JP2654314B2 - 裏面洗浄装置 - Google Patents
裏面洗浄装置Info
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- JP2654314B2 JP2654314B2 JP4170246A JP17024692A JP2654314B2 JP 2654314 B2 JP2654314 B2 JP 2654314B2 JP 4170246 A JP4170246 A JP 4170246A JP 17024692 A JP17024692 A JP 17024692A JP 2654314 B2 JP2654314 B2 JP 2654314B2
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- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は塗布装置の下流側に組み
込まれる裏面洗浄装置に関する。
込まれる裏面洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ガラス基板や半導体ウェハ等の板状被処
理物の表面に被膜を形成するには、従来から塗布装置に
よって板状被処理物の表面にレジスト液等を塗布し、こ
れをホットプレート等で加熱するようにしている。そし
て、塗布装置によってレジスト液等を塗布する場合、表
面張力によって板状被処理物の端面や裏面までレジスト
液が多少廻り込んでしまう。この廻り込んだレジスト液
をそのままにして加熱処理すると、端面や裏面に廻り込
んだレジスト液が小さなパーティクルとなって飛散し、
板状被処理物の表面に付着して歩留り低下を招く。
理物の表面に被膜を形成するには、従来から塗布装置に
よって板状被処理物の表面にレジスト液等を塗布し、こ
れをホットプレート等で加熱するようにしている。そし
て、塗布装置によってレジスト液等を塗布する場合、表
面張力によって板状被処理物の端面や裏面までレジスト
液が多少廻り込んでしまう。この廻り込んだレジスト液
をそのままにして加熱処理すると、端面や裏面に廻り込
んだレジスト液が小さなパーティクルとなって飛散し、
板状被処理物の表面に付着して歩留り低下を招く。
【0003】そこで、従来から加熱処理を行なう前に図
7に示すように、裏面洗浄装置のスピンチャック100
で板状被処理物Wの下面を吸着保持し、スピンチャック
100で板状被処理物Wを一定方向に回転させつつ板状
被処理物Wの下方に配置したノズル101から板状被処
理物Wの下面周縁に向けて洗浄液を噴出し、板状被処理
物Wの端面や裏面まで廻り込んだレジスト液等を除去す
るようにしている。
7に示すように、裏面洗浄装置のスピンチャック100
で板状被処理物Wの下面を吸着保持し、スピンチャック
100で板状被処理物Wを一定方向に回転させつつ板状
被処理物Wの下方に配置したノズル101から板状被処
理物Wの下面周縁に向けて洗浄液を噴出し、板状被処理
物Wの端面や裏面まで廻り込んだレジスト液等を除去す
るようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図7に示すように、板
状被処理物Wがガラス基板のように矩形状の場合には、
ガラス基板の一辺に向かって噴出された洗浄液は、ガラ
ス基板が回転しているために辺に沿って矢印方向に移動
し、回転方向を基準として辺の上流側では洗浄が不十分
で下流側では洗浄が過剰に行なわれてしまう。
状被処理物Wがガラス基板のように矩形状の場合には、
ガラス基板の一辺に向かって噴出された洗浄液は、ガラ
ス基板が回転しているために辺に沿って矢印方向に移動
し、回転方向を基準として辺の上流側では洗浄が不十分
で下流側では洗浄が過剰に行なわれてしまう。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る裏面洗浄装置は、表面に塗布液が塗布された
板状被処理物の下面を吸着保持するスピンチャックを正
逆回転可能として板状被処理物の回転方向を切り換え、
また洗浄液を噴出するノズルとしては、ノズルの洗浄液
噴出方向の中心は、平面視において前記スピンチャック
の中心からノズルへ向かう線と略一致させるか、ノズル
を正転時に洗浄液を噴出する第1ノズルと逆転時に洗浄
液を噴出する第2ノズルとで構成し、第1ノズルの洗浄
液噴出方向の中心と第2ノズルの洗浄液噴出方向の中心
とは前記スピンチャックの中心を通り、第1ノズルと第
2ノズルとを結ぶ線と直角をなす線に対してお互いに対
象関係にあるようにした。
発明に係る裏面洗浄装置は、表面に塗布液が塗布された
板状被処理物の下面を吸着保持するスピンチャックを正
逆回転可能として板状被処理物の回転方向を切り換え、
また洗浄液を噴出するノズルとしては、ノズルの洗浄液
噴出方向の中心は、平面視において前記スピンチャック
の中心からノズルへ向かう線と略一致させるか、ノズル
を正転時に洗浄液を噴出する第1ノズルと逆転時に洗浄
液を噴出する第2ノズルとで構成し、第1ノズルの洗浄
液噴出方向の中心と第2ノズルの洗浄液噴出方向の中心
とは前記スピンチャックの中心を通り、第1ノズルと第
2ノズルとを結ぶ線と直角をなす線に対してお互いに対
象関係にあるようにした。
【0006】
【作用】洗浄の途中で板状被処理物の回転方向が逆にな
るので、板状被処理物の辺に沿って移動する洗浄液の向
きも反対方向になり、洗浄液の偏りがなくなる。
るので、板状被処理物の辺に沿って移動する洗浄液の向
きも反対方向になり、洗浄液の偏りがなくなる。
【0007】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図1は本発明に係る裏面洗浄装置を
組み込んだ被膜形成装置の平面図、図2は同裏面洗浄装
置の断面図、図3及び図4は同裏面洗浄装置の平面図、
図5及び図6は作用を説明した平面図である。
説明する。ここで、図1は本発明に係る裏面洗浄装置を
組み込んだ被膜形成装置の平面図、図2は同裏面洗浄装
置の断面図、図3及び図4は同裏面洗浄装置の平面図、
図5及び図6は作用を説明した平面図である。
【0008】被膜形成装置は図1の左側を上流部とし、
この上流部にガラス基板等の板状被処理物Wの投入部1
を設け、この投入部1の下流側に塗布装置2を配置し、
この塗布装置2の下流側に順次、減圧乾燥装置3、本発
明に係る裏面洗浄装置4及びホットプレート5a・・・と
クーリングプレート5bを備えた加熱部5を配置し、投
入部1から加熱部5に至るまでは搬送装置6によって被
処理物Wの前後端の下面を支持した状態で搬送し、加熱
部5においては垂直面内でクランク動をなす搬送装置7
によりガラス基板等の板状被処理物Wの下面を支持した
状態で各ホットプレート5a上を順次移し換え、最終的
にクーリングプレート5bで温度を調整しつつ板状被処
理物Wを取出し部8まで搬送するようにしている。
この上流部にガラス基板等の板状被処理物Wの投入部1
を設け、この投入部1の下流側に塗布装置2を配置し、
この塗布装置2の下流側に順次、減圧乾燥装置3、本発
明に係る裏面洗浄装置4及びホットプレート5a・・・と
クーリングプレート5bを備えた加熱部5を配置し、投
入部1から加熱部5に至るまでは搬送装置6によって被
処理物Wの前後端の下面を支持した状態で搬送し、加熱
部5においては垂直面内でクランク動をなす搬送装置7
によりガラス基板等の板状被処理物Wの下面を支持した
状態で各ホットプレート5a上を順次移し換え、最終的
にクーリングプレート5bで温度を調整しつつ板状被処
理物Wを取出し部8まで搬送するようにしている。
【0009】また、塗布装置2の前面側には交換可能な
塗布液供給装置9を配置し、この塗布液供給装置9から
供給される塗布液を移動可能なノズル10を用いて被処
理物W表面に滴下するようにしている。
塗布液供給装置9を配置し、この塗布液供給装置9から
供給される塗布液を移動可能なノズル10を用いて被処
理物W表面に滴下するようにしている。
【0010】そして、塗布装置2で表面に均一に塗布液
が塗布された被処理物Wは減圧乾燥器3において、ある
程度(生乾き)乾燥せしめられて裏面洗浄装置に送られ
る。この時被処理物Wの周端面及び周端の裏面には図2
に示すように塗布液Rの一部が廻り込んでいる。
が塗布された被処理物Wは減圧乾燥器3において、ある
程度(生乾き)乾燥せしめられて裏面洗浄装置に送られ
る。この時被処理物Wの周端面及び周端の裏面には図2
に示すように塗布液Rの一部が廻り込んでいる。
【0011】裏面洗浄装置4は図1乃至図3に示すよう
に、カップ11内にマウント12を設け、このマウント
12を貫通してスピンチャック13を設け、更にマウン
ト12上に洗浄液Sを噴出するノズル14を取り付けて
いる。
に、カップ11内にマウント12を設け、このマウント
12を貫通してスピンチャック13を設け、更にマウン
ト12上に洗浄液Sを噴出するノズル14を取り付けて
いる。
【0012】スピンチャック13は中心に真空ポンプに
つながる吸引孔13aを形成するとともに、正逆回転可
能とされている。またノズル14の洗浄液噴出方向の中
心Pはスピンチャックの中心Oからノズル14へ向かう
線Lと略一致するようにノズル14の向きを調整してい
る。
つながる吸引孔13aを形成するとともに、正逆回転可
能とされている。またノズル14の洗浄液噴出方向の中
心Pはスピンチャックの中心Oからノズル14へ向かう
線Lと略一致するようにノズル14の向きを調整してい
る。
【0013】図4はノズルの向きを異ならせた別実施例
を示す図であり、この実施例にあってはノズル14を正
転時に洗浄液を噴出する第1ノズル14aと逆転時に洗
浄液を噴出する第2ノズル14bとで構成し、第1ノズ
ル14aの洗浄液噴出方向の中心Paと第2ノズル14
bの洗浄液噴出方向の中心Pbとをスピンチャックの中
心Oから各ノズルへ向かう線Lに対し、スピンチャック
の中心Oを通る直角線を基準として対象方向に偏心させ
ている。即ち、スピンチャックの中心Oから第1ノズル
14aへ向かう線Lの左側に洗浄液噴出方向の中心Pa
は位置し、スピンチャックの中心Oから第2ノズル14
bへ向かう線Lの右側に洗浄液噴出方向の中心Pbは向
いている。
を示す図であり、この実施例にあってはノズル14を正
転時に洗浄液を噴出する第1ノズル14aと逆転時に洗
浄液を噴出する第2ノズル14bとで構成し、第1ノズ
ル14aの洗浄液噴出方向の中心Paと第2ノズル14
bの洗浄液噴出方向の中心Pbとをスピンチャックの中
心Oから各ノズルへ向かう線Lに対し、スピンチャック
の中心Oを通る直角線を基準として対象方向に偏心させ
ている。即ち、スピンチャックの中心Oから第1ノズル
14aへ向かう線Lの左側に洗浄液噴出方向の中心Pa
は位置し、スピンチャックの中心Oから第2ノズル14
bへ向かう線Lの右側に洗浄液噴出方向の中心Pbは向
いている。
【0014】以上において、塗布装置2において板状被
処理物Wの表面に滴下され、遠心力で拡散せしめられた
塗布液Rの一部は前記したように板状被処理物Wの裏面
まで廻り込む。そして塗布液Rは減圧乾燥器3である程
度乾燥せしめられた後、本願の裏面洗浄装置4において
裏面に廻り込んだ塗布液が洗浄液(溶剤)にて除去され
る。
処理物Wの表面に滴下され、遠心力で拡散せしめられた
塗布液Rの一部は前記したように板状被処理物Wの裏面
まで廻り込む。そして塗布液Rは減圧乾燥器3である程
度乾燥せしめられた後、本願の裏面洗浄装置4において
裏面に廻り込んだ塗布液が洗浄液(溶剤)にて除去され
る。
【0015】上記の除去作用を第1ノズル14aと第2
ノズル14bとを備えたものについて説明すると、スピ
ンチャック13の正転時には第1ノズル14aのみから
洗浄液Sを噴出し、第2ノズル14bからは洗浄液Sを
噴出しないようにして、図5(a)に示すように板状被
処理物Wの辺のうち、回転方向を基準として下流側(も
ともと洗浄液が貯まりやすい部分)を集中して洗浄し、
次いで、スピンチャック13を逆転し、今度は第2ノズ
ル14bのみから洗浄液Sを噴出し、図5(b)に示す
ように板状被処理物Wの辺のうち、回転方向を基準とし
て下流側(図5(a)では上流側であった部分)を集中
して洗浄する。
ノズル14bとを備えたものについて説明すると、スピ
ンチャック13の正転時には第1ノズル14aのみから
洗浄液Sを噴出し、第2ノズル14bからは洗浄液Sを
噴出しないようにして、図5(a)に示すように板状被
処理物Wの辺のうち、回転方向を基準として下流側(も
ともと洗浄液が貯まりやすい部分)を集中して洗浄し、
次いで、スピンチャック13を逆転し、今度は第2ノズ
ル14bのみから洗浄液Sを噴出し、図5(b)に示す
ように板状被処理物Wの辺のうち、回転方向を基準とし
て下流側(図5(a)では上流側であった部分)を集中
して洗浄する。
【0016】尚、洗浄作用としては図3に示したような
単一のノズル14を備えたものであっても同じである。
単一のノズル14を備えたものであっても同じである。
【0017】また洗浄される板状被処理物Wとしては、
ガラス基板のように矩形状のものに限らない。例えば図
6に示すような半導体Siウェハでもよい。この半導体
SiウェハWは周縁の一部に位置決め用のオリエンテー
ションフラット20を設けており、通常の洗浄ではこの
オリエンテーションフラット20の一端に洗浄液が寄っ
てしまい、洗浄が不均一になるが図6(a)、(b)に
示すように正転および逆転を繰り返すことで均一に洗浄
を行なうことができる。
ガラス基板のように矩形状のものに限らない。例えば図
6に示すような半導体Siウェハでもよい。この半導体
SiウェハWは周縁の一部に位置決め用のオリエンテー
ションフラット20を設けており、通常の洗浄ではこの
オリエンテーションフラット20の一端に洗浄液が寄っ
てしまい、洗浄が不均一になるが図6(a)、(b)に
示すように正転および逆転を繰り返すことで均一に洗浄
を行なうことができる。
【0018】
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係る裏面
洗浄装置によれば、表面に塗布液が塗布された板状被処
理物の下面を吸着保持するスピンチャックを正逆回転可
能とし、洗浄の途中で板状被処理物の回転方向を逆にす
るようにしたので、板状被処理物の辺に沿って移動する
洗浄液の向きも反対方向になり、洗浄液の偏りがなくな
り、均一な洗浄を行なうことができる。特に、正転時に
洗浄液を噴出するノズルと逆転時に洗浄液を噴出するノ
ズルを用意し、これらを回転方向に合せてオン・オフす
るようにすれば更に効率よく洗浄を行なうことができ、
洗浄に要する時間の短縮が図れる。
洗浄装置によれば、表面に塗布液が塗布された板状被処
理物の下面を吸着保持するスピンチャックを正逆回転可
能とし、洗浄の途中で板状被処理物の回転方向を逆にす
るようにしたので、板状被処理物の辺に沿って移動する
洗浄液の向きも反対方向になり、洗浄液の偏りがなくな
り、均一な洗浄を行なうことができる。特に、正転時に
洗浄液を噴出するノズルと逆転時に洗浄液を噴出するノ
ズルを用意し、これらを回転方向に合せてオン・オフす
るようにすれば更に効率よく洗浄を行なうことができ、
洗浄に要する時間の短縮が図れる。
【図1】本発明に係る裏面洗浄装置を組み込んだ被膜形
成装置の平面図
成装置の平面図
【図2】同裏面洗浄装置の断面図
【図3】同裏面洗浄装置の平面図
【図4】裏面洗浄装置の別実施例の平面図
【図5】作用を説明した平面図
【図6】作用を説明した平面図
【図7】従来の欠点を説明した平面図
2…塗布装置、4…裏面洗浄装置、13…スピンチャッ
ク、14…ノズル、14a…第1ノズル、14b…第2
ノズル、W…板状被処理物。
ク、14…ノズル、14a…第1ノズル、14b…第2
ノズル、W…板状被処理物。
Claims (2)
- 【請求項1】 板状被処理物の裏面を吸着して板状被処
理物を回転せしめるスピンチャックと、板状被処理物の
表面に塗布した塗布液のうち裏面に廻り込んだ塗布液の
洗浄液を噴出するノズルを備えた裏面洗浄装置におい
て、前記スピンチャックは板状被処理物の回転方向を切
り換えるべく正逆回転し、また前記ノズルの洗浄液噴出
方向の中心は平面視において前記スピンチャックの中心
からノズルへ向かう線と略一致するとともに、板状被処
理物の周端部に向かっていることを特徴とする裏面洗浄
装置。 - 【請求項2】 板状被処理物の裏面を吸着して板状被処
理物を回転せしめるスピンチャックと、板状被処理物の
表面に塗布した塗布液のうち裏面に廻り込んだ塗布液の
洗浄液を噴出するノズルを備えた裏面洗浄装置におい
て、前記スピンチャックは板状被処理物の回転方向を切
り換えるべく正逆回転し、また前記ノズルは正転時に洗
浄液を噴出する第1ノズルと逆転時に洗浄液を噴出する
第2ノズルとから構成され、第1ノズルの洗浄液噴出方
向の中心と第2ノズルの洗浄液噴出方向の中心とは前記
スピンチャックの中心を通り、第1ノズルと第2ノズル
とを結ぶ線と直角をなす線に対してお互いに対象関係に
あるとともに、板状被処理物の周端部に向かっているこ
とを特徴とする裏面洗浄装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4170246A JP2654314B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 裏面洗浄装置 |
KR1019930010069A KR100235245B1 (ko) | 1992-06-04 | 1993-06-04 | 판상 피처리물의 세정장치 |
US08/072,142 US5349978A (en) | 1992-06-04 | 1993-06-04 | Cleaning device for cleaning planar workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4170246A JP2654314B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 裏面洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05343383A JPH05343383A (ja) | 1993-12-24 |
JP2654314B2 true JP2654314B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=15901385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4170246A Expired - Fee Related JP2654314B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 裏面洗浄装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5349978A (ja) |
JP (1) | JP2654314B2 (ja) |
KR (1) | KR100235245B1 (ja) |
Families Citing this family (88)
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---|---|---|---|---|
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US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
JP3415670B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2003-06-09 | 三菱電機株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
US5718763A (en) * | 1994-04-04 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus for a rectangular substrate |
TW285779B (ja) * | 1994-08-08 | 1996-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5558111A (en) * | 1995-02-02 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for carrier backing film reconditioning |
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US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
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AT407806B (de) * | 1997-05-23 | 2001-06-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Anordnung zum behandeln wafer-förmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
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