CN207868172U - 基板处理装置 - Google Patents

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浦智仁
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Abstract

提供一种基板处理装置。以往，存在在基板的上表面的清洗中所使用的刷的变形而导致基板的下表面被污染的问题。本实用新型的基板处理装置具备：基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；处理液供给机构，其对基板的上表面供给处理液；以及刷，在利用所述处理液供给机构供给处理液时，该刷一边使清洗体与所述基板的上表面接触并使所述清洗体旋转，一边清洗所述基板，其中，所述刷的清洗体的周缘部具有在侧视时向外侧翘曲的形状。由此，本实用新型的基板处理装置能够防止在基板的上表面的清洗中所使用的刷的变形而导致基板的下表面被污染。

Description

基板处理装置
技术领域
本实用新型涉及一种向基板供给处理液来进行液处理的技术。
背景技术
在半导体装置的制造中，有时在将半导体晶圆等基板的器件形成面设为下表面、将半导体晶圆等基板保持为水平并绕铅垂轴线旋转的状态下，向基板的上表面和下表面供给清洗液(例如，清洗用药液或冲洗液)，来对该上表面和该下表面实施清洗处理。此时，也存在使刷与基板的上表面接触等来以物理方式进行清洗的情况(专利文献1)。
专利文献1：日本特开2016-149470号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在使刷与基板的上表面接触等来以物理方式进行清洗时，存在由于刷的变形而导致处理液的雾沫增大的情况。在该情况下，有可能在气氛中飞溅的雾沫不仅附着于基板的上表面，而且还会绕到下表面并附着于下表面，导致下表面的器件形成面污染。
另外，有时供给到基板的上表面的处理液、该处理液的雾沫绕到基板的下表面并附着于下表面的器件形成面。存在所附着的处理液中含有从基板的上表面去除的微粒等不需要的物质的情况，因此有时会导致器件形成面被污染。
本实用新型的目的在于，防止由于在基板的上表面的清洗中所使用的刷的变形而导致基板的下表面被污染。
另外，本实用新型的目的在于，防止由于在基板的上表面的清洗中所使用的处理液而导致基板的下表面被污染。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本实用新型的第一方面提供一种基板处理装置，通过对基板供给处理液来对基板进行液处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；处理液供给机构，其对基板的上表面供给处理液；以及刷，在利用所述处理液供给机构供给处理液时，该刷一边使清洗体与所述基板的上表面接触并使所述清洗体旋转，一边清洗所述基板，其中，所述刷的清洗体的周缘部具有在侧视时向外侧翘曲的形状。
本实用新型的第二方面提供一种基板处理装置，其特征在于，在第一方面的基板处理装置中，所述刷包括第一清洗体和由比所述第一清洗体硬的材料形成的第二清洗体，所述第一清洗体的周缘部具有向外侧翘曲的形状。
本实用新型的第三方面提供一种基板处理装置，其特征在于，在第二方面的基板处理装置中，在比所述第一清洗体靠径向内侧的位置配置有多个所述第二清洗体。
本实用新型的第四方面提供一种基板处理装置，其特征在于，在第二方面的基板处理装置中，所述第一清洗体为海绵状材料。
本实用新型的第五方面提供一种基板处理装置，其特征在于，在第二方面的基板处理装置中，所述第二清洗体为植毛。
另外，为了解决上述的问题，本实用新型提供一种基板处理装置，通过对基板供给处理液来对基板进行液处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；第一处理液供给机构，其对基板的上表面供给处理液；第二处理液供给机构，其对基板的下表面供给处理液；以及控制部，其对使用了所述第一处理液供给机构和所述第二处理液供给机构的处理进行控制，其中，在一边利用所述基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处理这两方结束时，所述控制部先使所述第一处理液供给机构对所述基板的上表面的处理液的供给结束，之后，使所述第二处理液供给机构对所述基板的下表面的处理液的供给结束。
实用新型的效果
本实用新型能够防止由于在基板的上表面的清洗中所使用的刷的变形而导致基板的下表面被污染。
另外，本实用新型能够防止由于在基板的上表面的清洗中所使用的处理液而导致基板的下表面被污染。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
图2是图1的基板处理系统中包含的处理单元的概要纵向截面图。
图3A、图3B、图3C以及图3D是示出刷的形状的详细内容的图。
图4A是示出基板保持部的详细内容的图。
图4B是示出基板保持部的详细内容的图。
图4C是示出基板保持部的详细内容的图。
图4D是示出基板保持部的详细内容的图。
图4E是示出基板保持部的详细内容的图。
图5是示出流体供给系统的结构的图。
图6A、图6B以及图6C是说明进行清洗处理和干燥处理时的动作的图。
图7是示出处理液供给机构的控制动作的流程图。
附图标记说明
18：控制部；31：基板保持部；63：刷；71：处理液供给机构；73：处理液供给机构。
具体实施方式
以下，参照附图来对本实用新型的实施方式进行说明。
(第一实施方式)
图1是示出本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个以水平状态收纳多张晶圆W(基板)的承载件C。
搬送部12与承载件载置部11邻接地设置，在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板搬送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的转动，使用基板保持机构来在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在搬送部15的两侧排列设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板搬送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的转动，使用基板保持机构来在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的搬送。
处理单元16对通过基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存基板处理系统1中所执行的用于控制各种处理的程序。控制部18通过读出并执行在存储部19存储的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，所述的程序既可以是记录在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
在如上所述构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其搬入到处理单元16。
在利用处理单元16对搬入到处理单元16的晶圆W进行了处理之后，利用基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出，载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完成的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2来对处理单元16的概要结构进行说明。图2是图1的基板处理系统1所包含的处理单元16的概要纵向截面图。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、保持晶圆W并使其旋转的基板保持旋转机构30(基板保持旋转部的一例)、构成处理液供给喷嘴的液体喷出部40、以及回收供给到晶圆W后的处理液的回收杯50。
腔室20收纳基板保持旋转机构30、液体喷出部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持旋转机构30构成为通过机械式的夹持机构来保持晶圆W的机械吸盘。基板保持旋转机构30具有基板保持部31、旋转轴32以及旋转电动机(旋转驱动部)33。
基板保持部31具有圆板形的底板(板状体)31a和设置于底板31a的周缘部的多个支承构件31b。支承构件31b形成于底板31a的上部，保持晶圆W的周缘。由此，在晶圆W的下表面与底板31a的上表面之间形成下方空间83。在本实施方式中，多个支承构件31b中的几个支承构件31b是相对于晶圆W进出来进行晶圆W的把持与释放的切换的可动的支承构件，余下的支承构件31b是不动的支承构件。关于支承构件31b的详细内容，在后面记述。旋转轴32为中空，从底板31a的中央部沿铅垂方向向下延伸。旋转电动机33对旋转轴32进行旋转驱动，由此被基板保持部31以水平姿势保持的晶圆W绕铅垂轴线旋转。
液体喷出部40形成为沿铅垂方向延伸的细长的轴状的构件。液体喷出部40具有沿铅垂方向延伸的中空圆筒形的轴部41和头部42。轴部41插入到基板保持旋转机构30的旋转轴32的内部的圆柱形的空洞32a内。轴部41与旋转轴32为同心。在轴部41的外周面与旋转轴32的内周面之间形成具有圆环状的截面的作为气体通路80的空间。
在液体喷出部40的内部有沿铅垂方向延伸的圆柱形的空洞。在该空洞的内部设置有处理液供给管43。处理液供给管43的上端在液体喷出部40的头部42开口，成为朝向被基板保持旋转机构30保持的晶圆W的下表面的中央部喷出处理液的液体喷出口。
从处理液供给机构71向处理液供给管43供给用于对晶圆W的下表面进行处理的规定的处理液。关于处理液供给机构71的结构的详细的说明，在后面记述。在本实施方式中，设该处理液供给机构71为供给纯水(DIW)的机构，但是也可以构成为能够在多个处理液、例如清洗用药液(例如DHF)以及冲洗液之间切换地供给。作为用于使晶圆W的下表面干燥的干燥用气体，从干燥用气体供给机构72(第二气体供给机构)向气体通路80供给氮气(N2)。关于干燥用气体供给机构72的结构的详细的说明，在后面记述。
液体喷出部40的上侧部分(头部42及其下侧附近)的周围被旋转轴32的空洞32a包围。在液体喷出部40的上侧部分与空洞32a之间有圆环状的间隙，该间隙形成使干燥用的气体通过的气体喷出路81。
在底板31a的中央部的上表面，由液体喷出部40的头部42的外周端缘和基板保持部的表面划定出气体喷出口35。上述气体喷出口35是将流过圆环状的气体喷出路81的气体向晶圆W的下方空间83(晶圆W与底板31a之间的空间)喷出的圆环状的喷出口。
回收杯50以包围基板保持旋转机构30的基板保持部31的方式配置，用于收集自旋转的晶圆W飞散的处理液。回收杯50具有不动的下杯体51、以及能够在上升位置(图2所示的位置)与下降位置之间升降的上杯体52。上杯体52通过升降机构53进行升降。在上杯体52处于下降位置时，上杯体52的上端位于比被基板保持旋转机构30保持的晶圆W低的位置。因此，在上杯体52处于下降位置时，能够在进入到腔室20内的图1所示的基板搬送装置17的基板保持机构(臂)与基板保持旋转机构30之间进行晶圆W的交接。
在下杯体51的底部形成有排气口54。经由该排气口54，收集到的回收杯50内的气氛被从回收杯50排出。排气管55与排气口54连接，排气管55连接于减压气氛的工厂排气系统(未图示)。另外，在下杯体51的底部形成有排液口56。经由该排液口56，收集到的处理液被从回收杯50排出。排液管57与排液口56连接，排液管57连接于工厂排液系统(未图示)。
来自FFU 21的干净空气的下降流经由回收杯50(上杯体52)的上部开口而被吸入回收杯50内并从排气口54排出。因此，在回收杯50内产生如箭头F所示的气流。
整流构件34具有环形状，具有进行整流以产生箭头F的气流并且抑制从下杯体51向上杯体52的方向的气体、雾沫的上升的功能。整流构件34的上端位于比底板31a低的位置，与底板31a的外周端隔开间隔d。在晶圆W的尺寸为300mm的情况下，底板31a的外周端位于比晶圆W的端部靠外周侧的位置，间隔d设定为4mm左右，从使整流构件34发挥最大的功能来看也为优选，向晶圆W下表面的微粒附着也最小。
处理单元16还具备至少一个处理液供给喷嘴62，所述至少一个处理液供给喷嘴62向被基板保持旋转机构30保持的晶圆W的上表面供给处理液(清洗用药液和冲洗液)。处理单元16还具备对晶圆W的上表面进行磨刷清洗的刷63。关于刷63的形状的详细内容，在后面记述。
从处理液供给机构73向处理液供给喷嘴62供给用于对晶圆W的上表面进行处理的规定的处理液。气体供给口61设置于晶圆W的旋转中心的上方，从干燥用气体供给机构74供给作为用于进行干燥处理的干燥用气体的N2。关于处理液供给机构73和干燥用气体供给机构74的结构的详细的说明，在后面记述。
接着，使用图3来对本实施方式中的刷63的形状的详细内容进行说明。图3A、图3B、图3C以及图3D是示出刷63的形状的详细内容的图。此外，在图3A中示出本实施方式所涉及的刷63的侧视图，在图3B中示出本实施方式所涉及的刷63的仰视图。
如图3A和图3B所示，刷63包括主体部631、连接部632、第一清洗体633、第二清洗体634。在处理单元16具备在使刷63旋转的同时使刷63与晶圆W的相对位置变更的未图示的臂，连接部632是用于将该臂和主体部631连接来施加旋转力的构件。第一清洗体633和第二清洗体634通过与晶圆W的上表面接触来对晶圆W进行清洗，从而去除微粒等不需要的物质。第一清洗体633是由PVA(聚乙烯醇)等形成的海绵状的清洗体。第二清洗体634是由比第一清洗体633硬的材料(例如PP(聚丙烯)等)形成的植毛的清洗体。主体部631和连接部632是中空的圆柱形状，从设置于未图示的臂的供给管的前端喷出的清洗液通过中空的区域而导向开口635。而且，从开口635向第一清洗体633及第二清洗体634与晶圆W的接触面供给该处理液。
第一清洗体633是海绵状材料，因此在刷63以被处理液湿润的状态与晶圆W接触时，有时如图3C那样侧面变形为向内周方向翘曲的形状。发明人推测为该变形是由于刷63制造时的第一清洗体633的成形方法而产生的。另外，由于第一清洗体633向晶圆W的表面施加按压力的接触而产生横向的摩擦力，因此在液处理时变形的程度增大。
当存在这样的向内侧的翘曲时，冲撞到第一清洗体633的侧面的清洗液易于如图3C的箭头所示那样由于旋转所产生的离心力而向斜上方溅起，处理液的雾沫增大。有可能在气氛中飞溅的雾沫不仅附着于晶圆W的上表面，而且还会绕到下表面而附着于下表面，导致器件形成面的污染。
因此，优选的是，如图3D所示，在清洗处理中使用之前的状态下第一清洗体633形成为沿着外周方向的形状。具体地说，优选的是，设为第一清洗体633的周缘部在侧视时为向外侧翘曲的形状。
由此，即使在实际使用时，也难以如图3C那样变形，能够抑制雾沫的产生，因此能够进一步抑制器件形成面的污染。
图4A～图4D是对基板保持部31的详细内容进行说明的图。在此，上述的多个支承构件31b中的可动的支承构件被图示为把持部31b-1，不动的支承构件被图示为晶圆支承部31b-2。
如图4A所示，底板31a具有大致圆形的上表面形状，在周围形成有切口部C1和C2。切口部C1和C2以大致60°的角度间隔交替地配置。切口部C1允许安装于底板31a的下部的把持部31b-1向底板31a的上方突出。另外，切口部C2与基板搬送装置17的设置于基板保持机构的晶圆保持爪(未图示)对应地设置，允许晶圆保持爪上下地贯通底板31a。
另外，如上所述，在底板31a的上表面设置有沿着周缘延伸的多个晶圆支承部31b-2。这样的晶圆支承部31b-2与底板31a的切口部C1和C2相配合地形成。另外，各晶圆支承部31b-2具有上表面平坦部311和朝向底板31a的中央倾斜的倾斜面312。倾斜面312的外周缘(上表面平坦部311与倾斜面312之间的边界)处于沿着直径比晶圆W的直径大的第一圆的圆周，倾斜面312的内周缘与第一圆为同心圆且处于沿着直径比晶圆W的直径小的第二圆的圆周。因此，在将晶圆W载置于底板31a的情况下，晶圆W通过其边缘与倾斜面312相接而被支承(参照图4B)。此时，晶圆W与底板31a的上表面分离。
另外，在晶圆支承部31b-2的上表面平坦部311设置有导销313。如图4B所示，导销313的侧面313I在下端与晶圆支承部31b-2的倾斜面312的外周缘相接。另外，在导销313形成有朝向底板31a的中央倾斜的引导倾斜面313B。如果在从基板搬送装置17(图1)向晶圆支承部31b-2载置晶圆W时晶圆W的边缘与引导倾斜面313B相接，则以晶圆W的边缘从引导倾斜面313B滑落的方式引导，晶圆W移动，由此晶圆W被定位并被晶圆支承部31b-2支承。
此外，导销313具有导销313的上表面位于比被多个晶圆支承部31b-2支承的晶圆W的上表面高的位置这样的高度。
图4C和图4D是分别从上方观察导销313和把持部31b-1的图。如图示那样在设置于晶圆支承部31b-2的导销313和把持部31b-1的大致中央部形成有沿与底板31a的周缘交叉的方向延伸的槽部G。其中，槽部G不是准确地朝向半径方向，而是沿液处理时从晶圆W上的周缘流过的清洗液的方向倾斜，由此使自横向冲撞导销313的处理液的量减少，更加提高使抑制雾沫的产生的效果。
图4E是导销313的变形例。朝向导销313的液的方向根据液处理时的转速等的条件而不同。图4E是在液的方向为大致圆周方向的情况下最优化的形状。设置于导销313的倾斜面朝向外侧，因此冲撞的处理液不是向晶圆W侧反弹，而是大部分导向回收杯50侧。该倾斜是对以往的导销313整体进行开槽来形成的，但是引导倾斜面313B保持与原型接近的形状，因此作为晶圆W的引导构件充分发挥功能。此外，在上述例子中，对俯视时的上表面平坦部311的长度比导销313的大小足够大的情况进行了说明，但是即使只在导销313的周缘设置或省略，也能够得到同样的效果。
在本实施方式中，在图5中示出进行基板处理系统1的处理液和干燥用气体的供给和排出的流体供给系统的结构。图5是示出流体供给系统的结构的图。
在图5的干燥用气体供给机构72中，干燥用气体供给源401是干燥处理中所使用的干燥用气体(N2)的供给源。干燥用气体供给线402是用于对腔室20供给来自干燥用气体供给源401的干燥用气体的供给路。开闭阀403设置在干燥用气体供给线402，控制对腔室20的干燥用气体的供给的开始和停止。流量调整器404设置在干燥用气体供给线402，对从干燥用气体供给线402对腔室20供给的干燥用气体的流量进行调整。
在图5的处理液供给机构71(第二处理液供给机构)中，处理液供给源405是液处理中所使用的处理液的供给源，是本实施方式的作为处理液的纯水(DIW)的供给源。处理液供给线406是用于对腔室20供给来自处理液供给源405的处理液的供给路。开闭阀407设置在处理液供给线406，控制对腔室20的处理液的供给的开始和停止。流量调整器408设置在处理液供给线406，对从处理液供给源405向处理液供给线406供给的处理液的流量进行调整。
图5的干燥用气体供给机构74具备与干燥用气体供给机构72同样的结构，在干燥用气体供给机构74中，干燥用气体供给源409具有与干燥用气体供给源401同样的功能，干燥用气体供给线410具有与干燥用气体供给线402同样的功能，开闭阀411具有与开闭阀403同样的功能，流量调整器412具有与流量调整器404同样的功能。
在图5的处理液供给机构73(第一处理液供给机构)中，处理液供给源413具有与处理液供给源405同样的功能，处理液供给线414具有与处理液供给线406同样的功能。处理液供给源415是本实施方式的作为处理液的DHF的供给源。处理液供给线416是用于对腔室20供给来自处理液供给源415的处理液的供给路。切换阀417与处理液供给线414和处理液供给线416连接，以对腔室20供给DIW和DHF(稀氟氢酸)中的某一方的方式进行切换并且对其供给的开始和停止进行控制。流量调整器418设置在处理液供给线414，对从处理液供给源413向处理液供给线414供给的处理液的流量进行调整。流量调整器419设置在处理液供给线416，对从处理液供给源415向处理液供给线416供给的处理液的流量进行调整。
接着，使用图6来对在本实施方式的基板处理装置中进行清洗处理和干燥处理时的动作进行说明。图6是对进行清洗处理和干燥处理时的动作进行说明的图。
在本实施方式中，是对半径为150mm的晶圆W的上表面和下表面并行地进行处理的装置，按(1)上表面清洗处理/下表面清洗处理、(2)上表面清洗(冲洗)处理/下表面清洗处理、(3)上表面干燥处理/下表面干燥处理的顺序执行这些处理。在此，记载(A处理/B处理)示出A处理和B处理并行地进行处理的情形、即在执行上表面与下表面各自的处理的整个时间中设置至少部分的重复期间(同时处理上表面和下表面的时间)来执行彼此的处理。此外，控制部18对处理液供给机构71、干燥用气体供给机构72(第二气体供给机构)、处理液供给机构73以及干燥用气体供给机构74(第一气体供给机构)所具有的开闭阀、流量调整器进行控制，以使流体的供给量增减。
图6A是示出(1)上表面清洗处理/下表面清洗处理的动作状态的示意图。在本动作中，晶圆W以规定转速(例如，1000rpm)进行旋转。在此，关于上表面，从处理液供给喷嘴62向晶圆W的中心供给DIW来在晶圆W表面形成液膜，使刷63与晶圆W上表面抵接并沿水平方向进行扫描，由此以物理方式清洗晶圆W表面。在此，不限定于使用刷63的物理方式的清洗，也可以进行利用DHF的药液处理。另一方面，关于下表面，通过从处理液供给管43向晶圆W的中心供给DIW来进行清洗处理。
图6B是示出在清洗处理(1)之后执行的(2)上表面清洗(冲洗)处理/下表面清洗处理的动作状态的示意图。在本动作中，晶圆W以规定转速(例如，1000rpm)进行旋转。在此，关于上表面，使利用刷63的清洗停止，从处理液供给喷嘴62向晶圆W的中心供给DIW来进行清洗(冲洗)处理。另一方面，关于下表面，通过从处理液供给管43向晶圆W的中心供给DIW来进行清洗处理。
图6C是示出在清洗处理(2)之后执行的(3)上表面干燥处理/下表面干燥处理的示意图。在此，关于上表面，从气体供给口61供给干燥用气体(N2)来进行上表面的干燥处理，并且针对下表面也同样地，从气体通路80供给干燥用气体(N2)，来进行干燥处理。
接着，使用图7的流程图来对进行清洗处理(1)和清洗处理(2)时的处理液供给机构71、73的控制动作进行说明。图7是示出处理液供给机构71、73的控制动作的流程图。本流程图的处理是通过控制部18执行存储于存储部19的基板处理程序来实现的。
首先，针对晶圆W开始上述的清洗处理(1)。其中，不是从最初就对两面供给清洗液，而是首先处理液供给机构71只向下表面供给清洗液(第一开始工序)，在晶圆W的下表面形成清洗液的液膜(步骤S101)。不限定此处的清洗液的供给时间，只要是液膜能够形成的程度即可。
接着，处理液供给机构73向晶圆W的上表面供给清洗液(第二开始工序)。是还持续地向晶圆W的下表面供给清洗液的状态，因此为对两面供给清洗液的动作(步骤S102)。
而且，之后，在通过持续进行步骤S102的动作来在两面形成清洗液的液膜的状态下，通过使刷63与晶圆W的上表面接触并使其移动，来对晶圆W上表面进行清洗(步骤S103)。以上相当于清洗处理(1)。
清洗处理(1)结束之后，作为清洗处理(2)，针对晶圆W的两面进行冲洗液的供给(步骤S104)。执行冲洗液的供给并持续能够去除残留在晶圆W上的清洗液、微粒的程度的时间。
接着，将处理液供给机构73向上表面的冲洗液的供给停止(第一结束工序)、处理液供给机构71只向下表面供给冲洗液(步骤S105)。该处理持续进行一定时间，该时间是残留于晶圆W的上表面的处理液由于旋转所产生的离心力而被从晶圆W上去除的程度的时间。
然后，将处理液供给机构71向下表面的冲洗液的供给停止(第二结束工序)，进行干燥处理(3)(步骤S106)。当干燥处理结束时，一系列的处理结束。
如以上所说明那样，在本实施方式中，在清洗处理(2)中，在一边使晶圆W旋转一边并行地进行晶圆W的上表面和下表面的冲洗处理之后，在使晶圆W的上表面和下表面的冲洗处理这两方结束时，先使对晶圆W的上表面的冲洗液的供给结束，之后，使对晶圆W的下表面的冲洗液的供给结束。由此，在去除来自上表面的液的期间，在晶圆W的下表面形成有液膜，因此，能够防止作为器件形成面的晶圆W的下表面由于液从上表面绕到下表面、液冲撞杯后上升的雾沫等而被污染。
在此，持续进行向晶圆W的下表面的冲洗液的供给，直到残存于晶圆W的上表面的冲洗液由于晶圆W的旋转的离心力而被从晶圆W的上表面去除为止。由此，有可能绕到下表面的冲洗液全部消失，因此能够更加可靠地防止污染。
另外，在清洗处理(1)开始时，也先使针对晶圆W的下表面的处理液的供给开始，之后，使对晶圆W的上表面的处理液的供给开始。由此，即使在相对附着有大量污染物质的清洗处理的开始时，也能够防止污染物质从上表面绕到下表面。
并且，本实施方式的刷63的第一清洗体633(清洗体的一例)的周缘部具有在侧视时为向外侧翘曲的形状。由此，能够降低冲撞到刷63的处理液由于刷63的旋转而雾沫化的现象，能够防止由上表面的处理液所导致的晶圆W的污染。
而且，设为位于一个导销313的中心且朝向外侧的槽部G朝向沿着形成于晶圆W的周缘部的液流的方向。由此，能够将清洗处理时液流向导销313的冲撞抑制为最小限度，能够防止由于溅起而导致的雾沫的产生。
并且，在回收杯50中设置整流构件34并且将底板31a设为半径比晶圆W的半径大，由此能够防止回收杯50内的雾沫的上升，并且能够防止雾沫向晶圆W的下表面附着。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，通过对基板供给处理液来对基板进行液处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：
基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；
处理液供给机构，其对基板的上表面供给处理液；以及
刷，在利用所述处理液供给机构供给处理液时，该刷一边使清洗体与所述基板的上表面接触并使所述清洗体旋转，一边清洗所述基板，
其中，所述刷的清洗体的周缘部具有在侧视时向外侧翘曲的形状。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述刷包括第一清洗体和由比所述第一清洗体硬的材料形成的第二清洗体，所述第一清洗体的周缘部具有向外侧翘曲的形状。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在比所述第一清洗体靠径向内侧的位置配置有多个所述第二清洗体。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一清洗体为海绵状材料。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二清洗体为植毛。
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