steps following FIG. 1 (C).
  • FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the first moving mechanism and the second moving mechanism.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment.
  • 5 (A) is a diagram showing an example of S105 of FIG. 4
  • FIG. 5 (B) is a diagram showing an example of S106 of FIG. 4, and FIG.
  • FIG. 5 (C) is a diagram showing an example of S107 of FIG. (D) is a diagram showing an example of S108 in FIG. 4, and FIG. 5 (E) is a diagram showing an example of S109 in FIG.
  • FIG. 6 is a table showing a substrate processing method according to an embodiment.
  • FIG. 7A is a diagram showing the distribution of particles on the substrate surface treated by the substrate processing method of FIG. 5, and
  • FIG. 7B is a diagram showing the distribution of particles on the substrate surface treated by the substrate processing method of FIG. be.
  • FIG. 8 is a table showing a substrate processing method according to the first modification.
  • FIG. 9 is a table showing a substrate processing method according to the second modification.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of an inspection device for a substrate processing device.
  • the substrate treatment method includes, for example, forming a chemical film on the surface of the substrate, replacing the chemical film with a rinse solution, and replacing the rinse solution with a dry solution. And exposing the substrate surface from the film of the drying solution. These treatments are carried out in the same processing container.
  • the chemical solution is supplied to the center of the rotating substrate surface and spreads over the entire radial direction of the substrate surface by centrifugal force to form a liquid film.
  • BHF buffered hydrofluoric acid
  • the chemical solution is not limited to BHF, and may be, for example, DHF (dilute hydrofluoric acid) or the like.
  • DHF dilute hydrofluoric acid
  • the substrate surface becomes water repellent as compared with the case where DHF is used.
  • a plurality of types of chemicals may be supplied in order, and in that case, a liquid film of the rinse solution is formed between the formation of the liquid film of the first chemical solution and the formation of the liquid film of the second chemical solution. ..
  • the rinse liquid is supplied to the center of the rotating substrate surface and spreads over the entire radial direction of the substrate surface by centrifugal force to replace the chemical solution contained in the liquid film with the rinse liquid.
  • the rinse solution washes away the chemical solution remaining on the substrate surface.
  • pure water such as DIW (deionized water) is used.
  • the drying liquid is supplied to the center of the rotating substrate surface and spreads over the entire radial direction of the substrate surface by centrifugal force to replace the rinsing liquid contained in the liquid film with the drying liquid.
  • a liquid having a lower surface tension than the rinsing liquid is used. It is possible to suppress the collapse of the uneven pattern due to surface tension.
  • the dry liquid is, for example, IPA (isopropyl alcohol) or the like.
  • the surface of the substrate is exposed from the liquid film of the dry liquid.
  • the drying liquid is shaken off from the surface of the substrate by the rotation of the substrate.
  • the supply position of the drying liquid may be moved from the center of the substrate surface toward the peripheral edge.
  • a drying gas such as nitrogen gas may be supplied toward the opening edge in order to hold down the opening edge of the liquid film of the drying liquid.
  • the supply position of the drying gas moves following the supply position of the drying liquid.
  • the nozzle located directly above the center position of the substrate surface must be replaced.
  • the nozzle located directly above the center position of the substrate surface is replaced with the nozzle for the rinsing liquid and the nozzle for the drying liquid.
  • the present inventor investigated the cause of particles generated at or near the center position of the substrate surface, and found that the cause was that the liquid film was interrupted when the nozzles located directly above the center position of the substrate surface were replaced. .. It is considered that the residue of the liquid film adheres to the surface of the substrate due to the interruption of the liquid film.
  • the first nozzle 20 supplies the rinse liquid L1 to the center position P0 of the substrate surface Wa, and forms the liquid film F1 of the rinse liquid L1 on the entire surface Wa of the substrate.
  • the first nozzle 20 is moved outward in the radial direction of the substrate W, and the supply position of the rinse liquid L1 is moved from the center position P0 to the first eccentric position P1.
  • This is a preparation for supplying the drying liquid L2 to the second eccentric position P2 different from the first eccentric position P1, and is a preparation for preventing interference between the second nozzle 30 and the first nozzle 20. ..
  • the second eccentric position P2 and the first eccentric position P1 are arranged at substantially the same distance from the center position P0, but may be arranged at different distances.
  • the second eccentric position P2 and the first eccentric position P1 are arranged near the central position P0 so that the liquid film is not interrupted at or near the center position P0.
  • the second nozzle 30 supplies the drying liquid L2 to the second eccentric position P2 in a state where the supply position of the rinse liquid L1 is stopped at the first eccentric position P1.
  • the flow rate of the rinse liquid L1 at this time is the first flow rate Q1.
  • the first flow rate Q1 is set so that the liquid film is not interrupted at or near the center position P0.
  • the supply position of the rinse liquid L1 starts moving from the first eccentric position P1 toward the peripheral position PE.
  • the peripheral edge position PE is a position from the first eccentric position P1 in the direction opposite to the central position P0 (outward in the radial direction). Further, the supply position of the drying liquid L2 starts moving from the second eccentric position P2 to the center position P0.
  • the first flow rate Q1 is, for example, 1200 mL / min to 1800 mL / min.
  • the second flow rate Q2 is, for example, 800 mL / min to 1200 mL / min.
  • the flow rate of the rinsing liquid L1 is reduced from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2, while the flow rate of the drying liquid L2 is maintained at the third flow rate Q3.
  • the third flow rate Q3 is, for example, 50 mL / min to 100 mL / min.
  • the liquid film may be interrupted at or near the center position P0.
  • This phenomenon occurs when the substrate surface Wa is water repellent. This is because the rinse liquid L1 is easily peeled off from the substrate surface Wa and is easily swept outward in the radial direction by centrifugal force.
  • Examples of the case where the substrate surface Wa becomes water-repellent include a case of treating with BHF, a case of treating with a high concentration HF, a case of applying a water-repellent resist film, and the like. This phenomenon does not occur when the substrate surface Wa is hydrophilic.
  • the timing T for reducing the flow rate of the rinse liquid L1 from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2 is delayed in order to cope with the case where the substrate surface Wa is water repellent.
  • the timing T is after the supply position of the rinse liquid L1 has started to move outward in the radial direction from the first eccentric position P1. Since the timing T is delayed, the rinse liquid L1 can be supplied to the center position P0, and the liquid film can be prevented from being interrupted at or near the center position P0. Therefore, it is possible to suppress the residue of the liquid film from adhering to the surface of the substrate due to the interruption of the liquid film, and it is possible to suppress the generation of particles at or near the center position P0.
  • the timing T for reducing the flow rate of the rinse liquid L1 from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2 is until the supply position of the drying liquid L2 reaches the center position P0. Since the flow rate of the rinse liquid L1 is reduced from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2 before the supply position of the rinse liquid L1 is too far from the center position P0, it is possible to suppress the liquid splash at the supply position of the rinse liquid L1.
  • the timing T may be set up to the time when the supply position of the drying liquid L2 reaches the central position P0, and may be before or at the time of reaching the center position P0. However, if the timing T is before the time when the supply position of the drying liquid L2 reaches the center position P0, the liquid splash at the supply position of the rinse liquid L1 can be further suppressed.
  • the rinsing liquid L1 corresponds to the treatment liquid described in the claims
  • the drying liquid L2 corresponds to the replacement liquid described in the claims.
  • the technique of the present disclosure can also be applied to the replacement of the rinse liquid L1 with the liquid film F1 from the liquid film of the chemical solution.
  • the chemical solution corresponds to the treatment solution described in the claims
  • the rinse solution L1 corresponds to the replacement solution described in the claims.
  • the substrate processing apparatus 1 processes the substrate surface Wa.
  • the substrate W includes, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or the like.
  • the substrate W may be a glass substrate.
  • the substrate processing device 1 includes a chuck 10, a rotation mechanism 11, a first nozzle 20, a first flow rate controller 21, a first moving mechanism 22, a second nozzle 30, a second flow rate controller 31, and the like.
  • a second moving mechanism 32, a cup 40, and a control device 90 are provided.
  • the chuck 10 holds the substrate W.
  • the chuck 10 holds the substrate W horizontally from below with the substrate surface Wa facing upward.
  • the chuck 10 is a mechanical chuck in FIG. 2, it may be a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or the like.
  • the rotation mechanism 11 rotates the chuck 10.
  • the axis of rotation of the chuck 10 is arranged vertically.
  • the chuck 10 holds the substrate W so that the center of the substrate surface Wa and the rotation center line of the chuck 10 coincide with each other.
  • the first nozzle 20 supplies the rinse liquid L1 to the rotating substrate surface Wa.
  • the first nozzle 20 is arranged above the chuck 10 and supplies the rinse liquid L1 to the substrate surface Wa from above.
  • the first nozzle 20 supplies the rinse liquid L1 perpendicularly to the substrate surface Wa.
  • a first flow rate controller 21 and a first on-off valve 23 are provided in the middle of the first supply line for supplying the rinse liquid L1 to the first nozzle 20.
  • the first on-off valve 23 opens the flow path of the rinsing liquid L1
  • the first nozzle 20 discharges the rinsing liquid L1.
  • the flow rate is controlled by the first flow rate controller 21.
  • the first on-off valve 23 closes the flow path of the rinsing liquid L1
  • the first nozzle 20 stops the discharge of the rinsing liquid L1.
  • the first moving mechanism 22 moves the first nozzle 20 and moves the supply position of the rinse liquid L1 in the radial direction of the substrate surface Wa.
  • the first moving mechanism 22 has, for example, a swivel arm 22a for holding the first nozzle 20 and a swivel mechanism 22b for swiveling the swivel arm 22a.
  • the swivel mechanism 22b may also serve as a mechanism for raising and lowering the swivel arm 22a.
  • the swivel arm 22a is arranged horizontally, holds the first nozzle 20 at one end in the longitudinal direction, and is swiveled about a swivel shaft extending downward from the other end in the longitudinal direction (see FIG. 3).
  • the first moving mechanism 22 may have a guide rail and a linear motion mechanism instead of the swivel arm 22a and the swivel mechanism 22b.
  • the guide rails are arranged horizontally, and a linear motion mechanism moves the first nozzle 20 along the guide rails.
  • the second nozzle 30 supplies the drying liquid L2 to the rotating substrate surface Wa.
  • the second nozzle 30 is arranged above the chuck 10 and supplies the drying liquid L2 to the substrate surface Wa from above.
  • the second nozzle 30 supplies the drying liquid L2 perpendicularly to the substrate surface Wa.
  • a second flow rate controller 31 and a second on-off valve 33 are provided in the middle of the second supply line that supplies the drying liquid L2 to the second nozzle 30.
  • the second on-off valve 33 opens the flow path of the desiccant L2, the second nozzle 30 discharges the desiccant L2.
  • the flow rate is controlled by the second flow rate controller 31.
  • the second on-off valve 33 closes the flow path of the desiccant L2, the second nozzle 30 stops the discharge of the desiccant L2.
  • the second moving mechanism 32 moves the second nozzle 30 and moves the supply position of the drying liquid L2 in the radial direction of the substrate surface Wa.
  • the second moving mechanism 32 has, for example, a swivel arm 32a for holding the second nozzle 30 and a swivel mechanism 32b for swiveling the swivel arm 32a.
  • the swivel mechanism 32b may also serve as a mechanism for raising and lowering the swivel arm 32a.
  • the swivel arm 32a is arranged horizontally, holds the second nozzle 30 at one end in the longitudinal direction, and is swiveled about a swivel shaft extending downward from the other end in the longitudinal direction (see FIG. 3).
  • the second moving mechanism 32 may have a guide rail and a linear motion mechanism instead of the swivel arm 32a and the swivel mechanism 32b.
  • the guide rails are arranged horizontally, and a linear motion mechanism moves the second nozzle 30 along the guide rails.
  • the cup 40 accommodates the substrate W and collects the rinse liquid L1 and the drying liquid L2 that are shaken off from the substrate surface Wa.
  • the cup 40 includes a cylindrical portion 41, a bottom lid portion 42, and an inclined portion 43.
  • the cylindrical portion 41 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W and is arranged vertically.
  • the bottom lid portion 42 closes the opening at the lower end of the cylindrical portion 41.
  • the inclined portion 43 is formed over the entire circumference of the upper end of the cylindrical portion 41, and inclines upward toward the inside in the radial direction of the cylindrical portion 41.
  • the control device 90 controls the rotation mechanism 11, the first flow rate controller 21, the first movement mechanism 22, the second flow rate controller 31, the second movement mechanism 32, and the like.
  • the control device 90 is, for example, a computer, and as shown in FIG. 2, includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory.
  • the storage medium 92 stores programs that control various processes executed by the substrate processing device 1.
  • the control device 90 controls the operation of the substrate processing device 1 by causing the CPU 91 to execute the program stored in the storage medium 92.
  • FIGS. 4, 5 and 6 Each step shown in FIG. 4 and the like is carried out under the control of the control device 90.
  • the first nozzle 20 supplies the rinse liquid L1 to the center position of the rotating substrate surface Wa, and the liquid film F1 of the rinse liquid L1 is applied to the substrate surface. It is formed on the entire Wa.
  • the first movement mechanism 22 starts the movement of the first nozzle 20.
  • the supply position of the rinse liquid L1 starts moving from the central position P0 to the first eccentric position P1.
  • the first moving mechanism 22 stops the movement of the first nozzle 20 and stops the supply position of the rinse liquid L1 at the first eccentric position P1.
  • the second nozzle 30 is in the second eccentric position P2 in a state where the first moving mechanism 22 stops the supply position of the rinse liquid L1 at the first eccentric position P1. Is supplied with the drying liquid L2. The flow rate of the rinse liquid L1 at this time is the first flow rate Q1.
  • the first movement mechanism 22 starts the movement of the first nozzle 20.
  • the supply position of the rinse liquid L1 starts moving outward in the radial direction from the first eccentric position P1.
  • the second moving mechanism 32 starts the movement of the second nozzle 30.
  • the supply position of the drying liquid L2 starts moving from the second eccentric position P2 toward the center position P0.
  • the first flow rate controller 21 reduces the flow rate of the rinse liquid L1 from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2. Since the timing T is after the supply position of the rinse liquid L1 has started to move radially outward from the first eccentric position P1, the rinse liquid L1 or the drying liquid L2 can also be supplied to the center position P0, and the center position It is possible to prevent the liquid film from being interrupted at or near P0.
  • the rotation mechanism 11 may reduce the rotation speed of the substrate W from the first rotation speed R1 to the second rotation speed R2 as shown in FIG. .. This is a preparation for covering the entire substrate surface Wa with the liquid film F2 of the drying liquid L2.
  • the dry liquid L2 has higher volatility than the rinse liquid L1. Therefore, by reducing the rotation speed of the substrate W, the thickness of the liquid film F2 of the drying liquid L2 is increased, the volatilization of the drying liquid L2 is suppressed, and the exposure of the substrate surface Wa is suppressed.
  • the more outward in the radial direction of the substrate surface Wa the greater the centrifugal force acting on the liquid film F2, and the thinner the thickness of the liquid film F2. Therefore, before the drying liquid L2 spreads to the peripheral position PE, the rotation mechanism 11 reduces the rotation speed of the substrate W from the first rotation speed R1 to the second rotation speed R2.
  • the first rotation speed R1 is, for example, 1000 rpm to 1400 rpm.
  • the second rotation speed R2 is, for example, 500 rpm to 900 rpm.
  • the supply position of the rinse liquid L1 is moved toward the peripheral position PE while the supply position of the drying liquid L2 is fixed at the center position P0.
  • the drying liquid L2 spreads from the central position P0 to the peripheral position PE the rinsing liquid L1 can be replenished in front of the drying liquid L2, and the liquid film can be suppressed from being interrupted. Therefore, it is possible to suppress the generation of particles at the peripheral position PE or the like.
  • FIG. 7A shows the distribution of particles on the substrate surface Wa processed by the substrate processing method of FIG.
  • FIG. 7B shows the distribution of particles on the substrate surface Wa treated by the substrate processing method of FIG.
  • the black circles are particles.
  • the experimental conditions of FIGS. 7 (A) and 7 (B) are as follows.
  • the substrate W was a silicon wafer, and the diameter of the substrate surface Wa was 300 mm.
  • the substrate surface Wa was previously treated with BHF to make it hydrophobic.
  • the first rotation speed R1 was 1200 rpm
  • the second rotation speed R2 was 700 rpm
  • the first flow rate Q1 was 1500 mL / min
  • the second flow rate Q2 was 1000 mL / min
  • the third flow rate Q3 was 75 mL / min.
  • the flow rate controller 31 increases the flow rate of the drying liquid L2 from the third flow rate Q3 to the fourth flow rate Q4.
  • the fourth flow rate Q4 is, for example, 120 mL / min to 180 mL / min.
  • the second flow rate controller 31 reduces the flow rate of the drying liquid L2 from the fourth flow rate Q4 to the fifth flow rate Q5.
  • the fifth flow rate Q5 is, for example, 50 mL / min to 100 mL / min.
  • the fifth flow rate Q5 may be smaller than the fourth flow rate Q4 and may be the same as the third flow rate Q3.
  • the second flow rate controller 31 reduces the flow rate of the desiccant L2 from the fourth flow rate Q4 to the fifth flow rate Q5.
  • the drying liquid L2 surely reaches the center position P0.
  • the timing T for reducing the flow rate of the rinsing liquid L1 from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2 is such that the supply position of the rinsing liquid L1 is in the radial direction from the first eccentric position P1. After starting the movement outward, it may be when it started (see FIG. 1). At that time, if the flow rate of the drying liquid L2 increases from the third flow rate Q3 to the fourth flow rate Q4, it is possible to suppress the interruption of the liquid film at or near the center position P0.
  • the rotation mechanism 11 sets the rotation speed of the substrate W to the first rotation speed. Reduce from R1 to the third rotation speed R3.
  • the third rotation speed R3 is, for example, 800 rpm to 1200 rpm.
  • the third rotation speed R3 may be smaller than the first rotation speed R1.
  • the rotation mechanism 11 further reduces the rotation speed of the substrate W from the third rotation speed R3 to the second rotation speed R2.
  • the third rotation speed R3 is smaller than the first rotation speed R1 and larger than the second rotation speed R2.
  • the second rotation speed R2 is, for example, 500 rpm to 900 rpm.
  • the rotation mechanism 11 reduces the rotation speed of the substrate W from the third rotation speed R3 to the second rotation speed R2.
  • the drying liquid L2 surely reaches the center position P0.
  • the third rotation speed R3 in this modification is larger than the second rotation speed R2, it may be the same as the second rotation speed R2. The trouble of changing the rotation speed can be reduced.
  • the timing T for reducing the flow rate of the rinsing liquid L1 from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2 is such that the supply position of the rinsing liquid L1 is in the radial direction from the first eccentric position P1. After starting the movement outward, it may be when it started (see FIG. 1). At that time, if the rotation speed of the substrate W is reduced from the first rotation speed R1 to the third rotation speed R3, it is possible to suppress the interruption of the liquid film at or near the center position P0.
  • Suppressing the breakage of the liquid film at or near the center position P0 can be realized by at least one of the following (1) to (3).
  • the combination is not particularly limited, and all of the following (1) to (3) may be combined.
  • the inspection device 50 inspects the wettability of the rinse liquid L1 with respect to the substrate surface Wa.
  • the inspection device 50 takes an image of the rotating substrate surface Wa with a camera 51 or the like in a state where the liquid film F1 of the rinse liquid L1 is formed on the substrate surface Wa, performs image processing on the captured image, and performs the entire substrate surface Wa. Wetability is determined based on whether or not the liquid film F1 is coated.
  • the camera 51 may be installed in a processing container accommodating the chuck 10 or the like, or may be installed outside the processing container.
  • the inspection device 50 has the wettability of the rinse liquid L1 with respect to the substrate surface Wa. Is bad and is judged to be water repellent.
  • the rinse liquid L1 is easily peeled off, and the peripheral edge of the substrate surface Wa is exposed. This is because the centrifugal force is larger at the periphery of the substrate surface Wa than at the center.
  • the inspection device 50 determines that the rinse liquid L1 with respect to the substrate surface Wa has good wettability and is hydrophilic.
  • the control device 90 determines the timing T for reducing the flow rate of the rinse liquid L1 from the first flow rate Q1 to the second flow rate Q2 based on the inspection result of the inspection device 50. Specifically, as shown in FIG. 10, when the entire substrate surface Wa is not covered with the liquid film F1 and the peripheral edge of the substrate surface Wa is exposed from the liquid film F1, the timing T is the supply of the rinse liquid L1. The position is set after the position starts to move out of the radial direction from the first eccentric position P1 and by the time when the supply position of the drying liquid L2 reaches the central position P0. On the other hand, when the entire substrate surface Wa is covered with the liquid film F1, the timing T is set when the supply position of the rinse liquid L1 starts moving outward in the radial direction from the first eccentric position P1.

Abstract

基板処理方法は、下記（Ａ）～（Ｄ）を有する。（Ａ）回転する基板表面の中心位置に処理液を供給する。（Ｂ）前記処理液の供給位置を前記中心位置から第１偏心位置まで移動させる。（Ｃ）前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置に停止し、前記処理液を置換する置換液を前記第１偏心位置とは異なる第２偏心位置に供給する。（Ｄ）前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動させると共に、前記置換液の供給位置を前記第２偏心位置から前記中心位置に移動させる。（Ｅ）前記処理液を前記第１偏心位置に第１流量で供給し、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から移動開始させた後であって、前記置換液の供給位置が前記中心位置に達する時までに、前記処理液の流量を前記第１流量から第２流量に減らす。

Description

基板処理方法、及び基板処理装置
　本開示は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。
　特許文献１に記載の基板処理装置は、基板表面の中心位置の真上から処理液を供給し、基板表面全体に処理液の液膜を形成した後、処理液を置換する置換液を中心位置の真上から供給し、基板表面全体に置換液の液膜を形成する。この基板処理装置は、置換液の供給時に、置換液の供給位置よりも外側の位置に処理液を補給する。
日本国特許第６１１８７５８号公報
　本開示の一態様は、基板表面の中心位置又はその近傍にパーティクルが生じるのを抑制する、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板処理方法は、下記（Ａ）～（Ｄ）を有する。（Ａ）回転する基板表面の中心位置に処理液を供給する。（Ｂ）前記処理液の供給位置を前記中心位置から第１偏心位置まで移動させる。（Ｃ）前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置に停止し、前記処理液を置換する置換液を前記第１偏心位置とは異なる第２偏心位置に供給する。（Ｄ）前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動させると共に、前記置換液の供給位置を前記第２偏心位置から前記中心位置に移動させる。（Ｅ）前記処理液を前記第１偏心位置に第１流量で供給し、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動開始させた後であって、前記置換液の供給位置が前記中心位置に達する時までに、前記処理液の流量を前記第１流量から第２流量に減らす。
　本開示の一態様によれば、基板表面の中心位置又はその近傍にパーティクルが生じるのを抑制できる。
図１（Ａ）は図４のＳ１０１の一例を示す図、図１（Ｂ）は図４のＳ１０３の一例を示す図、図１（Ｃ）は図４のＳ１０４の一例を示す図、図１（Ｄ）は図１（Ｃ）に続くステップの参考例を示す図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 図３は、第１移動機構及び第２移動機構の一例を示す図である。 図４は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図５（Ａ）は図４のＳ１０５の一例を示す図、図５（Ｂ）は図４のＳ１０６の一例を示す図、図５（Ｃ）は図４のＳ１０７の一例を示す図、図５（Ｄ）は図４のＳ１０８の一例を示す図、図５（Ｅ）は図４のＳ１０９の一例を示す図である。 図６は、一実施形態に係る基板処理方法を示す表である。 図７（Ａ）は図５の基板処理方法で処理した基板表面のパーティクルの分布を示す図、図７（Ｂ）は図１の基板処理方法で処理した基板表面のパーティクルの分布を示す図である。 図８は、第１変形例に係る基板処理方法を示す表である。 図９は、第２変形例に係る基板処理方法を示す表である。 図１０は、基板処理装置の検査装置の一例を示す図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
　基板処理方法は、例えば、基板表面に薬液の液膜を形成すること、薬液の液膜をリンス液の液膜に置換すること、リンス液の液膜を乾燥液の液膜に置換すること、及び乾燥液の液膜から基板表面を露出させることを含む。これらの処理は、同一の処理容器内で実施される。
　薬液は、回転する基板表面の中心に供給され、遠心力によって基板表面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。薬液としては、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）等が用いられる。薬液は、ＢＨＦには限定されず、例えばＤＨＦ（希フッ酸）等であってもよい。ＢＨＦが用いられる場合、ＤＨＦが用いられる場合に比べて、基板表面は撥水性になる。複数種類の薬液が順番に供給されてもよく、その場合、第１薬液の液膜の形成と、第２薬液の液膜の形成との間にも、リンス液の液膜の形成が行われる。
　リンス液は、回転する基板表面の中心に供給され、遠心力によって基板表面の径方向全体に広がり、液膜に含まれる薬液をリンス液に置換する。リンス液は、基板表面に残る薬液を洗い流す。リンス液としては、例えばＤＩＷ（脱イオン水）等の純水が用いられる。
　乾燥液は、回転する基板表面の中心に供給され、遠心力によって基板表面の径方向全体に広がり、液膜に含まれるリンス液を乾燥液に置換する。乾燥液としては、リンス液よりも低い表面張力を有するものが用いられる。表面張力による凹凸パターンの倒壊を抑制できる。乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等である。
　乾燥液の液膜の形成後、乾燥液の液膜から基板表面を露出させる。乾燥液は、基板の回転によって基板表面から振り切られる。その際、乾燥液の供給位置を、基板表面の中心から周縁に向けて移動させてもよい。乾燥液の供給位置の移動によって、乾燥液の液膜の中心に開口が形成され、その開口が基板表面の中心から周縁に向けて徐々に広がる。乾燥液の液膜の開口縁を押さえるべく、開口縁に向けて窒素ガス等の乾燥ガスが供給されてもよい。乾燥ガスの供給位置は、乾燥液の供給位置に追従して移動する。
　ところで、液膜を置換するには、基板表面の中心位置の真上に位置するノズルを入れ替えることになる。例えば、リンス液の液膜を乾燥液の液膜に置換するには、基板表面の中心位置の真上に位置するノズルを、リンス液用のノズルから乾燥液用のノズルに入れ替えることになる。
　本発明者は、基板表面の中心位置又はその近傍にパーティクルが生じる原因を調べ、基板表面の中心位置の真上に位置するノズルを入れ替える際に液膜が途切れるのが原因であることを見出した。液膜が途切れることで、液膜の残渣が基板表面に付着すると考えられる。
　次に、図１を参照して、液膜の置換の際に、基板表面の中心位置又はその近傍で、液膜が途切れる現象について説明する。先ず、図１（Ａ）に示すように、第１ノズル２０が、基板表面Ｗａの中心位置Ｐ０にリンス液Ｌ１を供給し、リンス液Ｌ１の液膜Ｆ１を基板表面Ｗａの全体に形成する。
　次に、図１（Ｂ）に示すように、第１ノズル２０が基板Ｗの径方向外方に移動され、リンス液Ｌ１の供給位置が中心位置Ｐ０から第１偏心位置Ｐ１まで移動される。これは、第１偏心位置Ｐ１とは異なる第２偏心位置Ｐ２に乾燥液Ｌ２を供給するための準備であって、第２ノズル３０と第１ノズル２０との干渉を防止するための準備である。
　第２偏心位置Ｐ２と第１偏心位置Ｐ１とは、中心位置Ｐ０からほぼ同一の距離に配置されるが、異なる距離に配置されてもよい。第２偏心位置Ｐ２と第１偏心位置Ｐ１は、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れないように、中心位置Ｐ０の近くに配置される。
　次に、図１（Ｃ）に示すように、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１に停止した状態で、第２ノズル３０が第２偏心位置Ｐ２に乾燥液Ｌ２を供給する。この時のリンス液Ｌ１の流量は第１流量Ｑ１である。第１流量Ｑ１は、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れないように設定される。
　次に、図１（Ｄ）に示すように、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から周縁位置ＰＥに向けて移動を開始する。周縁位置ＰＥは、第１偏心位置Ｐ１から中心位置Ｐ０とは反対方向（径方向外方）の位置である。また、乾燥液Ｌ２の供給位置が、第２偏心位置Ｐ２から中心位置Ｐ０に向けて移動を開始する。
　参考例によれば、図１（Ｄ）に示すように、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時に、リンス液Ｌ１の流量が第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らされる。これは、リンス液Ｌ１の供給位置での液跳ねを防止するためである。
　リンス液Ｌ１の供給位置が中心位置Ｐ０から離れるほど、その供給位置での周速度及び遠心力が大きくなり、その供給位置での液跳ねが生じやすくなる。予めリンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らしておけば、リンス液Ｌ１の供給位置での液跳ねを防止できる。
　第１流量Ｑ１は、例えば１２００ｍＬ／分～１８００ｍＬ／分である。第２流量Ｑ２は、例えば８００ｍＬ／分～１２００ｍＬ／分である。なお、リンス液Ｌ１の流量が第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らされるのに対し、乾燥液Ｌ２の流量は第３流量Ｑ３に維持される。第３流量Ｑ３は、例えば５０ｍＬ／分～１００ｍＬ／分である。
　ところで、上記の通り、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時に、リンス液Ｌ１の流量が第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らされると、図１（Ｄ）に示すように、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れてしまうことがある。この現象は、基板表面Ｗａが撥水性である場合に生じる。リンス液Ｌ１が基板表面Ｗａから剥がれやすく、遠心力によって径方向外方に押し流されやすいからである。基板表面Ｗａが撥水性になる場合としては、ＢＨＦで処理する場合の他、高濃度ＨＦで処理する場合、又は撥水性のレジスト膜を塗布する場合などが挙げられる。なお、この現象は、基板表面Ｗａが親水性である場合には生じない。
　本実施形態では、基板表面Ｗａが撥水性である場合に対応すべく、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らすタイミングＴを遅らせる。タイミングＴは、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始した後である。タイミングＴを遅らせるので、リンス液Ｌ１を中心位置Ｐ０にも供給でき、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れてしまうのを抑制できる。従って、液膜が途切れることで液膜の残渣が基板表面に付着するのを抑制でき、中心位置Ｐ０又はその近傍でパーティクルが発生するのを抑制できる。
　ところで、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始した後、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までには、図５（Ｂ）に示すように乾燥液Ｌ２が中心位置Ｐ０にも届くようになる。そこで、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までに、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２を減らす。
　つまり、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２を減らすタイミングＴは、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までである。リンス液Ｌ１の供給位置が中心位置Ｐ０から離れすぎる前に、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らすので、リンス液Ｌ１の供給位置での液跳ねを抑制できる。
　なお、タイミングＴは、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までであればよく、達する時よりも前でもよいし、達する時であってもよい。但し、タイミングＴが乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時よりも前であれば、リンス液Ｌ１の供給位置での液跳ねをより抑制できる。
　以下、リンス液Ｌ１の液膜Ｆ１から乾燥液Ｌ２の液膜Ｆ２への置換について説明する。リンス液Ｌ１が特許請求の範囲に記載の処理液に相当し、乾燥液Ｌ２が特許請求の範囲に記載の置換液に相当する。
　なお、本開示の技術は、薬液の液膜からリンス液Ｌ１の液膜Ｆ１への置換にも適用可能である。この場合、薬液が特許請求の範囲に記載の処理液に相当し、リンス液Ｌ１が特許請求の範囲に記載の置換液に相当する。
　次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１について説明する。図２において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。基板処理装置１は、基板表面Ｗａを処理する。基板Ｗは、例えば、シリコンウェハ又は化合物半導体ウェハなどを含む。なお、基板Ｗは、ガラス基板であってもよい。
　基板処理装置１は、チャック１０と、回転機構１１と、第１ノズル２０と、第１流量制御器２１と、第１移動機構２２と、第２ノズル３０と、第２流量制御器３１と、第２移動機構３２と、カップ４０と、制御装置９０とを備える。
　チャック１０は、基板Ｗを保持する。チャック１０は、基板表面Ｗａを上に向けて、基板Ｗを下方から水平に保持する。チャック１０は、図２ではメカニカルチャックであるが、真空チャック又は静電チャックなどであってもよい。
　回転機構１１は、チャック１０を回転させる。チャック１０の回転軸は、鉛直に配置される。基板表面Ｗａの中心とチャック１０の回転中心線とが一致するように、チャック１０が基板Ｗを保持する。
　第１ノズル２０は、回転する基板表面Ｗａにリンス液Ｌ１を供給する。第１ノズル２０は、チャック１０の上方に配置され、基板表面Ｗａに対して上方からリンス液Ｌ１を供給する。第１ノズル２０は、基板表面Ｗａに対して垂直にリンス液Ｌ１を供給する。
　第１ノズル２０に対してリンス液Ｌ１を供給する第１供給ラインの途中には、第１流量制御器２１と、第１開閉弁２３とが設けられる。第１開閉弁２３がリンス液Ｌ１の流路を開放すると、第１ノズル２０がリンス液Ｌ１を吐出する。その流量は、第１流量制御器２１によって制御される。一方、第１開閉弁２３がリンス液Ｌ１の流路を閉塞すると、第１ノズル２０がリンス液Ｌ１の吐出を停止する。
　第１移動機構２２は、第１ノズル２０を移動させ、リンス液Ｌ１の供給位置を基板表面Ｗａの径方向に移動させる。第１移動機構２２は、例えば、第１ノズル２０を保持する旋回アーム２２ａと、旋回アーム２２ａを旋回させる旋回機構２２ｂとを有する。旋回機構２２ｂは、旋回アーム２２ａを昇降させる機構を兼ねてもよい。旋回アーム２２ａは、水平に配置され、その長手方向一端部にて第１ノズル２０を保持し、その長手方向他端部から下方に延びる旋回軸を中心に旋回させられる（図３参照）。なお、第１移動機構２２は、旋回アーム２２ａと旋回機構２２ｂとの代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿って第１ノズル２０を移動させる。
　第２ノズル３０は、回転する基板表面Ｗａに乾燥液Ｌ２を供給する。第２ノズル３０は、チャック１０の上方に配置され、基板表面Ｗａに対して上方から乾燥液Ｌ２を供給する。第２ノズル３０は、基板表面Ｗａに対して垂直に乾燥液Ｌ２を供給する。
　第２ノズル３０に対して乾燥液Ｌ２を供給する第２供給ラインの途中には、第２流量制御器３１と、第２開閉弁３３とが設けられる。第２開閉弁３３が乾燥液Ｌ２の流路を開放すると、第２ノズル３０が乾燥液Ｌ２を吐出する。その流量は、第２流量制御器３１によって制御される。一方、第２開閉弁３３が乾燥液Ｌ２の流路を閉塞すると、第２ノズル３０が乾燥液Ｌ２の吐出を停止する。
　第２移動機構３２は、第２ノズル３０を移動させ、乾燥液Ｌ２の供給位置を基板表面Ｗａの径方向に移動させる。第２移動機構３２は、例えば、第２ノズル３０を保持する旋回アーム３２ａと、旋回アーム３２ａを旋回させる旋回機構３２ｂとを有する。旋回機構３２ｂは、旋回アーム３２ａを昇降させる機構を兼ねてもよい。旋回アーム３２ａは、水平に配置され、その長手方向一端部にて第２ノズル３０を保持し、その長手方向他端部から下方に延びる旋回軸を中心に旋回させられる（図３参照）。なお、第２移動機構３２は、旋回アーム３２ａと旋回機構３２ｂとの代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿って第２ノズル３０を移動させる。
　カップ４０は、基板Ｗを収容し、基板表面Ｗａから振り切られるリンス液Ｌ１、及び乾燥液Ｌ２を回収する。カップ４０は、円筒部４１と、底蓋部４２と、傾斜部４３とを含む。円筒部４１は、基板Ｗの直径よりも大きい内径を有し、鉛直に配置される。底蓋部４２は、円筒部４１の下端の開口を塞ぐ。傾斜部４３は、円筒部４１の上端全周に亘って形成され、円筒部４１の径方向内側に向うほど上方に傾斜する。
　制御装置９０は、回転機構１１、第１流量制御器２１、第１移動機構２２、第２流量制御器３１、及び第２移動機構３２等を制御する。制御装置９０は、例えばコンピュータであり、図２に示すように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。
　次に、図４、図５及び図６を参照して、本実施形態の基板処理方法について説明する。図４等に示す各工程は、制御装置９０による制御下で実施される。
　先ず、図４のＳ１０１では、図１（Ａ）に示すように、第１ノズル２０が、回転する基板表面Ｗａの中心位置にリンス液Ｌ１を供給し、リンス液Ｌ１の液膜Ｆ１を基板表面Ｗａの全体に形成する。
　次に、Ｓ１０２では、第１移動機構２２が、第１ノズル２０の移動を開始させる。リンス液Ｌ１の供給位置は、中心位置Ｐ０から第１偏心位置Ｐ１に向けて移動を開始する。
　次に、Ｓ１０３では、図１（Ｂ）に示すように、第１移動機構２２が、第１ノズル２０の移動を停止し、リンス液Ｌ１の供給位置を第１偏心位置Ｐ１に停止させる。
　次に、Ｓ１０４では、図１（Ｃ）に示すように、第１移動機構２２がリンス液Ｌ１の供給位置を第１偏心位置Ｐ１に停止した状態で、第２ノズル３０が第２偏心位置Ｐ２に乾燥液Ｌ２を供給する。この時のリンス液Ｌ１の流量は第１流量Ｑ１である。
　次に、Ｓ１０５では、図５（Ａ）に示すように、第１移動機構２２が、第１ノズル２０の移動を開始させる。リンス液Ｌ１の供給位置は、第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する。また、第２移動機構３２が、第２ノズル３０の移動を開始させる。乾燥液Ｌ２の供給位置は、第２偏心位置Ｐ２から中心位置Ｐ０に向けて移動を開始する。
　次に、Ｓ１０６では、図５（Ｂ）に示すように、第１流量制御器２１が、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らす。そのタイミングＴは、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始した後であるので、リンス液Ｌ１又は乾燥液Ｌ２を中心位置Ｐ０にも供給でき、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れてしまうのを抑制できる。
　次に、Ｓ１０７では、図５（Ｃ）に示すように、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達すると、第２移動機構３２が第２ノズル３０の移動を停止する。第２ノズル３０は、乾燥液Ｌ２を中心位置Ｐ０に供給する。中心位置Ｐ０から周縁位置ＰＥに向けて、乾燥液Ｌ２が広がり始める。
　乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達した後で、図６に示すように、回転機構１１が基板Ｗの回転数を第１回転数Ｒ１から第２回転数Ｒ２に小さくしてもよい。これは、乾燥液Ｌ２の液膜Ｆ２で基板表面Ｗａの全体を被覆するための準備である。
　乾燥液Ｌ２は、リンス液Ｌ１よりも高い揮発性を有する。それゆえ、基板Ｗの回転数を小さくすることで、乾燥液Ｌ２の液膜Ｆ２の厚みを厚くし、乾燥液Ｌ２の揮発を抑制し、基板表面Ｗａが露出するのを抑制する。基板表面Ｗａの径方向外方ほど、液膜Ｆ２に作用する遠心力が大きく、液膜Ｆ２の厚みが薄くなる。そこで、周縁位置ＰＥに乾燥液Ｌ２が広がる前に、回転機構１１が基板Ｗの回転数を第１回転数Ｒ１から第２回転数Ｒ２に小さくする。第１回転数Ｒ１は、例えば１０００ｒｐｍ～１４００ｒｐｍである。第２回転数Ｒ２は、例えば５００ｒｐｍ～９００ｒｐｍである。
　本実施形態によれば、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に固定された状態で、リンス液Ｌ１の供給位置が周縁位置ＰＥに向けて移動される。乾燥液Ｌ２が中心位置Ｐ０から周縁位置ＰＥに広がる際に、乾燥液Ｌ２の前方にリンス液Ｌ１を補給でき、液膜が途切れるのを抑制できる。従って、周縁位置ＰＥ等でパーティクルが発生するのを抑制できる。
　次に、Ｓ１０８では、図５（Ｄ）に示すように、リンス液Ｌ１の供給位置が周縁位置ＰＥに達すると、第１移動機構２２が第１ノズル２０の移動を停止する。第１ノズル２０は、周縁位置ＰＥにリンス液Ｌ１を供給する。
　最後に、Ｓ１０９では、図５（Ｅ）に示すように、第１ノズル２０がリンス液Ｌ１の供給を停止する。これにより、リンス液Ｌ１の液膜Ｆ１から乾燥液Ｌ２の液膜Ｆ２への置換が完了する。
　図７（Ａ）に、図５の基板処理方法で処理した基板表面Ｗａのパーティクルの分布を示す。また、図７（Ｂ）に、図１の基板処理方法で処理した基板表面Ｗａのパーティクルの分布を示す。図７（Ａ）、図７（Ｂ）において、黒丸がパーティクルである。
　図７（Ａ）及び図７（Ｂ）の実験条件は、下記の通りである。基板Ｗはシリコンウェハ、基板表面Ｗａの直径は３００ｍｍであった。基板表面Ｗａは、予めＢＨＦで処理し、疎水化した。第１回転数Ｒ１は１２００ｒｐｍ、第２回転数Ｒ２は７００ｒｐｍ、第１流量Ｑ１は１５００ｍＬ／分、第２流量Ｑ２は１０００ｍＬ／分、第３流量Ｑ３は７５ｍＬ／分であった。
　図７（Ａ）と図７（Ｂ）を比較すれば明らかなように、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らすタイミングＴを遅らせれば、中心位置Ｐ０又はその近傍でのパーティクルの発生を抑制できることが分かる。
　次に、図８を参照して、第１変形例に係る基板処理方法について説明する。以下、本変形例（図８）と、上記実施形態（図６）の相違点について主に説明する。
　本変形例では、図８に示すように、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時（図４のＳ１０５、図５（Ａ））に、第２流量制御器３１が乾燥液Ｌ２の流量を第３流量Ｑ３から第４流量Ｑ４に増やす。第４流量Ｑ４は、例えば１２０ｍＬ／分～１８０ｍＬ／分である。
　リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時に、乾燥液Ｌ２の流量が増えるので、乾燥液Ｌ２が中心位置Ｐ０にも届くようになる。従って、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れてしまうのを抑制できる。
　乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までに、第２流量制御器３１は乾燥液Ｌ２の流量を第４流量Ｑ４から第５流量Ｑ５に減らす。第５流量Ｑ５は、例えば５０ｍＬ／分～１００ｍＬ／分である。第５流量Ｑ５は、第４流量Ｑ４よりも小さければよく、第３流量Ｑ３と同一であってもよい。
　本変形例では、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達した時に、第２流量制御器３１が乾燥液Ｌ２の流量を第４流量Ｑ４から第５流量Ｑ５に減らす。乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達すれば、乾燥液Ｌ２が中心位置Ｐ０に確実に届く。
　なお、本変形例では、上記実施形態と同様に、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らすタイミングＴは、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始した後であるが、開始した時であってもよい（図１参照）。その時に乾燥液Ｌ２の流量が第３流量Ｑ３から第４流量Ｑ４に増えれば、中心位置Ｐ０又はその近傍での液膜の途切れを抑制することが可能である。
　次に、図９を参照して、第２変形例に係る基板処理方法について説明する。以下、本変形例（図９）と、上記実施形態（図６）の相違点について主に説明する。
　本変形例では、図９に示すように、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時に、回転機構１１が基板Ｗの回転数を第１回転数Ｒ１から第３回転数Ｒ３に小さくする。第３回転数Ｒ３は、例えば、８００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍである。第３回転数Ｒ３は、第１回転数Ｒ１よりも小さければよい。
　リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時に、基板Ｗの回転数が小さくなるので、遠心力が小さくなり、リンス液Ｌ１又は乾燥液Ｌ２が中心位置Ｐ０にも届くようになる。従って、中心位置Ｐ０又はその近傍で液膜が途切れてしまうのを抑制できる。
　乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までに、回転機構１１は基板Ｗの回転数を第３回転数Ｒ３から第２回転数Ｒ２に更に小さくする。第３回転数Ｒ３は、第１回転数Ｒ１よりも小さく、第２回転数Ｒ２よりも大きい。第２回転数Ｒ２は、例えば５００ｒｐｍ～９００ｒｐｍである。
　本変形例では、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達した時に、回転機構１１が基板Ｗの回転数を第３回転数Ｒ３から第２回転数Ｒ２に小さくする。乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達すれば、乾燥液Ｌ２が中心位置Ｐ０に確実に届く。
　なお、本変形例、第３回転数Ｒ３は、第２回転数Ｒ２よりも大きいが、第２回転数Ｒ２と同一であってもよい。回転数の変更の手間を削減できる。
　なお、本変形例では、上記実施形態と同様に、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らすタイミングＴは、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始した後であるが、開始した時であってもよい（図１参照）。その時に基板Ｗの回転数が第１回転数Ｒ１から第３回転数Ｒ３に小さくすれば、中心位置Ｐ０又はその近傍での液膜の途切れを抑制することが可能である。
　中心位置Ｐ０又はその近傍での液膜の途切れを抑制することは、下記の（１）～（３）の少なくとも１つによって実現できる。その組合せは特に限定されず、下記の（１）～（３）の全てが組み合わされてもよい。（１）リンス液Ｌ１の供給位置を第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動開始させた後で、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らす。（２）リンス液Ｌ１の供給位置を第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動開始させる時に、乾燥液Ｌ２の流量を第３流量Ｑ３から第４流量Ｑ４に増やす。（３）リンス液Ｌ１の供給位置を第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動開始させる時に、基板Ｗの回転数を第１回転数Ｒ１から第３回転数Ｒ３に小さくする。
　次に、図１０を参照して、基板処理装置１の検査装置５０について説明する。検査装置５０は、基板表面Ｗａに対するリンス液Ｌ１の濡れ性を検査する。例えば、検査装置５０は、リンス液Ｌ１の液膜Ｆ１を基板表面Ｗａに形成した状態で、回転する基板表面Ｗａをカメラ５１などで撮像し、撮像した画像を画像処理し、基板表面Ｗａの全体が液膜Ｆ１で被覆されたか否かで、濡れ性を判断する。なお、カメラ５１は、チャック１０等を収容する処理容器内に設置されてもよいし、その処理容器の外部に設置されてもよい。
　図１０に示すように基板表面Ｗａの全体が液膜Ｆ１で被覆されておらず、基板表面Ｗａの周縁が液膜Ｆ１から露出する場合、検査装置５０は基板表面Ｗａに対するリンス液Ｌ１の濡れ性が悪く、撥水性であると判断する。基板表面Ｗａが撥水性であると、リンス液Ｌ１が剥がれやすく、基板表面Ｗａの周縁が露出する。基板表面Ｗａの周縁では、中心に比べて、遠心力が大きいからである。一方、基板表面Ｗａの全体が液膜Ｆ１で被覆される場合、検査装置５０は基板表面Ｗａに対するリンス液Ｌ１が濡れ性が良く、親水性であると判断する。
　制御装置９０は、検査装置５０の検査結果に基づき、リンス液Ｌ１の流量を第１流量Ｑ１から第２流量Ｑ２に減らすタイミングＴを決める。具体的には、図１０に示すように、基板表面Ｗａの全体が液膜Ｆ１で被覆されておらず基板表面Ｗａの周縁が液膜Ｆ１から露出する場合、タイミングＴは、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外に移動を開始した後であって、乾燥液Ｌ２の供給位置が中心位置Ｐ０に達する時までに設定する。一方、基板表面Ｗａの全体が液膜Ｆ１で被覆される場合、タイミングＴは、リンス液Ｌ１の供給位置が第１偏心位置Ｐ１から径方向外方に移動を開始する時に設定する。
　以上、本開示に係る基板処理方法、及び基板処理装置の実施形態などについて説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　本出願は、２０２０年３月５日に日本国特許庁に出願した特願２０２０－０３７８６６号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２０－０３７８６６号の全内容を本出願に援用する。
Ｌ１　リンス液（処理液）
Ｌ２　乾燥液（置換液）
Ｗａ　基板表面
Ｐ０　中心位置
Ｐ１　第１偏心位置
Ｐ２　第２偏心位置

Claims (8)

  1. 　回転する基板表面の中心位置に処理液を供給することと、
    　前記処理液の供給位置を前記中心位置から第１偏心位置まで移動させることと、
    　前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置に停止し、前記処理液を置換する置換液を前記第１偏心位置とは異なる第２偏心位置に供給することと、
    　前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動させると共に、前記置換液の供給位置を前記第２偏心位置から前記中心位置に移動させることと、
    　前記処理液を前記第１偏心位置に第１流量で供給し、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動開始させた後であって、前記置換液の供給位置が前記中心位置に達する時までに、前記処理液の流量を前記第１流量から第２流量に減らすことと、を有する、基板処理方法。
  2. 　前記処理液の流量を前記第１流量から前記第２流量に減らすタイミングは、前記置換液の供給位置が前記中心位置に達する時よりも前である、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記置換液の供給位置を前記中心位置に固定した状態で、前記処理液の供給位置を前記中心位置とは反対方向に移動させ続けること、を有する、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記置換液を前記第２偏心位置に第３流量で供給し、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動開始させる時に、前記置換液の流量を前記第３流量から第４流量に増やすこと、を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 　前記処理液を前記第１偏心位置に供給する際に前記基板表面を第１回転数で回転させ、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動開始させる時に、前記基板表面の回転数を前記第１回転数よりも小さくすること、を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  6. 　前記基板表面に対する前記処理液の濡れ性を検査することと、
    　前記濡れ性の検査結果に基づき、前記処理液の流量を前記第１流量から前記第２流量に減らすタイミングを、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動開始させる時に設定するか、その時よりも後であって前記置換液の供給位置が前記中心位置に達する時までに設定するかを決めることと、を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  7. 　基板を保持するチャックと、
    　前記チャックを回転させる回転機構と、
    　回転する前記基板表面に処理液を供給する第１ノズルと、
    　前記第１ノズルによって供給する前記処理液の流量を制御する第１流量制御器と、
    　前記第１ノズルを移動させ、前記処理液の供給位置を前記基板表面の径方向に移動させる第１移動機構と、
    　回転する前記基板表面に置換液を供給する第２ノズルと、
    　前記第２ノズルによって供給する前記置換液の流量を制御する第２流量制御器と、
    　前記第２ノズルを移動させ、前記置換液の供給位置を前記基板表面の径方向に移動させる第２移動機構と、
    　前記回転機構、前記第１移動機構、前記第１流量制御器、前記第２移動機構、及び前記第２流量制御器を制御し、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理方法を実施する制御装置と、を有する、基板処理装置。
  8. 　更に、前記基板表面に対する前記処理液の濡れ性を検査する検査装置を有し、
    　前記制御装置は、前記濡れ性の検査結果に基づき、前記処理液の流量を前記第１流量から前記第２流量に減らすタイミングを、前記処理液の供給位置を前記第１偏心位置から前記中心位置とは反対方向に移動開始させる時に設定するか、その時よりも後であって前記置換液の供給位置が前記中心位置に達する時までに設定するかを決める、請求項７に記載の基板処理装置。
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