KR20130126483A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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슈이치 나가미네
노리히로 이토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 제1 처리부와, 그 위에 있는 제2 처리부를 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 처리액 공급 노즐을, 실행되는 처리에 따른 적합한 위치에 위치시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)의 하면에 제2 액처리를 위한 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐(40)과, 처리액 공급 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구(44)를 포함하고, 제1 처리부(1)에서 제1 액처리를 행할 때에 처리액 공급 노즐이 하강 위치에 위치하며, 제2 처리부(2)에서 제2 액처리를 행할 때에 처리액 공급 노즐이 하강 위치보다도 높은 상승 위치에 위치한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판에 처리액을 공급하여 기판에 정해진 액처리를 행하기 위한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하기 위한 일련의 처리에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판 상에 있는 불필요한 막 혹은 오염물질을 제거하기 위해서, 약액 또는 린스액 등의 처리액을 기판에 공급하는 액처리가 행해진다. 이러한 액처리를 행하기 위한 장치로서, 스핀 척에 의해 유지되어 회전하는 기판의 표면에, 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
통상, 상기한 타입의 기판 처리 장치에서는, 1대의 기판 처리 장치에 있어서 1장의 기판에 대하여 연속적으로 복수 종류의 액처리가 행해진다. 구체적으로는, 예컨대, 산성 약액 세정 처리, 린스 처리, 알칼리성 약액 세정 처리 및 린스 처리가 1장의 기판에 대하여 연속적으로 행해진다. 그러나, 상기한 일련의 처리 전체에 대하여 동일한 처리부를 이용하는 것이 최적이라고는 할 수 없다. 한편, 상기한 일련의 처리를 복수종의 기판 처리 장치를 이용하여 행하는 것으로 하면, 기판 처리 장치간의 반송 시간만큼 생산 효율이 저하된다.
상기한 문제를 해결하기 위해, 본 발명자는, 2개의 처리부, 즉 제1 처리부 및 제2 처리부를 상하로 마련한 기판 처리 장치를 구상하였다. 이러한 구성의 기판 처리 장치에 있어서는, 2개의 처리부 주위에, 이 처리부 주위로 처리액이 흘러나가는 것을 방지하기 위한 구조물을 마련할 필요가 있기 때문에, 처리부의 측방으로부터 처리부 내로 진입하여 후퇴하는 처리액 공급 노즐을 마련하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 고정식의 처리액 공급 노즐을 제2 처리부의 아래쪽에 마련하여, 거기에서부터 제2 처리부에 있는 기판의 하면에 처리액을 공급하는 것으로 하였다. 그러나, 이 경우, 상기 처리액 공급 노즐이 제1 처리부에서의 액처리에 악영향을 미칠 가능성이 있고, 한편, 제2 처리부에서의 액처리에 있어서 바람직한 위치에 상기 처리액 공급 노즐을 배치하는 것이 어려워진다는 문제가 있었다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2008-4878호 공보
본 발명은, 제1 처리부와, 그 위에 있는 제2 처리부를 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 제2 처리부에서 기판에 처리를 행할 때에 기판의 하면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐을, 실행되는 처리에 따른 적합한 위치에 위치시키도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 기판 처리 장치에 있어서, 기판에 제1 액처리를 행하기 위한 제1 처리부와, 상기 제1 처리부의 위쪽에서 기판에 제2 액처리를 행하기 위한 제2 처리부와, 기판을 상기 제1 처리부와 제2 처리부 사이에서 이동시킬 수 있는 기판 이동 기구와, 기판의 하면에 제2 액처리를 위한 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과, 상기 처리액 공급 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구와, 상기 제1 처리부에서 상기 제1 액처리를 행할 때에 상기 처리액 공급 노즐이 하강 위치에 위치하고, 상기 제2 처리부에서 상기 제2 액처리를 행할 때에 상기 처리액 공급 노즐이 상기 하강 위치보다도 높은 상승 위치에 위치하도록, 상기 노즐 승강 기구를 제어하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판에 제1 액처리를 행하기 위한 제1 처리부와, 상기 제1 처리부의 위쪽에서 상기 기판에 제2 액처리를 행하기 위한 제2 처리부를 포함한 기판 처리 장치를 이용하여 행해지는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제1 처리부에서, 제1 처리액을 이용하여 기판에 제1 액처리를 행하는 것과, 처리액 공급 노즐에 의해 상기 기판의 하면에 제2 처리액을 공급함으로써, 상기 제2 처리부에서, 상기 기판에 제2 액처리를 행하는 것을 포함하고, 상기 제1 처리부에 있어서 상기 제1 액처리를 행할 때에 상기 처리액 공급 노즐을 하강 위치에 위치시키며, 상기 제2 처리부에서 상기 제2 액처리를 행할 때에 상기 처리액 공급 노즐을 상기 하강 위치보다도 높은 상승 위치에 위치시키는 기판 처리 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 처리액 공급 노즐을 실행되는 처리에 따른 적합한 위치에 위치시킬 수 있어, 처리를 효율적으로 행할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치가 내장된 기판 처리 시스템의 전체 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치의 구성을 도시한 단면도로서, 약액 처리를 실행하고 있는 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 상기 기판 처리 장치에 의해 DIP 린스 처리를 실행하고 있는 상태를 도시한 개략 단면도이다.
도 4는 상기 기판 처리 장치에 의해 린스 처리 및 스핀 건조 처리를 실행하고 있는 상태를 도시한 개략 단면도이다.
이하에 첨부도면을 참조하여 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 우선, 도 1을 참조하여, 기판 세정 장치로서 구성된 기판 처리 장치(100)를 포함하는 처리 시스템에 대해서 설명한다. 처리 시스템은, 외부로부터 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」라고 칭함)를 수용한 캐리어를 배치하기 위한 배치대(101)와, 캐리어에 수용된 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 반송 아암(102)과, 반송 아암(102)에 의해 꺼내어진 웨이퍼(W)를 일시적으로 배치하기 위한 버퍼를 갖는 선반 유닛(103)과, 선반 유닛(103)에 배치된 웨이퍼(W)를 수취하여, 이 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(100) 내에 반송하는 반송 아암(104)을 구비하고 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 액처리 시스템에는, 복수(도 1에 도시된 양태에서는 10개)의 기판 처리 장치(100)와, 2개의 리버서(REV, 웨이퍼 상하 반전 장치)(105)가 내장되어 있다.
다음에, 도 2 내지 도 4를 참조하여 기판 처리 장치(100)의 구성에 대해서 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 웨이퍼(W)에 제1 액처리를 행하기 위한 제1 처리부(1)와, 상기 제1 처리부의 위쪽에서 웨이퍼(W)에 제2 액처리를 행하기 위한 제2 처리부(2)를 갖고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제1 액처리는, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 노즐로부터 웨이퍼(W)에 처리액을 토출함으로써 행해지는 액처리이고, 제2 액처리는, 웨이퍼(W)를 처리액에 침지(DIP)시킴으로써 행해지는 액처리이다. 기판 처리 장치(100)는, 제1 처리부(1)에서의 처리를 실행하기 위한 복수의 제1 처리용 부재와, 제2 처리부에서의 처리를 실행하기 위한 복수의 제2 처리용 부재를 구비하고 있다. 제1 및 제2 처리용 부재에 대해서는, 기판 처리 장치(100)의 구체적 구성을 상세히 기술한 후에 설명한다.
기판 처리 장치(100)는, 회로 패턴 형성면을 아래쪽으로 향하게 하여 웨이퍼(W)를 지지하는 기판 유지부(10)를 갖고 있다. 기판 유지부(10)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형의 상부판(11)과, 상부판(11)의 둘레 가장자리부에 마련된 3개의 파지 클로[각 도면에서는 3개 중 2개의 파지 클로(12a, 12b)가 도시되어 있음]를 갖고 있다. 3개의 파지 클로는, 상부판(11)의 원주를 3등분한 위치에 마련되어 있고, 그 중 하나의 파지 클로(12a)(도 2의 우측에 도시한 것)가 이동 가능하다. 이동 가능한 파지 클로(12a)는, 웨이퍼(W)를 다른 2개(하나밖에 도시되어 있지 않음)의 고정된 파지 클로(12b)를 향해 밀어붙이도록 스프링(도시 생략)에 의해 압박되어 있다. 파지 해방 기구(13)의 압봉(13a)에 의해, 이동 가능한 파지 클로(12a)를 스프링력에 저항하여 웨이퍼(W)를 해방시키는 위치로 이동시킬 수 있다. 이러한 파지 클로에 의한 파지 및 파지 해방을 가능하게 하는 기구는 해당 기술분야에서 잘 알려져 있어, 상세한 설명은 생략한다. 파지 클로에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 상면과, 상부판(11)의 하면 사이에는 간극이 형성되어 있다.
상부판(11)은, 모터(회전 기구)(14)에 의해 수직 축선 둘레로 회전시킬 수 있다. 상부판(11)을 회전시킴으로써, 파지 클로에 의해 파지된 웨이퍼(W)도, 상부판(11)과 함께 회전한다. 상부판(11)의 위쪽에, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(15)가 마련되어 있다. 히터(15)는, 웨이퍼(W)를 가열하는 데 알맞은 파장의 광, 예컨대 880 ㎚ 파장의 광을 조사하는 복수의 LED 램프로 이루어지는 램프 어레이에 의해 구성될 수 있다. 히터(15)에는 도시하지 않은 전원 장치로부터 통전된다. 이 경우, 램프 어레이의 바로 아래에 있는 상부판(11)의 부분은, 880 ㎚ 파장의 광을 잘 투과하는 재료로서, 후술하는 SPM액에 의해 부식되지 않는 재료, 예컨대 석영 또는 테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 구성하는 것이 바람직하다. 히터(15)는, 상부판(11)을 회전시켜도 회전되지 않도록, 상부판(11)으로부터 구조적으로 분리되어 있다. 파지 해방 기구(13), 모터(14) 및 히터(15)를 약액 분위기로부터 보호하기 위해서, 상부판(11)의 위쪽에 대략 원통형의 커버(16)가 마련되어 있다. 이 커버(16)도, 상부판(11)을 회전시켜도 회전되지 않도록, 상부판(11)으로부터 구조적으로 분리되어 있다.
모터(14)는 중공의 회전축(14a)을 갖고 있고, 회전축(14a)의 공동(空洞)의 내부 및 상부판의 중심에 형성된 구멍에, 상부 노즐(20)이 지나가고 있다. 상부 노즐(20)은, 모터(14)를 구동하여도 회전되지 않도록, 회전축(14a)에 대하여 상대 회전 가능하거나 또는 회전축(14a)으로부터 구조적으로 분리되어 있다. 상부 노즐(20) 내부를, 린스액[본 실시형태에서는 상온의 순수(純水)(「CDIW」라고도 칭함)]이 흐르는 린스액 통로(21a) 및 N2 가스가 흐르는 N2 가스 통로(22a)가, 그 축선 방향으로 연장되어 있다. 린스액 통로(21a)의 하단은 린스액 토출구(21b)로 되어 있고, N2 가스 통로(22a)의 하단은 N2 가스 토출구(22b)로 되어 있다. 린스액 통로(21a)에는, 린스액 공급 기구(21c)로부터 린스액으로서의 상온의 순수가 공급된다. N2 가스 통로(22a)에는, N2 가스 공급 기구(22c)로부터 N2 가스(질소 가스)가 공급된다.
기판 유지부(10)는 지지 아암(17)에 의해 지지되어 있다. 지지 아암(17)은, 승강 기구(18)에 의해 승강 가능하다. 승강 기구(18)는, 예컨대 볼나사 기구에 의해 구성할 수 있다. 승강 기구(18)를 구동함으로써, 상부판(11), 파지 클로(12a, 12b), 파지 해방 기구(13), 모터(14), 히터(15), 커버(16) 및 상부 노즐(20)을 함께 승강시킬 수 있다. 기판 유지부(10)는, 기판 유지부(10)에 대하여 웨이퍼(W)의 반출/반입이 행해지는 반출/반입 위치(도 2에 나타낸 위치보다도 더 높은 위치)와, 제1 처리 위치[제1 처리부(1)에서의 처리를 위한 도 2에 나타낸 위치]와, 제1 처리 위치보다도 낮은 제2 처리 위치[제2 처리부(2)에서의 처리를 위한 도 3 및 도 4에 나타낸 위치]를 취할 수 있다.
기판 유지부(10)의 아래쪽에는, 웨이퍼(W)가 침지되는 처리액을 저류하는 조(槽)를 형성하는 저류부(30)가 마련되어 있다. 저류부(30)는, 원형의 바닥판(바닥벽)(31)과, 바닥판(31)의 외주 가장자리를 둘러싸는 링형의 제방 부재(32)로 구성되어 있다. 제방 부재(32)는, 에어실린더 등의 승강 기구(33)에 의해 승강시킬 수 있고, 이에 따라 바닥판(31)과 제방 부재(32)와의 상대적 높이 위치 관계를 변경할 수 있다. 제방 부재(32)는, 상승 위치(도 3에 나타낸 위치), 중간 위치(도 2에 나타낸 위치) 및 하강 위치(도 4에 나타낸 위치)를 취할 수 있다. 바닥판(31)의 외주 가장자리와 제방 부재(32)의 내주면 사이에는 간극(34)이 형성되어 있다. 한편, 도시의 편의상, 간극(34)의 사이즈는 실제보다 크게 그려져 있다.
바닥판(31)의 상면은, 중심부가 가장 높고, 둘레 가장자리부에 가까워짐에 따라 낮아지도록 경사져 있다. 이에 따라, 저류부(30)로부터의 배액을 효율적으로 행할 수 있다. 바닥판(31)에는 초음파 진동자(35)가 마련되어 있다. 저류부(30) 내에 세정액을 저류한 상태로 초음파 진동자(35)에 도시하지 않은 초음파 발진자로부터 전력 공급함으로써, 초음파 세정을 행할 수 있다.
바닥판(31)의 중앙부를 상하로 관통하는 구멍에 하부 노즐(40)이 지나가고 있다. 하부 노즐(40) 내에는, 그 축선 방향으로, 약액[본 실시형태에서는 가열된 황산과 상온의 과산화수소수를 혼합함으로써 생성된 SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)액]이 흐르는 약액 통로(41a), 린스액[본 실시형태에서는 상온의 DIW(순수)]이 흐르는 린스액 통로(42a) 및 N2 가스 통로(43a)가 연장되어 있다. 약액 통로(41a)의 상단은 약액 토출구(41b)로 되어 있고, 린스액 통로(42a)의 상단은 린스액 토출구(42b)로 되어 있으며, 그리고, N2 가스 통로(43a)의 상단은 N2 가스 토출구(43b)로 되어 있다. 약액 통로(41a)에는, 약액 공급 기구(41c)로부터, SPM액이 공급된다. 린스액 통로(42a)에는, 린스액 공급 기구(42c)로부터 상온의 DIW가 공급된다. N2 가스 통로(43a)에는, N2 가스 공급 기구(43c)로부터 N2 가스가 공급된다.
하부 노즐(40)은, 에어실린더 등의 승강 기구(44)에 의해, 상승 위치(도 2에 나타낸 위치)와 하강 위치(도 3, 도 4에 나타낸 위치) 사이에서 승강 가능하다. 하부 노즐(40)은, 판형의 지지체(44b)에 의해 지지되어 있고, 지지체(44b)가 승강 기구(44)에 의해 승강됨으로써, 하부 노즐(40)이 승강한다. 하부 노즐(40)이 지나가는 바닥판(31)의 구멍의 내주면과 하부 노즐(40)의 외주면 사이에는 도시하지 않은 적당한 시일 부재가 마련되어 있다. 또한, 이 시일 부재로부터의 누설이 발생한 경우에 대비하여, 바닥판(31)의 하면과 지지체(44b) 사이에 하부 노즐(40)의 주위를 둘러싸도록 벨로우즈(44a)가 마련되어 있다.
또한, 바닥판(31)에는, 린스 노즐(45)이 마련되어 있다. 린스 노즐(45)에는, 린스액 공급 기구(45c)로부터 가열된 순수(「HDIW」라고도 칭함)가 공급된다.
이상 설명한 각종 처리 유체의 공급 기구[구체적으로는, 린스액 공급 기구(21c), N2 가스 공급 기구(22c), 약액 공급 기구(41c), 린스액 공급 기구(42c), N2 가스 공급 기구(43c), 린스액 공급 기구(45c)]는, 각 처리 유체의 공급원과, 상기 공급원에 접속된 관로와, 상기 관로에 설치된 유량 조정 장치(개폐 밸브, 유량 조정 밸브 등)와, 필요에 따라 마련되는 처리 유체의 온도를 조정하기 위한 온도 조절 장치(히터 등)로 구성될 수 있다. 한편, SPM액을 공급하기 위한 약액 공급 기구(41c)는, 가열한 황산(H2SO4)을 공급하는 황산 공급 기구와, 상온의 과산화수소수(H2O2)를 공급하는 과산화수소수 공급 기구와, 황산 공급 기구 및 과산화수소수 공급 기구로부터 공급된 황산과 과산화수소수를 혼합하는 인라인 믹서 등의 혼합부로 구성될 수 있다. 각 공급 기구로서는 해당 기술분야에 있어서의 공지된 것을 채용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
저류부(30)의 주위에는, 컵체(50)가 마련되어 있다. 컵체(50)는, 원환형의 내벽(51) 및 외벽(52)과, 칸막이벽(53)과, 바닥벽(54)을 갖고 있다. 컵체(50) 내에는, 내벽(51)과 칸막이벽(53) 사이에 형성되는 환형의 제1 내부 공간(50A)과, 외벽(52)과 칸막이벽(53) 사이에 형성되는 환형의 제2 내부 공간(50B)이 마련되어 있다. 이후에 상세히 설명하는 바와 같이, 제1 내부 공간(50A) 및 제2 내부 공간(50B)은 각각 처리에 제공한 유체를 이 기판 처리 장치의 외부로 배출하는 제1 배출로 및 제2 배출로의 일부를 이룬다. 제1 내부 공간(50A)은, 제방 부재(32)에 의해 내측 부분(50A1)과 외측 부분(50A2)으로 분할된다.
컵체(50)의 바닥벽(54)에는, 제1 내부 공간(50A)으로 유입되는 유체(구체적으로는, 주로 DIW)를 배출하는 제1 배출구(55)가 형성되어 있다. 또한, 컵체(50)의 바닥벽(54)에는, 제2 내부 공간(50B)으로 유입되는 유체(구체적으로는, 주로 SPM액)를 배출하는 제2 배출구(56)가 더 형성되어 있다. 제2 배출구(56)에는, 배출관(56a)이 접속되어 있고, 배출관(56a)에는 미스트 트랩(56b) 및 이젝터(56c)가 순차적으로 설치되어 있다. 배출관(56a)에 미스트 트랩(56b)을 설치하는 대신에, 컵체(50)의 제2 내부 공간(50B) 내에 기액 분리를 위한 구조를 마련하여도 좋다.
제1 내부 공간(50A) 내에는, 전술한 저류부(30)의 제방 부재(32)가 위치되어 있고, 제1 내부 공간(50A)은 제방 부재(32)에 의해 내측 부분(50A1)과 외측 부분(50A2)으로 구획되어 있다.
도 2에 개략적으로 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 그 전체의 동작을 통괄 제어하는 컨트롤러(제어부)(200)를 갖고 있다. 컨트롤러(200)는, 기판 처리 장치(100)의 모든 기능 부품[예컨대, 기판 유지부(10), 모터(14), 히터(15) 및 초음파 진동자의 전원, 각종 처리 유체의 공급 기구 등]의 동작을 제어한다. 컨트롤러(200)는, 하드웨어로서 예컨대 범용 컴퓨터와, 소프트웨어로서 이 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현될 수 있다. 소프트웨어는, 컴퓨터에 고정적으로 마련된 하드 디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나, 혹은 CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세팅되는 기억 매체에 저장된다. 이러한 기억 매체가 도 2에 있어서 참조 부호 201로 도시되어 있다. 프로세서(202)는 필요에 따라 도시하지 않은 사용자 인터페이스로부터의 지시 등에 기초하여 정해진 처리 레시피를 기억 매체(201)로부터 불러들여 실행시키고, 이에 의해 컨트롤러(200)의 제어 하에서 기판 처리 장치(100)의 각 기능 부품이 동작하여 정해진 처리가 행해진다.
다음에, 전술한 기판 처리 장치(100)를 이용하여 실행되는 기판 처리 방법의 일 실시형태로서, 웨이퍼(W)의 상면에 있는 불필요한 레지스트막을 제거하는 일련의 처리에 대해서 설명한다. 이하에 설명하는 일련의 처리는, 컨트롤러(200)가 기판 처리 장치(100)의 각 기능 부품의 동작을 제어함으로써 행해진다. 한편, 본 실시형태에서는, 컨트롤러(200)는, 도 1에 도시된 기판 처리 시스템 전체의 동작을 제어하는 기능도 갖고 있다.
제거해야 할 불필요한 레지스트막을 표면에 갖는 웨이퍼(W)가, 배치대(101)로부터 반송 아암(102)에 의해 취출되어, 선반 유닛(103)에 놓여진다. 반송 아암(104)이 선반 유닛(103)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 리버서(105)에 반입한다. 리버서(105)에서, 웨이퍼(W)는, 회로 패턴 형성면 즉 레지스트막이 형성되어 있는 면이 아래를 향하도록 상하 반전된다. 반송 아암(104)은, 리버서(105)로부터 웨이퍼(W)를 취출한다. 한편, 기판 처리 장치(100) 내에 있어서, 승강 기구(18)를 동작시켜, 기판 유지부(10)를 반출/반입 위치[기판 유지부(10)의 전체가 컵체(50)의 최상부보다도 충분히 위에 있는 위치]에 위치시킨다. 이 상태에서, 반송 아암(104)(도 2에는 도시 생략)에 의해, 반출/반입 위치에 있는 기판 유지부(10)의 파지 클로가 파지 가능한 위치에 웨이퍼(W)가 반입된다. 웨이퍼(W)가 기판 유지부(10)의 파지 클로에 의해 유지되면, 반송 아암(104)은 기판 처리 장치(100)로부터 물러나간다.
[약액 처리]
다음에, 웨이퍼(W)를 유지한 기판 유지부(10)를, 반출/반입 위치로부터, 도 2에 도시된 제1 처리 위치까지 하강시킨다. 이 때 웨이퍼(W)는, 컵체(50)의 외벽(52)의 상부 가장자리(52a)보다 낮고, 칸막이벽(53)의 상부 가장자리(53a)보다 높은 높이 위치에 위치한다. 또한, 저류부(30)의 제방 부재(32)를 중간 위치에 위치시키고, 린스 노즐(45)로부터 60℃∼80℃ 정도로 가열한 DIW를 분출시켜, 저류부(30) 내에 DIW를 저류한다. 한편, 다음 공정이 상온의 처리액으로 웨이퍼(W)를 처리하는 경우에는, 상온의 DIW를 이용하여도 좋다. 분출 개시로부터 저류부(30) 내에 DIW가 채워질 때까지는, 신속하게 저류부(30) 내에 DIW를 채울 수 있는 분출 유량으로 린스 노즐(45)로부터 DIW를 공급한다. 저류부(30) 내에 DIW가 채워진 후에, 린스 노즐(45)로부터의 DIW의 분출 유량은, 저류부(30)의 제방 부재(32)와 바닥판(31) 사이의 간극(34)으로부터, 제1 내부 공간(50A)의 내측 부분(50A1)으로 누출되는 DIW의 누출 유량과 거의 균형을 이루도록 감소시킨다. 한편, 이때, 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)를 넘어 제1 내부 공간(50A)의 외측 공간(50A2)으로 오버플로되는 DIW가 있어도 상관없다.
또한, 하부 노즐(40)을 상승시키고, 하부 노즐(40)의 선단의 약액 토출구(41b)가, 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)보다 높은 높이 위치, 즉 저류부(30) 내에 저류된 DIW의 액면보다 위의 높이 위치에 위치되도록 한다. 또한, 기판 유지부(10)에 유지한 웨이퍼(W)를 회전시키고, 계속해서 히터(15)로의 통전을 시작하며, 기판 유지부(10)에 유지한 웨이퍼(W)를 이면측(상면측)에서부터 가열한다. 또한, 이젝터(56c)를 작동시켜, 컵체(50)의 제2 내부 공간(50B) 내부를 흡인한다. 이에 따라, 상부판(11)과 외벽(52)의 상부 가장자리(52a) 사이의 간극으로부터 제2 내부 공간(50B) 내부로 향하는 공기 유동(F1)이 형성된다.
계속해서, 하부 노즐(40)의 약액 토출구(41b)로부터, 기판 유지부(10)에 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 하면 중앙부를 향해 SPM액을 토출한다. SPM액은 원심력에 의해 웨이퍼(W) 하면 상에서 외측을 향해 확산되고, 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 비산된다. SPM액은, 웨이퍼(W) 하면 상을 흘러갈 때에 레지스트막과 반응하고, 이에 따라 레지스트막이 제거된다. 제거된 레지스트막 및 반응 생성물은, 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 비산되는 SPM액과 함께, 컵체(50)의 외벽(52)의 상부 가장자리(52a)와 칸막이벽(53)의 상부 가장자리(53a) 사이에서 제2 내부 공간(50B)으로 비산되어 들어간다(화살표 S1을 참조). 공기 유동(F1)에 의해 SPM액, 반응 생성물 및 제거된 레지스트막(이하, 편의상 「오염물질」이라 부름)이 제2 내부 공간(50B)으로 비산되어 들어가는 것이 촉진된다. 또한, SPM액과 레지스트막의 반응에 의해 생긴 반응 생성물인 흄(가스 상태)도, 공기 유동(F1)에 의해 제2 내부 공간(50B) 내로 유도된다. 제2 내부 공간(50B)으로 유입된 오염물질은, 제2 배출구(56)로부터 배출되고, 미스트 트랩(56b)에 의해 액체분과 가스분이 분리되며, 공장 폐액 시스템(에시드 드레인) 및 공장 배기 시스템으로 배출된다.
웨이퍼(W) 하면에 공급된 SPM액, 반응 생성물, 제거된 레지스트막의 일부는, 중력에 의해 웨이퍼(W)의 아래쪽으로 적하(滴下)하고, 저류부(30)를 향해 낙하한다. 그러나, 저류부(30)에는 DIW가 저류되어 있기 때문에, 바꿔 말하면, 제1 처리부(1)를 이루는 저류부(30)를 구성하는 부재의 표면이 DIW에 의해 덮여져 있기 때문에, 이 부재의 표면이 오염되는 일은 없다. 또한, 저류부(30)에는 린스 노즐(45)로부터 계속적으로 DIW가 공급되고, 저류부(30)로부터 간극(34)을 통해 DIW가 유출되도록 되어 있기 때문에, 저류부(30) 내로 오염물질이 낙하하여도, 오염물질은 DIW에 의해 희석되며, DIW의 흐름을 타고 저류부(30) 내에서 유출된다. 따라서, 저류부(30)가 오염되는 일은 없다. 한편, 저류부(30)로부터 컵체(50)의 제1 내부 공간(50A)으로 유출된 DIW는, 제1 배출구(55)로부터 공장 폐액 시스템으로 배출된다.
[DIP 린스 처리]
약액 처리를 정해진 시간 동안 행한 후, 하부 노즐(40)로부터의 SPM액의 토출을 정지하고, 히터(15)로의 통전을 정지하며, 기판 유지부(10)의 회전을 정지한다. 또한, 저류부(30)의 제방 부재(32)를 중간 위치로부터 상승 위치로 이동시키고, 린스 노즐(45)로부터의 DIW의 분출량을 증가시킨다. 도 3에 도시하는 바와 같이 저류부(30)가 DIW로 채워지면, 린스 노즐(45)로부터의 DIW의 분출 유량을, 저류부(30)의 제방 부재(32)와 바닥판(31) 사이의 간극(34)으로부터, 제1 내부 공간(50A)의 내측 부분(50A1)으로 누출되는 DIW의 누출 유량과 거의 균형을 이루도록 감소시킨다. 또한, 이때에도, 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)를 넘어 제1 내부 공간(50A)의 외측 부분(50A2)으로 오버플로되는 DIW가 있어도 상관없다. 또한, 하부 노즐(40)이 웨이퍼(W)와 충돌하지 않도록, 하강 위치로 하강시킨다. 이때, 하부 노즐(40)의 거의 전체가, 바닥판(31) 내에 매몰된다. 이에 의해, 저류부(30)의 전체 깊이는, 웨이퍼(W)를 침지시키기 위해서 유효하게 이용될 수 있게 된다.
계속해서, 기판 유지부(10)를 하강시켜, 기판 유지부(10)에 의해 유지된 웨이퍼(W)를, 저류부(30)에 저류된 가열된 DIW 내에 침지시킨다. 이 상태에서, 초음파 진동자(35)를 구동하여 초음파 진동을 발생시키고, 웨이퍼(W)의 초음파 세정을 행한다. 한편, 도면의 간략화를 위해, 초음파 진동자(35)는 2개밖에 도시되어 있지 않지만, 실제로는 더 많은 수의 초음파 진동자(35)가 마련되어 있고, 웨이퍼(W)의 아래쪽에 균일하게 분포되어 있다. 한편, 보다 균일한 초음파 세정을 행하기 위해서, 기판 유지부(10)를 저속으로 회전시켜 웨이퍼(W)를 회전시켜도 좋다. 이와 같이 초음파 세정을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 하면에 부착되어 있는 약액 처리에 의한 잔류물이 웨이퍼(W)로부터 제거된다. 제거된 잔류물은, DIW와 함께 저류부(30)로부터 간극(34)을 통과하여 컵체(50)의 제1 내부 공간(50A)으로 유출되고, 제1 배출구(55)로부터 공장 폐액 시스템으로 배출된다.
[DIW 린스 처리]
상기한 DIP 린스 처리(가열된 DIW에 침지시킨 상태로 행해지는 린스 처리)를 정해진 시간 행한 후, 린스 노즐(45)로부터의 DIW의 분출을 정지하고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 저류부(30)의 제방 부재(32)를 상승 위치로부터 하강 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 저류부(30)에 저류되어 있던 DIW의 대부분은, 한꺼번에 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)를 넘어, 컵체(50)의 제1 내부 공간(50A)의 외측 부분(50A2) 내로 유입되고, 제1 배출구(55)로부터 배출된다. 저류부(30)에 저류되어 있던 DIW의 나머지는, 간극(34)을 통과하여 제1 내부 공간(50A)의 내측 부분(50A1)으로 유입되고, 제1 배출구(55)로부터 배출된다. 기판 처리부(10) 및 하부 노즐(40)은, DIP 린스 처리를 실행하고 있을 때와 동일한 높이 위치에 유지된다. 이 상태에서, 기판 유지부(10)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시켜, 하부 노즐(40)의 린스액 토출구(42b)로부터 웨이퍼(W)의 하면 중앙부에 상온의 DIW를 토출하고, 상부 노즐(20)의 린스액 토출구(21b)로부터 웨이퍼(W)의 상면 중앙부에 상온의 DIW를 토출한다. 웨이퍼 상/하면의 중앙부에 토출된 DIW는, 원심력에 의해, 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 오염물질을 씻어내면서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해 퍼지고, 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 비산된다. 컵체(50)의 칸막이벽(53)의 상부 가장자리(53a)는, 웨이퍼(W)보다도 높은 높이 위치에 있기 때문에, 비산된 DIW는, 칸막이벽(53)에 의해 받아지고, 제1 내부 공간(50A)의 외측 부분(50A2)에서 아래쪽으로 흘러 제1 배출구(55)로부터 배출된다.
[스핀 건조 처리]
DIW 린스 처리를 정해진 시간 동안 행한 후, 하부 노즐(40)의 린스액 토출구(42b) 및 상부 노즐(20)의 린스액 토출구(21b)로부터의 DIW의 토출을 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 증가시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 DIW가 원심력에 의해 털어내어지고, 이에 따라 웨이퍼(W)의 건조가 행해진다. 이때, 웨이퍼(W)로부터 비산되는 DIW는, 칸막이벽(53)에 의해 받아내어져 제1 내부 공간(50A)의 외측 부분(50A2)에서 아래쪽으로 흘러 제1 배출구(55)로부터 배출된다. 또한, 이때, 하부 노즐(40)의 N2 가스 토출구(43b)로부터 웨이퍼(W)의 하면 중앙부에 N2 가스를 토출하고, 상부 노즐(20)의 N2 가스 토출구(22b)로부터 웨이퍼(W)의 상면 중앙부에 N2 가스를 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 주변 분위기의 산소 농도 및 습도가 저하되고, 워터마크의 발생을 방지하면서, 효율적으로 웨이퍼(W)의 건조를 행할 수 있다.
이상에 의해, 1장의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리가 종료된다. 그 후, 기판 유지부(10)를 반출/반입 위치에 위치시키고, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 처리 완료된 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(100) 밖으로 반출시킨다.
상기한 설명으로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 상기 실시형태는, 제1 처리부(1)에서 행해지는 제1 액처리는 DIP 린스 처리이며, 제1 처리부의 위쪽의 제2 처리부에서 행해지는 제2 액처리는 약액 처리(SPM 처리)이다. 또한, 기판 처리 장치(100)는, 제1 처리부(1)에서의 제1 액처리를 실행하기 위한 복수의 제1 처리용 부재로서, 주로 저류부(30), 기판 유지부(10) 및 린스 노즐(45)을 갖고 있고, 제2 처리부(2)에서의 제1 액처리를 실행하기 위한 복수의 제2 처리용 부재로서, 주로 기판 유지부(10), 모터(14) 및 하부 노즐(40)을 갖고 있는 것으로 된다. 기판 유지부(10)는, 제1 처리부(1) 및 제2 처리부(2)의 양자 모두에서 기판을 유지하기 위해서 이용되고 있기 때문에, 제1 처리용 부재이면서, 제2 처리용 부재이기도 하다.
상기한 실시형태에 따르면, 제1 처리부(1)에서 제1 액처리를 행할 때에 하부 노즐(40)을 하강 위치에 위치시키고, 제2 처리부(2)에서 제2 액처리를 행할 때에 하부 노즐(40)을 상승 위치에 위치시킴으로써, 제1 액처리 및 제2 액처리를 각각 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 제1 액처리를 행할 때에, 하부 노즐(40)의 적어도 일부를 저류부(30)의 바닥판(31) 내에 매몰시켜 둠으로써, 저류부(30)의 깊이를 웨이퍼(W)의 침지를 위해 유효하게 이용할 수 있는 한편, 제2 액처리를 행할 때에는, 웨이퍼(W)에 가까운 위치에서 제2 처리액(SPM액)을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있다. 이 때문에, 하부 노즐(40)로부터의 약액의 토출량을 적게 하여도 제2 액처리를 문제없이 행할 수 있기 때문에 약액의 사용량을 삭감할 수 있고, 액 비산을 저감할 수 있으므로 파티클의 발생을 저감할 수 있다.
상기한 실시형태에 따르면, 제1 처리부(1)의 위쪽인 제2 처리부(2)에서 제2 처리액(SPM액)에 의한 약액 처리(SPM 처리)가 행해질 때에, 제1 액처리를 행할 때에 웨이퍼(W)가 침지되는 제1 처리액을 저류하는 저류부(30)에 액체(DIW)가 저류되도록 되어 있기 때문에, 저류부(30)가 제2 처리액(SPM액)으로 오염되는 것이 방지된다. 이 때문에, 제2 액처리 다음에 제1 처리부에서 제1 액처리를 행할 때에, 교차 오염(cross-contamination)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 게다가, 이 때에는, 하부 노즐(40)은 상승 위치에 있고 하부 노즐(40)의 약액 토출구(41b)가 저류부(30)에 저류된 액체(DIW)의 액면보다도 위에 위치하고 있기 때문에, 제2 액처리인 약액 처리(SPM 처리)를 문제없이 실행할 수 있다.
게다가, 제1 처리부에 공급된 액체(DIW)를 이 기판 처리 장치(100) 밖으로 배출하는 제1 배출로의 일부를 구성하는 컵체(50)의 제1 내부 공간(50A)과, 제2 처리부에 공급된 액체(SPM)를 이 기판 처리 장치(100) 밖으로 배출하는 제2 배출로의 일부를 구성하는 컵체(50)의 제2 내부 공간(50B)이 칸막이벽(53)에 의해 격리되어 있기 때문에, 제1 처리부에 공급된 액체와 제2 처리부에 공급된 액체가 반응성을 갖고 있던 경우에도, 반응에 의한 악영향(발열, 유해물질, 오염물질의 발생)이 생길 우려는 없다. 또한, 제1 처리부에 공급된 액체와 제2 처리부에 공급된 액체가 혼합되지 않기 때문에, 제2 처리부에 공급된 액체를 회수하여 재이용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에 따르면, 저류부(30)를 구성하는 바닥판(31)과 제방 부재(32)가 상대적으로 상하 이동이 가능하기 때문에, 예컨대 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)의 높이를 바닥판(31)의 상면과 동일한 높이로 함으로써, 저류부(30)에 저류되어 있던 액체를 신속하게 배출할 수 있어, 다음 공정으로 신속하게 이행할 수 있다. 또한, 바닥판(31)과 제방 부재(32)를 상대적으로 상하 이동시킴으로써, 저류부(30)의 깊이를 필요에 따라 적절하게 변경할 수 있다.
한편, 상기 실시형태에 있어서는, 도 2에 도시된 약액 처리시에 있어서 제방 부재(32)를 중간 위치에 위치시켰지만, 상승 위치에 위치시켜도 좋다. 이 경우는, 약액 처리로부터 DIP 린스 처리로의 이행 시간을 단축시킬 수 있는 한편, 하부 노즐(40)의 상하 이동의 스트로크량을 크게 할 필요가 있다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 저류부(30)에 일정량의 액체를 저류할 때의 저류부(30)로부터의 액체의 배출은, 주로 바닥판(31)과 제방 부재(32)의 간극(34)으로부터의 누출에 의해 행하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 저류부(30)의 액체의 배출을, 주로 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)에서의 액체의 오버플로에 의해 행하여도 좋다. 한편, 간극(34)으로부터의 누출에 의해 배출을 행함으로써, 저류부(30) 내에 낙하하는 오염물질(상세 후술)을 적극적으로 희석하면서 저류부(30)로부터 배출할 수 있다. 한편, 제방 부재(32)의 상부 가장자리(32a)에서의 오버플로에 의해 배출을 행함으로써, 오염물질이 많이 포함되는 표층부의 DIW를 배출할 수 있다. 누출 및 오버플로를 병용함으로써, 상기한 2개의 효과를 동시에 달성할 수 있다. 상황에 따라, 누출 및 오버플로 중 어느 한쪽만을 채용하여도 좋고, 양자 모두를 채용할 수도 있다. 누출만을 채용하는 경우에는, 오버플로가 발생하지 않도록, 린스 노즐(45)로부터의 분출 유량을 제어하면 된다. 또한, 오버플로만을 채용하는 경우에는, 제방 부재(32)와 바닥판(31) 사이의 간극(34)을 없애거나 혹은 시일링하면 된다. 누출 및 오버플로 양자 모두를 채용하는 경우에는, 원하는 양의 오버플로가 발생하도록, 린스 노즐(45)로부터의 분출 유량을 제어하면 된다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 약액 처리에서 이용되는 약액은 SPM액이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다, 다른 약액, 예컨대 SC-1, SC-2, DHF 등이어도 좋다. 또한, 일련의 처리시에, 웨이퍼(W)의 회로 패턴 형성면을 위로 향하게 하여 웨이퍼(W) 이면(패턴 비형성면)의 약액 처리를 행하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서, DIW 린스 처리와 스핀 건조 처리 사이에 SC-1 세정 처리 및 재차의 DIW 린스 처리를 행하여도 좋다. SC-1 세정은, 하부 노즐(40)에 SC-1액 토출을 위한 구성을 추가함으로써, 도 4에 도시하는 단계에서 실행할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 제1 처리부(1) 및 제2 처리부(2)에 있어서 웨이퍼(W)를 유지하는 부재는 동일한 기판 유지부(10)이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 저류부(30) 내에서 웨이퍼(W)를 유지하는 별도의 기판 유지부를 마련하여도 좋다. 또한, 이 별도의 기판 유지부를 승강 가능하게 하여, 제1 처리부(1) 내에서 기판 유지부(10)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록 구성하여도 좋다. 또한, 상기 실시형태에 있어서는, 제1 처리부(1)와 제2 처리부(2) 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 기판 이동 기구는, 기판 유지부(10) 및 이 기판 유지부(10)를 승강시키는 승강 기구(18)에 의해 구성되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 상기한 바와 같이, 기판 유지부(10)와는 별도의 승강 가능한 기판 유지부를 마련한 경우에는, 이것이 상기 기판 이동 기구가 된다. 또한, 기판 유지부(10) 및 상기 별도의 기판 유지부 이외의 부재, 예컨대 승강 가능한 아암 또는 핀을 상기 기판 이동 기구로서 마련하여도 좋다.
상기 실시형태에 있어서는, 상기 제2 처리부에서 기판에 제2 액처리를 행할 때에, 상기 제1 처리부를 구성하는 부재의 표면을 덮는 액체를 공급하는 액공급 수단은, 제1 처리부에서 제1 액처리(DIP 린스 처리)를 위해 이용되는 액인 DIW를 공급하는 린스 노즐(45)이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 처리부에 있어서의 제1 액처리가 DIW 린스 처리 이외의 액처리(예컨대, 제2 액처리와 별도의 약액을 이용한 액처리)인 것도 생각할 수 있다. 이러한 경우에는, 제1 액처리에 이용하는 처리액을 공급하기 위한 액공급 수단(예컨대, 노즐)과, 상기 제1 처리부를 구성하는 부재의 표면을 덮는 액체를 공급하는 액공급 수단이 별도의 부재여도 좋다.
기판 처리 장치(100)에 의해 처리되는 기판은, 반도체 웨이퍼(W)에 한정되지 않고, 반도체 장치 제조 기술분야에서 이용되는 임의의 기판, 예컨대 유리 기판, 세라믹 기판 등이어도 좋다.
1 : 제1 처리부 2 : 제2 처리부
10 : 기판 유지부 14 : 회전 기구(모터)
18 : 기판 이동 기구(승강 기구) 40 : 처리액 공급 노즐(하부 노즐)
30 : 저류부 31 : 바닥벽(바닥판)
45 : 액공급 수단(린스 노즐) 200 : 제어부(컨트롤러)

Claims (14)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판에 제1 액처리를 행하기 위한 제1 처리부와,
    상기 제1 처리부의 위쪽에서 기판에 제2 액처리를 행하기 위한 제2 처리부와,
    기판을 상기 제1 처리부와 제2 처리부 사이에서 이동시킬 수 있는 기판 이동 기구와,
    기판의 하면에 제2 액처리를 위한 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과,
    상기 처리액 공급 노즐을 승강시키는 노즐 승강 기구, 그리고
    상기 제1 처리부에서 상기 제1 액처리를 행할 때에, 상기 처리액 공급 노즐이 하강 위치에 위치하고, 상기 제2 처리부에서 상기 제2 액처리를 행할 때에, 상기 처리액 공급 노즐이 상기 하강 위치보다도 높은 상승 위치에 위치하도록, 상기 노즐 승강 기구를 제어하는 제어부
    를 포함하는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 바닥벽과, 이 바닥벽의 둘레 가장자리부에 마련된 둘레벽을 갖는 저류부를 더 포함하고, 상기 제1 액처리는, 상기 저류부에 저류된 제1 처리액에 기판을 침지시켜 행하는 액처리인 것인 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 하강 위치에 있을 때에 상기 처리액 공급 노즐의 적어도 일부가 상기 저류부의 상기 바닥벽 내에 매몰되는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 처리액 공급 노즐은, 상기 저류부의 바닥벽을 수직 방향으로 관통하는 구멍 안으로 지나가는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2 처리부에서 기판에 상기 제2 액처리를 행할 때에, 상기 저류부에 저류하는 액을 공급하는 액공급 수단을 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제2 처리부에서 상기 제2 액처리가 행해져 상기 처리액 공급 노즐이 상기 상승 위치에 있을 때에, 상기 처리액 공급 노즐의 적어도 토출구가, 상기 저류부에 저류된 액의 액면보다도 높은 위치에 위치하도록, 상기 노즐 승강 기구를 제어하도록 구성되는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2 처리부에서 상기 기판에 제2 액처리를 행할 때에, 상기 저류부로부터 액을 배출하면서 상기 저류부에 액이 공급되는 것인 기판 처리 장치.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 저류부의 상기 바닥벽과 상기 둘레벽이 상대적으로 상하 이동 가능한 것인 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 액처리를 실행할 때의 상기 바닥벽에 대한 상기 둘레벽의 높이가, 상기 제2 액처리를 실행할 때의 상기 바닥벽에 대한 상기 둘레벽의 높이보다도 높게 되도록, 상기 바닥벽과 상기 둘레벽을 상대적으로 상하 이동시키는 승강 수단을 더 포함하는 것인 기판 처리 장치.
  9. 기판에 제1 액처리를 행하기 위한 제1 처리부와, 상기 제1 처리부의 위쪽에서 상기 기판에 제2 액처리를 행하기 위한 제2 처리부를 포함한 기판 처리 장치를 이용하여 행해지는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 제1 처리부에서, 제1 처리액을 이용하여 기판에 제1 액처리를 행하는 것과,
    처리액 공급 노즐에 의해 상기 기판의 하면에 제2 처리액을 공급함으로써, 상기 제2 처리부에서 상기 기판에 제2 액처리를 행하는 것
    을 포함하고,
    상기 제1 처리부에서 상기 제1 액처리를 행할 때에, 상기 처리액 공급 노즐을 하강 위치에 위치시키며, 상기 제2 처리부에서 상기 제2 액처리를 행할 때에, 상기 처리액 공급 노즐을 상기 하강 위치보다도 높은 상승 위치에 위치시키는 것인 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 액처리는, 저류부에 저류한 제1 처리액에 상기 기판을 침지시켜 행하는 것인 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 액처리를 행할 때에, 상기 하강 위치에 있는 상기 처리액 공급 노즐의 적어도 일부가 상기 저류부의 바닥벽 내에 매몰되는 것인 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제2 처리부에서 상기 기판에 제2 액처리를 행할 때에, 상기 저류부에 액이 저류되고, 상기 처리액 공급 노즐의 적어도 토출구가 상기 액의 액면보다도 높은 위치에 위치하는 것인 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 처리부에서 상기 기판에 제2 액처리를 행할 때에, 상기 저류부로부터 액을 배출하면서 상기 저류부에 액이 공급되는 것인 기판 처리 방법.
  14. 제1항에 기재된 기판 처리 장치에, 제9항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램이 저장되는 것인 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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