JP2016058665A - 基板洗浄方法および基板洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板表面から超音波を印加した液体を供給するとともに、基板裏面には液膜を形成させる。基板を介し、超音波が供給される表面から超音波を裏面に伝播させることで、裏面の超音波洗浄を実行する。表面へ供給する液体には脱気処理を施すことで、パターン倒壊を防止する。また、裏面へ供給する液体は溶存ガス濃度を高めることで洗浄力を向上させる。表面ノズルが基板表面をスキャンすることで、伝播に伴う超音波の減衰による、ノズル遠方での低い洗浄力を補償でき、裏面全面を良好に洗浄できる。
【選択図】 図16
Description
図1、図2および図3はこの発明に係る基板処理装置9の概略構成を示す図である。図1は基板処理装置9の正面図であり、図2は図1の基板処理装置9のB1−B1線に沿った矢視断面図である。また、図3は図1の基板処理装置9を矢印B2側からみた側面図である。この装置は半導体基板等の基板W(以下、単に「基板W」と記載する)に付着しているパーティクル等の汚染物質(以下「パーティクル等」と記載する)を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。
図1、図2および図3を適宜参照して、第1実施形態に係る基板処理装置の全体構成を説明する。基板処理装置9は、基板Wを例えば25枚収容したFOUP(Front Open Unified Pod)949を載置するオープナー94と、オープナー94上のFOUP949から未処理の基板Wを取り出し、また処理完了後の基板WをFOUP949内に収納するインデクサユニット93と、インデクサユニット93とセンターロボット96との間で基板Wの受け渡しを行うシャトル95と、基板Wをセンターロボット96でその内部に収容して洗浄を行う処理ユニット91と、処理ユニット91に供給される液体や気体の配管、バルブ等を収容する流体ボックス92とで構成される。
次に、処理ユニット91の全体構成について図4を用いて説明する。図4は処理ユニット91の全体構成を示す模式図である。ここで、本実施形態における8つの処理ユニット91はそれぞれ同じ構成であるため、図2における矢印B3の示す処理ユニット91(図1において左下側の処理ユニット91)を代表として以下説明する。
れており、各供給路563、564の下方端が噴射ヘッド551の下面(基板表面Wfと対向する面)で基板Wの略中央に向けて開口し、それぞれDIW吐出口565およびガス吐出口566として機能する。また、各供給路563、564の上方端はそれぞれ配管512、532に連通されている。このため、制御ユニット97が開閉弁513に動作指令し、開閉弁513を開成すると、DIWがDIW供給源511から噴射ヘッド551へ供給され、DIW吐出口565からDIWが吐出される。また、制御ユニット97がマスフローコントローラ535に動作指令することで窒素ガスの流量が設定されると、設定値に応じて窒素ガス供給源531から窒素ガスが噴射ヘッド551へ供給され、ガス吐出口566から窒素ガスが吐出される。
次に、上記のように構成された基板処理装置9における基板処理動作について説明する。ここで、基板W上には、凹凸のパターンが前工程により形成されている。パターンは、凸部および凹部を備えている。本実施形態において、凸部は、100〜200nmの範囲の高さであり、10〜20nmの範囲の幅である。また、隣接する凸部間の距離(凹部の幅)は、10〜1000nmの範囲である。また、基板表面Wfおよび基板裏面Wbには、上記のパターンの形成の際に生じたパーティクル等が付着している。
ここで、Peは雰囲気圧、Pvは蒸気圧、ρは密度、Vは流速である。
ここで、rは崩壊前の気泡半径、σは表面張力である。
第1実施形態では、単一の吐出口352を有するノズル350の旋回と、基板W自体の回転により、直接伝播領域BEを基板裏面Wbの全面に順次、位置させた。本発明の実施に関しては、これに限られず、吐出口352を複数個有するノズル350を設けることで、超音波洗浄工程時に複数の直接伝播領域BEを生じさせ、ノズル350は超音波洗浄工程時に移動させることなく、基板Wの回転のみによって当該複数の直接伝播領域BEを移動させる構成としてもよい。
図19に、第2実施形態に係る第2液体吐出ユニットの構成を示す。第2実施形態において、第1実施形態(図9参照)との構成上の相違点は、ノズル350が複数の吐出口352を有する点にあり、その他の点では第1実施形態と同様の構成であるため、同様な構成については説明を省略する。
次に、上記のように構成された第2実施形態の基板処理装置9における基板処理動作について説明する。ここで、第2実施形態の基板処理動作における第1実施形態との相違点は、超音波洗浄工程時(図13参照)に、ノズル350が旋回するか否かの点であり、その他の工程については第1実施形態と同様の工程であるため、同様な工程については説明を省略する。
第1実施形態および第2実施形態では、基板表面Wfからのみ、超音波印加液を供給することにより、基板Wを介して基板裏面Wbおよび液膜Lbへ超音波振動を伝播させた。しかしながら、本発明の実施に関しては上記実施形態に限られず、基板表面Wfから第1実施形態または第2実施形態におけるノズル350を用いて、第2液体に超音波を印加した超音波印加液を供給するとともに、基板裏面Wbへ直接、超音波印加液を供給するノズル(ノズル360)を備える構成としてもよい。
図21を用いて、第3実施形態に係る基板処理ユニット91の概略構成を説明する。図21は、第3実施形態に係る基板Wの周辺構成を概略的に示す模式図である。第3実施形態において、第1実施形態(図14参照)との構成上の相違点は、ノズル350の他に、新たにノズル360を備える点にあり、その他の点では第1実施形態と同様の構成であるため、同様な構成については説明を省略する。
次に、上記のように構成された第3実施形態の基板処理装置9における基板処理動作について、図13のフローチャート、および図21の模式図を用いて説明する。ここで、第3実施形態の基板処理動作における第1実施形態との相違点は、超音波洗浄工程時に、ノズル360が第1液体に超音波を印加するか否かの点であり、その他の工程については第1実施形態と同様の工程であるため、同様な工程については説明を省略する。
上記の第3実施形態では、ノズル360を裏面吐出ユニット43の内管432と接続し、第1液体に超音波を印加した超音波印加第1液体を基板裏面Wbの中央部に吐出する構成とした。しかしながら、本発明の実施に関してはこれに限られず、基板Wの周縁部または基板裏面Wbに向けて超音波を印加した液体を吐出するノズルを、基板Wの中心から周縁部に向かう径方向における基板Wの外側であり、かつ基板Wの下方に設置し、基板Wの斜め下方から超音波印加液を供給する構成としてもよい。
図22を用いて、第4実施形態に係る基板処理ユニット91の概略構成を説明する。図22は、第4実施形態に係る基板Wの周辺構成を概略的に示す模式図である。第4実施形態において、第1実施形態(図14参照)との構成上の相違点は、ノズル350の他に、新たにノズル360を備える点にあり、その他の点では第1実施形態と同様の構成であるため、同様な構成については説明を省略する。
次に、上記のように構成された第4実施形態の基板処理装置9における基板処理動作について、図13のフローチャート、および図22の模式図を用いて説明する。ここで、第4実施形態の基板処理動作における第1実施形態との相違点は、超音波洗浄工程時に、ノズル360からの超音波印加第1液体の吐出が有るか否かの点であり、その他の工程については第1実施形態と同様の工程であるため、同様な工程については説明を省略する。
第1実施形態ないし第4実施形態では、第1液体および第2液体ともにDIWを用い、それぞれ溶存窒素ガス濃度を高める処理と、脱気処理を行うことで、キャビテーション強度の大小を調整した。本発明において、基板裏面Wbの洗浄がノズル350の全面スキャン等により充分達成されるのであれば、基板裏面Wbに供給する第1液体の溶存窒素ガス濃度を調整することなく、第2液体の脱気処理のみを行う構成としてもよい。
第1実施形態ないし第4実施形態では、第1液体および第2液体ともにDIWを用い、それぞれ溶存窒素ガス濃度を高める処理と、脱気処理を行うことで、キャビテーション強度の大小を調整した。本発明において、キャビテーション強度の大小の調整は溶存ガス濃度の調整に限られず、第1液体および第2液体に用いる液体の組成を変更することで達成してもよい。
なお、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて前述したもの以外に種々の変更をすることが可能である。
に好適である。
3 第2液体吐出手段
4 第1液体吐出手段
9 基板処理装置
11 基板保持部
13 排液捕集部
81 第1液体
82 第2液体
91 処理ユニット
92 流体ボックス
93 インデクサユニット
94 オープナー
95 シャトル
96 センターロボット
97 制御ユニット
113 スピンベース
121 基板回転機構
313 脱ガス機構
331 高周波発振回路
332 給電線
333 振動子
334 振動面
350 ノズル
351 ノズル本体
352 吐出孔
353 導入部
354 ベース部材
355 旋回上下軸
356 旋回駆動部
357 上下駆動部
358 アーム
360 ノズル
413 ガス濃度調整機構
Claims (14)
- 一方主面にパターンが形成された基板の他方主面を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記他方主面を鉛直方向下向きにして、前記基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記他方主面に第1液体を供給して液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜が前記他方主面に形成された状態で、第2液体に超音波を印加した超音波印加液を前記一方主面に供給し、前記一方主面側から前記基板を介して前記他方主面、および前記他方主面に形成される前記第1液体の前記液膜に対して超音波振動を伝播させて前記他方主面を超音波洗浄する超音波洗浄工程と、
を備え、
前記第1液体は、前記基板の主面上に存在する液体に超音波が伝わる時に当該液体中で発生するキャビテーションにより前記基板に作用する単位面積当たりの応力であるキャビテーション強度が前記第2液体よりも高いことを特徴とする基板洗浄方法。
- 請求項1に記載の基板洗浄方法であって、
前記超音波洗浄工程では、前記超音波印加液を前記一方主面に供給するノズルが、前記超音波印加液を吐出しながら前記一方主面に対して相対移動する、基板洗浄方法。
- 請求項2に記載の基板洗浄方法であって、
前記基板保持工程により保持された基板を回転中心回りに回転する基板回転工程をさらに備え、
前記液膜形成工程は、前記基板回転工程により前記基板を回転させた状態で前記他方主面に前記第1液体を供給することで前記液膜を形成し、
前記超音波洗浄工程は、前記基板回転工程により前記基板を回転させた状態で前記一方主面に前記超音波印加液を供給する、基板洗浄方法。
- 請求項3に記載の基板洗浄方法であって、
前記超音波洗浄工程は、前記基板回転工程により前記基板を回転させた状態で前記一方主面に前記超音波印加液を供給し、かつ前記他方主面に前記第1液体に超音波を印加した超音波印加第1液体を供給する、基板洗浄方法。
- 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の基板洗浄方法であって、
前記超音波洗浄工程は、前記第1液体と同一の組成であり、かつ前記第1液体よりも低いガス濃度を有する液体を第2液体として用いる、基板洗浄方法。
- 請求項5に記載の基板洗浄方法であって、
前記超音波洗浄工程は、前記一方主面に前記第2液体を供給する前に、前記第2液体を脱気して前記第2液体のキャビテーション強度を低下させる工程を含む、基板洗浄方法。
- 一方主面にパターンが形成された基板の他方主面を洗浄する基板洗浄装置であって、
前記他方主面を鉛直方向下向きにして、前記基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記他方主面に第1液体を吐出する第1液体吐出手段と、
前記他方主面に前記第1液体の液膜を形成する液膜形成手段と、
前記他方主面に前記第1液体の前記液膜が形成された状態で、第2液体に超音波を印加した超音波印加液を前記一方主面に吐出して、前記一方主面側から前記基板を介して前記他方主面、および前記他方主面に形成される前記第1液体の前記液膜に対して超音波振動を伝搬させて前記他方主面を超音波洗浄する第2液体吐出手段と、
を備え、
前記液膜における前記第1液体は、前記基板の主面上に存在する液体に超音波が伝わる時に当該液体中で発生するキャビテーションにより前記基板に作用する単位面積当たりの応力であるキャビテーション強度が前記一方主面に吐出される前記第2液体よりも高いことを特徴とする基板洗浄装置。
- 請求項7に記載の基板洗浄装置であって、
前記第2液体吐出手段は、前記超音波印加液を前記一方主面の一部領域に直接吐出するノズルを有し、
前記ノズルは、前記基板に対して相対的に移動する、基板洗浄装置。
- 請求項8に記載の基板洗浄装置であって、
前記基板保持手段に保持された前記基板を回転中心回りに回転させる基板回転手段をさらに備え、
前記第2液体吐出手段は、前記ノズルを前記基板に対し相対的に移動させる移動機構を備え、
前記移動機構は、前記ノズルを、前記基板の回転中心に向けて前記超音波印加液を吐出する第1位置と、前記基板の周縁部に向けて前記超音波印加液を吐出する第2位置との間を、前記基板の回転中心から前記基板の周縁部に向かう径方向に移動させる、基板洗浄装置。
- 請求項8または請求項9に記載の基板洗浄装置であって、
前記他方主面に向けて前記第1液体に超音波を印加した超音波印加第1液体を吐出する超音波印加第1液体吐出手段をさらに備える、基板洗浄装置。
- 請求項8ないし請求項10のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、
前記ノズルは、前記一方主面に向けて開口されて前記超音波印加液を吐出する吐出孔を有するノズル本体と、前記ノズル本体の内部に液体を導入する導入部と、前記ノズル本体の内部に導入された前記液体に超音波を付与して前記超音波印加液を生成する振動子とを有し、
前記振動子は、前記吐出孔と対向する凹面を有し、前記超音波印加液に含まれる超音波を前記吐出孔の外側で収束させる、基板洗浄装置。
- 請求項11に記載の基板洗浄装置であって、
前記超音波印加液に含まれる超音波が収束する収束点の位置を調整する位置調整部と、
前記一方主面に対する前記超音波印加液の入射角度を調整する方向調整部をさらに備える、基板洗浄装置。
- 請求項7ないし請求項12のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、
前記第2液体吐出手段は、前記第2液体を脱気する脱ガス機構を有し、前記脱ガス機構により脱気された前記第2液体に超音波を印加することで超音波印加液を生成する、基板洗浄装置。
- 請求項7ないし請求項13のいずれか一項に記載の基板洗浄装置であって、
前記第1液体吐出手段は、前記第1液体に窒素ガス、炭酸ガス、水素ガス、酸素ガス、オゾンガスまたは空気を溶解させることで前記第1液体中のガス濃度を高めるガス濃度調整機構を有し、前記ガス濃度調整機構によりガス濃度が高められた前記第1液体を前記他方主面に吐出する、基板洗浄装置。
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