KR101136772B1 - 근접 메니스커스 분기관 - Google Patents

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램 리써치 코포레이션
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Abstract

기판 표면상에 유체 메니스커스를 생성하는 제 1 분기관 모듈을 포함하는 기판을 프로세싱하는 장치가 개시된다. 또한, 장치는 제 1 분기관 모듈과 연결되고, 또한 제 1 분기관 모듈을 기판 표면 근방으로 이동시켜 유체 메니스커스를 생성하는 제 2 분기관 모듈을 포함한다.
유체 메니스커스, 제 1 분기관 모듈, 제 2 분기관 모듈

Description

근접 메니스커스 분기관{PROXIMITY MENISCUS MANIFOLD}
도 1 은 SDR 건조 프로세스 동안 웨이퍼 상의 세정 유체의 이동을 나타내는 도.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 분기관에 결합된 제 2 분기관을 가지는 분기관 캐리어를 가지는 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 시스템의 측면도.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관이 제 1 분기관 위에 위치한 웨이퍼 프로세싱 시스템의 측면도.
도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관이 제 1 분기관과 연결된 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관이 제 1 분기관을 웨이퍼에 더 가깝게 이동시키는 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 8a 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관이 제 1 분기관을 웨이퍼의 근접 위치로 이동시키는 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 8b 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼의 양 측면이 프로세싱 되는 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 분기관 및 제 2 분기관을 나타내는 도.
도 10 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 다중 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 11 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 시스템을 나타내는 도.
도 12a 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 작동을 수행하는 근접 헤드를 나타내는 도.
도 12b 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 근접 헤드의 부분 상면도.
도 12c 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 근접 헤드의 입/출구 패턴을 나타내는 도.
도 12d 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 근접 헤드의 다른 입/출구 패턴을 나타내는 도.
도 12e 는 본 발명의 일 시시형태에 따라 근접 헤드의 또다른 입/출구 패턴을 나타내는 도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10, 108 : 웨이퍼 12 : 이동 액체/기체의 경계
100, 100' : 웨이퍼 프로세싱 시스템 102 : 제 2 분기관
104 : 분기관 캐리어 109 : 개구
106, 106', 106" : 제 1 분기관
104a : 바닥면 106a : 프로세싱되는 표면
108a, 108b : 웨이퍼의 측면
250 : 유체 제어
120, 122, 200, 202 : 입력 124, 204 : 출력
340, 342, 350 : 출력 포트 344, 346, 348 : 입력 포트
600 : 다중 웨이퍼 프로세싱 시스템
602, 604, 606 : 웨이퍼 카세트 610 : 제어기
본 발명은 반도체 웨이퍼 프로세싱에 관한 것으로, 더 상세하게는, 오염물을 감소시키고 웨이퍼 세정 비용을 줄이는 반면 더 효율적으로 웨이퍼에 유체를 제공하거나 웨이퍼로부터 유체를 제거하는 장치 및 기술과 관련된다.
반도체 칩 제조 프로세스에서, 에칭, 세정, 건조, 및 도금과 같은 공정을 이용하여 웨이퍼를 프로세싱할 필요가 있음이 공지되어 있다. 이러한 유형의 공정들 각각에서, 일반적으로 액체는 에칭, 세정, 건조 및 도금 프로세스를 위해 제공되거나 또는 제거되는 유체이다.
예를 들어, 웨이퍼 세정은 제조 공정이 행해져 원치 않는 잔여물을 웨이퍼의 표면상에 남기는 곳에서 행해져야 한다. 이러한 제조 공정의 예는 플라즈마 에 칭 (예를 들어, 텅스텐 에치 백 (WEB)) 및 화학적 기계적 연마 (CMP) 를 포함한다. CMP 에서, 웨이퍼는 웨이퍼 표면을 이동 패드 쪽으로 미는 홀더 내에 위치한다. 이 이동 패드는 화학물과 연마제로 이루어져 연마를 야기하는 슬러리를 사용한다. 불행하게도, 이 프로세스는 웨이퍼 표면에 슬러리 입자의 축적물 및 잔여물을 남기는 경향이 있다. 웨이퍼 상에 원치 않는 잔여물 및 입자가 남는 경우, 이는, 웨이퍼 표면상의 스크레치 및 금속화 피쳐들 사이의 부적절한 상호 작용과 같은 결함을 초래할 수 있다. 몇몇 경우, 이러한 결함은 웨이퍼 상의 소자가 작동할 수 없게 할 수 있다. 작동할 수 없는 소자를 가지는 웨이퍼를 폐기하는 원치 않는 비용을 피하기 위해, 원치 않는 잔여물을 남기는 제조 공정 후에 웨이퍼를 적절하게 그리고 효율적으로 세정할 필요가 있다.
웨이퍼가 습식 세정 된 후에, 웨이퍼는 웨이퍼 상에 남아있는 잔여물로부터 수분 또는 세정 유체 잔존물을 제거하기 위해 효율적으로 건조되어야 한다. 작은 물방울 형태 (droplet form) 일 때 일반적으로 일어나듯이, 웨이퍼 상의 세정 유체가 증발하도록 한다면, 세정 유체에 이전에 용해된 잔여물 또는 오염물은 증발 후에 웨이퍼 상에 잔존 (예를 들어 점 (spot) 을 형성) 할 것이다. 증발이 일어나는 것을 방지하기 위해, 세정 유체는 웨이퍼 표면상에 방물이 형성되지 않게 최대한 빨리 제거되어야 한다. 이를 달성하기 위해, 스핀 건조, IPA, 또는 마란고니 (Marangoni) 건조 등과 같은 몇몇의 다른 건조 기술이 사용된다. 이러한 건조 기술은 모두 적절하게 유지될 경우, 웨이퍼 표면상에 작은 물방울의 형성 없이 웨이퍼 표면을 건조시키는 몇몇 형태의 이동 액체/기체 경계를 이용한다. 불행하게도, 상기한 건조 방법에서 종종 발생하듯이, 이동 액체/기체 경계가 무너진다면, 직은 물방울이 형성되고 증발이 일어나 웨이퍼 상에 오염물이 남게 된다. 현재 사용되는 가장 일반적인 건조 방법은 스핀 린스 건조 (SRD) 이다.
도 1 은 SRD 건조 프로세스 동안 웨이퍼 (10) 상의 세정 유체의 이동을 도시한다. 이 건조 프로세스에서, 젖은 웨이퍼는 회전 (14) 에 의해 빠른 속도로 회전한다. SRD 에서, 원심력을 이용하여 수분 또는 웨이퍼 세정용 세정 유체는 유체 방향 화살표 (16) 이 도시하는 바와 같이 웨이퍼의 중심에서 웨이퍼의 외각으로 그리고 결국 웨이퍼 밖으로 당겨진다. 세정 유체가 웨이퍼 밖으로 당겨짐에 따라, 이동 액체/기체 경계 (12) 는 건조 프로세스가 수행됨에 따라 웨이퍼의 중심에서 생겨 웨이퍼의 외각으로 이동한다. (즉, 이동 액체/기체 경계 (12) 에 의해 생긴 원이 점차 커진다.) 도 1 의 예에서, 이동 액체/기체 경계 (12) 에 의해 생긴 원의 내부에는 유체가 없으며, 이동 액체/기체 경계 (12) 에 의해 형성된 원의 외부에는 세정 유체가 존재한다. 따라서, 건조 공정이 계속됨에 따라, 이동 액체/기체 경계 (12) 의 외부 (젖은 구역) 가 감소함에 반해 이동 액체/기체 경계 (12) 의 내부 (건조 영역) 는 증가한다. 전술한 바와 같이, 이동 기체/액체 경계 (12) 가 무너진다면, 웨이퍼 상에 세정 유체의 직은 물방울이 형성되고, 이 작은 물방울의 증발에 의해 오염물이 야기될 수 있다. 이와 같이, 작은 물방울 형성 및 이에 뒤따른 증발은 웨이퍼 표면에서 오염물을 제거하는데 제한된다. 불행하게도, 본 건조 방법은 이동 액체 경계의 붕괴를 예방하는데 부분적으로만 성공적이다.
또한, SRD 프로세스는 소수성인 웨이퍼 표면을 건조시키는데 어려움이 있다. 소수성 웨이퍼 표면은 수분 및 수분 기반 (수용성의) 세정 용액을 밀어내기 때문에 건조시키기 어렵다. 따라서, 건조 공정이 계속되고 세정 유체가 웨이퍼 표면에서 끌려나감에 따라, 남은 세정 유체 (수용성 기반인 경우) 는 웨이퍼 표면에 의해 밀려난다. 결과적으로, 수용성 세정 유체는 소수성 웨이퍼 표면과 접촉하는 최소 면적을 원할 것이다. 또한, 수용성 세정 용액은 표면장력 (즉, 분자 수소 결합의 결과로) 때문에 스스로 뭉치려 할 것이다. 따라서, 소수성 상호작용과 표면 장력 때문에, 수용성 세정 유체의 볼 (또는 직은 물방울) 이 소수성 웨이퍼 표면상에 자유로운 방식으로 형성된다. 이러한 직은 물방울의 형성은 해로운 증발 및 상술한 오염물을 야기한다. SRD 의 제한은 직은 물방울에 작용하는 원심력이 가장 작은 웨이퍼의 중심에서 특히 심하다. 따라서, 비록 SDR 프로세스가 현재 가장 일반적인 웨이퍼 건조 방법이라 할지라도, 이 방법은 웨이퍼 표면상에, 특히 소수성 웨이퍼 표면상에 사용될 경우 세정 유체의 작은 물방울 형성을 줄이는 것은 어렵다.
또한, 세정, 에칭, 및 도금과 같은 다른 웨이퍼 프로세싱 공정에서, 효율적인 방식으로 웨이퍼에 유체를 제공하고 웨이퍼에서 유체를 제거하여 오염물을 줄이고 웨이퍼의 수율을 높이는 방법에는 문제가 있다.
따라서, 웨이퍼에 대한 최적화된 유체 관리를 가능하게하고 이를 응용하여 웨이퍼 표면상의 오염물의 증착을 감소시킴으로써 종래 기술의 문제점을 회피하는 방법 및 장치가 요구된다. 현재 종종 발생하는 이러한 증착들은 양질의 웨이퍼 의 수율을 감소시키고 반도체 웨이퍼 제조 비용을 증가시킨다.
광의로, 본 발명은 웨이퍼의 오염을 줄임과 동시에 웨이퍼 표면상의 유체를 관리할 수 있는 기판 프로세싱 (예를 들어, 건조, 세정, 에칭, 도금, 등) 장치를 제공함으로써 수요를 충족시킨다. 본 발명은 프로세스, 장치, 시스템, 소자 또는 방법을 포함하는 다양한 방법으로 구현될 수 있다. 본 발명의 몇몇 진보한 실시형태가 이하에서 개시된다.
일 실시형태에서, 유체 메니스커스를 기판 표면에 생성하기 위한 제 1 분기관을 포함하는, 기판을 프로세싱용 장치가 제공된다. 또한, 장치는 제 1 분기관 모듈과 연결되고, 제 1 분기관 모듈을 기판 표면에 근방으로 이동하여 유체 메니스커스를 생성하는 제 2 분기관을 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 제 1 분기관 모듈 및 제 2 분기관 모듈을 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법이 개시된다. 본 방법은 제 1 모듈을 기판 표면 위에 위치시켜 프로세싱되도록 하고 제 2 모듈을 제 1 모듈에 연결하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 제 2 모듈을 이동하여 제 1 모듈이 기판 표면과 밀착하게 하고, 제 2 모듈로부터 유체를 제공받는 제 1 모듈로 유체 메니스커스를 생성하는 단계를 포함한다. 본 방법은 유체 메니스커스를 기판 표면에 제공하여 웨이퍼 프로세싱 공정을 수행하는 단계를 더 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 제 1 유체를 기판 표면에 제공하여 기판상에 유체 메 니스커스를 생성하도록 구성된 제 1 도관, 기판 표면에 제 2 유체를 제공하여 기판상에 유체 메니스커스를 생성하도록 구성된 제 2 도관, 및 기판 표면으로부터 제 1 유체 및 제 2 유체를 제거하여 기판상에 유체 메니스커스를 생성하도록 구성된 제 3 도관을 가지는 프로세싱 면을 구비하는 제 1 메니스커스 모듈을 포함하는 기판 프로세싱 장치가 제공된다. 또한 장치는 제 1 분기관 모듈을 기판 표면에 근접하도록 이동시키고, 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 1 모듈에 운반하고, 제 1 모듈로부터 기판에 가해진 제 1 유체 및 제 2 유체를 제거하도록 구성된 제 2 분기관 모듈을 포함한다.
본 발명의 장점은 다수이다. 가장 주목할만한 것은, 여기에 개시된 장치 및 방법은 웨이퍼 표면상에 원치 않는 유체 및 오염물을 줄이는 반면 반도체 웨이퍼를 효율적으로 프로세싱 (세정, 건조, 에칭, 도금, 및 최적의 유체 제공 및/또는 웨이퍼로부터 유체 제거를 포함하는 다른 적합한 유형의 웨이퍼 프로세싱) 하는 것이다. 그 결과, 웨이퍼 프로세싱 및 생산은 증가하고 효율적인 웨이퍼 프로세싱 때문에 더 높은 웨이퍼 수율이 획득될 수 있다.
본 발명은 하나 이상의 분기관 구역의 상호교환을 통해 다수의 방법 중 임의의 방법으로 구현 가능한 근접 메니스커스 분기관을 이용하여 제공될 수 있는 프로세싱 유체 입력과 함께 진공 유체 제거의 이용을 통한 개선된 프로세싱을 가능하게 한다. 상술한 힘에 의해 웨이퍼 표면의 유체 필름상에 발생하는 압력은 다른 프로세싱 기술과 비교하여 남아있는 오염물을 상당히 감소시키며 웨이퍼 표면에의 최적의 유체 제공 및/또는 유체 제거를 가능하게 한다. 또한, 본 발명은 실질 적으로 동시에 웨이퍼 표면 근방에 진공을 발생시킴과 함께 이소프로필 알콜 (IPA) 증기 및 프로세싱 유체를 웨이퍼 표면 쪽으로 제공하는 것을 이용한다. 예시적인 실시형태에서 IPA가 이용되었지만, 물과 섞일 수 있는 임의의 다른 유형의 증기, 예를 들어 질소, 임의의 적합한 알콜 증기, 유기 화합물, 헥사놀 (hexanol), 에틸 글리콜, 아세톤 등의 증기가 활용될 수 있다. 임의의 적합한 알콜 증기는 임의의 적합한 유형의 알콜을 포함한다. 임의의 적합한 알콜은 포화 탄소 원자에 히드록시기가 달린 임의의 적합한 탄소-기반 화합물일 수 있다. 이는 메니스커스의 생성과 지능적 제어 및 프로세싱 유체 계면을 따라 유체 표면 장력의 감소를 가능하게 하고, 따라서 오염물을 남기지 않고 웨이퍼 표면에 최적의 유체 제공 및/또는 유체 제거를 가능하게 한다. IPA 의 입력, 유체 프로세싱 및 유체의 출력에 의해 발생하는 메니스커스는 웨이퍼 표면을 따라 이동되어 웨이퍼를 프로세싱한다.
대응하는 유체 메니스커스를 생성하기 위한 소망의 입/출구 구성을 가지는 하나 이상의 제 1 분기관은 분기관 캐리어 상에서 이용될 수 있다. 소망의 웨이퍼 공정에 따라, 특정 제 1 분기관은 웨이퍼 캐리어에 의해 프로세싱될 웨이퍼 위치 근처로 이동될 수 있다. 상이한 웨이퍼 공정이 요구되는 경우, 상이한 웨이퍼 공정을 위해 설계된 다른 제 1 분기관이 웨이퍼 캐리어에 의해 웨이퍼 프로세싱을 위한 장소로 이동될 수 있다. 그 결과, 소망의 웨이퍼 공정에 따라, 특정 메니스커스 구성을 생성할 수 있는 특정 제 1 분기관이 분기관 캐리어에 의해 웨이퍼 프로세싱 공정을 위한 장소로 이동될 수 있다. 그 결과, 분기관 캐리어 상 의 제 1 분기관의 유형에 따라, 임의의 적합한 유형의 웨이퍼 프로세싱 공정이 웨이퍼를 분리된 웨이퍼 프로세싱 챔버로 이동시키지 않고 수행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 분기관이 프로세싱될 웨이퍼 영역 위에 위치된 후, 제 2 분기관이 내려와 제 1 분기관에 부착된다. 그 후, 제 1 분기관은 웨이퍼의 표면 근방으로 밀릴 수 있다. 일단 제 1 분기관이 웨이퍼와 근접하게 되면, 제 2 분기관은 유체를 제 1 분기관에 입력한다. 제 1 분기관은 웨이퍼 표면상에 유체 메니스커스를 생성하여 웨이퍼 프로세싱 공정을 진행한다. 따라서, 다른 유형의 웨이퍼 공정은 다른 유형의 유체 메니스커스를 이용하여 수행될 수 있다. 이는 이동 중에 웨이퍼 오염을 감소시키는 장점을 가지며, 또한 메니스커스를 이용하여 웨이퍼를 프로세싱함으로써, 최적의 유체 제공 및 유체 제거를 통해 웨이퍼의 오염 또한 감소될 수 있다.
본 발명의 다른 양태 및 장점은 본 발명의 원리를 예를 들어 도시하는 첨부된 도면와 함께 후술하는 상세한 설명으로부터 자명해 질 것이다.
본 발명은 첨부된 도면과 함께 이하의 상세한 설명에 의해 쉽게 이해될 것이다. 본 설명을 용이하게 하기 위해, 동일한 참조부호는 동일한 구성 요소를 나타낸다
기판을 프로세싱하는 방법 및 장치에 관한 발명이 개시된다. 이하의 상세한 설명에서, 많은 특정한 세부사항은 본 발명에 대한 철저한 이해를 위해 제공될 목적으로 전개된다. 그러나, 당업자는 본 발명을 이러한 세부사항들의 몇몇 또는 모두가 없이도 실시될 수 있음을 안다. 또한, 본 발명이 불필요하게 불명 료해지지 않기 위해 공지의 프로세스 공정은 자세히 설명하지 않는다.
본 발명이 몇몇 바람직한 실시형태를 사용하여 개시되지만, 당업자는 이하의 상세한 설명을 읽고 도면을 볼 때 다양한 변형, 추가, 치환 및 그들의 균등물을 인식할 것이다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 진정한 원리 및 범주내의 이러한 모든 변형, 추가, 치환, 및 균등물을 포함하는 것을 의도하는 것이다.
이하의 도면은 제 1 및 제 2 분기관을 이용하여 임의의 적합한 프로세싱 공정이, 임의의 적합한 메니스커스 구성이 활용될 것을 요하는 예시적인 웨이퍼 프로세싱 시스템의 실시형태를 도시한다. 시스템은 예시적인 것이고, 제 1 및/또는 제 2 분기관을 웨이퍼에 근접하도록 이동시킬 수 있는 임의의 다른 적합한 유형의 구성이 활용될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 도시된 실시형태에서, 웨이퍼 프로세싱 공정 동안, 제 1 분기관 및 제 2 분기관은 직선형으로 유체 메니스커스를 웨이퍼의 중심부에서부터 웨이퍼의 끝단으로 이동시킬 수 있다.
제 1 분기관 및 제 2 분기관이 유체 메니스커스를 직선형으로 웨이퍼의 끝단에서 웨이퍼의 지름방향으로 반대편 끝단으로 이동시키거나, 방사상 운동, 원운동, 타원운동, 지그-제그 운동, 임의운동 등과 같은 비-직선형 운동을 이용하는 다른 실시형태가 활용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 웨이퍼는 이동하고 분기관은 정적인 상태로 있을 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 뿐만 아니라 제 1 및 제 2 분기관은 이동하여 웨이퍼 프로세싱을 위해 웨이퍼 표면 위로 유체 메니스커스를 이동시킨다. 또한 움직임은 사용자에 의해 요구되는 임의의 적합한 움직임 프로파일일 수 있다. 또한, 일 실시형태에서, 웨이퍼는 회전하고 근접 헤 드는 직선형으로 이동하여 근접 헤드가 웨이퍼의 모든 부분을 프로세싱하게 할 수 있다.
또한, 여기에 개시되는 근접 프로세싱 시스템은 200 mm 웨이퍼, 300 mm 웨이퍼, 평판 등과 같은 임의의 형태 및 임의의 크기의 기판을 프로세싱하는데 활용될 수 있다. 웨이퍼 프로세싱 시스템은 시스템의 구성에 따라 웨이퍼를 프로세싱하기 위해 활용될 수 있다. 또한, 여기에 활용된 근접 헤드는 웨이퍼의 세정, 건조, 에칭, 또는 도금을 하기 위한 임의의 적합한 수의 방법에 구현될 수 있다. 유체 메니스커스는 근접 헤드에 의해 지지 되고 함께 (예를 들어, 웨이퍼 상에서, 웨이퍼 밖에서, 그리고 웨이퍼를 가로질러) 움직일 수 있다.
도 2 는 본 발명의 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 을 도시한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 은 제 1 분기관 (106) 을 가지는 분기관 캐리어 (104) 를 포함한다. 분기관 캐리어 (104) 는 임의의 수의 그리고/또는 임의의 유형의 제 1 분기관 (106) 을 가질 수 있다. 또한, 분기관 캐리어는 제 1 분기관 중 임의의 적합한 하나의 제 1 분기관을 제 2 분기관 (102) 하부에 (또는 웨이퍼의 하부가 프로세싱되고 있을 때는 제 2 분기관 (102) 위에) 배치하도록 구성될 수 있다.
제 1 분기관 (106) 은 웨이퍼 (108) 에 제공하기 위해 제 1 유체 및 제 2 유체를 공급받고, 웨이퍼 (108) 에 제공된 제 1 유체 및 제 2 유체를 배출하도록 구성될 수 있다. 제 1 분기관 (106) 은 유체 메니스커스를 생성할 수 있도록 구성된 입구 및 출구를 가지도록 구성될 수 있다. 유체 메니스커스는 여기에 개 시되는 바와 같이 임의의 적합한 형태로 생성될 수 있다. 제 1 분기관 (106) 은 여기서 참조하는 근접 헤드의 구성과 같은 유체 메니스커스를 생성할 수 있는 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 또한, 유체 메니스커스는 에칭, 세정, 건조, 및 도금과 같은 요구되는 웨이퍼 프로세싱 공정의 유형에 따라 임의의 적합한 형태로 구성될 수 있다.
일 실시형태에서, 분기관 캐리어 (104) 는 웨이퍼 (108) 가 프로세싱될 때, 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 위로 움직일 수 있다. 또한, 특정한 제 1 분기관은 특별한 목적을 가질 수 있다. 예를 들어, 특정한 제 1 분기관은 웨이퍼 (108) 를 세정하는 메니스커스를 생성하도록 구성될 수 있고, 동일한 분기관 캐리어 상의 다른 제 1 분기관은 웨이퍼 (108) 를 건조시키는 메니스커스를 생성할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 캐리어는 에칭, 도금 등과 같은 다른 유형의 공정에서 웨이퍼 (108) 를 프로세싱하도록 구성된 제 1 분기관을 더 포함한다. 제 1 분기관 (106) 이 프로세싱될 웨이퍼 (108) (또는 웨이퍼 (108) 의 영역) 위에 위치할 때, 제 2 분기관 (102) 은 하강하여 제 1 분기관 (106) 의 상단부에 접합된다. 그 후, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 을 프로세싱될 웨이퍼 (108) 의 표면에 근접하도록 밀어 내릴 수 있다.
일 실시형태에서, 분기관 캐리어 (104) 는 제 1 분기관 (106) 을 밀어낼 수 있는 개구를 가짐으로써 제 1 분기관 (106) 이 웨이퍼 (108) 에 근접하게 하강시킬 수 있도록 구성된다. 제 1 분기관 (106) 및 분기관 캐리어 (104) 는 분기관 캐리어 (104) 가 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 를 프로세싱할 위치로 이동시킬 수 있는 임의의 적합한 형태로 구현될 수 있다. 일 실시형태에서, 분기관 캐리어 (104) 는 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 위로 움직이도록 구성될 수 있다. 다른 실시형태에서, 분기관 캐리어 (104) 는 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 아래로 이동시키도록 구성될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 (108) 의 위 그리고 아래에 분기관 캐리어 (104) 가 있어 웨이퍼 (108) 의 여러 면이 실질적으로 동시에 프로세싱 될 수 있다.
예시적인 웨이퍼 프로세싱 공정에서, 분기관 캐리어는, 세정 분기관일 수 있는 제 1 분기관 (106) 을 세정될 웨이퍼 (108) 의 영역 근방으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 그 후, 제 2 분기관 (102) 는 제 1 분기관 (106) 상으로 하강하여 제 1 분기관 (106) 을 분기관 캐리어 (104) 를 통해 웨이퍼 (108) 의 표면 근방으로 밀어 내릴 수 있다. 일단 표면 근방에 위치하면, 제 2 분기관 (102) 은 세정을 위한 특별한 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 1 분기관 (106) 에 투입한다. 그 후, 제 1 분기관 (106) 은 제 1 유체 및 제 2 유체를 제거하기 위해 웨이퍼 (108) 표면에 진공을 제공하는 것과 실질적으로 동시에 웨이퍼 (108) 의 표면에 제 1 유체 및 제 2 유체를 제공한다. 제거된 제 1 유체 및 제 2 유체는 제 1 분기관 (106) 으로부터 제 2 분기관 (102) 로 배출 될 수 있다. 그 후, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 유체 및 제 2 유체를 제거한다. 여기에 개시된 이러한 방식으로, 유체 메니스커스는 웨이퍼를 프로세싱하기 위해 표면상에 생성될 수 있다.
일단 웨이퍼 프로세싱이 완성되면, 제 1 및 제 2 유체의 제공을 중지함으로써 메니스커스가 제거될 수 있다. 그 후, 제 2 분기관 (102) 은 상승하고 제 1 분기관 (106) 은 제 2 분기관 (102) 와 함께 상승할 수 있다. 일 실시형태에서, 그 후, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 으로부터 분리되어 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 프로세싱 공정의 시작 전에 점유하던 위치와 실질적으로 동일한 위치에 남겨둔다. 그 후, 분기관 캐리어 (104) 는 건조를 위해 설계된 제 1 분기관 (106') 을 갓 세정된 웨이퍼 (108) 위의 위치로 이동시킨다. 제 1 분기관 (106') 이 웨이퍼 (108) 위에 위치된 후, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106') 의 상단부로 하강한다. 그 후, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106') 를 움직여 제 1 분기관 (106') 의 프로세싱 표면이 웨이퍼 (108) 의 표면에 근접하도록 이동시킬 수 있다. 제 1 분기관 (106') 이 웨이퍼 (108) 에 근접하도록 이동된 후, 제 2 분기관 (102) 은 건조를 위한 특정한 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 1 분기관 (106') 에 제공하기 시작한다. 그 후, 제 1 분기관 (106') 은 여기에 개시된 유체 메니스커스를 생성하기 위해 웨이퍼 (108) 에 진공을 가하는 것과 실질적으로 동시에 제 1 유체 및 제 2 유체를 웨이퍼 (108) 의 표면에 제공한다.
제 1 유체는 웨이퍼 (108) 의 요구되는 프로세싱을 증진시키는 임의의 적합한 유체일 수 있다. 예시적인 건조 공정에서, 예를 들어, 제 1 유체는 탈 이온화된 물 (DIW), DIW 및 계면 활성제, 등일 수 있다. 예시적인 세정 공정에서, 제 1 유체는, 예를 들어 SC-1, SC-2, 수산화 암모늄 (NH4OH), 수산화 사메틸암모늄 (TMAH), 등일 수 있다. 예시적인 에칭 공정에서, 제 1 유체는, 예를 들어, HF, ECK 특성 용액, KOH, 등일 수 있다. 예시적인 도금 공정에서, 제 1 유체는, 예를 들어, 황산 구리, 황산 은, 염화 금, 등일 수 있다. 또한, 제 2 유체는 제 1 유체의 표면 장력을 감소시키고 따라서 웨이퍼 표면으로부터의 제거를 증진하는, 예를 들어 IPA/N2, N2, N2 운반 기체와 DIW 및 IPA 의 공비 혼합물, 등의 임의의 적합한 유체일 수 있다.
결과적으로, 활용되는 유체에 따라, 상이한 유형의 웨이퍼 프로세싱 공정이 행해질 수 있다. 또한, 제 1 분기관 (106, 106', 등) 상의 입구 및 출구의 구성에 따라 상이한 유형의 웨이퍼 공정이 분기관 캐리어 (104) 상의 상이한 제 1 분기관에 의해 행해질 수 있다. 따라서, 분기관 캐리어 (104) 는 에칭, 도금, 세정, 건조 등의 하나 이상 또는 이들의 임의의 조합을 행할 수 있는 분기관을 포함할 수 있다. 그 후, 상이한 모듈들 사이의 웨이퍼 이동이 감소하기 때문에 분기관 캐리어 (104) 는 오염물 감소를 증진시키는 원 스탑 (one stop) 웨이퍼 프로세싱 장치일 수 있다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 분기관 (106) 과 연결된 제 2 분기관 (102) 를 가지는 분기관 캐리어 (104) 를 구비하는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 을 도시한다. 일 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 과 유체의 입력 및 출력이 교차하는 이동 통로 방식으로 연결된다. 이러한 방식에서, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관에 웨이퍼 (108) 에 제공할 제 1 유체 및 제 2 유체를 제공한다. 또한, 이동 통로가 존재하여 웨이퍼로부터 제 거되는 제 1 유체 및 제 2 유체는 제 1 분기관 (106) 에서부터 제 2 분기관 (102) 으로 수송될 수 있다.
일 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은 유체가 입력되고 출력될 수 있는 포트 (port) 를 가질 수 있다. 제 2 분기관 (102) 의 포트와 이동 통로는 제 1 유체 및 제 2 유체가 제 1 분기관 (106) 에 입력되고 웨이퍼 (108) 에 제공되는 제 1 유체 및 제 2 유체가 제 1 분기관 (106) 으로부터 제거될 수 있는 임의의 적합한 형태로 구성될 수 있다. 일 실시형태에서, 입력 포트는 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 2 분기관 (102) 에 입력할 수 있다. 그 후, 제 1 유체 및 제 2 유체는 일 실시형태에서 제 2 분기관에 설치된 이동 통로를 통해 이동한다. 이 이동 통로를 통해, 제 1 유체 및 제 2 유체는 제 2 분기관 (102) 의 다른 측면 상의 개구로 이동하며, 그곳에서 유체는 제 1 유체의 입력 포트 및 제 2 유체의 입력 포트에 상응하는 제 1 분기관 (106) 내의 개구로 들어간다. 그 후, 제 1 유체 및 제 2 유체는 제 1 분기관 (106) 내의 유체 이동 통로를 통해 웨이퍼 (108) 의 표면에 제 1 유체 및 제 2 유체 각각을 제공하는 제 1 분기관 (106) 의 프로세싱 표면 상에 위치한 제 1 분기관의 입구 및 제 2 분기관의 입구로 수송된다.
제 1 분기관의 프로세싱 표면상의 출구는 제 1 유체 및 제 2 유체를, 웨이퍼 (108) 의 표면과 제 1 분기관 (106) 의 프로세싱 표면 사이의 영역으로부터 제거한다. 따라서, 제 1 및 제 2 유체는 제 1 분기관 (106) 을 통해 제 2 분기관 (102) 내의 입구와 연결될 수 있는 출구로 이동된다. 그 후, 유체는 제 2 분기관 (102) 내의 이동통로를 통해 제 2 분기관 (102) 으로부터 유체를 제거하는 출력 으로 이동된다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 의 측면도를 도시한다. 도 4 에서 설명된 바와 같이 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 이 웨이퍼 (108) 를 프로세싱하는 동안 도시된다. 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 상으로 하강하여 제 1 분기관 (106) 과 연결된다. 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 근방으로 밀어 제 1 분기관 (106) 이 웨이퍼 (108) 상에 유체 메니스커스를 생성할 수 있게한다. 웨이퍼 (108) 및/또는 분기관 캐리어 (104) 는 제 1 분기관에 의해 생성된 유체 메니스커스가 웨이퍼 (108) 의 소정의 영역을 프로세싱 할 수 있도록 임의의 적합한 방식으로 이동될 수 있다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 (108) 는 회전 방식, 직선, 등의 형식으로 이동될 수 있다. 또한, 분기관 캐리어 (104) 는 프로세싱을 요하는 웨이퍼 (108) 의 영역 위로 메니스커스를 움직이기 위해 제 2 분기관 (102) 과 연결되어 움직일 수 있다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 분기관 (106) 위에 제 2 분기관 (102) 이 위치하는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100') 의 측면도를 도시한다. 일 실시형태에서, 분기관 캐리어 (104) 는 요구되는 메니스커스 및/또는 웨이퍼 프로세싱 공정에 따라 제 1 분기관들 (106, 106', 106") 중의 특정한 하나의 제 1 분기관이 웨이퍼 (108) 위에 위치할 수 있도록 이동 (113) 으로 이동할 수 있다. 이동 (113) 은 본래 예시적인 것으로, 분기관 캐리어 (104) 는 X 축, Y 축, 및 Z 축 중 임의의 축 상의 임의의 방향으로 이동할 수 있다. 웨이퍼 캐리어는 웨이퍼 (108) 의 하부에 위치하여 웨이퍼 (108) 의 다른 측면을 프로세싱할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼 (108) 의 상-하부에 모두 위치하여 웨이퍼 (108) 의 양 측면 모두를, 도 8b 를 참조하여 더 자세한 세부사항이 개시된 바와 같이, 실질적으로 동시에 프로세싱할 수 있다.
일 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은 고정되고 분기관 캐리어 (104) 가 제 1 분기관 (106) 을 제 2 분기관 (102) 하부로 이동시킬 수 있다. 이러한 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은 수직으로 움직이도록 구성되어, 제 2 분기관 (102) 이 제 1 분기관 (106) 과 연결되고, 제 1 분기관을 웨이퍼 (108) 와 근접하게 밀어 내린다. 일 실시형태에서, 분기관 캐리어 (104) 는 제 1 분기관 (106) 이 웨이퍼 (108) 에 근접하도록 이동되는 개구 (109) 를 가질 수 있다. 예를 들어, 모터로 구동되는 암 (arm) 과 같은 임의의 적합한 장치가 제 2 분기관 (102) 을 이동시킬 수 있다. 또한, 분기관 캐리어 (104) 는 수평면상으로 이동하여 제 1 분기관들 (106, 106', 106") 을 제 2 분기관 (102) 하부로 움직일 수 있다. 또한, 예를 들어, 모터에 의한 구동과 같은 장치의 적합한 이동이 분기관 캐리어를 이동시킬 수 있다.
일 실시형태에서, 하나 이상의 분기관 캐리어 (104) 이동, 제 2 분기관 (102) 의 이동, 제 1 분기관 (106) 과 제 2 분기관 (102) 사이의 입력과 출력, 입력 (200 및 202) 및 출력 (204) 의 관리는 유체 제어 (250) 에 의해 관리될 수 있다. 유체 제어 (250) 는 웨이퍼 프로세싱을 모니터링 하고 적합한 조절 및 제 1 분기관 (106), 제 2 분기관 (102), 및 분기관 캐리어 (104) 에 의해 요구되는 프 로세싱 되기 위해 적합하게 이동하게 하는 임의의 적합한 소프트웨어 및/또는 하드웨어일 수 있다. 입력 (200 및 202) 은 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 2 분기관 (102) 에 입력하기 위해 활용될 수 있다. 출력 (204) 은 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 2 분기관 (102) 으로부터 제거하기 위해 활용될 수 있다.
도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관 (102) 이 제 1 분기관 (106) 과 연결되는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100') 를 도시한다. 일 실시형태에서, 도 9 를 참조하여 더 자세히 개시되는 바와 같이, 제 1 분기관 (106) 은 제 2 분기관 (102) 으로부터 유체를 받는 포트를 가질 수 있다. 일단 제 2 분기관 (102) 와 제 1 분기관 (106) 의 연결이 이루어지면, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 에 가깝도록 이동한다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관 (106) 이 제 1 분기관을 웨이퍼 (108) 에 가깝도록 더욱 이동시키는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100') 를 도시한다. 일 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 분기관 (106) 을 개구 (109) 쪽으로 더욱 이동시킨다. 개구 (109) 는 제 1 분기관 (106) 이 개구를 통해 이동할 수 있는 임의의 적합한 크기 및/또는 형태일 수 있다.
도 8a 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 분기관 (102) 이 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 에 가깝게 이동시키는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100') 를 도시한다. 일 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 1 분기관 (106) 에 입력들 (120 및 122) 각각을 통해 입력하기 시작한다. 그 후, 제 1 유체 및 제 2 유체는, 제 1 유체가 프로세싱되는 표면 (106a) 상의 제 1 입구를 통해 웨이퍼 (108) 에 제공되고, 제 2 유체가 프로세싱되는 표면 (106a) 상의 제 2 입구를 통해 웨이퍼 (108) 에 제공되는, 제 1 분기관 (106) 으로 이동할 수 있다. 출구는 제 1 유체 및 제 2 유체를, 진공을 가함으로써 제거할 수 있다. 그 후, 제거된 제 1 유체 및 제 2 유체는, 제 1 분기관 (106) 을 통해 제 2 분기관 (102) 으로 이동할 수 있고, 그곳에서 제 1 유체 및 제 2 유체는 출구 (124) 를 통해 제거된다. 일 실시형태에서, 프로세싱 면 (106a) 상의 출구를 통해 제 1 유체 및 제 2 유체를 제거하는 것을 보조하기 위해, 진공이 출구 (124) 를 통해 가해진다.
일 실시형태에서, 제 1 분기관 (106) 은, 제 1 분기관 (106) 이 분기관 캐리어 (104a) 의 바닥 표면의 평면 위로, 프로세싱 표면 (106a) 이 거리 (300) 만큼 이동하는 위치로 이동한다. 거리 (300) 는 프로세싱 면 (106a) 이 바닥면 (104a) 와 동일 평면에 있지 않도록 할 수 있는 임의의 적합한 길이일 수 있다. 일 실시형태에서, 거리 (300) 은 0.1 mm 내지 10.0 mm 일 수 있다. 일 실시형태에서, 거리 (300) 는 0.5 mm 내지 2.0 mm 일 수 있으며, 바람직한 실시형태에서 거리 (300) 는 약 1.50 mm 이다. 일 실시형태에서, 바닥면 (104a) 과 동일 평면에 있지 않은 프로세싱 면 (106a) 의 위치는 메니스커스 (140) 가 이동하거나 표면 장력을 통해 바닥면 (104a) 에 부착할 가능성을 줄인다.
도 8b 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 (108) 의 양 측면이 프로세싱되는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100") 를 도시한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100') 은 웨이퍼 (108) 의 위에서 웨이퍼 (108) 의 표면 (108a) 을 프로세싱하며, 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100') 과 실질적으로 동일한 (그러나 뒤집어진) 또 다른 웨이퍼 프로세싱 시스템은 웨이퍼 (108) 의 아래에서 웨이퍼 (108) 의 측면 (108b) 을 프로세싱한다. 이러한 실시형태에서, 유체 제어 (250) 은 웨이퍼 (108) 의 측면 (108a 및 108b) 의 프로세싱을 관리한다.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 분기관 (106) 및 제 2 분기관 (102) 를 도시한다. 일 실시형태에서, 제 2 분기관 (102) 은, 제 1 분기관 (106) 의 입력 포트 (346, 348) 및 출력 포트 (350) 와 각각 연결되는 출력 포트 (340, 342) 및 입력 포트 (344) 를 포함한다. 일단 출력 포트 (340 및 342) 가 입력 포트 (346 및 348) 와 각각 연결되고, 입력 포트 (344) 와 출력 포트 (350) 가 연결되며, 그 후 제 2 분기관 (102) 이 제 1 분기관 (106) 을 웨이퍼 (108) 근방으로 이동시킨 후, 유체 전송은 시작된다. 도 8 을 참조하여 상술한 바와 같이, 제 1 유체는 출력 포트 (340) 를 통해 입력 포트 (346) 로 흐르며, 제 2 유체는 출력 포트 (342) 에서 입력 포트 (348) 로 흐르고, 웨이퍼 (108) 로부터 제거된 제 1 유체 및 제 2 유체는 출력 포트 (350) 를 통해 입력 포트 (344) 에 전송된다. 이러한 방식으로, 제 1 유체 및 제 2 유체는 제 1 분기관 (106) 에 공급되어 유체 메니스커스 (140) 를 생성한다(도 8a 및 도 8b 를 참조하여 설명함).
도 10 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 다중 웨이퍼 프로세싱 시스템 (600) 을 도시한다. 일 실시형태에서, 다중 웨이퍼 프로세싱 시스템 (600) 은 하나 이상의 웨이퍼 카세트 (cassette) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 다중 웨이퍼 프로세싱 시스템 (600) 은 웨이퍼 카세트 (602, 604, 및 606) 를 포함한다. 다 중 웨이퍼 카세트는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 등의 임의의 적합한 수의 웨이퍼 카세트를 포함할 수 있다. 또한 웨이퍼 카세트 각각은 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 등 임의의 적합한 수의 프로세싱될 웨이퍼를 포함할 수 있다.
또한, 다중 웨이퍼 프로세싱 시스템 (600) 은 특정 웨이퍼 카세트의 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 으로의 입력 및 출력을 관리하는 임의의 적합한 하드웨어 및/또는 소프트웨어일 수 있는 제어기 (610) 를 포함할 수 있다. 또한, 제어기 (610) 는 웨이퍼 프로세싱 시스템 (100) 의 가능성을 관리하여, 특정 웨이퍼 카세트 내의 특정 웨이퍼에 제공되기 위해 요구되는 웨이퍼 프로세싱 공정에 따라 특정 제 1 메니스커스가 활용되게 한다. 따라서, 제어기 (610) 은 각각의 특유한 웨이퍼 카세트에 특유한 유형의 웨이퍼 프로세싱 공정이 수행되도록 구성되며 그리고/또는 제어기 (610) 는 웨이퍼가 위치한 웨이퍼 카세트에 관계 없이 웨이퍼 카세트의 각각 특유한 웨이퍼에 특정 유형의 웨이퍼 프로세싱 공정이 수행되도록 구성된다. 따라서, 예를 들어, 제 1 카세트 내의 제 1 웨이퍼에는 제 1 카세트 내의 제 2 웨이퍼에서 세정 공정이 수행되는 동안 건조 공정이 수행될 수 있다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼 카세트 내의 위치에 관게 없이 임의의 적합한 웨이퍼에 임의의 적합한 유형의 웨이퍼 프로세싱 공정이 수행될 수 있다.
이하의 도면은 유체 메니스커스를 생성할 수 있는 예시적인 근접 헤드와 함께 예시적인 웨이퍼 프로세싱 시스템을 도시한다. 유체 메니스커스를 생성할 수 있는 임의의 적합한 근접 헤드/제 1 분기관과 함께 임의의 적합한 유형의 시스템이 여기에 개시된 본 발명의 실시형태에 사용될 수 있다. 또한, 여기에 개시 되는 제 1 분기관은 근접 헤드로 알려져 있다. 또한, 여기에 개시된 바와 같이 제 1 분기관은, 예를 들어 이하에서 개시되는 근접 헤드에 관하여 참조된 유체 메니스커스를 생성할 수 있는 임의의 적합한 입구/출구의 구성/패턴을 가질 수 있다.
도 11 은 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 시스템 (1100) 을 도시한다. 예를 들어, 롤러, 핀, 압반 (platen) 등의 웨이퍼를 고정하거나 이동시키는 임의의 적합한 방식이 이용될 수 있다. 시스템 (1100) 은 웨이퍼를 고정하고 회전하여 웨이퍼 표면이 프로세싱될 수 있도록 롤러 (1102a, 1102b, 및 1102c) 를 포함할 수 있다. 또한, 일 실시형태에서, 시스템 (1100) 은 상단 암 (1104a) 및 하단 암 (1104b) 에 각각 부착될 수 있는 근접 헤드 (106a 및 106b) 를 포함할 수 있다. 상단 암 (1104a) 및 하단 암 (1104b) 은 웨이퍼의 반경을 따라 근접 헤드 (106a 및 106b) 가 실질적으로 직선 이동을 할 수 있게 하는 근접 헤드 캐리어 어셈블리 (1104) 의 부분일 수 있다. 일 실시형태에서, 근접 헤드 캐리어 어셈블리 (1104) 는 웨이퍼의 근방에서 근접 헤드 (106a) 를 웨이퍼 위에 그리고 근접 헤드 (106b) 를 웨이퍼 아래에 고정하도록 구성될 수 있다. 이는 상단 암 (1104a) 및 하단 암 (1104b) 이 수직으로 움직여, 일단 근접 헤드가 웨이퍼 프로세싱이 시작되는 위치로 수평으로 이동하면 근접 헤드 (106a 및 106b) 가 웨이퍼의 근방 위치로 수직 이동하게 함으로써 이루어질 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 유체 메니스커스는 2 개의 근접 헤드 (104a 및 104b) 사이에 형성되어 웨이퍼의 상단면 및 하단면 상으로 이동할 수 있다. 상단 암 (1104a) 및 하단 암 (1104b) 는 근접 헤드 (106a 및 106b) 가 여기에 개시되는 바와 같이 프로세싱되도록 이동될 수 있는 임의의 적합한 방식으로 구성될 수 있다. 또한, 시스템 (1100) 은 근접 헤드(들) 이 웨이퍼의 근방으로 이동되어 웨이퍼 표면상에 메니스커스를 생성하고 제어할 수 있는 한 임의의 적합한 방식으로 구성될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 암의 제 2 단부에 의해 정의되는 축 주위를 회전하는 암의 제 1 단부에 위치할 수 있다. 따라서, 이러한 실시형태에서, 근접 헤드는 웨이퍼의 표면 위로 원호형으로 이동할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 암은 회전 이동과 직선 이동의 조합형태로 이동할 수 있다. 웨이퍼의 각 측면에 대해 근접 헤드 (106) 가 도시되어 있지만, 웨이퍼의 단일 면에 대해 하나의 헤드도 사용될 수 있다. 프로세싱을 준비하는 다른 측면은 웨이퍼 연마 브러쉬 (wafer scrub brush) 와 같은, 근접 헤드 (106) 가 없는 측면에서 수행된다.
또 다른 실시형태에서, 시스템 (1100) 은 웨이퍼에 근접한 변환 면 (transition surface) 을 가지는 근접 헤드 도킹 스테이션 (docking) 을 포함할 수 있다. 이러한 실시형태에서, 제어 및 관리 상태 동안 유체 메니스커스는 도킹 스테이션과 웨이퍼의 표면 사이에서 변환할 수 있다. 이와 달리, 웨이퍼의 일 측면만 프로세싱되기를 위하는 경우, 하나의 근접 헤드를 가지는 하나의 암이 활용된다.
도 12a 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 프로세싱 공정을 수행하는 근접 헤드 (106) 을 도시한다. 일 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 웨이퍼 (108) 의 최상면 (108a) 근방에 있는 동안 웨이퍼 프로세싱 공정을 수행하기 위해 이동한다. 웨이퍼에 가해지는 유체의 유형에 따라, 웨이퍼 표면 (108a) 상의 근접 헤드 (106) 에 의해 생성된 유체 메니스커스 (140) 는 예를 들어 세정, 린싱, 건조, 에칭, 도금 등과 같은 임의의 적합한 프로세싱 공정일 수 있다. 또한 근접 헤드 (106) 는 웨이퍼 (108) 의 바닥면 (108b) 을 프로세싱하는데 활용될 수 있다. 일 실시형태에서, 유체 메니스커스가 최 상단면 (108a) 를 프로세싱하는 동안 웨이퍼 (108) 는 회전하여 근접헤드 (106) 가 이동할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 (108) 는 근접 헤드 (106) 가 웨이퍼 상에 메니스커스를 생성하는 동안 정지해 있을 수 있다. 그 후, 근접 헤드는 웨이퍼 표면 위로 이동하거나 스캔할 수 있고, 따라서 유체 메니스커스를 웨이퍼의 표면을 따라 이동하게 한다. 또 다른 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 은 유체 메니스커스가 전체 웨이퍼의 표면 영역을 둘러싸도록 충분히 크게 만들어질 수 있다. 이러한 실시형태에서, 웨이퍼의 전체 표면에 유체 메니스커스를 제공함으로써, 웨이퍼는 근접 헤드의 이동 없이 프로세싱될 수 있다.
일 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 소스 입구 (1302 및 1306) 및 소스 출구 (1304) 를 포함한다. 이러한 실시형태에서, 나트륨 기체 내의 이소프로필 알콜 (IPA/N2 ; 1310) 은 소스 입구 (1302) 를 통해 웨이퍼 표면에 제공되고, 진공 (1312) 은 소스 출구 (1304) 를 통해 웨이퍼 표면에 제공되며, 그리고 프로세싱 유체 (1314) 는 소스 입구 (1306) 을 통해 웨이퍼 표면에 제공된다.
일 실시형태에서, 웨이퍼 표면 (108a) 으로부터 프로세싱 유체 및 IPA/N2 (1310) 을 제거하기 위한 진공 뿐만 아니라, IPA/N2 및 프로세싱 유체를 제공하는 것은 유체 메니스커스 (140) 을 생성할 수 있다. 유체 메니스커스 (140) 는 근접 헤드 (106) 와 웨이퍼 표면 (108a) 를, 안정되고 제어 가능한 방식으로 이동할 수 있는, 웨이퍼 표면 사이에 정의된 유체 층일 수 있다. 일 실시형태에서, 유체 메니스커스 (140) 는 프로세싱 유체 (1314) 의 정량의 제공 및 제거에 의해 정의될 수 있다. 유체 메니스커스 (140) 을 정의하는 유체 층은 소스 입구 (1306), 소스 출구 (1304) 및 소스 입구 (1302) 의 크기, 수, 형상, 및/또는 패턴에 따라 임의의 적합한 형상 및/또는 크기일 수 있다.
또한, 생성될 것이 요구되는 유체 메니스커스의 유형에 따라 진공, IPA/N2, 프로세싱 유체의 임의의 적합한 흐름 속도가 이용될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 와 웨이퍼 표면 사이의 거리에 따라, IPA/N2 는 유체 메니스커스 (106) 을 생성하고 활용하는데 생략될 수 있다. 이러한 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 소스 입구 (1302) 를 포함하지 않을 수 있고, 따라서 소스 입구 (1306) 에 의한 프로세싱 유체 (1314) 의 적용 및 소스 출구 (1304) 에 의한 프로세싱 유체 (1314) 의 제거만이 유체 메니스커스를 생성한다.
근접 헤드 (106) 의 또 다른 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 의 프로세싱 표면 (소스 입구 및 소스 출구가 위치한 근접 헤드의 영역) 은 생성되는 유체 메니스커스의 구성에 따라 임의의 적합한 형상일 수 있다. 일 실시형태에서, 근접 헤드의 프로세싱 표면은 움푹 들어가거나 또는 주변 표면보다 돌출될 수 있다.
도 12b 는 본 발명의 실시형태에 따라 근접 헤드 (106) 의 부분 상면도를 도시한다. 도 8b 를 참조하여 개시된 근접 헤드 (106) 의 구성은 그 자체로 예시적인 것이다. 따라서, 프로세싱 유체가 웨이퍼 표면에 제공되고, 웨이퍼 표면으로부터 제거되어 웨이퍼 표면상에 안정된 유체 메니스커스를 생성할 수 있는 한, 근접 헤드의 다른 구성이 유체 메니스커스를 생성하기 위해 활용될 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 근접 헤드 (106) 의 다른 실시형태는, 근접 헤드 (106) 가 N2/IPA 를 이용하지 않고 유체 메니스커스를 생성하도록 구성될 때, 소스 입구 (1306) 를 가질 필요가 없다.
일 실시형태의 상면도에서, 좌측에서 우측으로 일련의 소스 입구 (1302), 일련의 소스 출구 (1304), 일련의 소스 입구 (1306), 일련의 소스 출구 (1304), 일련의 소스 입구 (1302) 이다. 따라서, N2/IPA 및 프로세싱 화학물은 근접 헤드 (106) 와 웨이퍼 (108) 사이의 영역에 입력되고, 진공은 N2/IPA 및 프로세싱 화학물을 임의의 유체 필름 및/또는 웨이퍼 (108) 상에 잔존하는 오염물을 따라 제거한다. 또한, 여기에 개시된 소스 입구 (1302), 소스 입구 (1306), 및 소스 출구 (1304) 는 원형 개구, 삼각형 개구, 사각형 개구 등과 같은 임의의 적합한 유형의 형태일 수 있다. 일 실시형태에서, 소스 입구 (1302 및 1306), 및 소스 출구 (1304) 는 원형 개구를 가진다. 근접 헤드 (106) 는 생성될 것이 요구되는 유체 메니스커스 (106) 의 크기 및 형상에 따라 임의의 적합한 크기, 형상, 및/또는 구성일 수 있다. 일 실시형태에서, 근접 헤드는 웨이퍼의 반지름보다 작게 확장될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 근접 헤드는 웨이퍼의 반지름보다 크게 확장될 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 근접 헤드는 웨이퍼의 지름보다 크게 확장될 수 있다. 따라서, 유체 메니스커스의 크기는 임의의 소정의 시간에 프로세싱될 것이 요구되는 웨이퍼 표면의 크기에 따라 임의의 적합한 크기일 수 있다. 또한, 근접 헤드 (106) 는, 예를 들어 수평방향으로, 수직방향으로, 또는 이들 사이의 임의의 적합한 위치로, 웨이퍼 프로세싱 공정에 따라 임의의 적합한 방향으로 위치할 수 있다. 또한, 근접 헤드 (106) 는 하나 이상의 웨이퍼 프로세싱 공정이 수행되는 웨이퍼 프로세싱 시스템에 포함될 수 있다.
도 12c 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 근접 헤드 (106) 의 입구/출구 패턴을 도시한다. 일 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 소스 출구 (1304) 뿐만 아니라 소스 입구 (1302 및 1306) 를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 소스 출구 (1304) 는 소스 입구 (1306) 를 둘러쌀 수 있으며, 소스 입구 (1302) 는 소스 출구 (1304) 를 포함할 수 있다.
도 12d 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 근접 헤드 (106) 의 또 다른 입구/출구 패턴을 도시한다. 이 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 소스 출구 (1304) 뿐만 아니라 소스 입구 (1302 및 1306) 을 포함한다. 일 실시형태에서, 소스 출구 (1304) 는 소스 입구 (1306) 를 둘러쌀 수 있고 소스 입구 (1302) 는 적어도 부분적으로 소스 출구 (1304) 를 둘러쌀 수 있다.
도 12e 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 근접 헤드 (106) 의 또 다른 입구/출구 패턴을 도시한다. 이 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는 소스 출구 (1304) 뿐만 아니라 소스 입구 (1302 및 1306) 을 포함한다. 일 실시형태에서, 소스 출구 (1304) 는 소스 입구 (1306) 을 둘러쌀 수 있다. 일 실시형태에서, 근접 헤드 (106) 는, 일 실시형태에서 근접 헤드 (106) 가 IPA/N2 의 제공 없이 유체 메니스커스를 생성할 수 있기 때문에 소스 입구 (1302) 를 포함하지 않을 수 있다. 상술한 입구/출구 패턴은 본래 예시적이며 안정적이고 제어 가능한 유체 메니스커스가 생성될 수 있는 한 임의의 적합한 유형의 입구/출구 패턴일 수 있다.
본 발명은 몇몇 바람직한 실시형태의 관점에서 개시되었지만, 당업자는 상술한 상세한 설명 및 도면을 읽고 다양한 변형, 추가, 치환 및 이의 균등물을 인식한다. 따라서 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에 있는 이러한 모든 변형, 추가, 치환, 및 균등물을 포함하는 것이다.
본 발명의 장점은 다수이다. 가장 주목할만한 것은, 여기에 개시된 장치 및 방법은 웨이퍼 표면상에 원치 않는 유체 및 오염물을 줄이는 반면 반도체 웨이퍼를 효율적으로 프로세싱 (세정, 건조, 에칭, 도금, 및 최적의 유체 제공 및/또는 웨이퍼로부터 유체 제거를 포함하는 다른 적합한 유형의 웨이퍼 프로세싱) 하는 것이다. 그 결과, 웨이퍼 프로세싱 및 생산은 증가하고 효율적인 웨이퍼 프로세싱 때문에 더 높은 웨이퍼 수율이 획득될 수 있다.
본 발명은 하나 이상의 분기관 구역의 상호교환을 통해 다수의 방법 중 임의의 방법으로 구현 가능한 근접 메니스커스 분기관을 이용하여 제공될 수 있는 프로 세싱 유체 입력과 함께 진공 유체 제거의 이용을 통한 개선된 프로세싱을 가능하게 한다. 상술한 힘에 의해 웨이퍼 표면의 유체 필름상에 발생하는 압력은 다른 프로세싱 기술과 비교하여 남아있는 오염물을 상당히 감소시키며 웨이퍼 표면에의 최적의 유체 제공 및/또는 유체 제거를 가능하게 한다. 또한, 본 발명은 실질적으로 동시에 웨이퍼 표면 근방에 진공을 발생시킴과 함께 이소프로필 알콜 (IPA) 증기 및 프로세싱 유체를 웨이퍼 표면 쪽으로 제공하는 것을 이용한다. 예시적인 실시형태에서 IPA가 이용되었지만, 물과 섞일 수 있는 임의의 다른 유형의 증기, 예를 들어 질소, 임의의 적합한 알콜 증기, 유기 화합물, 헥사놀 (hexanol), 에틸 글리콜, 아세톤 등의 증기가 활용될 수 있다. 임의의 적합한 알콜 증기는 임의의 적합한 유형의 알콜을 포함한다. 임의의 적합한 알콜은 포화 탄소 원자에 히드록시기가 달린 임의의 적합한 탄소-기반 화합물일 수 있다. 이는 메니스커스의 생성과 지능적 제어 및 프로세싱 유체 계면을 따라 유체 표면 장력의 감소를 가능하게 하고, 따라서 오염물을 남기지 않고 웨이퍼 표면에 최적의 유체 제공 및/또는 유체 제거를 가능하게 한다. IPA 의 입력, 유체 프로세싱 및 유체의 출력에 의해 발생하는 메니스커스는 웨이퍼 표면을 따라 이동되어 웨이퍼를 프로세싱한다.
대응하는 유체 메니스커스를 생성하기 위한 소망의 입/출구 구성을 가지는 하나 이상의 제 1 분기관은 분기관 캐리어 상에서 이용될 수 있다. 소망의 웨이퍼 공정에 따라, 특정 제 1 분기관은 웨이퍼 캐리어에 의해 프로세싱될 웨이퍼 위치 근처로 이동될 수 있다. 상이한 웨이퍼 공정이 요구되는 경우, 상이한 웨 이퍼 공정을 위해 설계된 다른 제 1 분기관이 웨이퍼 캐리어에 의해 웨이퍼 프로세싱을 위한 장소로 이동될 수 있다. 그 결과, 소망의 웨이퍼 공정에 따라, 특정 메니스커스 구성을 생성할 수 있는 특정 제 1 분기관이 분기관 캐리어에 의해 웨이퍼 프로세싱 공정을 위한 장소로 이동될 수 있다. 그 결과, 분기관 캐리어 상의 제 1 분기관의 유형에 따라, 임의의 적합한 유형의 웨이퍼 프로세싱 공정이 웨이퍼를 분리된 웨이퍼 프로세싱 챔버로 이동시키지 않고 수행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 분기관이 프로세싱될 웨이퍼 영역 위에 위치된 후, 제 2 분기관이 내려와 제 1 분기관에 부착된다. 그 후, 제 1 분기관은 웨이퍼의 표면 근방으로 밀릴 수 있다. 일단 제 1 분기관이 웨이퍼와 근접하게 되면, 제 2 분기관은 유체를 제 1 분기관에 입력한다. 제 1 분기관은 웨이퍼 표면상에 유체 메니스커스를 생성하여 웨이퍼 프로세싱 공정을 진행한다. 따라서, 다른 유형의 웨이퍼 공정은 다른 유형의 유체 메니스커스를 이용하여 수행될 수 있다. 이는 이동 중에 웨이퍼 오염을 감소시키는 장점을 가지며, 또한 메니스커스를 이용하여 웨이퍼를 프로세싱함으로써, 최적의 유체 제공 및 유체 제거를 통해 웨이퍼의 오염 또한 감소될 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판을 프로세싱하는 장치에 있어서,
    기판 표면상에 유체 메니스커스 (fluid meniscus) 를 생성하도록 구성된 제 1 분기관 (manifold) 모듈; 및
    상기 제 1 분기관 모듈과 연결되고, 상기 제 1 분기관 모듈을 상기 기판 표면 근방으로 이동시켜 상기 유체 메니스커스를 생성하도록 구성된 제 2 분기관 모듈을 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈을 프로세싱될 상기 기판의 영역으로 이동시키도록 구성된 분기관 캐리어를 더 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈과 상기 제 2 분기관 모듈 사이의 연결은, 유체를 상기 제 1 분기관 모듈에 공급하고 상기 제 1 분기관 모듈로부터 유체를 제거하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 분기관 모듈은 제 1 유체 및 제 2 유체를 상기 제 1 분기관 모듈 에 공급하고, 상기 제 1 분기관 모듈로부터 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 제거하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈은 제 1 유체 및 제 2 유체를 상기 기판 표면에 제공하고, 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 상기 기판 표면으로부터 제거하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 분기관 모듈은 수직으로 이동하여 상기 제 1 분기관 모듈과 연결되도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 메니스커스는 도금, 에칭, 건조, 및 세정 공정(operation) 중 하나의 공정을 수행하는, 기판 프로세싱 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈의 프로세싱 표면은 상기 분기관 캐리어의 바닥 표면의 평면 위에 위치하는, 기판 프로세싱 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈의 프로세싱 표면은, 제 1 유체를 상기 기판 표면에 제공하는 제 1 도관 (1302), 제 2 유체를 상기 기판 표면에 제공하는 제 2 도관 (1306), 및 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 상기 기판 표면으로부터 제거하는 제 3 도관 (1304) 을 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
  10. 기판을 프로세싱하는 방법에 있어서,
    프로세싱될 상기 기판의 기판 표면 위에 제 1 분기관 모듈을 위치시키는 단계;
    상기 제 1 분기관 모듈에 제 2 분기관 모듈을 연결시키는 단계;
    상기 제 1 분기관 모듈이 상기 기판 표면에 근접하도록 상기 제 2 분기관 모듈을 이동시키는 단계;
    상기 제 2 분기관 모듈로부터 유체를 공급받는 상기 제 1 분기관 모듈로 유체 메니스커스를 생성하는 단계; 및
    상기 유체 메니스커스를 상기 기판 표면에 제공하여 웨이퍼 프로세싱 공정을 수행하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈은 상기 유체 메니스커스를 생성하도록 구성된 복수의 도관들을 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈을 위치시키는 단계는, 상기 제 2 분기관 모듈이 상기 제 1 분기관 모듈과 연결될 수 있는 위치로 상기 제 1 분기관 모듈을 가지는 분기관 캐리어를 이동시키는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈에 상기 제 2 분기관 모듈을 연결시키는 단계는, 상기 제 1 분기관 모듈의 포트들과 상기 제 2 분기관 모듈의 포트들을 결합하여 상기 제 1 분기관 모듈과 상기 제 2 분기관 모듈 사이의 유체 전송을 용이하게 하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 분기관 모듈이 상기 기판 표면에 근접하도록 상기 제 2 분기관 모듈을 이동시키는 단계는, 상기 제 1 분기관 모듈 상에 수직으로 상기 제 2 분기관 모듈을 이동시키는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 유체 메니스커스를 생성하는 단계는, 제 1 유체 및 제 2 유체를 제 2 분기관으로부터 제 1 분기관으로 전송하고, 상기 기판에 제공된 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 상기 제 1 분기관으로부터 상기 제 2 분기관으로 제거하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 프로세싱 공정은 도금, 에칭, 세정, 및 건조 공정 중 하나의 공정인, 기판 프로세싱 방법.
  17. 기판을 프로세싱하는 장치에 있어서,
    제 1 유체를 기판 표면에 제공하여 상기 기판 표면상에 유체 메니스커스를 생성하도록 구성된 제 1 도관 (1302), 상기 기판 표면에 제 2 유체를 제공하여 상기 기판 표면 상에 유체 메니스커스를 생성하는 제 2 도관 (1306), 및 상기 기판 표면에서 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 제거하여 상기 기판 표면 상에 유체 메니스커스를 생성하는 제 3 도관 (1304) 을 가지는 프로세싱 면을 구비하는, 제 1 분기관 모듈; 및
    상기 제 1 분기관 모듈을 상기 기판 표면 근방으로 이동시키고, 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 상기 제 1 분기관 모듈에 전달하고, 상기 제 1 분기관 모듈로부터 상기 기판에 제공된 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 제거하도록 구성된 제 2 분기관 모듈을 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    제 2 분기관은 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 제 1 분기관에 전달하는 포트들을 가지며, 상기 제 2 분기관은 상기 기판에 제공된 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 상기 제 1 분기관으로부터 제거하는 하나 이상의 포트를 가지는, 기판 프로세싱 장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    제 1 분기관은 제 2 분기관으로부터 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 수취하는 포트들을 가지며, 상기 제 1 분기관은 상기 기판에 제공된 상기 제 1 유체 및 상기 제 2 유체를 상기 제 2 분기관 모듈에 전달하는 하나 이상의 포트를 가지는, 기판 프로세싱 장치.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 유체는 에칭 유체, 세정 유체, 건조 유체, 및 도금 유체 중 하나의 유체이고, 상기 제 2 유체는 상기 제 1 유체의 표면 장력을 감소시키도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
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