JPH0697136A - 基板洗浄方法およびその装置 - Google Patents
基板洗浄方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH0697136A JPH0697136A JP4248095A JP24809592A JPH0697136A JP H0697136 A JPH0697136 A JP H0697136A JP 4248095 A JP4248095 A JP 4248095A JP 24809592 A JP24809592 A JP 24809592A JP H0697136 A JPH0697136 A JP H0697136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- aqueous solution
- brush
- alkaline aqueous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B08B1/32—
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い異物除去効率の基板洗浄方法とその装置
を提供する。 【構成】 ブラシスクラブにより基板表面に付着した異
物を洗い流すと共に、こびり付いた異物をアルカリ水溶
液の溶解作用により除去する。 【効果】 基板面に付着した異物がブラシスクラブの物
理的な除去とアルカリ水溶液による化学的な除去とを併
用することにより完全に除去され、基板面の清浄度が高
く、かつ作業効率が大幅に向上する。
を提供する。 【構成】 ブラシスクラブにより基板表面に付着した異
物を洗い流すと共に、こびり付いた異物をアルカリ水溶
液の溶解作用により除去する。 【効果】 基板面に付着した異物がブラシスクラブの物
理的な除去とアルカリ水溶液による化学的な除去とを併
用することにより完全に除去され、基板面の清浄度が高
く、かつ作業効率が大幅に向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエット洗浄により基
板面に付着，あるいはこびり付いた異物を除去する工程
を必要とする、例えば半導体デバイス用シリコンウェ
ハ，液晶ディスプレイ用ガラス基板等の基板洗浄方法と
その装置に関する。
板面に付着，あるいはこびり付いた異物を除去する工程
を必要とする、例えば半導体デバイス用シリコンウェ
ハ，液晶ディスプレイ用ガラス基板等の基板洗浄方法と
その装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスを製造するためのシリコ
ンウェハや液晶ディスプレイ等のガラス基板（以下、基
板という）は、その製造工程中で様々な洗浄処理が施さ
れる。その洗浄処理のなかで、純水あるいはその他の洗
浄液を用いた，所謂ウエット洗浄は、物理洗浄と化学洗
浄とに大別される。
ンウェハや液晶ディスプレイ等のガラス基板（以下、基
板という）は、その製造工程中で様々な洗浄処理が施さ
れる。その洗浄処理のなかで、純水あるいはその他の洗
浄液を用いた，所謂ウエット洗浄は、物理洗浄と化学洗
浄とに大別される。
【０００３】前者の物理洗浄はブラシを用いて基板面を
摺動して上記異物を除去するブラシスクラブ洗浄、高圧
ジェット洗浄、超音波洗浄などが知られている。これら
の洗浄においては、その洗浄液として、主に純水が用い
られる。また、後者の化学洗浄としては、有機溶剤、無
機薬品、界面活性剤等の薬液を用いて基板面の異物を溶
融、あるいは剥離して除去するものである。
摺動して上記異物を除去するブラシスクラブ洗浄、高圧
ジェット洗浄、超音波洗浄などが知られている。これら
の洗浄においては、その洗浄液として、主に純水が用い
られる。また、後者の化学洗浄としては、有機溶剤、無
機薬品、界面活性剤等の薬液を用いて基板面の異物を溶
融、あるいは剥離して除去するものである。
【０００４】なお、薬液を用いて超音波洗浄を施す物理
洗浄と化学洗浄とを併用する方法も既知である（特開平
３−２５７８２６号公報、特開平３−２１８０１５号公
報、特開平３−２１８０１６号公報）。上記従来の基板
洗浄方法を開示したものとしては、この他に特開平３−
２８６５２９号公報、特開平３−２１１８３１号公報、
特開平３−２５４１２５号公報を等を挙げることができ
る。
洗浄と化学洗浄とを併用する方法も既知である（特開平
３−２５７８２６号公報、特開平３−２１８０１５号公
報、特開平３−２１８０１６号公報）。上記従来の基板
洗浄方法を開示したものとしては、この他に特開平３−
２８６５２９号公報、特開平３−２１１８３１号公報、
特開平３−２５４１２５号公報を等を挙げることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術にお
いて、物理洗浄は装置構成が単純なため自動機にインラ
インで使用されるが、洗浄水として純水を使用したブラ
シスクラブによる洗浄では基板面に付着した大きな異物
は除去できるが、小さな異物は完全に除去されない。ま
た、周波数がメガヘルツの領域で施す超音波洗浄では、
小さな異物の除去効果もあるが、上記両者の洗浄方法共
に、基板面にこびり付いた異物に対しては除去効果がな
く、したがって基板の洗浄方法として完全ではなかっ
た。
いて、物理洗浄は装置構成が単純なため自動機にインラ
インで使用されるが、洗浄水として純水を使用したブラ
シスクラブによる洗浄では基板面に付着した大きな異物
は除去できるが、小さな異物は完全に除去されない。ま
た、周波数がメガヘルツの領域で施す超音波洗浄では、
小さな異物の除去効果もあるが、上記両者の洗浄方法共
に、基板面にこびり付いた異物に対しては除去効果がな
く、したがって基板の洗浄方法として完全ではなかっ
た。
【０００６】一方、化学洗浄の場合は、基板面にこびり
付いた異物に対しても除去効果が大きいが、作業効率の
観点から多数枚（例えば、２５枚）の基板を収納したキ
ャリア治具を使用して薬液槽にディップする方法を採る
ため、自動機に組み込むためには装置構成が複雑にな
り、また、多数枚の基板を同時処理するものであるた
め、一方の基板面（裏面）から剥離した異物が隣接する
基板面（表面）に再付着してしまい、特に半導体ウェハ
の洗浄時に当該ウェハの表面に重金属の異物が付着する
と、以降の熱処理で拡散層等に拡散侵入して特性不良の
発生を招き、製造された半導体デバイスの歩留りを低下
させるという問題があった。
付いた異物に対しても除去効果が大きいが、作業効率の
観点から多数枚（例えば、２５枚）の基板を収納したキ
ャリア治具を使用して薬液槽にディップする方法を採る
ため、自動機に組み込むためには装置構成が複雑にな
り、また、多数枚の基板を同時処理するものであるた
め、一方の基板面（裏面）から剥離した異物が隣接する
基板面（表面）に再付着してしまい、特に半導体ウェハ
の洗浄時に当該ウェハの表面に重金属の異物が付着する
と、以降の熱処理で拡散層等に拡散侵入して特性不良の
発生を招き、製造された半導体デバイスの歩留りを低下
させるという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消し、物理洗浄の長所であるインライン化の容易性
と、化学洗浄の長所である高い異物除去効率とを同時に
併せ持つ基板洗浄方法とその装置を提供することにあ
る。
解消し、物理洗浄の長所であるインライン化の容易性
と、化学洗浄の長所である高い異物除去効率とを同時に
併せ持つ基板洗浄方法とその装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板面に付着、またはこびり付いた異物
を効率よく除去し、しかもコンパクトな装置構成で除去
するために、ブラシスクラブにおける洗浄液にアルカリ
水溶液を用いたものである。上記アルカリ水溶液として
は、ＰＨが１１以上のアンモニア水溶液を用いるのが好
適である。
に、本発明は、基板面に付着、またはこびり付いた異物
を効率よく除去し、しかもコンパクトな装置構成で除去
するために、ブラシスクラブにおける洗浄液にアルカリ
水溶液を用いたものである。上記アルカリ水溶液として
は、ＰＨが１１以上のアンモニア水溶液を用いるのが好
適である。
【０００９】すなわち、本発明は、基板面に付着した異
物を洗浄液を用いたブラシスクラブにより除去する基板
洗浄方法において、前記洗浄液としてアルカリ水溶液を
用いて前記基板面に付着した異物を洗い流すと共に、ア
ルカリ水溶液の基板面の溶解作用により、前記基板面を
清浄化することを特徴とする。
物を洗浄液を用いたブラシスクラブにより除去する基板
洗浄方法において、前記洗浄液としてアルカリ水溶液を
用いて前記基板面に付着した異物を洗い流すと共に、ア
ルカリ水溶液の基板面の溶解作用により、前記基板面を
清浄化することを特徴とする。
【００１０】また、本発明は、基板面に付着した異物を
洗浄液を用いたブラシスクラブにより除去する基板洗浄
装置において、上面に基板２を保持する複数の基板保持
ピン３を植立してなり、純水を基板２の下面に噴射する
下リンスノズル１１を備えた回転シャフト９と、前記回
転シャフト９の上方に位置し、前記基板保持ピン３上に
載置保持される基板２の上面を揺動しつつ回転摺動する
ブラシ１と、前記基板２の上面にアルカリ水溶液を散布
する洗浄液ノズル１２と、前記基板２の上面に純水を散
布する上リンスノズル１３と、を少なくとも備えたこと
を特徴とする。
洗浄液を用いたブラシスクラブにより除去する基板洗浄
装置において、上面に基板２を保持する複数の基板保持
ピン３を植立してなり、純水を基板２の下面に噴射する
下リンスノズル１１を備えた回転シャフト９と、前記回
転シャフト９の上方に位置し、前記基板保持ピン３上に
載置保持される基板２の上面を揺動しつつ回転摺動する
ブラシ１と、前記基板２の上面にアルカリ水溶液を散布
する洗浄液ノズル１２と、前記基板２の上面に純水を散
布する上リンスノズル１３と、を少なくとも備えたこと
を特徴とする。
【００１１】なお、基板の表面とは一般にパターン等が
成膜されあるいは成膜が予定された面、裏面とはその反
対面を意味し、半導体製造においては、特に裏面に付着
した異物の除去を行うことが重要である場合が多い。本
発明は特に上記裏面の洗浄に好適であるが、これに限ら
ず表面の洗浄にも適用できるものである。また、基板を
洗浄装置に載置したときに上側となる面を上面と表現し
ている。
成膜されあるいは成膜が予定された面、裏面とはその反
対面を意味し、半導体製造においては、特に裏面に付着
した異物の除去を行うことが重要である場合が多い。本
発明は特に上記裏面の洗浄に好適であるが、これに限ら
ず表面の洗浄にも適用できるものである。また、基板を
洗浄装置に載置したときに上側となる面を上面と表現し
ている。
【００１２】
【作用】ブラシによるスクラブ処理をすることで基板面
に付着した異物が除去されると共に、洗浄液として用い
るアンモニア水溶液が基板面にこびり付いている異物を
溶解して除去する。そのため、本発明による洗浄方法で
洗浄した基板面の清浄度が極めて高くなる。
に付着した異物が除去されると共に、洗浄液として用い
るアンモニア水溶液が基板面にこびり付いている異物を
溶解して除去する。そのため、本発明による洗浄方法で
洗浄した基板面の清浄度が極めて高くなる。
【００１３】また、アンモニア水溶液は常温で使用で
き、かつ安全性が高いために取扱いが容易であり、作業
効率が大幅に向上する。
き、かつ安全性が高いために取扱いが容易であり、作業
効率が大幅に向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。図１は本発明による基板洗浄方法を
半導体ウェハに適用した基板洗浄装置の１実施例を説明
する構成図であって、１はブラシ、２はウェハ、３はウ
ェハ保持ピン、４はブラシ揺動モータ、５はブラシ回転
モータ、６はブラシの上下機構、７は主軸プーリ、８は
従軸プーリ、９は回転シャフト、１０は固定シャフト、
１１は下リンスノズル、１２は洗浄液ノズル、１３は上
リンスノズル、１４はＡＣサーボモータ、１５はカップ
リング、１６はベアリングボックス、１７はカップ、１
８はカップ上下機構、１９，２０はタイミングベルト、
２１は揺動アーム、２２は処理槽、２３はカバーであ
る。
て詳細に説明する。図１は本発明による基板洗浄方法を
半導体ウェハに適用した基板洗浄装置の１実施例を説明
する構成図であって、１はブラシ、２はウェハ、３はウ
ェハ保持ピン、４はブラシ揺動モータ、５はブラシ回転
モータ、６はブラシの上下機構、７は主軸プーリ、８は
従軸プーリ、９は回転シャフト、１０は固定シャフト、
１１は下リンスノズル、１２は洗浄液ノズル、１３は上
リンスノズル、１４はＡＣサーボモータ、１５はカップ
リング、１６はベアリングボックス、１７はカップ、１
８はカップ上下機構、１９，２０はタイミングベルト、
２１は揺動アーム、２２は処理槽、２３はカバーであ
る。
【００１５】同図において、ＡＣサーボモータ１４の回
転はカップリング１５とベアリングボックスを介して主
軸プーリに伝達され、タイミングベルト１９により回転
シャフト９に固定した従軸プーリ８を駆動する。回転シ
ャフト９には複数のウェハ保持ピン３が植立されてお
り、このウェハ保持ピン３上に半導体ウェハ２が載置さ
れている。
転はカップリング１５とベアリングボックスを介して主
軸プーリに伝達され、タイミングベルト１９により回転
シャフト９に固定した従軸プーリ８を駆動する。回転シ
ャフト９には複数のウェハ保持ピン３が植立されてお
り、このウェハ保持ピン３上に半導体ウェハ２が載置さ
れている。
【００１６】ウェハ２の上部には揺動アーム２１に取り
付けられたブラシ１が設置されており、このブラシ１は
ブラシ回転モータ５で回転されると同時に、揺動モータ
４によりウェハ２の上面と平行に揺動される。またブラ
シ１は上下機構６で上下可能とされ、ウェハ保持ピン３
へのウェハ２の載置と取り出しのために回転シャフト２
の上方から退避可能に構成されている。
付けられたブラシ１が設置されており、このブラシ１は
ブラシ回転モータ５で回転されると同時に、揺動モータ
４によりウェハ２の上面と平行に揺動される。またブラ
シ１は上下機構６で上下可能とされ、ウェハ保持ピン３
へのウェハ２の載置と取り出しのために回転シャフト２
の上方から退避可能に構成されている。
【００１７】そして、ウェハ２の斜め上方にはウェハ２
の上面にアルカリ水溶液としてのアンモニア（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ）を散布する洗浄液ノズル１２と、純水を散布する上
リンスノズル１３とを備え、回転シャフト９の回転によ
り回転されるウェハ２の上面に洗浄液を散布し、またこ
の洗浄液の洗い落としのための純水を散布する。また、
回転シャフト９の内部を通して下リンスノズル１１が設
けてあり、成膜面であるウェハ表面に洗浄液および洗浄
液に混入している異物が付着するのを防止するために純
水を噴出されるようになっている。
の上面にアルカリ水溶液としてのアンモニア（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ）を散布する洗浄液ノズル１２と、純水を散布する上
リンスノズル１３とを備え、回転シャフト９の回転によ
り回転されるウェハ２の上面に洗浄液を散布し、またこ
の洗浄液の洗い落としのための純水を散布する。また、
回転シャフト９の内部を通して下リンスノズル１１が設
けてあり、成膜面であるウェハ表面に洗浄液および洗浄
液に混入している異物が付着するのを防止するために純
水を噴出されるようになっている。
【００１８】洗浄処理中には上昇位置にあって、回転シ
ャフト９とウェハ２およびブラシ１の周囲を包囲するた
めのカップ１７が設けられており、ウェハ保持ピン３へ
のウェハ２の載置と取り出しのために上下機構１８によ
って下降される構成となっている。すなわち、上下機構
６で揺動アーム２１を上昇させてブラシ１を回転シャフ
ト９の上方から退避させ、カップ１７が下降位置にある
状態でウェハ保持ピン３上にウェハ２を載置し、カップ
１７を上昇させると共にブラシ１を下降させてウェハ２
の上面に接触させ、同時に洗浄液ノズル１２からアンモ
ニア水溶液を散布しながらウェハ２を回転させつつブラ
シ１を回転させ、かつ揺動アーム２１でブラシ１を揺動
させることで、ウェハ２の上面全面をブラシ１でスクラ
ブする。
ャフト９とウェハ２およびブラシ１の周囲を包囲するた
めのカップ１７が設けられており、ウェハ保持ピン３へ
のウェハ２の載置と取り出しのために上下機構１８によ
って下降される構成となっている。すなわち、上下機構
６で揺動アーム２１を上昇させてブラシ１を回転シャフ
ト９の上方から退避させ、カップ１７が下降位置にある
状態でウェハ保持ピン３上にウェハ２を載置し、カップ
１７を上昇させると共にブラシ１を下降させてウェハ２
の上面に接触させ、同時に洗浄液ノズル１２からアンモ
ニア水溶液を散布しながらウェハ２を回転させつつブラ
シ１を回転させ、かつ揺動アーム２１でブラシ１を揺動
させることで、ウェハ２の上面全面をブラシ１でスクラ
ブする。
【００１９】これにより、ウェハ２の上面に付着してい
る異物を物理的に除去すると共に、アンモニア水溶液の
化学的作用でこびりついた異物を溶解除去する。上記ア
ンモニアを用いた洗浄処理の終了後、上リンスノズル１
３から純水を散布して当該アンモニア水溶液をウェハ２
の上面から除去して清浄化する。なお、この洗浄処理
中、下リンスノズル１１から純水を噴射してウェハ２の
下面を清浄に保つ。
る異物を物理的に除去すると共に、アンモニア水溶液の
化学的作用でこびりついた異物を溶解除去する。上記ア
ンモニアを用いた洗浄処理の終了後、上リンスノズル１
３から純水を散布して当該アンモニア水溶液をウェハ２
の上面から除去して清浄化する。なお、この洗浄処理
中、下リンスノズル１１から純水を噴射してウェハ２の
下面を清浄に保つ。
【００２０】図２は図１の回転シャフト部分を上方から
見た平面図であって、回転シャフト９に植立されたウェ
ハ保持ピン３にウェハ２が載置されており、その上方に
揺動アーム２１で支持されたブラシ１が位置している。
回転シャフト９が図示の矢印Ａ方向に回転し、ブラシ１
が揺動アーム２１によって図示矢印Ｂ，Ｃ方向に揺動す
ることにより、ウェハ２の上面全面が均一にスクラブさ
れる。
見た平面図であって、回転シャフト９に植立されたウェ
ハ保持ピン３にウェハ２が載置されており、その上方に
揺動アーム２１で支持されたブラシ１が位置している。
回転シャフト９が図示の矢印Ａ方向に回転し、ブラシ１
が揺動アーム２１によって図示矢印Ｂ，Ｃ方向に揺動す
ることにより、ウェハ２の上面全面が均一にスクラブさ
れる。
【００２１】図３は本発明の基板洗浄方法の１実施例に
用いるアンモニア水溶液のＰＨ値とウェハ上面に付着し
た０．３μｍ以上の異物の除去率の関係を示す説明図で
あって、横軸にアンモニア水溶液のＰＨ値を、縦軸に
０．３μｍ以上の異物の除去率（％）をとっている。同
図に示されたように、アンモニア水溶液のＰＨ値が１１
以上で異物除去率が９５％以上となり、それ以下では急
激に該除去率が低下することがわかる。
用いるアンモニア水溶液のＰＨ値とウェハ上面に付着し
た０．３μｍ以上の異物の除去率の関係を示す説明図で
あって、横軸にアンモニア水溶液のＰＨ値を、縦軸に
０．３μｍ以上の異物の除去率（％）をとっている。同
図に示されたように、アンモニア水溶液のＰＨ値が１１
以上で異物除去率が９５％以上となり、それ以下では急
激に該除去率が低下することがわかる。
【００２２】従って、アルカリ洗浄液としてのアンモニ
ア水溶液のＰＨ値は１１以上であることが望ましい。し
かし、それ以下のＰＨ値であっても洗浄効果があるの
で、洗浄対象物によっては、ＰＨ値が１１以下のものを
使用してもよい。なお、上記実施例ではアルカリ洗浄液
としてアンモニア水溶液を使用したが、これに限らず、
他のアルカリ溶液を使用することも可能である。
ア水溶液のＰＨ値は１１以上であることが望ましい。し
かし、それ以下のＰＨ値であっても洗浄効果があるの
で、洗浄対象物によっては、ＰＨ値が１１以下のものを
使用してもよい。なお、上記実施例ではアルカリ洗浄液
としてアンモニア水溶液を使用したが、これに限らず、
他のアルカリ溶液を使用することも可能である。
【００２３】このように、本実施例によれば、常温で安
全な洗浄液を用いてウェハにこびり付いた異物も効率よ
く除去することができ、清浄化したウェハを得るための
作業効率を大幅に向上させることができる。
全な洗浄液を用いてウェハにこびり付いた異物も効率よ
く除去することができ、清浄化したウェハを得るための
作業効率を大幅に向上させることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ブラシスクラブによる物理洗浄とアルカリ洗浄液を用い
た化学洗浄とを併用できるため、半導体ウェハや液晶表
示装置用ガラス基板等の裏面または表面を高い清浄度で
安全に、かつ作業性よく清浄する洗浄方法およびその装
置を提供することができる。
ブラシスクラブによる物理洗浄とアルカリ洗浄液を用い
た化学洗浄とを併用できるため、半導体ウェハや液晶表
示装置用ガラス基板等の裏面または表面を高い清浄度で
安全に、かつ作業性よく清浄する洗浄方法およびその装
置を提供することができる。
【図１】本発明による基板洗浄方法を半導体ウェハに適
用した基板洗浄装置の１実施例を説明する構成図であ
る。
用した基板洗浄装置の１実施例を説明する構成図であ
る。
【図２】図１に示した本発明の実施例の基板洗浄装置を
回転シャフト部分の上方から見た平面図である。
回転シャフト部分の上方から見た平面図である。
【図３】本発明の基板洗浄方法の１実施例に用いるアン
モニア水溶液のＰＨ値とウェハの面に付着した０．３μ
ｍ以上の異物の除去率の関係を示す説明図である。
モニア水溶液のＰＨ値とウェハの面に付着した０．３μ
ｍ以上の異物の除去率の関係を示す説明図である。
【符号の説明】 １ ブラシ ２ ウェハ ３ ウェハ保持ピン ４ ブラシ揺動モータ ５ ブラシ回転モータ ６ ブラシの上下機構 ７ 主軸プーリ ８ 従軸プーリ ９ 回転シャフト １０ 固定シャフト １１ 下リンスノズル １２ 洗浄液ノズル １３ 上リンスノズル １４ ＡＣサーボモータ １５ カップリング １６ ベアリングボックス １７ カップ １８ カップ上下機構 １９，２０ タイミングベルト ２１ 揺動アーム ２２ 処理槽 ２３ カバー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】そして、ウェハ２の斜め上方にはウェハ２
の上面にアルカリ水溶液としてのアンモニア水溶液（Ｎ
Ｈ4 ＯＨ）を散布する洗浄液ノズル１２と、純水を散布
する上リンスノズル１３とを備え、回転シャフト９の回
転により回転されるウェハ２の上面に洗浄液を散布し、
またこの洗浄液の洗い落としのための純水を散布する。
また、回転シャフト９の内部を通して下リンスノズル１
１が設けてあり、成膜面であるウェハ表面に洗浄液およ
び洗浄液に混入している異物が付着するのを防止するた
めに純水を噴出する様になっている。
の上面にアルカリ水溶液としてのアンモニア水溶液（Ｎ
Ｈ4 ＯＨ）を散布する洗浄液ノズル１２と、純水を散布
する上リンスノズル１３とを備え、回転シャフト９の回
転により回転されるウェハ２の上面に洗浄液を散布し、
またこの洗浄液の洗い落としのための純水を散布する。
また、回転シャフト９の内部を通して下リンスノズル１
１が設けてあり、成膜面であるウェハ表面に洗浄液およ
び洗浄液に混入している異物が付着するのを防止するた
めに純水を噴出する様になっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】これにより、ウェハ２の上面に付着してい
る異物を物理的に除去すると共に、アンモニア水溶液の
化学的作用でこびりついた異物を溶解除去する。上記ア
ンモニア水溶液を用いた洗浄処理の終了後、上リンスノ
ズル１３から純水を散布して当該アンモニア水溶液をウ
ェハ２の上面から除去して清浄化する。なお、この洗浄
処理中、下リンスノズル１１から純水を噴射してウェハ
２の下面を清浄に保つ。
る異物を物理的に除去すると共に、アンモニア水溶液の
化学的作用でこびりついた異物を溶解除去する。上記ア
ンモニア水溶液を用いた洗浄処理の終了後、上リンスノ
ズル１３から純水を散布して当該アンモニア水溶液をウ
ェハ２の上面から除去して清浄化する。なお、この洗浄
処理中、下リンスノズル１１から純水を噴射してウェハ
２の下面を清浄に保つ。
Claims (2)
- 【請求項１】基板面に付着した異物を洗浄液を用いたブ
ラシスクラブにより除去する基板洗浄方法において、 前記洗浄液としてアルカリ水溶液を用いて前記基板面に
付着した異物を洗い流すと共に、アルカリ水溶液の基板
面の溶解作用により、前記基板面を清浄化することを特
徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項２】基板面に付着した異物を洗浄液を用いたブ
ラシスクラブにより除去する基板洗浄装置において、 上面に基板を保持する複数の基板保持ピンを植立してな
り、純水を基板の下面に噴射する下リンスノズルを備え
た回転シャフトと、 前記回転シャフトの上方に位置し、前記基板保持ピン上
に載置保持される基板の上面を揺動しつつ回転摺動する
ブラシと、 前記基板面にアルカリ水溶液を散布する洗浄液ノズル
と、 前記基板面に純水を散布する上リンスノズルと、 を少なくとも備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248095A JPH0697136A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 基板洗浄方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248095A JPH0697136A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 基板洗浄方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697136A true JPH0697136A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17173143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4248095A Pending JPH0697136A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 基板洗浄方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697136A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290865B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
| KR100654697B1 (ko) * | 1999-07-27 | 2006-12-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 스핀처리장치 |
| JP2007165935A (ja) * | 1994-07-15 | 2007-06-28 | Lam Res Corp | スクラバ中の金属を除去する方法 |
| CN103008298A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体衬底的原位背面清洗 |
| JP2013239494A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
| CN106694409A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-05-24 | 重庆渝泰玻璃有限公司 | 玻璃表面灰尘清除装置 |
| CN107138453A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-08 | 郭林惠 | 一种新型清洁除尘器 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP4248095A patent/JPH0697136A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165935A (ja) * | 1994-07-15 | 2007-06-28 | Lam Res Corp | スクラバ中の金属を除去する方法 |
| US6290865B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
| KR100654697B1 (ko) * | 1999-07-27 | 2006-12-07 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 스핀처리장치 |
| CN103008298A (zh) * | 2011-09-22 | 2013-04-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体衬底的原位背面清洗 |
| CN107068594A (zh) * | 2011-09-22 | 2017-08-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体衬底的原位背面清洗 |
| JP2013239494A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
| CN106694409A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-05-24 | 重庆渝泰玻璃有限公司 | 玻璃表面灰尘清除装置 |
| CN107138453A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-08 | 郭林惠 | 一种新型清洁除尘器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7037853B2 (en) | Wafer cleaning apparatus | |
| JP2000269178A (ja) | エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置 | |
| JP2001246331A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2003502840A (ja) | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム | |
| JP2001319908A (ja) | 被処理物のウエット処理方法及びその装置 | |
| JP2003124180A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0697136A (ja) | 基板洗浄方法およびその装置 | |
| KR20100050397A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법 | |
| JP3380021B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPS6325661B2 (ja) | ||
| JP2002124504A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
| JP4628623B2 (ja) | ウェハ洗浄システムの処理前調整を実施する方法 | |
| JP3413726B2 (ja) | ウエハ洗浄方法 | |
| JPH1126547A (ja) | ウエット処理装置 | |
| JP2000252252A (ja) | スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置 | |
| JPH01140727A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP2003100687A (ja) | 基板処理装置及びその洗浄方法 | |
| JPH03272140A (ja) | 半導体基板の薬品処理装置 | |
| JP2003203900A (ja) | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 | |
| JP2000208466A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH03274722A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2006156919A (ja) | 有機被膜の除去方法及び除去剤 | |
| JPH05175184A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JP2000040684A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2777570B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041104 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041213 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060118 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060228 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20060322 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060404 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140421 |