JP5901419B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
次に、ウエハWを保持した基板保持部10を、搬出入位置から、図2に示す第2処理位置まで下降させる。このときウエハWは、カップ体50の外壁52の上縁52aより低く、かつ仕切壁53の上縁53aより高い高さ位置に位置する。また、貯留部30の堰部材32を中間位置に位置させ、リンスノズル45から60℃〜80℃程度に加熱したDIWを噴出させ、貯留部30内にDIWを貯留する。なお、次工程が常温の処理液でウエハWを処理する場合には、常温のDIWを用いてもよい。噴出開始から貯留部30内にDIWが満たされるまでの間は、迅速に貯留部30内にDIWを満たすことができるような噴出流量でリンスノズル45からDIWを供給する。貯留部30内にDIWが満たされた後は、リンスノズル45からのDIWの噴出流量は、貯留部30の堰部材32と底板31との間の隙間34から第1内部空間50Aの内側部分50A1に漏出するDIWの漏出流量とほぼ均衡するように、減少させる。なお、このとき、堰部材32の上縁32aを越えて第1内部空間50Aの外側空間50A2にオーバーフローするDIWがあっても構わない。
薬液処理を所定時間行った後、下ノズル40からのSPM液の吐出を停止し、ヒータ15への通電を停止し、基板保持部10の回転を停止する。また、貯留部30の堰部材32を中間位置から上昇位置へと移動させるとともに、リンスノズル45からのDIWの噴出量を増加させる。図3に示すように貯留部30がDIWで満たされたら、リンスノズル45からのDIWの噴出流量を、貯留部30の堰部材32と底板31との間の隙間34から第1内部空間50Aの内側部分50A1に漏出するDIWの漏出流量とほぼ均衡するように、減少させる。なお、このときも、堰部材32の上縁32aを超えて第1内部空間50Aの外側部分50A2にオーバーフローするDIWがあっても構わない。また、下ノズル40がウエハWと衝突しないように、下降位置に下降させる。
上記のDIPリンス処理(ホットDIWに浸漬した状態で行われるリンス処理)を所定時間行った後、リンスノズル45からのDIWの噴出を停止し、図4に示すように、貯留部30の堰部材32を上昇位置から下降位置へと移動させる。これにより、貯留部30に貯留されていたDIWの大半は、一気に堰部材32の上縁32aを越えてカップ体50の第1内部空間50Aの外側部分50A2内に流入し、第1排出口55から排出される。貯留部30に貯留されていたDIWの残りは、隙間34を通って第1内部空間50Aの内側部分50A1に流入し、第1排出口55から排出される。基板処理部10および下ノズル40は、DIPリンス処理を実行しているときと同じ高さ位置に維持する。この状態で、基板保持部10によりウエハWを回転させて、下ノズル40のリンス液吐出口42bからウエハWの下面中央部に常温のDIWを吐出し、また、上ノズル20のリンス液吐出口21bからウエハWの上面中央部に常温のDIWを吐出する。ウエハ上下面の中央部に吐出されたDIWは、遠心力により、ウエハW上に残存する汚染物質を洗い流しながらウエハWの周縁に向かって拡がり、ウエハWの外方に飛散する。カップ体50の仕切壁53の上縁53aは、ウエハWよりも高い高さ位置にあるため、飛散したDIWは、仕切壁53に受け止められ、第1内部空間50Aの外側部分50A2を下方に流れて、第1排出口55から排出される。
DIWリンス処理を所定時間行った後、下ノズル40のリンス液吐出口42bおよび上ノズル20のリンス液吐出口21bからのDIWの吐出を停止し、ウエハWの回転速度を増加させる。これにより、ウエハW上に残存するDIWが遠心力により振り切られ、これによりウエハWの乾燥が行われる。このとき、ウエハWから飛散したDIWは、仕切壁53に受け止められ、第1内部空間50Aの外側部分50A2を下方に流れて、排出口55から排出される。また、このとき、下ノズル40のN2吐出口43bからウエハWの下面中央部にN2ガスを吐出し、また、上ノズル20のN2ガス吐出口22bからウエハWの上面中央部にN2ガスを吐出する。これによりウエハW周辺の雰囲気の酸素濃度および湿度が低下し、ウオーターマークの発生を防止しつつ、効率よくウエハWの乾燥を行うことができる。
2 第2処理部
10 基板保持部
14 回転機構
18 基板移動機構(昇降機構)
40 処理液供給ノズル(下ノズル)
30 貯留部
31 底壁(底板)
32 周壁
45 液供給手段(リンスノズル)
200 制御部
201 記憶媒体
Claims (6)
- 基板処理装置において、
基板に第1液処理を行うための処理液を貯留する貯留部を備えた第1処理部と、
前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、
前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に、前記基板保持部により保持されて回転する基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記貯留部に液を供給する液供給手段と、
前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に、前記液供給手段を制御して前記貯留部に液を供給する制御部と、
を備え、
前記貯留部は、底壁と、この底壁の周縁に設けられた周壁とを有しており、
前記第1液処理は前記貯留部に貯留した第1処理液に基板を浸漬して行う液処理であり、
前記第1液処理を実行する際の前記底壁に対する前記周壁の高さが、前記第2液処理を実行する際の前記底壁に対する前記周壁の高さよりも高くなるように、前記底壁と前記周壁とを相対的に上下動させる昇降手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 基板処理装置において、
基板に第1液処理を行うための処理液を貯留する貯留部を備えた第1処理部と、
前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、
前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に、前記基板保持部により保持されて回転する基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記貯留部に液を供給する液供給手段と、
前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に、前記液供給手段を制御して前記貯留部に液を供給する制御部と、
を備え、
前記第2液処理が実行される際に、前記処理液供給ノズルから基板に供給される処理液は薬液であり、前記液供給手段から前記貯留部に供給される液は純水であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板処理装置に前記第2液処理を実行させた後に前記第1液処理を実行させる、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 基板に第1液処理を行うための第1処理部と、前記第1処理部の上方において前記基板に第2液処理を行うための第2処理部と、を備えた基板処理装置を用いて行われる基板処理方法において、
前記第1処理部において、貯留部に貯留した第1処理液に前記基板を浸漬して、前記基板に第1液処理を施すことと、
前記第1処理部に設けられた前記貯留部に液を貯留した状態で、前記第2処理部において、前記基板を回転させながら前記基板に第2処理液を供給して、前記基板に第2液処理を施すことと、
を備え、
前記第2処理液は薬液であり、第2液処理を行う際に前記貯留部に貯留される液は純水であることを特徴とする基板処理方法。 - 基板に第1液処理を行うための第1処理部と、前記第1処理部の上方において前記基板に第2液処理を行うための第2処理部と、を備えた基板処理装置を用いて行われる基板処理方法において、
前記第1処理部において、貯留部に貯留した第1処理液に前記基板を浸漬して、前記基板に第1液処理を施すことと、
前記第1処理部に設けられた前記貯留部に液を貯留した状態で、前記第2処理部において、前記基板を回転させながら前記基板に第2処理液を供給して、前記基板に第2液処理を施すことと、
を備え、
前記第2処理部において前記基板に第2液処理を施す間、前記貯留部に液が貯留された状態が維持されるように前記貯留部から液を排出しながら前記貯留部に液が供給され、
前記第2液処理を実行した後に前記第1液処理を実行することを特徴とする基板処理方法。 - 基板に第1液処理を行うための処理液を貯留する貯留部を備えた第1処理部と、前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に、前記基板保持部により保持されて回転する基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記貯留部に液を供給する液供給手段と、を備えた基板処理装置に請求項4または5記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムが格納された記憶媒体。
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