CN115176334B - 基片处理方法和基片处理装置 - Google Patents

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Abstract

基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。

Description

基片处理方法和基片处理装置
技术领域
本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
专利文献1公开的基片处理装置，从基片表面的中心位置的正上方供给处理液，在基片表面整体上形成处理液的液膜之后，从中心位置的正上方供给用于置换处理液的置换液，在基片表面整体上形成置换液的液膜。该基片处理装置在供给置换液时，向比置换液的供给位置靠外侧的位置补给处理液。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第6118758号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的一个方式提供能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的技术。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方式的基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向所述中心位置相反的方向开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。
发明效果
采用本发明的一个方式，能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒。
附图说明
图1的(A)是表示图4的S101的一个例子的图，图1的(B)是表示图4的S103的一个例子的图，图1的(C)是表示图4的S104的一个例子的图，图1的(D)是表示接着图1的(C)的步骤的参考例的图。
图2是表示一个实施方式的基片处理装置的图。
图3是表示第一移动机构和第二移动机构的一个例子的图。
图4是表示一个实施方式的基片处理方法的流程图。
图5的(A)是表示图4的S105的一个例子的图，图5的(B)是表示图4的S106的一个例子的图，图5的(C)是表示图4的S107的一个例子的图，图5的(D)是表示图4的S108的一个例子的图，图5的(E)是表示图4的S109的一个例子的图。
图6是表示一个实施方式的基片处理方法的表。
图7的(A)是表示利用图5的基片处理方法处理后的基片表面的颗粒的分布的图，图7的(B)是表示利用图1的基片处理方法处理后的基片表面的颗粒的分布的图。
图8是表示第一变形例的基片处理方法的表。
图9是表示第二变形例的基片处理方法的表。
图10是表示基片处理装置的检查装置的一个例子的图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在各附图中，对于相同或相应的构成要素，有时标注相同的附图标记，并省略说明。
基片处理方法例如包括：在基片表面形成药液的液膜的步骤；将药液的液膜置换为冲洗液的液膜的步骤；将冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜的步骤；和使基片表面从干燥液的液膜露出的步骤。这些处理在同一处理容器内实施。
向旋转的基片表面的中心供给药液，利用离心力使药液在基片表面的整个径向上扩展，形成液膜。作为药液，例如可以使用BHF(缓冲氢氟酸)等。药液并不限于BHF，例如也可以是DHF(稀氢氟酸)等。在使用BHF的情况下，与使用DHF的情况相比，基片表面成为拨水性。也可以是依次供给多种药液，在该情况下，在第一药液的液膜的形成与第二药液的液膜的形成之间也进行冲洗液的液膜的形成。
向旋转的基片表面的中心供给冲洗液，利用离心力使冲洗液在基片表面的整个径向上扩展，将液膜中包含的药液置换为冲洗液。冲洗液用于对残留在基片表面的药液进行冲洗。作为冲洗液，例如可以使用DIW(去离子水)等纯水。
向旋转的基片表面的中心供给干燥液，利用离心力使干燥液在基片表面的整个径向上扩展，将液膜中包含的冲洗液置换为干燥液。作为干燥液，可以使用具有比冲洗液低的表面张力的液体。能够抑制由表面张力引起的凹凸图案的坍塌。干燥液例如为IPA(异丙醇)等。
在形成干燥液的液膜后，使基片表面从干燥液的液膜露出。通过基片的旋转，能够将干燥液从基片表面甩出。此时，可以使干燥液的供给位置从基片表面的中心向周缘移动。通过干燥液的供给位置的移动，在干燥液的液膜的中心形成开口，该开口从基片表面的中心向周缘逐渐扩展。为了推压干燥液的液膜的开口边缘，可以向开口边缘供给氮气等干燥气体。干燥气体的供给位置追随干燥液的供给位置移动。
但是，为了置换液膜，要更换位于基片表面的中心位置的正上方的喷嘴。例如，为了将冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜，要将位于基片表面的中心位置的正上方的喷嘴从冲洗液用的喷嘴更换为干燥液用的喷嘴。
本发明人对在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的原因进行了调查，发现原因是在更换位于基片表面的中心位置的正上方的喷嘴时液膜中断。可认为由于液膜中断，液膜的残渣会附着在基片表面。
接下来，参照图1，对在置换液膜时液膜在基片表面的中心位置或其附近中断的现象进行说明。首先，如图1的(A)所示，第一喷嘴20向基片表面Wa的中心位置P0供给冲洗液L1，在基片表面Wa整体上形成冲洗液L1的液膜F1。
接着，如图1的(B)所示，使第一喷嘴20向基片W的径向外侧移动，使冲洗液L1的供给位置从中心位置P0移动至第一偏心位置P1。这是用于向与第一偏心位置P1不同的第二偏心位置P2供给干燥液L2的准备，是用于防止第二喷嘴30与第一喷嘴20的干扰的准备。
第二偏心位置P2和第一偏心位置P1配置在距中心位置P0大致相同距离的位置，但也可以是配置在距中心位置P0不同距离的位置。为了使得液膜在中心位置P0或其附近不中断，第二偏心位置P2和第一偏心位置P1配置在中心位置P0的附近。
接着，如图1的(C)所示，在冲洗液L1的供给位置停止在第一偏心位置P1的状态下，第二喷嘴30向第二偏心位置P2供给干燥液L2。此时的冲洗液L1的流量为第一流量Q1。第一流量Q1被设定为使得液膜在中心位置P0或其附近不中断。
接着，如图1的(D)所示，冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向周缘位置PE开始移动。周缘位置PE是相对于第一偏心位置P1位于与中心位置P0相反的方向(径向外侧)的位置。另外，干燥液L2的供给位置从第二偏心位置P2向中心位置P0开始移动。
根据参考例，如图1的(D)所示，在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2。这是为了防止冲洗液L1的供给位置处的液体飞溅。
冲洗液L1的供给位置越远离中心位置P0，该供给位置处的周向速度和离心力越大，在该供给位置处越容易产生液体飞溅。如果预先将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2，则能够防止冲洗液L1的供给位置处的液体飞溅。
第一流量Q1例如为1200mL/分钟～1800mL/分钟。第二流量Q2例如为800mL/分钟～1200mL/分钟。此外，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2，而将干燥液L2的流量维持为第三流量Q3。第三流量Q3例如为50mL/分钟～100mL/分钟。
可是，当如上所述，在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2时，如图1的(D)所示，有时液膜在中心位置P0或其附近会中断。该现象在基片表面Wa为拨水性的情况下会发生。这是因为，冲洗液L1容易从基片表面Wa剥离，容易因离心力而被冲向径向外侧。作为基片表面Wa成为拨水性的情况，除了利用BHF进行处理的情况以外，还可以列举利用高浓度HF进行处理的情况、或者涂敷拨水性的抗蚀剂膜的情况等。此外，该现象在基片表面Wa为亲水性的情况下不会发生。
在本实施方式中，为了应对基片表面Wa为拨水性的情况，使将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2的时机(timing)T延迟。时机T是在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后。因为使时机T延迟，所以能够将冲洗液L1也供给至中心位置P0，能够抑制液膜在中心位置P0或其附近中断。因此，能够抑制因液膜中断而导致液膜的残渣附着在基片表面，能够抑制在中心位置P0或其附近产生颗粒。
不过，在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后，在到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间，如图5的(B)所示，干燥液L2也能够到达中心位置P0。因此，在到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2。
即，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2的时机T，是在到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间。因为在冲洗液L1的供给位置过于远离中心位置P0之前，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2，所以能够抑制冲洗液L1的供给位置处的液体飞溅。
此外，时机T只要是在到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间即可，可以是在到达时之前，也可以是在到达时。但是，如果时机T是在干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时之前，则能够进一步抑制冲洗液L1的供给位置处的液体飞溅。
下面，对从冲洗液L1的液膜F1向干燥液L2的液膜F2的置换进行说明。冲洗液L1相当于权利要求书中记载的处理液，干燥液L2相当于权利要求书中记载的置换液。
此外，本发明的技术也能够应用于从药液的液膜向冲洗液L1的液膜F1的置换。在该情况下，药液相当于权利要求书中记载的处理液，冲洗液L1相当于权利要求书中记载的置换液。
接下来，参照图2对本实施方式的基片处理装置1进行说明。在图2中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。基片处理装置1能够对基片表面Wa进行处理。基片W例如包括硅晶片或化合物半导体晶片等。此外，基片W也可以是玻璃基片。
基片处理装置1包括卡盘10、旋转机构11、第一喷嘴20、第一流量控制器21、第一移动机构22、第二喷嘴30、第二流量控制器31、第二移动机构32、杯状体40和控制装置90。
卡盘10能够保持基片W。卡盘10将基片表面Wa朝上，从下方水平地保持基片W。卡盘10在图2中是机械卡盘，但也可以是真空卡盘或静电卡盘等。
旋转机构11能够使卡盘10旋转。卡盘10的旋转轴铅直地配置。卡盘10能够以基片表面Wa的中心与卡盘10的旋转中心线一致的方式保持基片W。
第一喷嘴20能够向旋转的基片表面Wa供给冲洗液L1。第一喷嘴20配置在卡盘10的上方，能够从上方对基片表面Wa供给冲洗液L1。第一喷嘴20能够垂直地对基片表面Wa供给冲洗液L1。
在用于对第一喷嘴20供给冲洗液L1的第一供给管线的中途设置有第一流量控制器21和第一开闭阀23。当第一开闭阀23将冲洗液L1的流路打开时，第一喷嘴20释放冲洗液L1。其流量由第一流量控制器21控制。另一方面，当第一开闭阀23将冲洗液L1的流路关闭时，第一喷嘴20停止释放冲洗液L1。
第一移动机构22能够使第一喷嘴20移动，使冲洗液L1的供给位置在基片表面Wa的径向上移动。第一移动机构22例如具有：用于保持第一喷嘴20的旋转臂22a；和用于使旋转臂22a旋转的旋转机构22b。旋转机构22b也可以兼作用于使旋转臂22a升降的机构。旋转臂22a水平地配置，能够在其长度方向一个端部保持第一喷嘴20，并以从其长度方向另一个端部向下方延伸的旋转轴为中心进行旋转(参照图3)。此外，也可以是第一移动机构22具有导轨和直动机构来代替旋转臂22a和旋转机构22b。导轨水平地配置，直动机构能够使第一喷嘴20沿着导轨移动。
第二喷嘴30能够向旋转的基片表面Wa供给干燥液L2。第二喷嘴30配置在卡盘10的上方，能够从上方对基片表面Wa供给干燥液L2。第二喷嘴30能够垂直地对基片表面Wa供给干燥液L2。
在用于对第二喷嘴30供给干燥液L2的第二供给管线的中途设置有第二流量控制器31和第二开闭阀33。当第二开闭阀33将干燥液L2的流路打开时，第二喷嘴30释放干燥液L2。其流量由第二流量控制器31控制。另一方面，当第二开闭阀33将干燥液L2的流路关闭时，第二喷嘴30停止释放干燥液L2。
第二移动机构32能够使第二喷嘴30移动，使干燥液L2的供给位置在基片表面Wa的径向上移动。第二移动机构32例如具有：用于保持第二喷嘴30的旋转臂32a；和用于使旋转臂32a旋转的旋转机构32b。旋转机构32b也可以兼作用于使旋转臂32a升降的机构。旋转臂32a水平地配置，能够在其长度方向一个端部保持第二喷嘴30，并以从其长度方向另一个端部向下方延伸的旋转轴为中心进行旋转(参照图3)。此外，也可以是第二移动机构32具有导轨和直动机构来代替旋转臂32a和旋转机构32b。导轨水平地配置，直动机构能够使第二喷嘴30沿着导轨移动。
杯状体40能够收纳基片W，并回收从基片表面Wa被甩出的冲洗液L1和干燥液L2。杯状体40包括圆筒部41、底盖部42和倾斜部43。圆筒部41具有比基片W的直径大的内径，铅垂地配置。底盖部42将圆筒部41的下端的开口封闭。倾斜部43形成在圆筒部41的上端整周的范围，并且越向圆筒部41的径向内侧去越向上方倾斜。
控制装置90能够控制旋转机构11、第一流量控制器21、第一移动机构22、第二流量控制器31和第二移动机构32等。控制装置90例如是计算机，如图2所示，包括CPU(CentralProcessing Unit：中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92中存储有用于对在基片处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制装置90通过使CPU 91执行存储在存储介质92中的程序，来控制基片处理装置1的动作。
接下来，参照图4、图5和图6对本实施方式的基片处理方法进行说明。图4等所示的各工序在控制装置90的控制下实施。
首先，在图4的S101中，如图1的(A)所示，第一喷嘴20向旋转的基片表面Wa的中心位置供给冲洗液L1，在基片表面Wa整体上形成冲洗液L1的液膜F1。
接着，在S102中，第一移动机构22使第一喷嘴20的移动开始。冲洗液L1的供给位置从中心位置P0向第一偏心位置P1开始移动。
接着，在S103中，如图1的(B)所示，第一移动机构22使第一喷嘴20的移动停止，使冲洗液L1的供给位置停止在第一偏心位置P1。
接着，在S104中，如图1的(C)所示，在第一移动机构22使冲洗液L1的供给位置停止在第一偏心位置P1的状态下，第二喷嘴30向第二偏心位置P2供给干燥液L2。此时的冲洗液L1的流量为第一流量Q1。
接着，在S105中，如图5的(A)所示，第一移动机构22使第一喷嘴20的移动开始。冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动。另外，第二移动机构32使第二喷嘴30的移动开始。干燥液L2的供给位置从第二偏心位置P2向中心位置P0开始移动。
接着，在S106中，如图5的(B)所示，第一流量控制器21将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2。其时机T是在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后，因此，能够将冲洗液L1或干燥液L2也供给至中心位置P0，能够抑制液膜在中心位置P0或其附近中断。
接着，在S107中，如图5的(C)所示，当干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时，第二移动机构32使第二喷嘴30的移动停止。第二喷嘴30将干燥液L2供给至中心位置P0。干燥液L2开始从中心位置P0向周缘位置PE扩展。
在干燥液L2的供给位置到达中心位置P0之后，可以如图6所示的那样，旋转机构11使基片W的转速从第一转速R1减小至第二转速R2。这是用于利用干燥液L2的液膜F2覆盖基片表面Wa整体的准备。
干燥液L2具有比冲洗液L1高的挥发性。因此，通过使基片W的转速减小，能够使干燥液L2的液膜F2的厚度变厚，抑制干燥液L2的挥发，抑制基片表面Wa露出。越靠基片表面Wa的径向外侧，作用于液膜F2的离心力越大，液膜F2的厚度越薄。因此，在干燥液L2扩散至周缘位置PE之前，旋转机构11使基片W的转速从第一转速R1减小至第二转速R2。第一转速R1例如为1000rpm～1400rpm。第二转速R2例如为500rpm～900rpm。
依照本实施方式，在干燥液L2的供给位置被固定在中心位置P0的状态下，使冲洗液L1的供给位置向周缘位置PE移动。在干燥液L2从中心位置P0向周缘位置PE扩展时，能够在干燥液L2的前方补给冲洗液L1，能够抑制液膜中断。因此，能够抑制在周缘位置PE等产生颗粒。
接着，在S108中，如图5的(D)所示，当冲洗液L1的供给位置到达周缘位置PE时，第一移动机构22使第一喷嘴20的移动停止。第一喷嘴20向周缘位置PE供给冲洗液L1。
最后，在S109中，如图5的(E)所示，第一喷嘴20停止冲洗液L1的供给。由此，从冲洗液L1的液膜F1向干燥液L2的液膜F2的置换完成。
图7的(A)表示利用图5的基片处理方法处理后的基片表面Wa的颗粒的分布。另外，图7的(B)表示利用图1的基片处理方法处理后的基片表面Wa的颗粒的分布。在图7的(A)和图7的(B)中，黑圆点是颗粒。
图7的(A)和图7的(B)的实验条件如下所述。基片W为硅晶片，基片表面Wa的直径为300mm。基片表面Wa预先用BHF处理，进行了疏水化。第一转速R1为1200rpm，第二转速R2为700rpm，第一流量Q1为1500mL/分钟，第二流量Q2为1000mL/分钟，第三流量Q3为75mL/分钟。
将图7的(A)和图7的(B)进行比较可知，当使将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2的时机T延迟时，能够抑制中心位置P0或其附近的颗粒的产生。
接下来，参照图8对第一变形例的基片处理方法进行说明。下面，主要对本变形例(图8)与上述实施方式(图6)的不同点进行说明。
在本变形例中，如图8所示，在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时(图4的S105、图5的(A))，第二流量控制器31将干燥液L2的流量从第三流量Q3增加至第四流量Q4。第四流量Q4例如为120mL/分钟～180mL/分钟。
因为在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，干燥液L2的流量增加，所以干燥液L2也能够到达中心位置P0。因此，能够抑制液膜在中心位置P0或其附近中断。
在到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间(在到达时之前，或者在到达时)，第二流量控制器31将干燥液L2的流量从第四流量Q4减少至第五流量Q5。第五流量Q5例如为50mL/分钟～100mL/分钟。第五流量Q5只要小于第四流量Q4即可，可以与第三流量Q3相同。
在本变形例中，在干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时，第二流量控制器31将干燥液L2的流量从第四流量Q4减少至第五流量Q5。当干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时，干燥液L2能够可靠地到达中心位置P0。
此外，在本变形例中，与上述实施方式同样，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2的时机T是在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后，但也可以是在开始移动时(参照图1)。如果在此时干燥液L2的流量从第三流量Q3增加至第四流量Q4，则能够抑制中心位置P0或其附近的液膜的中断。
接下来，参照图9对第二变形例的基片处理方法进行说明。下面，主要对本变形例(图9)与上述实施方式(图6)的不同点进行说明。
在本变形例中，如图9所示，在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，旋转机构11使基片W的转速从第一转速R1减小至第三转速R3。第三转速R3例如为800rpm～1200rpm。第三转速R3只要小于第一转速R1即可。
因为在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，基片W的转速变小，所以离心力变小，冲洗液L1或干燥液L2也能够到达中心位置P0。因此，能够抑制液膜在中心位置P0或其附近中断。
在到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间(在到达时之前，或者在到达时)，旋转机构11将基片W的转速从第三转速R3进一步减小至第二转速R2。第三转速R3小于第一转速R1，大于第二转速R2。第二转速R2例如为500rpm～900rpm。
在本变形例中，在干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时，旋转机构11将基片W的转速从第三转速R3减小至第二转速R2。当干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时，干燥液L2能够可靠地到达中心位置P0。
此外，本变形例中，第三转速R3大于第二转速R2，但也可以是与第二转速R2相同。能够削减改变转速的工夫。
此外，在本变形例中，与上述实施方式同样，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2的时机T是在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后，但也可以是在开始移动时(参照图1)。如果在此时基片W的转速从第一转速R1减小至第三转速R3，则能够抑制中心位置P0或其附近的液膜的中断。
抑制中心位置P0或其附近的液膜的中断，能够通过下述的(1)～(3)中的至少1个来实现。其组合没有特别限定，可以将下述的(1)～(3)的全部组合。(1)在使冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后，将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2。(2)在使冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，使干燥液L2的流量从第三流量Q3增加至第四流量Q4。(3)在使冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时，使基片W的转速从第一转速R1减小至第三转速R3。
接下来，参照图10对基片处理装置1的检查装置50进行说明。检查装置50能够检查冲洗液L1对基片表面Wa的润湿性。例如，检查装置50在基片表面Wa上形成有冲洗液L1的液膜F1的状态下，利用摄像机51等对旋转的基片表面Wa进行拍摄，对拍摄到的图像进行图像处理，根据基片表面Wa整体是否被液膜F1覆盖来判断润湿性。此外，摄像机51可以设置在用于收纳卡盘10等的处理容器内，也可以设置在该处理容器的外部。
在如图10所示的那样，不是基片表面Wa整体被液膜F1覆盖，基片表面Wa的周缘从液膜F1露出的情况下，检查装置50判断为冲洗液L1对基片表面Wa的润湿性差，基片表面Wa为拨水性。当基片表面Wa为拨水性时，冲洗液L1容易剥离，基片表面Wa的周缘会露出。这是因为，在基片表面Wa的周缘，与中心相比，离心力较大。另一方面，在基片表面Wa整体被液膜F1覆盖的情况下，检查装置50判断为冲洗液L1对基片表面Wa的润湿性良好，基片表面Wa为亲水性。
控制装置90基于检查装置50的检查结果，来决定将冲洗液L1的流量从第一流量Q1减少至第二流量Q2的时机T。具体而言，在如图10所示的那样，不是基片表面Wa整体被液膜F1覆盖，基片表面Wa的周缘从液膜F1露出的情况下，时机T设定为，在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动之后、并且到干燥液L2的供给位置到达中心位置P0时为止的期间(在到达时之前，或者在到达时)。另一方面，在基片表面Wa整体被液膜F1覆盖的情况下，时机T设定为在冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向径向外侧开始移动时。
上面，对本发明的基片处理方法和基片处理装置的实施方式等进行了说明，但是本发明并不限于上述实施方式等。可以在权利要求书所记载的范畴内，进行各种改变、修正、替换、增加、删除和组合。这些当然也属于本发明的技术范围。
本申请以2020年3月5日向日本特许厅提出申请的日本特愿2020-037866号为基础要求优先权，将日本特愿2020-037866号的全部内容援用于本申请。
附图标记说明
L1冲洗液(处理液)，L2干燥液(置换液)，Wa基片表面，P0中心位置，P1第一偏心位置，P2第二偏心位置。

Claims (8)

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
向旋转的基片表面的中心位置供给处理液的步骤；
使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置的步骤；
使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液的步骤；
使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动的步骤；
以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量的步骤。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
将所述处理液的流量从所述第一流量减少至所述第二流量的时机，是在所述置换液的供给位置到达所述中心位置时之前。
3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
在将所述置换液的供给位置固定在所述中心位置的状态下，使所述处理液的供给位置向与所述中心位置相反的方向继续移动的步骤。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
以第三流量向所述第二偏心位置供给所述置换液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动时，将所述置换液的流量从所述第三流量增加至第四流量的步骤。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
在向所述第一偏心位置供给所述处理液时使所述基片表面以第一转速旋转，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动时，使所述基片表面的转速小于所述第一转速的步骤。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，包括：
检查所述处理液对所述基片表面的润湿性的步骤；和
基于所述润湿性的检查结果，来决定将所述处理液的流量从所述第一流量减少至所述第二流量的时机，设定为使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动时，或者设定为在此时之后并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间的步骤。
7.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
用于保持基片的卡盘；
用于使所述卡盘旋转的旋转机构；
用于向旋转的所述基片表面供给处理液的第一喷嘴；
第一流量控制器，其用于控制由所述第一喷嘴供给的所述处理液的流量；
第一移动机构，其用于使所述第一喷嘴移动，以使所述处理液的供给位置在所述基片表面的径向上移动；
用于向旋转的所述基片表面供给置换液的第二喷嘴；
第二流量控制器，其用于控制由所述第二喷嘴供给的所述置换液的流量；
第二移动机构，其用于使所述第二喷嘴移动，以使所述置换液的供给位置在所述基片表面的径向上移动；和
控制装置，其能够控制所述旋转机构、所述第一移动机构、所述第一流量控制器、所述第二移动机构和所述第二流量控制器，实施权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法。
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括用于检查所述处理液对所述基片表面的润湿性的检查装置，
所述控制装置能够基于所述润湿性的检查结果，来决定将所述处理液的流量从所述第一流量减少至所述第二流量的时机，设定为使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动时，或者设定为在此时之后并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间。
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