CN107527839A - 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质。其中，对液体承接杯的杯体的突出部均匀地进行清洗。使第1杯体(51)和第2杯体(52)中任一者升降而使两者设为接近的状态。此时，在第1突出部(5102)的下表面形成的间隙形成部(5106)与第2突出部(5202)的上表面之间的第1间隙(G1)比第1突出部的没有间隙形成部的部分与第2突出部的上表面之间的第2间隙(G2)小。在该状态下，向第2间隙供给清洗液。欲沿着半径方向朝外流动的清洗液的运动被较窄的第1间隙限制，因此，第1突出部与第2突出部之间的空间的整个区域能够由清洗液充满，能够对清洗对象面均匀地进行清洗。

Description

基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质，具体而言涉及在基板处理装置中承接从旋转的基板飞散的处理液的杯体的清洗技术。
背景技术
在半导体制造装置的制造中，向旋转的半导体晶圆等基板的表面供给化学溶液等处理液而对基板实施液处理。在供给到旋转的基板之后由于离心力而从基板飞散的处理液被配置到基板的周围的液体承接杯接住。通常，液体承接杯由可相对地上下运动的多个杯体构成。各杯体具有大致圆筒形的圆筒部和从圆筒部的上端向半径方向内侧突出的倾斜的突出部。
从基板以雾或液滴的形态飞散的化学溶液易于停留于突出部表面。若停留到突出部表面的化学溶液或化学溶液中所含有的反应生成物在突出部固化之后剥离，则成为微粒向基板附着的原因。因此，杯体特别是其突出部被定期地清洗。
由专利文献1、2等公知有对包括杯体的突出部在内的基板的周围的构件进行清洗的方法。向由基板保持部保持而旋转的清洗用工具供给清洗液，由于离心力，清洗液从清洗用工具飞散。在清洗用工具设置有引导清洗液的飞散的引导面(例如倾斜面)。通过对清洗用工具的旋转速度、清洗液的供给流量等进行调节，能够以各种高度或角度使清洗液飞散。
然而，在上述的现有技术中，在对液体承接杯的杯体的突出部均匀地清洗这一点存在改善的余地。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-315671号公报
专利文献2：日本特开2014-130935号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种能够对液体承接杯的杯体的突出部均匀地进行清洗的技术。
用于解决问题的方案
根据本发明的一技术方案，可提供一种基板处理装置，其具备：基板保持部，其水平地保持基板；处理液喷嘴，其向由所述基板保持部保持着的所述基板供给处理液；液体承接杯，其设于所述基板保持部的周围，并且具有承接从所述基板飞散的所述处理液的第1杯体和第2杯体，其中，所述第1杯体具有第1筒状部和从所述第1筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第1突出部，所述第2杯体具有第2筒状部和从所述第2筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第2突出部，所述第1筒状部位于所述第2筒状部的半径方向外侧，所述第1突出部位于所述第2突出部的上方，所述第2突出部的上表面以随着向半径方向内侧去而变高的方式倾斜；升降机构，其使所述第1杯体和所述第2杯体中的至少一者沿着铅垂方向移动，以能够采取所述第1突出部和所述第2突出部分开的第1状态以及所述第1突出部和所述第2突出部比所述第1状态接近的第2状态，在处于所述第2状态时，在所述第1突出部的下表面与所述第2突出部的上表面之间形成有第1间隙，并且，在所述第1突出部的下表面的比所述第1间隙靠半径方向内侧的部分与所述第2突出部的上表面之间形成有第2间隙，所述第1间隙比所述第2间隙窄，该基板处理装置具备向所述第2间隙供给清洗液的清洗液喷嘴。
根据本发明的另一实施方式，可提供一种基板处理装置的清洗方法，其对基板处理装置进行清洗，该基板处理装置具备：基板保持部，其水平地保持基板；处理液喷嘴，其向由所述基板保持部保持着的所述基板供给处理液；液体承接杯，其设于所述基板保持部的周围，并且具有承接从所述基板飞散的所述处理液的第1杯体和第2杯体，其中，所述第1杯体具有第1筒状部和从所述第1筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第1突出部，所述第2杯体具有第2筒状部和从所述第2筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第2突出部，所述第1筒状部位于所述第2筒状部的半径方向外侧，所述第1突出部位于所述第2突出部的上方，所述第2突出部的上表面以随着向半径方向内侧去而变高的方式倾斜；升降机构，其使所述第1杯体和所述第2杯体中的至少一者沿着铅垂方向移动，以便能够采取所述第1突出部和所述第2突出部分开的第1状态以及所述第1突出部和所述第2突出部比所述第1状态接近的第2状态，在处于所述第2状态时，在所述第1突出部的下表面与所述第2突出部的上表面之间形成有第1间隙，并且，在所述第1突出部的下表面的比所述第1间隙靠半径方向内侧的部分与所述第2突出部的上表面之间形成有第2间隙，所述第1间隙比所述第2间隙窄，该基板处理装置具备向所述第2间隙供给清洗液的清洗液喷嘴，其中，该基板处理装置的清洗方法具备如下工序：通过使所述第1杯体和所述第2杯体中的至少一者沿着铅垂方向移动来确定所述第2状态的工序；从所述清洗液喷嘴向所述第2间隙供给清洗液的工序。
根据本发明的另一实施方式，可提供一种存储介质，在该存储介质记录有程序，在由用于对基板处理装置的动作进行控制的计算机执行该程序之时，所述计算机对所述基板处理装置进行控制而使所述基板处理装置执行上述的基板处理装置的清洗方法。
发明的效果
根据上述本发明的实施方式，能够对液体承接杯的杯体的突出部均匀地进行清洗。
附图说明
图1是概略地表示本发明的基板处理装置的一实施方式的基板处理系统的整体结构的俯视图。
图2是概略地表示图1的基板处理系统所包含的处理单元的结构的纵断面图。
图3是将图2的区域III放大而详细地表示的纵剖视图。
图4是沿着图3中的IV-IV线剖切第1杯体而得到的剖视图(这也是第1杯体的突出部的仰视图)，没有示出第2杯体和第3杯体。
图5是表示在第1突出部与第2突出部之间充满了清洗液的状态的剖视图。
图6是表示第1突出部和第2突出部的顶端部的另一形状的剖视图。
图7是表示第1突出部和第2突出部的顶端部的又一形状的剖视图。
图8是表示第1突出部和第2突出部的另一实施方式的剖视图。
附图标记说明
W、基板；31、基板保持部；33、旋转驱动部；41、42、43、处理液喷嘴；50、液体承接杯；51、第1杯体；5101、第1筒状部；5102、第1突出部；5103、第1突出部的下表面；5106、间隙形成部；5107、半径方向外侧区域；5108、半径方向内侧区域；5109、径向槽；5110、圆周槽；52、第2杯体；5201、第2筒状部；5202、第2突出部；5205、第2突出部的上表面；52A、升降机构；5501、清洗液喷嘴；G1、第1间隙；G2、第2间隙。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。可在承载件载置部11上载置多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。
输送部2与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。
输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。
处理单元16用于对由基板输送装置17输送过来的晶圆W进行预先设定的基板处理。
另外，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，其包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
在如所述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其输入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到载置部11的承载件C。
接下来，参照图2对处理单元16的结构进行说明。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40、以及液体承接杯50。
腔室20收纳基板保持机构30、处理流体供给部40以及液体承接杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(风机过滤单元，Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具备基板保持部31、旋转轴32、以及旋转驱动部33。基板保持部31水平地保持晶圆W，旋转驱动部33借助旋转轴32使晶圆W绕铅垂轴线旋转。
处理流体供给部40向晶圆W供给处理流体(处理液、处理气体等)。处理流体供给部40具备朝向被保持于基板保持部31而旋转的晶圆W喷出(供给)处理液的多个处理液喷嘴41、42、43。酸性清洗液(例如DHF(稀氢氟酸))和DIW(脱离子水，也就是说纯水)中任一者从例如处理液喷嘴41选择性地喷出，碱性清洗液(例如SC-1)和DIW中任一者从处理液喷嘴42选择性地喷出，干燥辅助用的有机溶剂例如IPA(异丙醇)从处理液喷嘴43喷出。从与处理液供给源连接、并且具备设置有开闭阀和流量调整阀等流量调整器的处理液供给路径的未图示的处理液供给机构向各处理液喷嘴41～43供给各处理液。
液体承接杯50具有多个杯体、图示例子中是3个杯体51、52、53，为了切换流路，这3个中的至少1个(图示例子中，是两个)是可动的。详细而言，液体承接杯50具有：不动的环状的第1杯体51，其位于最外侧；可升降的环状的第2杯体52，其位于该第1杯体51的内侧；可升降的环状的第3杯体53，其进一步位于该第2杯体52的内侧；不动的内壁54，其进一步位于第3杯体53的内侧。
如图3所示，第1杯体51具有筒状部5101和从筒状部5101的上端向半径方向内侧突出的环状(圆环状)的突出部5102。第2杯体52具有筒状部5201和从筒状部5201的上端向半径方向内侧突出的环状(圆环状)的突出部5202。第3杯体53具有筒状部5301和从筒状部5301的上端向半径方向内侧突出的环状(圆环状)的突出部5302。突出部5102、5202、5302的上表面以随着向半径方向内侧去而变高的方式倾斜。
此外，在本说明书中，在记载为“半径方向(径向)”和“圆周方向(周向)”的情况下，只要没有特别声明，是指以形成为整体上呈大致旋转体(几何学用语中的旋转体)的液体承接杯的中心轴线(这与基板保持部31的旋转中心轴线相同)为中心的半径(或直径)方向和圆周的方向。
第2杯体52和第3杯体53利用图2所概略地表示的各升降机构52A、53A升降。在图2的左侧示出了均位于上升位置的第2杯体52和第3杯体53，在图2的右侧示出了均位于下降位置的第2杯体52和第3杯体53。第1杯体51～第3杯体53和内壁54不旋转。在第1杯体51与第2杯体52之间形成有第1流路511，在第2杯体52与第3杯体53之间形成有第2流路521，在第3杯体53与内壁54之间形成有第3流路531。
在液体承接杯50的底部形成有与第1流路511、第2流路521和第3流路531连通的杯排气口55。在杯排气口55连接有杯排气路径56。在杯排气路径56上设置有蝶阀57，通过对蝶阀57的开度进行调整，能够对经由杯排气路径56的来自液体承接杯50的排气流量进行调整。
在第1流路511、第2流路521和第3流路531各自的中途设置有弯曲部，通过在弯曲部急剧地改变朝向，液体成分被从在各流路中流动的气液混合流体分离。分离开的液体成分向与第1流路511相对应的液体承接件512、与第2流路521相对应的液体承接件522、以及与第3流路531相对应的液体承接件532内落下。液体承接件512、522、532分别经由所对应的排液口513、523、533与工厂的酸性液体排液系统、碱性液体排液系统、有机系排液系统(均未图示)连接。
通过使第1杯体51和第2杯体52沿着铅垂方向相对地移动，第1杯体51和第2杯体52能够采取各自的突出部5102、5202彼此分开的第1状态和各自的突出部5102、5202比第1状态接近的第2状态。另外，通过使第2杯体52和第3杯体53沿着铅垂方向相对地移动，第2杯体52和第3杯体53能够采取各自的突出部5202、5302彼此分开的第3状态和各自的突出部5202、5302比第3状态接近的第4状态。
在突出部5102的下表面5103的顶端部(内周端部)形成有朝下的突起5104，在突出部5202的下表面5203的顶端部(内周端部)形成有朝下的突起5204，在突出部5302的下表面5303的顶端部(内周端部)形成有朝下的突起5304，在第1杯体51和第2杯体52处于第2状态时，第1杯体51的突起5104与第2杯体52的上表面5205的顶端部(内周端部)接触，第1杯体51与第2杯体52之间的第1流路511被封闭。另外，在第2杯体52和第3杯体53处于第4状态时，第2杯体52的突起5204与第3杯体53的上表面5305的顶端部(内周端部)接触，第2杯体52与第3杯体53之间的第2流路521被封闭。
若使第3杯体53位于下降位置，则第3杯体53的突起5304与设于内壁54的周向突起的形态的支承面5405接触，第3杯体53与内壁54之间的第3流路531被封闭。
在第1杯体51和第2杯体52沿着上下方向重叠的环状(圆环状)区域(其中，除了设置有突起5104的区域之外)内，从第1杯体51的筒状部5101的内周面朝向半径方向内侧延伸的环状(圆环状)的间隙形成部5106(向下方突出的部分)设于突出部5102的下表面5103。如图3所示，在第1杯体51和第2杯体52处于第2状态下的间隙形成部5106在突出部5102的整周上沿着圆周方向连续地设置。间隙形成部5106的下表面与突出部5202的上表面之间的间隙G1比第1杯体51的突出部5102中的没有设置间隙形成部5106的部分(比间隙形成部5106靠半径方向内侧)的下表面与突出部5202的上表面之间的间隙G2窄。
优选的是，间隙G1的大小设为大到清洗液能够向间隙G1的整个区域扩散的程度，然而，小到清洗液不容易地从间隙G1流出的程度，例如是0.1mm～0.5mm左右。
此外，在上述的说明中，在第1杯体51的突出部5012的下表面5103设置有两个环状的突起5104和间隙形成部5106，但该结构也能够视作在下表面5103的与间隙G2相对应的部分设置有环状的宽幅的槽。
在第2杯体52的突出部5202设置有喷出清洗液例如DIW的多个、在图示例子中是4个(并不限定于该数的)清洗液喷嘴5501。多个例如4个清洗液喷嘴5501沿着圆周方向隔开等间隔地设于例如相同的半径方向位置。各清洗液喷嘴5501能够由埋入到例如贯穿突出部5102的贯通孔的管状构件形成。经由设置有图3中概略地表示的开闭阀5502的清洗液管线5503从清洗液供给源5504向各清洗液喷嘴5501供给清洗液。
在间隙形成部5106的下表面形成有用于将从清洗液喷嘴5501供给来的清洗液向间隙G2引导的多个径向槽5109。径向槽5109的槽底面(槽的上端面)与同其相对的突出部5202的上表面之间的间隙比间隙G1宽。径向槽5109朝向半径方向内侧延伸并与间隙G2连通。径向槽5109设置有与清洗液喷嘴5510的数量相同的数量。清洗液喷嘴5501在与径向槽5109相对的位置设于突出部5202，朝向径向槽5109供给清洗液。径向槽5109无需严密地沿着径向延伸，也可以相对于径向呈角度地延伸。
优选各清洗液喷嘴5501位于所对应的径向槽5109的半径方向外侧端部的正下方。在该情况下，在图4中，清洗液喷嘴5501位于径向槽5109的半径方向外侧端部5109N(仅图示了一部位)的正下方。不过，各清洗液喷嘴5501也可以位于比所对应的径向槽5109的半径方向外侧端部靠半径方向内侧的位置。此外，在图4中，从外侧起第3个由虚线表示的圆与第2杯体52的筒状部5201的外周面的轮廓相对应。
在比各清洗液喷嘴5501的正上方的位置靠半径方向内侧的位置，在间隙形成部5106形成有沿着圆周方向延伸的圆周槽5110。圆周槽5110与全部的径向槽5109交叉并与全部的径向槽5109连通。圆周槽5110起到使从清洗液喷嘴5501喷出来的清洗液沿着圆周方向扩散的作用。也可以是，在半径方向外侧区域5107内，在间隙形成部5106呈同心圆状形成有多个圆周槽5110。
第2杯体52的突出部5202的下表面和第3杯体53的突出部5302的上表面分别与第1杯体51的突出部5102的下表面和第2杯体52的突出部5202的上表面同样地构成，省略重复说明。此外，标注于被设于第2杯体52的突出部5202的下表面5203的构成要素的附图标记仅百位与标注于被设于第1杯体51的突出部5102的下表面5103的构成要素的附图标记不同(“1”和“2”)。同样地，标注于被设于第3杯体53的突出部5302的上表面5305的构成要素的附图标记仅百位与标注于被设于第2杯体52的突出部5202的上表面5205的构成要素的附图标记不同(“2”和“3”)。在第3杯体53的突出部5302也以与第2杯体52的突出部5202的形态同样的形态设置有清洗液喷嘴5501。
在腔室20(处理单元16的外壳)的下部且在液体承接杯50的外部设置有用于对腔室20内的气氛气体进行排气的腔室排气口62。在腔室排气口62连接有腔室排气路径64。在腔室排气路径64设置有蝶阀66。
腔室排气路径64与杯排气路径56汇合。在杯排气路径56设置有切换阀80。根据切换阀80的切换状态，从杯排气路径56排出的气体向酸性气体排气管线81、碱性气体排气管线82和有机气体排气管线83中的任一个排出。各排气管线81～83成为负压，因此，根据切替阀80的切换状态，液体承接杯50的内部空间和腔室20的内部空间被抽吸。
接着，简单地说明在控制装置4的控制下自动地进行的处理单元16的动作。
晶圆W由基板保持机构保持而旋转。按照预先确定好的处理制程将不同的种类的处理液从处理液喷嘴41～43中的任一个向旋转的晶圆W供给。根据向晶圆W供给的处理液的种类来切换第2杯体52和第3杯体53的上下方向位置、以及切换阀80的状态。
在进行酸性化学溶液清洗处理的情况下，使第2杯体52和第3杯体53这两者位于下降位置(图1的右侧所示的位置)，打开第1杯体51与第2杯体52之间的第1流路511。此时，在从处理液喷嘴41供给之后从旋转的晶圆W飞散的酸性化学溶液向第1流路511流入。另外，此时，从FFU21供给而存在于晶圆W的上方的空间的清洁空气向液体承接杯50内流入，经由第1流路511流动，从杯排气口55排出，经由杯排气路径56和切换阀80向酸性气体排气管线81流动。
此时，酸性化学溶液由于与晶圆W的碰撞、或者与第1杯体51等碰撞，一部分成为雾状，该雾随着经由第1流路511流动的气流朝向杯排气口55流动。雾的大部分被设于第1流路511的途中的弯曲部的壁体捕捉，向液体承接件512落下。另外，沿着面对第1流路511的第1杯体51和第2杯体52的表面流下的酸性化学溶液也向液体承接件512落下。落下到液体承接件512的酸性化学溶液经由排液口513从液体承接杯50内排出。
另外，存在于腔室20的内部空间的液体承接杯50的周边的空间的气体从腔室排气口62排出，经由腔室排气路径64和切换阀80向酸性气体排气管线81流动。
在进行碱性化学溶液清洗处理的情况下，使第2杯体52位于上升位置，使第3杯体53位于下降位置，使第2杯体52与第3杯体53之间的第2流路521打开。在进行有机溶剂处理的情况下，使第2杯体52和第3杯体53这两者位于上升位置，打开第3杯体53与内壁54之间的第3流路531。在从喷嘴41～43供给DIW的情况下，使第2杯体52和第3杯体53位于与在即将供给DIW之前所供给的处理液的供给时相同的位置。第2流路521和第3流路531内的处理液的流动的形态与第1流路511内的处理液的流动的形态相同，因此省略重复的说明。
如前所述，在雾状的处理液经由第1流路511流动时，处理液的大半流下到所对应的排液口513，但一部分附着于构成第1流路511的第1杯体51和第2杯体52的壁面而停留于该壁面上。尤其是，对于第1杯体51的突出部5102的下表面5103、第2杯体52的突出部5202的上表面5205，特别是存在处理液停留于表面的倾向。处理液也含有反应生成物。该处理液干燥而固形物堆积于下表面5103或上表面5205，若之后剥离，则能够成为微粒产生的主要原因。因此，下表面5103和上表面5205被定期地清洗。进行“定期的”清洗的时间点既可以是在前次清洗后对预先确定好的张数(1张或多张)晶圆W进行了处理的时间点，也可以从前次清洗经过了预先确定好的时间的时间点。
以下，对下表面5103和上表面5205的清洗方法进行说明。首先，使第2杯体52上升而设为第2杯体52的突出部5202与第1杯体51的突出部5102接近的第2状态。
接着，从清洗液喷嘴5501喷出清洗液。从各清洗液喷嘴5501喷出来的清洗液经由所对应的径向槽5109向第1杯体51的突出部5102与第2杯体52的突出部5202之间的比较宽的间隙G2流入。流入到间隙G2的清洗液在间隙G2内沿着周向扩散开来。此时，从清洗液喷嘴5501喷出的清洗液的流量比经由间隙G1向筒状部5101与筒状部5201之间的间隙流出的清洗液的流量多。因此，能够在整周上利用清洗液充满间隙G2。此时，第1杯体51的突起5104与第2杯体52的上表面5205接触，因此，清洗液几乎不会从突起5104的下表面与突出部5202的上表面5205之间漏出。因此，能够均匀地利用清洗液充满间隙G2内的周向整个区域。
第1杯体51的突起5104也可以不与第2杯体52的上表面5205接触。在该情况下，从清洗液喷嘴5501喷出的清洗液的流量比经由间隙G1向筒状部5101与筒状部5201之间的间隙流出的清洗液的流量和从第1杯体51的突起5104与第2杯体52的上表面5205之间的间隙流出的清洗液的流量的合计多即可。
在径向槽5109内流动的清洗液也向圆周槽5110流入而沿着周向扩散开来。若间隙G2、径向槽5109和圆周槽5110被清洗液充满，则也进行清洗液向间隙G1的扩散。最终，第1杯体51的突出部5102与第2杯体52的突出部5202之间的空间的整个区域(也就是说，间隙G1+G2)被清洗液充满。该状态表示在图5中，清洗液存在于涂满点的区域。附着到突出部5102的下表面5103和突出部5202的上表面5205的化学溶液和反应生成物等附着物溶入该清洗液。溶入到清洗液的附着物与清洗液一起向筒状部5101与筒状部5201之间的间隙排出。这样一来，能够均匀地对突出部5102的下表面5103进行清洗。而且，也能够同时对突出部5202的上表面5205进行清洗。
之后，使第2杯体52下降而设为第2杯体52的突出部5202与第1杯体51的突出部5102分开的第1状态。由此，存在于突出部5102与突出部5202之间的清洗液沿着突出部5202的上表面5205的倾斜朝向半径方向外侧流动，向筒状部5101与筒状部5201之间的间隙落下，最终从液体承接杯50排出。通过以上步骤，清洗结束。
在突出部5102与突出部5202之间的空间的整个区域被清洗液充满之后，既可以在将第1杯体51和第2杯体52设为第1状态之前以预先确定好的时间继续喷出来自清洗液喷嘴5501的清洗液，也可以在充满之后立即将第1杯体51和第2杯体52设为第1状态。
来自清洗液喷嘴5501的清洗液的喷出既可以在将第1杯体51和第2杯体52设为第1状态之前停止，也可以在设为第1状态之后继续预先确定好的时间。
也可以是，根据污染状况的不同，多次交替地反复执行如下工序：将第1杯体51和第2杯体52设为第2状态而使清洗液充满间隙G1和间隙G2的工序；将第1杯体51和第2杯体52设为第1状态而从间隙G1和间隙G2排出清洗液的工序。
在上述的说明中，对第1杯体51的下表面5103和第2杯体52的上表面5205的清洗方法进行了说明，但第2杯体52的下表面5203和第3杯体53的上表面5305的清洗也能够以同样的顺序进行，起到同样的效果。将第2杯体52和第3杯体53设为第1状态/第2状态的操作能够通过使第2杯体52和第3杯体53中的任一者移动来进行。
根据上述的实施方式，清洗液所供给的突出部5102与突出部5202之间的间隙G1比间隙G2窄。因此，在重力的影响下，欲沿着随着朝向半径方向外侧去而倾斜的第2杯体52的突出部5202的上表面5205向半径方向朝外行进的清洗液的运动被大幅度地限制，清洗液能够可靠地充满间隙G2的整个区域。在利用清洗液在整周上充满间隙G2之后，在重力和液压的作用下，比间隙G2窄的间隙G1被充满，因此，能够使清洗液充满间隙G1的整个区域。因此，能够均匀地对第1杯体51的下表面5103进行清洗。而且，也能够同时均匀地对第2杯体52的上表面5205进行清洗。
另外，根据上述的实施方式，在间隙形成部5106设置有径向槽5109，清洗液喷嘴5501将清洗液朝向径向槽供给。经由径向槽5109向较宽的间隙G2优先输送清洗液。由此，依次从较宽的间隙G2的最低的位置朝向较高的位置充满清洗液，能够均匀地利用清洗液充满较宽的间隙G2。因此，能够均匀地且均一地对第1杯体51的下表面5103进行清洗。而且，也能够同时均匀地且均一地对第2杯体52的上表面5205进行清洗。
而且，根据上述的实施方式，在比设置有清洗液喷嘴5501的径向位置靠半径方向内侧的位置设置有圆周槽5110。因此，较窄的间隙G1中的比圆周槽5110靠半径方向外侧的部分能够不仅由在重力的作用下从较宽的间隙G2流下来的清洗液充满，而且由从圆周槽5110流下来的清洗液充满。因此，通过设置圆周槽5110，能够利用清洗液更均匀地且效率良好地充满较窄的隙间G1的整个区域。因此，能够更均匀地且高效地对第1杯体51的下表面5103进行清洗。而且，也能够同时更均匀地且高效地对第2杯体52的上表面5205进行清洗。
在图示的实施方式中，在第1杯体51的突出部5102的顶端部(内周端部)设置有朝下的突起5104，在第2杯体52的突出部5202的顶端部(内周端部)设置有朝下的突起5204，但也可以未必设置有该突起5104、5204。例如，如图6所示，即使没有突起，也以如下方式形成有突出部5102、5202即可：在第1杯体51和第2杯体52处于第2状态时，突出部5102的顶端部与突出部5202的上表面5205接触，且在比接触部靠半径方向外侧的位置形成有前述的间隙G1、G2。可以说在与突出部5202、5302之间关系方面也是相同的。
另外，如图7所示，也可以在突出部5202的上表面5205形成有收纳突出部5102的突起5104的至少下端部的凹部5211。通过这样设置，更加难以产生清洗液从突起5104与上表面5205之间向半径方向内侧的泄漏，液填充效率和清洗效率提高。同样地，虽未图示，但也可以在突出部5302的上表面5305形成收纳突出部5202的突起5204的至少下端部的凹部。
在上述实施方式中，在间隙形成部5106形成有径向槽5109，但也可以没有径向槽5109。在该情况下，如图8所示，清洗液喷出喷嘴5501B在比第1杯体51B的间隙形成部5106B靠半径方向内侧的位置设于第2突出部5202B。在该情况下，也能够在整周上由从清洗液喷出喷嘴5501B供给的清洗液充满第1杯体51B的突出部5102B的下表面的比间隙形成部5106B靠半径方向内侧的部分与第2杯体52B的突出部5202B的上表面之间的间隙G2。另外，也能够在整周上由清洗液充满间隙形成部5106B的下表面与突出部5202B的上表面之间的间隙G1。溶入清洗液的附着物与清洗液一起向筒状部5101B与筒状部5201B之间的间隙排出。这样一来，能够对第1突出部5102B的下表面进行清洗。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其具备：
基板保持部，其水平地保持基板；
处理液喷嘴，其向由所述基板保持部保持着的所述基板供给处理液；
液体承接杯，其设于所述基板保持部的周围，并且具有承接从所述基板飞散的所述处理液的第1杯体和第2杯体，其中，所述第1杯体具有第1筒状部和从所述第1筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第1突出部，所述第2杯体具有第2筒状部和从所述第2筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第2突出部，所述第1筒状部位于所述第2筒状部的半径方向外侧，所述第1突出部位于所述第2突出部的上方，所述第2突出部的上表面以随着向半径方向内侧去而变高的方式倾斜；
升降机构，其使所述第1杯体和所述第2杯体中的至少一者沿着铅垂方向移动，以便能够采取所述第1突出部和所述第2突出部分开的第1状态以及所述第1突出部和所述第2突出部比所述第1状态接近的第2状态，
在处于所述第2状态时，在所述第1突出部的下表面与所述第2突出部的上表面之间形成有第1间隙，并且，在所述第1突出部的下表面的位于比所述第1间隙靠半径方向内侧的部分与所述第2突出部的上表面之间形成有第2间隙，所述第1间隙比所述第2间隙窄，
该基板处理装置具备向所述第2间隙供给清洗液的清洗液喷嘴。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述第1突出部的下表面的与所述第1间隙相对应的部分形成有将从所述清洗液喷嘴供给来的清洗液向所述第2间隙引导的沿着半径方向延伸的径向槽。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述清洗液喷嘴在与所述径向槽相对的位置设于所述第2突出部。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，
在所述第1突出部的下表面的与所述第1间隙相对应的部分形成有与所述径向槽交叉并沿着圆周方向延伸的圆周槽。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
在处于所述第2状态时，所述第1突出部的半径方向内侧端部与所述第2突出部的半径方向内侧端部接触。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
在所述第1突出部的下表面设置有向下方凸起的圆环形状的间隙形成部，由此，所述第1间隙比所述第2间隙窄，所述径向槽和所述圆周槽形成于所述间隙形成部。
7.一种基板处理装置的清洗方法，其对基板处理装置进行清洗，该基板处理装置具备：
基板保持部，其水平地保持基板；
处理液喷嘴，其向由所述基板保持部保持着的所述基板供给处理液；
液体承接杯，其设于所述基板保持部的周围，并且，具有承接从所述基板飞散的所述处理液的第1杯体和第2杯体，其中，所述第1杯体具有第1筒状部和从所述第1筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第1突出部，所述第2杯体具有第2筒状部和从所述第2筒状部的上端部沿着半径方向朝内延伸的第2突出部，所述第1筒状部位于所述第2筒状部的半径方向外侧，所述第1突出部位于所述第2突出部的上方，所述第2突出部的上表面以随着向半径方向内侧去而变高的方式倾斜；
升降机构，其使所述第1杯体和所述第2杯体中的至少一者沿着铅垂方向移动，以便能够采取所述第1突出部和所述第2突出部分开的第1状态以及所述第1突出部和所述第2突出部比所述第1状态接近的第2状态，
在处于所述第2状态时，在所述第1突出部的下表面与所述第2突出部的上表面之间形成有第1间隙，并且，在所述第1突出部的下表面的比所述第1间隙靠半径方向内侧的部分与所述第2突出部的上表面之间形成有第2间隙，所述第1间隙比所述第2间隙窄，
该基板处理装置具备向所述第2间隙供给清洗液的清洗液喷嘴，其中，该基板处理装置的清洗方法具备如下工序：
通过使所述第1杯体和所述第2杯体中的至少一者沿着铅垂方向移动来确定所述第2状态的工序；
从所述清洗液喷嘴向所述第2间隙供给清洗液的工序。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置的清洗方法，其中，
在所述第1突出部的下表面的与所述第1间隙相对应的部分形成有沿着半径方向延伸的径向槽，
在所述供给清洗液的工序中，从所述清洗液喷嘴供给来的清洗液经由所述径向槽向所述第2间隙引导。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置的清洗方法，其中，
多个所述径向槽设于所述第1突出部的下表面，多个所述清洗液喷嘴在与多个所述径向槽分别相对的位置设于所述第2突出部，
在所述供给清洗液的工序中，从多个所述清洗液喷嘴供给来的清洗液分别经由所对应的径向槽而被向所述第2间隙引导。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置的清洗方法，其中，
在所述第1突出部的下表面的与所述第1间隙相对应的部分形成有与所述径向槽交叉并且沿着圆周方向延伸的圆周槽，
在所述供给清洗液的工序中，从所述清洗液喷嘴供给而在所述圆周槽中流动的清洗液向所述圆周槽流入，经由所述圆周槽沿着圆周方向扩散。
11.根据权利要求7所述的基板处理装置的清洗方法，其中，
在确定所述第2状态的工序中，所述第1突出部的半径方向内侧端部与所述第2突出部的半径方向内侧端部接触。
12.一种存储介质，其记录有程序，在由用于对基板处理装置的动作进行控制的计算机执行该程序之时，所述计算机对所述基板处理装置进行控制而使所述基板处理装置执行权利要求7～11中任一项所述的基板处理装置的清洗方法。
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