JP2008288541A - 枚葉式洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得ることができる枚葉式洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Wを保持する保持手段2と、該保持手段に保持された基板上面W1に向けて洗浄液3を噴出する洗浄液噴出手段4とを具備する枚葉式洗浄装置1であって、少なくとも、基板下面W2に伝播水を供給する伝播水供給手段6と、基板直下に伝播水による膜5が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段7とを具備し、振動手段7から伝播水膜5に印加された超音波振動が、基板Wを透過し、該基板上面W1に載っている洗浄液3に印加されることにより、基板上面W1を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置1。
【選択図】図1
【解決手段】基板Wを保持する保持手段2と、該保持手段に保持された基板上面W1に向けて洗浄液3を噴出する洗浄液噴出手段4とを具備する枚葉式洗浄装置1であって、少なくとも、基板下面W2に伝播水を供給する伝播水供給手段6と、基板直下に伝播水による膜5が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段7とを具備し、振動手段7から伝播水膜5に印加された超音波振動が、基板Wを透過し、該基板上面W1に載っている洗浄液3に印加されることにより、基板上面W1を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置1。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体シリコンウェーハや、フォトマスクにデバイスパターンが形成されている基板等を1枚ずつ洗浄する基板の枚葉式洗浄装置に関するものである。
半導体等の製造工程において、半導体基板あるいはフォトマスク基板等の半導体製造に使用される基板にプロセス工程処理を施す際、有機物、金属等の塵埃、異物といったパーティクルが基板に付着していると、基板面内で均一な処理が施せず、また、そのような基板から他の基板に間接的に相互汚染するので、製品製造の歩留りが低下する原因となる。そのため、通常基板に処理を施す前は洗浄装置で基板を洗浄することにより基板からパーティクル等を除去している。
このような基板を洗浄するための洗浄装置には、従来から、複数枚の被洗浄物を同時に洗浄できるバッチ式洗浄装置と、被洗浄物を1枚ずつ洗浄する枚葉式洗浄装置がある。近年における半導体基板の大口型化さらには半導体の配線パターンの微細化に伴い、バッチ式洗浄装置よりも洗浄によるパターンへのダメージを少なくするために枚葉式洗浄装置が広く使用されるようになってきた。
このような枚葉式洗浄装置としては、例えば特許文献1には、イオン注入後にウェハに強固に付着したパーティクルを良好に除去するため、イオン注入された面の裏面に薄膜が形成されているウェハの裏面のみに対し、薄膜をエッチングすることのできる第1洗浄液に超音波振動を印加して洗浄する方法が開示されている。
また、例えば特許文献2には、半導体ウエーハに対し最も効果的な洗浄をおこなうため、被洗浄物の洗浄面に超音波振動板を対向配置し、振動板と被洗浄物との間に洗浄液を供給して、振動板を超音波振動させて、介在する洗浄液により被洗浄物の洗浄面を洗浄する際、振動板の振動面を、被洗浄物の洗浄面における平均音圧が最高点またはその近傍以内の位置に近接配備されている枚葉式洗浄装置が開示されている。
しかし、特許文献1や特許文献2のような枚葉式洗浄装置において、超音波振動を印加する際、高い洗浄効果を得るには超音波振動への出力コントロールが非常に難しく、特にデバイスパターンが形成されているような基板では、高い洗浄効果と引き換えに基板パターンへのダメージが増加し、洗浄時のパターンダメージによる基板製造の歩留低下が発生していた。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、非常に傷つきやすい基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得ることができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも、基板を水平な状態で保持する保持手段と、該保持手段に保持された前記基板の上面に向けて洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段とを具備する枚葉式洗浄装置であって、少なくとも、
前記基板の下面に伝播水を供給する伝播水供給手段と、
前記基板の直下に前記伝播水による膜が形成されるように近接配置され、前記基板に対して透過性のある超音波振動を前記伝播水膜に印加する振動手段とを具備し、
前記振動手段から前記伝播水膜に印加された超音波振動が、前記基板を透過し、該基板の上面に載っている前記洗浄液に印加されることにより、前記基板の上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置を提供する(請求項1)。
前記基板の下面に伝播水を供給する伝播水供給手段と、
前記基板の直下に前記伝播水による膜が形成されるように近接配置され、前記基板に対して透過性のある超音波振動を前記伝播水膜に印加する振動手段とを具備し、
前記振動手段から前記伝播水膜に印加された超音波振動が、前記基板を透過し、該基板の上面に載っている前記洗浄液に印加されることにより、前記基板の上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置を提供する(請求項1)。
このように本発明の枚葉式洗浄装置は、基板の下面に伝播水を供給する伝播水供給手段と、基板の直下に伝播水による膜が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段とを具備し、振動手段から伝播水膜に印加された超音波振動が、基板を透過し、該基板の上面に載っている洗浄液に印加されることにより、基板の上面を洗浄するものである。
これにより、超音波振動によってダメージを受けやすい基板面に対し、振動手段が対向配置されていないので、振動手段から印加される超音波振動が直接基板上面に当たらず、基板の下面に形成される伝播水膜から超音波振動が基板上面のデバイスパターン面へと透過して、基板上面のデバイスパターン面に載っている洗浄液に印加されるので、超音波振動洗浄によって傷つきやすい基板であっても、被洗浄面である上面にダメージが発生するのを抑制することができ、且つ、超音波振動の高い洗浄効果を得ることができる。
従って、洗浄時のパターンダメージや洗浄不足を解消することができ、基板製造の歩留向上につながる。
従って、洗浄時のパターンダメージや洗浄不足を解消することができ、基板製造の歩留向上につながる。
この場合、前記保持手段は、前記基板を水平に保持しながら回転するための回転駆動部が取り付けられたものであることが好ましい(請求項2)。
このように、保持手段が基板を水平に保持しながら回転するための回転駆動部が取り付けられたものであることにより、洗浄時に保持手段を回転させ、基板面内で均一に洗浄することができるし、洗浄後、保持手段を回転させて、そのまま基板を遠心力により乾燥させることができ、基板の洗浄から乾燥までを効率的におこなうことができる。
このように、保持手段が基板を水平に保持しながら回転するための回転駆動部が取り付けられたものであることにより、洗浄時に保持手段を回転させ、基板面内で均一に洗浄することができるし、洗浄後、保持手段を回転させて、そのまま基板を遠心力により乾燥させることができ、基板の洗浄から乾燥までを効率的におこなうことができる。
また、前記振動手段は、上下動が可能に構成され、該振動手段と前記基板との間隔を調整できるものであることが好ましい(請求項3)。
このように、振動手段が上下動でき、該振動手段と基板との間隔を調整できるものであれば、基板の下面に形成される伝播水膜の厚さを調整することができ、さらには、伝播水膜の形成、破壊を自在に制御することができる。
また、振動手段が上下動することにより、振動手段と基板との間隔を一定間隔以上に広げることができるので、乾燥時に振動手段上に残っている伝播水から遠ざけられ、基板の乾燥を効率的に行うことができる。
このように、振動手段が上下動でき、該振動手段と基板との間隔を調整できるものであれば、基板の下面に形成される伝播水膜の厚さを調整することができ、さらには、伝播水膜の形成、破壊を自在に制御することができる。
また、振動手段が上下動することにより、振動手段と基板との間隔を一定間隔以上に広げることができるので、乾燥時に振動手段上に残っている伝播水から遠ざけられ、基板の乾燥を効率的に行うことができる。
さらに、前記振動手段は、前記基板の下方の全面に広がっているものであることが好ましく(請求項4)、又は、前記振動手段は、前記基板の下方の一部に広がっていて、前記振動手段及び/又は前記保持手段が回転することで、前記基板の全面に超音波振動が透過されるものとすることもできる(請求項5)。
このように、振動手段が、基板の下方の全面に広がっている、若しくは、振動手段は、基板の下方の一部に広がっていて、振動手段及び/又は保持手段が回転することで、前記基板の全面に超音波振動が透過されるものであることにより、基板の全面にわたって超音波振動をくまなく透過させることができる。
このように、振動手段が、基板の下方の全面に広がっている、若しくは、振動手段は、基板の下方の一部に広がっていて、振動手段及び/又は保持手段が回転することで、前記基板の全面に超音波振動が透過されるものであることにより、基板の全面にわたって超音波振動をくまなく透過させることができる。
また、前記振動手段は、少なくとも該表面が石英からなるものであることが好ましい(請求項6)。
このように、振動手段の少なくとも表面が石英からなるものであることにより、振動手段からの不純物が伝播水を介して基板を汚染することを防止できる。
このように、振動手段の少なくとも表面が石英からなるものであることにより、振動手段からの不純物が伝播水を介して基板を汚染することを防止できる。
さらに、前記洗浄液噴出手段は、上下動が可能に構成され、該洗浄液噴出手段と前記基板との間隔が調整できるものであることが好ましい(請求項7)。
このように、洗浄液噴出手段は、上下動が可能に構成され、該洗浄液噴出手段と基板との間隔が調整できるものであることにより、基板の厚さに合わせて基板の上面に載せる洗浄液の量や供給位置を調整することができる。
その上、洗浄液が基板面上ではねることを防止して、且つ、干渉しない範囲で基板面に洗浄液噴出手段を近づけることができる。
このように、洗浄液噴出手段は、上下動が可能に構成され、該洗浄液噴出手段と基板との間隔が調整できるものであることにより、基板の厚さに合わせて基板の上面に載せる洗浄液の量や供給位置を調整することができる。
その上、洗浄液が基板面上ではねることを防止して、且つ、干渉しない範囲で基板面に洗浄液噴出手段を近づけることができる。
そして、前記伝播水供給手段は、濃度管理された溶存N2水、又は溶存CO2水の機能水を前記伝播水として前記基板下面に供給するものとすることができる(請求項8)。
このように、伝播水供給手段は、濃度管理された溶存N2水、又は溶存CO2水の機能水を伝播水として基板下面に供給するものであることにより、ガス濃度を調整して所望のキャビテーションを発生させ、基板の上面に透過する超音波振動による洗浄力を調整することができるし、必要に応じて基板の下面も高い洗浄力で洗浄することができるので、傷つきやすい基板の上面に対してのダメージが抑制されつつ、基板の下面も効率的に洗浄する事ができる。
このように、伝播水供給手段は、濃度管理された溶存N2水、又は溶存CO2水の機能水を伝播水として基板下面に供給するものであることにより、ガス濃度を調整して所望のキャビテーションを発生させ、基板の上面に透過する超音波振動による洗浄力を調整することができるし、必要に応じて基板の下面も高い洗浄力で洗浄することができるので、傷つきやすい基板の上面に対してのダメージが抑制されつつ、基板の下面も効率的に洗浄する事ができる。
また、前記伝播水供給手段は前記基板の下面に伝播水を噴射するための伝播水噴射ノズルを具備し、該伝播水噴射ノズルは、その底面に超音波振動子を具備し、且つ該超音波振動子により側面から導入された伝播水に超音波振動を印加して噴射するものであり、該伝播水噴射ノズルは前記振動手段に取付けられたものであることが好ましい(請求項9)。
このように、伝播水噴射ノズルの底面に超音波振動子があれば、伝播水噴射ノズルから伝播水が噴出される直上の基板の部分に対しても、伝播水噴射ノズルの底面にある超音波振動子による超音波振動を印加することができるので、確実に基板の全面に所望の超音波振動を印加することができ、さらなる洗浄力の増大につながる。
このように、伝播水噴射ノズルの底面に超音波振動子があれば、伝播水噴射ノズルから伝播水が噴出される直上の基板の部分に対しても、伝播水噴射ノズルの底面にある超音波振動子による超音波振動を印加することができるので、確実に基板の全面に所望の超音波振動を印加することができ、さらなる洗浄力の増大につながる。
本発明に従う枚葉式洗浄装置なら、非常に傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得ることができるものとなる。
前述したように、従来では、超音波振動を印加する際、高い洗浄効果を得るには超音波振動の出力コントロールが非常に難しく、特にデバイスパターンが形成されているような基板では、高い洗浄効果と引き換えに基板パターンへのダメージが増加し、洗浄時のパターンダメージによる基板製造の歩留低下が発生していた。
このような問題を解決すべく、本発明者等は鋭意研究を重ねた。通常、何かを洗浄しようとするとき、洗浄したい面に対し洗浄液を吹き付けるのが一般的であり、従来の枚葉式洗浄装置でも、主に超音波振動による洗浄効果を得たい基板面(被洗浄面)に対し、その基板面を上に向けるか下に向けるかは問わず、振動手段から超音波振動が印加された洗浄液が直接被洗浄面にあたるように、振動手段が対向配置されているものが一般的である(例えば、特許文献1、2等)。
そこで本発明者等は、非常に傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板の被洗浄面へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得るには、超音波振動による洗浄効果を得たい基板面を上にして基板を保持手段に保持させ、基板の下面に伝播水を供給する伝播水供給手段と、基板の直下に伝播水による膜が形成されるように近接配置され、基板に対して透過性のある超音波振動を伝播水膜に印加する振動手段とを具備し、振動手段から伝播水膜に印加された超音波振動が、基板を透過し、該基板の上面に載っている洗浄液に印加されることにより、基板の上面を洗浄すれば良いことに想到し、本発明を完成させた。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図1は、本発明に係る枚葉式洗浄装置の一実施形態を示す概略図である。
図1は、本発明に係る枚葉式洗浄装置の一実施形態を示す概略図である。
図1のように、本発明に係る枚葉式洗浄装置1の一実施形態は、基板Wを水平な状態で保持する保持手段2と、該保持手段に保持された基板の上面W1(被洗浄面)に向けて洗浄液3を噴出する洗浄液噴出手段4とを具備している。
さらに、基板の下面W2に伝播水を供給する伝播水供給手段6と、基板Wの直下に伝播水による膜5が形成されるように近接配置され、基板Wに対して透過性のある超音波振動を伝播水膜5に印加する振動手段7とを具備している。
そして、振動手段7から伝播水膜5に印加された超音波振動が、基板Wを透過し、該基板の上面W1に載っている洗浄液3に印加されることにより、基板の上面W1を洗浄するものである。
さらに、基板の下面W2に伝播水を供給する伝播水供給手段6と、基板Wの直下に伝播水による膜5が形成されるように近接配置され、基板Wに対して透過性のある超音波振動を伝播水膜5に印加する振動手段7とを具備している。
そして、振動手段7から伝播水膜5に印加された超音波振動が、基板Wを透過し、該基板の上面W1に載っている洗浄液3に印加されることにより、基板の上面W1を洗浄するものである。
このような本発明の枚葉式洗浄装置1を用いて基板洗浄をおこなう際、保持手段2に超音波振動による洗浄効果を得たい基板面を上にして基板Wを保持させれば、超音波振動によって傷つきやすい基板面に対し振動手段7が対向配置されないので、振動手段7から印加される超音波振動が直接当たることはなく、振動手段7から基板の下面W2に形成されている伝播水膜5に超音波振動が印加し、該超音波振動は、基板下面W2から基板上面W1へと透過し、基板の上面W1に載っている洗浄液3に印加される。
これにより、超音波振動洗浄によって傷つきやすい基板面を有する基板やフォトマスク基板であっても、ダメージを抑制することができ、且つ、超音波振動の高い洗浄効果を簡単に得ることができる。
従って、洗浄時のパターンダメージや基板面の傷つき、洗浄不足を解消することができ、基板製造の歩留向上につながる。
従って、洗浄時のパターンダメージや基板面の傷つき、洗浄不足を解消することができ、基板製造の歩留向上につながる。
また、本発明においては、伝播水は基板の下面に近接配置された振動手段と基板の間に伝播水膜として保持されるため、基板洗浄の際に使用する伝播水が少量で済み、経済的である上に、超音波振動を基板に効率よく伝播させることができる。さらに、基板に対し、広範囲に同時に均一に超音波振動を伝えることができるので、基板の全面をより均一に洗浄することができる。このとき、例えば500kHz以上の振動周波数で洗浄するとよい。
保持手段2は、基板Wを水平に保持しながら回転するための回転駆動部8が取り付けられたものであることが好ましい。
これにより、洗浄時に保持手段2を回転させ、基板Wの面内で均一に洗浄することができるし、基板Wの洗浄後、乾燥用の装置に基板Wを搬送する必要がなく、そのまま基板Wを回転させて遠心力により乾燥させることができ、基板の洗浄から乾燥までを1台の枚葉式洗浄装置1で効率的におこなうことができる。
これにより、洗浄時に保持手段2を回転させ、基板Wの面内で均一に洗浄することができるし、基板Wの洗浄後、乾燥用の装置に基板Wを搬送する必要がなく、そのまま基板Wを回転させて遠心力により乾燥させることができ、基板の洗浄から乾燥までを1台の枚葉式洗浄装置1で効率的におこなうことができる。
振動手段7は、上下動が可能に構成され、該振動手段7と基板Wとの間隔を調整できるものであることが好ましい。
これにより、基板の下面W2に形成される伝播水膜5の厚さを調整することができ、さらには、伝播水膜5の形成、破壊を自在に制御することができる。これにより、洗浄力の調整や基板に形成されているパターン等の凹凸にも対応することができる。また、基板Wの搬出入時に振動手段7を待避させるようにもできる。
これにより、基板の下面W2に形成される伝播水膜5の厚さを調整することができ、さらには、伝播水膜5の形成、破壊を自在に制御することができる。これにより、洗浄力の調整や基板に形成されているパターン等の凹凸にも対応することができる。また、基板Wの搬出入時に振動手段7を待避させるようにもできる。
この振動手段7の上下動は、例えば振動手段移動アクチュエーター9により制御することができる。振動手段7と基板Wとの間隔の調整は、例えば基板Wの洗浄前には、振動手段7を上に動かすことで、振動手段7と基板Wとの間隔が狭くなり、基板の直下に近接配置され、伝播水によって振動手段7と基板Wとの間に伝播水膜5を形成することができる。また、例えば基板Wの洗浄後には、振動手段7を下に動かすことで、振動手段7と基板Wとの間隔が広くなり、基板を乾燥させるために伝播水膜5を破壊することもできる。
特に、振動手段7は、振動手段移動アクチュエーター9により、振動手段7と基板Wとの間隔を0.1mmから30mmの間で調整できるものであれば、伝播水膜の形成、破壊を制御するには十分である。
また、洗浄時に基板下面に近接配置する場合と、乾燥時に基板下面から遠ざける場合の2位置制御とするには、エアーシリンダーを使用しても良く、これにより、簡単に伝播水膜の形成、破壊ができるようになる。
特に、振動手段7は、振動手段移動アクチュエーター9により、振動手段7と基板Wとの間隔を0.1mmから30mmの間で調整できるものであれば、伝播水膜の形成、破壊を制御するには十分である。
また、洗浄時に基板下面に近接配置する場合と、乾燥時に基板下面から遠ざける場合の2位置制御とするには、エアーシリンダーを使用しても良く、これにより、簡単に伝播水膜の形成、破壊ができるようになる。
上記の振動手段については、例えば、図2、3のように2つの実施形態を採ることができる。図2は、振動手段の一実施形態を示す概略図である。
図2のように、振動手段7は、基板Wの下方の全面に広がっているものであることが好ましい。
このように、振動手段7が基板Wの下方全面に広がっているものであれば、基板の全面に同時に超音波振動をくまなく透過させることができる。
この振動手段7には、超音波振動子(不図示)が内蔵されている。
図2のように、振動手段7は、基板Wの下方の全面に広がっているものであることが好ましい。
このように、振動手段7が基板Wの下方全面に広がっているものであれば、基板の全面に同時に超音波振動をくまなく透過させることができる。
この振動手段7には、超音波振動子(不図示)が内蔵されている。
さらに、上記のように基板Wの下方の全面に振動手段7が広がっていなくても、図3のような態様とすることもできる。図3は、振動手段の別実施形態を示す概略図である。
図3のように、振動手段7は、基板Wの下方の一部に長方形に広がっていて、振動手段7及び/又は保持手段2が回転することで、基板Wの全面に超音波振動が透過されるものとすることもできる。
これにより、基板全面に渡って超音波振動をくまなく透過させることができる。この態様では、伝播水はさらに少量とすることができる。
図3のように、振動手段7は、基板Wの下方の一部に長方形に広がっていて、振動手段7及び/又は保持手段2が回転することで、基板Wの全面に超音波振動が透過されるものとすることもできる。
これにより、基板全面に渡って超音波振動をくまなく透過させることができる。この態様では、伝播水はさらに少量とすることができる。
そして、振動手段7は、少なくとも該表面が石英からなるものであることが好ましい。
このように、振動手段7の少なくとも表面が石英からなるものであれば、振動手段7からの不純物が伝播水を介して基板Wを汚染することを防止できる。
このように、振動手段7の少なくとも表面が石英からなるものであれば、振動手段7からの不純物が伝播水を介して基板Wを汚染することを防止できる。
洗浄液噴出手段4は、上下動が可能に構成され、該洗浄液噴出手段4と基板Wとの間隔が調整できるものであることが好ましい。
これにより、基板Wの厚さに合わせて基板の上面W1に載せる洗浄液3の量を調整することができる。この洗浄液噴出手段4の上下動は、0.1mmから20mmまでの間で調整できれば十分である。
また、洗浄液噴出手段4は例えば洗浄液供給手段10によって濃度、噴出圧力等が調整された洗浄液3を噴出するものであってもよい。
これにより、基板Wの厚さに合わせて基板の上面W1に載せる洗浄液3の量を調整することができる。この洗浄液噴出手段4の上下動は、0.1mmから20mmまでの間で調整できれば十分である。
また、洗浄液噴出手段4は例えば洗浄液供給手段10によって濃度、噴出圧力等が調整された洗浄液3を噴出するものであってもよい。
伝播水供給手段6は、図5のように伝播水噴射ノズルを具備するものであってもよい。
図5は、伝播水噴射ノズルを振動手段に取付けた場合の概略図である。
この伝播水供給手段6は基板の下面W2に伝播水を噴射するための伝播水噴射ノズル13を具備する。特にこの伝播水噴射ノズル13は、その底面に超音波振動子13aを具備し、且つ該超音波振動子13aにより伝播水供給管14を通って伝播水噴射ノズル13の側面から導入された伝播水に超音波振動を印加して噴射するものであり、振動手段7に取付けられたものである。
図5は、伝播水噴射ノズルを振動手段に取付けた場合の概略図である。
この伝播水供給手段6は基板の下面W2に伝播水を噴射するための伝播水噴射ノズル13を具備する。特にこの伝播水噴射ノズル13は、その底面に超音波振動子13aを具備し、且つ該超音波振動子13aにより伝播水供給管14を通って伝播水噴射ノズル13の側面から導入された伝播水に超音波振動を印加して噴射するものであり、振動手段7に取付けられたものである。
このように、伝播水供給手段6が、超音波振動子13aを底面に有する伝播水噴射ノズル13を具備し、振動手段7に図5のように取付けられたものであることにより、伝播水噴射ノズルから超音波振動を印加した伝播水を噴出することができるので、直上の基板の部分に対しても、伝播水噴射ノズルの底面にある超音波振動子による超音波振動を印加することができる。従って、確実に基板の全面に所望の超音波振動を印加することができ、さらなる洗浄力の増大につながる。
但し、このような構成とする場合、振動手段7の具備する超音波振動子7aと伝播水噴射ノズル13の具備する超音波振動子13aは、超音波振動の打消しが起こらないように互いにその振動数を適宜同期させるのが好ましい。
但し、このような構成とする場合、振動手段7の具備する超音波振動子7aと伝播水噴射ノズル13の具備する超音波振動子13aは、超音波振動の打消しが起こらないように互いにその振動数を適宜同期させるのが好ましい。
また、伝播水供給手段6から供給する伝播水は、濃度管理された溶存N2水、又は溶存CO2水の機能水を伝播水として基板下面W2に供給するものとすることができる。
これにより、ガス濃度を調整して所望のキャビテーションを発生させ、基板の上面W1に透過する超音波振動による洗浄力を調整することができるし、必要に応じて基板の下面W2も高い洗浄力で洗浄することができるので、傷つきやすい基板の上面W1に対してのダメージが抑制されつつ、基板の下面W2も洗浄でき、基板Wの両面を効率的に洗浄する事ができる。
また、この伝播水としては、基板においてデバイスパターン等が形成されていない基板裏面を洗浄するための薬液を使用しても良い。
これにより、ガス濃度を調整して所望のキャビテーションを発生させ、基板の上面W1に透過する超音波振動による洗浄力を調整することができるし、必要に応じて基板の下面W2も高い洗浄力で洗浄することができるので、傷つきやすい基板の上面W1に対してのダメージが抑制されつつ、基板の下面W2も洗浄でき、基板Wの両面を効率的に洗浄する事ができる。
また、この伝播水としては、基板においてデバイスパターン等が形成されていない基板裏面を洗浄するための薬液を使用しても良い。
図4は、伝播水の供給口を説明するための図で、図4(A)は概略図、図4(B)は図4(A)のX−X断面図である。伝播水の供給口は、図1のように、振動手段7の中心に伝播水供給口12を形成してもよいし、図4のように、振動手段7に内蔵されている超音波振動子7aの両端に伝播水供給口12を形成してもよい。
尚、本発明の枚葉式洗浄装置1において、振動手段7は、基板Wに対して透過性のある超音波振動を伝播水膜5に印加する必要がある。このように、基板Wに対して透過性のある超音波振動の周波数を簡単に調節し、振動手段7から伝播水膜5に印加するには以下のような構成とすることが好ましい。
例えば、予め、基板Wの種類(基板の厚さ、材質等)にあった透過性を有する超音波振動の周波数を発振できるように設定してある振動制御手段11を、振動手段7に接続しておく。これにより、基板洗浄の際、振動制御手段11において基板Wの種類(基板の厚さ、材質等)を選択するだけで、洗浄したい基板に対して透過性のある超音波振動を簡単且つ自動的に伝播水膜5に印加することができる。
例えば、予め、基板Wの種類(基板の厚さ、材質等)にあった透過性を有する超音波振動の周波数を発振できるように設定してある振動制御手段11を、振動手段7に接続しておく。これにより、基板洗浄の際、振動制御手段11において基板Wの種類(基板の厚さ、材質等)を選択するだけで、洗浄したい基板に対して透過性のある超音波振動を簡単且つ自動的に伝播水膜5に印加することができる。
以下、本発明の実施例及び比較例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
厚さ6.35mmのフォトマスク基板を図1のような本発明に係る枚葉式洗浄装置1で次のように洗浄した。
<使用した枚葉式洗浄装置>
使用した枚葉式洗浄装置1は、基板Wを水平な状態で保持する保持手段2と、該保持手段に保持された基板の上面W1に向けて洗浄液3を噴出する洗浄液噴出手段4とを具備している。さらに、基板の下面W2に伝播水を供給する伝播水供給手段6と、基板Wの直下に伝播水による膜5が形成されるように近接配置され、基板Wに対して透過性のある超音波振動を伝播水膜5に印加する振動手段7とを具備している。
(実施例)
厚さ6.35mmのフォトマスク基板を図1のような本発明に係る枚葉式洗浄装置1で次のように洗浄した。
<使用した枚葉式洗浄装置>
使用した枚葉式洗浄装置1は、基板Wを水平な状態で保持する保持手段2と、該保持手段に保持された基板の上面W1に向けて洗浄液3を噴出する洗浄液噴出手段4とを具備している。さらに、基板の下面W2に伝播水を供給する伝播水供給手段6と、基板Wの直下に伝播水による膜5が形成されるように近接配置され、基板Wに対して透過性のある超音波振動を伝播水膜5に印加する振動手段7とを具備している。
また、保持手段2は、基板Wを水平に保持しながら回転するための回転駆動部8が取り付けられたものを使用し、振動手段7と洗浄液噴出手段4は、上下動が可能に構成されているものを使用した。そして、表面が石英の振動手段7は、基板Wの下方の全面に広がっており、伝播水は、図2のように振動手段7の中心から供給されるようになっている。さらに、基板Wの種類(基板の厚さ、材質等)にあった透過性を有する超音波振動の周波数を発振できるように設定してある振動制御手段11が、振動手段7に接続してある。
<基板の洗浄>
このような枚葉式洗浄装置1を使用し、まず、デバイスパターンの形成されている表面を上に向けた状態で保持手段2に基板を保持させ、洗浄液噴出手段4を、基板との距離が5mmとなるように調整した。次に、振動手段移動アクチュエーター9により、振動手段7を基板との間隔が3.3mmとなるように移動させ、伝播水供給手段6から濃度管理された溶存N2水の機能水を、基板の下面W2に供給し、伝播水が基板Wと振動手段7との間に伝播水膜5を張るのを確認した。続いて、振動制御手段11で基板種を選択し、フォトマスク基板を洗浄した。
このとき、洗浄液噴出手段4から噴出させる洗浄液としては、アンモニア水5%を使用し、振動手段7への出力はW密度:0.5W/cm2であった。
このような枚葉式洗浄装置1を使用し、まず、デバイスパターンの形成されている表面を上に向けた状態で保持手段2に基板を保持させ、洗浄液噴出手段4を、基板との距離が5mmとなるように調整した。次に、振動手段移動アクチュエーター9により、振動手段7を基板との間隔が3.3mmとなるように移動させ、伝播水供給手段6から濃度管理された溶存N2水の機能水を、基板の下面W2に供給し、伝播水が基板Wと振動手段7との間に伝播水膜5を張るのを確認した。続いて、振動制御手段11で基板種を選択し、フォトマスク基板を洗浄した。
このとき、洗浄液噴出手段4から噴出させる洗浄液としては、アンモニア水5%を使用し、振動手段7への出力はW密度:0.5W/cm2であった。
<基板の乾燥>
次に、振動手段移動アクチュエーター9により、振動手段7を基板との間隔が13.3mmとなるように移動させ、伝播水膜5を破壊した。そして、保持手段2を回転駆動部8により高速回転させ、フォトマスク基板を回転乾燥させた。
次に、振動手段移動アクチュエーター9により、振動手段7を基板との間隔が13.3mmとなるように移動させ、伝播水膜5を破壊した。そして、保持手段2を回転駆動部8により高速回転させ、フォトマスク基板を回転乾燥させた。
<結果>
上記のように洗浄、乾燥させたフォトマスク基板のパターンが形成されている基板面を電子顕微鏡で観察した結果、デバイスパターンは、全くダメージを受けておらず、さらに、該基板面のパーティクル数を測定した結果、除去しなくてはいけない0.2μm以上の大きさのパーティクルは全て除去されるという結果となり、所望の超音波振動による洗浄力を発揮できていた。
上記のように洗浄、乾燥させたフォトマスク基板のパターンが形成されている基板面を電子顕微鏡で観察した結果、デバイスパターンは、全くダメージを受けておらず、さらに、該基板面のパーティクル数を測定した結果、除去しなくてはいけない0.2μm以上の大きさのパーティクルは全て除去されるという結果となり、所望の超音波振動による洗浄力を発揮できていた。
(比較例)
実施例と比較するため、実施例と同じ仕様のフォトマスク基板を従来の枚葉式洗浄装置で次のように洗浄した。
<使用した枚葉式洗浄装置>
使用した枚葉式洗浄装置は、基板を水平な状態で保持する保持手段と、該保持手段に保持された基板の上面に向けて洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段と、基板上に噴出された洗浄液に所望の超音波振動を印加できるように基板上面に対向配置された振動手段を具備したものを使用した。
実施例と比較するため、実施例と同じ仕様のフォトマスク基板を従来の枚葉式洗浄装置で次のように洗浄した。
<使用した枚葉式洗浄装置>
使用した枚葉式洗浄装置は、基板を水平な状態で保持する保持手段と、該保持手段に保持された基板の上面に向けて洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段と、基板上に噴出された洗浄液に所望の超音波振動を印加できるように基板上面に対向配置された振動手段を具備したものを使用した。
<基板の洗浄>
そして、フォトマスク基板のパターンが形成されている面を上に向けて保持手段にフォトマスク基板を保持させた。次に、洗浄液噴出手段から洗浄液としてアンモニア水5%をフォトマスク基板の上面に噴出させた。また、振動手段を基板の上面に対向配置し、洗浄力不足とならない程度の超音波振動の出力をW密度:0.5W/cm2に調整した。この超音波振動を噴出された洗浄液に超音波振動を印加し、フォトマスク基板の上面を洗浄した。
そして、フォトマスク基板のパターンが形成されている面を上に向けて保持手段にフォトマスク基板を保持させた。次に、洗浄液噴出手段から洗浄液としてアンモニア水5%をフォトマスク基板の上面に噴出させた。また、振動手段を基板の上面に対向配置し、洗浄力不足とならない程度の超音波振動の出力をW密度:0.5W/cm2に調整した。この超音波振動を噴出された洗浄液に超音波振動を印加し、フォトマスク基板の上面を洗浄した。
<基板の乾燥>
続いて、洗浄効果を比較したいので、保持手段に取り付けられている回転駆動部により、保持手段を回転させ、基板の乾燥をおこなった。
続いて、洗浄効果を比較したいので、保持手段に取り付けられている回転駆動部により、保持手段を回転させ、基板の乾燥をおこなった。
<結果>
上記のように洗浄、乾燥させたフォトマスク基板のパターンが形成されている基板面のパーティクル数を測定した結果、0.2μm以上のパーティクルは0個と所望の超音波振動による洗浄力を発揮できていた。しかし、該基板面を電子顕微鏡で観察した結果、デバイスパターンは、パターン倒れが30箇所程度発生しており、かなりのダメージを受けていることが観察された。
上記のように洗浄、乾燥させたフォトマスク基板のパターンが形成されている基板面のパーティクル数を測定した結果、0.2μm以上のパーティクルは0個と所望の超音波振動による洗浄力を発揮できていた。しかし、該基板面を電子顕微鏡で観察した結果、デバイスパターンは、パターン倒れが30箇所程度発生しており、かなりのダメージを受けていることが観察された。
以上、実施例、比較例の結果より、本発明に係る枚葉式洗浄装置であれば、非常に傷つきやすい基板面を有する基板や、特にデバイスパターンが形成されているような基板であっても、基板へのダメージを抑制でき、且つ高い洗浄効果を簡単に得られることが分かる。
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的思想に包含される。
1…枚葉式洗浄装置、 2…保持手段、 3…洗浄液、 4…洗浄液噴出手段、
5…伝播水膜、 6…伝播水供給手段、 7…振動手段、
7a,13a…超音波振動子、 8…回転駆動部、
9…振動手段移動アクチュエーター、 10…洗浄液供給手段、
11…振動制御手段、 12…伝播水供給口、
13…伝播水噴射ノズル、 14…伝播水供給管、
W…基板、 W1…基板上面、 W2…基板下面。
5…伝播水膜、 6…伝播水供給手段、 7…振動手段、
7a,13a…超音波振動子、 8…回転駆動部、
9…振動手段移動アクチュエーター、 10…洗浄液供給手段、
11…振動制御手段、 12…伝播水供給口、
13…伝播水噴射ノズル、 14…伝播水供給管、
W…基板、 W1…基板上面、 W2…基板下面。
Claims (9)
- 少なくとも、基板を水平な状態で保持する保持手段と、該保持手段に保持された前記基板の上面に向けて洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段とを具備する枚葉式洗浄装置であって、少なくとも、
前記基板の下面に伝播水を供給する伝播水供給手段と、
前記基板の直下に前記伝播水による膜が形成されるように近接配置され、前記基板に対して透過性のある超音波振動を前記伝播水膜に印加する振動手段とを具備し、
前記振動手段から前記伝播水膜に印加された超音波振動が、前記基板を透過し、該基板の上面に載っている前記洗浄液に印加されることにより、前記基板の上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 - 前記保持手段は、前記基板を水平に保持しながら回転するための回転駆動部が取り付けられたものであることを特徴とする請求項1に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記振動手段は、上下動が可能に構成され、該振動手段と前記基板との間隔を調整できるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記振動手段は、前記基板の下方の全面に広がっているものであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記振動手段は、前記基板の下方の一部に広がっていて、前記振動手段及び/又は前記保持手段が回転することで、前記基板の全面に超音波振動が透過されるものであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記振動手段は、少なくとも該表面が石英からなるものであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記洗浄液噴出手段は、上下動が可能に構成され、該洗浄液噴出手段と前記基板との間隔が調整できるものであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記伝播水供給手段は、濃度管理された溶存N2水、又は溶存CO2水の機能水を前記伝播水として前記基板下面に供給するものであることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の枚葉式洗浄装置。
- 前記伝播水供給手段は前記基板の下面に伝播水を噴射するための伝播水噴射ノズルを具備し、該伝播水噴射ノズルは、その底面に超音波振動子を具備し、且つ該超音波振動子により側面から導入された伝播水に超音波振動を印加して噴射するものであり、該伝播水噴射ノズルは前記振動手段に取付けられたものであることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の枚葉式洗浄装置。
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---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (2)
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JP2007110285 | 2007-04-19 | ||
JP2007189284A JP2008288541A (ja) | 2007-04-19 | 2007-07-20 | 枚葉式洗浄装置 |
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JP2008288541A true JP2008288541A (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=40147943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007189284A Pending JP2008288541A (ja) | 2007-04-19 | 2007-07-20 | 枚葉式洗浄装置 |
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JP (1) | JP2008288541A (ja) |
KR (1) | KR20080094539A (ja) |
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- 2007-07-20 JP JP2007189284A patent/JP2008288541A/ja active Pending
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US9630200B2 (en) | 2009-03-30 | 2017-04-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus with elongating treatment liquid supply pipe |
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