JPH1074724A - 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 超音波を利用して半導体ウエハをスクラブ洗
浄する際に、超音波エネルギーがＬＳＩパターンにダメ
ージを与えないようにする。 【解決手段】 スプレイノズル２４のヘッド２５の下端
から噴出する洗浄水２７の照射角度が７５゜〜９０゜の
範囲内となるようにアーム２３の角度を調整し、半導体
基板１の回転中心軸の半径方向に沿ってヘッド２５を走
査移動させながら半導体基板１の上面（裏面）に超音波
が伝播された洗浄水２７を照射して異物の除去を行うよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造技術に関し、特に、超音波を利用した半導体ウ
エハのスクラブ洗浄に適用して有効な技術に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハの大口径化に伴って
ＬＳＩ製造プロセスの枚葉処理化が進み、搬送アームや
ステージなどの機構部とウエハの裏面とが接触する機会
が増えていることから、機構部に付着した異物がウエハ
の裏面に転写される機会も多くなっている。

【０００３】ウエハの裏面に異物が付着すると、バッチ
方式の洗浄プロセスや熱処理プロセスでこの異物が他の
ウエハの表面に転写され、ＬＳＩの歩留まり低下を引き
起こす。また、裏面に異物が付着したウエハを露光装置
の真空チャックにセットした場合、ウエハの水平が保た
れなくなり、焦点外れを引き起こすことがある。

【０００４】ウエハの裏面に付着した異物を除去する方
法の一つに、超音波を利用したスクラブ洗浄がある。こ
れは、１ＭHz以上の高周波発振により加速された水分子
をウエハの裏面に衝突させて異物を除去する方式であ
り、最近では超音波振動子を取り付けたスプレイノズル
から回転するウエハに純水を噴射して洗浄を行うスクラ
ブ洗浄装置が使用されている。

【０００５】この種の超音波スクラブ洗浄装置について
は、例えば特開平１−２５９５３６号公報および特開平
１−２９７１８６号公報に記載がある。

【０００６】特開平１−２５９５３６号公報に記載され
たスクラブ洗浄装置は、被洗浄基板の回転方向と逆らう
向きに、かつ基板の回転面に対して鋭角の傾斜を持たせ
た超音波洗浄スプレイノズルを基板の両面に１個ずつ対
向して設け、これらのスプレイノズルを基板の回転中心
軸の半径方向に走査移動させながら基板両面に同時に純
水を噴射することによって、洗浄効率の向上を図ってい
る。基板に対するスプレイノズルの傾斜角は約３０゜が
最も優れており、これを境にして±１５゜の範囲が実用
的であるとされている。

【０００７】また、特開平１−２９７１８６号公報に記
載されたスクラブ洗浄装置は、超音波洗浄スプレイノズ
ルの洗浄液噴射口を被洗浄基板から１５mm以下の距離に
配置し、基板の洗浄面に対して３０゜〜６０゜の角度で
洗浄液を噴射することによって、洗浄時間の短縮と異物
除去効率の向上を図っている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、本発明者が
検討したところによると、超音波を利用したスクラブ洗
浄では、ウエハの洗浄面（裏面）に照射された超音波エ
ネルギーがウエハを透過して反対側の面に形成されたＬ
ＳＩパターンにダメージを与え、例えば導電膜や絶縁膜
にクラックが生じたり、膜ハガレが生じたりすることが
ある。

【０００９】これは、ウエハ裏面のスクラブ洗浄工程で
は、異物を含んだ洗浄液がＬＳＩパターン形成面に回り
込むのを防ぐために、ＬＳＩパターン形成面に純水を噴
霧して水膜を作るバックリンス処理を行うので、超音波
がウエハを透過するとそのエネルギーでこの水膜が振動
し、ＬＳＩパターンに衝撃を与えるからであると考えら
れる。

【００１０】従って、超音波を利用してウエハの裏面を
スクラブ洗浄する際には、ウエハを透過した超音波エネ
ルギーによるＬＳＩパターンのダメージを防止する対策
が不可欠となる。

【００１１】本発明の目的は、超音波を利用した半導体
ウエハのスクラブ洗浄工程において、ウエハを透過した
超音波エネルギーによるＬＳＩパターンのダメージを防
止する技術を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１４】（１）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、超音波振動が伝播された洗浄液を基板に照射し
て前記基板の表面洗浄を行う際、前記洗浄液を超音波エ
ネルギーの基板透過率が最小となるような角度で照射す
るものである。

【００１５】（２）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、超音波振動が伝播された洗浄液を基板に照射し
て前記基板の表面洗浄を行う際、前記洗浄液を前記基板
の洗浄面に対して７５゜〜９０゜の入射角度で照射する
ものである。

【００１６】（３）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、超音波振動が伝播された洗浄液を基板に照射し
て前記基板の表面洗浄を行う際、前記基板の非洗浄面に
前記洗浄液の回り込みを防ぐためのガスを吹き付けるも
のである。

【００１７】（４）本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、基板を回転可能に支持する基板ステージと、前
記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄液を照射
するスプレイノズルと、前記基板の非洗浄面に前記洗浄
液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧するリンス液
供給手段と、前記基板の洗浄面に対する前記洗浄液の照
射角度を可変にする手段とを備えている。

【００１８】（５）本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、基板を回転可能に支持する基板ステージと、前
記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄液を照射
するスプレイノズルと、前記基板の非洗浄面に前記洗浄
液の回り込みを防ぐためのガスを吹き付けるガス供給手
段とを備えている。

【００１９】（６）本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、基板を回転可能に支持する基板ステージと、前
記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄液を照射
するスプレイノズルと、前記基板の洗浄面と反対側の面
に前記洗浄液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧す
るリンス液供給手段と、前記洗浄液と前記リンス液とが
前記基板を挟んだ同じ位置に同時には照射、噴霧されな
いように、前記スプレイノズルと前記リンス液供給手段
とを同期して走査移動させる手段とを備えている。

【００２０】（７）本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、基板を回転可能に支持する基板ステージと、前
記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄液を照射
するスプレイノズルと、前記基板の洗浄面と反対側の面
に前記洗浄液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧す
るリンス液供給手段と、前記洗浄液と前記リンス液とが
前記基板を挟んだ同じ位置に同時に照射、噴霧される時
にのみ前記洗浄液または前記リンス液のいずれか一方の
供給を停止する手段とを備えている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２２】（実施の形態１）図１に示すように、水を
満たした水槽（ステンレス製）にＳｉウエハを挟んで超
音波振動子を備えたスプレイノズルと音圧センサとを設
置し、超音波透過実験を行った。ウエハは、直径（φ）
が６インチと１２インチで厚さ（ｂ）がそれぞれ５１２
μｍ、７５８μｍ、１０００μｍのもの（いずれも結晶
面方位（１００))を使用した。超音波透過率は、ウエハ
に入射した超音波音圧（Ｖin pp ）とウエハを透過した
超音波音圧（Ｖd pp）との比（＝透過音圧比）で定義
し、表１の論理式に基づいて計算した。

【００２３】

【表１】

【００２４】図２（ａ）の立体グラフは、超音波の照射
（＝入射）角度（θ［゜］）およびウエハの厚さ（ｂ
［μｍ］）をそれぞれ変化させたときの超音波透過率を
示している。また、図２（ｂ）の平面領域図は、上記立
体グラフの透過率の変化から、超音波エネルギーがＳｉ
ウエハを透過する現象を超音波の照射角度（θ）とウエ
ハの厚さ（ｂ）とで示される６つの領域（Ａ〜Ｆ）に区
分したもである。以下、各領域における透過率について
説明する。

【００２５】（Ａ）垂直照射 ウエハの洗浄面に対して垂直（θ＝０゜）に超音波を照
射した場合は、図３に示すように、ウエハの厚さと超音
波の波長とによって決まる透過率の極大（＝１）と極小
（＝０）とが周期的に現れた。このとき、ウエハの厚さ
をｂ、超音波の波長をλ1 とすると、透過率が極大にな
る条件と極小になる条件はそれぞれ次の式で示される。

【００２６】

【数１】

【００２７】（Ｂ）ＡとＣに挟まれた領域 この領域は、ウエハ中を伝播する横波の臨界角近傍が境
界となっている。そのため、Ａ（垂直照射）の領域を含
むこの領域までは、超音波が直接透過するものと推定さ
れる。

【００２８】（Ｃ）臨界角以上の照射角度で現れる透過
率極大の領域 超音波照射角度（θ）が次の式で示される条件を満たす
ときには、照射角度が臨界角以上であっても透過率の極
大点が存在する。この現象は、ウエハ表面を伝播する横
波と超音波の縦波とが強め合う条件で起こる。

【００２９】

【数２】

【００３０】（Ｄ）Ｃの透過率極大からの減衰領域 Ｃの透過率極大条件から少し外れ、透過率が減衰してい
く領域である。

【００３１】（Ｅ）裾野の領域 超音波の照射角度（θ）が横波の臨界角より大きいにも
かかわらず、超音波の透過が確認された。これは、入射
した超音波のエネルギーがウエハ内に浸透することによ
り起こる現象である（このとき、入射した超音波のエネ
ルギーはウエハ内で分散される）。

【００３２】（Ｆ）全反射の領域 照射された超音波はほとんど透過せずに反射した。この
ときの透過率は５％以下である。

【００３３】図４は、直径が６インチで厚さが５１２μ
ｍのウエハを用いた場合における超音波の照射角度
（θ）と透過率の関係を詳細に示したグラフである。

【００３４】以上の実験結果から、超音波の照射角度
（θ）を６０゜〜９０゜の範囲とすることにより超音波
の透過率が５％以下になり、特に７５゜〜９０゜の範囲
で最小となることが明らかとなった。従って、超音波の
照射角度（θ）を７５゜〜９０゜の範囲に設定してウエ
ハの裏面洗浄を行うことにより、バックリンス処理を同
時に行ってもＬＳＩパターンにダメージを与えることな
く洗浄を行うことが可能となる。

【００３５】次に、本実施の形態のＬＳＩの製造方法を
図５〜図１１を用いて説明する。

【００３６】まず図５に示すように、ｐ^- 型の単結晶シ
リコンからなる半導体基板（ウエハ）１の表面に選択酸
化（ＬＯＣＯＳ）法でフィールド酸化膜２を形成した
後、半導体基板１にｐ型不純物（例えばホウ素）をイオ
ン注入してｐ型ウエル３を形成し、次いでこのｐ型ウエ
ル３にｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴＱを形成する。

【００３７】このＭＩＳＦＥＴＱを形成するには、フィ
ールド酸化膜２で囲まれたｐ型ウエル３の活性領域の表
面に熱酸化法でゲート酸化膜５を形成した後、半導体基
板１上にＣＶＤ法で多結晶シリコン膜とタングステンシ
リサイド膜とを堆積し、次いでその上部にＣＶＤ法で窒
化シリコン膜７を堆積した後、フォトレジストをマスク
にしたエッチングでこれらの膜をパターニングしてゲー
ト電極６を形成する。次に、ｐ型ウエル３にｎ型不純物
（例えばリン）をイオン注入してゲート電極６の両側の
ｐ型ウエル３にｎ型半導体領域８、８（ソース領域、ド
レイン領域）を形成する。その後、ゲート電極６の上部
にＣＶＤ法で堆積した窒化シリコン膜を異方性エッチン
グで加工してゲート電極６の側壁にサイドウォールスペ
ーサ９を形成する。

【００３８】次に、図６に示すように、半導体基板１上
にＣＶＤ法で酸化シリコン膜１０を堆積した後、図７に
示すように、ｎ型半導体領域８、８の上部の酸化シリコ
ン膜１０とゲート酸化膜５とをエッチングして接続孔１
１を形成する。

【００３９】次に、図８に示すように、半導体基板１上
にＣＶＤ法でタングステン膜を堆積した後、酸化シリコ
ン膜１０上のタングステン膜をエッチバック（または化
学的機械研磨法）で除去することにより、接続孔１１の
内部にタングステン・プラグ１２を形成する。

【００４０】次に、図９に示すように、半導体基板１上
にスパッタリング法でＡｌ膜１３を堆積した後、図１０
に示すように、フォトレジスト１４をマスクにしてＡｌ
膜１３をエッチングすることにより、Ａｌ配線１３Ａ〜
１３Ｃを形成する。

【００４１】次に、Ａｌ配線１３Ａ〜１３Ｃ上に残った
フォトレジスト１４をアッシングで除去した後、図１１
に示すように、この半導体基板（ウエハ）１をその洗浄
面（裏面）を上に向けた状態でスクラブ洗浄装置２０Ａ
の回転ステージ２１上に置き、周縁部をピン２２で固定
する。

【００４２】回転ステージ２１の上方には、アーム２３
によって支持されたスプレイノズル２４が設置されてい
る。このスプレイノズル２４のヘッド２５の上端には、
例えば周波数１.5ＭHz程度の超音波を発振する超音波振
動子２６が取り付けられている。また、このスプレイノ
ズル２４は、アーム２３を往復動させたり回転させたり
することによって、ヘッド２５を半導体基板１の回転中
心軸の半径方向に沿って走査移動させたり、ヘッド２５
の下端から噴出する洗浄水２７の照射角度を０゜〜９０
゜の範囲で自由に変えたり、半導体基板１の回転方向に
順じる方向から逆らう方向まで３６０゜自由に変えたり
することができるようになっている。回転ステージ２１
の中央下部には、半導体基板１の下面すなわちＬＳＩパ
ターン形成面にバックリンス処理用の純水２８を噴霧す
るための配管２９Ａが設けられている。

【００４３】そこで本実施の形態では、スプレイノズル
２４のヘッド２５の下端から噴出する洗浄水２７の照射
角度が前述した７５゜〜９０゜の範囲内となるようにア
ーム２３の角度を調整した後、半導体基板１の回転中心
軸の半径方向に沿ってヘッド２５を走査移動させなが
ら、超音波が伝播された洗浄水２７を半導体基板１の上
面（裏面）に照射して異物の除去を行う。またこのと
き、半導体基板１の下面に純水２８を噴霧して水膜を形
成し、洗浄水２７に取り込まれた異物がＬＳＩパターン
形成面に付着するのを防止する。

【００４４】これにより、半導体基板１の上面（裏面）
に照射された超音波の透過率が５％以下に低減されるの
で、半導体基板１の下面に形成された前記Ａｌ配線１３
Ａ〜１３Ｃなどにクラックや剥離が生じる不良を確実に
防止することができる。

【００４５】（実施の形態２）図１２は、本実施の形態
のスクラブ洗浄装置２０Ｂの要部を示す概略図である。

【００４６】このスクラブ洗浄装置２０Ｂの回転ステー
ジ２１の中央下部には、半導体基板（ウエハ）１の下面
（ＬＳＩパターン形成面）にガス３０を供給する配管２
９Ｂが設けられており、超音波が伝播された洗浄水２７
を半導体基板１の上面（裏面）に照射して異物の除去を
行う際、半導体基板１の下面にガス３０を吹き付けるこ
とによって、異物を含んだ洗浄水２７が下面に回り込む
のを防ぐようになっている。ガス３０は、異物を含まな
いクリーンなものであれば、窒素ガス、空気、アルゴン
ガスなど任意のものを使用することができる。

【００４７】本実施の形態によれば、超音波が伝播され
た洗浄水２７を半導体基板１の上面に照射する際、ＬＳ
Ｉパターン形成面に純水を噴霧して水膜を形成するバッ
クリンス処理が不要となる。これにより、超音波が半導
体基板１を透過しても下面に水膜が存在しないため、Ｌ
ＳＩパターンが衝撃を受けることはない。従って、本実
施の形態では、スプレイノズル２４のヘッド２５の下端
から噴出する洗浄水２７の照射角度を０゜から９０゜ま
で自由に設定することができる。

【００４８】なお、上記ガス３０は、半導体基板１の下
面全体に吹き付けなくともよく、例えば図１３に示すよ
うに、配管２９Ｂの先端を半導体基板１の周縁部方向に
傾けたり、図１４に示すように、配管２９Ｂの先端を半
導体基板１の周縁部近傍に配置したりすることによっ
て、半導体基板１の周縁部のみにガス３０を吹き付ける
ようにしてもよい。

【００４９】また、異物を含んだ洗浄水２７が半導体基
板１の下面に回り込むのを確実に防ぐため、図１５に示
すように、異物を含んだ洗浄水２７を誘導して回収する
ガード３１を回転ステージ２１の外周に沿って設けた
り、半導体基板１の周縁部と回転ステージ２１との隙間
を狭くしたりするなどの構造を付加してもよい。

【００５０】（実施の形態３）図１６は、本実施の形態
のスクラブ洗浄装置２０Ｃの要部を示す概略図である。

【００５１】このスクラブ洗浄装置２０Ｃは、前記実施
の形態１のスクラブ洗浄装置２０Ａと同様、バックリン
ス方式を採用しているが、半導体基板１の上面に洗浄水
２７を照射するスプレイノズル２４のヘッド２５と半導
体基板１の下面に純水２８を噴霧する配管２９Ｃの先端
とが同時には同じ位置に来ないよう、スプレイノズル２
４と配管２９Ｃとを互いに同期して走査移動させるよう
になっている。

【００５２】本実施の形態によれば、半導体基板１の上
面に照射された超音波が下面に透過しても、その位置に
は純水２８が僅かしか存在しないため、ＬＳＩパターン
の受ける衝撃も僅かで済む。この場合、スプレイノズル
２４のヘッド２５の下端から噴出する洗浄水２７の照射
角度は、０゜から９０゜まで自由に設定することができ
る。

【００５３】なお、上記の構成に代えて、スプレイノズ
ル２４のヘッド２５の位置と配管２９Ｃの先端の位置と
が重なった瞬間のみ洗浄水２７または純水２８のいずれ
か一方の供給を停止するような構造にしてもよい。

【００５４】また、純水２８を半導体基板１の下面全体
に噴霧する構成に代えて、純水２８をスプレイノズル２
４の走査の範囲外の領域に噴霧するようにしてもよい。
例えば前記実施の形態２と同様、配管２９Ｃの先端を半
導体基板１の周縁部方向に傾けたり、配管２９Ｃの先端
を半導体基板１の周縁部近傍に配置したりすることによ
って、半導体基板１の周縁部のみに純水２８を噴霧する
ようにしてもよい。

【００５５】さらに、異物を含んだ洗浄水２７が半導体
基板１の下面に回り込むのを確実に防ぐため、前記実施
の形態２と同様、回転ステージ２１の外周に沿って洗浄
水回収用のガードを設けたり、半導体基板１の周縁部と
回転ステージ２１との隙間を狭くしたりするなどの構造
を付加してもよい。

【００５６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は前記
実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００５７】前記実施の形態１〜３では、半導体ウエハ
の裏面洗浄に適用した場合について説明したが、例えば
磁気ディスク、光ディスクなどの記録媒体用ディスク基
板や液晶パネル基板などの超音波洗浄にも適用すること
ができる。また、純水以外の洗浄液やバックリンス液を
使用した超音波洗浄にも適用することができる。

【００５８】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５９】本発明によれば、超音波を利用して半導体
ウエハをスクラブ洗浄する際、超音波エネルギーによる
ＬＳＩパターンのダメージを確実に防止することができ
るので、ＬＳＩの製造歩留まりを向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による超音波透過実験の説明図である。

【図２】（ａ）は、超音波の照射角度およびウエハの厚
さをそれぞれ変化させたときの超音波透過率変化を示す
立体グラフ、（ｂ）は（ａ）の透過率変化から超音波エ
ネルギーがウエハを透過する現象を説明する平面領域図
である。

【図３】ウエハの厚さおよび超音波の波長と透過率との
関係を示すグラフである。

【図４】超音波の照射角度と透過率との関係を示すグラ
フである。

【図５】本発明の実施の形態１であるＬＳＩの製造方法
を示す半導体基板の断面図である。

【図６】本発明の実施の形態１であるＬＳＩの製造方法
を示す半導体基板の断面図である。

【図７】本発明の実施の形態１であるＬＳＩの製造方法
を示す半導体基板の断面図である。

【図８】本発明の実施の形態１であるＬＳＩの製造方法
を示す半導体基板の断面図である。

【図９】本発明の実施の形態１であるＬＳＩの製造方法
を示す半導体基板の断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態１であるＬＳＩの製造方
法を示す半導体基板の断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態１であるスクラブ洗浄装
置の要部を示す概略図である。

【図１２】本発明の実施の形態２であるスクラブ洗浄装
置の要部を示す概略図である。

【図１３】本発明の実施の形態２であるスクラブ洗浄装
置の要部を示す概略図である。

【図１４】本発明の実施の形態２であるスクラブ洗浄装
置の要部を示す概略図である。

【図１５】本発明の実施の形態２であるスクラブ洗浄装
置の要部を示す概略図である。

【図１６】本発明の実施の形態３であるスクラブ洗浄装
置の要部を示す概略図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板（ウエハ） ２ フィールド酸化膜 ３ ｐ型ウエル ５ ゲート酸化膜 ６ ゲート電極 ７ 窒化シリコン膜 ８ ｎ型半導体領域（ソース領域、ドレイン領域） ９ サイドウォールスペーサ １０ 酸化シリコン膜 １１ 接続孔 １２ タングステン・プラグ １３ Ａｌ膜 １３Ａ〜１３Ｃ Ａｌ配線 １４ フォトレジスト ２０Ａ〜２０Ｃ スクラブ洗浄装置 ２１ 回転ステージ ２２ ピン ２３ アーム ２４ スプレイノズル ２５ ヘッド ２６ 超音波振動子 ２７ 洗浄水 ２８ 純水 ２９Ａ〜２９Ｃ 配管 ３０ ガス ３１ ガード Ｑ ＭＩＳＦＥＴ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 紹弘 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 友澤 明弘 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 超音波振動が伝播された洗浄液を基板に
   照射して前記基板の表面洗浄を行う工程を含む半導体集
   積回路装置の製造方法であって、前記洗浄液を超音波エ
   ネルギーの基板透過率が最小となるような入射角度で照
   射することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
   造方法であって、前記基板の洗浄面に前記洗浄液を照射
   する際、前記基板の非洗浄面に前記洗浄液の回り込みを
   防ぐためのリンス液を噴霧することを特徴とする半導体
   集積回路装置の製造方法。
3. 【請求項３】 超音波振動が伝播された洗浄液を基板に
   照射して前記基板の表面洗浄を行う工程を含む半導体集
   積回路装置の製造方法であって、前記洗浄液を前記基板
   の洗浄面に対して７５゜〜９０゜の入射角度で照射する
   ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体集積回路装置の製
   造方法であって、前記基板の洗浄面に前記洗浄液を照射
   する際、前記基板の非洗浄面に前記洗浄液の回り込みを
   防ぐためのリンス液を噴霧することを特徴とする半導体
   集積回路装置の製造方法。
5. 【請求項５】 超音波振動が伝播された洗浄液を基板に
   照射して前記基板の表面洗浄を行う工程を含む半導体集
   積回路装置の製造方法であって、前記基板の洗浄面に前
   記洗浄液を照射する際、前記基板の非洗浄面に前記洗浄
   液の回り込みを防ぐためのガスを吹き付けることを特徴
   とする半導体集積回路装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体集積回路装置の製
   造方法であって、前記ガスを前記基板の周縁部のみに吹
   き付けることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
   法。
7. 【請求項７】 超音波振動が伝播された洗浄液を基板に
   照射して前記基板の表面洗浄を行う工程を含む半導体集
   積回路装置の製造方法であって、前記基板の洗浄面に前
   記洗浄液を照射する際、前記基板の非洗浄面の周縁部の
   みに前記洗浄液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧
   することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
8. 【請求項８】 基板を回転可能に支持する基板ステージ
   と、前記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄液
   を照射するスプレイノズルと、前記基板の非洗浄面に前
   記洗浄液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧するリ
   ンス液供給手段と、前記基板の洗浄面に照射する前記洗
   浄液の入射角度を可変にする手段とを備えたことを特徴
   とする半導体集積回路装置の製造装置。
9. 【請求項９】 基板を回転可能に支持する基板ステージ
   と、前記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄液
   を照射するスプレイノズルと、前記基板の非洗浄面に前
   記洗浄液の回り込みを防ぐためのガスを吹き付けるガス
   供給手段とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装
   置の製造装置。
10. 【請求項１０】 基板を回転可能に支持する基板ステー
    ジと、前記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄
    液を照射するスプレイノズルと、前記基板の非洗浄面に
    前記洗浄液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧する
    リンス液供給手段と、前記洗浄液と前記リンス液とが前
    記基板を挟んだ同じ位置に同時には照射、噴霧されない
    ように、前記スプレイノズルと前記リンス液供給手段と
    を同期して走査移動させる手段とを備えたことを特徴と
    する半導体集積回路装置の製造装置。
11. 【請求項１１】 基板を回転可能に支持する基板ステー
    ジと、前記基板の洗浄面に超音波振動が伝播された洗浄
    液を照射するスプレイノズルと、前記基板の非洗浄面に
    前記洗浄液の回り込みを防ぐためのリンス液を噴霧する
    リンス液供給手段と、前記洗浄液と前記リンス液とが前
    記基板を挟んだ同じ位置に同時に照射、噴霧される時に
    のみ前記洗浄液または前記リンス液のいずれか一方の供
    給を停止する手段とを備えたことを特徴とする半導体集
    積回路装置の製造装置。