JP2002217159A - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の周辺部においても確実に汚染物
質を除去し、かつ飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下
による再汚染を防止する。 【解決手段】 洗浄位置検出手段１４はノズル１０８の
位置を検出し、洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ
近傍に吐出されるか否かを検出する。回転速度制御手段
１６は、この検出結果により洗浄液１１０の吐出位置が
ウェハー１０４のエッジ１０６近傍のとき、モーター６
を制御してウェハー１０４の回転速度を抑制する。よっ
て洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射
しても洗浄液１１０の飛散は少なく、洗浄液１１０がウ
ェハー１０４周辺に設けた覆い１１２に付着することを
抑制できる。その結果、覆い１１２に付着した洗浄液１
１０の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー１０
４の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の洗浄装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来の枚葉式ウェハー洗浄装置の
一例を示す要部断面側面図である。図７に示したよう
に、この種のウェハー洗浄装置では、回転テーブル１０
２上に平面視略円形の半導体ウェハー１０４（単にウェ
ハー１０４ともいう）を保持して回転させ、一方、ノズ
ル１０８はウェハー１０４のおおむね半径の範囲で、あ
るいはおおむね直径の範囲で、たとえば往復運動させ
る。その状態で、ノズル１０８から洗浄液１１０をウェ
ハー表面に対し吐出させ、ウェハー１０４の表面に付着
したゴミなどの汚染物質を洗い流し、ウェハー表面を洗
浄する。その際、洗浄液１１０が周辺に飛び散ることを
防止するため、ウェハー１０４を囲む覆い１１２（飛散
阻止手段）が設けられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、洗浄液１１
０がエッジ１０６近傍に吐出された場合、図８の部分拡
大側面図に矢印で示したように、洗浄液１１０はウェハ
ー１０４のエッジ１０６にあたって周囲に広く飛散す
る。そして外側に飛散した洗浄液１１０は上記覆い１１
２により遮られ、覆い１１２の内面に付着する。

【０００４】ウェハー１０４は、このような洗浄の後、
高速で回転させて乾燥させるが、そのとき生じる気流な
どにより、覆い１１２の内面に付着した洗浄液１１０Ａ
が、図７に矢印Ａで示したように、ウェハー１０４上に
落下する場合がある。この落下した洗浄液１１０に汚染
物質が含まれていた場合、乾燥後、汚染物質がウェハー
表面に残ってしまい、洗浄不良が発生する結果となる。

【０００５】この問題を回避するため、従来は洗浄液１
１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射する前にノ
ズル１０８をウェハー１０４の中心側に戻して洗浄液１
１０がエッジ部に入射しないようにし、洗浄液１１０の
飛散を抑えて、覆い１１２の内面に洗浄液１１０が付着
することを防止していた。

【０００６】図９の（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚
染状態を示す平面図、（Ｂ）は従来の方式による洗浄を
行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図であ
る。図中、個々の点が個々の汚染物質を表している。図
９の（Ａ）および（Ｂ）を比較して分かるように、洗浄
によりウェハー１０４上の汚染物質は全体として減少し
ているが、上述のように、洗浄液１１０がウェハー１０
４のエッジ部には入射しないようにしているため、ウェ
ハー１０４の周辺部（エッジ部）では汚染物質が充分に
は除去されず、高密度で残留している。

【０００７】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、半導体基板の周辺部にお
いても確実に汚染物質を除去でき、しかも飛散阻止手段
に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止した半導体
基板の洗浄装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、半導体基板を保持して回転させる基板駆動手
段と、前記半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させ
るノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前
記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定
手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置で
あって、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板
のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検
出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもと
づき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出
されるとき、前記基板駆動手段を制御して前記半導体基
板の回転速度を抑制する回転速度制御手段とを備えたこ
とを特徴とする。

【０００９】また、本発明は、半導体基板の表面に対し
て洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出さ
れた前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化
させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表
面を洗浄する装置であって、前記ノズルから吐出される
前記洗浄液の量を増減する吐出量調整手段と、前記ノズ
ルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐
出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗
浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液
が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記
吐出量調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前
記洗浄液の量を抑制させる吐出量制御手段とを備えたこ
とを特徴とする。

【００１０】また、本発明は、半導体基板の表面に対し
て洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出さ
れた前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化
させる洗浄位置設定手段と、前記ノズルから吐出される
前記洗浄液の方向を変化させる吐出方向調整手段とを含
んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前
記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近
傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記
洗浄液が前記半導体基板の少なくともエッジ近傍に吐出
されるとき、前記吐出方向調整手段を制御して前記ノズ
ルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に
対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段とを備え
たことを特徴とする。

【００１１】本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄
液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗
浄位置検出手段が検出したとき、回転速度制御手段は基
板駆動手段を制御して半導体基板の回転速度を抑制す
る。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射し
ても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺
に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることがで
きる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下
による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで
確実に洗浄することが可能となる。

【００１２】また、本発明の半導体基板の洗浄装置で
は、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍である
ことを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出量制御手
段は吐出量調整手段を制御して、ノズルから吐出される
洗浄液の量を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基
板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液
が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着するこ
とを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付
着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導
体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。

【００１３】そして、本発明の半導体基板の洗浄装置で
は、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍である
ことを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出方向制御
手段は吐出方向調整手段を制御してノズルから吐出され
る洗浄液の方向を半導体基板に対してほぼ直角に設定す
る。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射し
ても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺
に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることがで
きる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下
による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで
確実に洗浄することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明による半導体
基板の洗浄装置の一例を示す構成図である。図中、図７
と同一の要素には同一の符号が付されている。図１に示
したように、本実施の形態例の半導体基板の洗浄装置２
は、回転可能に支持されたテーブル１０２に連結されて
テーブル１０２を回転駆動し、テーブル１０２とともに
基板駆動手段を構成するモーター６と、平面視略円形の
ウェハー１０４の表面に対して洗浄液１１０を吐出させ
るノズル１０８と、ノズル１０８の位置を制御して、ノ
ズル１０８から吐出された洗浄液１１０がウェハー１０
４に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段１０と
を含んでいる。

【００１５】ノズル１０８は不図示の支持手段によっ
て、ウェハー１０４の中心を通過してウェハー１０４を
直線的に横断させるべくウェハー面に平行に移動可能に
支持され、また揺動可能に支持されている。洗浄位置設
定手段１０は、本実施の形態例では、ノズル駆動手段１
２を含み、ノズル駆動手段１２は、ノズル１０８を駆動
してウェハー１０４の直径方向に移動させる。

【００１６】本実施の形態例では、半導体基板の洗浄装
置２はさらに、洗浄位置検出手段１４および回転速度制
御手段１６を備えている。洗浄位置検出手段１４は、ノ
ズル１０８からの洗浄液１１０がウェハー１０４のエッ
ジ１０６近傍に吐出されるか否かを検出する。そして、
回転速度制御手段１６は、洗浄位置検出手段１４による
検出結果にもとづき、洗浄液１１０の、ウェハー１０４
に対する入射位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍
のとき、モーター６を制御してウェハー１０４の回転速
度を抑制する。

【００１７】次に、このように構成された半導体基板の
洗浄装置２の動作について説明する。モーター６はテー
ブル１０２を回転駆動し、テーブル１０２上に保持され
たウェハー１０４はテーブル１０２とともに回転する。
一方、洗浄位置設定手段１０のノズル駆動手段１２は、
ノズル１０８を駆動してウェハー１０４の直径方向に移
動させ、これによりノズル１０８は、ウェハー１０４の
中心を通過しウェハー１０４を直線的に横断して移動
し、ウェハー１０４のおおむね直径の範囲で往復運動を
繰り返す。その結果、ノズル１０８から吐出された洗浄
液１１０がウェハー１０４に入射する位置が変化し、ウ
ェハー表面の全体が洗浄液１１０により洗浄される。

【００１８】そして、本実施の形態例では、洗浄位置検
出手段１４は、ノズル１０８からの洗浄液１１０がウェ
ハー１０４のエッジ近傍に吐出されるか否かを、ノズル
１０８の位置を検出することにより検出する。回転速度
制御手段１６は、この検出結果にもとづき、洗浄液１１
０の入射位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍のと
き、モーター６を制御してウェハー１０４の回転速度を
抑制する。たとえば、ウェハー表面における洗浄液１１
０の、ウェハー直径方向における幅Ｗが１０ｍｍ以下の
場合、ウェハー１０４のエッジ位置を中心とする、ウェ
ハー直径方向における約±５ｍｍの範囲内に洗浄液１１
０の入射位置があるとき、回転速度制御手段１６は、ウ
ェハー１０４の回転速度を抑制すべくモーター６を制御
する。なお、洗浄液１１０は上述のように幅をもって吐
出されるが、ここで入射位置とは、洗浄液１１０がウェ
ハー１０４の表面に当たっている箇所の中心Ｃをいう。

【００１９】図２はウェハー１０４の回転速度の変化を
示すグラフである。図中、横軸はウェハー１０４の中心
からの距離を表し、縦軸は回転速度を表している。ま
た、直線Ｂはノズル１０８の移動方向および移動経路を
示している。ウェハーの半径が１００ｍｍの場合、回転
速度制御手段１６による制御の結果、ウェハー１０４
は、洗浄液１１０の入射位置が−９５ｍｍ〜９５ｍｍの
範囲内にあるときは高速に回転し、９５ｍｍから１０５
ｍｍ、および−９５〜−１０５ｍｍの範囲内あるとき
は、たとえば１／３程度の低速回転となる。

【００２０】したがって、洗浄液１１０がウェハー１０
４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少
なく、洗浄液１１０が、ウェハー１０４周辺に設けた覆
い１１２に付着することを抑えることができる。その結
果、覆い１１２に付着した洗浄液１１０の落下による再
汚染を防止でき、かつウェハー１０４の周辺部まで確実
に洗浄することが可能となる。

【００２１】図３の（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚
染状態を示す平面図、（Ｂ）は実施の形態例による洗浄
を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図であ
る。図中、個々の点が個々の汚染物質を表している。図
３の（Ａ）と（Ｂ）とを比較して分かるように、また、
従来の洗浄方式の場合を示す図９の（Ｂ）と図３の
（Ｂ）とを比較して分かるように、本実施の形態例によ
る洗浄では、ウェハー１０４の周辺部（エッジ部）にお
いても汚染物質が充分に除去されている。

【００２２】なお、洗浄位置検出手段１４による洗浄位
置の検出は、たとえば、ウェハー１０４のエッジ近傍に
スイッチを設け、ノズル１０８がエッジ部に移動したと
き、スイッチの可動部がノズル１０８に押圧されてスイ
ッチがオン・オフするようにして実現したり、あるい
は、光や音波がノズル１０８の移動により遮断さること
を利用して実現することができる。また、光や音波を利
用する場合には、ノズル１０８から吐出された洗浄液１
１０により光や音波が遮られるようにして、たとえばウ
ェハー表面に近い箇所で洗浄液１１０の吐出位置を検出
することも可能である。

【００２３】次に、本発明の第２の実施の形態例につい
て説明する。図４は本発明の第２の実施の形態例を示す
構成図である。図中、図１と同一の要素には同一の符号
が付されており、それらに関する説明はここでは省略す
る。第２の実施の形態例の半導体基板の洗浄装置１８
は、ノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の量を増
減する吐出量調整手段２０、および洗浄位置検出手段１
４により、洗浄液１１０の吐出位置がウェハー１０４の
エッジ１０６近傍であることを検出したとき、吐出量調
整手段２０を制御してノズル１０８から吐出される洗浄
液１１０の量を抑制させる吐出量制御手段２２を備えて
いる。

【００２４】この半導体基板の洗浄装置１８は次のよう
に動作する。モーター６はテーブル１０２を回転駆動
し、テーブル１０２上に保持されたウェハー１０４はテ
ーブル１０２とともに回転する。一方、洗浄位置設定手
段１０のノズル駆動手段１２は、ノズル１０８を駆動し
てウェハー１０４の直径方向に移動させ、これによりノ
ズル１０８は、ウェハー１０４の中心を通過しウェハー
１０４を直線的に横断して移動し、往復運動を繰り返
す。その結果、ノズル１０８から吐出された洗浄液１１
０がウェハー１０４に入射する位置が変化し、ウェハー
表面の全体が洗浄液１１０により洗浄される。

【００２５】そして、洗浄位置検出手段１４は、ノズル
１０８からの洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ近
傍に吐出されるか否かを、ノズル１０８の位置を検出す
ることにより検出する。吐出量制御手段２２は、この検
出結果にもとづき、洗浄液１１０の吐出位置がウェハー
１０４のエッジ１０６近傍のとき、吐出量調整手段２０
を制御してノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の
量を抑制する。

【００２６】たとえば、ウェハー表面における洗浄液１
１０の、ウェハー直径方向における幅Ｗが１０ｍｍ以下
の場合、ウェハー１０４のエッジ位置を中心とする、ウ
ェハー直径方向における約±５ｍｍの範囲内に洗浄液１
１０の吐出位置があるとき、吐出量制御手段２２は吐出
量を抑制すべく吐出量調整手段２０を制御する。ウェハ
ーの半径が１００ｍｍであるとすると、洗浄液１１０の
吐出量は、ウェハーの中心を０として洗浄液１１０の吐
出位置が−９５ｍｍ〜９５ｍｍの範囲内にあるときは通
常の吐出量であり、洗浄液１１０の吐出位置が９５ｍｍ
から１０５ｍｍ、および−９５〜−１０５ｍｍの範囲内
あるときは、たとえば１／３程度の吐出量となる。

【００２７】したがって、洗浄液１１０がウェハー１０
４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少
なく、洗浄液１１０が、ウェハー１０４周辺に設けた覆
い１１２に付着することを抑えることができる。その結
果、覆い１１２に付着した洗浄液１１０の落下による再
汚染を防止でき、かつウェハー１０４の周辺部まで確実
に洗浄することが可能となる。

【００２８】次に、本発明の第３の実施の形態例につい
て説明する。図５は本発明の第３の実施の形態例を示す
構成図である。図中、図１と同一の要素には同一の符号
が付されており、それらに関する説明はここでは省略す
る。本発明の半導体基板の洗浄装置２４は、ノズル１０
８から吐出される洗浄液１１０の方向を変化させる吐出
方向調整手段２６を含んでいる。この吐出方向調整手段
２６により、ノズル１０８の揺動角が調整され、ウェハ
ー１０４の表面状態などに応じて高い洗浄効果が得られ
るよう、ノズル１０８の姿勢は適切に傾斜させた状態に
設定され、洗浄液１１０はウェハー表面に対して斜めか
ら入射する。

【００２９】半導体基板の洗浄装置２４は、さらに、洗
浄位置検出手段１４により洗浄液１１０の入射位置がウ
ェハー１０４のエッジ１０６近傍であることを検出した
とき、吐出方向調整手段２６を制御してノズル１０８か
ら吐出される洗浄液１１０の方向をウェハー１０４に対
してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段２８を備え
ている。

【００３０】本実施の形態例では、上記実施の形態例の
場合と同様、回転するウェハー１０４に対し、直径方向
に往復運動するノズル１０８から洗浄液１１０が吐出さ
れるが、ノズル１０８は通常、洗浄効果を高めるべく、
吐出方向調整手段２６により、姿勢が傾斜した状態に設
定され、洗浄液１１０はウェハー表面に対し斜めに入射
する。

【００３１】そして、吐出方向制御手段２８は、洗浄位
置検出手段１４により洗浄液１１０の入射位置がウェハ
ー１０４のエッジ１０６近傍であることを検出したと
き、吐出方向調整手段２６を制御してノズル１０８から
吐出される洗浄液１１０の方向をウェハー１０４に対し
てほぼ直角に設定させ、洗浄液１１０をウェハー表面に
対してほぼ直角に入射させる。たとえば、ウェハー表面
における洗浄液１１０の、ウェハー直径方向における幅
Ｗが１０ｍｍ以下の場合、ウェハー１０４のエッジ位置
を中心とする、ウェハー直径方向における約±５ｍｍの
範囲内に洗浄液１１０の入射位置があるとき、吐出方向
制御手段２８は上述のように洗浄液１１０を直角に入射
させるべく吐出方向調整手段２６を通じてノズル１０８
の姿勢を制御する。

【００３２】図６は、洗浄液１１０がウェハー表面に対
して直角に入射する場合の洗浄液１１０の飛散状態を矢
印により示す部分拡大側面図である。図６と図８とを比
較すると、エッジ１０６に入射した洗浄液１１０は、斜
めに入射した場合（図８）は上方も含む広い範囲に飛散
するが、直角に入射した場合（図６）は飛散しても主に
下方に飛散する。

【００３３】したがって、洗浄液１１０がウェハー１０
４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少
なく、洗浄液１１０が、ウェハー１０４周辺に設けた覆
い１１２に付着することを抑えることができる。その結
果、覆い１１２に付着した洗浄液１１０の落下による再
汚染を防止でき、かつウェハー１０４の周辺部まで確実
に洗浄することが可能となる。

【００３４】なお、第３の実施の形態例では、洗浄液１
１０のウェハー１０４に対する入射位置は、たとえばノ
ズル１０８の位置とともに、ノズル１０８の傾斜角を用
いて正確に検出することができる。あるいは、上述のよ
うに、光や音波を用いて、ウェハー表面部で洗浄液１１
０の位置を直接検出することも可能である。

【００３５】上記実施の形態例では、いずれの場合も、
ノズル１０８を移動させて洗浄位置を変化させるとした
が、ノズル１０８は固定として、ウェハー１０４側を移
動させることで洗浄位置を変化させてもよく、その場合
にも本発明は無論有効である。また、上記実施の形態例
では平面視略円形の半導体基板を回転させて洗浄を行う
としたが、半導体基板は円形に限らず、たとえば矩形で
あっても、洗浄位置が半導体基板のエッジ１０６近傍の
とき、半導体基板の回転速度や、洗浄液１１０の吐出量
を抑制したり、洗浄液１１０の入射方向を半導体基板に
対してほぼ直角とすることで同様の効果を得ることがで
きる。

【００３６】さらに、第２および第３の実施の形態例で
は、ウェハー１０４を回転させつつ洗浄を行うとした
が、ウェハー１０４は静止させ、ノズル１０８のみを移
動させて洗浄を行う場合にも、洗浄液１１０の入射位置
が半導体基板のエッジ１０６近傍のとき吐出量を抑えた
り、入射方向を制御することで洗浄液１１０の飛散を抑
えることができ、このような場合にも本発明は有効であ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板
の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッ
ジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、
回転速度制御手段は基板駆動手段を制御して半導体基板
の回転速度を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基
板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液
が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着するこ
とを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付
着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導
体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。

【００３８】また、本発明の半導体基板の洗浄装置で
は、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍である
ことを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出量制御手
段は吐出量調整手段を制御して、ノズルから吐出される
洗浄液の量を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基
板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液
が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着するこ
とを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付
着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導
体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。

【００３９】そして、本発明の半導体基板の洗浄装置で
は、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍である
ことを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出方向制御
手段は吐出方向調整手段を制御してノズルから吐出され
る洗浄液の方向を半導体基板に対してほぼ直角に設定す
る。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射し
ても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺
に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることがで
きる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下
による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで
確実に洗浄することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体基板の洗浄装置の一例を示
す構成図である。

【図２】ウェハーの回転速度の変化を示すグラフであ
る。

【図３】（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示
す平面図、（Ｂ）は実施の形態例による洗浄を行った後
のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態例を示す構成図であ
る。

【図５】本発明の第３の実施の形態例を示す構成図であ
る。

【図６】洗浄液がウェハー表面に対して直角に入射する
場合の洗浄液の飛散状態を示す部分拡大側面図である。

【図７】従来の枚葉式ウェハー洗浄装置の一例を示す要
部断面側面図である。

【図８】洗浄液がウェハー表面に対して斜めに入射する
場合の洗浄液の飛散状態を矢印により示す部分拡大側面
図である。

【図９】（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示
す平面図、（Ｂ）は従来の方式による洗浄を行った場合
のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。

【符号の説明】

２……半導体基板の洗浄装置、６……モーター、１０…
…洗浄位置設定手段、１２……ノズル駆動手段、１４…
…洗浄位置検出手段、１６……回転速度制御手段、１８
……半導体基板の洗浄装置、２０……吐出量調整手段、
２２……吐出量制御手段、２４……半導体基板の洗浄装
置、２６……吐出方向調整手段、２８……吐出方向制御
手段、１０２……回転テーブル、１０４……半導体ウェ
ハー（ウェハー）、１０６……エッジ、１０８……ノズ
ル、１１０……洗浄液、１１２……覆い。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板を保持して回転させる基板駆
   動手段と、前記半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出
   させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液
   が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置
   設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装
   置であって、 前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ
   近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段
   と、 前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記
   洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されると
   き、前記基板駆動手段を制御して前記半導体基板の回転
   速度を抑制する回転速度制御手段とを備えたことを特徴
   とする半導体基板の洗浄装置。
2. 【請求項２】 前記半導体基板は平面視略円形であり、
   前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前
   記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記
   半導体基板の直径方向に移動させることを特徴とする請
   求項１記載の半導体基板の洗浄装置。
3. 【請求項３】 前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを
   前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段
   を含んでいることを特徴とする請求項２記載の半導体基
   板の洗浄装置。
4. 【請求項４】 前記ノズルから吐出された前記洗浄液
   の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとし
   て、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直
   径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄
   液の入射位置があるとき、前記回転速度制御手段は、前
   記半導体基板の回転速度を抑制すべく前記基板駆動手段
   を制御することを特徴とする請求項３記載の半導体基板
   の洗浄装置。
5. 【請求項５】 半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出
   させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液
   が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置
   設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装
   置であって、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量
   を増減する吐出量調整手段と、 前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ
   近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段
   と、 前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記
   洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されると
   き、前記吐出量調整手段を制御して前記ノズルから吐出
   される前記洗浄液の量を抑制させる吐出量制御手段とを
   備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
6. 【請求項６】 前記半導体基板は平面視略円形であり、
   前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前
   記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記
   半導体基板の直径方向に移動させることを特徴とする請
   求項５記載の半導体基板の洗浄装置。
7. 【請求項７】 前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを
   前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段
   を含んでいることを特徴とする請求項６記載の半導体基
   板の洗浄装置。
8. 【請求項８】 前記ノズルから吐出された前記洗浄液
   の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとし
   て、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直
   径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄
   液の入射位置があるとき、前記吐出量制御手段は、前記
   ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制すべく前記
   吐出量調整手段を制御することを特徴とする請求項７記
   載の半導体基板の洗浄装置。
9. 【請求項９】 半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出
   させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液
   が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置
   設定手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方
   向を変化させる吐出方向調整手段とを含んで前記半導体
   基板の表面を洗浄する装置であって、 前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ
   近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段
   と、 前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記
   洗浄液が前記半導体基板の少なくともエッジ近傍に吐出
   されるとき、前記吐出方向調整手段を制御して前記ノズ
   ルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に
   対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段とを備え
   たことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
10. 【請求項１０】 前記半導体基板は平面視略円形であ
    り、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出され
    た前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、
    前記半導体基板の直径方向に移動させることを特徴とす
    る請求項９記載の半導体基板の洗浄装置。
11. 【請求項１１】 前記洗浄位置設定手段は、前記ノズル
    を前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手
    段を含んでいることを特徴とする請求項１０記載の半導
    体基板の洗浄装置。
12. 【請求項１２】 前記ノズルから吐出された前記洗浄液
    の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとし
    て、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直
    径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄
    液の入射位置があるとき、前記吐出方向制御手段は、前
    記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体
    基板に対しほぼ直角に設定すべく前記吐出方向調整手段
    を制御することを特徴とする請求項１１記載の半導体基
    板の洗浄装置。