TWI525687B - 液體處理裝置及液體處理方法 - Google Patents

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TWI525687B TW101140368A TW101140368A TWI525687B TW I525687 B TWI525687 B TW I525687B TW 101140368 A TW101140368 A TW 101140368A TW 101140368 A TW101140368 A TW 101140368A TW I525687 B TWI525687 B TW I525687B
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Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明係關於一種對半導體晶圓與平面顯示器用的玻璃基板等基板進行液體處理的液體處理裝置及液體處理方法。
在半導體積體電路(IC；Integrated Circuit)與平面顯示器(FPD；Flat Plate Display)的製造步驟中，包含以液體對半導體晶圓與FPD用的玻璃基板等基材進行處理的步驟。並且包含在液體處理結束後，使基板旋轉以使其乾燥的步驟。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平11-87294號公報
以往，在以液體對基板進行處理後，將基板維持在液體處理時基板之相關位置的狀態下，或是在僅使基板升降以切換杯體的狀態下，持續基板的旋轉以甩乾純水並使該基板乾燥。在該等的情況中，在進行液體處理後霧氣等環境氣體仍會殘留於基板邊緣，其可能會成為在乾燥時附著於基板 上之粒子的原因。
有鑒於上述的問題點，本發明提供一種液體處理裝置及液體處理方法，其可在不同高度的位置進行液體處理與乾燥處理。
本發明的第1態樣，其特徵為包含：基板保持部，其保持基板；旋轉驅動部，其使該基板保持部旋轉；基板保持部升降構件，其使該基板保持部上升及下降；處理液供給部，其對該基板供給處理液；液體接收杯體，在對該基板供給該處理液時，其將該基板圍住；以及乾燥杯體，在對該基板供給該處理液時，其位於該基板與該液體接收杯體的上方，另外在使該基板乾燥時，其圍住該基板並且位於該液體接收杯體的上方。
本發明的第2態樣，提供一種液體處理方法，其特徵為包含：液體處理步驟，其保持基板並於液體處理位置進行液體處理；以及乾燥處理步驟，其在比該液體處理位置更上方的乾燥位置，對在該液體處理步驟中進行過該液體處理的該基板進行乾燥。
本發明的實施態樣，係提供一種液體處理裝置及液體處理方法，其可藉由在不同的高度進行液體處理與乾燥處理，以防止在進行液體處理後的蒸氣與霧氣等煙霧，於乾燥時產生附著於基板的粒子。
100‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧基板支持部
10a‧‧‧頂板構件
10L‧‧‧加熱部
10s‧‧‧爪部
10n‧‧‧頂板噴嘴
20‧‧‧儲存槽
20a‧‧‧底板構件
20b‧‧‧底部
20c‧‧‧超音波振動板
20d‧‧‧堰部
20m‧‧‧吐出口
20n‧‧‧底板噴嘴
20s‧‧‧供給部
23‧‧‧密封構件
30‧‧‧驅動部
30a‧‧‧基板驅動部
30b‧‧‧底部驅動部
30M‧‧‧馬達
40‧‧‧液體接收杯體部
40a‧‧‧第1收納部
40b‧‧‧第2收納部
40g‧‧‧分隔導引構件
41c‧‧‧排液口
41d‧‧‧排液口
41e‧‧‧排氣口
42‧‧‧乾燥杯體
42a‧‧‧上部平板
42b‧‧‧下部平板
42c‧‧‧導管
42d‧‧‧排氣排液導管
42e‧‧‧阻尼器
42f‧‧‧氣液分離器
42g‧‧‧驅動機構
42h‧‧‧氣流路徑
50‧‧‧液體供給源
51‧‧‧配管
51a‧‧‧三通閥
52‧‧‧配管
53‧‧‧配管
54‧‧‧配管
56‧‧‧集合閥
57‧‧‧供給管
61‧‧‧搬送機構
h‧‧‧開口
P‧‧‧開口部
W‧‧‧晶圓
Gdw‧‧‧下方導引位置
Gup‧‧‧上方導引位置
S1~S6‧‧‧步驟
【圖1】係表示根據本發明之實施態樣的液體處理裝置的概略圖。
【圖2】(a)(b)係說明圖1的液體處理裝置的乾燥杯體的說明圖。
【圖3】係表示根據本發明之實施態樣的液體處理方法的流程圖。
【圖4】係說明根據本發明之實施態樣的液體處理方法的說明圖。
【圖5】係接續圖4，說明根據本發明之實施態樣的液體處理方法的說 明圖。
【圖6】係接續圖5，說明根據本發明之實施態樣的液體處理方法的說明圖。
【圖7】係接續圖6，說明根據本發明之實施態樣的液體處理方法的說明圖。
以下，參照添附的圖式，就本發明之非限定例示的實施態樣進行說明。在添附的所有圖式中，就相同或是互相對應的構件或是零件，附上相同或是互相對應的參照符號，並省略對其重複說明。另外，圖式並非以表示構件或是零件間的相對比例為目的，因此，具體的尺寸必須參照以下非限定的實施態樣，由本領域從業人員自行決定。
(液體處理裝置之構造)
首先，參照圖1，就根據本發明的實施態樣之液體處理裝置進行說明。本實施態樣中，使用半導體晶圓(以下，稱為晶圓)作為處理基板。
如圖所示，液體處理裝置100包含：基板支持部10，其支持晶圓W；儲存槽20，其以與基板支持部10所支持的晶圓W的底面相對向的方式設置；驅動部30，其可改變基板支持部10與儲存槽20之間的距離；環狀的液體接收杯體部40，其以在儲存槽20的外圍側圍住儲存槽20的方式設置；以及環狀的乾燥杯體42，其設置於液體接收杯體部40的上方。在液體處理裝置100中，藉由基板支持部10以可旋轉的方式支持晶圓W，對儲存槽20供給液體且儲存該液體，藉由驅動部30減少基板支持部10與儲存槽20之間的距離，將晶圓W浸漬於該液體中，以對晶圓W的表面進行液體處理。另外，在液體處理裝置100中，以液體接收杯體部40回收從儲存槽20排出的液體，以及供給至旋轉的晶圓W的表面上、因為晶圓W的旋轉而被甩出來的液體。另外，在液體處理裝置100中，藉由驅動部30，使基板支持部10與乾燥杯體42上升，在與進行液體處理的位置不同的位置進行乾燥處理。
基板支持部10，包含：環狀的頂板構件10a；爪部10s，其在頂板構件10a的下方夾持晶圓W；頂板噴嘴10n，其位於頂板構件10a之中央部；以及加熱部10L，其加熱晶圓W。
頂板構件10a，在晶圓W的表面(圖樣形成面)朝向下方的狀態下支持晶圓W。在頂板構件10a中，以隔著相等間隔的方式配置了例如3個爪部10s。頂板噴嘴10n，對晶圓W的頂面供給液體(處理液等液體)。加熱部10L，將晶圓W加熱至既定的溫度，以使晶圓W頂面的液體(液體膜)的溫度保持均勻。加熱部10L，可使用例如LED(Light Emitting Diode)。
儲存槽20包含：圓形的底部20b，其以與基板支持部10所支持的晶圓W的底面相對向的方式設置；堰部20d，其包含以在底部20b的外圓周部圍住底部20b的方式所設置的圓周壁；供給部20s，其對儲存槽20供給液體；以及密封構件23，其位於底部20b與堰部20d的滑動部。
底部20b包含：環狀的底板構件20a；以及超音波振動板20c，其使晶圓W產生振動。與底板構件20a的晶圓W的底面相對向的表面，為從底板構件20a的中心部往外圓周部的方向下降的傾斜面。超音波振動板20c，其使液體振動，並且使與液體接觸的晶圓W的表面受到物理性的洗淨。
底部20b，能夠以改變與堰部20d之相對位置關係的方式移動，在使底部20b(底板構件20a)之上端的位置較堰部20d的上端更低的情況下，藉由底部20b與堰部20d，形成可儲存液體的槽(容器)。此處，關於使底部20b與堰部20d之相對位置關係改變的方法，可使底部20b或是堰部20d的任一方移動，亦可使底部20b及堰部20d雙方相對地移動。
堰部20d，係以在儲存槽20的外圓周部圍住底板構件20a之方法設置的圓筒形狀的構件。堰部20d之上端的表面，係從堰部20d的中心部往外圓周部的方向下降的傾斜面。
供給部20s包含：位於底板構件20a的中心部的底板噴嘴20n；以及從底板構件20a的中心部往外圓周部的方向配置的複數的吐出口20m。底板噴嘴20n及吐出口20m，對晶圓W的底面供給液體。
密封構件23，可防止儲存於儲存槽20的液體從底部20b(底板構件20a)與堰部20d之間的間隙漏出，以確保底板構件20a與堰部20d之間的滑動部的水密性。密封構件23，可使用例如O型環等構件。
驅動部30包含：馬達30M，其驅動基板支持部10的頂板構件10a並使其旋轉；基板驅動部30a，其使基板支持部10(晶圓W)與儲存槽20之間的距離變化；以及底部驅動部30b，其使底部20b上下移動。又，驅動部30的基板驅動部30a及底部驅動部30b，只要是藉由馬達、汽缸或是電磁力等元件的旋轉運動或是直線運動將被驅動部移動至所需要的位置的機構，可使用任何一種機構。
液體接收杯體部40包含：環狀的第1收納部40a，其使儲存於儲存槽20的液體排出；環狀的第2收納部40b，其設置在較第1收納部40a更外側的位置，並在對旋轉中之晶圓W供給液體的期間，回收因為離心力而被甩出來的液體；以及可動式的分隔導引構件40g，其區分第1收納部40a與第2收納部40b。另外，液體接收杯體部40包含：排液口41c，其使流入第1收納部40a的液體排出；排液口41d，其使流入第2收納部40b的液體排出；以及排氣口41e，其將液體處理裝置100內的環境氣體排出。此處，液體接收杯體部40，在分隔導引構件40g位於上方導引位置Gup(圖1中以實線所示的位置)時從排液口41c排出液體，在分隔導引構件40g位於下方導引位置Gdw(圖1中以虛線表示的位置)時從排液口41d排出液體。
乾燥杯體42，如圖2(a)所示，具有環狀的形狀。乾燥杯體42的內徑，比液體處理裝置100所處理的晶圓W之直徑更大，晶圓W可藉由晶圓支持部10在乾燥杯體42內部於上下方向上移動。另外，如圖1所示，乾燥杯體42包含 上部平板42a與下部平板42b。上部平板42a，具有以朝向外圓周部下降的方式傾斜的傾斜面，且在其外緣部之處與下部平板42b結合。因此，乾燥杯體42具有朝向中心開口的開口部P。另外，在下部平板42b中，如圖2(a)所示，形成對稱於乾燥杯體42的中心、用以將乾燥杯體42的內部的氣體排出的2個開口h，如圖1所示，該等開口h與導管42c連接。開口h，只要可使乾燥杯體42內的氣體排出即可，亦可設置2個以上的開口h。導管42c，其下方部分，以可上下移動的方式插入排氣排液導管42d當中。排氣排液導管42d，透過阻尼器42e以及氣液分離器42f與排氣裝置(圖中未顯示)連接。
另外，如圖2(b)所示，在乾燥杯體42中設置驅動機構42g，藉此調整乾燥杯體42之上下方向的位置。具體而言，乾燥杯體42，藉由驅動機構42g，被配置於液體接收杯體部40之上且與其隔著些許間隙的位置(參照圖1，以下將此位置稱為下方位置)，或是被配置於液體接收杯體部40的上方且與其隔著間隔的位置(參照圖7，以下將此位置稱為上方位置)。在將晶圓W搬出及搬入液體處理裝置100時，為了避免影響晶圓W，乾燥杯體42被配置於下方位置。
乾燥杯體42在乾燥處理時被配置於上方位置，並且位於藉由晶圓支持部10支持於儲存槽20上方的晶圓W的外緣與乾燥杯體42的開口部P相對向的位置。此時，在乾燥杯體42內，因為晶圓W的旋轉而在晶圓W的周圍產生從晶圓W的中心流向外圓周的氣流。此氣流，藉由排氣裝置，從乾燥杯體42的開口部P，通過開口h，被導管42c所吸引而被排出至排氣排液導管42d。另外，因為晶圓支持部10的旋轉而從晶圓W飛濺出來的液體，通過開口部P被乾燥杯體42接收。被接收的液體，在下部平板42b上流動，從開口h通過導管42c，流到排氣排液導管42d，藉由氣液分離器42f，使液體通過既定的排液路徑(圖中未顯示)排出。又，排氣裝置的排氣量可藉由阻尼器42e進行調整。
另外，在乾燥杯體42被配置於上方位置的乾燥處理時，在液體接收杯體部40與乾燥杯體42之間，形成連通液體接收杯體部40及乾燥杯體42的內 外空間的氣流路徑42h(參照圖2(b))。氣流路徑42h的功效，將於下方進行說明。
在液體處理裝置100的液體供給系統中，液體供給源50，透過供給管57，與供給部20s(底板噴嘴20n)連接。
液體供給源50，在本實施態樣中，包含4支配管51~54。供給的液體(處理液)，可為從配管52供給以作為洗淨液的SC1、從配管51供給以作為沖洗液的常溫去離子水(CDIW；Cold Deionization Water)、從配管53供給的高溫去離子水(HDIW；Hot Deionization Water)以及從配管54供給以作為剝離光阻之處理液的硫酸(H2SO4)。
另外，對於配管51~54，設置集合閥56。集合閥56的入口與配管51~54連接，集合閥56的出口與供給管57連接。另外，集合閥56，具有與配管51~54對應的三通閥。此處，三通閥，藉由擇一地使閥開閉，以對供給管57擇一地供給所需要的液體。具體而言，若三通閥51a開啟，流經配管51的去離子水(CDIW)流入供給管57。另一方面，在關閉的其他三通閥當中，流經相對應的配管52~54的液體，則就此流過配管52~54而不流入供給管57。
又，亦可藉由將複數的閥分別設置於配管51~54上以代替具有上述構造的集合閥56，來對供給管57擇一地供給液體。
供給管57，透過圖中未顯示的流量控制器及供給閥，與供給部20s的底板噴嘴20n連接。供給管57，更進一步與圖中未顯示的排液管連接。
另一方面，供給部20s的吐出口20m，在本實施態樣當中，透過開閉閥，吐出過氧化氫水(H2O2)。另外，基板支持部10的頂板噴嘴10n，供給液體及氣體。頂板噴嘴10n的構造(配管、閥等元件)，因為與底板噴嘴20n的情況相同，故省略其說明。
(液體處理的動作)
接著，參照圖1~圖6，就上述的液體處理裝置100中所實施的液體處理方法之一例進行說明。圖3係說明液體處理方法之流程圖的實施例。圖4~圖6，係說明所實施之液體處理的各個步驟的說明圖。參照圖1及圖4~圖6，就圖3的液體處理方法進行說明。
首先，在圖3的步驟S1(及圖1)中，液體處理裝置100，藉由搬送機構61，將晶圓W搬入液體處理裝置100中(圖1的M1)。接著，基板支持部10，藉由圖中未顯示的傳遞機構，從搬送機構61接收晶圓W，並藉由爪部10s(旋轉夾頭)支持晶圓W。基板支持部10，以晶圓W的圖樣形成面(表面)朝向下方的方式，支持晶圓W。此時，為了避免干涉搬送機構61，乾燥杯體42被配置於下方位置。之後，進入步驟S2。
在圖3的步驟S2(及圖4)中，液體處理裝置100，以剝離在晶圓W表面形成之光阻的處理，作為旋轉處理步驟。具體而言，首先，在圖4中，液體處理裝置100藉由基板驅動部30a，將基板支持部10移動至下方(M1)。此時，移動至下方的頂板構件10a，位於液體接收杯體部40與處於下方位置的乾燥杯體42之間。藉此，便可覆蓋液體接收杯體部40上方的開口。在此同時，分隔導引構件40g位於上方導引位置Gup。
接著，藉由馬達30M，晶圓W(頂板構件10a)，以既定的旋轉速度(例如，500rpm)旋轉。之後，配管54的三通閥開啟，從底板噴嘴20n吐出硫酸(H2SO4)。另外，從吐出口20m吐出過氧化氫水(H2O2)。
此時，硫酸以及過氧化氫水形成混合液，產生硫酸與過氧化氫水的化學反應(H2SO4+H2O2→H2SO5+H2O)，生成含有具備強氧化力的H2SO5的SPM。另外，晶圓W表面上的SPM，因為受到晶圓W的旋轉所產生的離心力，從晶圓W表面的中央部向外圓周部擴散，在其表面上形成SPM的液體薄膜。此時，藉由SPM的氧化反應，可剝離殘存於晶圓W表面的不需要的光阻。
晶圓W表面上的SPM的液體薄膜的溫度，往晶圓W的外圓周的方向降低。因此，液體處理裝置100，藉由加熱部10L，加熱晶圓W的外圓周部以防止液體薄膜的溫度下降。另外，晶圓W表面上的SPM因為離心力而從晶圓W的外圓周邊緣飛濺出來，故液體處理裝置100藉由液體接收杯體部40的第1收納部40a回收飛濺出來的SPM的液滴，並將其排出至排液口41c。另外，雖然高溫的SPM會產生蒸氣與霧氣等煙霧，但因為頂板構件10a覆蓋著液體接收杯體部40上方的開口，故可防止SPM的煙霧流至液體接收杯體部40的上方。
根據以上所述，結束旋轉處理步驟的處理，停止晶圓W的旋轉，進入步驟S3。又，亦可省略旋轉處理步驟，從前一步驟(步驟S1)進入下一步驟(步驟S3)。
接著，在圖3的步驟S3(及圖5)中，液體處理裝置100，對儲存槽20供給液體，並使該液體儲存於儲存槽中。具體而言，首先，液體處理裝置100，將分隔導引構件40g的位置移動至下方(G1)，使液體可排出至排液口41d。更進一步，藉由底部驅動部30b使底部(底板構件20a)下降。使底板構件20a的上端位置比堰部20d的上端更低，藉由底板構件20a與堰部20d，形成可儲存液體的儲存槽20。此時，乾燥杯體42，與旋轉處理步驟相同，位於下方位置。
接著，在液體處理裝置100中，開啟配管53(或是配管51)的三通閥，從底板噴嘴20n供給HDIW(或是CDIW)，並將HDIW(或是CDIW)儲存於儲存槽20，以作為儲存步驟。接著，在液體處理裝置100中，藉由基板驅動部30a，使基板支持部10移動至下方(M1)，將晶圓W浸漬到HDIW(或是CDIW)液體中的處理(以下稱為DIP處理)，作為浸漬步驟。在液體處理裝置100中，以既定的時間進行DIP處理。此時，在液體處理裝置100中，可藉由DIP處理，均勻的洗淨晶圓W的表面。此時，液體接收杯體部40上方的開口，由頂板構件10a所覆蓋，可防止來自儲存的液體之環境氣體流動至液體接收杯體部40 的更上方。
此處，液體處理裝置100，在DIP處理中，亦可藉由馬達30M，使晶圓W(頂板構件10a)以低旋轉的旋轉速度旋轉。另外，亦可藉由底部20b的超音波振動板20c，使晶圓W等基板振動，以對晶圓W的表面進行物理性的超音波洗淨。
又，在步驟S3中，於DIP處理中，可連續的供給液體至儲存槽20中，以從堰部20d的上端排出液體並進行洗淨(以下稱為溢流洗淨)。此情況下，在液體處理裝置100中，液體接收杯體部40(第2收納部40b)收納被排出的液體，之後，可將液體排出至排液口41d。在溢流洗淨中，可在洗淨晶圓W的同時，洗淨底板構件20a等元件，該底板構件20a附著了於步驟S2中所使用的液體(SPM等處理液)。根據上述的步驟，結束DIP處理，進入步驟S4。
在步驟S4(及圖6)中，液體處理裝置100，將排出儲存槽20之液體的處理當作排出步驟。具體而言，首先，在液體處理裝置100中，藉由基板驅動部30a，使基板支持部10移動至上方(M1)，從儲存在儲存槽20中的液體將晶圓W提起，使其離開該液體。另外，在液體處理裝置100中，以底部驅動部30b使底部(底板構件20a)上升，藉此，使底部(底板構件20a)上端的表面相對於堰部20d上端的表面相對性上升(M2)。藉此，因為底板構件20a及堰部20d上端的表面，係從底板構件20a的中心部往外圓周部的方向下降的傾斜面，故可將儲存槽20的液體排出至第2收納部40b。另一方面，在液體處理裝置100中，亦可藉由以圖中未顯示的堰部驅動部使堰部20d下降，使堰部20d上端的表面相對於底部(底板構件20a)上端的表面相對性下降。更進一步，亦可在排出儲存槽20的液體之後，藉由馬達30M，使晶圓W(頂板構件10a)旋轉，以去除晶圓W表面上的液體。
根據上述的步驟，若排出儲存槽20之液體的處理結束，則進入步驟S5。又，亦可在排出步驟的處理之後，進行旋轉處理步驟的處理之後再進入步驟S5。例如，可以晶圓W的旋轉洗淨步驟及沖洗處理步驟作為旋轉處理步 驟。
在圖3的步驟S5(及圖7)中，於液體處理裝置100中使晶圓W旋轉，以進行將晶圓W乾燥的處理。具體而言，在藉由基板驅動部30a進行使基板支持部10移動至上方的動作的同時，如圖7所示，藉由驅動機構42g使乾燥杯體42移動至上方位置。藉由使乾燥杯體42移動至上方位置，形成在液體接收杯體部40與乾燥杯體42之間、連通內外空間的氣流路徑42h。此時，藉由底部驅動部30b，使底部(底板構件20a)下降，形成儲存槽20，並將DIW儲存於儲存槽20。
接著，藉由馬達30M，使晶圓W(頂板構件10a)旋轉。藉此，殘留於晶圓W表面及背面的DIW因為離心力而被甩出，以乾燥晶圓W。被甩出的DIW如圖7中的箭頭Y1所示，流入以圍住晶圓W的周圍的方式配置的乾燥杯體42的開口部P，通過導管42c從排氣排液導管42d被排出。另外，此時藉由晶圓W的旋轉，在晶圓W邊緣產生從旋轉中心朝向外圓周的氣流，此外，通過排氣排液導管42d，在乾燥杯體42內藉由排氣裝置進行排氣。藉此，在晶圓W的邊緣所產生的蒸氣與霧氣等煙霧，通過開口部P、導管42c及排氣排液導管42d而被吸引。接著，若乾燥杯體42內部進行排氣，則可從在乾燥杯體42與液體接收杯體部40之間所形成的氣流路徑42h，吸入與排氣量相同程度之量的乾淨氣體。
根據上述的步驟，若乾燥處理結束，晶圓W的旋轉停止，則進入步驟S6。
在圖3的步驟S6中，於液體處理裝置100中，藉由搬送機構61(圖1)，將處理結束的晶圓W搬出液體處理裝置100的外部。搬出方法，因為與步驟S1之相反順序相同，故省略其說明。若搬出結束，則進入圖中的「END」，結束液體處理的動作。
以下，就本發明之實施態樣的液體處理裝置100及液體處理方法的優點 進行說明。在本實施態樣中，可在不同的高度進行上述使用液體的旋轉處理與浸漬處理，以及晶圓W的乾燥處理。藉此，可區分進行液體的旋轉處理、浸漬處理的空間與進行乾燥處理的空間，進而防止因為在液體處理之後所殘留的環境氣體在乾燥處理時污染晶圓W。更進一步，在進行液體處理時，因為液體接收杯體部40的開口被頂板構件10a所覆蓋，故可防止因為液體處理所產生的蒸氣與霧氣等煙霧，擴散至液體接收杯體部40的上方。因此，在乾燥處理時，晶圓W與乾燥杯體42所移動至的上方位置，並不存在因為液體處理而產生的蒸氣與霧氣等煙霧，故可防止因為在乾燥處理時煙霧附著於晶圓W而產生粒子。
另外，在液體處理裝置100中，於晶圓W的乾燥處理時，在藉由驅動機構40g使乾燥杯體42位於液體接收杯體部40的上方時，在乾燥杯體42與液體接收杯體部40之間形成較大的氣流路徑42h。因此，可通過氣流路徑42h，在晶圓W與儲存槽20之間的空間，從乾燥杯體42的外側吸入乾淨氣體(圖7的箭頭Y2)。藉此，可在晶圓W與儲存槽20之間的空間，藉由流入的乾淨氣體大致維持在常壓的壓力之下。更進一步，可藉由乾淨氣體的流入，以乾淨的環境氣體進行乾燥處理。
更進一步，在液體處理裝置100中，在乾燥處理時將DIW儲存於儲存槽20。在本實施態樣中，雖可在使用硫酸與過氧化氫水等藥液的旋轉處理步驟之後，進行藉由DIW的浸漬步驟以使用DIW來去除底板構件20a上的藥液，但還是有藥液殘留在底板構件20a上的可能性。若在乾燥處理時殘留藥液，則會發生因為該藥液所引起的藥液之環境氣體，可能會對晶圓W產生不良的影響。然而，在本實施態樣中的液體處理裝置100之中，因為在乾燥處理時，於底板構件20a之上儲存有DIW，故不會產生藥液的環境氣體，可防止晶圓W被污染。
以上，雖參照實施態樣對本發明進行說明，但本發明並不僅限於此，對照添附的申請專利範圍，可進行各種的變化或是變更。
例如，在步驟S5(圖7)中，亦可藉由馬達30M一邊使晶圓W(頂板構件10a)旋轉，一邊使晶圓W移動至上方位置。藉此，可提早開始從晶圓W去除DIW，並可縮短乾燥處理所需要的時間。
另外，乾燥杯體42與頂板構件10a，雖分別具有驅動構件，但是亦可藉由將乾燥杯體42與頂板構件10a互相卡合而使用1個驅動構件進行升降。藉此，在頂板構件10a上升時，乾燥杯體42亦會上升，可確實的以乾燥杯體42覆蓋晶圓W的周圍。
另外，在步驟S3(圖5)中，亦可在從底板構件20a的底板噴嘴20n朝向晶圓W的底面供給DIW的同時，從頂板構件10a的頂板噴嘴10n朝向晶圓W的頂面供給DIW。藉此，便可同時對晶圓W的兩面進行沖洗洗淨。
另外，乾燥杯體42雖因為上部平板42a與下部平板42b而具有錐狀的剖面形狀(參照圖1)，但並不僅限於此，亦可具有例如C字型、U字型或字型這樣的剖面形狀。
另外，在本實施態樣中，乾燥杯體42雖可上下移動，但是亦可將乾燥杯體固定於進行晶圓W的乾燥處理的高度。藉此，可在乾燥杯體與液體接收杯體之間形成氣流路徑，並可在晶圓W與儲存槽20之間的空間，吸入從乾燥杯體42的外側而來的乾淨氣體。更進一步，不僅限於吸入從乾燥杯體42的外側而來的乾淨氣體，亦可在乾燥杯體與液體接收杯體之間的空間插入噴嘴等氣體供給部，以對晶圓W的底面供給氣體。
另外，可常態的藉由排氣裝置進行乾燥杯體42內的排氣，亦可僅在乾燥處理時使該排氣裝置作用。亦可以在液體處理時使排氣變弱、在乾燥處理時使排氣變強的方式來控制該排氣裝置。
另外，在上述的實施態樣中，雖說明晶圓W的圖樣形成面朝向下方的情況，但並不僅限於此，亦可使圖樣形成面朝向上方。
另外，雖舉H2SO4、SC1及DIW等液體為例來當作所使用的液體，但並不僅限於此，當然亦可使用對應於所實施之液體處理的液體(或是氣體)。
在上述的實施態樣中，雖以對於晶圓實施液體處理的情況為例進行說明，但是亦可在製造平面顯示器用的玻璃基板等基板的步驟中，在對基板實施液體處理的情況下使用本發明。
100‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧基板支持部
10a‧‧‧頂板構件
10L‧‧‧加熱部
10s‧‧‧爪部
10n‧‧‧頂板噴嘴
20‧‧‧儲存槽
20a‧‧‧底板構件
20b‧‧‧底部
20c‧‧‧超音波振動板
20d‧‧‧堰部
20m‧‧‧吐出口
20n‧‧‧底板噴嘴
20s‧‧‧供給部
23‧‧‧密封構件
30‧‧‧驅動部
30a‧‧‧基板驅動部
30b‧‧‧底部驅動部
30M‧‧‧馬達
40‧‧‧液體接收杯體部
40a‧‧‧第1收納部
40b‧‧‧第2收納部
40g‧‧‧分隔導引構件
41c‧‧‧排液口
41d‧‧‧排液口
41e‧‧‧排氣口
42‧‧‧乾燥杯體
42a‧‧‧上部平板
42b‧‧‧下部平板
42c‧‧‧導管
42d‧‧‧排氣排液導管
42e‧‧‧阻尼器
42f‧‧‧氣液分離器
50‧‧‧液體供給源
51‧‧‧配管
51a‧‧‧三通閥
52‧‧‧配管
53‧‧‧配管
54‧‧‧配管
56‧‧‧集合閥
57‧‧‧供給管
61‧‧‧搬送機構
P‧‧‧開口部
W‧‧‧晶圓
Gdw‧‧‧下方導引位置
Gup‧‧‧上方導引位置

Claims (13)

  1. 一種液體處理裝置，其特徵為包含：基板保持部，其自基板的上方以基板的表面朝向下方之狀態保持基板；旋轉驅動部，其使該基板保持部旋轉；基板保持部升降構件，其使該基板保持部上升至乾燥基板的上方位置及下降至對基板進行液處理之下方位置；處理液供給部，其對該基板供給處理液；液體接收杯體，在對該基板供給該處理液時，其圍住該基板；乾燥杯體，在對該基板供給該處理液時，其位於該基板與該液體接收杯體的上方；以及氣流路徑，在該乾燥杯體與該液體接收杯體之間，吸入該乾燥杯體外側之氣體；該乾燥杯體，在乾燥該基板時，圍住該基板，並且位於該液體接收杯體的上方。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該乾燥杯體，在乾燥該基板時，位於比在對該基板供給該處理液時的位置更高的位置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該乾燥杯體，具有由上部平板與下部平板所構成的環狀形狀，並具有朝向該基板中心開口的開口部。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該基板保持部與該乾燥杯體同步上升。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中更包含：乾燥杯體升降構件，其使該乾燥杯體上升及下降。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，在乾燥該基板時，對該基板的底面供給氣體。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，該基板保持部，在上升時一邊旋轉一邊上升。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中更包含：液體儲存部，其可儲存液體，並使該基板浸漬到所儲存的液體當中； 在乾燥該基板時，將純水儲存於該液體儲存部當中。
  9. 一種液體處理方法，其特徵為包含：液體處理步驟，其自基板的上方以基板的表面朝向下方之狀態保持基板並於液體處理位置進行液體處理；以及乾燥處理步驟，其在比該液體處理位置更上方的乾燥位置，使在該液體處理步驟中進行過該液體處理的該基板乾燥；在該液體處理步驟中，以液體接收杯體圍住位於該液體處理位置的該基板，該液體接收杯體接收該液體處理所使用的處理液；在該乾燥步驟中，位於該乾燥位置的該基板被乾燥杯體圍住並且旋轉，該乾燥杯體具有圍住該基板且朝向該基板開口的開口部；且對該液體接收杯體與該乾燥杯體之間的空間供給氣體。
  10. 如申請專利範圍第9項之液體處理方法，其中更包含：基板上升步驟，其使該基板從該液體處理位置上升至該乾燥位置。
  11. 如申請專利範圍第9項之液體處理方法，其中更包含：基板上升步驟，其使該基板從該液體處理位置上升至該乾燥位置；在該基板上升步驟中，該基板與該乾燥杯體同步上升。
  12. 如申請專利範圍第10項之液體處理方法，其中，在該基板上升步驟中，該基板一邊旋轉一邊上升。
  13. 如申請專利範圍第9項之液體處理方法，其中，在該乾燥處理步驟中，將純水儲存在配置於比該乾燥位置更下方的儲存槽當中。
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