CN109216236A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在使用处理液(例如DIW)处理基片后使基片干燥的方法。该方法包括：对基片(W)供给挥发性比处理液高的第一干燥液(例如IPA)形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一边使干燥区域(DC)呈同心圆状不断扩大，一边使基片干燥的干燥步骤。该干燥步骤包括一边将第一干燥液供给到基片一边将第二干燥液供给到基片的步骤，此时的基片的旋转中心至第二干燥液的供给位置(P2)的距离(R1)，大于基片的旋转中心至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R2)。由此，能够使干燥界面的干燥条件最佳化并防止液膜在基片表面上崩坏。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等的基片使用处理液进行处理后使其干燥的技术。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，包括从喷嘴对半导体晶片等的基片的表面供给药液来对基片实施湿蚀刻、药液清洗等的液处理的步骤。在供给药液后，对基片供给清洗液例如DIW(纯水)，之后使基片干燥。
在专利文献1中记载有：对由DIW润湿的基片的表面的中心部供给作为高挥发性且低表面张力的液体的IPA，之后，使IPA的供给位置从基片的中心部向周缘部移动，由此，一边使干燥界面(是指IPA干燥并消失的干燥区域与存在IPA的液膜的非干燥区域的界面)逐渐向基片的周缘部扩展，一边使基片的表面干燥。通过这样的方法进行干燥，能够防止发生干燥步骤中的颗粒的产生、图案的崩塌等的不良问题。另外，在专利文献1中还记载有：在供给IPA的同时向基片表面的干燥区域供给氮气。以氮气吹向比干燥界面稍微靠半径方向内侧的位置的方式，使氮气的供给位置从基片的中心部向周缘部移动。通过这样地供给氮气，能够促进干燥并使干燥均匀化。
但是，在近年来的高集成化和高纵横比化不断发展的半导体装置的制造中，即使采用上述的方式，也会发生图案崩塌。作为用于避免图案崩塌的干燥方法，具有升华干燥、超临界干燥等，但是这些干燥方法的成本较高。另外，在近年来，对于IPA残渣等的缺陷的标准变得更加严格，通过上述方法有可能无法满足标准。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-036180号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够使干燥界面的干燥条件最佳化并且防止基片表面上的液膜崩坏的基片的干燥技术。
用于解决问题的技术方案
根据本发明的一个实施方式，提供一种基片处理方法，其包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的上述基片供给挥发性比上述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以上述基片上的从上述基片的旋转中心至上述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使上述第一干燥液的上述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使上述基片干燥，上述干燥步骤包括一边将上述第一干燥液供给到上述基片，一边将挥发性比上述处理液高的第二干燥液供给到上述基片的步骤，此时的上述基片上的从上述基片的旋转中心至上述第二干燥液的供给位置的距离，大于从上述基片的旋转中心至上述第一干燥液的供给位置的距离。
根据本发明的另一实施方式，提供一种基片处理装置，其包括：用于将基片水平保持的基片保持部；用于使上述基片保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；对保持于上述基片保持部的基片的表面供给处理液的处理液喷嘴；供给用于使上述基片干燥的第一干燥液的第一干燥液喷嘴；供给用于使上述基片干燥的第二干燥液的第二干燥液喷嘴；对上述处理液喷嘴供给上述处理液的处理液供给机构；对上述第一干燥液喷嘴供给上述第一干燥液的第一干燥液供给机构；对上述第二干燥液喷嘴供给上述第二干燥液的第二干燥液供给机构；使上述处理液喷嘴、上述第一干燥液喷嘴和上述第二干燥液喷嘴在水平方向移动的喷嘴移动机构；和控制部，其控制上述处理液供给机构、上述第一干燥液供给机构、上述第二干燥液供给机构和上述喷嘴移动机构，来实施上述的基片处理方法。
根据本发明的又一实施方式，提供一种存储介质，其记录有程序，在该程序由用于控制基片处理装置的动作的计算机执行时，上述计算机控制上述基片处理装置来实施上述的基片处理方法。
发明的效果
根据上述实施方式，通过从第二干燥液喷嘴供给干燥液，能够防止干燥液的液膜在基片的周缘部崩坏。因此，能够仅需考虑干燥界面附近的干燥液状态的最佳化来确定来自第一干燥液喷嘴的干燥液的供给条件。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的基片处理系统的概略结构的平面图。
图2是表示上述基片处理系统中包含的处理单元的概略结构的纵截面图。
图3是图2所示的处理单元的内部的平面图。
图4是用于说明干燥步骤的概略图。
图5是用于说明晶片表面的干燥界面附近的状态的概略图。
附图标记说明
W 基片(晶片)
4 控制装置
31 基片保持部(保持部)
33 旋转机构(驱动部)
42 处理液喷嘴(清洗液喷嘴)
43 第一干燥液喷嘴
44 第二干燥液喷嘴
45 气体喷嘴
72 处理液供给机构(清洗液供给机构)
73 第一干燥液供给机构
74 第二干燥液供给机构
75 气体供给机构
46～48、46A～48A 喷嘴移动机构(喷嘴臂、升降旋转机构)
P1 第一干燥液的供给位置(着液点)
P2 第二干燥液的供给位置(着液点)
O 基片的旋转中心
R1 从O至P1的距离
R2 从O至P2的距离
DC 干燥区域(中央干燥区域)。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，令Z轴正向为铅垂方向的朝上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。载体载置部11用于载置将多个基片即本实施方式的半导体晶片(以下晶片W)以水平状态收纳的多个载体C。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部设置有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够进行在水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。
输送部15在内部设置有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够进行在水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19存储有用于控制在基片处理系统1中实施的各种处理的程序。控制部18读取并执行存储在存储部19的程序，从而控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序可以是记录在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。
在这样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部14。载置到交接部14的晶片W被处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，输送到处理单元16。
输送到处理单元16的晶片W在处理单元16中被处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，载置于交接部14的处理过的晶片W通过基片输送装置13返回载体载置部11的载体C。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收罩50。
腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收罩50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤机组)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31将晶片W保持为水平。支柱部32是在铅垂方向延伸的部件，其基端部由驱动部33可旋转地支承，在其前端部水平支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基片保持机构30使用驱动部33使支柱部32旋转而使由支柱部32支承的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持的晶片W旋转。
处理流体供给部40对晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收罩50配置成包围保持部31，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收罩50的底部形成排液口51，由回收罩50收集的处理液从该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外，在回收罩50的底部形成有将从FFU21供给的气体排出到处理单元16的外部的排气口52。
如图3所示，处理单元16包括：对晶片W供给作为药液的DHF(稀释氢氟酸)的药液喷嘴41；对晶片W供给作为清洗液的DIW(纯水)的清洗液喷嘴42；对晶片W供给作为干燥液的IPA(异丙醇)的第一干燥液喷嘴43；对晶片W供给作为干燥液的IPA(异丙醇)的第二干燥液喷嘴44；和对晶片W供给作为干燥气体的不活泼气体在此为氮气的气体喷嘴45。这些喷嘴41～45在图2中作为处理流体供给部40被概略地表示。
药液喷嘴41、清洗液喷嘴42和第一干燥液喷嘴43安装在第一喷嘴臂46。第一喷嘴臂46能够通过升降旋转机构46A进行升降且能够绕铅垂线旋转。第一喷嘴臂46能够使药液喷嘴41、清洗液喷嘴42和第一干燥液喷嘴43在晶片W的上方沿箭头M1移动。第二干燥液喷嘴44安装在能够通过升降旋转机构47A进行升降且能够绕铅垂线旋转的第二喷嘴臂47，能够在晶片W的上方沿箭头M2移动。气体喷嘴45安装在能够通过升降旋转机构48A进行升降且能够绕铅垂线旋转的第三喷嘴臂48，能够在晶片W的上方沿箭头M3移动。
第一干燥液喷嘴43以能够像斜下方排出干燥液的方式安装在第一喷嘴臂46。详细来讲，从正上方观看第一干燥液喷嘴43时，从第一干燥液喷嘴43向沿着晶片W的旋转方向(图3的箭头R)的方向(图3的箭头D1)排出干燥液。通过这样设置第一干燥液喷嘴43，能够抑制在从第一干燥液喷嘴43排出的干燥液与晶片W的表面碰撞时发生液飞溅。
第二干燥液喷嘴44以能够像斜下方排出干燥液的方式安装在第二喷嘴臂47。详细来讲，从正上方观看第二干燥液喷嘴44时，从第二干燥液喷嘴44向沿着晶片W的旋转方向(图3的箭头R)的方向(图3的箭头D2)排出干燥液。通过这样设置第二干燥液喷嘴44，能够抑制在从第二干燥液喷嘴44排出的干燥液与晶片W的IPA的液膜(从第一干燥液喷嘴43排出的IPA形成的)碰撞时发生液飞溅。
药液喷嘴41和清洗液喷嘴42以能够在与第一干燥液喷嘴43相同的方向排出液体的方式安装在第一喷嘴臂46。药液喷嘴41和清洗液喷嘴42以能够向铅垂方向下方排出液体的方式安装在第一喷嘴臂46。
气体喷嘴45以能够像斜下方排出干燥液的方式安装在第三喷嘴臂48。详细来讲，从正上方观看气体喷嘴45时，从气体喷嘴45向沿着晶片W的半径方向的方向(图3的箭头D2)排出干燥气体。通过这样设置气体喷嘴45，能够使形成在晶片W的中央干燥区域高效地扩展。
药液喷嘴41与药液供给机构71连接，清洗液喷嘴42与清洗液供给机构72连接，第一干燥液喷嘴43与第一干燥液供给机构73连接，第二干燥液喷嘴44与第二干燥液供给机构74连接，气体喷嘴45与气体供给机构75连接。详细的图示省略，但是，各供给机构(71～75)包括：处理流体(药液、清洗液、干燥液、干燥气体)的供给源(罐、工厂设备等)；将各供给源和与其对应的喷嘴(41～45)连接的管路；设置在各管路的开闭阀和流量调整阀等的流量控制装置，从而能够按控制的流量对各喷嘴(41～45)供给处理流体。
在本实施方式中作为干燥液使用的IPA，与构成清洗液的DIW具有混和性，所以能够容易置换DIW，且由于挥发性比DIW高，所以能够容易进行干燥，因此优选作为干燥液来使用。并且，IPA与DIW相比表面张力低，因此能够抑制高纵横比的微细图案的倒塌。干燥液不限于IPA，也能够将具有上述的特征的其他的有机溶剂例如HFO(氢氟烯烃)、HFE(氢氟醚)用作干燥液。
在本实施方式中作为干燥气体使用的氮气为低氧气浓度且低湿度，能够有效地防止在晶片表面产生水印等的缺陷。作为干燥气体，也能够使用其他的不活泼气体例如氩气气体。
接着，对上述的基片液处理装置的动作进行说明。此外，下述的动作，通过执行记录在控制装置4的存储部19中的程序，由控制部18产生的控制信号来控制。
首先，打开设置在腔室20的一侧壁上的遮挡板23(图3)，保持于未图示的输送臂(图1的基片输送装置17的臂)上的晶片W通过送入送出口24被送入到腔室20内。接着，晶片W从输送臂被交接到基片保持机构30的保持部31(图3中其一部分在晶片W的周围能看见)，由保持部31保持为水平。
[药液处理步骤]
接着，通过第一喷嘴臂46，药液喷嘴41移动到晶片W的中心部的正上方的位置。另外，通过基片保持机构30的驱动部33，保持晶片W的保持部31进行旋转驱动，由此，晶片W绕铅垂轴线进行旋转。在该状态下，通过药液供给机构71供给到药液喷嘴41的DHF从药液喷嘴41被供给到晶片W的表面的中心部。供给的DHF因离心力而在晶片W的表面向周缘部扩展并流动，由此，在对晶片W的表面形成有DHF的液膜的状态下，对晶片W实施药液处理。晶片W在直到后述的干燥步骤结束为止的期间持续旋转。
[冲洗处理步骤]
在药液处理进行规定时间后，停止来自药液喷嘴41的DHF液的供给，与此大致同时，从清洗液供给机构72供给到清洗液喷嘴42的DIW被从清洗液喷嘴42供给到晶片W的表面的中心部。供给的DIW因离心力而在晶片W的表面向周缘部扩展并流动，由此，在对晶片W的表面形成有DIW的液膜的状态下，对晶片W实施冲洗处理。
[干燥步骤]
接着，说明干燥步骤。此外，为了今后的说明的方便，如图4所示，将从第一和第二干燥液喷嘴43、44排出的IPA向晶片W表面的着液点P1、P2(这实质上与上述喷嘴的排出口的轴线和晶片W表面的交点一致)的位置，或者从这些着液点P1、P2至晶片W的旋转中心O的距离R1、R2用作表示第一和第二干燥液喷嘴43、44的位置的指标。另外，将从气体喷嘴45排出的气体的主流部分所碰撞的晶片W的表面上的位置即气体碰撞点Pg(这实质上与气体喷嘴45的排出口的轴线和晶片W的表面的交点一致)，或者从气体碰撞点Pg至晶片W的旋转中心O的距离Rg用作表示气体喷嘴45的位置的指标。
在药液处理进行规定时间后，停止来自清洗液喷嘴42的DIW液的供给，与此大致同时，从第一干燥液供给机构73供给到第一干燥液喷嘴43的IPA从第一干燥液喷嘴43被供给到晶片W的表面的中心部(此时的距离R1大致为零)。供给的IPA因离心力而在晶片W的表面向周缘部扩展并流动，由此，在晶片W的表面的DIW被置换为IPA，晶片W的表面被IPA的液膜覆盖。
另外，与开始来自第一干燥液喷嘴43的IPA的供给的同时，或者在开始供给后的适当时机，预先从第二干燥液供给机构74对待机在晶片W的上方的供给位置的第二干燥液喷嘴44供给IPA，从第二干燥液喷嘴44将IPA向比晶片W的表面的中心部靠半径方向外侧的位置(P2)排出(此时距离R2>距离R1)。从第二干燥液喷嘴44供给的IPA与在从第一干燥液喷嘴43供给后在晶片W的表面形成液膜的IPA的液流合流。由此，在晶片W的表面中的比来自第二干燥液喷嘴44的IPA的着液点(P2)靠半径方向外侧的区域形成更厚的IPA的液膜。
处于晶片W的表面的DIW被置换为IPA，在晶片W的表面被IPA的液膜覆盖后，使第一干燥液喷嘴43移动，使来自第一干燥液喷嘴43的干燥液的着液点(P1)不断向半径方向外侧移动。第一干燥液喷嘴43开始移动而使着液点(P1)离开晶片的中心(旋转中心)O后，使气体喷嘴45移动到晶片的中心部的正上方的附近，从气体喷嘴45向晶片W的中心部排出氮气(此时距离R1>距离Rg)。由此，在晶片W的表面的中心部形成圆形的中央干燥区域DC。中央干燥区域DC即使在不从气体喷嘴45向晶片W的中心部排出氮气的情况下也会因作用于IPA的离心力而形成，因此，也可以在形成中央干燥区域后从气体喷嘴45对晶片W表面的中央干燥区域DC内供给氮气。
以下，在本说明书中，将中央干燥区域DC(IPA已经被除去了的干燥区域)与其外侧的存在有IPA液膜的区域之间的边界称为“干燥界面”，该干燥界面在图4中用参照附图标记B表示。
在形成中央干燥区域DC后，使第一干燥液喷嘴43和气体喷嘴45向半径方向外侧移动，由此，中央干燥区域呈同心圆状向半径方向外侧扩展，最终使晶片W的表面的整个区域干燥。优选使气体喷嘴45移动，使得来自气体喷嘴45的气体的气体碰撞点Pg的位置存在于比干燥界面B稍靠半径方向内侧的位置。此外，能够以距离R1－距离Rg的值为一定的方式使第一干燥液喷嘴43和气体喷嘴45向半径方向外侧不断移动。
在使第一干燥液喷嘴43和气体喷嘴45向半径方向外侧不断移动的同时，使第二干燥液喷嘴44也向半径方向外侧不断移动。此时，在直到气体喷嘴45到达晶片W的周缘的正上方为止的期间(即，直到Rg与晶片W的半径相等为止的期间)，维持距离R2>距离R1>距离Rg的关系。此外，此时可以将距离R2－距离R1的值维持为一定地使第一干燥液喷嘴43和第二干燥液喷嘴44向半径方向外侧移动。
接着，详细说明在使中央干燥区域不断扩展时的第一干燥液喷嘴43、第二干燥液喷嘴44和气体喷嘴45的作用。
图5表示干燥界面B附近的状况。图5的左侧为形成有中央干燥区域DC的晶片W的中心侧，右侧为晶片W的周缘侧。区域I的IPA的液膜变得非常薄，该区域I中的IPA的薄膜能够看作边界层，IPA因其粘性而被晶片W拽着，所以相对于晶片W的相对速度非常低。因此，处于区域I的IPA不因离心力而向外侧移动，通过蒸发而消失。另一方面，在区域II中，液膜的厚度比较大，因此，处于区域II的液膜的上部的IPA因离心力而相对于晶片W以比较高的速度向周缘侧移动，处于区域II的液膜的下部的IPA在下一时刻成为区域I。如上述方式，在区域I内形成晶片W的表面的薄膜的IPA以相对于晶片W表面的相对速度非常低的状态进行蒸发，因此，伴随IPA的蒸发产生的干燥不良(IPA残渣的产生、不均匀干燥)，在区域I内产生。根据本发明的发明者的研究可知，为了防止这样的干燥不良，优选使区域I内的IPA薄膜的膜厚均匀化并且增大蒸发速度。
为了使区域I内的IPA薄膜的膜厚均匀化并且增大蒸发速度，减小从第一干燥液喷嘴43排出的IPA的流量，将该IPA的温度提高到不足沸点的例如大约70℃。当增大从第一干燥液喷嘴43排出的IPA的流量时，干燥界面B附近的IPA的液膜的膜厚变得不均匀，容易产生干燥不均，因此，优选IPA的流量在不阻碍液膜的形成的范围内尽可能减小。另外，当提高IPA的温度时，IPA的蒸发速度不仅变快，IPA的表面张力也会降低，所以从抑制图案崩塌的观点出发是优选的。
为了提高从第一干燥液喷嘴43排出的IPA的温度，能够在第一干燥液供给机构73设置IPA的加热机构。作为加热机构，例如可以为设置在作为IPA供给源的罐中的加热器，或者设置在IPA管路中的管路内加热器等。加热机构没有图示。
另一方面，当减小从第一干燥液喷嘴43排出的IPA的流量或提高温度时，有可能在比来自第一干燥液喷嘴43的IPA的着液点P1靠半径方向外侧的整个区域无法维持IPA的液膜。即，IPA的液膜在晶片W的周缘部崩塌，晶片W的表面露出，有可能产生干燥缺陷。
对此，在本实施方式中，第二干燥液喷嘴44向比来自第一干燥液喷嘴43的IPA在晶片上的着液点P1靠半径方向外侧的着液点P2供给IPA。由此，增厚比着液点P2靠半径方向外侧的区域(比虚线的圆靠外侧的区域)中的IPA的液膜，防止IPA的液膜在晶片W的周缘部崩坏。因此，来自第一干燥液喷嘴43的IPA的供给，只要能够防止在从着液点P1至着液点P2的环状的区域(从干燥界面B至虚线的圆的环状区域)内IPA的液膜崩坏，则能够在任意的条件下进行。即，能够将从第一干燥液喷嘴43供给的IPA的流量和温度设定为适合使区域I内的IPA薄膜的膜厚最佳化和均匀化的值。
从第二干燥液喷嘴44供给的IPA的温度优选比从第一干燥液喷嘴43供给的IPA的温度低(例如为常温)。由此，降低比来自第二干燥液喷嘴44的IPA的着液点P2靠半径方向外侧的区域中的IPA的温度，能够抑制IPA的蒸发。因此，能够更可靠地防止IPA的液膜在晶片W的周缘部崩坏。另外，也能够减小从第二干燥液喷嘴44供给的IPA的流量，能够实现IPA的使用量的削减。
在优选的一实施方式中，从第一干燥液喷嘴43供给的IPA相对为高温且小流量，从第二干燥液喷嘴44供给的IPA相对为低温且大流量。通过实验，将从第一干燥液喷嘴43供给的IPA的流量和温度确定为能够在区域I内进行适合的干燥的值，接着，在从第一干燥液喷嘴43供给的IPA的流量和温度的条件下，通过实验，确定从第二干燥液喷嘴44供给的IPA的流量和温度，使得IPA的液膜不会在晶片W的周缘部崩坏。
从第一干燥液喷嘴43供给的IPA的流量优选随着该IPA的供给位置(着液点P1)接近晶片W的周缘部而增加。上述区域I是环状的区域，随着接近周缘部，区域I的面积增大。因此，为了使每单位面积的IPA的供给量一致，可以增加IPA的供给量。
根据上述实施方式，为了供给干燥液(IPA)而设置两个干燥液喷嘴(第一干燥液喷嘴43和第二干燥液喷嘴44)，在晶片W上，使从晶片W的旋转中心O至来自第二干燥液喷嘴44的干燥液的着液点P2(供给位置)的距离R2，大于从晶片W的旋转中心O至来自第一干燥液喷嘴43的干燥液的着液点P1(供给位置)的距离R1。通过从第二干燥液喷嘴44以适当的条件供给干燥液，能够防止液膜在晶片W周缘部崩坏，因此，能够仅需考虑最佳的干燥界面的形成来确定来自第一干燥液喷嘴43的干燥液的供给条件。因此，能够容易防止干燥缺陷的产生。
第一干燥液喷嘴43的移动速度可以为一定，也可以与第一干燥液喷嘴43的半径方向上的位置(或者距离R1)相应地变化。第二干燥液喷嘴44的移动速度可以为一定，也可以与第二干燥液喷嘴44的半径方向上的位置(或者距离R2)相应地变化。从第二干燥液喷嘴44供给的IPA的流量可以为一定，也可以与第二干燥液喷嘴44的半径方向上的位置(或者距离R2)相应地变化。气体喷嘴45的移动速度可以为一定，也可以与气体喷嘴45的半径方向上的位置(或者距离Rg)相应地变化。从气体喷嘴45供给的氮气的流量可以为一定，也可以与气体喷嘴45的半径方向上的位置(或者距离Rg)相应地变化。第一干燥液喷嘴43、第二干燥液喷嘴44和气体喷嘴45的位置关系(例如值R2-R1、值R1-Rg等)可以为一定，也可以变化。
在上述实施方式中，从第一干燥液喷嘴43供给的干燥液(第一干燥液)和从第二干燥液喷嘴44供给的干燥液(第二干燥液)都是IPA，但是，不限于此，第一干燥液与第二干燥液可以不同。在该情况下，HFO和HFE由于比IPA低粘度且低表面张力，因此为了防止图案崩坏，可以作为第一干燥液使用。另一方面，由于HFO和HFE比IPA昂贵，因此作为仅用于液膜维持而供给的第二干燥液，可以使用IPA。
此外，中央干燥区域DC即使不进行来自气体喷嘴45的氮气的排出，也可以通过作用于IPA的离心力和IPA的自然干燥而产生。另外，中央干燥区域DC即使不通过从气体喷嘴45排出的氮气来不断推展IPA的液膜，而仅通过作用于IPA的液膜的离心力也能够扩展。因此，可以不进行氮气的供给，在该情况下，能够省略气体喷嘴45。但是，从促进中央干燥区域的形成和促进中央干燥区域的扩展的观点出发，优选进行氮气的供给。
另外，被处理基片不限于半导体晶片W，也可以为玻璃基片、陶瓷基片等的其他种类的基片。

Claims (13)

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
使用处理液来处理基片的处理步骤；和
干燥步骤，对旋转的所述基片供给挥发性比所述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使所述第一干燥液的所述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使所述基片干燥，
所述干燥步骤包括一边将所述第一干燥液供给到所述基片，一边将挥发性比所述处理液高的第二干燥液供给到所述基片的步骤，此时的所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第二干燥液的供给位置的距离，大于从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一干燥液与所述第二干燥液是具有相同成分的液体。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一干燥液和所述第二干燥液是异丙醇(IPA)。
4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一干燥液与所述第二干燥液是具有不同成分的液体。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时的所述第一干燥液的温度比所述第二干燥液的温度高。
6.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时的所述第二干燥液的流量比所述第一干燥液的流量大。
7.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一干燥液的流量随着所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离的增大而增大。
8.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时，所述第一干燥液的温度比所述第二干燥液的温度高，所述第二干燥液的流量比所述第一干燥液的流量大。
9.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述干燥步骤还包括向基片的所述干燥区域供给干燥气体的步骤。
10.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：
使所述干燥气体的供给位置不断移动，以使得向所述干燥区域与其外侧的非干燥区域之间的界面附近供给所述干燥气体。
11.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
用于将基片水平保持的基片保持部；
用于使所述基片保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；
对保持于所述基片保持部的基片的表面供给处理液的处理液喷嘴；
供给用于使所述基片干燥的第一干燥液的第一干燥液喷嘴；
供给用于使所述基片干燥的第二干燥液的第二干燥液喷嘴；
对所述处理液喷嘴供给所述处理液的处理液供给机构；
对所述第一干燥液喷嘴供给所述第一干燥液的第一干燥液供给机构；
对所述第二干燥液喷嘴供给所述第二干燥液的第二干燥液供给机构；
使所述处理液喷嘴、所述第一干燥液喷嘴和所述第二干燥液喷嘴在水平方向移动的喷嘴移动机构；和
控制部，其控制所述处理液供给机构、所述第一干燥液供给机构、所述第二干燥液供给机构和所述喷嘴移动机构，来实施权利要求1至7中任一项所述的基片处理方法。
12.如权利要求11所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
供给用于使所述基片干燥的干燥气体的气体喷嘴；和
对所述气体喷嘴供给所述干燥气体的干燥气体供给机构，
所述控制部实施权利要求9所述的基片处理方法。
13.一种存储介质，其特征在于：
记录有程序，在该程序由用于控制基片处理装置的动作的计算机执行时，所述计算机控制所述基片处理装置来实施权利要求1至10中任一项所述的基片处理方法。
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