JP2017108190A - 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 - Google Patents
液処理方法、液処理装置および記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017108190A JP2017108190A JP2017057741A JP2017057741A JP2017108190A JP 2017108190 A JP2017108190 A JP 2017108190A JP 2017057741 A JP2017057741 A JP 2017057741A JP 2017057741 A JP2017057741 A JP 2017057741A JP 2017108190 A JP2017108190 A JP 2017108190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- drying
- drying liquid
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
まず、ウェハWの中心部の真上に薬液ノズル401が位置し、薬液ノズル401からウェハWの表面の中心部にDHFが所定時間にわたって供給される(図4(a)を参照)。
供給されたDHFは遠心力により広がりウェハWの外方に向けて流れる。このとき、ウェハWの表面の全域はDHFの液膜により覆われる。ウェハWの表面に存在する不要な自然酸化膜またはシリコン酸化膜が、DHFにより除去される。
次に、DHFの供給を停止するとともに、ウェハWの中心部の真上にリンスノズル402が位置し、リンスノズル402からウェハWの表面の中心部にDIWが所定時間にわたって供給される(図4(b)を参照)。供給されたDIWは遠心力により広がりウェハWの外方に向けて流れる。このとき、ウェハWの表面の全域はDIWの液膜により覆われる。これによりウェハWの表面上に残存する薬液(DHF)および薬液処理時の反応生成物が、DIWにより洗い流されてウェハW表面から除去される。遅くともこのリンス処理の終了時点において、ウェハWの表面は疎水性になっている。
リンス処理が終了したら、乾燥処理を実行する。この乾燥処理は、乾燥用液体としてのIPAをウェハWに供給してウェハW表面上に残存するDIWをIPAで置換する段階(乾燥用液体供給工程)と、IPAを振り切るかあるいは蒸発させてウェハW上からIPAを除去することによってウェハWを乾燥させる段階(乾燥工程)との2つの段階に大別される。
リンス処理の終期から引き続き説明を行う。リンスノズル402からウェハWに所定時間DIWを供給した後、DIWの供給を停止する。そして、ウェハWの中心部の真上に第1乾燥用液体ノズル403が位置し、第1乾燥用液体ノズル403からウェハWの表面の中心部にIPAが、ウェハWの表面全域にIPAの液膜を形成するのに十分な大流量(第1の流量)で、第1の所定時間にわたって供給される(図4(c)を参照)。供給されたIPAは遠心力により広がりウェハWの外方に向けて流れる。このとき、ウェハWの表面の全域はIPAの液膜により覆われる。これによりウェハWの表面上に残存するDIWが、IPAに置換されてゆく。
また、ノズル(第2乾燥用液体ノズル404)がウェハW半径方向外側に移動しながらIPAを吐出する際に、IPAの吐出流量が小さければ、吐出したIPAがウェハWの表面で跳ね返ることによって生じた液滴がウェハW表面の既に乾燥した部分に再付着することを防止または抑制することができる。なお、ウェハW表面の既に乾燥した部分にIPAが再付着するとパーティクル発生の原因となり得る。
この場合、大径の第1乾燥用液体ノズル403に対応する流量制御弁432の開度を調節することにより、第1乾燥用液体ノズル403から吐出されるIPAの流量を変化させることができる。なお、第2実施形態は、第2乾燥用液体ノズル404およびこれに対応する構成要素440,441,442が廃止されている点を除き第1実施形態と同じであることは図6より明らかであり、第2実施形態において第1実施形態と同じ構成要素の重複説明は省略する。
30 基板保持機構
402,420,421,422 リンス液供給部
403,430,431,432,404,440,441,442 乾燥用液体供給部
402 第1のノズル
403 第2のノズル
18 制御部
30 基板保持機構
402 リンスノズル
402,420,421,422 リンス液供給部
403 乾燥用液体ノズル(第1乾燥用液体ノズル)
403,430,431,432,404,440,441,442 乾燥用液体供給部
40a ノズルアーム
40a,40b ノズル移動機構(ノズルアーム、ガイドレール)
Claims (10)
- 基板を回転させながらリンス液を基板に供給して、前記基板にリンス処理を施すリンス工程と、
前記リンス工程の後に、前記基板を回転させながら、前記リンス液よりも表面張力が低くかつ揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給して、前記基板の上にある前記リンス液を前記乾燥用液体で置換する乾燥用液体供給工程と、
前記基板を回転させながら、前記乾燥用液体供給工程において供給された乾燥用液体を除去する乾燥工程と、を備え、
前記乾燥用液体供給工程において、前記乾燥用液体を前記基板の中心部に第1の流量で供給した後に、前記第1の流量よりも小さい第2の流量で前記乾燥用液体を前記基板に供給することを特徴とする、液処理方法。 - 前記第2の流量で前記乾燥用液体を供給するときに、前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の中心部から周縁部に向かって移動させる、請求項1記載の液処理方法。
- 前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の周縁部に向かって移動させる前に、前記乾燥用液体を前記第2の流量で前記基板の中心部に供給する、請求項2記載の液処理方法。
- 乾燥用液体の供給位置を前記基板の周縁部に向かって移動させるときに、乾燥用ガスを、その供給位置を前記基板の周縁部に向かって移動させながら前記基板に供給し、このとき、前記乾燥用ガスの供給位置は前記乾燥用液体の供給位置よりも半径方向内側に維持される、請求項2または3記載の液処理方法。
- 前記第2の流量での前記乾燥用液体の供給の終了まで、前記乾燥用液体は前記基板の中心部に供給され、前記基板の中心部への前記乾燥用液体の供給を停止した後に前記乾燥工程が実施される、請求項1記載の液処理方法。
- 前記第1の流量での前記乾燥用液体の供給は、第1のノズルにより行われ、前記第2の流量での前記乾燥用液体の供給は、前記第1のノズルよりも吐出口径の小さい第2のノズルにより行われる、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の液処理方法。
- 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、
少なくとも、第1の流量と、前記第1の流量より小さい第2の流量で、前記基板保持機構により保持された基板に乾燥用液体を供給する乾燥用液体供給部と、
を備え、
前記基板保持機構により保持されて回転する基板に、前記リンス液供給部によりリンス液を供給した後に、前記乾燥用液体供給部により前記第1の流量で乾燥用液体を供給し、その後、前記第2の流量で乾燥用液体を供給する、液処理装置。 - 前記乾燥用液体供給部は、乾燥用液体を吐出する少なくとも1つのノズルと、前記ノズルを移動させるアームを有しており、前記乾燥用液体供給部は、前記基板の中心部に前記第1の流量で前記乾燥用液体を供給した後に、前記アームにより前記乾燥用液体の供給位置を前記基板の中心部から周縁部に移動させながら前記第2の流量で前記乾燥用液体を供給する、請求項7記載の液処理装置。
- 前記乾燥用液体供給部は、乾燥用液体を吐出する第1のノズル及び第2のノズルを有しており、前記第1のノズルの吐出口径は前記第2のノズルの吐出口径よりも大きい、請求項7記載の液処理装置。
- 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、前記基板保持機構により保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、少なくとも、第1の流量と、前記第1の流量より小さい第2の流量で、前記基板保持機構により保持された基板に乾燥用液体を供給する乾燥用液体供給部と、前記基板保持機構、前記リンス液供給部および前記乾燥用液体供給部の動作を制御するコンピュータからなる制御部と、を備えた基板処理装置の動作を制御するためのプログラムが格納された記憶媒体であって、前記コンピュータからなる制御部により実行されることにより、前記基板処理装置が、
基板を回転させながらリンス液を基板に供給して、前記基板にリンス処理を施すリンス工程と、
前記リンス工程の後に、前記基板を回転させながら、前記リンス液よりも表面張力が低くかつ揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給して、前記基板の上にある前記リンス液を前記乾燥用液体で置換する乾燥用液体供給工程と、
前記基板を回転させながら、前記乾燥用液体供給工程において供給された乾燥用液体を除去する乾燥工程と、を備え、
前記乾燥用液体供給工程において、前記乾燥用液体を前記基板の中心部に第1の流量で供給した後に、前記第1の流量よりも小さい第2の流量で前記乾燥用液体を前記基板に供給する液処理方法を実行する、記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017057741A JP6400766B2 (ja) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017057741A JP6400766B2 (ja) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013150788A Division JP6117041B2 (ja) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017108190A true JP2017108190A (ja) | 2017-06-15 |
JP6400766B2 JP6400766B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=59059963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017057741A Active JP6400766B2 (ja) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6400766B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200089609A (ko) | 2019-01-17 | 2020-07-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR20220137163A (ko) * | 2020-03-05 | 2022-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US20220399208A1 (en) * | 2021-06-11 | 2022-12-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006041077A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2009016800A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 |
JP2012222237A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
-
2017
- 2017-03-23 JP JP2017057741A patent/JP6400766B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006041077A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2009016800A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 |
JP2012222237A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200089609A (ko) | 2019-01-17 | 2020-07-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US11217451B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR20220137163A (ko) * | 2020-03-05 | 2022-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102553044B1 (ko) | 2020-03-05 | 2023-07-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US20220399208A1 (en) * | 2021-06-11 | 2022-12-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6400766B2 (ja) | 2018-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6454245B2 (ja) | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP4451450B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US7803230B2 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium for recording program used for the method | |
JP6341035B2 (ja) | 基板液処理方法、基板液処理装置、及び記憶媒体 | |
JP6404189B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
KR102584337B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
EP1898453A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US20200234998A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP6400766B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 | |
JP6117041B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 | |
JP6104786B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6961362B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7438015B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5676362B2 (ja) | 液処理装置および液処理装置の洗浄方法 | |
KR20170113086A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2018129476A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7292120B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5726636B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法 | |
JP6411571B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP7143465B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2023195340A1 (ja) | 基板処理装置、および基板処理方法 | |
JP2022189496A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2019160890A (ja) | 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル | |
TW202422733A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170418 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6400766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |