JPH0747324A - 塗布方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回転遠心力を利用せずにレジスト液を半導体
ウエハＷ表面に塗布できて、表面に段差が付いているウ
エハであっても、レジスト膜厚さの均一性の向上が図れ
る塗布装置を提供することにある。 【構成】 半導体ウエハＷを支持する載置台３７と、こ
のウエハＷ表面にレジスト液Ｐを供給する滴下ノズル４
１及びこの移動機構４３と、ウエハＷ表面に対し小間隙
を存し移動してレジスト液ＰをウエハＷ表面に薄く押し
拡げるように塗布するスキャナープレート４５と、この
スキャナープレートの直ぐ後に追従する状態に移動しな
がらエア圧により塗膜をウエハＷ表面に均等に押圧する
スリット状ノズル４６とを備えてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体やＬＣＤ
基板などの製造工程において、ウエハやガラス板にレジ
スト膜などの薄膜を塗布形成するのに利用される塗布方
法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、一般に、半導体デバイスやＬＣ
Ｄ基板などの製造工程では、半導体ウエハやガラス板に
レジスト液を塗布し、この塗膜にフォトリソグラフィー
技術を用いて所定の回路パターンを転写し、現像処理す
ることなどが行われている。その半導体ウエハ等にレジ
スト膜等の薄膜を塗布形成するレジスト塗布手段として
は、スピンコート方式がある。

【０００３】このスピンコート方式では、図１０に示す
如き回転塗布装置（スピンナー）が用いられる。この構
成は、例えば、装置箱１内に塗布ケース（カップ）２が
設けられ、この塗布ケース２内に被塗布物としての半導
体ウエハ（以下単にウエハと称する）Ｗを真空チャック
して水平状態に支持するスピンヘッド３が回転軸４とモ
ータ５により回転駆動可能に設けられている。

【０００４】また、塗布液であるレジスト液の供給手段
として、ノズル待機部６に複数種の塗布液供給ホース７
付き滴下ノズル８が備えられ、これらの滴下ノズル８を
選択的に把持して前記スピンヘッド３上のウエハＷ中央
に移動せしめるノズルスキャンアーム９が設けられてい
る。

【０００５】この滴下ノズル８によりウエハＷ上面の中
心に真上からレジスト液を滴下すると共に、スピンヘッ
ド３をウエハと一緒に回転させ、この回転遠心力により
レジスト液をウエハＷ上面全域に略均一に拡散塗布して
レジスト膜を形成するようになっている。

【０００６】なお、そのスピンコーティング時に、ウエ
ハＷ上面の余剰のレジスト液が該ウエハの回転により周
囲に飛散する。この飛散液は周囲を取り囲む塗布ケース
２内に捕集して底部の廃液管１０から外部に排出処理す
る。

【０００７】さらに、その飛散したレジスト液の一部は
塗布ケース２内面に衝突して微細な飛沫となり、またレ
ジスト液の一部はウエハＷ上面から微細な飛沫となって
飛び散り、これら飛沫がウエハの回転に伴う気流により
霧状に舞え上がり、再びウエハ上面に落下付着すると、
以後のウエハ処理の支障となり、半導体デバイスの製造
不良等を生じ歩留まり低下の原因となる。

【０００８】従って、その防止対策として、通常では、
塗布ケース２内の底部に排気ダクト１１を接続してお
き、この排気ダクト１１から塗布ケース２内の霧状の飛
沫液を強制的に外部へ吸引排気するようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した構
成の従来の回転塗布装置を用いたスピンコート方式で
は、レジスト液を回転遠心力でウエハＷの表面全域に拡
散塗布してレジスト膜を形成した場合、そのウエハＷの
表面が平坦であれば均一な厚さのレジスト膜が得られる
が、そのウエハＷの表面に段差（凹凸）が付いている状
態、つまり既に幾層かの回路パターンを盛り重ねて形成
したチップＣ（図３参照）が縦横に多数整列配置して存
在する状態では、スピンコーティングによるレジスト膜
の膜厚の均一性が悪い。

【００１０】この要因としては、スピンコーティング
時、ウエハＷ表面に拡散塗布されたレジスト液が、段差
付きの各チップＣ上にて回転遠心力によりウエハ回転中
心から外方向並びに反回転方向に押し寄せられながら、
凹凸の流れ易い所に流れる。このために、レジスト膜Ｔ
は図５（ｂ）に示す如く、ウエハＷ表面の各チップＣの
凸部頂面では遠心力により飛ばされ易く膜厚Ａが非常に
薄い、凹部内では逆にレジスト液が流れ込んで溜まり易
く膜厚Ｂが非常に厚い。また、その凹部内での膜厚Ｂも
遠心力方向が厚くなる一種のストレスを持つ状態とな
る。

【００１１】しかも、各チップＣ内での膜厚は、ウエハ
Ｗの反回転方向に位置する例えば右側（Ｒ側）が厚く、
その反対の左側（Ｌ側）が薄いと言った如く膜厚に差が
生じる。その膜厚差の発生は回転周速の関係から、ウエ
ハの回転中心寄り（中央側）のチップよりも外周寄りの
チップの方が顕著となる。更にウエハが例えば６インチ
から８インチへと大口径化する程その膜厚の差が大きく
不均一となる。

【００１２】特に、図３に二点鎖線で囲った如くウエハ
Ｗ表面の半径方向に対し直角とならずに傾いた状態に配
列するチップ群Ｃ′においては、回転遠心力でウエハＷ
の中心方から外方にレジスト液が均等に流れ難いので、
こうした箇所のチップＣ内の膜厚の差が大きい。

【００１３】また、ウエハＷの回転による通風作用によ
り、外側の方が内側よりもレジスト液が早く流動性を失
う程度に乾燥し、この上に内側方の未乾燥のレジスト液
が流れて来て乗っかると言った現象が起きて膜厚に差が
発生する。

【００１４】こうしたことから、回転遠心力により段差
付きのウエハＷ表面に拡散塗布されたレジスト膜は、ウ
エハＷ面内及び各チップＣ内での塗膜厚の均一性が悪い
問題があった。

【００１５】本発明は前記事情に鑑みなされ、その目的
とするところは、表面に段差が付いている被塗布物であ
っても、塗膜厚さの均一性の向上が図れる塗布方法及び
その装置を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の塗布方法は、前
記目的を達成するために、被塗布物表面の塗布液を載
せ、この塗布液を被塗布物表面に対しスキャナープレー
トで薄く押し拡げるようにして塗布すると共に、この塗
膜を該スキャナープレートの直ぐ後に追従するスリット
状ノズルから吹き出すエア圧で塗布物表面に均等に押圧
することを特徴とする。

【００１７】本発明の塗布装置は、前記目的を達成する
ために、被塗布物を支持する支持手段と、この被塗布物
表面に塗布液を供給する塗布液供給手段と、被塗布物表
面に対し小間隙を存し移動して前記塗布液を被塗布物表
面に薄く押し拡げるように塗布するスキャナープレート
と、このスキャナープレートの直ぐ後に追従する状態に
移動しながらエア圧により塗膜を被塗布物表面に均等に
押圧するスリット状ノズルとを備えてなる。

【００１８】

【作用】前記構成の塗布方法及びその装置によれば、従
来のスピンコート方式の如く回転遠心力のような偏った
力が塗布液に作用せず、被塗布物表面に供給された塗布
液がスキャナープレートで該被塗布物表面に薄く押し拡
げられて塗布されると共に、この塗膜が該スキャナープ
レートの直ぐ後に追従するスリット状ノズルから吹き出
すエア圧で塗布物表面に均等に押圧されるので、表面に
段差が付いている被塗布物であっても、塗膜厚さの均一
性の向上が図れるようになる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の塗布方法並びにその装置の実
施例を添付図１乃至図６に基づいて詳述する。なお、図
１は本発明の塗布装置の一実施例を示す断面図、図２は
同装置の要部の斜視図、図３は同要部の水平断面図、図
４は同要部の縦断面図、図５は本発明により段差付き被
塗布物表面に塗布した塗膜状況を従来のスピンコート方
式のものと比較して示す拡大断面図、図６は本発明の塗
布装置を装備した処理システムの概略構成を示す斜視図
である。

【００２０】本実施例では塗布装置として、例えば被塗
布物としての半導体ウエハにレジスト膜を形成するレジ
スト塗布装置２１を例示する。なおまず、このレジスト
塗布装置２１を装備した半導体処理システム２０を図６
により説明する。

【００２１】この半導体処理システム２０は、一端側に
多数枚の半導体ウエハＷを収容したキャリア（カセッ
ト）を搬入するキャリアステーション（ローダ部）２２
が設けられていると共に、ここからウエハＷを一枚ずつ
取り出して搬送する２基の移載アーム２３がそれぞれ中
央部長手方向に亘る移送路２４に沿って移動可能に設け
られている。

【００２２】この移送路２４の両側に各種の処理装置が
配設されている。即ち、移送路２４の一側には、一端側
から順に、ウエハを洗浄するブラシ洗浄装置２６と、高
圧ジェット洗浄装置２７と、ウエハ表面を疎水化処理す
るアドヒージョン装置２８並びにクーリング装置２９が
設置され、更にホットプレートオーブンのような加熱装
置３０が複数配設されている。

【００２３】また、それらと対向する他側には、一端側
から順に本発明に係わるレジスト塗布装置２１と、ウエ
ハ周辺（エッジ部）のレジスト除去装置３２と、２台の
現像装置３３が列設されている。この現像装置３３の更
に他端方に図示しないがレジスト膜に所定の微細回路パ
ターンを露光するステッパ等の露光装置が設置されてい
る。

【００２４】こうのような半導体処理システム２０に組
み込まれた前記レジスト塗布装置１２の構成を図１によ
り述べる。なお、図中矢印Ｘが前方を、矢印Ｙが後方を
示している。このレジスト塗布装置２１は筐体状の外囲
フレーム３５を備え、この内部に一般にカップと称され
る塗布ケース３６が設けられ、その内部にウエハＷを支
持する支持手段として載置台３７が設置されている。

【００２５】前記塗布ケース３６は、載置台３７外周を
覆う大径なカップ形状で、底壁３６ａが前下がりに傾斜
し、この斜降側部（前端側部）に余剰レジスト液を排出
する廃液管２８が接続されている。

【００２６】前記載置台３７は、ウエハＷより少し小径
な円盤状をなし、脚３７ａにより固定支持されている。
この載置台３７上面に外囲フレーム３５の例えば背面側
から前記図５に示した移載アーム２３により搬入されて
来るウエハＷを真空チャックして水平状態に位置決め保
持する。なお、ウエハＷは載置台３７上に前記移載アー
ム２３によりオリフラ合わせして常に一定向きで同心位
置に移載される。つまり、例えば図３に示す如くウエハ
Ｗのオリフラ部Ｆと直交する中心線ＯがＸ，Ｙで示す前
後方向と平行となる向きで載置台３７と同心位置に載置
される。

【００２７】前記外囲フレーム３５内の前面側には、塗
布液供給手段として、塗布液であるレジスト液を溶解す
る溶媒を収容したソルベントバスを有するノズル待機部
４０が設けられ、このノズル待機部４０に複数種の滴下
ノズル４１がそれぞれ脱着可能に差し込んだ状態に載置
されている。

【００２８】これら各滴下ノズル４１には塗布液供給ホ
ース４２がそれぞれ接続され、このホース４２を介し図
示しない塗布液貯溜源より必要に応じてレジスト液を供
給できるようになっている。また、その滴下ノズル４１
を移動せしめる移動機構４３が設けられている。

【００２９】この移動機構４３はアーム先端にノズル把
持部を有すると共に、図示しない駆動モータを介しガイ
ドレールに沿って前後方向に往復移動する構成で、前記
ノズル待機部４０上の複数種の塗布液滴下ノズル４１を
選択的に一個ずつ把持して前記ウエハＷ上に移動させた
り、元のノズル待機部４０上に戻したりする。

【００３０】なお、この移動機構４３にはウエハＷの存
否並びにオリフラ部Ｆ位置を検出する光センサー等の検
知器４４が設けられ、この検知信号を制御器で受けて該
移動機構４３を制御し、滴下ノズル４１を載置台３７上
のウエハＷのオリフラ部Ｆ（後端）近傍位置上方に移動
してレジスト液を図１及び図３に符号Ｐで示す如く液盛
り状態に所要量滴下させるようになている。

【００３１】一方、前記塗布ケース３６の上側にはウエ
ハＷ表面に対し小間隙を存し移動して前記レジスト液Ｐ
を該ウエハＷ表面に薄く押し拡げるように塗布するスキ
ャナープレート４５と、このスキャナープレート４５の
直ぐ後に追従する状態に移動しながらエア圧により塗膜
（レジスト膜）ＴをウエハＷ表面に均等に押圧するスリ
ット状ノズル４６とが備えてられている。

【００３２】つまり、図２乃至図４に示す如く、スキャ
ナープレート４５は一枚の真っ直ぐな横長薄板状のもの
で、スリット状ノズル４６は横長なエア供給ヘッダーブ
ロック４６ａと、このヘッダーブロック４６ａ下部に連
設された互いに微細隙間を存する前後一対の横長板状ブ
ロック４６ｂ，４６ｃとよりなる。そのヘッダーブロッ
ク４６ａにコンプレッサ等からの圧搾エアを供給するエ
ア供給ホース４７が複数本適当間隔を存して接続され、
そのエアがヘッダーブロック４６ａ内で長手方向に亘り
均等圧に分散して、前後の横長板状ブロック４６ｂ，４
６ｃ間の微細隙間即ち、横長で真っ直ぐなスリット状吹
出口４６ｄより下側に吹出す構成である。

【００３３】前記スリット状ノズル４６の上縁部とスキ
ャナープレート４５の上縁部との間には両者の長手方向
に沿って間隙部ｇが形成されており、この間隙部ｇに沿
って細長い角筒状の吸込みヘッダー４５ａが設けられて
いる。この吸込みヘッダー４５ａの長手方向の一端部に
はエア配管４５ｂを介して吸込みポンプ等のエア吸引源
（図示しない）に連通している。また、吸込みヘッダー
４５ａの底面には長手方向に亘ってスリット状のエア吸
込み孔４５ｃが形成されており、前記スリット状吹き出
し口４６ｄから吹き出されたエアの一部を吸引し、スリ
ット状ノズル４６とスキャナープレート４５との間の間
隙部ｇにエアが滞留するのを防止でき、レジスト膜に影
響を与える事なく、より一層均一なレジスト膜の塗布処
理ができる。なお、エア吸込み孔４５ｃはスリット状に
限らず、吸込みヘッダー４５ａの底面には長手方向に亘
って多数の透孔を設けたものでもよい。

【００３４】また、前記スキャナープレート４５とスリ
ット状ノズル４６とは、結合部材４８により互いに前後
に隣接する状態に結合して一体化され、この状態で移動
手段としてのスキャン機構５０の支持アーム５１下端に
取付け支持されている。このスキャン機構５０は、上方
高い位置に横設したガイド５２に支持アーム５１を支持
して図示しない駆動モータにより前後方向に往復移動す
る構成である。この支持アーム５１の移動でスキャナー
プレート４５とスリット状ノズル４６とが載置台３７上
のウエハＷ上側をこの中心線Ｏ上に沿ってＸ方向に前進
並びにＹ方向に後退（復帰）移動するようになってい
る。

【００３５】これらスキャナープレート４５とスリット
状ノズル４６とは、ウエハＷ表面全域にレジスト膜Ｔを
均一に塗布するのに最適な設定されている。つまり、ま
ず、これらスキャナープレート４５とスリット状ノズル
４６とは、ウエハＷ表面全域をスキャンできるように、
該ウエハＷの最大直径より十分長い寸法を持ち、それぞ
れの両端側が図３に示すようにウエハＷより食み出す。

【００３６】また、スリット状ノズル４６はウエハＷの
表面に真上から直角にエアを吹き付けるべく垂直に保持
されている。その前側のスキャナープレート４５は少し
前傾した傾斜状態に保持されている。

【００３７】しかも、図４に示す如く、スキャナープレ
ート４５の下端エッジとウエハＷ表面との間隔Ｇは０．
２〜１mm程度、このスキャナープレート４５の下端エッ
ジとスリット状ノズル４６の下端スリット状吹出口４６
ｄと距離Ｈは０〜５mm程度、そのスリット状ノズル４６
の下端スリット状吹出口４６ｄとウエハＷ表面との間隔
Ｋは０．２〜２mm程度、そのスリット状吹出口４６ｄの
幅Ｌは０．２mm程度で、こうした各数値の範囲内でレジ
スト液の粘度や形成膜厚に応じて適当に設定されてい
る。

【００３８】こうした構成のレジスト塗布装置（回転塗
布装置）２１を用いた半導体処理システム２０において
は、まず、図６に示した如くキャリアステーション２２
に搬送されたキャリア内のウエハＷを移載アーム２３で
取り出してブラシ洗浄装置２６と高圧ジェット洗浄装置
２７に順次搬入する。そこでウエハＷをブラッシング洗
浄並びに高圧ジェット洗浄し、それを例えばスピン乾燥
した後、アドヒージョン装置２８に搬入してウエハＷ表
面を疎水化処理する。次にそのウエハＷをクーリング装
置２９にて冷却した後、本発明のレジスト塗布装置２１
搬入し、ここでウエハＷ上面にレジスト液を塗布してフ
ォトレジスト膜を形成する。

【００３９】そして、そのウエハＷは加熱装置３０に搬
入してプレベークして、図示しない露光装置にて所定の
微細回路パターンをフォトレジスト膜に露光する。こう
した後にウエハＷは現像装置３３に搬入して現像液によ
り現像し、且つリンス液により現像液を洗い流す。こう
して現像処理を完了したウエハＷはキャリアステーショ
ン２２のキャリア内に戻して次の処理工程に搬送する。
なお、上記ウエハＷの各種処理装置への搬入手順は単な
る一例に過ぎない。

【００４０】ここで、前記レジスト塗布装置２１におけ
るレジスト膜の塗布作用・方法について説明する。まず
図１に示す移動機構４３が前方（Ｘ方向）に退避すると
共に、スキャナープレート４５とスリット状ノズル４６
とがスキャン機構５０により後方（Ｙ方向）後退した状
態で、載置台３７上面に前記移載アーム２３によりウエ
ハＷがオリフラ合わせ並びに中心合わせして移載され
て、真空チャックにより位置決め保持される。

【００４１】この状態で、移動機構４３がノズル待機部
４０上の所定の滴下ノズル４１を把持し、そのまま該滴
下ノズル４１を載置台３７上のウエハＷのオリフラ部Ｆ
（後端）近傍位置上方に移動させ、そこで滴下ノズル４
１によりウエハｗ上面後端より部にレジスト液Ｐを図１
乃至図４に示す如く液盛り状態に所要量滴下する。

【００４２】そして、その滴下ノズル４１は移動機構４
３と共に素早く退避すべう前方（Ｘ方向）に移動すると
同時に、後方（Ｙ方向）から互いに一体化されたスキャ
ナープレート４５とスリット状ノズル４６とがスキャン
機構５０により所定の速度でＸ方向に前進移動すると共
に、そのスリット状ノズル４６からエアを連続して吹き
出す。

【００４３】これにて、前記ウエハＷ上面の液盛り状態
のレジスト液Ｐが、図４に示す如く、スキャナープレー
ト４５の下端エッジ部により該ウエハＷ表面に薄く押し
拡げられて塗布されて行くと共に、この塗膜（レジスト
膜）Ｔが該スキャナープレート４５の直ぐ後に追従する
スリット状ノズル４６のスリット状吹出口４６ｄから真
下に吹き出すエア圧でウエハＷ表面に均等に押圧されて
更に押し伸ばされながら乾燥されて行く。これで、レジ
スト膜ＴはウエハＷ表面に多数整列するチップＣなどの
如く段差が付いている場合でも、図５（ａ）に示す如く
全面に亘り略均一な膜厚となり、図５（ｂ）に示す従来
の回転遠心力でレジスト液を拡散塗布する方式による塗
膜Ｔと比べ、膜厚の均一性の大幅な向上が図れるように
なる。

【００４４】この際、スリット状ノズル４６のスリット
状吹出口４６ｄから吹き出すエア流量（圧力）は３０〜
３００リットル／min 程度、スキャンスピードは１〜３
０mm／sec 程度が最適である。そのエア吹出し流量が少
ない（３０リットル／min 以下）と、押し拡げられたレ
ジスト液Ｐが表面張力により逆流する如く戻ってしま
い。逆にエア吹出し流量が多い（３００リットル／min
以上）と、エアがウエハＷ表面とスキャナープレート４
５との間から前方に抜けてレジスト液Ｐ溜まりを先に乾
燥してしまい。また、スキャンスピードが早すぎるとレ
ジスト膜Ｔに縦縞模様の凹凸が発生し、遅すぎるとレジ
スト膜Ｔに横縞模様の凹凸が発生するなど、膜厚の均一
性を確保することが難しい。

【００４５】また、ウエハＷ周囲に押し出された余剰レ
ジスト液は塗布ケース３６内底部の廃液管３８より図示
しないミストトラップを介して外部に排出処理する。次
に、本発明の他の実施例を図７乃至図９により説明す
る。まず、図７及び図８は、前記図６の半導体処理シス
テム２０に代えて、主にＬＣＤ基板にレジスト膜を形成
するレジスト塗布処理システム６０を示すもので、一端
側に多数枚のＬＣＤ基板を収容したキャリア（カセッ
ト）を搬入するキャリアステーション（ローダ部）６１
が設けられていると共に、ここからＬＣＤ基板を一枚ず
つ取り出して搬送する移載アーム６２が中央部長手方向
に亘る移送路６３に沿って移動可能に設けられている。

【００４６】この移送路６３の両側に各種の処理装置が
配設されている。即ち、移送路６３の一側には、ＬＣＤ
基板表面を疎水化処理するアドヒージョン装置６４が設
置され、他側には、クーリング装置６５と、本発明のレ
ジスト塗布装置６６と、ホットプレートオーブンのよう
な加熱装置６７が順番に列設して配設されている。その
クーリング装置６５から加熱装置６７に亘ってＬＣＤ基
板Ｗを順次移動する移動機構６８が設けられている。

【００４７】この移送機構６８は、ＬＣＤ基板Ｗを搭載
する左右一対の支持アーム６９と、これらを移動させる
ボールスクリュ７０ｘとで構成されいる。なお、そのボ
ールスクリュ７０ｘは図示しない駆動モータにより正逆
回転駆動される。また、左右の支持アーム６９は図示し
ない上下機構により所定ストローク上下動可能な構成で
あうる。

【００４８】即ち、レジスト塗布処理システム６０は、
移載アーム６２によってＬＣＤ基板Ｗがクーリング装置
６５に移載されて、そこでクリーニング処理されると、
このＬＣＤ基板Ｗを移送機構６８の左右の支持アーム６
９で支持して、そのままのレジスト塗布装置６６の下側
に移送する。その支持アーム６９でＬＣＤ基板Ｗを支持
した状態のまま、この上側のレジスト塗布装置６６でレ
ジスト液の塗布を行い、この後に、再度移送機構６８に
より加熱装置６７に移送させ、そこで加熱処理する。こ
のベーキング終了後に、前記移載アーム６２がＬＣＤ基
板Ｗを受け取って搬出するようになる構成である。

【００４９】このようにクーリング装置６５とレジスト
塗布装置６６と加熱装置６７を順番に直列的に列設した
システム構成であれば、ＬＣＤ基板Ｗの移送方式が単純
化できて、レジスト塗布処理の効率アップとシステム全
体の小スペース化が図れるようになる。

【００５０】こうのようなレジスト処理システム６０の
移送機構６８の支持アーム６９上に支持されたＬＣＤ基
板Ｗ表面にレジスト液Ｐを塗布するレジスト塗布装置６
６の構成を図９により述べる。なお、ここで図示してい
ない構成部分は前記図１で述べたと略同様であるので説
明を省略する。

【００５１】まず、このレジスト塗布装置６６は、スキ
ャナープレート７０と、スリット状ノズル７１とを備え
ている。ここで、前記スリット状ノズル７１は前記実施
例のものと同様であるが、スキャナープレート７０は、
図示の如く、該スリット状ノズル７１を包み込むよう
に、その前後両側に対称的に設けられている。

【００５２】この前後のスキャナープレート７０は、互
いに逆ハの字形となるようにそれぞれ下部が斜めに屈曲
されて、互いの下端（先端）がスリット状ノズル７１の
スリット状吹出口７１ｄの真下近傍にスリット状開口７
２を形成する構成とされている。このスリット状開口７
２は１〜５mm幅で、ＬＣＤ基板Ｗ表面からの距離が０．
２〜１mm程度に接近する状態とされている。なお、スリ
ット状ノズル７１のスリット状吹出口７１ｄのＬＣＤ基
板Ｗ表面からの距離は０．２〜８mm程度である。

【００５３】また、その前後のスキャナープレート７０
の屈曲下部の少し上側部位には横方向に長く亘って２〜
１０mm幅のスリット状のエア逃げ穴７３がそれぞれ形成
されている。更に、そのエア逃げ穴７３の外側には、該
エア逃げ穴７３から吹き出したエアがＬＣＤ基板Ｗ表面
のレジスト塗膜に影響を与えないように、ガードボード
７４が前後対称的に互いに逆ハの字形に斜めに拡開した
状態で設けられている。その拡開角度は１５〜６０度程
度の範囲内に設定されている。

【００５４】さらに、前記スリット状ノズル７１の左右
両側縁部とスキャナープレート７０の上縁部との間には
両者の長手方向に沿って間隙部ｇが形成されており、こ
の間隙部ｇに沿って細長い角筒状の吸込みヘッダー７０
ａが設けられている。これに一対の吸込みヘッダー７０
ａの長手方向の一端部にはエア配管７０ｂを介して吸込
みポンプ等のエア吸引源（図示しない）に連通してい
る。また、吸込みヘッダー７０ａの底面には長手方向に
亘ってスリット状のエア吸込み孔７０ｃが形成されてお
り、前記スリット状吹出し口７１ｄから吹き出されたエ
アの一部を吸引し、スリット状ノズル７１とスキャナー
プレート７０との間の間隙部ｇにエアが滞留するのを防
止している。なお、エア吸込み孔７０ｃはスリット状に
限らず、吸込みヘッダー７０ａの底面には長手方向に亘
って多数の透孔を設けたものでもよい。

【００５５】このような構成のレジスト塗布装置６６で
あれば、スリット状ノズル７１から吹き出したエアの一
部は、エア吸込み孔７０ｃから吸い込まれるとともに、
エア逃げ穴７３から逃げるので、レジスト膜に影響を与
える事なく、より一層均一なレジスト膜の塗布処理が行
い得るようになる。

【００５６】なお、本発明の塗布装置は、前述の半導体
ウエハへのレジスト塗布装置２１のみに限定されること
なく、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被塗布物の
表面に絶縁用シリコン酸化膜を塗布手段により形成する
装置など、各種の被塗布物への薄膜形成用の塗布装置に
適用しても可である。特に、角形のＬＣＤ基板に対する
レジスト塗布や、ウエハＷへの露光時の乱反射防止用の
ＡＲＣ（アンチリフレクディブコート）のような極薄膜
を塗布するにも有効である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種々変更しても良い。

【００５７】

【発明の効果】本発明の塗布方法及びその装置は前述の
如く構成したので、従来のスピンコート方式の如く回転
遠心力のような偏った力が塗布液に作用せず、被塗布物
表面に供給された塗布液をスキャナープレートで該被塗
布物表面に薄く押し拡げて塗布できると共に、この塗膜
を該スキャナープレートの直ぐ後に追従するスリット状
ノズルから吹き出すエア圧で塗布物表面に均等に押圧で
きて、表面に段差が付いている被塗布物であっても、塗
膜厚さの均一性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗布装置の一実施例を示す一部省略し
た断面図。

【図２】同上装置の要部の斜視図。

【図３】同上要部の水平断面図。

【図４】同上要部の縦断面図、

【図５】本発明に塗布方法で段差付き被塗布物表面に塗
布した塗膜状況を従来のスピンコート方式のものと比較
して示す拡大断面図。

【図６】本発明の塗布装置を装備した処理システムの概
略構成を示す斜視図。

【図７】本発明の塗布装置を装備した処理システムの他
の実施例を示す斜視図。

【図８】同上システムの要部構成図。

【図９】同上他の実施例における本発明の塗布装置を示
すもので、（ａ）は要部の斜視図、（ｂ）は断面図。

【図１０】従来のスピンコート方式の回転塗布装置を示
す概略構成図。

【符号の説明】

Ｗ…被塗布物（半導体ウエハ、ＬＣＤ基板）、Ｐ…塗布
液（レジスト液）、Ｔ…塗膜、２１，６６…塗布装置、
３７…支持手段（載置台）、４１，４３…と塗布液供給
手段（４１…滴下ノズル、４３…移動機構）、４５，７
０…スキャナープレート、４６，７１…スリット状ノズ
ル、５０…スキャン機構。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｆ 8720−4Ｄ Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０１

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被塗布物表面の塗布液を載せ、この塗布
   液を被塗布物表面に対しスキャナープレートで薄く押し
   拡げるようにして塗布すると共に、この塗膜を該スキャ
   ナープレートの直ぐ後に追従するスリット状ノズルから
   吹き出すエア圧で塗布物表面に均等に押圧することを特
   徴とする塗布方法。
2. 【請求項２】 被塗布物を支持する支持手段と、この被
   塗布物表面に塗布液を供給する塗布液供給手段と、被塗
   布物表面に対し小間隙を存し移動して前記塗布液を被塗
   布物表面に薄く押し拡げるように塗布するスキャナープ
   レートと、このスキャナープレートの直ぐ後に追従する
   状態に移動しながらエア圧により塗膜を被塗布物表面に
   均等に押圧するスリット状ノズルとを備えてなる塗布装
   置。