JP5621282B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5621282B2 JP5621282B2 JP2010050304A JP2010050304A JP5621282B2 JP 5621282 B2 JP5621282 B2 JP 5621282B2 JP 2010050304 A JP2010050304 A JP 2010050304A JP 2010050304 A JP2010050304 A JP 2010050304A JP 5621282 B2 JP5621282 B2 JP 5621282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- fluid nozzle
- processing
- processing fluid
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 187
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 57
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
そこで、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の技術では、基板表面の異物の状況に応じた洗浄処理を行うことが記載されている。
一般的に上記の洗浄処理は、基板の中心を回転軸とした回転機構で基板を回転させながら、ノズルから処理液を基板に向けて供給し、同時に該ノズルを基板全体に相対移動させて行われる。
第一に、従来の洗浄処理工程では、パーティクル数の大小に応じて洗浄処理をするかしないかが決定されるだけであり、最初の洗浄処理工程と再度の洗浄処理工程との間で工程の変更がされるわけではない。したがって、基板上に残留する異物の種類や大きさに応じた効果的な洗浄処理が必ずしもなされておらず、洗浄品質の向上に限界がある。
しかし、特許文献1に記載の方法では、装置の仕組みが大掛かりで複雑すぎることが挙げられ、多くの部分を自動制御するため実用化が困難となっている。
上記基板保持回転機構は、上記基板の中心から偏心した任意の位置を保持しその保持位置を回転軸として当該基板を水平姿勢が維持された状態で回転し、
さらに、上記基板の回転に対する処理流体ノズルの相対的な回転がゼロとなるように上記処理流体ノズルを移動させる移動手段を備え、
上記処理流体ノズルの噴射軸は、上記基板の外縁側に傾いており、
上記移動手段は、上記基板保持回転機構の回転軸と同軸の軸周りに上記処理流体ノズルを回転する機構を備えることを特徴とするものである。
次に、請求項4に記載した発明は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載した構成に対し、上記処理流体ノズルを吐出する洗浄対象位置は、異物及びマスクパターンの情報に基づいて決定されることを特徴とするものである。
上記基板の中心から偏心した所を回転軸として当該基板を水平姿勢が維持された状態で回転させると共に、当該基板の外縁側に傾けた噴射軸を有する上記処理流体ノズルを、基板の回転との相対回転がゼロとなるように上記回転軸と同軸の軸周りに回転させながら処理液を噴射させることを特徴とするものである。
次に、請求項8に記載した発明は、請求項6又は請求項7に記載した構成に対し、上記処理流体ノズルは、基板の中心に対し、基板の回転軸とは反対側に位置させることを特徴とするものである。
次に、請求項10に記載した発明は、請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載した構成に対し、上記処理流体ノズルによる洗浄は、基板の回転中心に近い位置から遠い位置に向けて順番に実施することを特徴とするものである。
さらに、異物の位置から離れた箇所を基板の回転軸として回転可能とすることで、異物に対しより大きな遠心力が生まれ、洗浄作用によって基板から離れた異物が基板上に残留することなく、速やかに基板表面外へと排除することができる。
図1は、基板処理装置の処理構成を説明するためのブロック図である。すなわち、異物測定部1、記憶装置2、制御装置3、及び洗浄処理部4を備えている。
異物測定部1は、基板上の異物を測定し、その測定結果である異物情報を記憶装置2に記憶する。制御装置3は、記憶装置2に記憶されている異物情報、すなわち、異物のサイズや位置結果に基づき、異物情報の測定結果に応じた基板洗浄工程を設定する。洗浄処理部4は、この設定された基板洗浄工程に従い、基板洗浄処理を実行する。
符号11はスピンチャックである。スピンチャック11は、基板17(たとえば半導体ウエハのような円形基板)を、ほぼ水平姿勢で且つ当該基板の任意の位置を保持し、鉛直軸線まわりに回転可能となっている。このスピンチャック11の基板回転軸12には、モータ等を含む基板回転駆動機構13からの回転力が伝達可能となっている。これにより、スピンチャック11に保持された基板17を、スピンチャック11で保持している箇所を中心として鉛直軸線まわりに回転させることができるようになっている。
次に、異物測定部1によって測定されて、記憶装置2に格納される情報に応じた洗浄工程の設定について説明する。
このとき洗浄する対象位置の順番は基板17の回転中心に近い所から処理を行う。基板17の回転中心に近い所から基板17周縁へ向けて洗浄が施されることから、基板17表面から離脱させられた異物が基板17上に残留することなく、基板17表面の洗浄を効率的に行うことができる。
さらに、異物の位置から離れた箇所を基板の回転軸として回転することで、異物に対しより大きな遠心力が生まれ、洗浄作用によって基板から離れた異物が基板上に残留することなく、速やかに基板表面外へと排除することができる。また、基板中心付近の、遠心力の影響が弱い箇所から洗浄処理を行うことで、基板表面から離脱させられた異物が、より速やかに排除され、基板表面の洗浄を効率的に行うことができる。
また、各ノズルを、基板の回転中心から半径方向に移動可能とする機構を持たせると良い。この構成を持つことで、基板上の任意の当該位置について洗浄処理を施すことができる。
また、図3のように、スピンチャック11による基板17の保持位置を変更しても良い。これによって、基板の回転軸を任意に設定することが出来る。
ノズル15,16を支持するアーム18を備え、そのアーム18を上記スピンチャック11の上方に設けたノズル回転駆動機構19によって、基板17と同方向に同じ回転速度で回転させる。図5中、符号20は異物を示し、符号21は遠心力による基板縁部に向かう流体流を示している。
また、ノズル回転駆動機構19に対するアーム18の上下角度を変更する機構を設けることでノズル15,16は、基板17の回転中心に対し半径方向に移動可能となる。
ここで、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 記憶装置
3 制御装置
4 基板処理部
11 スピンチャック
12 基板回転軸
13 基板回転駆動機構
14 超音波ノズル
15 二流体スプレーノズル
16 薬液ノズル
17 基板
18 アーム
19 ノズル回転駆動機構
20 異物
21 基板縁部に向かう流体流
Claims (10)
- 洗浄処理対象の基板を保持して回転させる基板保持回転機構と、上記基板に対しそれぞれ個別の処理流体を噴射する複数の処理流体ノズルと、を備えて、上記基板の洗浄処理を行う基板処理装置において、
上記基板保持回転機構は、上記基板の中心から偏心した任意の位置を保持しその保持位置を回転軸として当該基板を水平姿勢が維持された状態で回転し、
さらに、上記基板の回転に対する処理流体ノズルの相対的な回転がゼロとなるように上記処理流体ノズルを移動させる移動手段を備え、
上記処理流体ノズルの噴射軸は、上記基板の外縁側に傾いており、
上記移動手段は、上記基板保持回転機構の回転軸と同軸の軸周りに上記処理流体ノズルを回転する機構を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 上記移動手段は、さらに、処理流体ノズルの径方向位置を変更する機構を備えることを特徴とする請求項1に記載した基板処理装置。
- 上記処理流体ノズルは、基板の中心に対し、基板の回転軸とは反対側に位置することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載した基板処理装置。
- 上記処理流体ノズルを吐出する洗浄対象位置は、異物及びマスクパターンの情報に基づいて決定されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載した基板処理装置。
- 上記処理流体ノズルによる洗浄は、基板の回転中心に近い位置から遠い位置に向けて行うことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載した基板処理装置。
- 洗浄処理対象の基板を回転させながら、処理流体ノズルから処理流体を基板に向けて噴射することで、上記基板の洗浄処理を行う基板処理方法において、
上記基板の中心から偏心した所を回転軸として当該基板を水平姿勢が維持された状態で回転させると共に、当該基板の外縁側に傾けた噴射軸を有する上記処理流体ノズルを、基板の回転との相対回転がゼロとなるように上記回転軸と同軸の軸周りに回転させながら処理液を噴射させることを特徴とする基板処理方法。 - 上記処理流体ノズルは、上記回転軸を中心として当該中心から接近・離脱する方向に移動可能となっていることを特徴とする請求項6に記載した基板処理方法。
- 上記処理流体ノズルは、基板の中心に対し、基板の回転軸とは反対側に位置させることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載した基板処理方法。
- 上記処理流体ノズルを吐出する洗浄対象位置は、異物やマスクパターンの情報に基づいて決定されることを特徴とする請求項6〜請求項8のいずれか1項に記載した基板処理方法。
- 上記処理流体ノズルによる洗浄は、基板の回転中心に近い位置から遠い位置に向けて順番に実施することを特徴とする請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載した基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010050304A JP5621282B2 (ja) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010050304A JP5621282B2 (ja) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187614A JP2011187614A (ja) | 2011-09-22 |
JP5621282B2 true JP5621282B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=44793577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010050304A Expired - Fee Related JP5621282B2 (ja) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5621282B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5984424B2 (ja) | 2012-02-27 | 2016-09-06 | 国立大学法人京都大学 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144589A (ja) * | 1996-11-12 | 1998-05-29 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体装置の現像処理方法 |
JP2003203897A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | ノズル、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム |
JP3838945B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2006-10-25 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4523239B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2010-08-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009117422A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 基板洗浄装置 |
-
2010
- 2010-03-08 JP JP2010050304A patent/JP5621282B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011187614A (ja) | 2011-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9378988B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution | |
TWI443722B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5955601B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH09232276A (ja) | 基板処理装置および方法 | |
JP4723398B2 (ja) | スピン洗浄装置 | |
JP2018129470A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6508721B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2008091637A (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP6014313B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI522185B (zh) | Ultrasonic cleaning device and ultrasonic cleaning method | |
US20070193607A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning edges of a substrate | |
CN110957208A (zh) | 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置 | |
JP2006245381A (ja) | 基板洗浄乾燥装置および方法 | |
JP6014312B2 (ja) | 洗浄処理方法 | |
JP5621282B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100766343B1 (ko) | 기판 세정 건조 방법 | |
JP2008016781A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JPH10199852A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
TWI747060B (zh) | 處理杯單元及基板處理裝置 | |
JP4955586B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP2008171923A (ja) | ウェハ洗浄装置、ウェハ洗浄方法 | |
JP4011040B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
JP2008249854A (ja) | フォトマスクの洗浄方法 | |
JP2007222755A (ja) | スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法 | |
JP2009289803A (ja) | ウエット処理方法及びウエット処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140826 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5621282 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |