JPH03274722A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
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- JPH03274722A JPH03274722A JP7332590A JP7332590A JPH03274722A JP H03274722 A JPH03274722 A JP H03274722A JP 7332590 A JP7332590 A JP 7332590A JP 7332590 A JP7332590 A JP 7332590A JP H03274722 A JPH03274722 A JP H03274722A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野］
本発明はリフトオフ工程等のレジストを用いる工程での
半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。 ［従来の技術］ 化合物半導体で、特にＧａＡｓを用いたＦＥＴ及びこれ
らの集積回路ではソース、ドレインのオーミック電極や
ゲート電極の形成にリフトオフプロセスと呼ばれる工程
が使われている。これは、ホトレジストパターンの上か
ら上記に示したような電極材を蒸着したあとホトレジス
トを除去することによって、−緒に不要な金属層を取り
去る原理によって所望なパターンが得られる技術である
。 従来、この工程では、■レジスト除去液の中にウェーハ
を浸漬、■超音波振動の機械的力で不要なものをウェー
ハから落す、■リンス、■乾燥、の手順でリフトオフが
行なわれていた。しかしながら、従来の技術ではウェー
ハの侵潰時間が長くかかり、またウェーハを持ち運ぶ回
数が多く、作業時間は長くかかっていた。また、出来上
がったウェーハの表面には金属粉の異物が多く付着して
しまう問題点があった。これらは、ＩＣやＬＳＩの高集
積化や量産化を阻害する問題点の一つであった。 【発明が解決しようとする課題】 本発明では、リフトオフ工程等のレジストを使用する工
程における省力化と異物低減化を目的とする。 【課題を解決するための手段１ 上記の目的を達成するために、本発明では、レジスト除
去液をウェーハ面に吹き付ける。この時ウェーハを回転
させても良い。 【作用１ ウェーハの表面に加えられた溶液はホトレジストを溶解
したり、剥がしたり、あるいは洗浄したり役目をする。 レジスト除去液を吹き付けることでレジストの離脱が加
速されて通常の侵漬する方法よりも短い時間でリフトオ
フ等が行える。また、離脱した物質（金属粉等）は洗い
流されウェーハの表面に再付着することがないので従来
の技術と比べて異物が少ない。さらに、ウェーハを回転
（自転、公転）させることにより遠心力が加わるのでこ
の効果は大きくなる。 【実施例］ 実施例１゜ 以下、本発明の実施例１を第１図により説明する。 この装置はウェーハ１００を固定して回転できる部分１
と、ウェーハの表面に溶液を噴射できる部分２、ウェー
ハの表面を機械的に洗浄できる部分３、とから成る構成
を基本として付随的な構成要素として、ウェーハを自動
的に搬送して一連のリフトオフ工程を自動的に連続して
行える部分４゜とからなる。ウェーハの固定方法として
は、真空チャックやビンなどによる機械的力を用いる。 また、リフトオフに′は溶液としてレジストの剥離液や
アセトンなどの有機溶剤と、洗浄やリンス用にアルコー
ルや純水などを組み合わせて用いる。溶液の噴射はノズ
ルによって、加圧されて用いる。 さらに、洗浄の部分には、超音波振動力やブラシでこす
る力などを用いる。 実施例２゜ 本実施例では、第２図に示すよう、ウェーハ上の遠心力
を効果的に利用するためにウェーハを回転軸から離して
保持する。また、溶液の噴射は同図のように、ウェーハ
のホトレジストを剥がし取るが如くほぼ水平に加えるこ
とを特徴としている。 実験によれば、ウェーハの保持する位置はウェーハの半
径以上に回転軸から離して置くとよく剥離した。また、
ウェーハの表面にたいして溶液の噴射角度は３０度以内
が好ましい結果となった。 実施例３゜ 本実施例では、第３図に示すように、超音波洗浄を効果
的に行うために、回転部を天地逆転として装置を構成し
たものである。ウェーハを回転するモータ機構は小型化
ができ、この部分をアームに持たせ可動をおこなえばウ
ェーハの搬送化も可能である。このような場合にはウェ
ーハ表面への溶液の噴射は下から加えたほうが効果的で
ある。 以上リフトオフを例に述へたが、本発明の製造方法及び
製造装置によれば、通常のレジストを除去する工程に用
いて効果があることは言うに及ばない。 ［発明の効果］ 本発明は、以下記載されるような効果がある。 （１）リフトオフの工程を、−貫して、自動的に行える
装置なのでこの工程を省力化することができる。 （２）ウェーハ表面上にはリフトオフされた材料が残ら
ないのでウェーハ表面の異物を従来の方法と比べて大幅
に低減することができる。
半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。 ［従来の技術］ 化合物半導体で、特にＧａＡｓを用いたＦＥＴ及びこれ
らの集積回路ではソース、ドレインのオーミック電極や
ゲート電極の形成にリフトオフプロセスと呼ばれる工程
が使われている。これは、ホトレジストパターンの上か
ら上記に示したような電極材を蒸着したあとホトレジス
トを除去することによって、−緒に不要な金属層を取り
去る原理によって所望なパターンが得られる技術である
。 従来、この工程では、■レジスト除去液の中にウェーハ
を浸漬、■超音波振動の機械的力で不要なものをウェー
ハから落す、■リンス、■乾燥、の手順でリフトオフが
行なわれていた。しかしながら、従来の技術ではウェー
ハの侵潰時間が長くかかり、またウェーハを持ち運ぶ回
数が多く、作業時間は長くかかっていた。また、出来上
がったウェーハの表面には金属粉の異物が多く付着して
しまう問題点があった。これらは、ＩＣやＬＳＩの高集
積化や量産化を阻害する問題点の一つであった。 【発明が解決しようとする課題】 本発明では、リフトオフ工程等のレジストを使用する工
程における省力化と異物低減化を目的とする。 【課題を解決するための手段１ 上記の目的を達成するために、本発明では、レジスト除
去液をウェーハ面に吹き付ける。この時ウェーハを回転
させても良い。 【作用１ ウェーハの表面に加えられた溶液はホトレジストを溶解
したり、剥がしたり、あるいは洗浄したり役目をする。 レジスト除去液を吹き付けることでレジストの離脱が加
速されて通常の侵漬する方法よりも短い時間でリフトオ
フ等が行える。また、離脱した物質（金属粉等）は洗い
流されウェーハの表面に再付着することがないので従来
の技術と比べて異物が少ない。さらに、ウェーハを回転
（自転、公転）させることにより遠心力が加わるのでこ
の効果は大きくなる。 【実施例］ 実施例１゜ 以下、本発明の実施例１を第１図により説明する。 この装置はウェーハ１００を固定して回転できる部分１
と、ウェーハの表面に溶液を噴射できる部分２、ウェー
ハの表面を機械的に洗浄できる部分３、とから成る構成
を基本として付随的な構成要素として、ウェーハを自動
的に搬送して一連のリフトオフ工程を自動的に連続して
行える部分４゜とからなる。ウェーハの固定方法として
は、真空チャックやビンなどによる機械的力を用いる。 また、リフトオフに′は溶液としてレジストの剥離液や
アセトンなどの有機溶剤と、洗浄やリンス用にアルコー
ルや純水などを組み合わせて用いる。溶液の噴射はノズ
ルによって、加圧されて用いる。 さらに、洗浄の部分には、超音波振動力やブラシでこす
る力などを用いる。 実施例２゜ 本実施例では、第２図に示すよう、ウェーハ上の遠心力
を効果的に利用するためにウェーハを回転軸から離して
保持する。また、溶液の噴射は同図のように、ウェーハ
のホトレジストを剥がし取るが如くほぼ水平に加えるこ
とを特徴としている。 実験によれば、ウェーハの保持する位置はウェーハの半
径以上に回転軸から離して置くとよく剥離した。また、
ウェーハの表面にたいして溶液の噴射角度は３０度以内
が好ましい結果となった。 実施例３゜ 本実施例では、第３図に示すように、超音波洗浄を効果
的に行うために、回転部を天地逆転として装置を構成し
たものである。ウェーハを回転するモータ機構は小型化
ができ、この部分をアームに持たせ可動をおこなえばウ
ェーハの搬送化も可能である。このような場合にはウェ
ーハ表面への溶液の噴射は下から加えたほうが効果的で
ある。 以上リフトオフを例に述へたが、本発明の製造方法及び
製造装置によれば、通常のレジストを除去する工程に用
いて効果があることは言うに及ばない。 ［発明の効果］ 本発明は、以下記載されるような効果がある。 （１）リフトオフの工程を、−貫して、自動的に行える
装置なのでこの工程を省力化することができる。 （２）ウェーハ表面上にはリフトオフされた材料が残ら
ないのでウェーハ表面の異物を従来の方法と比べて大幅
に低減することができる。
第１図は本発明の実施例１の装置の概略図、第２図は本
発明の実施例２の装置の概略図、第３図は本発明の実施
例３の装置の概略図、である。 符号の説明 １−−ｍ−ウェーハ回転部、 ２−−−一溶液噴射部、 ３−一一一ウェーハ洗浄部、 ４−−−−ウェーハ搬送部、 １００−−−−ウェーハ。
発明の実施例２の装置の概略図、第３図は本発明の実施
例３の装置の概略図、である。 符号の説明 １−−ｍ−ウェーハ回転部、 ２−−−一溶液噴射部、 ３−一一一ウェーハ洗浄部、 ４−−−−ウェーハ搬送部、 １００−−−−ウェーハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レジストを除去する工程において、ウェーハ表面に
レジスト除去液を吹き付けることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 ２、上記レジスト除去液吹付け時に、ウェーハを回転さ
せる特許請求の範囲第６項記載の半導体装置の製造方法
。 ３、ウェーハを保持して、回転する手段と、上記ウェー
ハ表面上にレジスト除去液を吹き付ける手段を備えてな
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。 ４、上記ウェーハ保持、回転手段はその回転中心から少
なくともウェーハの半径分の距離から離れた位置にウェ
ーハの中心がくる如くに構成されてなる特許請求の範囲
第３項記載の半導体装置の製造装置。 ５、上記ウェーハ表面に対する上記レジスト除去液の吹
付け角度は３０度以内である特許請求の範囲第３項又は
第４項記載の半導体装置の製造装置。 ６、上記半導体装置の製造装置はさらにウェーハ表面を
機械的に洗浄する手段を備えており、かつ上記ウェーハ
表面の向きは天地にたいして地面に向けて配置される構
成と成っている特許請求の範囲第３項、第４頁又は第５
項記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7332590A JPH03274722A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7332590A JPH03274722A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274722A true JPH03274722A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13514908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7332590A Pending JPH03274722A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03274722A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5651160A (en) * | 1995-01-19 | 1997-07-29 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus for cleaning substrates |
| US5904164A (en) * | 1997-05-23 | 1999-05-18 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers |
| WO1999027565A1 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for enhanced cleaning of a workpiece with mechanical energy |
| WO2000070656A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
| KR100510069B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2006-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트패턴제거방법 |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP7332590A patent/JPH03274722A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5651160A (en) * | 1995-01-19 | 1997-07-29 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus for cleaning substrates |
| US5858112A (en) * | 1995-01-19 | 1999-01-12 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning substrates |
| KR100510069B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2006-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트패턴제거방법 |
| US5904164A (en) * | 1997-05-23 | 1999-05-18 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers |
| WO1999027565A1 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for enhanced cleaning of a workpiece with mechanical energy |
| WO2000070656A1 (en) * | 1999-05-14 | 2000-11-23 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6274506B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-08-14 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
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