JP2012530379A5 - - Google Patents

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[実施例]
図1は、本発明の実施形態による、半導体ウェーハ表面から粒子汚染物を除去するシステムを示す。ボウル10は、ウェーハ30を受け入れるチャンバ12を画成する。ウェーハ30は、支持部20により固定状態で保持される。支持部20は、チャンバ12内へ延びる軸22と、軸22から延びる複数の腕部24とを含む。軸の回転は、電気モータ(図示せず)等、当技術分野で公知の機構により発生される。複数の腕部は、ウェーハを固定するために必要となる3本以上の腕部を含んでよい。パッド26は、腕部24の端部に取り付けられ、ウェーハ30の縁部と接触する掴み面を提供する。一実施形態において、パッド26は、静的ローラを備える。他の実施形態において、パッド26は、パッド26がウェーハ30を固定状態で把持する限り、様々な形態及び材料を含み得る。スプレ噴射部50は、ウェーハ30に対して高速で液体を付与するように構成される。スプレ噴射部50は、スプレ噴射部50をウェーハ30の表面全体で移動させるように構成された腕部40に取り付けられる。1実施形態において、腕部40は、スプレ噴射部を、ウェーハの中心に近接する位置からウェーハの縁部に近接する位置まで移動させるように構成される。スプレ噴射部がウェーハ30の表面に対して液体を付与する際には、ウェーハの回転により、液体はウェーハの縁部へ向かって移動し、最終的には、ウェーハからボウル10内へ流れ出る。その後、液体は、廃棄又は再利用のために流路に通し得る。本発明の1実施形態において、スプレ噴射部50は、液体スプレがウェーハ30の表面にほぼ垂直な角度で衝突するように、角度を付けて位置決めされる。本発明の他の実施形態において、スプレ噴射部50は、液体スプレがウェーハ30の表面に様々な入射角で衝突するように、様々な角度で構成される。1実施形態において、入射角は、液体スプレがウェーハ30の表面に向かう角度となるように配向され、これによりウェーハ30からの液体の除去を支援する。
図5は、ウェーハ130上の粘弾性層144に対する液体スプレ158の付与を示す。スプレ噴射部150は、搬送ガス入力部154を介して搬送ガスを、液体入力部156を介して液体を受領するように構成される。本発明の1実施形態において、搬送ガスは窒素であり、液体は脱イオン水である。搬送ガスの流量は、液体の流量よりも実質的に大きくし、搬送ガスにより液体が高速に加速されるようにする。結果的に生じた液体スプレ158は、粘弾性層の中心向きの縁部に向けられ、これにより粘弾性層に直接衝突する。液体スプレの粘弾性層との衝突は、矢印160により示すように、粘弾性層に直接力を及ぼす。この力の付与により、粘弾性材料は固体状の性質を示し、比較的少量のエネルギーを利用しつつ、粘弾性材料の大部分の除去が可能となる。したがって、液体スプレ158は、特に粘弾性材料が局所的に除去された後には、ウェーハ130の表面特徴部に直接当たる場合があるが、エネルギーレベル及び暴露時間は、表面特徴部への損傷が最小となるような程度に限定される。加えて、ウェーハ130は回転しているため、液体と、ウェーハ130から分離された粘弾性材料の部分との両方を含む流出液159が、遠心力により、ウェーハ130の縁部へ向けて推進される。こうした遠心力により、流出液159は、粘弾性層144の最上部に作用する、矢印162により示す接線力を発生させる。更に、本発明の1実施形態において、スプレ噴射部150は、液体スプレ158をウェーハ130の縁部へ向け、入射角を成して送るように構成し得る。こうした実施形態において、液体スプレ158は、流出液159をウェーハ130の縁部へ向けて進めることを支援する付加的な接線力を提供する。
図7Aは、図3Bを参照して説明した本発明の実施形態による、ウェーハ130から粒子汚染物を洗浄するシステムの上面図を示す。スプレ噴射部150は、ウェーハ130を回転させている間に、ウェーハ130上の粘弾性層182の縁部に液体スプレを付与する。粘弾性層が粘弾性材料に結合した粒子汚染物と一緒に除去されるにつれ、清浄な領域180が形成される。腕部152は、スプレ噴射部150をウェーハ130の中心に近接する位置からウェーハ130の縁部に近接する位置まで移動させるように構成される。ウェーハ130の一定の回転速度を想定すると、ウェーハ上の1点の線速度は、中心からの距離が増加するにしたがって増加する。そのため、粘弾性層182に対する液体スプレの十分な付与を確保するために、本発明の1実施形態において、腕部152は、スプレ噴射部150をウェーハ130の中心に近接する位置から縁部に近接する位置まで移動させるように構成され、ウェーハ130の中心から様々な半径に位置する粘弾性層の様々な部分が液体スプレに十分に晒されるような減少率で、スプレ噴射部150の移動を発生させる。
以上、幾つかの好適な実施形態により本発明を説明してきたが、上記明細書を読み、図面を検討することで、当業者が様々な変形、追加、置換、及び等価物を認識し得ることは理解されよう。したがって、本発明は、本発明の本来の趣旨及び範囲内に含まれる全ての変形、追加、置換、及び等価物を包含するものである。
例えば、本発明は、以下の適用例として実施することができる。
(1)半導体ウェーハの表面から粒子汚染物を除去する方法であって、
前記半導体ウェーハを支持し、
液体状の挙動を示し且つ前記半導体ウェーハの前記表面上に存在する時に前記粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する粘弾性材料を、前記半導体ウェーハの前記表面に塗布し、
液体を、体積流量が前記液体の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガス中に混合することにより、前記液体を所定の速度まで加速し、
前記加速された液体を前記塗布された粘弾性材料に付与し、
前記塗布された粘弾性材料は、前記所定の速度での前記液体の付与により、固体状の挙動を示す
方法。
(2)前記所定の速度は、略1ないし1000メートル毎秒の範囲内である適用例1記載の方法。
(3)前記粘弾性材料は、ポリマ化合物を含む適用例1記載の方法。
(4)前記搬送ガスは、窒素又は他の不活性ガスを含む適用例3記載の方法。
(5)前記液体は、脱イオン水を含む適用例4記載の方法。
(6)半導体ウェーハの表面から粒子汚染物を除去するシステムであって、
前記半導体ウェーハを保持するための回転支持部と、
液体状の挙動を示し且つ前記半導体ウェーハの前記表面上に存在する時に前記粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する粘弾性材料を、前記半導体ウェーハの前記表面に塗布するためのアプリケータと、
液体を、体積流量が前記液体の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定速度まで加速し、前記液体を前記塗布された粘弾性材料に前記速度で付与するためのスプレ噴射部と
を備え、
前記塗布された粘弾性材料は、液体の前記速度での付与の下で固体状の挙動を示すシステム。
(7)前記高速は、略1ないし1000メートル毎秒の範囲内である適用例6記載のシステム。
(8)前記粘弾性材料は、ポリマ化合物を含む適用例6記載のシステム。
(9)前記搬送ガスは、窒素又は他の不活性ガスである適用例8記載のシステム。
(10)前記液体は、脱イオン水である適用例9記載のシステム。
(11)前記回転支持部は、前記粘弾性材料の塗布中は前記所定の速度未満の低速度で回転し、高速での前記液体の付与中には前記所定の速度である高速度で回転する適用例6記載のシステム。
(12)前記低速度は、略1ないし100回転毎分の範囲内であり、前記高速度は、略10ないし1000回転毎分の範囲内である適用例11記載のシステム。
(13)前記スプレ噴射部は、前記半導体ウェーハの中心に近接した位置から前記半導体ウェーハの縁部に近接した位置まで移動するように構成される適用例6記載のシステム。
(14)半導体ウェーハの表面から粒子汚染物を除去するシステムであって、
前記半導体ウェーハを保持するための、直線的に移動するように構成されたキャリヤと、
液体状の挙動を示し且つ前記半導体ウェーハの前記表面上に存在する時に前記粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する粘弾性材料を、前記半導体ウェーハの直径以上の幅に渡って同時に塗布するように構成されたアプリケータノズルの直線配列を備える、前記粘弾性材料を前記半導体の前記表面に塗布するためのアプリケータと、
液体を前記半導体ウェーハの直径以上の幅に渡って同時に付与するように構成されたスプレ噴射ノズルの直線配列を備えると共に、前記液体を、体積流量が前記液体の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定の速度まで加速し、前記液体を前記塗布された粘弾性材料に前記速度で付与するためのスプレ噴射部と
を備え、
前記塗布された粘弾性材料は、液体の前記所定の速度での付与の下で固体状の挙動を示す
システム。
(15)前記高速は、略0.1ないし10メートル毎秒の範囲内である適用例14記載のシステム。
(16)前記粘弾性材料は、高分子化合物を含む適用例14記載のシステム。
(17)前記搬送ガスは、窒素である適用例16記載のシステム。
(18)前記液体は、脱イオン水である適用例17記載のシステム。
(19)前記粘弾性材料の塗布は、更に、
前記液体を、体積流量が前記粘弾性材料の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガス中に混合することによる、前記粘弾性材料の所定の速度までの加速を含む適用例1記載の方法。
(20)前記アプリケータは、更に、
前記粘弾性材料を、体積流量が前記粘弾性材料の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定の速度まで加速し、前記粘弾性材料を前記速度で塗布するためのスプレ噴射部を備える適用例6記載のシステム。
(21)アプリケータノズルの前記直線配列は、更に、複数のスプレ噴射部を備え、
前記複数のスプレ噴射部の各スプレ噴射部は、前記粘弾性材料を、体積流量が前記粘弾性材料の体積流量よりも実質的に大きい搬送ガスを利用して所定の速度まで加速し、前記粘弾性材料を前記所定の速度で塗布するためのものである適用例14記載のシステム。
(22)更に、前記粘弾性材料の分子量分布を制御することによる、前記半導体ウェーハに対する損傷の回避を含む適用例19記載の方法。
【図6】
Figure 2012530379
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5762925B2 (ja) * 2010-12-28 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US11643946B2 (en) * 2013-10-02 2023-05-09 Aerocore Technologies Llc Cleaning method for jet engine
CN107075411A (zh) * 2014-09-18 2017-08-18 应用材料公司 使用经设计的黏性流体的高效率后cmp清洗的方法与设备
US10276469B2 (en) * 2015-04-17 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for forming semiconductor device structure
TWI621171B (zh) * 2015-10-13 2018-04-11 Usun Technology Co Ltd Sheet surface treatment method and structure
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102093641B1 (ko) * 2018-06-22 2020-04-23 주식회사 로보스타 파티클제거팁 및 그것을 이용한 인덱스형 파티클 제거장치
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI673789B (zh) * 2018-11-19 2019-10-01 弘塑科技股份有限公司 清洗裝置及方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994744A (en) * 1973-10-01 1976-11-30 S. C. Johnson & Son, Inc. No-scrub cleaning method
US4586962A (en) * 1983-09-27 1986-05-06 Gaf Corporation Surface cleaning process
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JPH01135574A (ja) * 1987-11-24 1989-05-29 Osaka Shinku Kogyo Kk 蒸着薄膜形成用基板の清浄方法
US5372652A (en) * 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
US5883169A (en) * 1995-01-26 1999-03-16 Sola International Holdings Ltd. Lens wafers with removable coating
JP3315611B2 (ja) 1996-12-02 2002-08-19 三菱電機株式会社 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置
US6017585A (en) * 1998-02-24 2000-01-25 National Semiconductor Corporation High efficiency semiconductor wafer coating apparatus and method
TW553780B (en) * 1999-12-17 2003-09-21 Sharp Kk Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same
US7204890B2 (en) 2000-01-31 2007-04-17 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Process for removing fine particulate soil from hard surfaces
US7479205B2 (en) 2000-09-22 2009-01-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4532776B2 (ja) 2001-05-07 2010-08-25 パナソニック株式会社 基板洗浄方法及び電子デバイスの製造方法
US6776171B2 (en) * 2001-06-27 2004-08-17 International Business Machines Corporation Cleaning of semiconductor wafers by contaminate encapsulation
JP2004200282A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Aisin Aw Co Ltd 電子部品実装方法
CN100447943C (zh) * 2003-03-20 2008-12-31 Sez股份公司 用于湿处理盘形物体的装置及方法
US20060151008A1 (en) 2003-03-31 2006-07-13 Hoya Corporation Cleaning method, method for removing foreign particle, cleaning apparatus, and cleaning liquid
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
TWI251857B (en) * 2004-03-09 2006-03-21 Tokyo Electron Ltd Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device
US7655316B2 (en) * 2004-07-09 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Cleaning of a substrate support
US7229001B2 (en) * 2005-01-10 2007-06-12 Wen-Tsan Wang Folding collapsible rectangular storage box
US10179351B2 (en) 2005-02-07 2019-01-15 Planar Semiconductor, Inc. Method and apparatus for cleaning flat objects with pulsed liquid jet
US7144299B2 (en) * 2005-05-09 2006-12-05 Intel Corporation Methods and devices for supporting substrates using fluids
US20070054115A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 International Business Machines Corporation Method for cleaning particulate foreign matter from the surfaces of semiconductor wafers
EP2428557A1 (en) 2005-12-30 2012-03-14 LAM Research Corporation Cleaning solution
US8480810B2 (en) 2005-12-30 2013-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for particle removal
US7723463B2 (en) * 2006-04-12 2010-05-25 Battelle Energy Alliance, Llc Polyphosphazine-based polymer materials
JP2008135557A (ja) 2006-11-28 2008-06-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20080135070A1 (en) 2006-12-12 2008-06-12 Wei Lu Method and apparatus for active particle and contaminant removal in wet clean processes in semiconductor manufacturing
JP4442911B2 (ja) * 2007-03-19 2010-03-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CA2696161A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Garry Edgington Method for protecting substrates and removing contaminants from such substrates
US20100258142A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Mark Naoshi Kawaguchi Apparatus and method for using a viscoelastic cleaning material to remove particles on a substrate

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