KR20120046570A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 회전 척, 제1 보울, 제2 보울 및 차단 부재를 포함한다. 상기 회전 척은 회전 축 및 상기 회전 축의 둘레에 배치되는 기판 지지부를 포함한다. 상기 제1 보울은 상기 기판 지지부의 둘레에 배치되어 산성 케미컬을 회수한다. 상기 제2 보울은 상기 기판 지지부의 둘레에 상기 제1 보울과 상하방향으로 이격되도록 배치되어 알칼리성 케미컬을 회수한다. 상기 차단 부재는 제1 보울 및 상기 제2 보울의 사이에 배치되어 상기 제2 보울을 커버한다. 따라서, 산성 케미컬 공정 시에 상기 제2 보울이 오염되지 않아, 산성 케미컬 공정 및 알칼리성 케미컬 공정이 동일 챔버 내에서 처리될 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 오염을 방지하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 집적 회로 소자 중의 하나인 반도체 소자는 실리콘(silicon)을 기초로 한 웨이퍼(wafer)와 같은 반도체 기판으로부터 제조된다. 구체적으로, 상기 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정, 검사 공정 등을 수행하여 제조된다.
식각 공정 및 세정 공정에서, 기판 처리 장치는 기판을 회전시키면서 식각 공정 및 세정 공정에 따라 약액 및 가스를 기판에 분사한다. 식각 공정 및 세정 공정은 약액 및 가스를 분사하는 케미컬 공정 및 린스 액 및 건조 가스를 분사하는 린스 드라이 공정을 포함한다.
상기 케미컬 공정은 산성 케미컬을 상기 기판에 분사하는 산성 케미컬 공정 및 알칼리성 케미컬을 상기 기판에 분사하는 알칼리 케미컬 공정을 포함할 수 있다.
상기 산성 케미컬 공정 및 상기 알칼리성 케미컬 공정을 동일 챔버에서 처리하는 경우, 상기 산성 케미컬이 미스트(mist)의 형태로 남아 있거나, 보울에 묻어 완전히 제거되지 않아 상기 알칼리성 케미컬 공정 시에 기판을 오염시키는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 상기 산성 케미컬 공정 및 상기 알칼리성 케미컬 공정을 별도의 챔버에서 처리할 수 있다. 그러나, 이 경우 전체 공정이 복잡해지고, 린스를 위한 초순수(Deionized Water, DIW)의 소모량이 증가하며, 상기 산성 케미컬 공정용 챔버로부터 상기 알칼리성 케미컬 공정용 챔버로 상기 기판을 이송하는 중 외부 오염에 노출될 우려가 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 동일 챔버 내에서 산성 케미컬 공정 및 알칼리성 케미컬 공정을 모두 수행할 수 있고, 기판의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 회전 척, 제1 보울, 제2 보울 및 차단 부재를 포함한다. 상기 회전 척은 회전 축 및 상기 회전 축의 둘레에 배치되는 기판 지지부를 포함한다. 상기 제1 보울은 상기 기판 지지부의 둘레에 배치되어 산성 케미컬을 회수한다. 상기 제2 보울은 상기 기판 지지부의 둘레에 상기 제1 보울과 상하방향으로 이격되도록 배치되어 알칼리성 케미컬을 회수한다. 상기 차단 부재는 상기 제1 보울 및 상기 제2 보울의 사이에 배치되어 상기 제2 보울을 커버한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 산성 케미컬이 분사될 때, 상기 제2 보울은 상기 차단 부재와 접촉하여 상기 제2 보울이 상기 산성 케미컬에 노출되지 않을 수 있다. 상기 알칼리성 케미컬이 분사될 때, 상기 제2 보울은 상기 차단 부재로부터 소정 거리 이격되어 상기 알칼리성 케미컬을 회수할 수 있다.
이와 같은 기판 처리 장치에 따르면, 산성 케미컬 공정 시에 제2 보울이 차단 부재에 의해 커버되므로, 알칼리성 케미컬 공정 시에 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 그리하여 동일 챔버 내에서 상기 산성 케미컬 공정 및 상기 알칼리성 케미컬 공정을 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 산성 케미컬 공정 시에 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 알칼리성 케미컬 공정 시에 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 챔버(100), 회전 척(200), 제1 보울(300), 제2 보울(400) 및 차단 부재(500)를 포함한다.
상기 챔버(100)는 기판이 처리되는 공간이다. 상기 챔버(100)는 바닥판(110) 및 상기 바닥판(110)의 일단에 연결되는 외부 측벽부(120)를 포함한다. 상기 바닥판(110) 및 상기 외부 측벽부(120)는 수납공간을 정의한다. 상기 챔버(100)의 상기 수납 공간에는 상기 회전 척(200), 상기 제1 보울(300), 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)가 수납된다.
상기 챔버(100)는 상기 회전 척(200)의 둘레에 배치되는 내부 측벽부(130)를 더 포함할 수 있다. 상기 내부 측벽부(130)는 케미컬 공정 및 린스 드라이 공정 시에 케미컬 및 린스 액 등이 상기 회전 척(200)으로 흘러 들어가지 않도록 막아주는 역할을 한다.
상기 챔버(100)는 상부가 오픈된 원기둥 형상일 수 있고, 상부가 오픈된 육면체 형상일 수 있다. 상기 챔버(100)는 상기 챔버(100)의 상부를 덮어 밀폐시키는 덮개부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 산성 케미컬 공정 및 알칼리성 케미컬 공정이 모두 상기 챔버(100) 내에서 수행된다.
상기 회전 척(200)은 회전 축(210), 기판 지지부(220) 및 기판 지지핀(230)을 포함한다.
상기 회전 축(210)은 구동 모터(미도시)와 연결되어 일정한 속도로 회전한다. 상기 회전 축(210)은 상기 회전 축(210)에 연결된 상기 기판 지지부(220)를 상기 속도로 회전시킨다. 상기 회전 축(210)은 원기둥 형상일 수 있다.
상기 기판 지지부(220)는 상기 회전 축(210)의 둘레에 배치된다. 상기 기판 지지부(220)는 상기 회전 축(210)의 형상에 대응하는 개구를 포함하는 원기둥 형상일 수 있다. 상기 기판 지지핀(230)은 상기 기판 지지부(220) 상에 돌출되어 형성된다. 상기 기판 지지핀(230)은 복수 개 형성될 수 있다.
상기 기판은 상기 기판 지지핀(230)과 물리적으로 접촉하여 기판 지지부(220) 상에 고정될 수 있다. 또는 상기 기판은 진공 흡착식으로 상기 기판 지지부(220) 상에 고정될 수 있다.
상기 제1 보울(300)은 상기 기판 지지부(220)의 둘레에 배치된다. 상기 제1 보울(300)은 상기 제1 보울(300)을 상승 및 하강시키는 제1 보울 구동부(미도시)에 연결되어, 공정에 따라 상승 및 하강한다. 상기 제1 보울(300)의 상승 및 하강에 대해서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 자세히 설명한다.
상기 제1 보울(300)은 산성 케미컬 공정 시에 상기 로딩된 기판의 높이에 배치되도록 조절되어, 상기 산성 케미컬 공정에서 분사되는 산성 케미컬을 회수한다. 상기 산성 케미컬은 황산 과수 혼합물(Sulfuric Peroxide Mixture, 이하 SPM이라 한다)일 수 있다.
상기 제1 보울(300)은 바디부(310), 상단부(320) 및 바닥부(330)를 포함한다. 상기 바디부(310)는 일정한 직경을 갖는다. 상기 바디부(310)는 일정한 직경을 가지므로, 원기둥의 옆면의 형상일 수 있다. 상기 상단부(320)는 상기 바디부(310)의 상단에 연결되어 상기 챔버(100)의 내부를 향하여 연장된다. 상기 상단부(320)는 상부로 갈수록 직경이 점점 좁아지는 형상을 갖는다. 상기 바닥부(330)는 상기 바디부(310)의 하단에 연결되어, 상기 챔버(100)의 내부를 향하여 연장된다. 상기 바닥부(330)는 상부로 갈수록 직경이 점점 좁아지는 형상을 가질 수 있다.
상기 기판이 회전하면서 상기 SPM은 상기 기판에 고루 분사된 후, 상기 바디부(310) 및 상기 상단부(320)를 향하여 운동하게 된다. 상기 바디부(310) 및 상기 상단부(320)는 상기 SPM이 상기 제1 보울(300)의 외부로 새어 나가는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 바디부(310) 및 상기 상단부(320)에 접촉된 상기 SPM들은 중력에 의해 하부로 흘러내려 상기 바디부(310) 및 상기 바닥부(330)가 이루는 공간에 수집되게 된다.
상기 제2 보울(400)은 상기 기판 지지부(220)의 둘레에 배치된다. 상기 제2 보울(400)은 상기 제2 보울(400)을 상승 및 하강시키는 제2 보울 구동부(미도시)에 연결되어, 공정에 따라 상승 및 하강한다. 상기 제2 보울(400)의 상승 및 하강에 대해서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 자세히 설명한다.
상기 제2 보울(400)은 알칼리성 케미컬 공정 시에 상기 로딩된 기판의 높이에 배치되도록 조절되어, 상기 알칼리성 케미컬 공정에서 분사되는 알칼리성 케미컬을 회수한다. 상기 알칼리성 케미컬은 암모니아 과수 혼합물(Ammonia Peroxide Mixture, 이하 APM이라 한다)일 수 있다. 예를 들어, 상기 APM은 SC1일 수 있다.
상기 제2 보울(400)은 상기 제1 보울(300)과 독립적으로 구동될 수 있다. 따라서, 상기 제1 보울(300) 및 상기 제2 보울(400) 사이의 간격은 자유롭게 조절될 수 있다.
상기 제2 보울(400)은 바디부(410) 및 상단부(420)를 포함한다. 상기 바디부(410)는 일정한 직경을 갖는다. 상기 바디부(410)는 일정한 직경을 가지므로, 원기둥의 옆면의 형상일 수 있다. 상기 상단부(420)는 상기 바디부(410)의 상단에 연결되어 상기 챔버(100)의 내부를 향하여 연장된다. 상기 상단부(420)는 상부로 갈수록 직경이 점점 좁아지는 형상을 갖는다.
상기 제2 보울(400)은 상기 제1 보울(300)을 감싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 보울(400)의 바디부(410)의 직경은 상기 제1 보울(300)의 바디부(310)의 직경보다 큰 값을 가질 수 있다. 또한, 동일 평면 상에서 상기 제2 보울(400)의 상단부(420)의 직경은 상기 제1 보울(300)의 상단부(320)의 직경보다 큰 값을 가질 수 있다. 상기 제2 보울(400)의 상기 상단부(420)는 상기 제1 보울(300)의 상기 상단부(320)보다 길게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 보울(400)의 상단은 상기 제1 보울(300)의 상단보다 높이 배치될 수 있다.
상기 기판이 회전하면서 상기 APM은 상기 기판에 고루 분사된 후, 상기 바디부(410) 및 상기 상단부(420)를 향하여 운동하게 된다. 상기 바디부(410) 및 상기 상단부(420)는 상기 APM이 상기 제2 보울(400)의 외부로 새어 나가는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 차단 부재(500)는 상기 기판 지지부(220)의 둘레에 배치된다. 상기 차단 부재(500)는 상기 제1 보울(300) 및 상기 제2 보울(400)의 사이에 배치된다. 상기 차단 부재(500)는 상기 차단 부재(500)를 상승 및 하강시키는 차단 부재 구동부(미도시)에 연결되어, 공정에 따라 상승 및 하강한다. 상기 차단 부재(500)의 상승 및 하강에 대해서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 자세히 설명한다.
상기 차단 부재(500)는 상기 산성 케미컬 공정 시에 상기 제2 보울(400)과 접촉되어 상기 산성 케미컬이 상기 제2 보울(400)로 흘러 들어가지 않도록 차단한다. 또한, 상기 차단 부재(500)는 상기 알칼리성 케미컬 공정 시에 상기 로딩된 기판의 높이에 배치되도록 조절되어, 상기 제2 보울(400)과 함께 상기 알칼리성 케미컬 공정에서 분사되는 상기 알칼리성 케미컬을 회수한다.
상기 차단 부재(500)는 상기 제1 및 제2 보울들(300, 400)과 독립적으로 구동될 수 있다. 따라서, 상기 제1 보울(300), 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500) 사이의 간격은 자유롭게 조절될 수 있다.
상기 차단 부재(500)는 내측 바디부(510), 상단부(520), 외측 바디부(530) 및 연결부(540)를 포함한다.
상기 내측 바디부(510)는 상기 제2 보울(400)의 바디부(410)로부터 상기 챔버(100)의 내부 방향에 형성되며, 일정한 직경을 갖는다. 상기 내측 바디부(510)는 일정한 직경을 가지므로, 원기둥의 옆면의 형상일 수 있다. 그리하여, 상기 내측 바디부(510)는 상기 산성 케미컬 공정 시에 상기 제2 보울(400)의 상기 바디부(410)를 커버한다.
상기 상단부(520)는 상기 내측 바디부(510)의 상단에 연결되어 상기 챔버(100)의 내부를 향하여 연장된다. 상기 상단부(520)는 상부로 갈수록 직경이 점점 좁아지는 형상을 갖는다. 그리하여, 상기 상단부(520)는 상기 산성 케미컬 공정 시에 상기 제2 보울(400)의 상기 상단부(420)를 커버한다. 상기 상단부(520)는 상기 제2 보울(400)의 상기 상단부(420)를 잘 커버하기 위해 상기 제2 보울(400)의 상기 상단부(420)보다 긴 길이를 가질 수 있으며, 상기 제2 보울(400)의 상기 상단부(420)보다 상기 챔버(100)의 내측으로 더욱 연장될 수 있다.
상기 외측 바디부(530)는 상기 제2 보울(400)의 바디부(410)로부터 상기 챔버(100)의 외부 방향에 형성되며, 일정한 직경을 갖는다. 상기 외측 바디부(530)는 일정한 직경을 가지므로, 원기둥의 옆면의 형상일 수 있다. 상기 외측 바디부(530)는 상기 챔버(100)의 상기 바닥판(110)을 향하여 연장될 수 있다.
상기 연결부(540)는 상기 내측 바디부(510)의 하단과 상기 외측 바디부(530)를 연결한다. 상기 연결부(540)는 상기 내측 바디부(510) 및 상기 외측 바디부(530) 와 함께 상기 제2 보울(400)의 바디부(410)의 내측면, 외측면 및 하면을 수납한다.
상기 기판 처리 장치는 산성 케미컬 노즐부(미도시) 및 알칼리성 케미컬 노즐부(미도시)를 포함한다. 상기 산성 케미컬 노즐부는 상기 산성 케미컬 공정 시에 상기 기판의 상부에 배치되어 상기 기판을 향하여 상기 산성 케미컬을 분사한다. 상기 알칼리성 케미컬 노즐부는 상기 알칼리성 케미컬 공정 시에 상기 기판의 상부에 배치되어 상기 기판을 향하여 상기 알칼리성 케미컬을 분사한다.
도 2는 산성 케미컬 공정 시에 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 3은 알칼리성 케미컬 공정 시에 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하여 상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 자세히 설명한다.
기판(600)은 상기 기판 지지부(220) 상에 로딩된다(단계 S100). 상기 기판(600)은 상기 기판 지지핀(230)에 의해 상기 기판 지지부(220)에 고정될 수 있다.
이하에서, 도 2 및 도 4를 참조하여 상기 산성 케미컬 공정(단계 S200)에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위해 도 2 및 도 3에서 상기 챔버(100)의 도시는 생략한다.
산성 케미컬 노즐(700)은 상기 기판(600) 상에 배치된다. 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)는 함께 상승하여 상기 기판(600)으로부터 일정 거리로 이격된다(단계 S210). 상기 제1 보울(300)은 상기 로딩된 기판(600)의 높이에 배치되도록 조절된다(단계 S220). 상기 제1 보울(300)의 상단부(310)는 상기 로딩된 기판(600)보다 높은 위치에 배치되고, 상기 제1 보울(300)의 바디부(320)는 상기 로딩된 기판(600)의 측면에 배치되며, 상기 제1 보울(300)의 바닥부(330)는 상기 로딩된 기판(600)보다 낮은 위치에 배치된다.
상기 산성 케미컬 노즐(700)은 상기 산성 케미컬을 분사(단계 S230)하고, 상기 회전축(210)은 상기 회전축(210)과 연결된 구동부에 의해 회전한다. 예를 들면, 상기 산성 케미컬은 SPM일 수 있다.
상기 회전축(210)이 회전함에 따라, 상기 기판 지지부(220) 및 상기 기판 지지부(220)에 로딩된 상기 기판(600)이 회전한다. 상기 산성 케미컬은 상기 기판(600) 상에 고루 분사되게 된다. 이때, 상기 제1 보울(300)은 분사되는 상기 산성 케미컬을 회수한다.
상기 산성 케미컬 공정(S200) 시에 상기 차단 부재(500)는 상기 제2 보울(400)과 접촉하여 상기 제1 보울(300)의 외부로 분사되어 챔버에 잔류하는 상기 산성 케미컬이 상기 제2 보울(400)을 오염시키는 것을 방지한다.
도시하지는 않았으나, 상기 산성 케미컬 공정(단계 S200) 이후에는 제1 린스 드라이 공정이 수행될 수 있다. 또한, 상기 제1 린스 드라이 공정은 생략될 수 있다.
이하에서, 도 3 및 도 4를 참조하여 상기 알칼리성 케미컬 공정(단계 S300)에 대해 설명한다.
알칼리성 케미컬 노즐(800)은 상기 기판(600) 상에 배치된다. 상기 제1 보울(300)은 상기 기판 지지부(200)의 하부로 하강하여 상기 기판으로부터 일정 거리로 이격된다(단계 S310).
상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)는 상기 로딩된 기판(600)의 높이에 배치되도록 하강한다(단계 S320). 상기 제2 보울(400)은 상기 차단 부재(500)로부터 이격되도록 상승한다(단계 S330). 상기 제2 보울(400)의 상단부(410)는 상기 로딩된 기판(600)보다 높은 위치에 배치되고, 상기 제2 보울(300)의 바디부(420)는 상기 로딩된 기판(600)의 측면에 배치된다. 상기 차단 부재(500)의 상단부(520)는 상기 로딩된 기판(600)보다 낮은 위치에 배치된다.
본 실시예에서, 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)를 함께 하강(단계 S320)시킨 후, 상기 제2 보울(400)을 다시 상승(단계 S330)시키는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)를 함께 하강시킨 후, 상기 차단 부재(500)를 더욱 하강시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)를 완전히 별도로 구동하여, 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)가 일정한 높이 차이를 갖도록 구동할 수 있다.
상기 알칼리성 케미컬 노즐(800)은 상기 알칼리성 케미컬을 분사(단계 S340)하고, 상기 회전축(210)은 상기 회전축(210)과 연결된 구동부에 의해 회전한다. 예를 들면, 상기 알칼리성 케미컬은 APM일 수 있다.
상기 회전축(210)이 회전함에 따라, 상기 기판 지지부(220) 및 상기 기판 지지부(220)에 로딩된 상기 기판(600)이 회전한다. 상기 알칼리성 케미컬은 상기 기판(600) 상에 고루 분사되게 된다. 이때, 상기 제2 보울(400)은 분사되는 상기 알칼리성 케미컬을 회수한다.
도시하지는 않았으나, 상기 알칼리성 케미컬 공정(단계 S300)이후에는 제2 린스 드라이 공정이 수행될 수 있다.
상기 기판(600)은 상기 기판 지지부(220)로부터 언로딩된다(단계 S400).
본 실시예에 따르면, 산성 케미컬 공정(단계 S200) 시에 상기 제2 보울(400) 및 상기 차단 부재(500)는 상기 로딩된 기판(600)으로부터 일정 거리만큼 이격되고, 상기 차단 부재(500)가 상기 제2 보울(400)을 커버하므로, 상기 제2 보울(400)이 상기 산성 케미컬에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 산성 케미컬 공정 시에 제2 보울 및 차단 부재는 기판으로부터 일정 거리만큼 이격되고, 상기 차단 부재가 상기 제2 보울을 커버하므로, 상기 제2 보울이 산성 케미컬에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 알칼리성 케미컬 공정 시에 상기 산성 케미컬에 의해 오염된 상기 제2 보울로 인해, 상기 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 그리하여 동일 챔버 내에서 상기 산성 케미컬 공정 및 상기 알칼리성 케미컬 공정을 수행할 수 있다.
100: 챔버 200: 회전 척
300: 제1 보울 400: 제2 보울
500: 차단 부재

Claims (2)

  1. 회전 축 및 상기 회전 축의 둘레에 배치되는 기판 지지부를 포함하는 회전 척;
    상기 기판 지지부의 둘레에 배치되어 산성 케미컬을 회수하는 제1 보울;
    상기 기판 지지부의 둘레에 상기 제1 보울과 상하방향으로 이격되도록 배치되어 알칼리성 케미컬을 회수하는 제2 보울; 및
    상기 제1 보울 및 상기 제2 보울의 사이에 배치되어 상기 제2 보울을 커버하는 차단 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산성 케미컬이 분사될 때, 상기 제2 보울은 상기 차단 부재와 접촉하여 상기 제2 보울이 상기 산성 케미컬에 노출되지 않고,
    상기 알칼리성 케미컬이 분사될 때, 상기 제2 보울은 상기 차단 부재로부터 소정 거리 이격되어 상기 알칼리성 케미컬을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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