JPH0745575A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH0745575A
JPH0745575A JP20904093A JP20904093A JPH0745575A JP H0745575 A JPH0745575 A JP H0745575A JP 20904093 A JP20904093 A JP 20904093A JP 20904093 A JP20904093 A JP 20904093A JP H0745575 A JPH0745575 A JP H0745575A
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JP
Japan
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wafer
turntable
liquid
marking
rinse
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Application number
JP20904093A
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English (en)
Inventor
Hiroo Komeya
博夫 込谷
Takaaki Azuma
隆章 東
Katsuo Oshima
勝雄 大島
Toshihiro Fukumoto
利博 福元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd, Miyazaki Oki Electric Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication of JPH0745575A publication Critical patent/JPH0745575A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリコンあるいは成膜パーティクルがウエハ
上に付着するのを防止し、ブラシ洗浄等の処理工程を設
けなくてもマーキング深さを大きくすることができ、最
終プロセスでも容易にマーキングの判読が可能になる半
導体製造装置を提供する。 【構成】 ウエハ8を載せて回転するターンテーブル7
を傾斜させて設け、ウエハ8上に吐出された液体9が一
方向に流れるように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、特に
ウエハの表面にレーザー加工によりマーキングを施すレ
ーザーマーキング部を改良してなる半導体製造装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体製造装置における
マーキング部のマーキング処理は次のようになってい
る。 (1)まず、ウエハは、ウエハキャリア内に収納された
状態でエレベータユニットに載せられて上下方向よりタ
ーンテーブルの近傍まで搬送され、さらに搬送アームに
てターンテーブルに載せられ、このターンテーブル上で
センターリングユニットによりセンターリングが行われ
る。 (2)センターリング後、ウエハはターンテーブルの吸
着ユニットに真空吸着されてターンテーブルと一体に回
転する。そして、このウエハのオリエンテーションフラ
ット部がオリエンテーションフラット検出センサーによ
り検出されるとターンテーブルの回転は停止する。ま
た、微小の修正は押し当て板にて修正され、オリエンテ
ーションフラットの位置決めが終了する。 (3)位置決め終了後、近赤外レーザー光線等を用いて
ウエハ表面上あるいはオリエンテーションフラット部の
所定の位置に製品ナンバー及びウエハナンバー等を2μ
m程度の深さに刻設してマーキングを行う。 (4)そして、マーキングを終了したウエハは搬送アー
ムにて元のエレベータユニット上におけるウエハキャリ
ア内に収納される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザーマ
ーキング時にウエハに刻設されるマーキングの深さは、
余り大きくなるとシリコンあるいは成膜のパーティクル
飛散量が多くなり、これがウエハに付着して問題を生じ
る。そこで、マーキング深さを浅くして0.2〜0.3
μm程度にすることも考えられるが、余り浅くするとシ
リコンあるいは成膜のパーティクルの飛散量が少なくな
る反面、ウエハプロセスが進むにつれマーキングが薄れ
て判読しにくくなると言う問題点があった。
【0004】そこで、上述したように従来装置では、最
終プロセスでも容易にマーキングの判読が可能なよう
に、深さ2μm程度でマーキングを施すようにしている
が、シリコンあるいは成膜のパーティクルの飛散量が多
くなり、この飛散したパーティクルがウエハ全面に付着
すると言う問題があった。
【0005】このため、一般に、マーキング終了後にウ
エハを純水等で洗浄するようにしているが、ターンテー
ブルを水平にした状態で洗浄しているのでパーティクル
の付着が多い場合には純水洗浄だけではパーティクルの
全面除去が十分に行えない。そこで、ブラシ洗浄等の処
理工程が必要になり、処理工程が増える分だけコスト的
に不利になると言う問題点があった。
【0006】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はシリコンあるいは成膜パーティク
ルがウエハ上に付着するのを防止し、ブラシ洗浄等の処
理工程を設けなくてもマーキング深さを大きくすること
ができ、最終プロセスでも容易にマーキングの判読が可
能になる半導体製造装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、ターンテーブル上に載せられたウエハの表面
に所定の処理としてレーザーを照射してマーキングを施
し、その後前記ターンテーブルを回転させながら洗浄用
の液体を前記ウエハの表面上に吐出させて洗浄するよう
にした半導体製造装置において、前記ターンテーブルを
傾斜させて設け、前記ウエハ上に吐出された前記液体が
一方向に流れるように構成したものである。また、前記
洗浄用の液体を液体吐出ノズルより吐出させるようにす
るとともに、前記ターンテーブルの側面を囲ってカップ
部を設け、ウエハより落下して来る液体等を前記カップ
部で受けるようにしても良い。さらに、前記ウエハの表
面にリンス液を滴下するリンス吐出ノズルを設けるよう
にしても良い。また、さらに前記ターンテーブルの傾斜
を調整自在に行うことができるターンテーブル傾斜機構
を設けるようにしても良い。
【0008】
【作用】この構成によれば、ターンテーブルを傾斜させ
ているのでウエハ上に吐出された洗浄用の液体はウエハ
上を比較的勢い良く流れる。したがって、レーザーマー
キング時に発生したパーティクルはウエハ上に吐出され
た液体と共に流されてウエハ上に付着するのを防止する
ことができるので、マーキング深さを比較的大きくする
ことが可能になる。また、前記洗浄用の液体を液体吐出
ノズルより吐出させるようにするとともに、前記ターン
テーブルの側面を囲ってカップ部を設け、ウエハ上より
落下して来る液体等を前記カップ部で受けるようにする
と液体等の処理が簡略化できる。さらに、リンス吐出ノ
ズルを設けてリンス液を吐出させるようにした場合では
リンス効率を向上させることができる。また、さらにタ
ーンテーブル傾斜機構を設けた場合では、レーザーマー
キングを行う時に、必要な角度だけウエハ上における水
平面の角度を調整することができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例として示
す半導体製造装置におけるレーザーマーキング部の概略
構成図である。
【0010】図1において、このレーザーマーキング部
は、中心に孔1が形成されている底面4aに排気管2及
び排液管3を設けてなるカップ4と、このカップ4の下
側に配設されたモーター5及びターンテーブル傾斜機構
6と、カップ4内に配設されたターンテーブル7と、カ
ップ4の上方に配設されていてターンテーブル7上にセ
ットされたシリコンウエハ8上に例えば純水等の洗浄用
の液体9を吐出させる液体吐出ノズル10、及びこのウ
エハ8上にレーザー11を照射して製品ナンバー,ウエ
ハナンバー等のマーキングを刻設するための図示せぬレ
ーザー照射手段等で構成されており、ターンテーブル7
はウエハ8を真空吸着して保持できる構造になってい
る。
【0011】また、モーター5はターンテーブル傾斜機
構6に傾動調整可能にして保持されており、駆動軸5a
が孔1を貫通してカップ4内に突出された状態で配設さ
れている。なお、駆動軸5aと孔1との間にはターンテ
ーブル傾斜機構6によるモーター5の傾動調整を可能に
するために隙間が形成されており、この隙間で駆動軸5
aを数度(θ)程度傾けることができる。なお、この傾
動調整は図示しないが手動または自動にて行うことがで
きるようになっている。そして、駆動軸5aの先端側に
はターンテーブル7が一体回転可能に取り付けられてお
り、ターンテーブル傾斜機構6によってモーター5の傾
動調整が行われて駆動軸5aが傾くと、ターンテーブル
7も駆動軸5aと一体に傾く構造になっている。
【0012】このように構成されたレーザーマーキング
部では、ウエハ8はウエハキャリア内に収納された状態
でエレベータユニットに載せられて上下方向よりターン
テーブルの近傍まで搬送され、さらに図示せぬ搬送アー
ムによりターンテーブル7に載せられる。すると、ウエ
ハ8は、この数度(θ)程度の傾斜が持たされているタ
ーンテーブル7上に真空吸着される。
【0013】次いで、液体吐出ノズル10より液体9が
ウエハ8上に数秒間滴下され、その後モーター5が毎分
数回転で約10秒程度、ターンテーブル7及びウエハ8
と共に回転する。また、停止する場合は、ウエハ8のオ
リエンテーションフラット部がオリエンテーションフラ
ット検出センサーにより検出された位置で停止され、液
体吐出ノズル10が液体9を滴下する位置が後述するマ
ーキングが施される部分よりも下流に位置して停止す
る。
【0014】そして、モーター5が停止すると、ウエハ
8上の液体9はレーザー11のマーキング部以外に液盛
り、すなわち本実施例の場合ではレーザー11を照射し
てマーキングを行っている部分よりも下側に液体9が吐
出される位置を設けているので、マーキング部分の下流
側に液盛りがされ、同時にウエハ8の所定の位置にレー
ザー11により製品ナンバー及びウエハナンバー等が深
さ2μm程度刻設されてマーキングされる。
【0015】さらに、マーキング終了後、液体吐出ノズ
ル10より液体9をウエハ8上に吐出すると同時にモー
ター5を回転させてウエハ8上を洗浄する。このときウ
エハ8上に吐出された液体9は、ウエハ8がターンテー
ブル7と共に傾斜していることによって下流側に向かっ
て勢い良くパーティクルと共にウエハ8上の傾斜面を流
れてカップ4内に落下し、これが排液管3を通して排出
されて処理される。また、洗浄が終了次第、液体吐出ノ
ズル10からの液体9の吐出を停止する。
【0016】一方、モーター5の回転は液体9の吐出を
停止させた後も継続され、ウエハ8上の液体9を切りな
がらウエハ8の乾燥を行う。なお、この乾燥を行う場合
には、ターンテーブル傾斜機構6によるターンテーブル
7の傾斜角を無くしてターンテーブル7を水平位置まで
戻し、ターンテーブル7を水平にした状態で行うことも
できる。
【0017】また、ウエハ8の乾燥が完了すると、ウエ
ハ8は上記搬送アームにより搬出されてウエハキャリア
内に収納され、代わりに次の新たなウエハ8が搬送され
て来て同様にして処理される。
【0018】したがって、この第1の実施例の構造で
は、モーター5及びターンテーブル7と共にウエハ8を
傾斜させて、このウエハ8上における水平面の角度を調
整してマーキング部以外に液体9を滴下させることがで
きるので、ターンテーブル7を傾斜させたときにはウエ
ハ8上に吐出された洗浄用の液体9はウエハ8上を比較
的勢い良く流れることになる。これにより、レーザーマ
ーキング時に発生したパーティクルはウエハ8上に吐出
された液体9と共に流されてウエハ8上に付着するのを
防止することができるので、マーキング深さを比較的大
きくすることが可能になる。また、従来構成で行ってい
たブラシ洗浄等の作業を省略して工程数を減らすことも
可能になり、コストを下げることができる。
【0019】なお、上記第1の実施例の構造では、ター
ンテーブル7の傾斜をターンテーブル傾斜機構6により
数度の範囲で自由に調整できるようにした構造を開示し
たが、例えば図2に示すようにウエハ8が載せられるタ
ーンテーブル7の載置面をモーター5の駆動軸5aに対
して予め所定の角度(θ)傾斜させて設け、このターン
テーブル7を傾斜付ターンテーブルとし、この固定され
た傾斜角度(θ)を付与した状態で回転させる構造にし
ても差し支えないものである。したがって、図2に示す
ように傾斜角度を固定した場合では、ターンテーブル傾
斜機構を省略することができ、構造がさらに簡略化され
る。
【0020】図3は本発明の第2の実施例として示す半
導体製造装置におけるレーザーマーキング部の概略構成
図である。また、図3において図1及び図2と同一符号
を付したものは図1及び図2と同一のものを示してい
る。
【0021】そして、図1に示した第1の実施例におけ
るレーザーマーキング部と第2の実施例におけるレーザ
ーマーキング部と大きく異なる点は、ターンテーブル7
上にセットされたウエハ8上に純水等の液体9を吐出さ
せる液体吐出ノズル10と並置させて、同じくウエハ8
上に例えばイソ・プロピル・アルコール(I.P.A)
等のリンス液を吐出させるリンス吐出ノズル12を設け
た点にある。なお、このリンス吐出ノズル12がリンス
液を滴下する位置は、液体吐出ノズル10と同様に、リ
ンス液を滴下する位置が後述するマーキングが施される
部分よりも下流に位置して、このリンス液が滴下された
ときにマーキングが施される部分に流れ込まない位置に
設けられている。
【0022】次に、この第2実施例におけるレーザーマ
ーキング部の動作を説明すると、ウエハ8はウエハキャ
リア内に収納された状態でエレベータユニットに載せら
れて上下方向よりターンテーブルの近傍まで搬送され、
さらに図示せぬ搬送アームによりターンテーブル7に載
せられる。すると、ウエハ8は、この数度(θ)程度の
傾斜が持たされているターンテーブル7上に真空吸着さ
れる。
【0023】次いで、液体吐出ノズル10より液体9が
ウエハ8上に数秒間滴下され、その後モーター5が毎分
数回転で約10秒程度、ターンテーブル7及びウエハ8
と共に回転する。
【0024】そして、モーター5が停止すると、ウエハ
8上の液体9はレーザー11のマーキング部以外に液盛
り、すなわち本実施例の場合においてもレーザー11を
照射してマーキングを行っている部分よりも下側に液体
9が吐出される位置を設けているので、マーキング部分
の下流側に液盛りがされ、同時にウエハ8の所定の位置
にレーザー11により製品ナンバー及びウエハナンバー
等が深さ2μm程度刻設されてマーキングされる。
【0025】さらに、マーキング終了後、液体吐出ノズ
ル10より液体9をウエハ8上に吐出すると同時にモー
ター5を回転させてウエハ8上を洗浄する。このとき、
ウエハ8上に吐出された液体9は、ウエハ8がターンテ
ーブル7と共に傾斜していることによって下流側に向か
って勢い良くパーティクルと共にウエハ8上の傾斜面を
流れてカップ4内に落下し、これが排液管3を通して排
出されて処理される。また、洗浄が終了次第、液体吐出
ノズル10からの液体9の吐出を停止する。
【0026】次いで、リンス吐出ノズル12よりリンス
液をウエハ8上に吐出すると同時にモーター5を回転さ
せてウエハ8上をリンスする。このときウエハ8の傾斜
面を流れ下るリンス液はカップ4内に落下し、これが排
液管3を通して排出されて処理される。
【0027】また、リンス時間が終了すると、リンス吐
出ノズル12からのリンス液の吐出を停止する。
【0028】一方、モーター5の回転はリンス液の吐出
を停止させた後も継続され、リンス等を切りながらウエ
ハ8の乾燥を行う。なお、この乾燥を行う場合には、タ
ーンテーブル傾斜機構6によるターンテーブル7の傾斜
角を無くしてターンテーブル7を水平位置まで戻し、タ
ーンテーブルを水平にした状態で行うこともできる。
【0029】また、ウエハ8の乾燥が完了すると、ウエ
ハ8は上記搬送アームにより搬出されてウエハキャリア
内に収納され、代わりに次の新たなウエハ8が搬送され
て来て同様にして処理される。
【0030】したがって、この第2の実施例の構造で
は、モーター5及びターンテーブル7と共にウエハ8を
傾斜させて、このウエハ8上における水平面の角度を調
整してマーキング部以外に液体9を滴下させることがで
きるので、ターンテーブル7を傾斜させたときにはウエ
ハ8上に吐出された洗浄用の液体9はウエハ8上を比較
的勢い良く流れることになる。これにより、レーザーマ
ーキング時に発生したパーティクルはウエハ8上に吐出
された液体9と共に流されてウエハ8上に付着するのを
防止することができるので、マーキング深さを比較的大
きくすることが可能になる。また、従来構成で行ってい
たブラシ洗浄等の作業を省略して工程数を減らすことも
可能になる。さらに、リンス吐出ノズル12を設けてリ
ンス液を吐出させるようにしているのでリンス効率も向
上する。
【0031】なお、上記第2の実施例の構造では、ター
ンテーブル7の傾斜をターンテーブル傾斜機構6により
数度の範囲で自由に調整できるようにした構造を開示し
たが、例えば図4に示すようにウエハ8が載せられるタ
ーンテーブル7の載置面をモーター5の駆動軸5aに対
して予め所定の角度(θ)傾斜させて設け、このターン
テーブル7を傾斜付ターンテーブルとして形成し、この
固定された傾斜角度(θ)を付与した状態で回転させる
構造にしても差し支えないものである。したがって、図
4に示すように傾斜角度を固定した場合では、ターンテ
ーブル傾斜機構を省略することができ、構造がさらに簡
略化される。また、リンス吐出ノズル12は、1本だけ
でなく複数本設けて各々からリンス液を吐出させるよう
にしてリンス時間を短縮させることも可能である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体製造装置によれば、ターンテーブルを傾斜させている
のでウエハ上に吐出された洗浄用の液体はウエハ上を比
較的勢い良く流れ、レーザーマーキング時等に発生した
パーティクルはウエハ上に吐出された液体と共に流され
てウエハ上に付着するのを防止することができる。ま
た、従来構成で行っていたブラシ洗浄等の作業を省略し
て工程数を減らすことも可能になり、コストを下げるこ
とができる。さらに、前記洗浄用の液体を液体吐出ノズ
ルより吐出させるようにするとともに、前記ターンテー
ブルの側面を囲ってカップ部を設けて、ウエハ上に落下
して来る液体等を前記カップ部で受けるようにした場合
には液体等の処理が簡略化できる。また、さらにリンス
吐出ノズルを設けてリンス液を吐出させるようにした場
合ではリンス効率を向上させることができる。さらに加
えて、ターンテーブル傾斜機構を設けた場合では、レー
ザーマーキングを行う時に、必要な角度だけウエハ上に
おける水平面の角度を調整することができる等の効果が
期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例として示す概略構成図で
ある。
【図2】上記第1の実施例の一変形例として示す概略構
成図である。
【図3】本発明の第2の実施例として示す概略構成図で
ある。
【図4】上記第2の実施例の一変形例として示す概略構
成図である。
【符号の説明】
4 カップ 5 モーター 6 ターンテーブル傾斜機構 7 ターンテーブル 8 ウエハ 9 純水(洗浄用液体) 10 液体(純水)吐出ノズル 11 レーザー 12 リンス吐出ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大島 勝雄 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 福元 利博 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ターンテーブル上に載せられたウエハに
    所定の処理を施し、その後前記ターンテーブルを回転さ
    せながら洗浄用の液体を前記ウエハの表面上に吐出させ
    て洗浄するようにした半導体製造装置において、 前記ターンテーブルを傾斜させて設け、前記ウエハ上に
    吐出された前記液体が一方向に流れるように構成したこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 前記洗浄用の液体を液体吐出ノズルより
    吐出させるようにするとともに、前記ターンテーブルの
    側面を囲ってカップ部を設けた請求項1に記載の半導体
    製造装置。
  3. 【請求項3】 前記ウエハの表面にリンス液を滴下する
    リンス吐出ノズルを設けた請求項1または2に記載の半
    導体製造装置。
  4. 【請求項4】 前記ターンテーブルの傾斜を調整可能に
    するためのターンテーブル傾斜機構を設けた請求項1乃
    至3の中の何れか1つに記載の半導体製造装置。
JP20904093A 1993-07-30 1993-07-30 半導体製造装置 Pending JPH0745575A (ja)

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JP20904093A JPH0745575A (ja) 1993-07-30 1993-07-30 半導体製造装置

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JP20904093A JPH0745575A (ja) 1993-07-30 1993-07-30 半導体製造装置

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JPH0745575A true JPH0745575A (ja) 1995-02-14

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ID=16566265

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20904093A Pending JPH0745575A (ja) 1993-07-30 1993-07-30 半導体製造装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000034992A1 (fr) * 1998-12-07 2000-06-15 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede et appareil de traitement de plaquettes
WO2002101808A1 (fr) * 2001-06-11 2002-12-19 Kabushikikaisha Tsukuba Semi Technology Dispositif de nettoyage/traitement pour element non traite et procede de nettoyage/traitement
JP2008171923A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Sharp Corp ウェハ洗浄装置、ウェハ洗浄方法

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