JP5840563B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
次に、ウエハWを保持した基板保持部10を、搬出入位置から、図2に示す第1処理位置まで下降させる。このときウエハWは、カップ体50の外壁52の上縁52aより低く、かつ仕切壁53の上縁53aより高い高さ位置に位置する。また、貯留部30の堰部材32を中間位置に位置させ、リンスノズル45から60℃〜80℃程度に加熱したDIWを噴出させ、貯留部30内にDIWを貯留する。なお、次工程が常温の処理液でウエハWを処理する場合には、常温のDIWを用いてもよい。噴出開始から貯留部30内にDIWが満たされるまでの間は、迅速に貯留部30内にDIWを満たすことができるような噴出流量でリンスノズル45からDIWを供給する。貯留部30内にDIWが満たされた後は、リンスノズル45からのDIWの噴出流量は、貯留部30の堰部材32と底板31との間の隙間34から第1内部空間50Aの内側部分50A1に漏出するDIWの漏出流量とほぼ均衡するように、減少させる。なお、このとき、堰部材32の上縁32aを越えて第1内部空間50Aの外側空間50A2にオーバーフローするDIWがあっても構わない。
薬液処理を所定時間行った後、下ノズル40からのSPM液の吐出を停止し、ヒータ15への通電を停止し、基板保持部10の回転を停止する。また、貯留部30の堰部材32を中間位置から上昇位置へと移動させるとともに、リンスノズル45からのDIWの噴出量を増加させる。図3に示すように貯留部30がDIWで満たされたら、リンスノズル45からのDIWの噴出流量を、貯留部30の堰部材32と底板31との間の隙間34から第1内部空間50Aの内側部分50A1に漏出するDIWの漏出流量とほぼ均衡するように、減少させる。なお、このときも、堰部材32の上縁32aを超えて第1内部空間50Aの外側部分50A2にオーバーフローするDIWがあっても構わない。また、下ノズル40がウエハWと衝突しないように、下降位置に下降させる。このとき、下ノズル40のほぼ全体が、底板31内に埋没する。これによって、貯留部30の全深さが、ウエハWを浸漬するために有効利用できるようになる。
上記のDIPリンス処理(ホットDIWに浸漬した状態で行われるリンス処理)を所定時間行った後、リンスノズル45からのDIWの噴出を停止し、図4に示すように、貯留部30の堰部材32を上昇位置から下降位置へと移動させる。これにより、貯留部30に貯留されていたDIWの大半は、一気に堰部材32の上縁32aを越えてカップ体50の第1内部空間50Aの外側部分50A2内に流入し、第1排出口55から排出される。貯留部30に貯留されていたDIWの残りは、隙間34を通って第1内部空間50Aの内側部分50A1に流入し、第1排出口55から排出される。基板処理部10および下ノズル40は、DIPリンス処理を実行しているときと同じ高さ位置に維持する。この状態で、基板保持部10によりウエハWを回転させて、下ノズル40のリンス液吐出口42bからウエハWの下面中央部に常温のDIWを吐出し、また、上ノズル20のリンス液吐出口21bからウエハWの上面中央部に常温のDIWを吐出する。ウエハ上下面の中央部に吐出されたDIWは、遠心力により、ウエハW上に残存する汚染物質を洗い流しながらウエハWの周縁に向かって拡がり、ウエハWの外方に飛散する。カップ体50の仕切壁53の上縁53aは、ウエハWよりも高い高さ位置にあるため、飛散したDIWは、仕切壁53に受け止められ、第1内部空間50Aの外側部分50A2を下方に流れて、第1排出口55から排出される。
DIWリンス処理を所定時間行った後、下ノズル40のリンス液吐出口42bおよび上ノズル20のリンス液吐出口21bからのDIWの吐出を停止し、ウエハWの回転速度を増加させる。これにより、ウエハW上に残存するDIWが遠心力により振り切られ、これによりウエハWの乾燥が行われる。このとき、ウエハWから飛散したDIWは、仕切壁53に受け止められ、第1内部空間50Aの外側部分50A2を下方に流れて、排出口55から排出される。また、このとき、下ノズル40のN2吐出口43bからウエハWの下面中央部にN2ガスを吐出し、また、上ノズル20のN2ガス吐出口22bからウエハWの上面中央部にN2ガスを吐出する。これによりウエハW周辺の雰囲気の酸素濃度および湿度が低下し、ウオーターマークの発生を防止しつつ、効率よくウエハWの乾燥を行うことができる。
2 第2処理部
10 基板保持部
14 回転機構
18 基板移動機構(昇降機構)
40 処理液供給ノズル(下ノズル)
30 貯留部
31 底壁(底板)
45 液供給手段(リンスノズル)
200 制御部
Claims (9)
- 基板処理装置において、
基板に第1液処理を行うための第1処理部と、
前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、
基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、 基板の下面に第2液処理のための第2処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
底壁と、当該底壁の周縁に設けられた周壁とを有する貯留部と、
前記第1処理部において前記第1液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが下降位置に位置し、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが前記下降位置よりも高い上昇位置に位置するように、前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、
を備え、
前記第1液処理は、前記貯留部に貯留された第1処理液に基板を浸漬して行う液処理であり、前記下降位置にあるときに前記処理液供給ノズルの少なくとも一部が前記貯留部の前記底壁内に埋没する、基板処理装置。 - 基板処理装置において、
基板に第1液処理を行うための第1処理部と、
前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、
基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、 基板の下面に第2液処理のための第2処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
底壁と、当該底壁の周縁に設けられた周壁とを有する貯留部と、
前記第1処理部において前記第1液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが下降位置に位置し、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが前記下降位置よりも高い上昇位置に位置するように、前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、
を備え、
前記第1液処理は、前記貯留部に貯留された第1処理液に基板を浸漬して行う液処理であり、
前記処理液供給ノズルは、前記貯留部の底壁を鉛直方向に貫通する穴の中に通されている、基板処理装置。 - 前記第2処理部において基板に前記第2液処理を行う際に、前記貯留部に貯留する液を供給する液供給手段を更に備え、
前記制御部は、前記第2処理部で前記第2液処理が行われて前記処理液供給ノズルが前記上昇位置にあるときに、前記処理液供給ノズルの少なくとも前記吐出口が前記貯留部に貯留された液の液面よりも高い位置に位置するように、前記ノズル昇降機構を制御するように構成されている、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 基板処理装置において、
基板に第1液処理を行うための第1処理部と、
前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、
基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、 基板の下面に第2液処理のための第2処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
底壁と、当該底壁の周縁に設けられた周壁とを有する貯留部と、
前記第1処理部において前記第1液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが下降位置に位置し、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが前記下降位置よりも高い上昇位置に位置するように、前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、
を備え、
前記第1液処理は、前記貯留部に貯留された第1処理液に基板を浸漬して行う液処理であり、
前記第2処理部において前記基板に第2液処理を施す際に、前記貯留部から液を排出しながら前記貯留部に液が供給される、基板処理装置。 - 基板処理装置において、
基板に第1液処理を行うための第1処理部と、
前記第1処理部の上方において基板に第2液処理を行うための第2処理部と、
基板を前記第1処理部と第2処理部との間で移動させることができる基板移動機構と、 基板の下面に第2液処理のための第2処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
底壁と、当該底壁の周縁に設けられた周壁とを有する貯留部と、
前記第1処理部において前記第1液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが下降位置に位置し、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に前記処理液供給ノズルが前記下降位置よりも高い上昇位置に位置するように、前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、
を備え、
前記第1液処理は、前記貯留部に貯留された第1処理液に基板を浸漬して行う液処理であり、
前記貯留部の前記底壁と前記周壁とが相対的に上下動可能である、基板処理装置。 - 前記第1液処理を実行する際の前記底壁に対する前記周壁の高さが、前記第2液処理を実行する際の前記底壁に対する前記周壁の高さよりも高くなるように、前記底壁と前記周壁とを相対的に上下動させる昇降手段をさらに備えた、請求項5記載の基板処理装置。
- 基板に第1液処理を行うための第1処理部と、前記第1処理部の上方において前記基板に第2液処理を行うための第2処理部と、を備えた基板処理装置を用いて行われる基板処理方法において、
前記第1処理部において、第1処理液を用いて基板に第1液処理を施すことと、
処理液供給ノズルにより前記基板の下面に第2処理液を供給することにより、前記第2処理部において前記基板に第2液処理を施すことと、
を備え、
前記第1液処理は、貯留部に貯留した第1処理液に前記基板を浸漬して行われ、
前記第1処理部において前記第1液処理を行う際に前記処理液供給ノズルを下降位置に位置させて前記処理液供給ノズルの少なくとも一部を前記貯留部の底壁内に埋没させ、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に前記処理液供給ノズルを前記下降位置よりも高い上昇位置に位置させる、基板処理方法。 - 基板に第1液処理を行うための第1処理部と、前記第1処理部の上方において前記基板に第2液処理を行うための第2処理部と、を備えた基板処理装置を用いて行われる基板処理方法において、
前記第1処理部において、第1処理液を用いて基板に第1液処理を施すことと、
処理液供給ノズルにより前記基板の下面に第2処理液を供給することにより、前記第2処理部において前記基板に第2液処理を施すことと、
を備え、
前記第1液処理は、貯留部に貯留した第1処理液に前記基板を浸漬して行われ、
前記第2処理部において前記基板に第2液処理を施す際に、前記貯留部に液が貯留され、前記処理液供給ノズルの少なくとも吐出口が前記液の液面よりも高い位置に位置し、
前記第1処理部において前記第1液処理を行う際に前記処理液供給ノズルを下降位置に位置させ、前記第2処理部において前記第2液処理を行う際に前記処理液供給ノズルを前記下降位置よりも高い上昇位置に位置させるとともに前記貯留部から液を排出しながら前記貯留部に液を供給する、基板処理方法。 - 基板処理装置に請求項7または8記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムが格納された記憶媒体。
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