DE602005000450T2 - Naher Fluidmeniskusverteiler - Google Patents

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Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Halbleiter-Wafer-Bearbeitung und insbesondere Vorrichtungen und Techniken zum effizienteren Aufbringen von Fluiden auf Wafer-Oberflächen und Entfernen von diesen bei Verminderung der Verschmutzung und Senkung der Wafer-Reinigungskosten.
  • 2. Beschreibung der verwandten Techniken
  • Bei dem Herstellungsverfahren für einen Halbleiterchip ist es bekannt, dass es ein Bedürfnis gibt, einen Wafer unter Verwendung von Arbeitsvorgängen wie Ätzen, Reinigen, Trocknen und Beschichten zu bearbeiten. Bei jeder dieser Arbeitsvorgangarten werden üblicherweise Flüssigkeiten für Ätz-, Reinigungs-, Trocknungs- und Beschichtungsprozesse entweder aufgebracht oder entfernt.
  • Beispielsweise kann eine Wafer-Reinigung notwendig sein, wenn ein Herstellungsvorgang durchgeführt worden ist, der unerwünschte Rückstände auf den Oberflächen von Wafern zurücklässt. Beispiele eines solchen Herstellungsvorgangs umfassen Plasmaätzen (beispielsweise Tungsten Etch Back (WEB)) und chemisches mechanisches Polieren (CMP). Beim CMP wird ein Wafer in einem Halter angeordnet, welcher eine Wafer-Oberfläche gegen ein sich bewegendes Pad drückt. Dieses sich bewegende Pad verwendet zum Bewirken der Polierung eine Aufschlemmung, welche aus Chemikalien und Reibmaterialien besteht. Bedauerlicherweise neigt dieser Vorgang dazu, eine Ansammlung von Aufschlemmungspartikeln und Rückstände auf der Wafer-Oberfläche zu hinterlassen. Wenn sie auf dem Wafer zurückgelassen werden, kann das unerwünschte Rückstandsmaterial und die unerwünschten Partikel unter anderem Defekte, wie beispielsweise Kratzer auf der Wafer-Oberfläche, und unerwünschte Wechselwirkungen zwischen Metallisierungsmerkmalen bewirken. In einigen Fällen können solche Defekte bewirken, dass Einrichtungen auf dem Wafer betriebsunfähig werden. Um die übermäßigen Kosten des Aus sortierens von Wafern mit betriebsunfähigen Einrichtungen zu vermeiden, ist es daher notwendig, den Wafer nach Herstellungsvorgängen, die unerwünschte Rückstände zurücklassen, angemessen und dennoch effizient zu reinigen.
  • Nachdem ein Wafer gereinigt worden ist, muss der Wafer effektiv getrocknet werden, um zu verhindern, dass Wasser oder Reinigungsfluidreste Rückstände auf dem Wafer hinterlassen. Wenn zugelassen wird, dass das Reinigungsfluid an der Wafer-Oberfläche verdampft, was üblicherweise passiert, wenn sich Tröpfchen bilden, verbleiben Rückstände oder Verunreinigunge, die zuvor in dem Reinigungsfluid gelöst waren, nach dem Verdampfen auf der Wafer-Oberfläche (und bilden beispielsweise Flecken). Um zu verhindern, dass ein Verdampfen stattfindet, muss das Reinigungsfluid so schnell wie möglich ohne Ausbildung von Tröpfchen von der Wafer-Oberfläche entfernt werden. Bei dem Versuch, dies zu erreichen, wird eine von mehreren verschiedenen Trocknungstechniken verwendet, wie beispielsweise Spin-Trocknung, IPA oder Marangoni-Trocknung. Alle diese Reinigungstechniken verwenden eine Form einer sich bewegenden Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche an einer Wafer-Oberfläche, was, wenn richtig ausgeführt, ein Trocknen einer Wafer-Oberfläche ohne die Ausbildung von Tröpfchen bedingt. Wenn die sich bewegende Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche reißt, was bedauerlicherweise bei sämtlichen zuvor erwähnten Trocknungsverfahren häufig geschieht, bilden sich Tröpfchen und ein Verdampfen tritt auf, was dazu führt, dass Verunreinigungen auf der Wafer-Oberfläche zurückbleiben. Die am weitesten verbreitete Trocknungstechnik heutzutage ist die Spin-Rinse-Trocknung (SRD).
  • 1 veranschaulicht die Bewegung von Reinigungsfluiden auf einem Wafer 10 während eines SRD-Trocknungsprozesses. Bei diesem Trocknungsprozess wird ein nasser Wafer mit einer hohen Drehgeschwindigkeit 14 gedreht. Bei der SRD wird das Wasser oder das zum Reinigen des Wafers verwendete Reinigungsfluid unter Ausnutzung der Zentrifugalkraft von dem Mittelpunkt des Wafers zu der Außenseite des Wafer und schließlich von dem Wafer heruntergezogen, wie es mit den gerichteten Fluid-Pfeilen 16 gezeigt ist. Wenn das Reinigungsfluid von dem Wafer gezogen wird, wird bei dem Mittelpunkt des Wafers eine sich bewegende Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche gebildet, die sich zu der Außenseite des Wafers bewegt (d. h. der von der sich bewegenden Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche 12 erzeugte Kreis wird größer), wenn der Trocknungsprozess fortschreitet. Bei dem Beispiel gemäß 1 ist der innere Bereich des von der sich bewegenden Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche 12 gebildeten Kreises frei von dem Fluid, und der äußere Bereich des von der sich bewegenden Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche 12 gebildeten Kreises ist das Reinigungsfluid. Wenn der Reinigungsprozess fortschreitet nimmt daher der Abschnitt innerhalb der sich bewegenden Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche 12 (der trockene Bereich) zu, während der Bereich außerhalb der sich bewegenden Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche 12 (der feuchte Bereich) abnimmt. Wenn, wie zuvor angemerkt, die sich bewegende Flüssigkeit/Gas-Grenzfläche 12 reißt, bilden sich Tröpfchen der Reinigungsflüssigkeit auf dem Wafer, und aufgrund der Verdampfung der Tröpfchen kann eine Verunreinigung auftreten. Daher ist es unbedingt erforderlich, dass die Tröpfchenbildung und die nachfolgende Verdampfung begrenzt wird, um Verunreinigungen von der Wafer-Oberfläche fernzuhalten. Unvorteilhafterweise sind die gegenwärtigen Trocknungsverfahren bei der Verhinderung eines Reißens der sich bewegenden Flüssigkeitsschnittstelle nur teilweise erfolgreich.
  • Darüber hinaus weist der SRD-Prozess Schwächen bei dem Trocknen von hydrophoben Wafer-Oberflächen auf. Hydrophobe Wafer-Oberflächen können schwierig zu trocknen sein, da solche Oberflächen Wasser und auf Wasser basierende (wässrige) Reinigungsflüssigkeiten abstoßen. Daher wird das verbleibende Reinigungsfluid (wenn wässrig) von der Wafer-Oberfläche abgestoßen, wenn der Trocknungsprozess fortschreitet und das Reinigungsfluid von der Wafer-Oberfläche gezogen wird. Demzufolge ist das wässrige Reinigungsfluid bestrebt, mit einem kleinstmöglichen Bereich mit der hydrophoben Wafer-Oberfläche in Kontakt zu stehen. Darüber hinaus neigt die wässrige Reinigungslösung dazu, aufgrund der Oberflächenspannung an sich selbst zu haften (das heißt als ein Ergebnis molekularer Wasserstoff brücken). Aufgrund der hydrophoben Wechselwirkungen und der Oberflächenspannung bilden sich daher auf unkontrollierte Weise Kugeln (oder Tröpfchen) des wässrigen Reinigungsfluids auf der hydrophoben Wafer-Oberfläche. Diese Ausbildung von Tröpfchen führt zu der nachteiligen Verdunstung und der oben beschriebenen Verunreinigung. Die Grenzen von SRD sind insbesondere bei dem Mittelpunkt des Wafers schwerwiegend, wo die auf die Tröpfchen einwirkende Zentrifugalkraft am geringsten ist. Obgleich der SRD-Prozess gegenwärtig der am weitesten verbreitete Weg der Wafer-Trocknung ist, kann dieses Verfahren daher beim Reduzieren der Bildung von Reinigungsfluidtröpfchen auf der Wafer-Oberfläche Schwächen haben, insbesondere wenn er bei hydrophoben Wafer-Oberflächen verwendet wird.
  • Ferner gibt es bei anderen Wafer-Bearbeitungsvorgängen, wie beispielsweise der Reinigung, dem Ätzen und dem Beschichten, ebenfalls Probleme mit dem Aufbringen der Fluide auf den Wafer und dem Entfernen der Fluide von dem Wafer auf eine effiziente Art, die eine Verunreinigung vermindert und die Wafer-Ausbeute erhöht. Es wird Bezug genommen auf das Dokument JP-A-2003151948.
  • Daher gibt es ein Bedürfnis nach einem Verfahren und einer Vorrichtung, die den Stand der Technik vermeiden, indem ein optimiertes Fluid-Management und eine optimierte Fluid-Aufbringung auf einen Wafer ermöglicht wird, welche Verunreinigungsablagerungen auf der Wafer-Oberfläche vermindert. Derartige Ablagerungen, die heutzutage häufig auftreten, vermindern die Ausbeute einwandfreier Wafer und erhöhen die Kosten der Herstellung von Halbleiter-Wafern.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Allgemein gesagt befriedigt die vorliegende Erfindung diese Bedürfnisse durch Bereitstellen einer Substratbearbeitungsvorrichtung (beispielsweise Trocknen, Reinigen, Ätzen, Beschichten), die in der Lage ist, Fluide an Wafer-Oberflächen zu handhaben, während zur gleichen Zeit eine Wafer-Verunreinigung vermindert wird. Es ist offensichtlich, dass die vorliegende Erfindung auf zahlreichen Wegen implementiert werden kann, einschließlich eines Prozesses, einer Vorrichtung, eines Systems, einer Einrichtung oder eines Verfahrens. Verschiedene erfinderische Beispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
  • Bei einem Beispiel wird eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats bereitgestellt, welche ein erstes Verteilermodul zum Erzeugen eines Fluid-Meniskus auf einer Substratoberfläche umfasst. Die Vorrichtung umfasst ferner ein zweites Verteilermodul zum Verbinden mit dem ersten Verteilermodul und ferner zum Bewegen des ersten Verteilermoduls in die Nähe der Substratoberfläche zum Erzeugen des Fluid-Meniskus.
  • Bei einem anderen Beispiel wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrates unter Verwendung eines ersten Verteilermoduls und eines zweiten Verteilermoduls bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Anordnen des ersten Verteilermoduls über einer zu bearbeitenden Substratoberfläche und Verbinden des zweiten Moduls mit dem ersten Modul. Das Verfahren umfasst ferner ein Bewegen des zweiten Moduls, so dass das erste Modul in der Nähe der Substratoberfläche ist, und ein Erzeugen eines Fluid-Meniskus mit dem ersten Modul, wobei das erste Modul von dem zweiten Modul mit Fluiden versorgt wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Aufbringen des Fluid-Meniskus auf die Substrat-Oberfläche zum Ausführen eines Wafer-Bearbeitungsvorgangs.
  • Bei noch einem anderen Beispiel wird eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrates bereitgestellt, welche ein erstes Verteilermodul mit einer Bearbeitungsfläche aufweist, welche eine erste Leitung, die zum Aufbringen eines ersten Fluides auf eine Substratoberfläche gestaltet ist, eine zweite Leitung zum Aufbringen eines zweiten Fluides auf die Substratoberfläche und eine dritte Leitung zum Entfernen des ersten Fluides und des zweiten Fluides von der Substratoberfläche aufweist, wobei das Aufbringen und das Entfernen einen Fluid-Meniskus auf der Substratoberfläche erzeugt. Die Vorrichtung umfasst ferner ein zweites Verteilermodul, welches zum Bewegen des ersten Verteilermoduls in die Nähe der Substratoberfläche und zum Liefern des ersten Fluides und des zweiten Fluides zu dem ersten Modul und zum Entfernen des ersten Fluides und des zweiten Fluides, die von dem ersten Modul auf das Substrat aufgebracht worden sind, gestaltet ist.
  • Die Vorteile der vorliegenden Erfindung gemäß den Ansprüchen 1 und 7 sind zahlreich. Vor allem Bearbeiten (Reinigen, Trocknen, Ätzen, Beschichten und andere geeignete Arten einer Wafer-Bearbeitung, die eine optimale Handhabung der Fluidaufbringung und/oder -entfernung von dem Wafer umschließen) die hierin beschriebenen Vorrichtungen und Verfahren Halbleiter-Wafer effizient, während das Verbleiben von unerwünschten Fluiden und Verunreinigungen auf einer Wafer-Oberfläche vermindert wird. Folglich kann die Wafer-Bearbeitung und -Produktion erhöht werden und höhere Wafer-Ausbeuten können aufgrund der effizienten Wafer-Bearbeitung erzielt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht die verbesserte Bearbeitung durch die Verwendung einer Vakuumfluidentfernung in Verbindung mit einem Bearbeitungsfluidzuführung, die unter Verwendung eines Annäherungs-Meniskus-Verteilers durchgeführt werden, welcher durch Vertauschen von einem oder mehreren Verteilerabschnitt(en) auf eine beliebige Art konfigurierbar ist. Die von den zuvor genannten Kräften bei der Wafer-Oberfläche auf einen Fluidfilm erzeugten Drücke ermöglichen eine optimale Aufbringung und/oder Entfernung von Fluid bei der Wafer-Oberfläche bei, verglichen mit anderen Bearbeitungstechniken, gleichzeitiger signifikanter Verminderung beim Hinterlassen einer Verunreinigung. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung die Aufbringung eines Isopropylalkohol(IPA)-Dampfes und Bearbeitungsfluids auf eine Wafer-Oberfläche, einhergehend mit der Erzeugung eines Vakuums in der Nähe der Wafer-Oberfläche, zur im wesentlichen gleichen Zeit nutzen. Es sei angemerkt, dass obwohl IPA bei dem exemplarischen Ausführungsbeispiel verwendet wird, jede andere geeignet Art von Dampf verwendet werden kann, der mit Wasser mischbar sein kann, wie beispielsweise Stickstoff, ein beliebiger geeigneter Alkoholdampf, organische Verbindungen, Hexanol, Ethylglykol, Aceton etc. Es sei angemerkt, dass der beliebige geeignete Alkoholdampf beliebige geeignete Arten von Alkoholen umfassen kann.
  • Es sei angemerkt, dass der beliebige geeignete Alkohol jede geeignete, auf Kohlenstoff basierende Chemikalie mit einer an einem gesättigten Kohlenstoffatom gebundenen Hydroxylgruppe sein kann. Dies ermöglicht sowohl die Erzeugung und intelligente Steuerung eines Meniskus als auch die Verminderung der Fluidoberflächenspannung bei einer Bearbeitungsfluidgrenzfläche und ermöglicht daher ein optimales Aufbringen und/oder Entfernen von Fluiden auf bzw. von der Wafer-Oberfläche ohne ein Hinterlassen von Verunreinigungen. Der durch die Zuführung von IPA erzeugte Meniskus, das Bearbeitungsfluid und Ausgangsfluide können zum Bearbeiten des Wafers entlang der Oberfläche bewegt werden.
  • Ein oder mehrere primäre Verteiler mit den gewünschten Einlass/Auslass-Konfigurationen zum Erzeugen des entsprechenden Fluid-Meniskus kann bzw. können mit einem Verteilerträger verwendet werden. In Abhängigkeit von den gewünschten Wafer-Bearbeitungsvorgängen kann ein bestimmter primärer Verteiler von dem Wafer-Träger in die Nähe des zu bearbeitenden Wafer-Ortes bewegt werden. Wenn ein anderer Wafer-Bearbeitungsvorgang gewünscht ist, kann ein anderer primärer Verteiler, der für den anderen Wafer-Bearbeitungsvorgang gestaltet ist, für eine Wafer-Bearbeitung von dem Wafer-Träger angeordnet werden. In Abhängigkeit von dem gewünschten Wafer-Bearbeitungsvorgang kann folglich ein bestimmter primärer Verteiler, der eine bestimmte Meniskus-Konfiguration erzeugen kann, von dem Verteilerträger für Wafer-Bearbeitungsvorgänge angeordnet werden. In Abhängigkeit von den Typen primärer Verteiler an dem Verteilerträger können folglich beliebige geeignete Arten von Wafer-Bearbeitungsvorgängen durchgeführt werden, ohne den Wafer in separate Wafer-Bearbeitungskammern zu bewegen. Nachdem der primäre Verteiler angeordnet worden ist, beispielsweise über dem zu bearbeitenden Wafer-Bereich, kann ein sekundärer Verteiler zur Befestigung an dem primären Verteiler herabgeführt werden. Der primäre Verteiler kann dann nahe an eine Oberfläche des Wafers gedrückt werden. Sobald der primäre Verteiler in der Nähe des Wafers ist, kann der sekundäre Verteiler Fluide in den primären Verteiler eingeben. Der primäre Verteiler kann dann den Fluid-Meniskus an der Wafer-Oberfläche erzeugen, um mit dem Wafer-Bearbeitungsvorgang fortzufahren. Daher können verschiedene Arten von Wafer-Bearbeitungsvorgängen unter Verwendung verschiedener Arten von Fluid-Menisken durchgeführt werden. Dies hat den Vorteil der Reduzierung einer Wafer-Verunreinigung während eines Transportes, und ferner kann durch Verwendung des Meniskus zum Bearbeiten des Wafers eine Wafer-Verunreinigung durch optimale Fluidaufbringung und -entfernung die Wafer-Verunreinigung ebenfalls vermindert werden.
  • Weitere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung im Zusammenschau mit den beigefügten Zeichnungen offensichtlich, welche beispielhaft die Prinzipien der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung wird anhand der folgenden detaillierten Beschreibung im Zusammenschau mit den beigefügten Zeichnungen schnell verständlich. Um diese Beschreibung zu vereinfachen bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche strukturelle Elemente.
  • 1 veranschaulicht die Bewegung von Reinigungsflüssigkeiten auf einem Wafer während eines SRD-Reinigungsprozesses.
  • 2 veranschaulicht ein Wafer-Bearbeitungssystem gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt das Wafer-Bearbeitungssystem mit dem Verteilerträger, der einen sekundären Verteiler aufweist, der an einen primären Verteiler gekoppelt wurde, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 4 veranschaulicht eine Seitenansicht des Wafer-Bearbeitungssystems gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 5 veranschaulicht eine Seitenansicht eines Wafer-Bearbeitungssystems, bei welchem der sekundäre Verteiler über den primären Verteiler angeordnet ist, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 6 zeigt das Wafer-Bearbeitungssystem, bei welchem der sekundäre Verteiler mit dem primären Verteiler verbunden worden ist, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 7 veranschaulicht das Wafer-Bearbeitungssystem, wobei der sekundäre Verteiler den primären Verteiler näher an den Wafer bewegt hat, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 8A zeigt das Wafer-Bearbeitungssystem, wobei der sekundäre Verteiler den primären Verteiler in die Nähe des Wafers bewegt hat, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 8B veranschaulicht ein Wafer-Bearbeitungssystem, wobei beide Seiten des Wafers bearbeitet werden können, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 9 zeigt einen primären Verteiler und einen sekundären Verteiler gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 10 veranschaulicht ein Multiwafer-Bearbeitungssystem gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 11 zeigt ein Wafer-Bearbeitungssystem gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 12A veranschaulicht einen Annäherungskopf, welcher einen Wafer-Bearbeitungsvorgang gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausführt.
  • 12B zeigt eine Draufsicht eines Abschnittes eines Annäherungskopfes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 12C veranschaulicht ein Einlass/Auslass-Muster eines Annäherungskopfes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 12D veranschaulicht ein weiteres Einlass/Auslass-Muster eines Annäherungskopfes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 12E veranschaulicht ein weiteres Einlass/Auslass-Muster eines Annäherungskopfes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Es wird eine Erfindung für Verfahren und Vorrichtungen zum Bearbeiten eines Substrates beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Details dargelegt, um ein vollständiges Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Es wird jedoch von dem Fachmann erkannt, dass die vorliegende Erfindung ohne einige oder sämtliche dieser speziellen Details ausgeführt werden kann. Bei anderen Beispielen wurden bekannte Prozessvorgänge nicht beschrieben, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig zu verkomplizieren.
  • Während diese Erfindung im Hinblick auf verschiedene bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, ist es verständlich, dass der Fachmann beim Lesen der nachfolgenden Beschreibungen und Studieren der Zeichnungen verschiedene davon erkennen wird. Es ist daher beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung sämtliche dieser Abänderungen, Hinzufügungen, Vertauschungen und Aquivalente umfasst, wenn sie dem Sinn der Erfindung entsprechen und in den Schutzumfang der Erfindung fallen.
  • Die nachfolgenden Figuren veranschaulichen Ausführungsbeispiele eines beispielhaften Wafer-Bearbeitungssystems, welches einen primären und einen sekundären Verteiler verwendet, so dass ein beliebiger geeigneter Wafer-Bearbeitungsvorgang, welcher eine beliebige geeignete Meniskuskonfiguration benötigt, ausgeführt werden kann. Es ist verständlich, dass dieses System exemplarisch ist, und dass beliebige andere geeignete Konfigurationsarten, die eine Bewegung des primären und/oder sekundären Verteilers in die Nähe des Wafers erlauben, verwendet werden können. Bei den gezeigten Ausführungsbeispielen können der primäre Verteiler und der sekundäre Verteiler einen Fluid-Meniskus während eines Wafer-Bearbeitungsvorgangs linear von einem zentralen Abschnitt des Wafer zu dem Rand des Wafers bewegen.
  • Es sei angemerkt, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet werden können, bei denen der primäre und der sekundäre Verteiler den Fluid-Meniskus linear von einem Rand des Wafers zum anderen, diametrisch entgegengesetzten Rand des Wafers bewegen können, oder andere nicht-lineare Bewegungen können verwendet werden, wie beispielsweise eine radiale Bewegung, eine zirkulare Bewegung, eine spiralförmige Bewegung, eine zickzackförmige Bewegung oder eine zufällige Bewegung etc. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann der Wafer bewegt werden und die Verteiler können stationär gehalten werden. Bei noch einem weiteren Ausführungsbeispiel können sowohl der primäre und der sekundäre Verteiler als auch der Wafer zum Erzeugen der Bewegung des Fluid-Meniskus über eine Wafer-Oberfläche zur Wafer-Bearbeitung bewegt werden. Die Bewegung kann auch einem beliebigen geeigneten speziellen Bewegungsprofil entsprechen, wie es von einem Benutzer erwünscht ist. Darüber hinaus kann der Wafer bei einem Ausführungsbeispiel gedreht und der Annäherungskopf linear bewegt werden, so dass der Annäherungskopf sämtliche Abschnitte des Wafers bearbeitet. Darüber hinaus kann das hier beschriebene Annäherungsbearbeitungssystem verwendet werden, um Substrate beliebiger Form und Größe zu bearbeiten, wie beispielsweise 200 mm Wafer, 300 mm Wafer, Flachanzeigetafeln etc. Das Wafer-Bearbeitungssystem kann zum Bearbeiten des Wafers in Abhängigkeit von der Konfiguration des Systems verwendet werden. Darüber hinaus können die hier verwendeten Annäherungsköpfe auf eine beliebige geeignete Anzahl von Arten konfiguriert werden, um den Wafer zu reinigen, trocknen, ätzen oder beschichten. Mit einem Annäherungskopf kann ein Fluid-Meniskus unterstützt und bewegt werden (beispielsweise auf, von und über einen Wafer).
  • 2 veranschaulicht ein Wafer-Bearbeitungssystem 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst das Wafer-Bearbeitungssystem einen Verteilerträger 104, welcher einen primären Verteiler 106 aufnehmen kann. Es sei angemerkt, dass der Verteilerträger 104 die Fähigkeit haben kann, eine beliebige geeignete Anzahl und/oder Arten von primären Verteilern 106 aufzunehmen. Darüber hinaus kann der Verteilerträger konfiguriert sein, einen beliebigen geeigneten der primären Verteiler unter einen sekundären Verteiler 102 (oder über dem sekundären Verteiler 102, wenn eine Unterseite des Wafers zu bearbeiten ist) anzuordnen.
  • Der primäre Verteiler 106 kann konfiguriert sein, ein erstes Fluid und ein zweites Fluid zum Aufbringen auf einen Wafer 108 zu empfangen, und das erste Fluid und das zweite Fluid, die auf den Wafer 108 aufgebracht wurden, auszugeben. Der primäre Verteiler 106 kann konfiguriert sein, Einlässe und Auslässe aufzuweisen, die konfiguriert sind, einen Fluid-Meniskus erzeugen zu können. Es sei angemerkt, dass der Fluid-Meniskus auf eine beliebige geeignete hier beschriebene Art erzeugt werden kann. Der primäre Verteiler 106 kann eine beliebige geeignete Konfiguration aufweisen, die den Fluid-Meniskus erzeugen kann, wie beispielsweise die hierin beschriebenen Konfigurationen von Annäherungsköpfen. Es sollte verständlich sein, dass der Fluid-Meniskus in Abhängigkeit von der Art der gewünschten Wafer-Bearbeitungsvorgänge, wie beispielsweise Ätzen, Reinigen, Trocknen und Beschichten, auf eine beliebige geeignete Art konfiguriert sein kann.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Verteilerträger 104 den primären Verteiler 106 über den Wafer 108 bewegen, wenn der Wafer 108 zu bearbeiten ist. Darüber hinaus kann ein bestimmter primärer Verteiler einen bestimmten Zweck haben. Beispielsweise kann ein bestimmter primärer Verteiler konfiguriert sein, einen Meniskus zu erzeugen, der den Wafer 108 reinigt und ein anderer primärer Verteiler an dem gleichen Verteilerträger kann einen Meniskus erzeugen, der den Wafer 108 trocknet. Bei noch einem weiteren Ausführungsbeispiel kann der Wafer-Träger weitere primäre Verteiler aufweisen, die zum Bearbeiten des Wafers 108 mit anderen Arbeitsvorgängen, wie beispielsweise Ätzen, Beschichten etc., konfiguriert sind. Wenn der primäre Verteiler 106 über dem zu bearbeitenden Wafer 108 (oder einem Bereich des Wafers 108) angeordnet ist, kann sich der sekundäre Verteiler 102 auf einen oberen Abschnitt des primären Verteilers 106 herabbewegen und sich mit diesem ver binden. Dann kann der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106 in die Nähe einer Oberfläche des zu bearbeitenden Wafers 108 herabdrücken.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel ist der Verteilerträger 104 konfiguriert, es zu ermöglichen, dass der primäre Verteiler 106 in die Nähe des Wafers 108 herabbewegt wird, indem er eine Öffnung aufweist, durch welche der primäre Verteiler 106 gedrückt werden kann. Es sei angemerkt, dass der primäre Verteiler 106 und der Verteilerträger 104 auf eine beliebige geeignete Art konfiguriert sein können, die es ermöglicht, dass der Verteilerträger 104 den primären Verteiler 106 in eine Position zum Bearbeiten des Wafers 108 bewegt. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Verteilerträger 104 konfiguriert sein, den primären Verteiler 106 über den Wafer 108 zu bewegen. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Verteilerträger 104 konfiguriert sein, den primären Verteiler 106 unter den Wafer 108 zu bewegen. Bei noch einem weiteren Ausführungsbeispiel können Verteilerträger 104 über und unter dem Wafer 108 sein, so dass mehrere Flächen des Wafers 108 zur im wesentlichen gleichen Zeit bearbeitet werden können.
  • Bei einem beispielhaften Wafer-Bearbeitungsvorgang kann der Verteilerträger konfiguriert sein, einen primären Verteiler 106, bei welchem es sich um einen Reinigungsverteiler handeln kann, in die Nähe eines zu reinigenden Bereiches des Wafers 108 zu bewegen. Dann kann sich der sekundäre Verteiler 102 auf den primären Verteiler 106 herabbewegen und den primären Verteiler 106 durch den Verteilerträger 104 in die Nähe der Oberfläche des Wafers 108 herabdrücken. In der Nähe der Oberfläche kann der sekundäre Verteiler 102 ein erstes und zweites, für den Reinigungsvorgang spezifisches Fluid in den primären Verteiler 106 eingeben. Dann kann der primäre Verteiler 106 das erste Fluid und das zweite Fluid auf die Oberfläche des Wafers aufbringen, während zur im wesentlichen selben Zeit ein Vakuum an die Oberfläche des Wafers 108 angelegt wird, um das erste Fluid und das zweite Fluid zu entfernen. Das entfernte erste und zweite Fluid können von dem primären Verteiler 106 an den sekundären Verteiler 102 ausgegeben wer den. Der sekundäre Verteiler 102 kann das erste Fluid und das zweite Fluid dann wegbewegen. Auf diese hier beschriebene Weise kann der Fluid-Meniskus an der Oberfläche zum Bearbeiten des Wafers erzeugt werden.
  • Sobald die Wafer-Bearbeitung durchgeführt worden ist, kann der Meniskus entfernt werden, indem die Aufbringung des ersten und des zweiten Fluids gestoppt wird. Dann kann sich der zweite Verteiler 102 nach oben bewegen, und der erste Verteiler 106 kann sich mit dem sekundären Verteiler 102 nach oben bewegen. Bei einem Ausführungsbeispiel kann sich der sekundäre Verteiler 102 dann von dem primären Verteiler 106 lösen und den primären Verteiler 106 in der im wesentlichen gleichen Position belassen, die dieser vor dem Beginn des Wafer-Bearbeitungsvorgangs eingenommen hatte. Der Verteilerträger 104 kann dann einen primären, zum Trocknen ausgestalteten Verteiler 106' an einen Ort über dem Wafer 108 bewegen, der soeben gereinigt wurde. Nachdem der primäre Verteiler 106' über dem Wafer angeordnet ist, kann sich der sekundäre Verteiler 102 auf einen oberen Abschnitt des primären Verteilers 106' herabbewegen. Dann kann der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106' derart bewegen, dass eine Bearbeitungsfläche des primären Verteilers 106' in die Nähe der Oberfläche des Wafers 108 bewegt werden kann. Nachdem der primäre Verteiler 106' in die Nähe des Wafers 108 bewegt worden ist, kann der sekundäre Verteiler 102 beginnen, ein erstes und zweites, für die Reinigung spezifisches Fluid in den primären Verteiler 106' einzubringen. Der primäre Verteiler 106 kann dann das erste und zweite Fluid zum Erzeugen eines Fluid-Meniskus, wie es hierin beschrieben wird, auf die Oberfläche des Wafers 108 aufbringen, während zur gleichen Zeit ein Vakuum an den Wafer 108 angelegt wird.
  • Es sei angemerkt, dass das erste Fluid ein beliebiges geeignetes Fluid sein kann, das die gewünschte Bearbeitung des Wafers 108 verbessern kann. Bei einem beispielhaften Trocknungs-Arbeitsvorgang kann das erste Fluid beispielsweise deionisiertes Wasser (DIW), DIW und ein Tensid etc. sein. Bei einem beispielhaften Reinigungsarbeitsvorgang kann es sich bei dem ersten Fluid beispielsweise um SC-1, SC-2, Ammoniumhydroxid (NH4OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), etc. handeln. Bei einem beispielhaften Ätz-Arbeitsvorgang kann es sich bei dem ersten Fluid beispielsweise um HF, ECK-Markenlösung, KOH etc. handeln. Bei einem beispielhaften Beschichtungs-Arbeitsvorgang kann es sich bei dem ersten Fluid beispielsweise um Cu-Sulfat, Ag-Sulfat, Au-Chlorid, etc. handeln. Es sei angemerkt, dass es sich bei dem zweiten Fluid um ein beliebiges geeignetes Fluid handeln kann, wie beispielsweise IPA/N2, N2, eine azeotrope Mischung von DIW und IPA mit einem N2-Trägergas, etc., welches die Oberflächenspannung des ersten Fluides vermindern kann und daher die Entfernung des Fluides von der Wafer-Oberfläche verbessert.
  • In Abhängigkeit von den verwendeten Fluiden können folglich verschiedene Arten von Wafer-Bearbeitungsvorgängen durchgeführt werden. Darüber hinaus können, in Abhängigkeit von der Konfiguration der Einlässe und Auslässe an dem primären Verteiler 106, 106' etc., verschiedene Wafer-Bearbeitungsvorgänge mit den verschiedenen primären Verteilern an dem Verteilerträger 104 durchgeführt werden. Daher kann der Verteilerträger 104 Verteiler umfassen, die zum Ausführen von zumindest einer Ätzung, einer Beschichtung, einer Reinigung, einer Trocknung etc., oder einer beliebigen Kombination davon, betrieben werden können. Bei dem Verteilerträger 104 kann es sich dann um eine Wafer-Bearbeitungsvorrichtung mit einem Stopp handeln (one stop wafer processing apparatus), welche die Verunreinigungsverminderung verbessern kann, da der Wafer-Transport zwischen verschiedenen Modulen reduziert werden kann.
  • 3 zeigt das Wafer-Bearbeitungssystem 100 mit dem Verteilerträger 104, der einen sekundären Verteiler 102 aufweist, der gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mit einem primären Verteiler 106 gekoppelt wurde. Bei einem Ausführungsbeispiel ist der sekundäre Verteiler 102 derart mit dem primären Verteiler 106 verbunden, dass die Gänge für eine Fluideingabe und -ausgabe miteinander verbunden sind. Auf diese Weise kann der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler mit dem auf den Wafer 108 aufzubringenden ersten und zweiten Fluid versorgen. Darüber hinaus können Gänge bereitgestellt sein, so dass das von der Wafer-Oberfläche entfernte erste und zweite Fluid von dem primären Verteiler 106 zu dem sekundären Verteiler 102 transportiert werden kann.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann der sekundäre Verteiler 102 Öffnungen aufweisen, in die Fluide ein- bzw. Fluide ausgegeben werden können. Es sei angemerkt, dass Öffnungen und Fluidgänge in dem zweiten Verteiler 102 auf eine beliebige geeignete Art konfiguriert sein können, so dass das erste Fluid und das zweite Fluid in den primären Verteiler 106 eingegeben werden können und das auf den Wafer aufgebrachte erste und zweite Fluid von dem primären Verteiler 106 entfernt werden können. Bei einem Ausführungsbeispiel können Einlassöffnungen das erste und zweite Fluid in den sekundären Verteiler 102 eingeben. Dann kann sich das erste Fluid und das zweite Fluid durch Gänge, die bei einem Ausführungsbeispiel maschinell in den sekundären Verteiler 102 eingebracht sind, bewegen. Durch diese Gänge kann sich das erste Fluid und das zweite Fluid zu Öffnungen an der anderen Seite des sekundären Verteilers 102 bewegen, wo das Fluid in die Öffnungen in dem primären Verteiler 106 eintritt, welche Einlassöffnungen für das erste Fluid und Einlassöffnungen für das zweite Fluid entsprechen. Dann können das erste Fluid und das zweite Fluid durch Fluidgänge in dem ersten Verteiler 106 zu Einlässen für das erste Fluid und Einlässen für das zweite Fluid transportiert werden, die bei der Bearbeitungsfläche des primären Verteilers 106 angeordnet sind, der das erste Fluid bzw. das zweite Fluid auf die Oberfläche des Wafers 108 aufbringt.
  • Ein Auslass bei der Bearbeitungsfläche des primären Verteilers kann das erste Fluid und das zweite Fluid von dem Bereich zwischen der Oberfläche des Wafers 108 und der Bearbeitungsfläche des primären Verteilers 106 entfernen. Daher können das erste und das zweite Fluid durch den primären Verteiler 106 zu einem Auslass transportiert werden, der mit einem Einlass in dem sekundären Verteiler 102 verbunden sein kann. Dann können die Fluide über Gänge in dem sekundären Verteiler 102 zu Auslässen transportiert werden, die die Fluide von dem sekundären Verteiler 102 entfernen können.
  • 4 veranschaulicht eine Seitenansicht des Wafer-Bearbeitungssystems 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Wafer-Bearbeitungssystem 100, wie es in 4 gezeigt ist, ist während der Bearbeitung des Wafers 108 gezeigt. Der sekundäre Verteiler 102 wurde auf den primären Verteiler 106 herabbewegt und mit dem primären Verteiler 106 verbunden. Der sekundäre Verteiler 102 hat den primären Verteiler 106 näher an den Wafer 108 gedrückt, so dass der primäre Verteiler 106 einen Fluid-Meniskus auf dem Wafer 108 erzeugen kann. Es sei angemerkt, dass der Wafer 108 und/oder der Verteilerträger 104 auf eine beliebige geeignete Art bewegt werden können, so dass der von dem primären Verteiler 106 erzeugte Fluid-Meniskus die gewünschten Bereiche des Wafers 108 bearbeiten kann. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Wafer 108 beispielsweise auf eine rotatorische Art, gradlinig etc. bewegt werden. Darüber hinaus kann der Verteilerträger 104 in Verbindung mit dem sekundären Verteiler 102 bewegt werden, um den Meniskus über die Bereiche des Wafers 108 zu bewegen, die eine Bearbeitung erfordern.
  • 5 veranschaulicht eine Seitenansicht eines Wafer-Bearbeitungssystems 100', bei dem der sekundäre Verteiler 102 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung über dem primären Verteiler 106 angeordnet ist. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Verteilerträger 104 sich gemäß einer Bewegung 113 derart bewegen, dass in Abhängigkeit von dem gewünschten Meniskus und/oder Wafer-Bearbeitungsvorgang bestimmte der primären Verteiler 106, 106' und 106'' über dem Wafer 108 angeordnet werden können. Es sei angemerkt, dass die Bewegung 113 lediglich exemplarischer Natur ist und der Verteilerträger 104 in eine beliebige Richtung entlang einer beliebigen der X-Achse, Y-Achse und Z-Achse bewegt werden kann. Es sei angemerkt, dass der Wafer-Träger 104 derart konfiguriert sein kann, dass er unter dem Wafer 108 zum Bearbeiten der anderen Seite des Wafers 108 angeordnet sein kann. Bei noch einem weiteren Ausführungsbeispiel können sich Wafer-Träger sowohl über als auch unter dem Wafer 108 befinden, so dass beide Seite des Wafers 108 zur im wesentlichen gleichen Zeit bearbeitet werden können, wie es detaillierter unter Bezugnahme auf 8B beschrieben wird.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel ist der sekundäre Verteiler 102 stationär, und der Verteilerträger 104 bewegt den primären Verteiler 106 unter den sekundären Verteiler 102. Bei solch einem Ausführungsbeispiel ist der sekundäre Verteiler 102 konfiguriert, sich vertikal zu bewegen, um es dem sekundären Verteiler 102 zu ermöglichen, sich mit dem primären Verteiler 106 zu verbinden und den primären Verteiler in die Nähe des Wafers 108 herabzudrücken. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Verteilerträger 104 eine Öffnung 109 aufweisen, durch welche der primäre Verteiler 106 in die Nähe des Wafers 108 bewegt werden kann. Es sei angemerkt, dass der sekundäre Verteiler 102 von einer beliebigen geeigneten Bewegungseinrichtung, wie beispielsweise einem motorisierten Arm etc., bewegt werden kann. Darüber hinaus kann der Verteilerträger in einer horizontalen Ebene bewegt werden, um die primären Verteiler 106, 106' und 106'' in Position unter den sekundären Verteiler 102 zu bewegen. Der Verteilerträger kann ebenfalls von einer geeigneten Bewegungseinrichtung, wie beispielsweise einem motorisierten Arm, bewegt werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Verwaltung von einem oder mehreren der Bewegung des Verteilerträgers 104, der Bewegung des sekundären Verteilers 102, die Fluidzuführung und -abgabe zwischen dem primären Verteiler 106 und dem sekundären Verteiler 102 und die Fluideingabe und -abgabe unter Verwendung der Zuführungen 200 und 202 und der Ausgabe 204 mit einer Fluidsteuereinrichtung 250 verwaltet werden. Bei der Fluidsteuereinrichtung 250 kann es sich um eine beliebige geeignete Software und/oder Hardware handeln, die die Wafer-Bearbeitung überwachen und geeignete Justierungen und Bewegungen ausführen kann, die notwendig sind, damit der Wafer 108 unter Verwendung des primären Verteilers 106, des sekundären Verteilers 102 und des Verteilerträgers 104 wie gewünscht bearbeitet wird. Die Zuführungen 200 und 202 können zum Eingeben des ersten Fluides und des zweiten Fluides in den sekundären Verteiler 102 verwendet werden. Der Ausgang 204 kann verwendet werden, um das erste und zweite Fluid von dem sekundären Verteiler 102 zu entfernen.
  • 6 zeigt das Wafer-Bearbeitungssystem 100', bei dem der sekundäre Verteiler 102 mit dem primären Verteiler 106 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verbunden wurde. Bei einem Ausführungsbeispiel, wie es nachfolgend detaillierter unter Bezugnahme auf 9 beschrieben wird, kann der primäre Verteiler 106 Öffnungen aufweisen, welche die Fluide von dem sekundären Verteiler 102 aufnehmen können. Sobald die Verbindung zwischen dem sekundären Verteiler 102 und dem primären Verteiler 106 hergestellt worden ist, kann der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106 näher an den Wafer 108 bewegen.
  • 7 veranschaulicht das Wafer-Bearbeitungssystem 100', bei dem der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106 näher an den Wafer 108 bewegt hat, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei einem Ausführungsbeispiel hat der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106 weiter in die Öffnung 109 bewegt. Es sei angemerkt, dass die Öffnung 109 eine beliebige geeignete Größe und/oder Form aufweisen kann, solange der primäre Verteiler 106 durch diese bewegt werden kann.
  • 8A zeigt das Wafer-Bearbeitungssystem 100', wobei der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106 in die Nähe des Wafers 108 bewegt hat, und zwar gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der sekundäre Verteiler 102 damit beginnen, das erste Fluid und das zweite Fluid durch Eingänge 120 bzw. 122 in den primären Verteiler 106 einzugeben. Das erste Fluid und das zweite Fluid können sich dann in den primären Verteiler 106 bewegen, wobei das erste Fluid durch einen ersten Einlass bei der Bearbeitungsfläche 106a auf den Wafer aufgebracht wird, und das zweite Fluid durch einen zweiten Einlass bei der Bearbeitungsfläche 106 auf den Wafer 108 aufgebracht wird. Ein Auslass kann das erste und zweite Fluid durch Anlegen eines Vakuums entfernen. Das entfernte erste und zweite Fluid können sich dann durch den primären Verteiler 106 zu dem sekundären Verteiler 102 bewegen, wo das erste und das zweite Fluid durch den Ausgang 124 entfernt werden können. Bei einem Ausführungsbeispiel wird über den Ausgang 124 ein Vakuum angelegt, um bei dem Entfernen des ersten Fluides und des zweiten Fluides durch einen Auslass an der Bearbeitungsfläche 106a zu unterstützen.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel wurde der primäre Verteiler 106 in eine Position bewegt, bei welcher die Bearbeitungsfläche 106a um einen Abstand 300 unter die Ebene einer unteren Fläche des Verteilerträgers 104a bewegt wurde. Es sei angemerkt, dass der Abstand 300 eine beliebige geeignete Länge haben kann, die die Bearbeitungsfläche 106a in die Lage versetzt, mit der unteren Fläche 104a nicht coplanar zu sein. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Abstand 300 zwischen 0,1 mm und 10,0 mm liegen. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Abstand 300 zwischen 0,5 mm und 2,0 mm und bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel kann der Abstand 300 ungefähr 1,50 mm betragen. Bei einem Ausführungsbeispiel vermindert die Position der Bearbeitungsfläche 106a, die nicht coplanar mit der unteren Fläche 104a ist, die Möglichkeit, dass ein Meniskus 140 sich aufgrund der Oberflächenspannung zu der unteren Fläche 104a bewegen kann oder an dieser anhaftet.
  • 8B veranschaulicht ein Wafer-Bearbeitungssystem 100'' gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei welchem zwei Seiten des Wafers 100 bearbeitet werden können. Bei einem Ausführungsbeispiel befindet sich das Wafer-Bearbeitungssystem 100' über dem Wafer 108, um eine Fläche 108a des Wafers 100 zu bearbeiten, und ein weiteres Wafer-Bearbeitungssystem, das im wesentlichen dem Wafer-Bearbeitungssystem 100' entspricht (jedoch umgedreht), befindet sich unterhalb des Wafers 108, um die Seite 108b des Wafers 108 zu bearbeiten. Bei solch einem Ausführungsbeispiel kann die Fluidsteuereinrichtung 250 die Bearbeitung der Seiten 108a und 108b des Wafers 108 verwalten.
  • 9 zeigt einen primären Verteiler 106 und einen sekundären Verteiler 102 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst der sekundäre Verteiler 102 Auslassanschlüsse 340, 342 und einen Einlassanschluss 344, die mit Einlassanschlüssen 346, 348 und einem Auslassanschluss 350 des primären Verteilers 106 verbindbar sein können.
  • Sobald die Auslassanschlüsse 340 und 342 mit den Einlassanschlüssen 346 bzw. 348 verbunden sind, und der Einlassanschluss 344 und der Auslassanschluss 350 verbunden sind, kann, nachdem der sekundäre Verteiler 102 den primären Verteiler 106 in die Nähe des Wafers 108 bewegt hat, ein Fluidtransport beginnen. Wie es oberhalb unter Bezugnahme auf 8 beschrieben wurde, würde das erste Fluid durch den Auslassanschluss 340 in den Einlassanschluss 346 und das zweite Fluid würde durch den Auslassanschluss 342 zu dem Einlassanschluss 348 fließen, und das erste Fluid und das zweite Fluid, die von dem Wafer entfernt worden sind, werden durch den Auslassanschluss 350 zu dem Einlassanschluss 344 transportiert. Auf diese Weise können dem primären Verteiler 106 das erste und zweite Fluid zum Erzeugen des Meniskus 140 geliefert werden (wie unter Bezugnahme auf 8A und 8B beschrieben).
  • 10 veranschaulicht ein Bearbeitungssystem 600 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung für mehrere Wafer. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst das Bearbeitungssystem 600 für mehrere Wafer zumindest eine Wafer-Kassette. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst das Bearbeitungssystem 600 für mehrere Wafer Wafer-Kassetten 602, 604 und 606. Es sei angemerkt, dass eine beliebige geeignete Anzahl von Wafer-Kassetten bei einem Bearbeitungssystem für mehrere Wafer umfasst sein kann, wie beispielsweise 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 etc. Es sei ferner angemerkt, dass jede der Wafer-Kassetten eine beliebige geeignete Anzahl von zu bearbeitenden Wafern umfassen kann, wie beispielsweise 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 etc.
  • Das Bearbeitungssystem 600 für mehrere Wafer kann ferner eine Steuereinrichtung 610 umfassen, bei welcher es sich um eine beliebige geeignete Hardware und/oder Software handeln kann, die den Eingang und Ausgang bestimmter Wafer-Kasstten in das Wafer-Bearbeitungssystem 100 verwalten kann. Darüber hinaus kann die Steuereinrichtung 610 ferner die Funktionalität des Wafer-Bearbeitungssystems 100 verwalten, so dass ein bestimmter primärer Meniskus, in Abhängigkeit von dem Wafer-Bearbeitungsvorgang, der bei einem bestimmten Wafer in einer bestimmten Wafer-Kassette auszuführen werden soll, verwendet werden kann. Daher kann die Steuereinrichtung 610 derart konfiguriert sein, dass jede bestimmte Wafer-Kassette einer bestimmten Art von Wafer-Bearbeitungsvorgang unterzogen werden kann, und/oder die Steuereinrichtung 610 kann ferner derart konfiguriert sein, dass jeder bestimmte Wafer einer Wafer-Kassette einem bestimmten Typ von Wafer-Bearbeitungsvorgang unterzogen wird, und zwar unabhängig von der Wafer-Kassette in der der Wafer angeordnet ist. Daher kann ein erster Wafer in einer ersten Kassette beispielsweise einem Trocknungsvorgang unterzogen werden, während ein zweiter Wafer in der ersten Kassette beispielsweise einem Reinigungsvorgang unterzogen wird. Wie es oberhalb beschrieben ist, sei darauf hingewiesen, dass ein beliebiger geeigneter Wafer einer beliebigen geeigneten Art von Wafer-Bearbeitungsoperation unterzogen werden kann, unabhängig von der Anordnung in der Wafer-Kassette.
  • Die folgenden Figuren beschreiben ein beispielhaftes Wafer-Bearbeitungssystem mit einem beispielhaften Annäherungskopf, der einen Fluid-Meniskus erzeugen kann. Es sei angemerkt, dass ein beliebiges geeignetes System mit einem beliebigen geeigneten Annäherungskopf/primären Verteiler, der einen Fluid-Meniskus erzeugen kann, bei den Ausführungsbeispielen der hier beschriebenen vorliegenden Erfindung verwendet werden kann. Der hier beschriebene primäre Verteiler kann auch als Annäherungskopf bezeichnet werden. Es sei angemerkt, dass der primäre Verteiler, wie er hier beschrieben ist, beliebige geeignete Einlass/Auslass-Konfigurationen/Muster aufweisen kann, die den Fluid-Meniskus erzeugen können, wie beispielsweise solche, auf welche im Hinblick auf die nachfolgend beschriebenen Annäherungsköpfe Bezug genommen wird.
  • 11 zeigt ein Wafer-Bearbeitungssystem 1100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Es sei an gemerkt, dass eine beliebige geeignete Art den Wafer zu halten oder zu bewegen verwendet werden kann, wie beispielsweise Rollen, Pins, Werkstückträger (platen) etc. Das System 1100 kann Rollen 1102a, 1102b und 1102c umfassen, welche einen Wafer halten und drehen können, um zu ermöglichen, dass die Wafer-Oberflächen bearbeitet werden. Das System 1100 kann ferner Annäherungsköpfe 106a und 106b aufweisen, die bei einem Ausführungsbeispiel an einem oberen Arm 1104a bzw. einem unteren Arm 1104b befestigt sein können. Der obere Arm 1104a und der untere Arm 1104b können Teil einer Annäherungskopfträgeranordnung 1104 sein, welche eine im wesentlichen lineare Bewegung der Annäherungsköpfe 106a und 106b entlang eines Radius des Wafers ermöglicht. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Annäherungskopfträgeranordnung 1104 konfiguriert sein, den Annäherungskopf 106a über dem Wafer und den Annäherungskopf 106b unter dem Wafer in der Nähe des Wafers zu halten. Dies kann erreicht werden, indem der obere Arm 1104a und der untere Arm 1104b vertikal bewegbar sind, so dass, sobald die Annäherungsköpfe horizontal in eine Position zum Starten der Wafer-Bearbeitung bewegt sind, die Annäherungsköpfe 106a und 106b vertikal zu einer Position in der Nähe der Wafer bewegt werden können. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Fluid-Meniskus zwischen den zwei Annäherungsköpfen 104a und 104b gebildet werden und auf die obere und untere Fläche des Wafers bewegt werden. Der obere Arm 1104a und der untere Arm 1104b können auf eine beliebige geeignete Art konfiguriert sein, so dass die Annäherungsköpfe 106a und 106b bewegt werden können, um eine Wafer-Bearbeitung, wie hierin beschrieben, zu ermöglichen. Es sei angemerkt, dass das System 1100 auf eine beliebige geeignete Art konfiguriert sein kann, solange der bzw. die Annäherungsköpfe in die Nähe der Wafer zum Erzeugen und Steuern eines Meniskus an der Wafer-Oberfläche bewegt werden können. Bei einem anderen beispielhaften Ausführungsbeispiel kann der Annäherungskopf 106 bei einem ersten Ende eines Armes angeordnet sein, welcher sich um eine von einem zweiten Ende des Armes definierte Achse dreht. Bei einem solchen Ausführungsbeispiel kann daher der Annäherungskopf in einem Bogen über die Oberfläche des Wafers bewegt werden. Bei noch einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Arm in einer Kombination aus einer Drehbewegung und einer Linearbewegung bewegt werden. Obgleich mit einem Annäherungskopf 106 für jede Seite des Wafers gezeigt, kann ein einziger Kopf für eine einzige Seite eines Wafers verwendet werden. Andere Oberflächenbearbeitungsprozesse, beispielsweise eine Wafer-Scheuerbürste, können an Seiten durchgeführt werden, bei denen kein Annäherungskopf 106 verwendet wird.
  • Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann das System 1100 eine Annäherungskopf-Dockingstation umfassen, die eine Übergangsoberfläche benachbart zu dem Wafer aufweisen kann. Bei solch einem Ausführungsbeispiel kann der Fluid-Meniskus zwischen einer Dockingstation und der Oberfläche des Wafers übergehen während er in einem gesteuerten und verwalteten Zustandes ist. Wenn wiederum erwünscht ist, dass lediglich eine Seite des Wafers bearbeitet wird, kann ein Arm mit einem Annäherungskopf verwendet werden.
  • 12A veranschaulicht einen Annäherungskopf 106, der einen Wafer-Bearbeitungsvorgang gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausführt. Bei einem Ausführungsbeispiel bewegt sich der Annäherungskopf 106, während er in der Nähe zu der oberen Fläche 108a des Wafers 108 ist, um einen Wafer-Bearbeitungsvorgang auszuführen. Es sei angemerkt, dass in Abhängigkeit von der Art des auf den Wafer 108a aufgebrachten Fluids der von dem Annäherungskopf 106 an der Wafer-Oberfläche 108a erzeugte Fluid-Meniskus 140 einen beliebigen geeigneten Wafer-Bearbeitungsvorgang, wie beispielsweise Reinigen, Spülen, Trocknen, Ätzen, Beschichten etc. ausführen kann. Es sei angemerkt, dass der Annäherungskopf 106 ferner zum Bearbeiten der unteren Fläche 108b des Wafers 108 verwendet werden kann. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Wafer 108 gedreht werden, so dass der Annäherungskopf 106 bewegt werden kann, während der Fluid-Meniskus die obere Fläche 108 bearbeitet. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Wafer 108 stationär gehalten werden, während der Annäherungskopf 106 den Fluid-Meniskus an der Wafer-Oberfläche erzeugt. Dann kann sich der Annäherungskopf bewegen oder über die Wafer-Oberfläche scannen und so den Fluid-Meniskus entlang der Oberfläche des Wafers bewegen. Bei noch einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Annäherungskopf 106 groß genug ausgeführt sein, so dass der Fluid-Meniskus den Oberflächenbereich des gesamten Wafers umfasst. Bei solch einem Ausführungsbeispiel wird durch Aufbringen des Fluid-Meniskus an die Oberfläche des Wafers die gesamte Fläche des Wafers ohne Bewegung des Annäherungskopfes bearbeitet.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst der Annäherungskopf 106 Source-Einlässe 1302 und 1306 und einen Source-Auslass 1304. Bei solch einem Ausführungsbeispiel kann Isopropylalkohol-Dampf in Stickstoffgas 1310, IPA/N2, durch einen Source-Einlass 1302 auf die Wafer-Oberfläche aufgebracht werden, ein Vakuum 1312 kann an die Wafer-Oberfläche durch einen Source-Auslass 1304 angelegt werden und ein Bearbeitungsfluid 1314 kann über einen Source-Einlass 1306 auf die Wafer-Oberfläche aufgebracht werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann das Aufbringen des IPA/N2 1310 und des Bearbeitungsfluides 1314, zusätzlich zu dem Anlegen des Vakuums 1312 zum Entfernen des Bearbeitungsfluides 1314 und des IPA/N2 1310 von der Wafer-Oberfläche 108a, den Fluid-Meniskus 140 erzeugen. Der Fluid-Meniskus 140 kann eine zwischen dem Annäherungskopf 106 und der Wafer-Oberfläche definierte Fluidschicht sein, die über eine Wafer-Oberfläche 108a auf eine stabile und steuerbare Weise bewegt werden kann. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Fluid-Meniskus 140 durch ein konstantes Aufbringen und Entfernen des Bearbeitungsfluides 1314 definiert sein. Die den Fluid-Meniskus 140 definierende Fluidschicht kann, in Abhängigkeit von der Größe, Anzahl, Form und/oder Muster der Source-Einlässe 1306, Source-Auslässe 1304 und Source-Einlässe 1302, eine beliebige geeignet Form und/oder Größe aufweisen.
  • Darüber hinaus können beliebige geeignete Fließgeschwindigkeiten von Vakuum, von IPA/N2, Vakuum und dem Bearbeitungsfluid verwendet werden, und zwar in Abhängigkeit von der Art des Fluid-Meniskus, der erzeugt werden soll. Bei noch ei nem anderen Ausführungsbeispiel kann IPA/N2 beim Erzeugen und Verwenden des Fluid-Meniskus 106 fortgelassen werden, und zwar in Abhängigkeit von dem Abstand zwischen dem Annäherungskopf 106 und der Wafer-Oberfläche. Bei solch einem Ausführungsbeispiel kann der Annäherungskopf 106 den Source-Einlass 1312 nicht umfassen und daher erzeugt lediglich die Aufbringung des Bearbeitungsfluides 1312 durch den Source-Einlass 1306 und die Entfernung des Bearbeitungsfluides 1314 durch den Source-Auslass 1304 den Fluid-Meniskus 140.
  • Bei anderen Ausführungsbeispielen des Annäherungskopfes 106 kann die Bearbeitungsfläche des Annäherungskopfes 106 (der Bereich des Annäherungskopfes, in dem die Source-Einlässe und Source-Auslässe angeordnet sind) eine beliebige geeignete Topographie aufweisen, und zwar in Abhängigkeit von der Konfiguration des zu erzeugenden Fluid-Meniskus. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Bearbeitungsfläche des Annäherungskopfes entweder eingerückt sein oder von der umgebenden Oberfläche hervorspringen.
  • 12B zeigt eine Draufsicht eines Abschnittes eines Annäherungskopfes 106 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Es sei angemerkt, dass die Konfiguration des Annäherungskopfes 106, wie sie unter Bezugnahme auf 8B beschrieben ist, beispielhaft ist. Daher können andere Konfigurationen von Annäherungsköpfen zum Erzeugen des Fluid-Meniskus verwendet werden, solange das Bearbeitungsfluid auf eine Wafer-Oberfläche aufgebracht und von der Wafer-Oberfläche zum Erzeugen eines stabilen Fluid-Meniskus an der Wafer-Oberfläche entfernt werden kann. Darüber hinaus, wie es oberhalb beschrieben ist, weisen andere Ausführungsbeispiele des Annäherungskopfes 106 nicht den Source-Einlass 1316 auf, wenn der Annäherungskopf 106 konfiguriert ist, den Fluid-Meniskus ohne Verwendung von N2/IPA zu erzeugen.
  • Bei der Draufsicht eines Ausführungsbeispiels gibt es von links nach rechts einen Satz von Source-Einlässen 1302, einen Satz von Source-Auslässen 1304, einen Satz von Source-Einlässen 1306, einen Satz von Source-Auslässen 1304 und einen Satz von Source-Einlässen 1302. Wenn daher N2/IPA und eine Be arbeitungschemikalie in den Bereich zwischen dem Annäherungskopf 106 und dem Wafer 108 gegeben werden, entfernt das Vakuum das N2/IPA und die Bearbeitungschemikalie zusammen mit einem beliebigen Fluidfilm und/oder Verunreinigungen, die auf dem Wafer 108 vorhanden sein können. Die Source-Einlässe 1302, die Source-Einlässe 1306 und die Source-Auslässe 1304, die hier beschrieben sind, können ebenfalls eine beliebige geeignete Art von Geometrie, wie beispielsweise runde Öffnungen, dreieckige Öffnungen, quadratische Öffnungen etc. aufweisen. Bei einem Ausführungsbeispiel weisen die Source-Einlässe 1302 und 1306 und die Source-Auslässe 1304 kreisförmige Öffnungen auf. Es sei angemerkt, dass der Annäherungskopf 106 eine beliebige geeignete Größe, Form und/oder Konfiguration in Abhängigkeit von der Größe und Form des Fluid-Meniskus 106, der zu erzeugen gewünscht ist, aufweisen kann. Bei einem Ausführungsbeispiel kann sich der Annäherungskopf über weniger als einen Radius des Wafers erstrecken. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann sich der Annäherungskopf über mehr als den Radius des Wafers erstrecken. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann sich der Annäherungskopf über mehr als einen Durchmesser des Wafers erstrecken. Daher kann die Größe des Fluid-Meniskus eine beliebige geeignete Größe aufweisen, und zwar in Abhängigkeit von der Größe eines Wafer-Oberflächenbereiches, der zu einer gegebenen Zeit zu bearbeiten gewünscht ist. Darüber hinaus sei angemerkt, dass der Annäherungskopf 106, in der Abhängigkeit von dem Wafer-Bearbeitungsvorgang, in einer beliebigen geeigneten Orientierung angeordnet sein kann, wie beispielsweise horizontal, vertikal oder in einer anderen geeigneten Stellung dazwischen. Der Annäherungskopf 106 kann in einem Wafer-Bearbeitungssystem aufgenommen sein, bei dem eine oder mehrere Arten von Wafer-Bearbeitungsvorgängen ausgeführt werden können.
  • 12C veranschaulicht ein Einlass/Auslass-Muster eines Annäherungskopfes 106 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Annäherungskopf 106 sowohl die Source-Einlässe 1302 und 1306 als auch die Source-Auslässe 1304. Bei einem Ausführungs beispiel können die Source-Auslässe 1304 die Source-Einlässe 1306 umgeben, und die Source-Einlässe 1302 können die Source-Auslässe 1304 umgeben.
  • 12D veranschaulicht ein anderes Einlass/Auslass-Muster eines Annäherungskopfes 106 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Annäherungskopf 106 sowohl die Source-Einlässe 1302 und 1306 als auch Source-Auslässe 1304. Bei einem Ausführungsbeispiel können die Source-Auslässe 1304 die Source-Einlässe 1306 umgeben, und die Source-Einlässe 1302 können die Source-Auslässe 1304 zumindest teilweise umgeben.
  • 12E veranschaulicht ein weiteres Einlass/Auslass-Muster eines Annäherungskopfes 106 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Annäherungskopf 106 sowohl die Source-Einlässe 1302 und 1306 als auch Source-Auslässe 1304. Bei einem Ausführungsbeispiel können die Source-Auslässe 1304 die Source-Einlässe 1306 umgeben. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst der Annäherungskopf 106 keine Source-Einlässe 1302, da bei einem Ausführungsbeispiel der Anmeldungskopf 106 in der Lage ist, einen Fluid-Meniskus ohne Aufbringung von IPA/N2 zu erzeugen. Es sei angemerkt, dass die oberhalb beschriebenen Einlass/Auslass-Muster exemplarischer Natur sind, und dass beliebige geeignete Arten von Einlass/Auslass-Mustern verwendet werden können, solange ein stabiler und steuerbarer Fluid-Meniskus erzeugt werden kann.
  • Während diese Erfindung bezüglich mehrerer bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, wird der Fachmann beim Lesen der vorstehenden Beschreibungen und Studieren der Zeichnungen verschiedene Abänderungen, Hinzufügungen, Vertauschungen und Äquivalente davon erkennen.

Claims (12)

  1. Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats, aufweisend: ein erstes Verteilermodul (106), das zum Erzeugen eines Fluid-Meniskus auf einer Substratoberfläche gestaltet ist, ein zweites Verteilermodul (102), das zum Verbinden mit dem ersten Verteilermodul und zum Bewegen des ersten Verteilermoduls in die Nähe der Substratoberfläche zum Erzeugen des Fluid-Meniskus gestaltet ist, und einen Verteilerträger (104), der zum Bewegen des ersten Verteilermoduls in einen zu bearbeitenden Bereich des Substrats gestaltet ist, wobei eine Bearbeitungsoberfläche des ersten Verteilermoduls jenseits einer Ebene einer unteren Fläche des Verteilerträgers angeordnet ist, und eine Bearbeitungsfläche des ersten Verteilermoduls eine erste Leitung zum Aufbringen eines ersten Fluids auf die Substratoberfläche, eine zweite Leitung zum Aufbringen eines zweiten Fluids auf die Substratoberfläche aufweist, und gekennzeichnet ist durch eine dritte Leitung zum Entfernen des ersten Fluids und des zweiten Fluids von der Substratoberfläche.
  2. Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 1, wobei die Verbindung gestaltet ist, Fluide dem ersten Verteilermodul zuzuführen und Fluide von dem ersten Verteilermodul zu entfernen.
  3. Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 2, wobei das zweite Verteilermodul gestaltet ist, ein erstes Fluid und ein zweites Fluid dem ersten Verteilermodul zuzuführen und das erste Fluid und das zweite Fluid von dem ersten Verteilermodul zu entfernen.
  4. Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 3, wobei das erste Verteilermodul gestaltet ist, ein erstes Fluid und ein zweites Fluid auf die Substratoberfläche aufzubringen und das erste Fluid und das zweite Fluid von der Substratoberfläche zu entfernen.
  5. Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 1, wobei das zweite Verteilermodul gestaltet ist, sich vertikal zu bewegen, um mit dem ersten Verteilermodul zu koppeln.
  6. Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 1, wobei der Fluid-Meniskus gestaltet ist, einen Arbeitsvorgang eines Beschichtungs-, Ätzungs-, Trocknungs- und Reinigungsvorgangs auszuführen.
  7. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats, aufweisend: Anordnen eines ersten Verteilermoduls (106) über einer Substratoberfläche des zu bearbeitenden Substrats, Verbinden eines zweiten Verteilermoduls (102) mit dem ersten Verteilermodul, Bewegen des zweiten Verteilermoduls, so daß das erste Verteilermodul in der Nähe der Substratoberfläche ist, Erzeugen eines Fluid-Meniskus mit dem ersten Verteilermodul, wobei das erste Verteilermodul von dem zweiten Verteilermodul mit Fluiden versorgt wird, und Aufbringen des Fluid-Meniskus auf die Substratoberfläche zum Ausführen eines Wafer-Bearbeitungsvorgangs, wobei das Anordnen des ersten Verteilermoduls ein Bewegen eines Verteilerträgers (104) mit dem ersten Verteilermodul in eine Position, in der das zweite Verteilermodul mit dem ersten Verteilermodul verbunden ist, umfaßt.
  8. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 7, wobei das erste Verteilermodul eine Mehrzahl von Leitungen aufweist, die zum Erzeugen des Fluid-Meniskus ausgebildet sind.
  9. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 7, wobei das Verbinden des zweiten Verteilermoduls mit dem ersten Verteilermodul ein Koppeln von Öffnungen des ersten Verteilermoduls mit Öffnungen des zweiten Verteilermoduls zum Vereinfachen eines Fluidtransfers zwischen dem ersten Verteilermodul und dem zweiten Verteilermodul umfaßt.
  10. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 7, wobei das Bewegen des zweiten Verteilermoduls derart, daß das erste Verteilermodul nahe der Substratoberfläche ist, ein Bewegen des zweiten Verteilermoduls vertikal auf das erste Verteilermodul umfaßt.
  11. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats nach Anspruch 7, wobei das Erzeugen des Fluid-Meniskus ein Transferieren eines ersten Fluids und eines zweiten Fluids von dem zweiten Verteiler zu dem ersten Verteiler und ein Entfernen des ersten Fluids und des zweiten Fluids, die auf die Substratoberfläche aufgebracht wurden, von dem ersten Verteiler zu dem zweiten Verteiler umfaßt.
  12. Ein Verfahren zum Beareiten eines Substrats nach Anspruch 7, wobei der Wafer-Bearbeitungsvorgang einer eines Beschichtungs-, Ätzungs-, Reinigungs- und Trocknungsvorgangs ist.
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