DE69913521T2 - Reaktor mit mikroumgebung zur verarbeitung eines mikroelektronischen werkstücks - Google Patents
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Description
- Bereich der Erfindung
- Die Industrie ist beständig darum bemüht, die zum Herstellen mikroelektronischer Schaltkreise und Bauteile eingesetzten Verfahren, wie etwa das Herstellen von integrierten Schaltkreisen aus Wafern, zu verbessern. Die Verbesserungen betreffen Verschiedenes, haben aber im Allgemeinen eine oder mehrere Aufgaben zum angestrebten Ziel. Die Aufgaben vieler dieser verbesserten Verfahren enthalten: 1) Vermindern des Zeitaufwandes, welcher zum Bearbeiten eines Wafers benötigt wird, um die gewünschten integrierten Schaltkreise auszubilden; 2) Erhöhen der Ausbeute an verwendbaren integrierten Schaltkreisen pro Wafer, beispielsweise durch Vermindern der Wahrscheinlichkeit einer Kontamination des Wafers während des Bearbeitens; 3) Vermindern der Anzahl der Arbeitsschritte, die benötigt werden, um einen Wafer in integrierte Schaltkreise zu transformieren; und 4) Reduzieren der Kosten des Bearbeitens der Wafer zu den gewünschten integrierten Schaltkreisen, beispielsweise Reduzieren der Kosten für die zur Bearbeitung benötigten Chemikalien.
- Bei der Bearbeitung von Wafern ist es oft notwendig, eine oder mehrere Seiten des Wafers einem Fluid in entweder flüssiger, dampfförmiger oder gasförmiger Form auszusetzen. Solche Fluide werden beispielsweise eingesetzt zum Ätzen der Waferoberfläche, zum Reinigen der Waferoberfläche, zum Trocknen der Waferoberfläche, zum Passivieren der Waferoberfläche, zum Aufbringen von Schichten auf die Waferoberfläche und so weiter. Für den Erfolg der Bearbeitungs-Vorgänge ist häufig ein Steuern der physikalischen Parameter der Bearbeitungs-Fluide, wie deren Temperatur, molekulare Zusammensetzung, Dosierung und so weiter verhältnismäßig wichtig. Hierzu erfolgt das Zuführen solcher Fluide zu der Waferoberfläche in einer gesteuerten Umgebung. Typischerweise erfolgt ein solches Bearbeiten von Wafern in einer allgemein als Reaktor bekannt gewordenen Vorrichtung.
- Verschiedene Reaktor-Konstruktionen und Konfigurationen (siehe beispielsweise
US 5209180 ,US 5591262 undUS 5439519 ) sind in der Industrie bekannt und werden dort verwendet. Ein solcher Reaktor wird von der Firma Semitol verwendet und ist in ihren Bearbeitungs-Vorrichtungen der Marke Equinox® eingesetzt. Allgemein ausgedrückt, weist der Reaktor eine Schalen-Anordnung auf, welche eine feststehende Schale enthält, welche aus einem Material hergestellt ist, welches nicht mit den für die einzelnen Wafer-Bearbeitungs-Schritte vorgesehenen Bearbeitungs-Fluiden chemisch reagiert. In der Schale sind eine Mehrzahl von Düsen oder anderen Vorrichtungen zum Einbringen von Fluid in die Schale angebracht. Die feststehende Schale hat einen offenen Oberteil-Abschnitt. Eine den Wafer haltende Rotorkopfanordnung wird dazu eingesetzt, das Oberteil der Schale derart abzuschließen, dass eine Bearbeitungskammer gebildet wird, in welche der Wafer zum Bearbeiten untergebracht ist. Über das Einbringen des Wafers in die Bearbeitungs-Kammer hinaus kann die Rotorkopfanordnung dazu verwendet werden, den Wafer während des Zuführens des Bearbeitungs-Fluids auf die Waferoberfläche zu rotieren, oder nach dem Bearbeiten, um hierdurch das Bearbeitungs-Fluid zu entfernen. - Während des Bearbeitens wird der Wafer der Rotorkopfanordnung durch eine Roboter-Vorrichtung präsentiert, welche in einer im Wesentlichen reinen Umgebung arbeitet, in welcher eine Anzahl von Bearbeitungs-Reaktoren vorhanden sind. Die Roboter-Vorrichtung präsentiert der Rotorkopfanordnung den Wafer in einem exponierten Zustand mit einer Orientierung, bei welcher die zu bearbeitende Wafer-Seite nach oben weist. Die Rotorkopfanordnung wendet den Wafer, greift in die Schale ein und dichtet zum Bearbeiten mit ihr ab. Während der Wafer bearbeitet wird, ist der Wafer derart ausgerichtet, dass die zu bearbeitende Wafer-Seite nach unten weist.
- Der vorangehend beschriebene Reaktor-Aufbau und dessen Konfiguration ist für viele der bei der Produktion von integrierten Schaltkreisen eingesetzten Bearbeitungsschritte sehr nützlich. Dieser Erfinder hat allerdings festgestellt, dass die Anforderungen für zukünftige Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltkreise letztlich eine verbesserte Steuerung und ökonomische Effizienz des Reaktors erfordern. Daher wurde ein im wesentlichen neuer Ansatz zum Bearbeiten und für eine Reaktor-Auslegung unternommen, welcher eine verbesserte Steuerung der derzeit im Zusammenhang mit Mikroelektronik-Herstellung verwendeten Fluid-Prozesse bietet, sowie ferner das Implementieren und Ausführen von weiterentwickelten und verbesserten Prozessen ermöglicht. Darüberhinaus weist der Reaktor mehrere vorteilhafte mechanische Eigenschaften auf, inklusive solcher, welche es erlauben, den Reaktor zusammen mit Roboter-Wafer-Tansfer-Ausrüstung einzusetzen, solcher, welche es erlauben, den Reaktor leicht für verschiedene Prozesse neu zu konfigurieren, und solcher, welche es erlauben, die Bearbeitungskammer des Reaktors leicht zu zerlegen und zu warten.
- Eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Werkstücks und ein Verfahren zum Zentrifugal-Bearbeiten eines Werkstücks gemäß der Erfindung sind in den Ansprüchen 1, 13 beschrieben. Das Werkstück ist definiert als ein Objekt, welches wenigstens ein Substrat aufweist, und welches weitere Schichten aus Material oder bearbeiteten Bestandteilen, etwa einer oder mehreren (auf dem Substrat aufgebrachten) Metallisierungsschichten, enthalten kann. Die Vorrichtung enthält einen Rotor-Motor und ein Werkstück-Gehäuse. Das Werkstück-Gehäuse ist mit dem Rotor-Motor verbunden, um von diesem rotiert zu werden. Das Werkstück-Gehäuse bildet ferner in seinem Inneren eine im wesentlichen geschlossene Bearbeitungskammer, in welcher während einer Drehung des Gehäuses durch Zentripetalbeschleunigungen ein oder mehrere Bearbeitungs-Fluide über wenigstens eine Fläche des Werkstücks verteilt werden. Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen offenbart.
- Kurze Beschreibung der verschiedenen Ansichten der Zeichnungen
-
1 ist eine Querschnitts-Ansicht eines Mikroelektronik-Werkstück-Gehäuses und einer Rotoranordnung, welche gemäß einer Ausführungsform der Erfindung aufgebaut sind. -
2 ist eine Explosionsansicht einer weiteren Ausführungsform eines Mikroelektronik-Werkstück-Gehäuses, welches gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindungen aufgebaut ist. -
3 ist eine Draufsicht des Werkstück-Gehäuses von2 , wobei das Gehäuse sich im zusammengebauten Zustand befindet. -
4 ist eine Querschnitts-Ansicht des Werkstück-Gehäuses entlang Linie IV-IV von3 . -
5 ist eine Querschnitts-Ansicht des Werkstück-Gehäuses entlang Linie V-V von3 . -
6 ist eine Querschnitts-Ansicht des Werkstück-Gehäuses entlang Linie VI-VI von3 . -
7A und7B sind Querschnitts-Ansichten, welche das Werkstück- Gehäuse in einem geschlossenen Zustand und mit einer Rotations-Antriebs-Anordnung verbunden zeigen. -
8A und8B sind Querschnitts-Ansichten, welche das Werkstück-Gehäuse in einem offenen Zustand und mit einer Rotations-Antriebs-Anordnung verbunden zeigen. -
9 zeigt eine Ausführung einer Kanten-Konfiguration, welche sich gegenseitig ausschließendes Bearbeiten der oberen und der unteren Waferoberfläche in dem Werkstück-Gehäuse erleichtert. -
10 zeigt eine Ausführungsform des Werkstück-Gehäuses, welche in Verbindung mit einer selbstpumpenden re-zirkulierenden Anordnung eingesetzt wird. -
11 und12 sind schematische Diagramme von exemplarischen Bearbeitungs-Einrichtungen, welche die vorliegende Erfindung verwenden. -
13 beschreibt eine Stapel-Wafer-Bearbeitungs-Einrichtung, welches gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. -
14 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Reaktors mit Merkmalen, welche ihn gut geeignet machen zum Zusammenwirken mit Werkstück-Transfer-Automations-Ausrüstung, wobei der Reaktor sich in einem offenen Zustand zum Laden/Entladen eines zu bearbeitenden Werkstückes befindet. -
15 zeigt die Ausführungsform des Reaktors von14 , wobei sich der Reaktor in einem geschlossenen Bearbeitungszustand befindet. -
16 zeigt eine Ausführungsform eines Vorspann-Elements, welches in dem Reaktor gemäß14 verwendet werden kann. -
17 zeigt eine Anordnung, bei welcher der vorhergehend genannte Reaktor zum Implementieren eines Spülen/Trocknen-Prozesses verwendet wird. -
18 ist eine perspektivische Schnittbildansicht des Reaktors, von einem anderen Blickwinkel aus gesehen. -
19 ist eine Querschnitts-Ansicht des Reaktors, aufgenommen durch seine vertikale Mittelachse. -
20 ist ein vergrößertes Detail von bestimmten Elementen des Reaktors, aufgenommen innerhalb des in3 eingezeichneten Kreises. -
21 und22 sind weitere vergrößerte Details eines Abschnitts von dem, was in20 gezeigt ist, aufgenommen an verschiedenen Stellen rings des Reaktors. -
23 ist eine vergrößerte, perspektivische Ansicht eines Rotors, wie er in dem Reaktor verwendet wird. -
24 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht von einer unteren Kammerwand und von vier hebenden Hebeln, wie sie in dem Reaktor verwendet werden. -
25 und26 sind weitere vergrößerte Details eines hebenden Hebels, gesehen von zwei verschiedenen Positionen aus. - Detaillierte Beschreibung der Erfindung
-
1 ist eine Querschnitts-Ansicht einer Ausführungsform eines Reaktors, im Allgemeinen bei10 zu sehen, welcher gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Die Ausführungsform des Reaktors10 von1 weist im Allgemeinen einen Rotorabschnitt15 und ein Mikroelektronik-Werkstück-Gehäuse20 auf. Der Rotorabschnitt15 enthält eine Mehrzahl von Halte-Elementen25 , welche sich von dem Rotorabschnitt15 aus nach unten erstrecken, um in die Werkstück-Halterung20 einzugreifen. Jedes der Halteelemente25 weist eine Rille30 auf, welche derart dimensioniert ist, dass sie in einen sich radial erstreckenden Flansch35 eingreift, welcher sich rings eines Umfangsbereiches der Werkstückhalterung20 erstreckt. Der Rotorabschnitt15 weist ferner eine Rotor-Motor-Anordnung40 auf, welche dazu geeignet ist, einen Naben-Abschnitt45 inklusive den Halteelementen25 um eine Mittelachse47 zu drehen. Das Werkstück-Gehäuse20 ist in dieser Weise für ein gemeinsames Drehen mit dem Naben-Abschnitt45 befestigt, wenn die Halteelemente25 mit dem Flansch35 im Eingriff sind. Es können auch andere Konstruktionen des Rotor-Abschnitts15 und des zum Befestigen mit dem Werkstück-Gehäuse20 verwendeten Eingreif-Mechanismus verwendet werden. - Das Werkstück-Gehäuse
20 der Ausführungsform von1 bildet eine im Wesentlichen geschlossene Bearbeitungskammer. Bevorzugterweise ist die im Wesentlichen geschlossene Bearbeitungskammer50 in der allgemeinen Form des Mikroelektronik-Werkstücks55 ausgeführt und stimmt eng mit den Oberflächen des Werkstücks überein. Die spezielle Konstruktion von1 enthält ein oberes Kammerteil60 mit einer inneren Kammer-Fläche65 . Das obere Kammerteil60 enthält in der inneren Kammerfläche65 eine mittig angeordnete Fluid-Einlass-Öffnung70 . Die spezielle Konstruktion enthält ferner ein unteres Kammerteil75 mit einer inneren Kammerfläche80 . Das untere Kammerteil75 hat eine mittig angeordnete Fluid-Einlass-Öffnung85 in der inneren Kammerfläche80 . Das obere Kammerteil60 und das untere Kammerteil75 greifen ineinander ein, um die Bearbeitungskammer50 auszubilden. Das obere Kammerteil60 enthält Seitenwände90 , welche von der inneren Kammerfläche65 aus nach unten vorstehen. Einer oder mehrere Auslässe100 sind in den Umfangsbereichen der Bearbeitungskammer50 durch die Seitenwände90 hindurch angeordnet, um innerhalb der Kammer50 vorhandenem Fluid zu ermöglichen, mittels Zentripetalbeschleunigung, welche erzeugt wird, wenn das Gehäuse20 um die Achse47 gedreht wird, hieraus zu entweichen. - In der gezeigten Ausführungsform ist das Mikroelektronik-Werkstück
55 ein im Allgemeinen kreisförmiger Wafer mit ebenen oberen und unteren Oberflächen. Daher ist die Draufsicht der Bearbeitungskammer50 im Allgemeinen kreisförmig, und die inneren Kammerflächen65 und80 sind im Allgemeinen eben und parallel zu der oberen und der unteren ebenen Oberfläche des Werkstücks55 . Der Zwischenraum zwischen den inneren Kammerflächen65 und80 und der oberen und der unteren ebenen Oberfläche des Werkstücks55 ist im Allgemeinen recht klein. Solch ein Zwischenraum ist bevorzugterweise minimiert, um wesentliche Kontrolle über die physikalischen Eigenschaften eines durch die Zwischenraum-Bereiche fließenden Prozess-Fluids zu erhalten. - Der Wafer
55 ist von der Innenwandfläche80 durch eine Mehrzahl von Abstandselementen105 mit Abstand versehen, welche sich von der Innenwandfläche80 aus erstrecken. Bevorzugterweise erstreckt sich ein weiterer Satz von Abstandselementen110 von der Innenwandfläche65 aus, und diese sind gegenüber den Abstandselementen105 ausgerichtet, um zwischen sich den Wafer55 einzuklemmen. - Die Fluid-Einlass-Öffnungen
70 und85 stellen kommunizierende Durchgänge bereit, durch welche ein oder mehrere Verarbeitungs-Fluide in die Kammer50 eintreten können, um die Waferoberflächen zu bearbeiten. In der gezeigten Ausführungsform werden Bearbeitungs-Fluide von oberhalb des Wafers55 aus zum Einlass70 durch ein Fluid-Zuführ-Rohr115 zugeführt, welches eine Fluid-Auslass-Düse120 aufweist, welche in der Nähe des Einlasses70 angeordnet ist. Die Fluid-Zuführ-Röhre115 erstreckt sich mittig durch den Rotor-Abschnitt15 und ist bevorzugterweise konzentrisch zu der Rotationsachse47 angeordnet. In ähnlicher Weise werden Bearbeitungs-Fluide von unterhalb des Wafers55 aus durch eine Fluid-Zuführ-Röhre125 zum Einlass85 zugeführt. Die Fluid-Zuführ-Röhre125 endet in einer in der Nähe von Einlass85 angeordneten Düse130 . Obwohl Düsen120 und130 in einer Position enden, die einen Abstand von ihren zugehörigen Einlässen aufweist, ist anzumerken, dass die Röhren115 und125 so verlängert werden können, dass keine Spalte auftreten. Düsen120 und130 oder Röhren115 und125 können auch rotierende Dicht-Elemente aufweisen, welche in den Bereichen der Einlässe70 beziehungsweise85 an das obere Kammerteil60 beziehungsweise das untere Kammerteil75 andrücken und abdichten. Hierbei sollte beim Auslegen der rotierenden Verbindung sorgfältig vorgegangen werden, um jedwede aus Abnutzung rotierender Komponenten resultierende Kontaminierung zu minimieren. - Während der Bearbeitung werden ein oder mehrere Bearbeitungs-Fluide einzeln oder gleichzeitig durch die Fluid-Zuführ-Röhren
115 und125 , und die Einlässe70 und85 zugeführt, um mit den Oberflächen des Werkstücks55 in der Kammer50 in Kontakt zu treten. Bevorzugterweise wird das Gehäuse2O während des Bearbeitens durch den Rotor-Abschnitt15 um die Achse47 gedreht, um mittels Zentripetalbeschleunigung einen kontinuierlichen Fluß von jedwedem Fluid in der Kammer50 über die Oberflächen des Werkstücks55 hinweg zu erreichen. Bearbeitungs-Fluid, welches an den Einlass-Öffnungen70 und85 eintritt, wird dadurch über die Werkstück-Oberflächen hin in einer radial vom Mittelpunkt des Werkstückes55 aus auswärts weisenden Richtung zu dem äußeren Umfang des Werkstücks55 hin getrieben. Am äußeren Umfang des Werkstücks55 wird aufgrund der Zentripetalbeschleunigung55 verbrauchtes Bearbeitungs-Fluid so geleitet, dass es die Kammer50 durch Auslässe100 verlässt. Verbrauchte Bearbeitungs-Fluide können in einem Schalen-Reservoir gesammelt werden, welches unterhalb des Werkstück-Halters20 und/oder rings diesem angeordnet ist. Wie im Folgenden in einer alternativen Ausführungsform dargelegt werden wird, können die Umfangs-Bereiche des Werkstück-Gehäuses20 so konstruiert sein, dass sie die durch Einlass70 zugeführten Bearbeitungs-Fluide effektiv von den durch Einlass85 zugeführten Bearbeitungs-Fluiden trennen, so dass entgegengesetzte Seiten des Wafers55 unter Verwendung verschiedener Bearbeitungs-Fluide bearbeitet werden. In solch einer Anordnung können die Bearbeitungs-Fluide zum Entsorgen oder Rückführen in den Umfangs-Bereichen des Gehäuses20 separat gesammelt werden. - Gemäß der Ausführungsform von
1 kann das Werkstückgehäuse20 einen einzelnen Wafer-Behälter bilden, welcher dazu verwendet werden kann, das Werkstück55 zwischen verschiedenen Bearbeitungs-Stationen und/oder Einrichtungen zu transportieren. Wenn ein Transport des Gehäuses20 zwischen den Bearbeitungs-Stationen und/oder Einrichtungen in einer Reinraum-Umgebung stattfindet, müssen die verschiedenen Öffnungen des Gehäuses20 nicht verschlossen sein. Wenn allerdings ein solcher Transport in einer Umgebung stattfinden soll, in welcher es Wafer-Verunreinigungen gibt, sollte ein Verschließen der verschiedenen Gehäuse-Öffnungen ausgeführt werden. Beispielsweise können die Einlässe70 und85 beide jeweils mit einer Polymermembran versehen werden, welche durch sie hindurch verlaufende Schlitze aufweist. Die Enden der Fluid-Zuführ-Röhren115 und125 können in diesen Fällen jeweils in einer "Tracor"-Anordnung enden, welche dazu verwendet werden kann, sich durch den Schlitz der jeweiligen Membran zu erstrecken, und welche das Bearbeitungs-Fluid in die Kammer50 einführen kann. Solche "Tracor"/geschlitzte Membran-Anordnungen werden in der Medizin-Industrie bei intravenösen Versorgungs-Vorrichtungen verwendet. Die Auswahl des für die Membranen verwendeten Polymer-Materials sollte unter Berücksichtigung des hierdurch hindurch eingeführten speziellen Bearbeitungs-Fluids erfolgen. Die Auslässe100 können in ähnlicher Weise verschlossen werden, wobei die "Tracor"-Anordnungen in die Membranen eingeführt werden, sobald das Gehäuse20 sich in einer Reinraum-Umgebung befindet. - Alternativ hierzu können die Auslässe
100 selber so konstruiert sein, dass sie Fluiden erlauben, durch sie hindurch aus der Bearbeitungskammer auszutreten, während sie gleichzeitig die Fähigkeit von Fluiden hindern, von außerhalb des Gehäuses20 in Kammer50 hinein vorzudringen. Dieser Effekt kann beispielsweise erreicht werden, indem die Öffnungen100 als Düsen konstruiert werden, bei welchen die Fluid-Fluss-Öffnung im Inneren der Kammer50 einen größeren Durchmesser hat als der Durchmesser der Öffnung am Äußeren des Gehäuses20 . Bei einer weiteren Konstruktion kann ein Rotations-Ventil-Element in Verbindung mit einer Mehrzahl von Auslässen100 verwendet werden. Das Ventil-Element, wie etwa ein Ring mit Öffnungen, welche den Positionen der Auslässe100 zugeordnet sind, würden benachbart zu den Öffnungen100 angeordnet werden, und würden gedreht werden, um während des Transportes die Auslässe100 zu verschließen. Das Ventil-Element würde während des Bearbeitens in eine Position gedreht werden, in welcher die Auslässe100 offen sind. Inertgas, wie etwa Stickstoff, kann unmittelbar vor dem Transport des Gehäuses zu einer nächsten Bearbeitungs-Einrichtung oder einer nächsten Bearbeitungs-Station durch Zuführ-Röhren115 und125 in die Kammer50 eingeführt werden. Es können auch verschiedene andere Mechanismen zum Verschließen der Auslässe100 und der Einlässe70 und85 verwendet werden. -
2 ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren Reaktor-Aufbaus, bei welchem der Reaktor in einer feststehenden Bearbeitungs-Station angeordnet ist und öffnen oder schließen kann, um ein Einsetzen und Entnehmen des Werkstücks zu erleichtern. Der Reaktor, im Allgemeinen bei200 gezeigt, weist voneinander trennbare obere und untere Kammer-Teile205 und210 auf. Wie bei der ersten Ausführungsform weist das obere Kammerteil205 eine im Allgemeinen ebene Kammerfläche215 mit einem mittig angeordneten Einlass220 auf. Obwohl in der Ansicht von2 nicht dargestellt, weist das untere Kammerteil210 in gleicher Weise eine im Allgemeinen ebene innere Kammerfläche225 auf, mit einem hierdurch hindurch angeordneten mittigen Einlass230 . Das obere Kammerteil205 enthält eine sich nach unten erstreckende Seitenwand235 , welche beispielsweise aus einem abdichtenden Polymer-Material hergestellt sein kann, oder welche einstückig mit anderen Abschnitten von Teil205 ausgebildet sein kann. - Das obere und das untere Kammerteil,
205 und210 , sind voneinander trennbar, um zwischen sich ein Werkstück aufzunehmen. Mit einem zwischen ihnen angeordneten Werkstück bewegen sich das obere und das untere Kammerteil205 und210 aufeinander zu, um eine Kammer zu bilden, in welcher das Werkstück in einer Position gehalten ist, in welcher es zu den ebenen inneren Kammerflächen215 und225 jeweils einen Zwischenraum aufweist. In der in2 –8B offenbarten Reaktor-Ausführungsform ist das Werkstück, wie etwa ein Halbleiter-Wafer, zwischen einer Mehrzahl von Halteelementen240 und zugehörigen Abstands-Elementen225 an seinem Ort festgeklemmt, wenn das obere und das untere Kammerteil vereint werden, um die Kammer auszubilden (siehe7B ). Axiales Bewegen des oberen und des unteren Kammerteils aufeinander zu und voneinander weg wird durch eine Mehrzahl von Befestigungsteilen307 erleichtert, deren Aufbau im Folgenden detaillierter beschrieben wird. Bevorzugterweise spannen die Mehrzahl von Befestigungsteilen307 die obere und die unter Klammer zu einer geschlossenen Position hin vor, wie in7A dargestellt ist. - In der offenbarten Ausführungsform erstreckt sich die Mehrzahl von Wafer-Halteelementen
240 rings eines Umfangsbereiches des oberen Kammerteils205 , an Positionen, welche radial außerhalb der Seitenwand235 angeordnet sind. Die Wafer-Halteelemente240 sind bevorzugterweise für ein lineares Bewegen entlang jeweiliger Achsen245 vorgesehen, um es den Halteelementen240 zu erlauben, den Wafer gegen die Abstandselemente255 zu klemmen, wenn sich das obere und das untere Kammerteil in einer geschlossenen Position befinden (siehe7A ), und um es den Halteelementen240 zu erlauben, den Wafer aus diesem Klemmvorgang frei zu geben, wenn das obere und das untere Kammerteil getrennt sind (siehe8A ). Jedes Halteelement240 weist einen Tragarm250 auf, welcher sich radial auf die Mitte des oberen Kammerteils205 zu erstreckt. Ein Endabschnitt jedes Arms250 überragt ein zugehöriges Abstandselement255 , welches sich von der inneren Kammerfläche215 aus erstreckt. Bevorzugterweise sind die Abstandselemente255 jeweils kegelförmig mit einer Spitze, welche in der Nähe des Endes des Tragearms250 endet. In Umfangs-Abschnitten des unteren Kammerteils210 sind Nuten295 angeordnet, und greifen in abgerundete untere Abschnitte300 de Wafer-Halteelemente240 ein. Wenn das untere Kammerteil210 nach oben zur geschlossenen Position gezwungen wird, greifen die Nuten295 in Endabschnitte300 der Halteelemente240 ein und treiben diese nach oben, um hierdurch den Wafer55 zwischen den Armen250 der Halteelemente240 und den zugehörigen Abstandselementen255 zu befestigen. Dieser geschlossene Zustand ist in5 dargestellt. Im geschlossenen Zustand stellen die Nuten295 und die zugehörigen Nuten296 des oberen Kammerteils (siehe2 ) eine Mehrzahl von Auslässen an den Umfangs-Bereichen des Reaktors200 bereit. Radiale Ausrichtung des Arms250 von jedem Halteelement240 wird mittels eines Einstellstiftes308 erreicht, welcher sich durch seitliche Rillen309 erstreckt, welche durch einen oberen Abschnitt jedes Halteelements hindurch angeordnet sind. - Der Aufbau der Befestigungsteile
307 , welche es erlauben, dass obere und untere Kammerteil aufeinander zu und voneinander weg zu bewegen, ist in den2 ,6 und7B dargestellt. Wie gezeigt, weist das untere Kammerteil210 eine Mehrzahl von Hohlzylindern270 auf, welche an diesem befestigt sind und welche sich durch zugehörige Öffnungen275 im Umfangsbereich des oberen Kammerteils205 nach oben erstrecken, um untere Abschnitte jedes Befestigungsteils307 auszubilden. Stäbe280 erstrecken sich in den Hohlraum der Zylinder270 und sind so befestigt, dass sie einen oberen Abschnitt jedes Befestigungsteils307 ausbilden. Gemeinsam bilden die Stäbe280 und Zylinder270 die Befestigungsteile307 , welche zwischen der offenen und der geschlossenen Position zwischen dem oberen und dem unteren Kammerteil205 und210 eine lineare Relativbewegung entlang Achse283 erlauben. Zwei Flansche285 und290 sind an einem oberen Abschnitt jedes Stabes280 angeordnet. Flansch285 dient als ein Stop-Element, welches in einer offenen Position das Ausmaß der Separation zwischen dem oberen Kammerteil205 und dem unteren Kammerteil210 begrenzt. Flansche290 stellen eine Fläche bereit, gegen welche ein Vorspannelement, wie etwa eine Feder (siehe6 ) oder dergleichen, arbeitet, um das obere Kammerteil205 und das untere Kammerteil210 zur geschlossenen Position hin vorzuspannen. - Bezug nehmend auf
6 weist die Feder303 oder dergleichen ein erstes Ende auf, welches in einer Ringnut305 angeordnet ist, welche sich rings jedes der jeweiligen Befestigungsteile307 erstreckt. Ein zweites Ende jeder Feder ist dazu vorgesehen, in einem komprimierten Zustand an dem Flansch290 des jeweiligen Befestigungsteils307 anzugreifen, wodurch die Feder veranlasst wird, eine Kraft zu erzeugen, welche das Befestigungsteil307 und das untere Kammerteil210 nach oben in Eingriff mit dem oberen Kammerteil205 treiben. - Der Reaktor
200 ist derart ausgelegt, dass er während des Bearbeitens des Werkstückes um eine Mittelachse gedreht werden kann. Hierzu erstreckt sich eine mittig angeordnete Welle260 von einem oberen Abschnitt des oberen Kammerteils205 aus. Wie unten anhand der7A –7B detaillierter gezeigt werden wird, ist die Welle260 mit einem Drehantriebsmotor eingreifend verbunden, um den Reaktor200 drehend anzutreiben. Die Welle260 ist so konstruiert, dass sie einen mittig angeordneten Fluid-Durchgang (siehe4 ) aufweist, durch welchen ein Bearbeitungs-Fluid zum Einlass220 zugeführt werden kann. Alternativ hierzu kann der mittige Durchgang als eine Führungsvorrichtung für eine gesonderte Einlass-Röhre oder dergleichen dienen. - Wie in
3 und4 dargestellt ist, erstrecken sich eine Mehrzahl von Überlauf-Durchgängen312 radial von einer Mitten-Position des oberen Kammerteils205 aus. Welle260 endet in einem erweiterten Endabschnitt315 mit Einlass-Nuten320 , welche eine Fluid-Verbindung zwischen dem oberen Abschnitt der Bearbeitungskammer310 und den Überlauf-Durchgängen312 bereitstellen. Das erweiterte Ende315 der Welle260 ist an dem oberen Kammerteil205 beispielsweise mittel einer Befestigungsplatte312 befestigt. Die Befestigungsplatte325 ist ihrerseits mit einer Mehrzahl von Befestigungselementen330 an dem oberen Kammerteil205 befestigt (5 ). Die Überlauf-Durchgänge312 erlauben es dem Bearbeitungs-Fluid, die Kammer310 zu verlassen, wenn der Fluid-Fluss zur Kammer310 den Fluid-Fluss aus den Umfangs-Auslässen der Kammer übersteigt. -
7A und7B sind Querschnitts-Ansichten, welche den Reaktor200 in einem geschlossenen Zustand, und mit einer Rotationsantriebsanordnung verbunden zeigen, welche allgemein mit400 bezeichnet ist, wohingegen8A und8B ähnliche Querschnittsansichten sind, welche den Reaktor200 in einem offenen Zustand zeigen. Wie gezeigt, erstreckt sich Welle260 nach oben in die Rotations-Antriebseinheit400 hinein. Welle260 ist mit den notwendigen Komponenten versehen, um mit Stator405 zusammenzuwirken, um eine Rotationsantriebsmotoranordnung410 zu bilden. - Wie in der Ausführungsform von
1 gezeigt ist, verbinden sich das obere und das untere Kammerteil205 und 210, um die im Wesentlichen geschlossene Bearbeitungskammer310 zu bilden, welche in der bevorzugten Ausführungsform im wesentlichen der Form des Werkstücks55 entspricht. Bevorzugterweise ist der Wafer55 innerhalb der Kammer310 in einer Position gehalten, in welcher seine obere und untere Fläche von den inneren Kammerflächen215 beziehungsweise225 einen Zwischenraum aufweisen. Wie oben beschrieben, wird ein solches Halten durch die Halteelemente240 und die Abstandselemente255 erleichtert, welche zwischen sich die Umfangskanten des Wafers55 einklemmen, wenn der Reaktor200 sich in der in7A und7B gezeigten geschlossenen Position befindet. - Bearbeiten des Wafers
55 erfolgt in der in7A und7B gezeigten geschlossenen Position. Bei innerhalb der Bearbeitungskammer310 befestigtem Wafer wird Bearbeitungsfluid durch ein Bearbeitungs-Zuführ-Rohr415 von Welle260 und Einlass220 in das Innere der Kammer310 zugeführt. In ähnlicher Weise wird auch durch das Bearbeitungs-Zuführ-Rohr125 , welches das Fluid durch Einlass230 leitet, Bearbeitungs-Fluid zur Kammer310 zugeführt. Wenn der Reaktor200 von der Rotationsantriebsmotoranordnung410 gedreht wird, wird jedwedes durch Einlässe220 und230 zugeführte Bearbeitungs-Fluid durch mittels Zentripetalbeschleunigung erzeugter Kräfte über die Oberflächen von Wafer55 hinweg getrieben. Verbrauchtes Bearbeitungsfluid verlässt die Bearbeitungskammer310 durch die Auslässe an den Umfangs-Bereichen des Reaktors200 , welche durch die Nuten295 und296 gebildet werden. Solche Auslässe existieren, da die Halteelemente240 nicht so aufgebaut sind, dass sie den resultierenden Fluid-Fluss wesentlich stören. Alternativ hierzu oder zusätzlich können weitere Auslässe in den Umfangsbereichen vorgesehen sein. - Sobald das Bearbeiten beendet wurde, wird der Reaktor
200 geöffnet, um Zugriff auf den Wafer zu ermöglichen, wie in8A und8B gezeigt ist. Nach dem Bearbeiten wird Aktuator425 verwendet, um einen Aktuator-Ring430 nach unten in Eingriff mit oberen Abschnitten der Befestigungsteile307 zu treiben. Die Befestigungsteile307 werden gegen die Vorspannung von Feder303 getrieben, was bewirkt, dass das untere Kammerteil210 sich absenkt und sich von dem oberen Kammerteil205 trennt. Während das untere Kammerteil210 abgesenkt wird, folgen ihm die Befestigungselemente240 unter den Einfluß der Schwerkraft, oder gegen den Einfluß der Schwerkraft, oder gegen den Einfluß eines Vorspann-Elementes, während sie gleichzeitig den Wafer55 absenken. In einer tieferen Position wird die Bearbeitungskammer310 geöffnet, hierbei den Wafer55 zum Entfernen freigebend und/oder das Einsetzen eines neuen Wafers in den Reaktor200 ermöglichend. Solch ein Einsetzen oder Herausnehmen kann entweder manuell oder durch einen automatischen Roboter erfolgen. - Die oben genannte Anordnung macht den Reaktor
200 insbesondere geeignet für automatisches Werkstück-Laden und -Entladen, beispielsweise mittels eines Roboter-Transfer-Mechanismus oder dergleichen. Wie aus einem Vergleich von7A und8A offensichtlich ist, variiert der Zwischenraum zwischen der oberen Oberfläche des Werkstücks und der inneren Kammerwand des oberen Kammerteils205 abhängig davon, ob der Reaktor200 sich in einem offenen oder geschlossenen Zustand befindet. Im offenen Zustand weist die obere Oberfläche des Werkstücks von der inneren Kammerwand des oberen Kammerteils205 einen Abstand x1 auf, welcher einen ausreichenden Spielraum aufweist, um beispielsweise einen Werkstück-Transfer-Arm eines Roboter-Transfer-Mechanismus zu betätigen. Im geschlossenen Bearbeitungs-Zustand weist die obere Oberfläche des Werkstücks von der inneren Kammerwand des oberen Kammerteils205 einen Abstand x2 auf, welcher kleiner ist als der Abstand x1. Der Abstand x2 kann in der offenbarten Ausführungsform derart gewählt sein, dass er dem Zwischenraum entspricht, welcher während Werkstück-Bearbeitungs-Vorgängen gewünscht wird. -
9 zeigt eine Kantenanordnung, welche ein separates Bearbeiten jeder Seite von Wafer55 erleichtert. Wie gezeigt, erstreckt sich ein Teilungs-Element500 von der Seitenwand235 der Bearbeitungskammer310 aus zu einer unmittelbar der Umfangskante505 des Wafers55 benachbarten Position. Das Teilungs-Element500 kann eine Vielzahl von Formen annehmen, von denen die dargestellte konische Form nur eine Anordnung ist. Das Teilungs-Element500 erstreckt sich bevorzugt rings des gesamten Umfangs der Kammer310 . Ein erster Satz von einem oder mehreren Auslässen510 ist oberhalb des Teilungs-Elements500 angeordnet, um verbrauchtes Bearbeitungs-Fluid von der oberen Oberfläche des Wafers55 aufzunehmen. In ähnlicher Weise ist ein zweiter Satz von einem oder mehreren Auslässen515 unterhalb des Teilungs-Elements500 angeordnet, um verbrauchtes Beasrbeitungs-Fluid von der unteren Oberfläche des Wafers55 aufzunehmen. Wenn der Wafer55 während des Bearbeitens rotiert, wird das Fluid aus der Zuführung415 der oberen Oberfläche des Wafers55 zugeführt, und breitet sich durch den Einfluß von Zentripetal-Beschleunigung über die Oberfläche aus. In ähnlicher Weise wird das Fluid aus der Zuführ-Röhre125 der unteren Oberfläche des Wafers55 zugeführt, und breitet sich durch den Einfluß von Zentripetalbeschleunigung über die Oberfläche aus. Da die Kante des Teilungs-Elementes500 sich so nahe an der Umfangs-Kante von Wafer55 befindet, dringt kein Bearbeitungs-Fluid von der oberen Oberfläche des Wafers55 nach unterhalb des Teilungs-Elements500 vor, und es dringt kein Bearbeitungs-Fluid von der unteren Oberfläche des Wafers55 nach oberhalb des Teilungs-Elements500 vor. Daher ermöglicht es dieser Reaktor-Aufbau, gleichzeitig sowohl die obere als auch die untere Oberfläche des Wafers55 in einer sich gegenseitig ausschließenden Weise mit verschiedenen Bearbeitungs-Fluiden und Arbeitsschritten zu bearbeiten. -
9 zeigt auch eine Weise, in welcher die der oberen und der unteren Waferoberfläche zugeführten Bearbeitungs-Fluide in einer sich gegenseitig ausschließenden Weise gesammelt werden können. Wie dargestellt, ist rings des äußeren Umfangs des Reaktors200 ein Fluid-Sammler520 angeordnet. Der Fluid-Sammler520 weist einen ersten Sammelbereich525 mit einem Spritzschutz530 und einer Fluid-Rinne535 auf, welche derart eingerichtet sind, dass sie von den Auslässen510 weg geschleudertes Fluid zu einem ersten Abfluß540 leiten, wo das verbrauchte Fluid von der oberen Waferoberfläche zu einem Sammel-Behälter geleitet werden kann, um es zu entsorgen oder wieder zuzuführen. Der Fluid-Sammler520 weist ferner einen zweiten Sammelbereich550 mit einem weiteren Spritzschutz555 und einer weiteren Fluid-Rinne560 auf, welche derart eingerichtet sind, dass sie von den Auslässen515 weg geschleudertes Fluid einem zweitem Abfluss565 zuleiten, wo das verbrauchte Fluid von der unteren Waferoberfläche einem Sammel-Behälter zugeführt werden kann, um es zu entsorgen oder wieder zuzuführen. -
10 zeigt eine Ausführungsform des Reaktors200 mit einer alternativen Konfiguration zum Zuführen von Bearbeitungs-Fluid durch die Fluid-Einlassöffnung230 . Wie gezeigt, ist das Werkstückgehäuse20 innerhalb einer Schale570 angeordnet. Die Schale570 weist außerhalb der Auslässe100 Seitenwände575 auf, um Fluid zu sammeln wenn es die Kammer310 verlässt. Eine schräge Bodenfläche580 leitet das gesammelte Fluid zu einem Sammelbehälter585 . Die Fluid-Zuführ-Leitung587 ist angeschlossen, um dem Sammelbehälter585 eine Fluid-Menge zuzuführen. Sammelbehälter595 ist ferner bevorzugt mit einem Abfluß-Ventil589 versehen. Ein Einlass-Stutzen592 bildet einen Kanal595 aus, welcher ein erstes Ende mit einer Öffnung597 aufweist, welches an einer dessen Enden zum Sammelbehälter585 hin öffnet, und ein zweites Ende, welches zu der Einlass-Öffnung230 hin öffnet. - Im Betrieb der in
10 gezeigten Ausführungsform wird Bearbeitungs-Fluid durch die Versorgungsleitung587 zum Sammelbehälter585 zugeführt, während der Reaktor200 rotiert. Sobald der Sammelbehälter585 voll ist, wird der Fluid-Fluss zum Sammelbehälter durch die Versorgungsleitung587 beendet. Von der Rotation des Reaktors herrührende Zentripetalbeschleunigung sorgt für eine Druckdifferenz, welche das Fluid durch Öffnungen597 und230 in die Kammer310 treibt, um wenigstens die untere Oberfläche von Wafer55 zu kontaktieren, und zu den Auslass-Öffnungen100 , wo das Fluid zur weiteren Benutzung in den Sammelbehälter585 zurückgeführt wird. - Das in
10 gezeigte, selbstpumpende, rückführende System weist eine Anzahl von Vorteilen auf. Der enge Fluid-Kreislauf minimiert Verzögerungen der Prozessparametersteuerung, wodurch es einfacher wird, physikalische Parameter wie Fluid-Temperatur, Fluid-Fluß und so weiter zu steuern. Ferner gibt es keine Wärmeverluste an Rohrwerk, Tankwände, Pumpen und so weiter. Darüberhinaus verwendet das System keine gesonderte Pumpe, wodurch Pumpen-Ausfälle beseitigt werden, welche beim Pumpen heißer aggressiver Chemikalien häufig sind. -
11 und12 zeigen zwei verschiedene Arten von Bearbeitungs-Werkzeugeinrichtungen, von denen jede ein oder mehrere Bearbeitungs-Stationen mit den oben beschriebenen Reaktor-Konstruktionen einsetzen kann.11 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Werkzeugeinrichtung, im Allgemeinen mit600 bezeichnet, welche eine Mehrzahl von Bearbeitungsstationen605 aufweist, welche entlang eines bogenförmigen Pfades606 angeordnet sind. Die Bearbeitungs-Stationen605 können alle ähnliche Bearbeitungs-Vorgänge an dem Wafer ausführen, oder können verschiedenartige, aber sich ergänzende Bearbeitungs-Vorgänge ausführen. Beispielsweise kann eine oder können mehrere Bearbeitungsstation(en)605 einen elektrolytischen Abscheidungsprozess eines Metalls, wie etwa Kupfer, auf dem Wafer ausführen, während eine oder mehrere der anderen Bearbeitungsstationen ergänzende Prozesse, wie beispielsweise Reinigungs-/Tocknungs-Prozesse, Vor-Befeuchtungs-Prozese, Photolack-Prozesse und so weiter ausführen. - Zu bearbeitende Wafer werden der Werkzeugeinrichtung
600 an einer Eingangs-/Ausgangs-Station607 zugeführt. Die Wafer können der Werkzeugeinrichtung600 beispielsweise in S.M.I.F.-Behältern zugeführt werden, von denen jeder eine Mehrzahl darin angeordneter Wafer enthält. Alternativ hierzu können die Wafer der Werkzeugeinrichtung600 in individuellen Werkstück-Behältern, wie etwa20 in1 angeboten werden. - Zu jeder Bearbeitungs-Station
605 hat ein Roboter-Arm610 Zugang. Der Roboter-Arm610 transportiert die Werkstück-Gehäuse oder einzelne Wafer zu der Eingangs-/Ausgangs-Station607 und von diesen weg. Der Roboter-Arm610 transportiert ferner die Wafer oder Gehäuse zwischen den verschiedenen Bearbeitungs-Stationen605 . - In der Ausführungsform von
11 rotiert der Roboter-Arm610 um Achse615 , um die Transport-Vorgänge entlang Pfad606 auszuführen. Im Gegensatz hierzu verwendet die in12 allgemein mit620 bezeichnete Werkzeugeinrichtung einen oder mehrere Roboterarme625 , welche sich entlang eines linearen Pfades630 bewegen, um die benötigten Transport-Vorgänge auszuführen. Wie in der Ausführungsform von10 wird eine Mehrzahl von einzelnen Bearbeitungs-Stationen605 verwendet, aber mehrere Bearbeitungs-Stationen605 können in einer einzelnen Bearbeitungs-Werkzeugeinrichtung dieser Anordnung bereitgestellt sein. -
13 zeigt eine Weise eines Einsatzes einer Mehrzahl von Werkstück-Gehäusen700 , wie den oben beschriebenen, in einer Stapelverarbeitungs-Einrichtung702 . Wie dargestellt, sind die Werkstück-Gehäuse700 vertikal übereinander gestapelt, und sind zum Drehen durch einen gemeinsamen Rotor-Motor704 um eine gemeinsame Rotations-Achse706 miteinander verbunden. Die Einrichtung702 weist ferner ein Fluid-Zuliefersystem708 auf. Das Zuliefersystem708 weist eine stationäre Sammelleitung710 auf, welche Bearbeitungs-Fluid von einer Fluid-Versorgung (nicht dargestellt) erhält. Die stationäre Sammelleitung710 hat ein Auslass-Ende, welches mit einem Eingang einer rotierenden Sammelleitung712 verbunden ist. Die rotierende Sammelleitung712 ist zum gemeinsamen Rotieren mit den Gehäusen700 verbunden, und ist dazu mit der stationären Sammelleitung710 einer Rotations-Verbindung714 verbunden. Eine Mehrzahl von Fluid-Versorgungs-Leitungen716 erstrecken sich von der rotierenden Sammelleitung712 aus und enden jeweils in Düsen-Abschnitten718 , welche Einlässen des Gehäuses700 benachbart sind. Die Düsen-Abschnitte718 , welche zwischen zwei Gehäusen700 angeordnet sind, sind so aufgebaut, dass sie sowohl nach oben wie nach unten gerichtete Fluid-Ströme bereitstellen. Im Gegensatz hierzu enthält die unterste Versorgungsleitung716 einen Düsenabschnitt718 , welcher einen Fluid-Strom nur nach oben leitet. Der oberste Abschnitt der rotierenden Sammelleitung712 weist einen Auslass720 auf, welcher Bearbeitungs-Fluid zu dem Fluid-Einlass des obersten Gehäuses700 bereitstellt. - Die Stapel-Bearbeitungs-Einrichtung
702 von13 ist so aufgebaut, dass sie gleichzeitig das gleiche Fluid dem oberen und unteren Einlass jedes Gehäuses700 zuzuführt. Es können allerdings auch andere Konfigurationen eingesetzt werden. Beispielsweise können Düsenabschnitte718 Ventilelemente aufweisen, welche gezielt öffnen oder schließen, in Abhängigkeit davon, ob das Fluid durch die obere und/oder untere Öffnung(en) jedes Gehäuses700 zuzuführen ist. In diesen Fällen kann es wünschenswert sein, in jedem der Gehäuse700 eine Kantenkonfiguration wie die in9 gezeigte, einzusetzen, um die den oberen beziehungsweise unteren Oberflächen der Wafer55 zugeführten Fluide voneinander zu isolieren. Fernerhin kann Vorrichtung702 konzentrische Sammelleitungen aufweisen, um zwei verschiedene Fluide gleichzeitig separaten Versorgungs-Leitungen zuzuleiten, welche jeweils mit dem oberen beziehungsweise unteren Einlass der Gehäuse700 verbunden sind. - In
14 ist eine Ausführungsform des Reaktors dargestellt, welche besonders gut zum Integrieren in eine automatische Bearbeitungs-Werkzeugeinrichtung geeignet ist. Der Reaktor, allgemein mit800 bezeichnet, weist Merkmale auf, welche in einzigartiger Weise zusammenwirken, um es einem Roboterarm oder dergleichen zu erlauben, während der Lade- und Entlade-Vorgänge ein Werkstück in den Reaktor800 einzuführen oder aus diesem zu entnehmen, während außerdem während des Bearbeitens relativ enge Spielräume zwischen dem Werkstück und den inneren Kammerwänden des Reaktors eingehalten werden. - Einer der grundlegenden Unterschiede zwischen den oben beschriebenen Reaktor-Ausführungsformen und dem Reaktor
800 von14 liegt in der Natur der Werkstück-Halte-Anordnung. Wie gezeigt, weist Reaktor800 eine Werkstück-Halte- Anordnung auf, allgemein mit805 bezeichnet, welche mit dem unteren Kammerteil210 verbunden ist. In Übereinstimmung mit dem dargestellten Ausführungsform weist die Werkstück-Halte-Baugruppe805 eine Mehrzahl von Werkstück-Halte-Elementen810 auf, welche sich durch das untere Kammerteil210 erstrecken. Die Werkstück-Halteelemente810 sind an einem unteren Ende von ihnen von einem Vorspann-Element815 gehalten. An dem vom Vorspann- Element815 wegweisenden Ende endet das Werkstück-Haltelement810 bei einer Werkstück-Haltefläche820 und einer Leitstruktur825 . Die Leitstruktur825 erstreckt sich von der Werkstück-Haltefläche820 aus und endet in einem kegelstumpfförmigen Abschnitt830 . Die Leitstruktur825 hilft beim Zwingen der Umfangs-Kanten des Werkstücks in ordnungsgemäße Ausrichtung mit der Werkstück-Halterungsfläche820 , wodurch eine ordnungsgemäße Justierung des Werkstücks während des Bearbeitens sichergestellt wird. Die Leitstruktur825 kann ferner als ein Abstandhalter dienen, welcher den Freiraum zwischen der inneren Wand des oberen Kammerteils205 und der oberen Oberfläche des Werkstücks bestimmt. - Das Vorspann- Element
815 der gezeigten Ausführungsform dient dazu, die Werkstück-Haltelemente810 in einer nach oben weisenden Richtung vorzuspannen, wenn sich das obere und das untere Kammerteil205 und210 in der gezeigten offenen Stellung befinden, in welcher der Reaktor800 zum Laden oder Entladen eines Werkstücks bereit ist. Das Vorspann- Element815 kann verschieden Formen annehmen. Beispielsweise kann eine einzelne vorspannende Struktur verwendet werden, welche allen Werkstück-Haltelementen810 gemeinsam ist. Alternativ hierzu, wie in der offenbarten Ausführungsform gezeigt, können individuelle vorspannende Strukturen jeweils individuellen Werkstück-Halteelementen810 einzeln zugeordnet sein. Die individuellen vorspannenden Strukturen sind in Form von Blattfedern835 ausgeführt, können aber alternativ auch beispielsweise in Form von Spiralfeder-Aktuatoren oder dergleichen ausgeführt sein. - Wie bei der oben beschriebenen Ausführungsform des Reaktors sind das obere und das untere Kammerteil
205 und210 des Reaktors800 zwischen dem offenen Zustand von14 und zu dem geschlossenen Bearbeitungs-Zustand hin, wie er in15 dargestellt ist, gegeneinander bewegbar. Während sich die Kammerteile205 und210 aufeinander zu bewegen, greifen die kegelstumpfförmigen Abschnitte830 der Werkstück-Halteelemente810 in die innere Kammerwand des oberen Kammerteils205 ein. Weiteres Bewegen zwischen Kammerteilen205 und210 treibt die Werkstück-Halte-Elemente810 gegen die Blattfedern835 , bis das Werkstück zwischen den Halteflächen820 der Werkstück-Halteelemente810 und zugehörigen Vorsprüngen840 eingeklemmt ist, welche sich von der inneren Kammerwand des oberen Kammerteils205 aus erstrecken. In diesem geschlossenen Zustand ist der Reaktor bereit, das Werkstück zu bearbeiten. - Der Reaktor
800 von14 enthält ferner Strukturen, welche helfen, ordnungsgemäße Passung zwischen dem oberen und dem unteren Kammerteil210 und205 sicherzustellen, wenn sie auf ihre Bearbeitungsposition hin einander angenähert werden. In der gezeigten Ausführungsform sind diese Strukturen in der Form von Einführ-Stiften845 ausgeführt, welche von einem der Kammerteile abstehen, um in zugehörige Öffnungen des anderen Kammerteils einzugreifen. Hier erstrecken sich die Einführ-Stifte845 von dem unteren Kammerteil210 aus, um in korrespondierende Öffnungen (nicht gezeigt) in dem oberen Kammerteil205 einzugreifen. Die Einführstifte845 haben die Form von abstehenden Elementen, welche jeweils in einem zugehörigen Kegelstumpfförmigen Abschnitt enden, welcher als eine Leitfläche dient. - Die vorhergehend genannte Anordnung macht der Reaktor
800 insbesondere geeignet für ein automatisches Werkstück-Laden und -Entladen, beispielsweise durch einen Roboter Transfer-Mechanismus oder dergleichen, insbesondere einen, bei welchem das Werkstück direkt in den Reaktor eingesetzt wird, ohne das Werkstück zu wenden. Wie durch einen Vergleich von14 und15 offensichtlich ist, variiert der Zwischenraum zwischen der unteren Oberfläche des Werkstücks und der inneren Kammerwand des unteren Kammerteils210 in Abhängigkeit davon, ob sich der Reaktor800 in einem offenen oder einem geschlossenen Zustand befindet. Im offenen Zustand weist die untere Oberfläche des Werkstücks von der inneren Kammerwand des unteren Kammerteils210 einen Abstand X1 auf, welcher genug Spielraum aufweist, um beispielsweise einen Werkstück-Transfer-Arm eines Roboter-Transfer-Mechanismus zu betätigen. Im geschlossenen Zustand weist die untere Oberfläche des Werkstücks von der inneren Kammerwand des unteren Kammerteils210 einen Abstand X2 auf, welcher kleiner ist als der Abstand X1. Der Abstand X2 entspricht in den offenbarten Ausführungsformen dem Zwischenraum, welcher während Bearbeitungs-Prozessen gewünscht ist. - In
16 ist eine Ausführungsform des Vorspann-Elements815 gezeigt. wie dargestellt, weist das Vorspann-Element815 eine Mehrzahl von Blattfedern835 auf, welche sich radial von einem mittleren Naben-Abschnitt850 aus zu Positionen erstrecken, in welchen sie die Unterseite zugehöriger Werkstück-Haltelemente810 kontaktieren. Eine weitere Mehrzahl radialer Elemente855 erstrecken sich von der Nabe850 aus zu Positionen, in welchen sie die Unterseite zugehöriger Einführ-Stifte845 kontaktieren. Im Gegensatz zu den Blattfedern835 ist die weitere Mehrzahl von radialen Elementen855 nicht notwendigerweise dazu vorgesehen, sich zu biegen, wenn das obere und das untere Kammerteil210 und205 sich auf die Bearbeitungsposition zu bewegen. Das Vorspann-Element825 kann aus einem Polymermaterial oder dergleichen hergestellt sein, welches widerstandsfähig gegenüber der in der Prozess-Umgebung verwendeten Chemie ist. Wenn sie aus solch einem Material hergestellt sind, können die Werkstück-Haltelemente810 und die Einführ-Stifte845 einstückig mit ihren zugehörigen Blattfedern835 und radialen Elementen855 ausgeführt sein. - In der gezeigten Ausführungsform weist der mittlere Naben-Abschnitt
850 eine mittlere Öffnung900 auf, welche ein Befestigungselement905 beherbergt, welches das Vorspann-Element815 an der Unterseite des unteren Kammerteils210 befestigt. Mit Bezug zu14 und15 kann das Befestigungselement905 derart ausgebildet sein, dass es den Bearbeitungs-Fluid-Einlass durch das untere Kammerteil210 darstellt. Wenn das Befestigungselement905 in dieser Weise ausgebildet ist, weist der Reaktor800 eine schnelle und einfachen Weise auf, verschiedene Einlass-Konfigurationen für verschiedene Prozesse bereitzustellen. - Gelegentlich kann es wünschenswert sein, den Reaktor
800 vom Kopf-Abschnitt860 zu entfernen. Beispielsweise kann der Reaktor800 entfernt werden, um ihn zu warten, oder um ihn gegen einen anderen Reaktor auszutauschen, welcher zum Ausführen anderer Prozesse oder zum Bearbeiten anderer Werkstück-Arten ausgebildet ist. - Wie in
14 gezeigt, sind der Reaktor800 und der Kopfabschnitt860 über eine Verbindungs-Naben-Anordnung865 im Eingriff miteinander, was es erlaubt, den Reaktor800 auf einfache Weise mit dem Kopfabschnitt860 zu verbinden und von diesem abzutrennen. In der Ausführungsform von15 weist die Verbindungs-Naben-Anordnung865 auf: eine Kopf-Verbindungs-Nabe870 , welche an den Bearbeitungs-Kopfabschnitt860 fixiert ist, und eine Reaktor-Verbindungs-Nabe875 , welche an dem Reaktor800 fixiert ist. Die Verbindungs-Naben870 und875 sind während des normalen Betriebs miteinander beispielsweise durch eine Schraubverbindung880 verbunden. Eine Einstellschraube885 erstreckt sich durch die Kopf-Verbindungs-Nabe870 und kann gedreht werden, um in eine Fläche oder eine zugehörige Öffnung der Reaktor-Verbindungs-Nabe875 einzugreifen, wodurch ein Aufschrauben der Verbindungs-Nabes870 und875 verhindert ist. - Wenn ein Entfernen des Reaktors
800 gewünscht ist, wird der Reaktor gedreht, um die Einstellschraube885 gegenüber einer zugehörigen Kanal-Buchse890 auszurichten, welche an dem Kopf-Abschnitt860 fixiert ist. Die Kanal-Buchse890 ist derart eingerichtet, dass sie es einem Anwender erlaubt, durch sie hindurch ein Werkzeug zu erstrecken, um in die Einstellschraube885 einzugreifen. Die Einstellschraube wird gedreht, um sie anzuheben, bis sie in einen Schraubenkopfblock895 eingreift und mit diesem sichert. Einmal in dieser Weise befestigt, ist die Kopf-Verbindungs-Nabe870 gegenüber Drehen mit dem Kopfabschnitt860 verriegelt, was es erlaubt, den Reaktor800 und die zugehörige Verbindungs-Nabe875 von der Kopf-Verbindungs-Nabe870 abzuschrauben, um den Reaktor zu entfernen. - Der Einsatz der offenbarten Reaktor-Konfiguration bewirkt viele wesentliche Vorteile. Viele dieser Vorteile gehen direkt davon aus, dass die Fluid-Fluss-Bereiche in den Reaktor-Kammern verkleinert sind. Im Allgemeinen werden die Bearbeitungs-Fluide effizienter ausgenutzt, da nur sehr wenig von den Fluiden verbraucht wird. Es ist ferner unter Verwendung der reduzierten Fluid-Fluss-Bereiche der Reaktorkammern häufig einfacher, die physikalischen Parameter des Fluid-Flusses, wie Temperatur, Massefluss usw. zu steuern. Dies führt zu konsistenten Resultaten und macht diese Resultate reproduzierbar.
- Die vorhergehend beschriebenen Anordnungen ermöglichen auch ein sequenzielles Bearbeiten eines einzelnen Wafers unter Verwendung zweier oder mehrerer Bearbeitungs-Fluide, welche aufeinanderfolgend durch einen einzelnen Einlass der Reaktionskammer zugeführt werden. Fernerhin ermöglicht die Fähigkeit, gleichzeitig verschiedene Fluide zu der oberen und der unteren Waferoberfläche zuzuführen die Möglichkeit, neue Bearbeitungs-Vorgänge zu implementieren. Beispielsweise kann ein Bearbeitungs-Fluid, wie flüssiges HF, dem unteren Fluid-Einlass der Reaktionskammer zugeführt werden, um die untere Waferoberfläche zu bearbeiten, während ein anderes Fluid, wie etwa Stickstoff-Gas, dem oberen Fluid-Einlass zugeführt werden kann. Dadurch wird es dem flüssigen HF ermöglicht, mit der unteren Waferoberfläche zu reagieren, während die obere Oberfläche des Wafers wirksam von HF-Reaktionen isoliert ist. Viele andere neue Prozesse können ebenfalls implementiert werden.
- Dieser Erfinder hat festgestellt, dass die Anforderungen an Spül-/Trennungs-Prozesse von integrierten Schaltkreisen ferner ein verbessertes Steuern und eine verbesserte ökonomische Effizienz des Spülers/Trockners fordern können. Daher wurde ein im Wesentlichen neuer Ansatz zum Spülen und Trocknen des Halbleiter-Wafers unternommen, welcher ein verbessertes Steuern der physikalischen Eigenschaften der Spül- und Trocknungs-Fluide bewirkt. Ferner können Wafer im Vergleich zum Trocknen gemäß einem der vorhergehenden Prozesse auf einer individuellen Basis schneller gespült und getrocknet werden.
-
17 zeigt eine Weise, das Zuführen von Spül-/Trocknungsfluiden zu steuern, welche dem Spüler/Trockner irgendeiner der vorhergehenden Ausführungsformen zugeführt werden. Wie gezeigt, weist das Fluid-Zuführ-System, allgemein mit1800 bezeichnet, auf: eine Stickstoff-Gas-Zuführung1805 , eine IPA-Zuführung1810 , einen IPA-Verdampfer1815 , eine DI-Wasser-Zuführung1820 , optionale Heizelemente1825 , optionale Flussmesser1830 , optionale Flussregulatoren/Temperatursensoren1835 und eine Ventilvorrichtung1840 . Alle verschiedenen Komponenten der Vorrichtung1800 können unter der Steuerung einer Steuervorrichtung845 stehen, welche mit der hierzu geeigneten Software-Programmierung versehen ist. - Beim Betrieb des Spülers/Trockners ist der Ventil-Mechanismus
1840 zum Zuliefern von DI-Wasser von der Zulieferung1820 sowohl mit dem oberen wie mit dem unteren Einlass des Spüler-/Trockner-Kammer verbunden. Beim Einlassen des Wassers wird der Wafer beispielsweise mit einer Drehzahl von 200 RPM rotiert. Dies bewirkt, dass das Wasser unter dem Einfluss von Zentripetal-Beschleunigung über jede Waferoberfläche hinwegfließt. Sobald eine ausreichende Wassermenge der Kammer zugeführt wurde, um die Waferoberflächen zu spülen, wird der Ventilmechanismus1840 betätigt, um ein Trocknungs-Fluid, welches bevorzugterweise Stickstoff und IPA-Dampf aufweist, sowohl dem oberen als auch dem unteren Einlass der Spüler-/Trockner-Kammer zuzuführen. Ventil-Mechanismus1840 wird bevorzugterweise so betätigt, dass das vordere Ende des Tocknungs-Fluids unmittelbar auf das hintere Ende des DI-Wassers folgt. Beim Eintritt des Trocknungs-Fluids in die Kammer treibt von dem Rotieren des Wasser herrührende Zentripetal-Beschleunigung das Trocknungs-Fluid über die Waferoberfläche hinweg und und folgt einem Meniskus über die von dem DI-Wasser gebildete Wasser-Oberfläche. Der IPA-Dampf hilft ein Trocknen der Waferoberfläche an der Kante des Meniskus zu bewirken. Trocknen des Wafers kann durch Erhitzen des DI-Wassers und/oder des Stickstoff/IPA-Dampfes mittels Heizelement1825 weiter verbessert werden. Die spezielle Temperatur, bei welcher diese Fluide zugeführt werden, kann durch die Steuervorrichtung1845 gesteuert werden. In ähnlicher Weise können Flusssteuervorrichtungen1835 und Flussmesser1830 von der Steuervorrichtung1845 verwendet werden, um den Fluss des DI-Wassers und/oder des Stickstoff/IPA-Dampfes zur Spül-/Trocknungs-Kammer zu steuern. - Mit einigen Modifikationen können die vorgenannten Reaktor-Anordnungen dazu geeignet sein, mehrere einzelne Prozesse auszuführen, bei welchen ein Kontakt zwischen dem Mikroelektronik-Werkstück und einem oder mehreren Bearbeitungs-Fluiden gesteuert und auf ausgewählte Bereiche des Werkstücks beschränkt ist. Eine Ausführungsform einer solchen Reaktor-Anordnung ist in
18 –22 gezeigt. - Mit Bezug auf
18 –22 ist ein Reaktor2100 zum Bearbeiten eines Mikroelektronik-Werkstücks, wie etwa einem Silizium-Wafer10 mit einer Oberseite12 , einer Unterseite14 , und einem kreisförmigen äußeren Umfang16 in einer Mikro-Umgebung gezeigt. Für bestimmte Anwendungen ist die Oberseite12 die Vorderseite, welche andererseits auch Bautteil-Seite genannt werden kann, und die Unterseite14 ist die Hinterseite, welche auch Nicht-Bautteil-Seite genannt werden kann. Für andere Anwendungen ist der Silizium-Wafer10 allerdings umgedreht. - Im Allgemeinen, außer so wie hierin offenbart, ist der Reaktor
2100 ähnlich zu den oben gezeigten und beschriebenen Reaktoren. Allerdings ist der Reaktor2100 , wie in den Zeichnungen gezeigt und hierin beschrieben, dahingehend verbessert, dass er im Ausüben ausgewählter Mikroelektronik-Herstellungs-Prozesse vielseitiger ist. - Der Reaktor
2100 hat ein oberes Kammerteil, welches eine obere Kammerwand2120 aufweist und ein unteres Kammerteil, welches eine untere Kammerwand2140 aufweist. Diese Wände2120 ,2140 sind derart angeordnet, dass sie öffnen, um zum Bearbeiten ein Laden eines Wafers10 mittels eines (nicht dargestellten) Lade-/Entlade-Mechanismus, welcher beispielsweise die Form eines Roboters mit einem End-Effektor haben kann, in den Reaktor100 zu ermöglichen. Diese Wände2120 ,2140 sind derart angeordnet, dass sie schließen, um zwischen diesen Wänden2120 ,2140 eine einen Wafer in einer Bearbeitungsposition haltende Kapsel2160 auszubilden. - Der Reaktor, welcher eine Rotationsachse A bestimmt, hat einen Kopf
2200 , welcher einen Rotor2210 aufweist, welcher die oberer Kammerwand2120 trägt, und welcher einen Motor2220 trägt, um den Rotor2210 und die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 im geschlossenen Zustand gemeinsam mit einem in der Bearbeitungsposition gehaltenen Wafer10 um die Achse A zu rotieren. Der Motor2220 ist derart angeordnet, dass er eine Hülse2222 antreibt, welche radial von Lagern2224 mit rollenden Elementen in dem Kopf2200 gehalten ist. Der Kopf2200 ist derart angeordnet, dass er zum Öffnen dieser Wände2120 ,2140 angehoben, und zum Schließen dieser Wände2120 ,2140 abgesenkt wird. - Die obere Kammerwand
2120 hat einen Einlass2122 für Bearbeitungs-Fluide, welche flüssig, dampfförmig oder gasförmig sein können, und die untere Kammerwand2140 hat einen Einlass2142 für solche Fluide, welche für eine gegebene Anwendung ähnliche oder abweichende Fluide sein können. Der Kopf2200 trägt eine obere Düse2210 , welche sich axial durch die Hülse2222 hindurch erstreckt, damit sie nicht mit der Rotation der Hülse2222 interferiert. Die obere Düse2210 leitet Bearbeitungs-Fluid-Ströme nach unten durch den Einlass2122 der oberen Kammerwand2120 . - Die obere Kammerwand
2120 weist eine Anordnung von ähnlichen Auslässen2124 auf, welche in ähnlicher Weise mit einheitlichen Winkel-Abständen um die Vertikalachse A herum angeordnet sind. In der offenbarten Ausführungsform sind sechsunddreißig solcher Auslässe2124 im Einsatz. Jeder Auslass2124 weist von der Vertikalachse A aus außen liegend einen vergleichsweise größeren radialen Abstand auf, und weist von dem äußeren Umfang16 eines in der Bearbeitungsposition gehaltenen Wafer10 aus innen liegend einen verhältnismäßig kleineren radialen Abstand auf, wie etwa ein Abstand von ungefähr 1,5 mm. - Wenn die obere und die untere Kammerwand
2120 ,2140 geschlossen sind, bilden sie einen Mikro-Umgebungs-Reaktor2160 aus, mit einer oberen Bearbeitungs-Kammer2126 , welche von der oberen Kammerwand2120 und von einer ersten, im allgemeinen ebenen Fläche des gehaltenen Wafers10 begrenzt ist, und einer unteren Bearbeitungs-Kammer2146 , welche von der unteren Kammerwand2140 und einer zweiten, im Allgemeinen ebenen und der ersten Seite gegenüberliegenden Fläche des getragten Wafers begrenzt ist. Die obere und die untere Bearbeitungskammer2126 ,2146 sind in einem ringförmigen Bereich2130 außerhalb des äußeren Umfangs16 des gehaltenen Wafers10 Fluid-kommunizierend miteinander, und sind abgedichtet durch eine ringförmige, komprimierbare Dichtung (zum Beispiel ein O-Ring)2132 abgedichtet, welche rings eines unteren Abschnittes2134 des ringförmigen Bereiches2130 verläuft. Die Dichtung2132 erlaubt es Bearbeitungs-Fluiden, welche durch den unteren Einlass2142 eintreten, unter einem ausreichenden Druck zu verbleiben, um auf die Auslässe2134 zu zu fließen. - Im Vergleich zu Reaktoren des in den vorhergehend beschriebenen Ausführungsformen offenbarten Typs ist Reaktor
2100 besonders für die Ausführung einer Reihe von einzigartigen Mikrofabrikations-Prozessen geeignet. Beispielsweise ist Reaktor2100 besonders zur Ausführung eines Prozesses geeignet, welcher vollständigen Kontakt eines Bearbeitungs-Fluids an einer ersten Seite eines Werkstücks und nur einem Umfangs-Rand-Abschnitt dessen zweite Seite benötigt. Solche Prozesse können realisiert werden, weil Bearbeitungs-Fluide, welche durch Einlass2142 der unteren Kammerwand2140 eintreten, auf die Unterseite14 eines gehaltenen Wafers10 , auf den äußeren Umfang16 des gehaltenen Wafers10 und auf einen äußeren Rand18 von der Oberseite12 des gehaltenen Wafers10 wirken können, bevor sie die Auslässe2124 erreichen, und weil Bearbeitungs-Fluide, welche durch Einlässe2122 der oberen Kammerwand2120 eintreten, auf die Oberseite12 des gehaltenen Wafers10 mit Ausnahme des äußeren Rands18 der Oberseite12 wirken können, bevor sie die Auslässe2124 erreichen. - Als ein signifikantes Beispiel eines solchen Prozesses kann der Reaktor
2100 zum Ausführen eines Prozesses verwendet werden, bei welchem es einem Bearbeitungs-Fluid erlaubt ist, eine erste Werkstück-Seite, die Umfangs-Kante des Werkstücks und einen Umfangs-Bereich der gegenüberliegenden Werkstückseite zu kontaktieren, wobei die zugehörigen Drücke der durch die jeweiligen Einlässe2122 ,2142 eintretenden Bearbeitungs-Fluide gesteuert werden. Ein solcher Fluid-Fluß/-Kontakt kann auch als eine Vorgehensweise aufgefasst werden, um ein Bearbeitungs-Fluid, welches auf die gegenüberliegende Seite einwirkt, von einem Umfangs-Bereich dieser Seite fernzuhalten. In Übereinstimmung mit einer Ausführungsform solch eines Prozesses wird eine dünne Material-Schicht von der ersten Seite, der Unfangs-Kante des Werkstücks und von einem Umfangs-Bereich der gegenüberliegenden Seite des Werkstücks weggeätzt. - Gemäß einer spezielleren Ausführungsform solch eines Prozesses, kann der Prozess in einem Metallisierungs-Prozess angewendet werden, welcher dazu verwendet wird, eine Mikroelektronik-Komponente und/oder Verbindungs-Strukturen auf einem Halbleiter-Wafer oder dergleichen auszubilden. Hierzu wird eine dünne Schicht, wie etwa eine Impfschicht ("seed layer") über eine Barrieren-Schicht auf die Vorderseite und auf wenigstens einen Abschnitt des äußeren Umfangs aufgebracht. Nach einem oder mehreren zwischengeschalteten Schritten, wie etwa Elektroplattieren einer Kupferschicht oder dergleichen hierüber, wird ein zum Ätzen des Elektroplattier-Materials, des Dünnschicht-Materials und/oder des Barrieren-Schicht-Materials geeignetes Ätzmittel dazu veranlasst, selektiv nur über einen äußeren Rand der ersten Seite zu fließen, während es gleichzeitig daran gehindert wird, über andere, radial innenliegende Abschnitte der ersten Seite zu fließen. Es werden daher eine oder mehrere Schichten vom äußeren Rand der ersten Seite entfernt, während die Schichten in denjenigen Abschnitten der ersten Seite intakt bleiben, die innerhalb des äußeren Rands angeordnet sind. Wenn das Ätzmittel über die gegenüberliegende Seite und über den äußeren Umfang sowie über den äußeren Rand der ersten Seite getrieben wird, werden die eine oder die mehreren Schichten auch von dem äußeren Umfang des Wafers entfernt, und ferner wird jedwede Verunreinigung, welche durch das Ätzmittel entfernt werden kann, von der Hinterseite entfernt.
- Basierend auf der Beschreibung des vorhergehenden Prozesses ist es offensichtlich, dass, basierend auf einem selektiven Kontakt eines Bearbeitungs-Fluids mit dem äußeren Rand und/oder der gegenüberliegenden Seite des Werkstücks andere Schichten und/oder Materialien selektiv geätzt, gereinigt, aufgebracht, geschützt und so weiter werden können. Beispielsweise kann Oxid von der gegenüberliegenden Seite und dem äußeren Rand der ersten Seite eines Werkstücks durch selektiven Kontakt mit einem Oxid-Ätzmittel, wie etwa Fluorwasserstoffsäure, entfernt werden. In ähnlicher Weise kann des Oxid-Ätzmittel in dem Reaktor derart gesteuert werden, dass es die gesamte Vorderseite des Werkstücks mit Ausnahme des äußeren Rands kontaktiert, wodurch es das Oxid am äußeren Rand intakt lässt. Es ist ferner offensichtlich, dass ein Entfernen der Auslässe
2124 es erlaubt, den Reaktor2100 für Prozesse einzusetzen, in denen ein selektives Einschließen oder Ausschließen des äußeren Randes unnötig oder in anderer Weise nicht wünschenswert ist. - Wie in
19 –20 gezeigt, können in Abhängigkeit von den/dem speziellen Prozess(en), für deren Implementierung der Reaktor ausgelegt ist, sowie von der hierzu verwendeten Automatisierung, falls eine solche verwendet wird, zusätzliche Strukturen bei irgendeinem der vorhergehenden Reaktoren eingearbeitet sein. Gemäß einer solchen strukturellen Ergänzung weist die untere Kammerwand2140 eine obere Fläche2144 auf, welche derart geformt ist, dass sie einen ringförmigen Sammelbehälter2146 rings des Einlasses2142 bildet. Der Sammelbehälter2146 wird dazu verwendet, flüssige Beimengungen und/oder durch den Einlass2142 zugeführte Bearbeitungs-Fluid-Rückstände zu sammeln. Wenn eine Flüssigkeit beispielsweise auf Wafer10 trifft und von diesem abtropft, wird sie unter dem Einfluss von Zentripetal-Beschleunigung zum Auslass2124 geleitet, wenn der Reaktor100 rotiert wird. - Eine weitere, in Verbindung mit dem Reaktor
2100 gezeigte strukturelle Ergänzung betrifft die Auslegung der unteren Düse. Wie gezeigt, weist die untere Düse2260 , welche unterhalb des Einlasses2142 der unteren Kammerwand2140 angeordnet ist, zwei oder mehr Öffnungen2262 auf, wie in19 gezeigt, um zwei oder mehr Bearbeitungs-Fluid-Ströme nach oben durch Einlass2142 zu leiten. Die Öffnungen2262 sind derart orientiert, dass sie bewirken, dass die geleiteten Ströme ungefähr dort zusammenkommen, wo die geleiteten Ströme die untere Oberfläche des Wafers10 erreichen. Der Reaktor2100 weist ferner eine Reinigungs-Düse2280 auf, welche an einer Seite der unteren Düse2260 angeordnet ist, um einen Strom von Reinigungs-Gas, wie etwa Stickstoff über die untere Drüse2260 hinweg zu leiten. - Fernerhin kann der Reaktor
2100 eine Basis2300 aufweisen, welche die untere Düse2260 und die Reinigungs-Düse2280 trägt, und welche eine ringförmige, koaxiale Kammer2320 bildet. Die Kammer2320 hat mehrere (beispielsweise vier) Abflüsse2322 (nicht gezeigt), von denen jeder zum Öffnen und Schließen des Abflusses2322 mit einem pneumatisch zu betätigenden Ring-/Tellerventil ("poppet valve")2340 versehen ist. Diese Abflüsse2322 bieten separate Pfade, um Bearbeitungs-Fluide von verschiedenen Arten von geeigneten Speicher-, Entsorgungs- oder Re-Zirkulations-Systemen (nicht gezeigt) zu leiten. - Eine ringförmige Einfassung
2360 erstreckt sich rings der oberen Kammerwand2120 , oberhalb der Kammer2320 , nach unten, um gemeinsam mit der oberen Kammerwand2140 drehbar zu sein. Jeder Auslass2124 ist derart orientiert, dass er einen solchen Auslass2124 verlassende Bearbeitungs-Fluide durch Fluid-Durchgänge2364 gegen eine Innenfläche2362 der ringförmigen Einfassung2360 leitet. Wie gezeigt, ist die Innenfläche2362 nach außen und nach unten erweitert, um bei rotierendem Reaktor durch den Einfluss von Zentripetal-Beschleunigung Bearbeitungs-Fluide, welche die Innenflächen2362 erreichen, zu veranlassen, nach außen und nach unten auf die Kammer2320 zu zu fließen. Daher neigen Bearbeitungs-Fluide dazu, durch die Kammer2320 auf die Abflüsse2322 zu gefegt zu werden. - Der Rotor
2210 hat eine gerippte Fläche2215 , welche einer glatten unteren Fläche des Kopfes2200 gegenüberliegt und mit dieser in einem ringförmigen Bereich2204 , welcher mit der Kammer2320 kommuniziert einen geringen Zwischenraum aufweist. Bei rotierendem Motor2210 neigt die gerippte Fläche2215 dazu, Luft in dem ringförmigen Bereich2204 zu verwirbeln, um dadurch zu helfen, Bearbeitungs-Fluide durch die Kammer2320 auf die Abflüsse2322 zu zu fegen. - Die obere Kammerwand
2120 hat Abstandhalter2128 , welche sich nach unten erstrecken, um zu verhindern, dass ein gehaltener Wafer10 von der Bearbeitungs-Position abhebt und die obere Kammerwand2120 berührt. Die untere Kammerwand2140 hat Abstandhalter2148 , welche sich nach oben erstrecken, um einen gehaltenen Wafer10 bei einem gegebenen Abstand oberhalb der unteren Kammerwand2140 zu halten, und Öffnungen2150 , welche sich nach oben über den äußeren Umfang16 eines gehaltenen Wafers10 hinaus erstrecken, um ein Aus-der Mitte-Verschieben von der vertikalen Achse A zu verhindern. - Bezugnehmend auf
24 –26 kann die untere Kammerwand2140 einen Anhebe-Mechanismus2400 zum Anheben eines in der Bearbeitungs-Position gehaltenen Wafers10 in eine angehobene Position tragen. Der Anhebe-Mechanismus hebt den Wafer10 in die angehobene Position, wenn der Kopf2200 über die Basis2300 angehoben ist, um die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 zu öffnen. Anheben eines gehaltenen Wafers10 zu der angehobenen Position erleichtert es, ihn mittels eines Lade- und Entlade-Mechanismus (nicht dargestellt), wie etwa einem Roboter-Arm mit einem End-Effektor zu entladen. - Der Anhebe-Mechanismus
2400 weist eine Anordnung von anhebenden Hebeln2420 auf. Jeder anhebende Hebel2420 ist mittels eines Schwenk-Zapfens2422 , welcher sich von einem solchen anhebenden Hebel2420 aus in eine Buchse2424 in der unteren Kammerwand2140 erstreckt, schwenkbar an der unteren Kammerwand2140 befestigt, um zwischen einer Betriebs-Position und einer Nicht-Betriebs-Position geschwenkt werden zu können. Jeder schwenkbare Hebel2420 ist derart angeordnet, dass er mit der oberen Kammerwand2120 im Eingriff ist, wenn die obere und die untere Kammerwand2120 ,2140 geschlossen sind, wobei ein solcher schwenkbarer Hebel2420 in die Nicht-Betriebs-Position geschwenkt ist. Jeder anhebende Hebel2420 ist, wie oben beschrieben, vorgespannt, um in die Betriebs-Position zu schwenken, wenn er nicht mit der oberen Kammerwand2120 im Eingriff ist. - Daher ist jeder anhebende Hebel
2420 dazu geeignet, von der Betriebs-Position in die Nicht-Betriebs-Position zu schwenken, wenn die obere und die untere Kammerwand2120 ,2140 geschlossen werden, und er ist dazu geeignet, von der Nicht-Betriebs-Position in die Betriebs-Position zu schwenken, wenn die untere und die obere Kammerwand2120 ,2140 , geöffnet werden. Jeder anhebende Hebel2420 hält einen Stift2424 , welcher sich unterhalb eines in der Bearbeitungs-Position gehaltenen Wafers10 erstreckt, und welcher den gehaltenen Wafer in die angehobene Position hebt, wenn ein solcher anhebender Hebel2420 von der Nicht-Betriebs-Position in die Betriebs-Position geschwenkt wird. - Die anhebenden Hebel
2420 können durch ein elastisches Element2440 (beispielsweise einen O-Ring) vorgespannt sein, welches die untere Kammerwand2140 umgibt, und welches mittels eines von jedem anhebenden Hebel2420 abstehenden Hakens2426 an den anhebenden Hebeln2420 angreift. Bei jedem anhebenden Hebel2420 definiert der Zapfen2422 eine Achse, in Bezug auf welche der Stift2424 und der Haken2426 sich einander diametral gegenüberliegen. Das elastische Element2440 steht unter vergleichsweise hoher Zugspannung, wenn die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 geschlossen sind, und unter vergleichsweise niedriger Zugspannung, wenn die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 geöffnet sind. - Die obere und untere Kammerwand
2120 ,2140 können auch durch einen Verriegelungs-Mechanismus2500 lösbar aneinander geklemmt sein. Gemäß einer Ausführungsform weist der Verriegelungs-Mechanismus einen Verriegelungs-Ring2520 auf, welcher von der unteren Kammerwand2140 zurückgehalten wird, und welcher dazu geeignet ist, in eine komplementär hierzu geformte Aussparung2540 einzugreifen, welche in der unteren Kammerwand2120 angeordnet ist. Der Verriegelungs-Ring2520 ist aus einem elastischen Feder-Material (beispielsweise Polyvinylidenfluorid) hergestellt, und weist eine Anordnung von nach innen gestuften Abschnitten2530 auf. Diese gestuften Abschnitte2530 erlauben es dem Verriegelungs-Ring2520 , sich von einem un-deformierten Zustand, in welchem der Verriegelungs-Ring2520 einen ersten Durchmesser hat, in einen deformierten Zustand zu deformieren, in welchem der Verriegelungs-Ring2520 einen vergleichsweise kleineren Durchmesser hat. Ein solches Deformieren erfolgt, wenn die gestuften Abschnitte2530 radial nach innen gerichteten Kräften unterliegen. Bei Entfernen der Kräfte kehrt der Verriegelungs-Ring2520 in den undeformierten Zustand zurück. - Der Verriegelungs-Mechanismus
2500 weist ferner eine Anordnung von Verriegelungsnocken2540 auf, von denen jeder einem zughörigen gestuften Abschnitt2530 zugeordnet ist. Jeder Verriegelungsnocken2540 ist dazu geeignet, radiale Kräfte auf den zugehörigen gestuften Abschnitt2530 auszuüben. - Der Verriegelungs-Mechanismus
2500 weist ferner einen Betätigungsring2560 auf, welcher dazu geeignet ist, die Verriegelungsnocken2540 zu betätigen, wenn der Betätigungsring2560 innerhalb eines vorbestimmten, begrenzten Bewegungs-Bereiches angehoben und abgesenkt wird. In der dargestellten Ausführungsform ist der Betätigungsring2560 dazu geeignet, wenn er angehoben ist, die Verriegelungsnocken2540 zu betätigen, und wenn er abgesenkt ist, die Verriegelungsnocken freizugeben. Der Verriegelungs-Mechanismus2500 weist ferner eine Anordnung von pneumatischen Vorrichtungen2580 (beispielsweise drei solcher Vorrichtungen) auf, welche dazu geeignet sind, den Betätigungsring2560 anzuheben und abzusenken. Wenn der Betätigungsring2560 angehoben wird, werden die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 voneinander gelöst, so dass der Kopf2200 von der Basis2300 abgehoben werden kann, um die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 zu öffnen, oder auf die Basis2300 abgesenkt werden kann, um die obere und untere Kammerwand2120 ,2140 zu schließen. - Der Betätigungsring
2560 trägt sich nach oben erstreckende Stifte2562 (einer dargestellt), welche sich jeweils in zugeordnete Öffnungen2564 in einem Ausricht-Ring2570 erstrecken, wenn der Betätigungsring2560 angehoben wird. Der Ausricht-Ring2570 ist so gehalten, dass er gemeinsam mit der unteren Kammerwand2140 rotiert. Wenn der Betätigungsring2560 abgesenkt wird, werden die Stifte2562 aus den Öffnungen2564 zurückgezogen und geben den Ausricht-Ring2570 frei. Beim Vorschieben in die zugehörigen Öffnungen2564 richten die Stifte2562 einen Wafer10 aus, der in der Bearbeitungs-Position getragen worden war, um ein Entladen des Wafers10 mittels eines Roboter-Systems zu erleichtern, wie oben beschrieben. - Die vorliegende Erfindung wurde in Bezug auf einen Wafer erläutert. Es ist allerdings offensichtlich, dass die vorliegende Erfindung einen breiteren Anwendungsbereich hat. Beispielsweise ist die vorliegende Erfindung auf das Bearbeiten von Scheiben und Köpfen, Flachbildschirme ("flat panel displays"), Mikroelektronik-Masken und von anderen Bauteilen anwendbar, welche effektives und kontrolliertes Feucht-Bearbeiten benötigen.
- An dem vorgenannten System können vielfältige Modifikationen ausgeführt werden, ohne von seinen grundlegenden Lehren abzuweichen. Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezug auf eine oder mehrere spezielle Ausführungsformen in wesentlichen Detail beschrieben worden ist, werden Fachleute bemerken, das Veränderungen daran angebracht werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen, wie er in den beiliegenden Ansprüchen festgelegt ist.
Claims (18)
- Vorrichtung zum Bearbeiten eines Werkstücks mit einem oberen Kammerteil und einem unteren Kammerteil, welches aus einer offenen Position zum Beladen und Entladen eines Werkstücks in eine geschlossene Position bewegbar ist, in welcher geschlossenen Position sie eine Bearbeitungskammer zum Bearbeiten des Werkstücks bilden, wobei die Bearbeitungskammer einen Auslass zum Ablassen von Flüssigkeit aus der Bearbeitungskammer über Zentrifugalkraft aufweist und das untere Kammerteil (
75 ,210 ,2140 ) Abstandshalter (105 ,240 ,2148 ) beinhaltet, welche nach oben zum mit Abstand Anordnen des Werkstücks (10 ,55 ) über das untere Kammerteil (2140 ) hervorstehen, dadurch gekennzeichnet, dass das obere Kammerteil (60 ,205 ,2120 ) Abstandshalter (110 ,255 ,2128 ) hat, welche nach unten zum Vermeiden eines Anhebens des Werkstücks während der Bearbeitung hervorstehen. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Pfosten (
2150 ), welche von dem unteren Kammerteil nach oben über den äußeren Umfang eines Werkstücks hervorstehen, um ein exzentrisches Verschieben des Werkstücks zu verhindern. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner dadurch gekennzeichnet, dass das obere und untere Kammerteil sich linear und vertikal von der offenen Belade-/Entlade-Position in die geschlossene Bearbeitungs-Position zusammen und auseinander bewegen und dass das Werkstück mittels Bewegens des Werkstücks horizontal in die Vorrichtung in eine Richtung senkrecht zu der Drehachse beladen und entladen wird, wenn sich die Vorrichtung in der offenen Belade-/Entlade-Position befindet.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch einen oberen Einlass (
70 ,220 ,2122 ) in dem oberen Kammerteil zum Zuführen einer Flüssigkeit zu einer oberen Oberfläche des Werkstücks und einen unteren Einlass (85 ,230 ,2142 ) in dem unteren Kammerteil zum Zuführen einer Flüssigkeit zu einer unteren Oberfläche des Werkstücks. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Abstandshalter (
105 ,240 ,2148 ) auf dem unteren Kammerteil und die Abstandshalter (110 ,255 ,2128 ) auf dem oberen Kammerteil das Werkstück an der Stelle festklemmen. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner dadurch gekennzeichnet, dass das obere und untere Kammerteil ein transportablen Behälter bilden.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch: einen Ausrichtring (
2570 ) mit einer Mehrzahl von Öffnungen (2564 ), wobei der Ausrichtring an dem unteren Kammerteil befestigt ist und mit diesem konzentrisch ist; einen Betätigungsring (2560 ) unter dem Ausrichtring, wobei der Betätigungsring eine Mehrzahl von sich nach oben erstreckenden Stiften (2562 ) hat, wobei jeder Stift auf eine der Öffnungen in dem Ausrichtring ausgerichtet ist; und ein Stellglied (2580 ) zum Hochheben und Absenken des Betätigungsrings. - Vorrichtung gemäß Anspruch 7, ferner gekennzeichnet durch einen Verriegelungsmechanismus aufweisend: einen Verriegelungsring (
2520 ) aufgenommen in dem unteren Kammerteil, wobei der Verriegelungsring eine Mehrzahl von radial verschiebbaren, treppenförmigen Abschnitten (2530 ) zum Eingreifen in und außer Eingriff Bringen aus Aussparungen in dem oberen Kammerteil hat; eine Mehrzahl von Verriegelungsnocken (2540 ), wobei ein einzelner Verriegelungsnocken jedem der treppenförmigen Abschnitte des Verriegelungsrings zugeordnet ist; und den in die Verriegelungsnocken eingreifbaren Betätigungsring (2560 ) zum Bewegen der Nocken in die oder aus den Aussparungen in dem oberen Kammerteil. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Kammer eine der Form des Werkstücks entsprechende Form hat.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 4, ferner gekennzeichnet durch ein mit einer Umfangskante des Werkstückes ausgerichtetes Teilungsteil (
500 ) an einer Position, an welcher das Teilungsteil einen von dem oberen Einlass verursachten ersten Flüssigkeitsfluss von einem von dem unteren Einlass verursachten zweiten Flüssigkeitsfluss trennt, wobei der erste Flüssigkeitsfluss hauptsächlich auf Kontaktieren der oberen Oberfläche des Werkstücks beschränkt ist und der zweite Flüssigkeitsfluss hauptsächlich auf Kontaktieren der unteren Oberfläche des Werkstücks beschränkt ist. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von überlauf-Durchgängen in dem oberen oder unteren Kammerteil, welche sich von einem Zentralbereich des Kammerteils radial nach außen erstrecken.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch: eine das untere Kammerteil umgebende Schale (
570 ); einen Sammelbehälter (585 ) in der Schale; eine den Sammelbehälter mit einem Flüssigkeits-Einlass (85 ,230 ,2142 ) in dem unteren Kammerteil verbindende Flüssigkeits-Versorgungsleitung (587 ). - Verfahren zum zentrifugalen Bearbeiten eines Werkstücks in einer Kammer mit oberen und unteren Kammerteilen, aufweisend: Anordnen des Werkstücks in der Bearbeitungskammer; Abstützen des Werkstücks in der Kammer mit sich von dem oberen und unteren Kammerteil erstreckenden Stützen; Zuführen eines ersten Flusses von Flüssigkeit auf das Werkstück; und Rotieren des Werkstücks zum Erzeugen von zentrifugaler Beschleunigung, welche den ersten Fluss von Flüssigkeit über mindestens eine Oberfläche des Werkstücks verteilt.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, ferner gekennzeichnet durch Zuführen eines zweiten Flusses von Flüssigkeit auf die zweite Seite des Werkstücks.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, ferner gekennzeichnet durch getrennt Halten des ersten Flusses von Flüssigkeit von dem zweiten Fluss von Flüssigkeit, während der erste und zweite Fluss von Flüssigkeiten sich von dem Werkstück wegbewegen.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, ferner gekennzeichnet durch Begrenzen der Flüssigkeit eng um das Werkstück herum.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, ferner gekennzeichnet durch sequentielles Einbringen einer Spül-Flüssigkeit in die Kammer gefolgt von einer Trocknungs-Flüssigkeit.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, ferner gekennzeichnet durch: Zuführen des ersten Flusses von Flüssigkeit auf eine untere Oberfläche des Werkstücks; Beschränken der Flüssigkeit auf ein Gebiet um die untere, äußere Umfangskante und den oberen Randabschnitt des Werkstücks; und Zurückziehen der Flüssigkeit weg von dem Werkstück an einer Position über dem Werkstück und angrenzend zu dem Randabschnitt des Werkstücks.
Applications Claiming Priority (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/041,649 US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US41649 | 1998-03-13 | ||
US09/041,901 US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US41901 | 1998-03-13 | ||
US09/113,435 US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 1998-07-10 | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US113435 | 1998-07-10 | ||
US11675099P | 1999-01-22 | 1999-01-22 | |
US116750P | 1999-01-22 | ||
US11747499P | 1999-01-27 | 1999-01-27 | |
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PCT/US1999/005676 WO1999046065A1 (en) | 1998-03-13 | 1999-03-15 | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69913521D1 DE69913521D1 (de) | 2004-01-22 |
DE69913521T2 true DE69913521T2 (de) | 2004-10-14 |
Family
ID=27534766
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69926127T Expired - Lifetime DE69926127T2 (de) | 1998-03-13 | 1999-03-15 | Selektive behandlung der oberfläche eines mikroelektronischen werkstücks |
DE69913521T Expired - Lifetime DE69913521T2 (de) | 1998-03-13 | 1999-03-15 | Reaktor mit mikroumgebung zur verarbeitung eines mikroelektronischen werkstücks |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69926127T Expired - Lifetime DE69926127T2 (de) | 1998-03-13 | 1999-03-15 | Selektive behandlung der oberfläche eines mikroelektronischen werkstücks |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP1085948B1 (de) |
JP (2) | JP2002506294A (de) |
KR (1) | KR100555258B1 (de) |
CN (2) | CN100342487C (de) |
AT (2) | ATE299402T1 (de) |
DE (2) | DE69926127T2 (de) |
TW (2) | TW452828B (de) |
WO (2) | WO1999046065A1 (de) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6900132B2 (en) | 1998-03-13 | 2005-05-31 | Semitool, Inc. | Single workpiece processing system |
US6423642B1 (en) * | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6969682B2 (en) | 1999-01-22 | 2005-11-29 | Semitool, Inc. | Single workpiece processing system |
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1999
- 1999-03-09 TW TW088103580A patent/TW452828B/zh active
- 1999-03-11 TW TW088103730A patent/TW471059B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-15 DE DE69926127T patent/DE69926127T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 WO PCT/US1999/005676 patent/WO1999046065A1/en active Application Filing
- 1999-03-15 CN CNB2004100705367A patent/CN100342487C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-15 JP JP2000535468A patent/JP2002506294A/ja active Pending
- 1999-03-15 AT AT99912557T patent/ATE299402T1/de active
- 1999-03-15 JP JP2000535469A patent/JP4189125B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-15 AT AT99912558T patent/ATE255962T1/de active
- 1999-03-15 DE DE69913521T patent/DE69913521T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 EP EP99912558A patent/EP1085948B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 EP EP99912557A patent/EP1091811B8/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-15 CN CNB998039543A patent/CN1167518C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-15 WO PCT/US1999/005674 patent/WO1999046064A1/en active IP Right Grant
- 1999-03-15 KR KR1020007010126A patent/KR100555258B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002506294A (ja) | 2002-02-26 |
TW452828B (en) | 2001-09-01 |
DE69913521D1 (de) | 2004-01-22 |
CN100342487C (zh) | 2007-10-10 |
EP1085948A4 (de) | 2002-01-23 |
WO1999046065A1 (en) | 1999-09-16 |
DE69926127T2 (de) | 2006-05-11 |
JP2003517364A (ja) | 2003-05-27 |
CN1167518C (zh) | 2004-09-22 |
EP1091811A4 (de) | 2002-01-30 |
KR20010052209A (ko) | 2001-06-25 |
ATE255962T1 (de) | 2003-12-15 |
JP4189125B2 (ja) | 2008-12-03 |
ATE299402T1 (de) | 2005-07-15 |
TW471059B (en) | 2002-01-01 |
WO1999046064A1 (en) | 1999-09-16 |
EP1091811A1 (de) | 2001-04-18 |
CN1599025A (zh) | 2005-03-23 |
CN1292736A (zh) | 2001-04-25 |
EP1085948B1 (de) | 2003-12-10 |
KR100555258B1 (ko) | 2006-03-03 |
EP1085948A1 (de) | 2001-03-28 |
EP1091811B8 (de) | 2005-12-07 |
DE69926127D1 (de) | 2005-08-18 |
EP1091811B1 (de) | 2005-07-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R082 | Change of representative |
Ref document number: 1085948 Country of ref document: EP Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Ref document number: 1085948 Country of ref document: EP Owner name: APPLIED MATERIALS, INC. (N.D.GES.D. STAATES DE, US Free format text: FORMER OWNER: SEMITOOL, INC., KALISPELL, US Effective date: 20120801 |
|
R082 | Change of representative |
Ref document number: 1085948 Country of ref document: EP Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER, DE Effective date: 20120801 |