JP2012530379A - 粒子汚染物除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
固体表面から粒子汚染物を除去する装置及び方法は、固体表面上に粘弾性材料の層を提供することを含む。粘弾性材料は、薄膜として塗布され、実質的に液体状の特性を示す。粘弾性材料は、粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する。高速の液体を、粘弾性材料が固体状の挙動を示すように粘弾性材料に付与する。したがって、粘弾性材料は、粒子汚染物と共に固体表面から取り除かれ、これにより固体表面に粒子汚染物が無い状態となる。
【選択図】図5
Description
図1は、本発明の実施形態による、半導体ウェーハ表面から粒子汚染物を除去するシステムを示す。ボウル10は、ウェーハ30を受け入れるチャンバ12を画成する。ウェーハ30は、支持部20により固定状態で保持される。支持部20は、チャンバ12内へ延びる軸22と、軸22から延びる複数の腕部24とを含む。軸の回転は、電気モータ(図示せず)等、当技術分野で公知の機構により発生される。複数の腕部は、ウェーハを固定するために必要となる3本以上の腕部を含んでよい。パッド26は、腕部24の端部に取り付けられ、ウェーハ30の縁部と接触する掴み面を提供する。一実施形態において、パッド26は、静的ローラを備える。他の実施形態において、パッド26は、パッド26がウェーハ30を固定状態で把持する限り、様々な形態及び材料を含み得る。スプレ噴射部50は、ウェーハ30に対して高速で液体を付与するように構成される。スプレ噴射部50は、スプレ噴射部50をウェーハ30の表面全体で移動させるように構成された腕部40に取り付けられる。1実施形態において、腕部50は、スプレ噴射部を、ウェーハの中心に近接する位置からウェーハの縁部に近接する位置まで移動させるように構成される。スプレ噴射部がウェーハ30の表面に対して液体を付与する際には、ウェーハの回転により、液体はウェーハの縁部へ向かって移動し、最終的には、ウェーハからボウル10内へ流れ出る。その後、液体は、廃棄又は再利用のために流路に通し得る。本発明の1実施形態において、スプレ噴射部50は、液体スプレがウェーハ30の表面にほぼ垂直な角度で衝突するように、角度を付けて位置決めされる。本発明の他の実施形態において、スプレ噴射部50は、液体スプレがウェーハ30の表面に様々な入射角で衝突するように、様々な角度で構成される。1実施形態において、入射角は、液体スプレがウェーハ30の表面に向かう角度となるように配向され、これによりウェーハ30からの液体の除去を支援する。
Claims (22)
- 半導体ウェーハの表面から粒子汚染物を除去する方法であって、
前記半導体ウェーハを支持し、
液体状の挙動を示し且つ前記半導体ウェーハの前記表面上に存在する時に前記粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する粘弾性材料を、前記半導体ウェーハの前記表面に塗布し、
液体を、体積流量が前記液体の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガス中に混合することにより、前記液体を所定の速度まで加速し、
前記加速された液体を前記塗布された粘弾性材料に付与し、
前記塗布された粘弾性材料は、前記所定の速度での前記液体の付与により、固体状の挙動を示す
方法。 - 前記所定の速度は、略1ないし1000メートル毎秒の範囲内である請求項1記載の方法。
- 前記粘弾性材料は、ポリマ化合物を含む請求項1記載の方法。
- 前記搬送ガスは、窒素又は他の不活性ガスを含む請求項3記載の方法。
- 前記液体は、脱イオン水を含む請求項4記載の方法。
- 半導体ウェーハの表面から粒子汚染物を除去するシステムであって、
前記半導体ウェーハを保持するための回転支持部と、
液体状の挙動を示し且つ前記半導体ウェーハの前記表面上に存在する時に前記粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する粘弾性材料を、前記半導体ウェーハの前記表面に塗布するためのアプリケータと、
液体を、体積流量が前記液体の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定速度まで加速し、前記液体を前記塗布された粘弾性材料に前記速度で付与するためのスプレ噴射部と
を備え、
前記塗布された粘弾性材料は、液体の前記速度での付与の下で固体状の挙動を示すシステム。 - 前記高速は、略1ないし1000メートル毎秒の範囲内である請求項6記載のシステム。
- 前記粘弾性材料は、ポリマ化合物を含む請求項6記載のシステム。
- 前記搬送ガスは、窒素又は他の不活性ガスである請求項8記載のシステム。
- 前記液体は、脱イオン水である請求項9記載のシステム。
- 前記回転支持部は、前記粘弾性材料の塗布中は前記所定の速度未満の低速度で回転し、高速での前記液体の付与中には前記所定の速度である高速度で回転する請求項6記載のシステム。
- 前記低速度は、略1ないし100回転毎分の範囲内であり、前記高速度は、略10ないし1000回転毎分の範囲内である請求項11記載のシステム。
- 前記スプレ噴射部は、前記半導体ウェーハの中心に近接した位置から前記半導体ウェーハの縁部に近接した位置まで移動するように構成される請求項6記載のシステム。
- 半導体ウェーハの表面から粒子汚染物を除去するシステムであって、
前記半導体ウェーハを保持するための、直線的に移動するように構成されたキャリヤと、
液体状の挙動を示し且つ前記半導体ウェーハの前記表面上に存在する時に前記粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する粘弾性材料を、前記半導体ウェーハの直径以上の幅に渡って同時に塗布するように構成されたアプリケータノズルの直線配列を備える、前記粘弾性材料を前記半導体の前記表面に塗布するためのアプリケータと、
液体を前記半導体ウェーハの直径以上の幅に渡って同時に付与するように構成されたスプレ噴射ノズルの直線配列を備えると共に、前記液体を、体積流量が前記液体の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定の速度まで加速し、前記液体を前記塗布された粘弾性材料に前記速度で付与するためのスプレ噴射部と
を備え、
前記塗布された粘弾性材料は、液体の前記所定の速度での付与の下で固体状の挙動を示す
システム。 - 前記高速は、略0.1ないし10メートル毎秒の範囲内である請求項14記載のシステム。
- 前記粘弾性材料は、高分子化合物を含む請求項14記載のシステム。
- 前記搬送ガスは、窒素である請求項16記載のシステム。
- 前記液体は、脱イオン水である請求項17記載のシステム。
- 前記粘弾性材料の塗布は、更に、
前記液体を、体積流量が前記粘弾性材料の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガス中に混合することによる、前記粘弾性材料の所定の速度までの加速を含む請求項1記載の方法。 - 前記アプリケータは、更に、
前記粘弾性材料を、体積流量が前記粘弾性材料の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定の速度まで加速し、前記粘弾性材料を前記速度で塗布するためのスプレ噴射部を備える請求項6記載のシステム。 - アプリケータノズルの前記直線配列は、更に、複数のスプレ噴射部を備え、
前記複数のスプレ噴射部の各スプレ噴射部は、前記粘弾性材料を、体積流量が前記粘弾性材料の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定の速度まで加速し、前記粘弾性材料を前記所定の速度で塗布するためのものである請求項14記載のシステム。 - 更に、前記粘弾性材料の分子量分布を制御することによる、前記半導体ウェーハに対する損傷の回避を含む請求項19記載の方法。
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