JPH05175184A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05175184A JPH05175184A JP33738591A JP33738591A JPH05175184A JP H05175184 A JPH05175184 A JP H05175184A JP 33738591 A JP33738591 A JP 33738591A JP 33738591 A JP33738591 A JP 33738591A JP H05175184 A JPH05175184 A JP H05175184A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pure water
- nozzle
- cleaning
- dust
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ウエハ１２上のダストを超音波振動させた噴
流水を用いて洗浄するウエハ１２の洗浄方法において、
界面活性剤を含む洗浄液をウエハ１２に供給しながら洗
浄するウエハの洗浄方法。 【効果】 界面活性剤を添加することにより、ウエハ１
２上に強固に付着したダストとウエハとの吸着力が弱ま
り、ウエハ１２の表面を損傷することなく、ウエハ１２
に付着したダストを効率よく短時間で除去することがで
きる。
流水を用いて洗浄するウエハ１２の洗浄方法において、
界面活性剤を含む洗浄液をウエハ１２に供給しながら洗
浄するウエハの洗浄方法。 【効果】 界面活性剤を添加することにより、ウエハ１
２上に強固に付着したダストとウエハとの吸着力が弱ま
り、ウエハ１２の表面を損傷することなく、ウエハ１２
に付着したダストを効率よく短時間で除去することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハの洗浄方法、より
詳細にはウエハ上のダストを超音波振動させた噴流を用
いて洗浄するウエハの洗浄方法に関する。
詳細にはウエハ上のダストを超音波振動させた噴流を用
いて洗浄するウエハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化が進むにつれ、回路の
線幅がサブミクロン領域になってきている。このような
デバイスでは、微小なダストの存在が歩留まりを大きく
低下させる。デバイス製造工程において、従来からウエ
ハの洗浄を行ない、ウエハに付着したダストの除去を行
なっている。洗浄方法としては、ブラシによりウエハ表
面を擦る洗浄方法、超音波振動による洗浄方法、高圧ジ
ェット及び超音波振動水の噴流をウエハに当てて洗浄す
る方法、あるいはこれらを組み合わせた方法が知られて
いる。
線幅がサブミクロン領域になってきている。このような
デバイスでは、微小なダストの存在が歩留まりを大きく
低下させる。デバイス製造工程において、従来からウエ
ハの洗浄を行ない、ウエハに付着したダストの除去を行
なっている。洗浄方法としては、ブラシによりウエハ表
面を擦る洗浄方法、超音波振動による洗浄方法、高圧ジ
ェット及び超音波振動水の噴流をウエハに当てて洗浄す
る方法、あるいはこれらを組み合わせた方法が知られて
いる。
【０００３】ブラシによりウエハの表面を擦る方法にお
いては、ブラシによりウエハ表面を数回擦ることによ
り、強固に付着したダストを除去する。また超音波振動
による洗浄方法においては、所定の洗浄槽の内部に貯留
された洗浄液内に、洗浄すべき複数のウエハを互いに平
行な姿勢で浸漬し、前記洗浄槽の表面に配設された超音
波振動子から洗浄液中に、ウエハの表面にほぼ平行な方
向に超音波振動を印加する。このようにして、ウエハの
表面に付着した微細な異物を超音波エネルギーによって
効果的に除去する。高圧ジェットおよび超音波振動水の
噴流をウエハに当てて洗浄する方法は、純水を高圧ジェ
ット及び超音波振動による噴流として使用し、ウエハに
付着したダストを除去する方法である。
いては、ブラシによりウエハ表面を数回擦ることによ
り、強固に付着したダストを除去する。また超音波振動
による洗浄方法においては、所定の洗浄槽の内部に貯留
された洗浄液内に、洗浄すべき複数のウエハを互いに平
行な姿勢で浸漬し、前記洗浄槽の表面に配設された超音
波振動子から洗浄液中に、ウエハの表面にほぼ平行な方
向に超音波振動を印加する。このようにして、ウエハの
表面に付着した微細な異物を超音波エネルギーによって
効果的に除去する。高圧ジェットおよび超音波振動水の
噴流をウエハに当てて洗浄する方法は、純水を高圧ジェ
ット及び超音波振動による噴流として使用し、ウエハに
付着したダストを除去する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
に使用されるウエハ表面をブラシにより擦る洗浄方法に
ついては、強固に付着したダストは、複数回擦らないと
除去できない。このため擦る回数を増やすとウエハ表面
に損傷を与えることになるという課題があった。
に使用されるウエハ表面をブラシにより擦る洗浄方法に
ついては、強固に付着したダストは、複数回擦らないと
除去できない。このため擦る回数を増やすとウエハ表面
に損傷を与えることになるという課題があった。
【０００５】また、ブラシにより擦る回数を減らすため
に超音波振動による洗浄方法が使用されるが、この超音
波振動による洗浄方法において、洗浄槽に貯留された洗
浄液にウエハを浸漬した状態で洗浄作業を行なう場合に
は、一旦ウエハの表面から除去された異物などにより再
汚染されるという課題があった。
に超音波振動による洗浄方法が使用されるが、この超音
波振動による洗浄方法において、洗浄槽に貯留された洗
浄液にウエハを浸漬した状態で洗浄作業を行なう場合に
は、一旦ウエハの表面から除去された異物などにより再
汚染されるという課題があった。
【０００６】さらに高圧ジェットおよび超音波振動水に
よる方法においては、ウエハ上に付着したダストは超音
波エネルギによって比較的効果的に除去されるが、ウエ
ハの表面に強固に付着した油脂などの付着物を除去する
ことは困難で、洗浄作業に長時間を要するという課題が
あった。
よる方法においては、ウエハ上に付着したダストは超音
波エネルギによって比較的効果的に除去されるが、ウエ
ハの表面に強固に付着した油脂などの付着物を除去する
ことは困難で、洗浄作業に長時間を要するという課題が
あった。
【０００７】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、洗浄作業に長時間を要せず、しかもウエ
ハの表面を損傷することなく、ダストを効率よく除去す
ることできるようなウエハの洗浄方法を提供することを
目的としている。
ものであって、洗浄作業に長時間を要せず、しかもウエ
ハの表面を損傷することなく、ダストを効率よく除去す
ることできるようなウエハの洗浄方法を提供することを
目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るウエハの洗浄方法は、ウエハ上のダスト
を超音波振動させた噴流水を用いて洗浄するウエハの洗
浄方法において、界面活性剤を含む洗浄液を前記ウエハ
に供給しながら洗浄することを特徴としている。
に本発明に係るウエハの洗浄方法は、ウエハ上のダスト
を超音波振動させた噴流水を用いて洗浄するウエハの洗
浄方法において、界面活性剤を含む洗浄液を前記ウエハ
に供給しながら洗浄することを特徴としている。
【０００９】
【作用】上記した方法によれば、ウエハ上のダストを超
音波振動させた噴流水を用いて洗浄するウエハの洗浄方
法において、界面活性剤を含む洗浄液を前記ウエハに供
給しながら洗浄するので、界面活性剤の添加により、ウ
エハと該ウエハ上に強固に付着したダストとの吸着力が
弱まり、超音波純水噴射洗浄によりウエハ上からダスト
が除去される。さらに純水による洗浄を行なうことによ
り、残留した界面活性剤は溶解され除去される。
音波振動させた噴流水を用いて洗浄するウエハの洗浄方
法において、界面活性剤を含む洗浄液を前記ウエハに供
給しながら洗浄するので、界面活性剤の添加により、ウ
エハと該ウエハ上に強固に付着したダストとの吸着力が
弱まり、超音波純水噴射洗浄によりウエハ上からダスト
が除去される。さらに純水による洗浄を行なうことによ
り、残留した界面活性剤は溶解され除去される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係るウエハの洗浄方法の実施
例を図面に基づいて説明する。
例を図面に基づいて説明する。
【００１１】図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は本実施例におけ
るウエハの洗浄方法の工程を示した模式的断面図であ
る。まずウエハ１２の表面を下向きにして、ＬＳＩ製造
装置で搬送してダストを付着させ、このダスト付着量を
異物検査機で検査しておく。次に図１（ａ）に示したよ
うに、ウエハ１２をウエハチェック１１上に固定し、ウ
エハチェック１２を１０００ｒｐｍで回転させながら、
超音波純水噴射ノズル１３の先端をまずウエハ１２の中
心に向かっておろし、この後ウエハ１２の端にむけて移
動させながら純水を噴射させる。この際の超音波純水噴
射ノズル１３からの純水噴出量を０．５ｌ／ｍｉｎ、振
動周波数を１．５ＭＨZ に設定しておく。また、このと
き同時に純水ノズル１４から純水を、界面活性剤ノズル
１５から界面活性剤をウエハ１２に向けて噴射させる。
ウエハ１２上に付着した通常のダストは超音波純水噴流
ノズル１３から噴出した純水により除去され、また強固
にウエハ１２に付着したダストも界面活性剤ノズル１５
から噴出した界面活性剤によりウエハ１２との吸着力が
弱められ、この吸着力が弱められた状態で超音波純水ノ
ズル１３から純水が供給されるとウエハ１２面から除去
される。次に図１（ｂ）に示したように、界面活性剤を
用いて洗浄処理されたウエハ１２を平坦でしかも清浄状
態に保ち、食刻痕による凹凸を生じたり、液滴に解け出
した金属元素の酸化物が液滴消失後に残留して生じる異
物などにより再汚染されることがないように、ウエハ１
２上に残っている界面活性剤を純水ノズル１４から純水
を噴出させることにより溶解させて除去する。さらに図
１（ｃ）に示したように、ウエハチェック１１の回転速
度を５０００ｒｐｍに速めて純水の水滴を飛ばして除去
し、乾燥させる。
るウエハの洗浄方法の工程を示した模式的断面図であ
る。まずウエハ１２の表面を下向きにして、ＬＳＩ製造
装置で搬送してダストを付着させ、このダスト付着量を
異物検査機で検査しておく。次に図１（ａ）に示したよ
うに、ウエハ１２をウエハチェック１１上に固定し、ウ
エハチェック１２を１０００ｒｐｍで回転させながら、
超音波純水噴射ノズル１３の先端をまずウエハ１２の中
心に向かっておろし、この後ウエハ１２の端にむけて移
動させながら純水を噴射させる。この際の超音波純水噴
射ノズル１３からの純水噴出量を０．５ｌ／ｍｉｎ、振
動周波数を１．５ＭＨZ に設定しておく。また、このと
き同時に純水ノズル１４から純水を、界面活性剤ノズル
１５から界面活性剤をウエハ１２に向けて噴射させる。
ウエハ１２上に付着した通常のダストは超音波純水噴流
ノズル１３から噴出した純水により除去され、また強固
にウエハ１２に付着したダストも界面活性剤ノズル１５
から噴出した界面活性剤によりウエハ１２との吸着力が
弱められ、この吸着力が弱められた状態で超音波純水ノ
ズル１３から純水が供給されるとウエハ１２面から除去
される。次に図１（ｂ）に示したように、界面活性剤を
用いて洗浄処理されたウエハ１２を平坦でしかも清浄状
態に保ち、食刻痕による凹凸を生じたり、液滴に解け出
した金属元素の酸化物が液滴消失後に残留して生じる異
物などにより再汚染されることがないように、ウエハ１
２上に残っている界面活性剤を純水ノズル１４から純水
を噴出させることにより溶解させて除去する。さらに図
１（ｃ）に示したように、ウエハチェック１１の回転速
度を５０００ｒｐｍに速めて純水の水滴を飛ばして除去
し、乾燥させる。
【００１２】図２は超音波純水噴流ノズル１３走査回数
とダスト除去率との関係を示したグラフである。超音波
純水噴流ノズル１３がウエハ１２上を走行する回数を超
音波純水噴流ノズル１３走査回数とすると、超音波純水
噴流ノズル１３による界面活性剤を添加しない純水処理
のみの場合、走査回数を増加させていっても除去率は１
４％程度で変化がない。しかしながら超音波純水噴流ノ
ズル１３による洗浄処理の際、界面活性剤ノズル１５か
ら界面活性剤を添加した場合（１回走査当たり２５ｍ
ｌ）、走査回数が４回目になると、ダスト除去率は１９
％になり、走査回数が増加するほど除去率も向上してい
る。
とダスト除去率との関係を示したグラフである。超音波
純水噴流ノズル１３がウエハ１２上を走行する回数を超
音波純水噴流ノズル１３走査回数とすると、超音波純水
噴流ノズル１３による界面活性剤を添加しない純水処理
のみの場合、走査回数を増加させていっても除去率は１
４％程度で変化がない。しかしながら超音波純水噴流ノ
ズル１３による洗浄処理の際、界面活性剤ノズル１５か
ら界面活性剤を添加した場合（１回走査当たり２５ｍ
ｌ）、走査回数が４回目になると、ダスト除去率は１９
％になり、走査回数が増加するほど除去率も向上してい
る。
【００１３】また本実施例では界面活性剤を含む洗浄液
による洗浄処理と超音波純水噴射洗浄処理とを組み合わ
せて洗浄処理を行なっているが、さらにブラシによる洗
浄処理を組み合わせることにより、より一層効率よくダ
ストを除去することができる。
による洗浄処理と超音波純水噴射洗浄処理とを組み合わ
せて洗浄処理を行なっているが、さらにブラシによる洗
浄処理を組み合わせることにより、より一層効率よくダ
ストを除去することができる。
【００１４】このように上記したウエハの洗浄方法によ
れば、超音波純水噴流ノズル１３による純水洗浄処理の
際、界面活性剤ノズル１５から界面活性剤の添加を行な
うので、強固に付着したダストを効率よく短時間で除去
することができ、ウエハ１２を損傷することなく洗浄す
ることができる。
れば、超音波純水噴流ノズル１３による純水洗浄処理の
際、界面活性剤ノズル１５から界面活性剤の添加を行な
うので、強固に付着したダストを効率よく短時間で除去
することができ、ウエハ１２を損傷することなく洗浄す
ることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るウエハ
の洗浄方法にあっては、ウエハ上のダストを超音波振動
させた噴流水を用いて洗浄するウエハの洗浄方法におい
て、界面活性剤を含む洗浄液を前記ウエハに供給しなが
ら洗浄するので、ウエハ上に強固に付着したダストとウ
エハとの吸着力が弱まり、ウエハ上からダストを効率よ
く短時間で除去することができる。また、ウエハの表面
を損傷することもない。
の洗浄方法にあっては、ウエハ上のダストを超音波振動
させた噴流水を用いて洗浄するウエハの洗浄方法におい
て、界面活性剤を含む洗浄液を前記ウエハに供給しなが
ら洗浄するので、ウエハ上に強固に付着したダストとウ
エハとの吸着力が弱まり、ウエハ上からダストを効率よ
く短時間で除去することができる。また、ウエハの表面
を損傷することもない。
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明に係るウエハの洗
浄方法の実施例の工程を順に示した模式的断面図であ
る。
浄方法の実施例の工程を順に示した模式的断面図であ
る。
【図２】超音波純水噴流ノズル走査回数とダスト除去率
との関係を示したグラフである。
との関係を示したグラフである。
１２ ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ上のダストを超音波振動させた噴
流水を用いて洗浄するウエハの洗浄方法において、界面
活性剤を含む洗浄液を前記ウエハに供給しながら洗浄す
ることを特徴とするウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33738591A JPH05175184A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33738591A JPH05175184A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175184A true JPH05175184A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18308134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33738591A Pending JPH05175184A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175184A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5975098A (en) * | 1995-12-21 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of cleaning substrate |
| US6189547B1 (en) * | 1999-05-04 | 2001-02-20 | Honda Electronics Co., Ltd. | Ultrasonic washing apparatus |
| US6202658B1 (en) | 1998-11-11 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6539952B2 (en) | 2000-04-25 | 2003-04-01 | Solid State Equipment Corp. | Megasonic treatment apparatus |
| US6691719B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP33738591A patent/JPH05175184A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5975098A (en) * | 1995-12-21 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of cleaning substrate |
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6319330B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6202658B1 (en) | 1998-11-11 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| US6345630B2 (en) | 1998-11-11 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| US6189547B1 (en) * | 1999-05-04 | 2001-02-20 | Honda Electronics Co., Ltd. | Ultrasonic washing apparatus |
| US6539952B2 (en) | 2000-04-25 | 2003-04-01 | Solid State Equipment Corp. | Megasonic treatment apparatus |
| US6691719B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
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