JPS6140032A - Ｖｌｓｉ化学反応器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体ウェハー又は他の基体を加工する方法に
関し、より詳しくは電子等級の化学物質の為の化学反応
器及びその制御系に関する。

集積回路産業は高純度の化学物質及び低水準の粒汚染を
高密度集積回路（ＶＬＳＩ）を製造するために必要とす
る。現在の技術はＶＬＳＩ化学物質の品質を改良するた
めに使用されてはいるが、ＶＬＳ　Ｉ化学物質の使用さ
れるところへの分配及び使用の間の分配が汚染を除去す
るように制御されることが要求される。従って、過去に
於いてはクリーンルーム技術およびダブルバッグ技術が
半導体ウェハーの表面を清浄化し又は変更させるのに使
用されるときに、化学物質の汚染を減少するのに使用さ
れる包装分野に於ける実質的努力め拡大がなされてきた
。

伝統的に半導体産業は約２５個のシリコンウェハーを含
有するボートが段階的に加工されるところのバッチ加工
を用い、屡々加工される区域から区域へと人手によって
移動されて来た。人の努力を減少させ、人が寄与する粒
子汚染を減少させる為に半導体産業は連続工程に動きつ
つある。同時にウェハー上の確実に縮小している装置の
形態と共にウェハーの均一な加工がより重要となってき
ている。バッチ加工に於いてはボート中の各ウェハーま
たはウェハーの異なる区域を同様に反応させることが常
に可能とは限らない。従ってウェハーの清浄化段階、レ
ジスト現像段階及びエツチング段階に於いて使用できる
統合化された連続シツテムを発展させることが重要であ
る。

ウェハーからウェハーへの均一な処理が重要性を増して
いるのみならず、反応の程度の厳密な制御が臨界的（重
要）になってきている。例えばフォトレジストの正確な
現像が形成された模様が性格に所望寸法であることを確
実にするために重要である。現在製造さ糺ている２５６
にメモリーチップなどの装置に対し、これは益々重要と
なって来ている。

特に汚染の減少に間係することはウェハーの浄化である
。アールソン　ディー□　ワイスによって−セミコンダ
クターインターナショナル８２巻１９８４年４月の記事
に説明されるように基本的には４つのウェハー浄化の形
式があり、各々夫々の問題を抱えている。第一はブラシ
スクラビングであり、高圧スクラビングを含む。第二は
音波浄化であり超音波技術を使用する。第三は浴中での
化学浄化であって、第四は遠心スプレーを利用するもの
である。

この記事に示されるように装置の形態の縮小は半導体産
業に於ける牽引力であった。ＶＬＳＩデバイス製造に於
ける第一の主要な感心はウェハーがさらされる汚染の水
準および更に加工する前にウェハーの表面からそのよう
な汚染を除去することである。上記の異なるウェハー浄
化技術の各々は、特定の形式の汚染を除去するのに有利
である。例えばウェットケミカルクリーニング（湿式化
学浄化）はウェハー表面に物理的又は化学的に付着した
アルカリ性金属イオンを除去するのに効果的である。こ
れらの技術はこ・の汚染形式に対し非常に特異的で、ま
たウェハー表面の条件に従うものである。ウェハーの浄
化はソーイング（鋸で切る）、ラッピング及び磨きの後
、レジストの被覆前、拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　）の
前、ダイシングの後に行なわれる。汚染物の種類は取り
扱い又は加工によって遭遇する有機物から重金属イオン
及び微粒までにわたっている。汚染物は見ることが出来
るか又は見ることが出来ず、ウェハー表面に化、学的又
は物理□的に付着している。一般にウェハーの任意の汚
染物は装置の性能を低め、そして成る場合には装置を完
全に破壊する。例゛えばウェハー上に残された汚染物は
ピンホールを生じ、そしてレジスト付着を悪くする。ウ
ェハー上に残された微粒は電気パラメータの変化、そし
て完全な装置破壊により例示さ□れる装置の欠陥を生じ
得る。

ブラシスクラビングに関しブラシ物質の親水性の為にブ
ラシの針毛は現実にはウェハー表面と接触しない。従っ
て普通ブラシの針毛とウェハー表面の間のスクラビング
溶液のフィルムが存在する。

第二に針毛の親水性は疎水化であるウェハー表面からの
懸濁した汚染物を掃き去ることを助ける。

親水性である表面を有するウェハーはスクラビング溶液
中に懸濁された汚染物がウェハーの凸凹した表面上に沈
殿し得るのでスクラビングがより困難である。スクラビ
ングは粒を除去するけれども水を基盤としている場合の
多いスクラビング溶液中に可溶でないならば汚染物を除
去しない。さらにウェハー表面に化学的に付着した汚染
物はスクラビングのみでは除去できない。このことはウ
ェハー表面から汚染物を開放するのに化学剤又は溶液の
使用を必要とする。スクラビングとともに化学浄化を使
用することが出来る。しかし、装置の形態が縮小される
に従い、ブラシの針毛が効果的に汚染物を除去しないと
いう虞がある。この問題を除去するために３００〜４０
００ｐｓ　ｉにおける圧力に於けるウェハー表面を横切
る流体掃除のジェットで高圧スクラビングすることが針
毛が触ることの出来ない凸凹に達するのに有用である。

しかし、高圧スプレーでの主要な問題はウェハー中に造
り込まれる繊細な装置を損傷する静電気である。

穴から泡を形成する超音波クリーニングはウェハー表面
をスクラビングするのに使用されるがメガソニックスク
ラビングは泡の内破でなくて溶液中に形成される高圧波
を利用する。ここでメガソニックエネルギーの周波数は
泡の形成には高すぎることを注目すべきである。超音波
クリーニングの使用に拘らず、ウェハーの取り扱いは超
音波浴からウェハーを除去して大気中に置き、次に加工
の為に別の場所に移動することは汚染物を拾う危険があ
るという問題が依然として存在する。従って半導体産業
に於ける屡々述べられている目標は汚染物の主要な源の
一つを取り除くためにクリーンルームから人を排除する
ことである。これを行なう為には加工装置は自動的なウ
ェハー取り扱い機構を有しなければならない。しかしこ
れらの機構は微粒発生の源となりうる。従って、自動化
されたウェハー浄化装置の重要な面は微粒自体を生じな
いウェハー取り扱い機構である。更にこれはウェハーを
破壊してはいけない。破壊されたウェハーはスクラバー
に対し致命的であり、シリコン微粒の大量の発生を生じ
る。

化学浄化に間し、種々の浸液（ディップ及びダンク）技
術が利用され、これは浴への移動及び浴からの移動の間
、ウェハーの汚染を生じる。浸漬形式のシステムの代わ
りに上記の遠心スプレークリーニングがあり、ここでは
遠心スプレー浄化ユニットが各ウェハーが新しい浄化又
は濯ぎ溶液に連続的に晒されるように流体をウェハー上
にスプレーする。このことは汚れた溶液によってウェハ
ーが再汚染されることを防止する。この形式の化学浄化
の利点はウェハーが全工程を通じて閏鎖環墳に収納され
ていることである。

音波ならびに浸液（ディップ及びダンク）方法における
欠点は、微粒が集ま、るということが良く知られている
液体表面を経てタンクから基体を抜き出さなくてはなら
ないということである。従って、液体から抜き出される
ときにきれいな基体上に微粒が再沈着する。スプレーに
よったとしても液滴の表面が周囲から微粒汚染物を取り
込んで、それを基体表面に沈着させ得る。

スプレー系に関する一つの主要な欠点はスプレーされた
物質によって生じた化学反応の均一性が注意深く制御で
きないことである。更にウェハー表面上への化学剤の分
配は均一ではない。さらにもっと重要なことには化学反
応はスプレー又は霧を使用するときに光学的な方法で化
学反応を測定することが出来ない。従ってウェハー表面
上での化学反応の注意深い制御がスプレー技術を用いる
ときには容易には達成できない。

最後に浄化技術の後に、ウェハーを乾燥することが重要
な段階である。ウェハーは再汚染を防止するような方法
で乾燥されなければならない。乾燥に使用される技術は
主としてウェハー表面の形式、即ち親水性か疎水性かに
依存する。一般に疎水性の表面は親水性の表面よりも乾
燥が用意である。乾燥するために利用する一般的な方法
はスピン乾燥である。親水性の表面に対してはウェハー
を再汚染し得るエロゾルの形成を防止するためにスピン
の速度が注意深く制御されなければならない。スピンは
低い回転数から開始し、ウェハー表面上に藩いフィルム
の液が残されているにすぎないところまで上げ、その後
スピンスピードを増加できる。疎水性のウェハーの乾燥
はウェハーが回転されるに従って水滴が形成され回転し
て離れていくという点で異なっている。しかしウェハー
の中心ではファンデルワールス力が液滴の外側への転が
りを妨げる。従ってウェハーの中心に於いて方向付けら
れた窒素の流れが液滴を動かすのに必要とされる。窒素
はエロゾルが形成されるから親水性のウェハーには一般
に使用されない。

このように記載された先行技術の装置の全てに於いて、
加工の間に、ウェハーの表面の未反応の活性化学剤が時
々空気にさらされることがあるのでウェハーの表面が汚
染され得ることがありうる。

このことは周囲及びウェハー表面の間に流体層が存在し
ないことが主として原因である。従ってウェハーの加工
に使用される化学剤がどんなに純粋であっても、これら
の活性区域のいずれかが大気にさらされたとするならば
汚染が生じ得る。

半導体ウェハーの機械浄化に関する米国特許は、３７６
０８２２、４０１５６１５及び３９９０４６２を含む。

ジェット／ブラシスクラバーの例はソライテックモデル
１１００−５Ｏであり、ソライテックインコーボレーテ
ッド、カリフォルニア州マウンテンビューから入手可能
である。

平坦な回転するプレートを横断する化学反応を提供する
方法を扱った米国特許は４１２４４１１及び４３５６１
３３である。又注目すべきものはジャーナルオブクリス
タルグロウス、４１巻Ｎｏ、２１９７７年１２月２０５
−２１５頁の記事であり、これは多くの結晶の生長に対
する回転ディスク方法を記載している。先行技術に記載
された何れの装置も、本発明の主題である、予め決めら
れた流体間隙及びウェハー表面の頂部及び流体ガイドの
間に提供される常に存在する流体、についてのものでは
ない。

又注目すべきことは日本特許Ｇｏ−６，８４−０４０３
５８１０７Ｊ５９００３−４３０−Ａであって富士通株
式会社に発行されたものである。こ□こではフォトレジ
ストは明らかに二つの回転する対抗した基盤上に被覆さ
れ　゛る。ここでも流体ガイド、又は流体ガイドを通し
て分配される流体はなく、又流体ガイドを通して混合反
応をモニターすることもない。Ｖ、ＬＳＩウェハーの加
工をこれまで議論して来たが、汚染が問題となる浄化及
び他の基体の種類の他の加工形式は”マスク及び光学的
窓及びプレート及びプリント回路ボードを含むものであ
る。

［問題を解決する手段］ 汚染を防止するために本装置では反応性の物質が基体表
面にあるときは常にガス又は液体の流体障壁を′常に基
体表面上に保持する。この目的には基体の加工に於ける
汚染を有意義に減少させる為に基体のすぐ上に流体流れ
ガイドを位置させる。

この方イドは一般に基体の上の予め決められた間隙を設
けて保持され、一般には平坦で、基体表面の頂面に平行
である。ガイド又は基体のいずれかまたは両方が加工の
間回転され、従ってガイドの中心又はその近くに導入さ
れる流体は基体表面を外側に横切るように動く。化学剤
が中心のチューブを通して導入され、流体の流れガイド
を通じて基体とガイドの間の間隙中に入る。予め決めら
れた間隙がガイド及び基体の間に、基体の加工に於いて
常に臨界的に間隙中に流体が保持されるように保持され
名。−づの具体例ではガイドは予め決められた位置於い
て光学的に透明であって、基体の表面上で行なわれてい
る化学反応をモニターし得るようにし、これによって基
体への流体の流れの制御を可能とする。ガイドと基体の
間の均一な間隙の為ζ巳一定の厚厚及びコンポジション
光路が存在し、正確な測定及び系の制御が可能となる。

更に基体の表面の処−にどんな段階が用いられているか
に拘らず、乾燥段階が直接行なわれ、作用流体を不活性
ガスと置き換える段階を含み、流体の流れの濯ぎ物が不
活性ガス流れと置き換えられる様に基体又はガイドめ何
れかの回転速度を増加させるが、基体の回転は遠心力に
よってどんな液体粒も除かれるように増加される。従っ
て乾燥は加工の間は決して起こることがあり得ず、従っ
て不溶な残留物の沈積が避けられる。不活性ガスは全て
の反応性分が加工された基体の表面から掃き出されたの
ちに止”められる。その結果活性化学剤の加工が基体の
上でなされている時には基体の表面及び環境の間に常に
流体障壁が存在することとなる。

ガイドは乱流作用をなす為に幾つかの形態を取り得る。

これに゛は、ら旋形の溝又はリブ及び複数の流体導入オ
リフィスが含まれる。不均一な加工を生じ得る泡の形成
はガイド中のガスレリーフオリフィス、及びガイドと基
体に対するくいちがった回転軸によって除去することが
出来る。

本発明は全ての種類の基体に関するものであるが、その
用途は以後’　ＶＬＳ　ｌウェハーにつき述べられるこ
とに注意されたい。なぜならばＶＬＳＩウェハー加工の
臨界性のため及びこれらの繊細な装置に対する先行技術
の汚染及び反応制御と関連する上記の問題の為である。

一般に真空チャンクがウェハーの取りつけに使用されチ
ャンクは、任意付加的に加熱及び又は冷却装置をウェハ
ー上で特定の作業がなされるのに望まれる様に設けられ
る。更に基体を所定位置に保つのに付着又は機械的な技
術を使用できる。

ウェハーはボート中に位置せず、流体ガイド及び化学剤
供給装置に隣接して取りつけられた個々のチャンク上で
加工され、ウェハーを汚染するのに周囲の空気及び汚染
物が存在するガイドの下より外にウェハーを移動させる
ことなく幾つかの異なる工程処理を順次行なう。ウェハ
ーを取り一除く事が必要なときは、先ずウェハーを洗浄
し、空気及び空気に由来する微粒がウェハーを汚染させ
ないようにウェハー表面から全ての活性の化学剤又は試
薬が除去される迄、流体環境中に於いて洗浄乾燥される
。この点に付き、装置は一連の連続的な段階を通じて連
続加工を可能とする。

従ってガイド及びウェハーの間隙が常に存在し、これは
液体又は気体の何れかの流体で満たされており、これが
ウェハーの表面を環境から隔離する。

新鮮な化学剤のみが使用され、制御系及びシールは外界
の源からの汚染物を防止する。再循環された化学剤が使
用できるが、汚染の機会が増加し、効力、の変化が問題
となる＝ 流体ガイド及び連続流体界面の使用の種々の利点はこれ
が各ウェハーの加工に必要とされる化学剤の量を減少し
、濃度が変化した又は汚染された化学剤の再循環又は再
使用の必要を除去し、化学剤を使用前及び使用中に於い
て空気及び他の汚染源となる可能性のあるものから化学
剤を隔離し、ウェハーを化学剤中に導入する時に微粒及
び化学汚染の源であるウェハートレイ、ボート、又はホ
ルダーの必要を除去し、段階の間に於ける大気からの汚
染を防止する為に一つの場所に於いて全ての化学反応工
程並びに洗浄及び濯ぎ及び乾燥をなすことを可能とする
こと及び加工中に主要な微粒及び汚染の源である全ての
空気／液体／ウェハー界面を除去することである。反応
器は集積回路の製造に於ける電子等級の化学剤を使用し
得る全ての段階に使用できる。これは化学的浄化、エツ
チング、レジスト現像、及びレジストストリッピング（
剥ぎ取り）を含む、これは非常に小型であり、床空間を
少ししか必要とせず、オートメーションに非常に適して
いる。従って生産高は増加できる。

更に重要なことには微粒汚染物の主要な源である　′人
が工程から隔離される。

更にウェハー上での化学反応を光学的にモニターするこ
とが工程を制御することを可能とする。

更にガイドとウェハーの直交及び軌道運動の両方が本発
明の範囲内にある。本発明のこれら及び他の特徴は図面
を参照して詳細に記載された詳細な記載を参照してより
よく理解される。

第１図を参照すると一つの具体例に於いてＶＬＳＩの目
的に有用な化学反応器１０は流体の流れガイド１２を含
み、これはウェハー１４の形態の基体から、間隔をおい
ておりウェハー１４はホルダー１６上に支持されており
、ホルダー１６．は普通は真空チャンクであうで、駆動
２０を経て軸１８によって動かされ矢印２２の方向に回
転するが、チャンクは何れの方向にも回転出来るように
し得る。説明されるように流体の流れガイドは透明物質
であってガラス、水晶、又はプラスチックのような物質
で出来たもので、よい、流体の流れガイドは又ステンレ
ス鋼のような非反応性の物質で構成されてもよい。更に
流体の流れガイドの化学攻撃を防止するためにテフロン
のような保護物質で被覆されてもよい。流体の流れガイ
ドは中心導管２４の中心に支持され導管２４は流体の流
れガイドの中心と連絡し、流体を慣用の流体流れ制御機
２６から間隙の区域へ導き、ここでラベルされた間隙３
０は慣用の設計の垂直制御ユニット３２によって調節可
能であって、ユニット３２は導管２４を上下に動かし、
これによって流体の流れ制御ガイド１２をウェハー１４
の頂部表面３２に平行に位置させ、流体の流れガイドの
底表面３４はウェハーの頂部表面に平行である。中心の
導管による支持は必要ではないが都合が良い。一つの系
に於いては、駆動２０を取り除いて矢印３８の方向に流
体の流れガイド１２を回転させる駆動導管２４を駆動す
るのに駆動３６を使用することが出来る。ある場合には
流体の流れガイドを回転させるか又はウェハーを回転さ
せるか又は要求される混合の形式に依存して両方を同じ
方向又は異なる方向に回転させることが望まれる。どの
要素であるかに拘らず、ウェハー１４又はガイド１２が
回転され、流体の′流れを４０で示。すがこのように液
体であれ、ガスであれ、遠心力によって外側に移動し、
そしてつながっているドレイン４４を有する部屋４２に
、示される下方に移動させられる。

化学剤及び／又はガスの溜４６は加圧化であるか又は加
圧化でなく、測定されたもの又は測定されていないもの
でありえ、これは間隙３０で起こる化学的加工に必要な
化学剤を提供する。化学剤は汚染のないものであって、
溜から間隙３０を通過して出る流路が常に流体を含有す
るという程度に密封されるように系は密封され、それに
よって任意の同伴された及び望まれないガス又は汚染物
を除去し、これらはドレイン４４で除かれる。

一つの具体例では流体流れガイド１２は透明であって光
源５０及び検出器５２を使用するときに流路の光学密度
が測定でき、流体流れ制御器がこれによって第二のパラ
メータに従って調節される。このことはウェハーが少”
なくとも部分的に透明であることを仮定している。第１
３Ａ、Ｂ、Ｃ図に間違して議論される様に間隙又は基体
表面の流体の光学密度を測定する反射力′ｉが記載され
ている。しかし、この時点で均一である間隙は均一な厚
みの光学通路を与え、これはガイドの中心から外側への
間隙中での流れの為にウェハーの表面上で正確な化学反
応の測定が行なわれることを提供する。

・一つの具体例ではウェハーはおよそ１００　ｒｐｎ＋
で回転され又は流体流れガイドは比較的低い速度で回転
される。この低い速度は適切な混合および化学反応をウ
ェハー表面上で可能とし、濯ぎ溶液のあとに窒素などの
不活性ガスがポンプ導入された時に始めてスピードが増
され、それによってウェハーの表面から遠心力によって
液体及び汚染物を追い払う。一つの具体例では、回転が
上がる（スピンアップ）時にはウェハーの回転は２００
０〜７０００ｒｐｍに増加される。最終的なスピンスピ
ードが７０００　ｒｐｍ＋を越えるものは本発明の範囲
内にあることを知るべきである。又両方に向いた矢印３
３により示される様に導管２４の長手方向の動作によっ
て゛間隙を決め得ることも注目されるべきである。

一つの具体例に於いて、流体ガイドは水晶の円盤から造
られる。これは一つの具体例で半径が３．５インチで、
厚み力１１／４インチであって、ディスクの中心を通る
穴及び６インチの長さ、１ＯＩＩＩＩＩｌのＯＤ水晶チ
ューブを有しこれが流体の仕込み通路として役立つよう
に、穴上にディスクに融着される。

第２図を参照すると、ここでは同様の要素が同様の参照
特徴で与えられ、全体の装置がウェハーが真空チャンク
１６を経て上部から釣り下げられるように逆さまにされ
うろことが認識される。逆さまの装置は、特に装着及び
取り外し段階に於いて、上から落ちて来る空気中のどん
な流によっても基体の表面が汚染されることから防止さ
れるという利点を有する。更にこの形態は反応器の底に
全ての化学剤、液体及び成分を一つの場所に保持する。

従って基体の除去の閏、新たに清浄化された又は加工さ
れた基体上に閏違って液体が滴り落ちることがない。勿
論矢印４０によって示される流れを与えるために化学剤
を加圧下にしなくてはならないことが認められる。

第３図を参照すると、ガイド１２１よ中心に単純なオリ
フィスを有する平坦な平面の形態を取り得る。

オリフィスは前記の中心の導管又は管に結合される。別
の方法としては第４図に説明されるように流体の流れガ
イド１２′は底表面３４中にフレアー状となったオリフ
ィス５４を有する。第６図に説明されるように、制限さ
れた（狭まった）オリフィス５６は流速を制限する目的
の為にガイド１２″の底３４に設けられるが第６図では
ガイド１２”’はガイド中の中心部分６０を穴の開けら
れていないままにするチャンネル５８によって図示され
る広がった分割オリフィスが設けられ得る。第７図を参
照すると流体流れガイド１２１１１１は第６図のオリフ
ィスと同じ形式を有し得るが、６０の部分に中心オリフ
ィス６２を有している。最後に第８Ａ図に示されるよう
にガイド１２１１１１＋は第８Ｂ図に於いて６４’　６
４”６４”’及び６４１１１１でどっちにあるかの方向
が図示されるように、幾つものオリフィス６４が設けら
れている。

これらの形態のうちの後者はとくにウェハー表面上で流
体が動くに従って反応が化学剤濃度をかなり変化させる
場合に特に有用である。オリフィスがスロット又は他の
形態をとり得るので、丸いものである必要がないことを
注意すべきである。

運転にあたって流体ガイド及びウェハー基体はお互いに
回転またはスピンすることができる。従っていずれか又
は両方の系がそれらを回転するための駆動装置を装備す
る。ウェハー及び流体ガイドの間の間隙は個々の流体に
対し、最適流れ及び反応制御を与える為に調整される。

流体の仕込み速度及び相対的な回転スピードの両方が調
整され最適の流体流れ及び反応制御を与える。流体の流
れ制御には流体ガイド装置に取りつけられるか、又は別
個であって、仕込みラインが流体ガイド装置中に入り込
んでいてもよい。全ての溜及び仕込み装置はポンプまた
は他の分配装置及び調節器を装備し、望まれる速度で化
学剤又はガスを提供する。間隙およびガイドの目的は大
気から流体を隔離すること、又均−且つ制御された反応
速度を確実にするために制御された速度でウェハー又は
基体を横切る流体の均一な流れを提供するガイドとして
の目的である。流体ガイド及びウェハー又は基体の何れ
か又は両方の相対回転はウェハー又は基体を横切る流体
の均一な流れを確実にし、流体が一旦縁迄達したら、使
用した流体を捨て去ることである。実際、流体の表面張
力とともに遠心力は新たな流体を間隙又は反応域中に引
き入れることに使用できる。第３〜ｌＯ図に関して記載
されるように、望ま、れる流路パターンに依存して流体
ガイドは平坦又は外側にのびる溝、リッジ、又は突起を
含有することが出来る。表面はウェハー又は基体を横切
る流体の流れを最適化するために選ぶことができ、ウェ
ハー及び基体を横切る最適反応条件を確実とするために
混合を強める。溝の使用は第９Ａ及び９Ｂ図に示され、
ここでガイド１２はら旋形の溝７０を有し、これは中心
オリフィス７２上にＸの文字を形成する。別の方法とし
ては溝は第１ＯＡ及び１０８図に図示されるように、渦
巻き上のリッジ７４で置き換えられ、流体ガイドの上記
のパターンの異なる組合せは本発明の範回内にあるもの
である。

第１１及び１２図を参照するに、ウェハー又は基体の温
度を制御すること又は反応又は乾燥工程の制御を助ける
ことがそこに示される装置の目的である。

第１１図を参照するに、チャンク８ｏは内側のチャンネ
ル（通路）８２を含むことが出来、ここに冷却又は加熱
流体がポンプ送りされ、そして内側のプレート８４上及
び出口チャンネル（通路）８６を通じてポンプ送りされ
それによって流体が矢印８８で説明されるように入って
、矢印９ｏで説明されるように出ていく。このチャンク
又はホルダーはウェハ、−又は基体が真空又は接着物質
によってチャンクに保持されるようなものである。この
チャンクは概して金属のような導電性材料にょフてでき
ているが、反応性の化学剤から保暉する為にテフロンな
どの非反応性フィルムで被覆することも出来る。

例えば第１１図に説明されるような流体冷却の使用はチ
ャンクを冷却用放熱器として使用することを生ずる。別
の方法としては熱は第１１図のチャンクを通してポンプ
送りされる流体の温度の為にチャンクに加えられ得る。

第１２Ａ及び１２Ｂ図を参照するにチャンク９２には電
気的加熱コイル９４を設けることが出来、これはスリッ
プリング９６及び電源９８をによって、第１２Ａ図の具
体例に於いて電力が与えられるが、これに対し静止チャ
ンクの第１２１１図の具体例では電力は電源１０４から
接点Ｉ００及び１０２を経て供給される。

何れの場合に於いても、チャンクの頂面を支持している
軸１０４は電気的に非導電性である。基体を冷却するた
めにチャンク内にペレティヤ−（Ｐｅｌ　Ｉｅｔｉｅｒ
）装置を出来るすることも注意されたい。

光学的なモニター 前に述べた様に予め決められた間隙の使用及び流体ガイ
ドの使用の比較的重要な特徴の一つには、ウェハーの表
面で起きている化学反応をモニターすることが出来る一
定の厚みの光学通路を保つことである。透明なウェハー
の場合には第１図で示されるように光源及び検出器は装
置をはさんで反対側に位置することができる。しかし、
第１３Ａ図を参照すると不透明のガイド１２に窓１１０
が設けられていて、これによって光源１１２．からの光
ビームは半銀面化ミラー（ハーフミラ−）１１４を通過
して窓１１０を通過し、ウェハー１４の表面３２上にぶ
つかり、ウェハー１４は図示されるようにチャンク１６
上に保たれる。光はウェハーの頂部表面から反射されて
半反射ミラー１１４を通って検出器１１６に帰る。

この検出器はウェハー上の反応程度をモニターし、反応
時間及び反応成分の正確な制御を可能とする。

このことは基体表面上の変化、反応体の濃度の変化、又
は流体中の生成物の変化によって生じる反射光の変化を
モニターする検出器によフて達成される。これらの観察
された変化は化学剤の流れを調節する為、又は異なる化
学剤又は濯ぎ剤への変化の為に使用され、検出器の出力
は流体制御器２６内の安定回路に結合され′る。

例えば臨界的な寸法制御を与える為にフォトレジストの
現像を正確に制御するためには特定の区域のレジストが
なくなる迄、又は特定された期間レジストがなくされる
迄、又は成る区域の厚みが特定の量だけ変化されるまで
、又は特定の模様がレジスト中に形成される迄レジスト
を現像することが望ましい。同様に二酸化珪素などのフ
ィルムをエツチングするｋめにはある区域の厚みが特′
定量だけ変えられる迄、成る区域がフィルムが無くなる
まで、又はある期間なくなるまでエツチングすることが
望まれる。この厚みは干渉計技術によって測定できる。

照射の波長はフィルム（レジスト、酸化層など）が少な
くとも部分的に照射に対して透明であるようなものとし
て選ばれる。従って光のあるものはフィルムの上部表面
で反射されるが残りはフィルムを通過し、基＃シこよ）
て門゛射ぎれるであろう。

従って二つの反射された光線は、フィルムの厚み及び屈
折率に依存して、建設的または破壊的に組み合わされる
（干渉する）。フィルムによる吸収は信号の強さを減衰
させ、厚みの測定にも使用できる。

干渉計技術を使用する為に短色光源が一般に使用−され
る。一つの具体例ではレーザーからの光は入射角度がウ
ェハー又は基体に対し垂直°で、反射の角度がまた基体
に垂直又は殆ど垂直であるようにウェハー又は基体上に
向けられる。そこで検出器はレジスト又は基体上の他の
フィルムからの光の反射によって生じる建設的又は破壊
的な干渉の程度をモニタ二できる。別の干渉計技術であ
って使用できるものは幾つもの波長の照射を使用する。

このときは検出器はフィルムの変化を追いかける為に異
なる波長に於いてみられる建設的又は破壊的干渉の変化
をモニターする。　　　　′一つの具体例では流体の流
れガイドは回転され基体が固定されたままである。第１
３Ａ図に示される装置がこのようにして使用される時に
は全体の流体ガイドは光を通過させなければならず、又
はそうでないなら゛ば窓が流体の流れガイドの周り全て
に延長される必要がある。もしも流体流れガイドの不均
一が検出信号に於ける過剰の騒音を生じるならば、光が
特定の流体ガイドの特定の部分を通過するときの特定の
時間のみに於いて信号を測定できる。測定をなす検出器
をトリガーする一つの機構は、鏡を流体流れガイドの回
転軸に取りつけ、これが検出器に信号を反射し、望まれ
る測定をトリガーすることである。

基体が回転され流体流れガイドが固定される一つの具体
例では、基体の表面は光の下を通過するに従って変化す
る。従って基体の選ばれた部分のみにおいて工程をモニ
ターすることが有利である。

このことは１３８図のウェハーチャンク軸にスロット付
のホイールを取りつけることによって達成でき、これに
よって光はスロットの一つが通過を許すとき以外にはホ
イールによって光がブロックされこのスロットは基体上
でモニターされるべき区域と整合されている。

ウェハーの照射 第１４Ａ図を参照するに、透明な流体ガイド１２及びウ
ェハー１４の間の間隙３０の中に於いて化学反応を増強
させる為に照射を利用することがある場合には時々望ま
しいことがある。この目的の為には環状の光源１６０を
利用でき、反射器１６２は光ガイドを通して照射をウェ
ハ−１４の頂部表面３２に対して行なう。この反射器の
頂部の上を取り除いた図が第１４Ｂ　Ｉ！ｌに示される
。光源の環状又はリング形゛は蛍光又は放電管でありえ
、照射コレクター又は反射器は照射の強さを増加させる
ため、そしてウェハー又は基体を横切る照射の均一性を
増加させる為に使用できる。一つの具体例では、仕込み
チューブの直径は光源との干渉を最少にするために最少
とされる。流体ガイドは片方の側をフロスト又はフィッ
シュアイ形態にして照射を攪乱し、基体の頂部に達する
照射の均一性を増加する。他の非環状の光源形態も使用
できる。

泡の除去 時折流体の流速に依存して泡が存在し、成る具体例では
泡を除去する手順は間隙が十分に満たされた時に回転を
始めてどんな回転が始まるよりも前に流体の流れを始め
ることである。このことは間隙の充填を確実とし、空所
が形成される可能性を少なくする。流体中の泡の保持を
減少させることを助ける為にゆっくりとしたスピンスピ
ードが一般に望まれる。一つの具体例では、流体の間隙
を適正に充填することを確実にするために流体が流れ初
める時に比較的大きな間隙に於いて流体ガイドを保持し
、次に望まれる距離に狭めることができる。

第１５Ａ及び８図を参照するに、ガイド及びウェハーの
回転軸の食い違いは泡の形成を減少させ、流体の流れを
改良し、回転の軸の差は等しく泡の寸法の変化に一般に
等しい。

従って第１５＾及び１５８図に於いて、ウェハー又は基
体を横切る化学反応パターンは流体ガイド及びウェハー
の回転の軸又は中心を互い違いの位置に位置させ、それ
によってこれらは平行であるけれども、一致しないよう
にする。同心円軸の場合には第１５Ａ図の流体ガイド１
２及びウェハー１４の軸に２００によって図示されるが
、第１５８図では軸２゜Ｏ′は軸２００”からずれてい
る。第１５Ａ図に説明されるように、これはよりｉ−な
混合を与え、また泡２０２が間隙３０部分で形成される
ことをなす。

第１６Ａ及び１６８図を参照するに泡の除去は、ここで
２１４で図示される流体導入オリ、フィスに隣接したガ
イド１２中のガス除去チャンネル（通路）２１０又は２
１２が設けられ系から空気及び流体が逆流することを可
能とする。これらの逆流間口はそれからの流体のバック
アップが容易に集められるから問題を生しることはない
。

非回転運動 第１７Ａ及び１７８図を参照するに長方形のガイド及び
基体はお互いに揺動運動を利用することができる。第１
７Ａ図に於いてガイド２２０は直交矢印２２４によって
図示されるように長方形の基体２２２に関して揺動され
る。別の方法としては第１７８図に於いて流体ガイド２
２６は基体２３０に対し矢印２２８によって図示される
ように揺動軌道作用が与えられる。これらの場合に於い
て流体のガイド中の幾つかの口を通して作用流体を分配
し、ウェハー又は基体の全表面に新たな反応体が適切に
反応することを確実とすることが有利であり得る。別の
方法としては流体ガイド及びウェハーの上記の単純な揺
動又は軌道運動の代わりに、この動作は回転運動と絹み
合わされ別の攪はん及び流体流れ制御の形式を与える０
例えば一つの具体例に於いて、ウェハー又は基体が回転
し、一方流体ガイドは揺動するか又は軌道運動を受ける
か又はその逆である。勿論上記の運動は一つの成分を静
止保持して生じさせられ得る。

実施例１ 酸化前に一群の３インチ（７，６４ｃｍ＋）のシリコン
ウェハーを浄化するために装置を第１図のように組み立
てた。流体の流れガイドは溝が直線的であ゛　　　るこ
とを除いて第９Ｂ図のものと似ていた。水晶から造った
流体の流れガイドは直径が３．５インチ（８，８９ｃｍ
）そして厚みが０．２５インチのディスクで中心を通る
オリフィスを有し、６インチ（１５，２４ｃｍ）の長さ
、１０　ｍｍ　００の水晶管をオリフィス上にディスク
に融着させた。化学剤を為からオリフィスに仕込み、溜
及び制御器からオリフィスに適当な管を通して仕込んだ
。流体流れガイド及びウェハーのチャンクの軸はお互い
に０．２５インチ（０，６４ｃｍ）ずらした。流体の間
隙を運転の間におよそ１．５ｍｍに調節したが、ウェハ
ーの装着及び取り除きを容易にするためにウェハーの１
約７０ＩＩＩ１１に持ち上げた。ウェハーを浄化するの
に用いた化学溶液は以下のものであった。

ａ）　　Ｈ２０、ＮＨａ　ＯＨ及びＨ２Ｏ２の５：１：
１の比で混合され７５℃に温めたもの。

ｂ）　　１部のＨＦに対して９部のＨ２Ｏで希釈したＨ
Ｆで室温で使用したもの。

ｃ）　　Ｈ２０、ｌｌＣｌ及びＨ２Ｏ２の５：１：１の
比で混合し７５℃に温めたもの。

流体の流れガイドに対する全ての液体の流速は１分光た
り４０立の速度に調節した。最初のウェハーを真空チャ
ンク上に中心を置いたのち、Ｄ１水を流体の流れガイド
を通して開始し、流体の流れガイドをウェハー上の位置
に下げた。ウェハーの回転速度をおよそ７５　ｒｐｍに
設定した。溶液を次の順序で連続した中断のないやり方
で流体の流れガイドを通して仕込んだ。

ｌ）溶液ａ）を３分間 ２）１水洗液を３分間 ３）溶液ｂ）を１分間 ４）０１水洗液を３分間 ５）′　溶液Ｃ）を３分間 ６）１水洗液を４分間 Ｄ１水洗液を止めた時にウェハーは４０００　ｒｐｍ＋
に加速し、流体ガイドを上にあげた。各々のウェハーを
３０分間乾燥する為に回転し、次に別の浄化されるべき
ウェハーと取り替えた。

実施例２ フォトレジストを現像する為に、化学反応装置を使用す
るために、６００　Ａの厚みの二酸化珪素層を有する４
つの３インチ（７，６２ｃｍ）シリコンウェハーをフォ
トレジストでの被覆によって造った。

３１の１−ＰＲ２５レジスト（ジエーティーベーカーケ
ミカルカンパニー　ポジティブフォトレジスト）を各ウ
ェハー上に分配し、各々を５０００　ｒｐｍで回転し、
１．４−μｍ厚みのフィルムを与えた。被覆ウェハーを
慣用のオーブンで９５℃で３０分焼いた後、ウェハーを
線とスペースが２μＩＷ〜１０μｍの範囲である標準の
解像マスクを通して接触アライナ−に暴露した。４つの
ウェハーは次の量の照射にあてた。

ａ）　　９１　ｍＪ／ａｍ２ ｂ）及びｃ）　１０３　ａ＋Ｊ／ｃｍ２ｄ）　　　１１
４　ｖａＪ／ｃｍ２ レジストを被覆したりエバーを実施例１に記載の化学反
応器装置中で１容量の濃縮した現像液に対し３容量の水
で希釈された推奨される現像液ＰＲＤ　（ジェーティー
ベーカーケミカルカンパニー製品）で現像した。流体の
流れガイドを通る液体の流れは１分間あたり４０１に調
節した。ウェハーを真空チャンク上に置いた後に、Ｄ１
水を流体の流れガイドを通すことを開始し、流体の流れ
ガイドをウェハー上の位置に下げた。現像液を流体の流
れガイドを通して３０分間仕込み、次に０１水洗液を６
０秒間仕込んだ。１水を止めたときにスピンスピードは
３５００　ｒｐｍに３０秒間上げ、ウェハーを乾燥した
。この方法を３つの他のウェハーに対して繰り返し行な
った。

実施例３ シリコンウェハー上に二酸化シリコン層に模様をエツチ
ングするために化学反応装置を使用するため、フォトレ
ジストに模様を現像した実施例２のウェハーＣ及びｄを
先ず１２５℃で慣用のオーブン中で３０分間焼くことに
よって調製した。標準のｌＯ：１緩衝オキシドエツチン
グ溶液をエツチングに使用した。実施例１に記載された
化学反応装置を使用し、１分光たり３０１に液体流速を
調整し、ウェハースビンスピードを約７５　ｒｐｍにセ
ットした。

ウェハーＣを真空チャンク上に中心を決めしたのちにＤ
１水を流体流れガイドに通しはじめ、流体流れガイドを
ウェハー上の位置に下げた。次にエツチング溶液を１０
０秒間流体流れガイド中に仕込んだ。この次に１２０秒
問Ｄ１水の洗液を中断なしにいれた。

実施例４ 化学反応液中のレジストストリッピングを実施例３に記
載されたエツチング方法と絹み合わせて実施した。エツ
チング及び水濯ぎ段階を完了した後、ボジチブフォトレ
ジストストリッパーＰＲ５−１０００（ジェーティーベ
ーカーケミカルカンパニー製品）を７５℃で３分間流体
流れガイドに仕込んだ。

この次に中断することなく、２．５分間０１水の洗液を
仕込んだ。水洗浄の完了後、水の流れを止め、スピンス
ピードを２５００　ｒｐｍに増加し、流体流れガイドを
上昇させた。ウェハーを２５秒間乾燥させる為に回転さ
せた後にウェハーをこの工程を繰り返す為に次のものと
置き換えた。

上の操作の多くはウェハーを取り除くことなしに連続し
て行なうことが認められる。従っである意味では本反応
器は多くの工程操作を通して基体が汚染されて来ること
を防止する連続方法を提供するものである。本発明の上
記の好ましい具体例を示したので当業者には修正および
変更が本発明の精神内で実施できる。従って本発明の範
囲を特許請求の範囲のみによって定義することが意図さ
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は加工されるべきウェハー上の予め決められた間
隙をもって設けられた中心に仕込まれる流体流れガイド
を図示し、又反応器を通る流体の制御の為のフィードバ
ック路を図示している本発明の化学反応器を図示してい
る。 第２図は第１図の化学反応器の逆さまになった形態を図
示している。 第３〜７及び８八図は第１及び２図の化学反応器中で使
用される流体流れガイドの種々の形態を図示する略式断
面図である。 第８Ｂ図は流体流れガイドのオリフィスの配置を図示す
る第８Ａ図の流体流れガイドの正面図である。 第９Ａ図は底表面中のチャンネルを図示する本流体流れ
ガイドの一具体例の略式断面である。 第９Ｂ図は十字になったら旋状の溝構造を図示する第９
Ａ図の流れガイドの正面図である。 第１０Ａ図はガイドの底表面中のリッジを図示する流体
流れガイドの略式断面図である。 第１０８図は第１０Ａ図のガイドのリッジの十字になっ
たら旋状形態を図示する第１０Ａ図のガイドの正面図で
ある。 第１１図は真空チャンク内の流体流れによって加熱又は
冷却される熱源又は冷却用放熱器として使用するチャン
クが作用している第１及び２図の化学反応器に関連して
使用される真空チャンクの断面略図である。 第１２Ａ図はスリップリングを通じて加熱要素が電源に
連結されているチャンク全体が加熱される第１及び２図
の化学反応器中で使用される真空チャンクの略式断面図
である。 第１２８図は非回転真空チャンクに対して電源が与えら
れていることを図示する加熱真空チャンクの略式断面図
である。 第１３Ａ　、１３Ｂ及び１３Ｃ図は一定の光学通路長さ
にそってガイドとウェハーの間の間隙中で化学反応がモ
ニターされている、窓、光源及び検出器を有する流体ガ
イドの利用を含む、ウェハーの予め決め嬉位置に置いて
行なわれる化学反応を検出する為の装置の略図である。 第１４Ａ及び１４８図は夫々ウェハー上で光化学的反応
を生じるように照射を与える為の透明な流体ガイドを通
してウェハー表面を照明するために使用される、リング
状光源の断面図及び上部を切り取った図である。 第１５Ａ図は流体ガイドとウェハーが同じ軸の周りに回
転される中心の流体導入チャンネル（゛通路）オリフィ
スに於ける泡の生成を図解するものである。 第１５Ｂ図は流体流れガイドとウニ、バーのずれた回転
軸を使用することを通じて第１５Ａ図の泡の生成をなく
すことを断面略図で示す。 第１６Ａ図は中心の流体導入チャンネルに隣接するガス
レリーフオリフィスを図示する第１又は２図の化学反応
器で使用される流体流れガイドの断面略図である。 第１６８図はガイド中の角度をなすガスレリーフチャン
ネルを図示する第１又は２図の化学反応器中に使用する
為の流体流れガイドの略式断面図である。 第１７Ａ図はウェハーと流体流れガイドの間の間隙中で
化学混合を与えるのに有用な直交振動動作を図示する第
１又は２図の化学反応器中で使用される直線的な動きの
装置の略図である。 第１？Ｂ図はウェハーと流体流れガイドの間の間隙中で
の化学剤の撹乱に使用するための軌道運動を図解する第
１又は２図の化学反応器中で使用される軌道運動装置の
正面図である。

Claims (31)

【特許請求の範囲】
1. １．予め決められた方向に実質的に平面状の基体を固定
   するようにしたホルダー、 上記基体に隣接し、それから間隔をおいて位置し、上記
   基体の平面状の表面に対し平行な実質的に平面状の表面
   を有する流体の流れのガイド、加工中に流体が下に定義
   する間隙全てを占有するように加工の間に上記のガイド
   を通して流体を分配するための流れ制御手段を含む手段
   、上記ガイド及び上記基体の間の間隙を調節するための
   手段、及び 上記ガイドおよび上記基体の間の相対運動を与えるため
   の手段を含む、 基体の汚染を最少にする基体を加工するのに使用するた
   めの化学反応器。
2. ２．上記の動きが回転運動である特許請求の範囲第１項
   の反応器。
3. ３．上記の基体が上記のガイドに対して回転され、上記
   のガイドが固定保持される特許請求の範囲第２項の反応
   器。
4. ４．上記のガイドが上記の基体に対して回転され上記の
   基体が固定保持される特許請求の範囲第２項の反応器。
5. ５．上記の基体及び上記のガイドが反対方向に回転され
   る特許請求の範囲第２項の反応器。
6. ６．上記のガイド又は上記の基体のいずれかが固定保持
   される特許請求の範囲第１項の反応器。
7. ７．上記のホルダーが上記基体の温度を制御する手段を
   含む特許請求の範囲第１項の反応器。
8. ８．上記の温度制御手段が上記ホルダー内の制御された
   温度の流体を循環するための手段を含む特許請求の範囲
   第７項の反応器。
9. ９．上記温度を制御する手段が上記ホルダーの温度を制
   御するための電気的手段を含む特許請求の範囲第７項の
   反応器。
10. １０．上記電気的手段が上記ホルダー内の加熱コイル及
    び上記コイルに電気エネルギーを加えるための手段を含
    む特許請求の範囲第９項の反応器。
11. １１．上記電気的手段がペレティヤー（Ｐｅｌｌｅｔｉ
    ｅｒ）装置を含む特許請求の範囲第９項の反応器。
12. １２．上記ガイドが上記平面状の表面に、ガイドを通過
    して分配される流体の混合分配を増大させる為の手段を
    含む特許請求の範囲第１項に記載の反応器。
13. １３．上記混合を増大させる手段が上記ガイド表面に外
    側に走る溝を含む特許請求の範囲第１２項の反応器。
14. １４．上記混合を増大させる手段が上記ガイド表面上に
    外側に走るリッジを含む特許請求の範囲第１２項の反応
    器。
15. １５．上記流体分配手段が上記ガイドの中心を通ってこ
    れに隣接する１またはそれ以上の穴を含む特許請求の範
    囲第１項の反応器。
16. １６．少なくとも１個の上記の穴が広げられた分割オリ
    フィスを含む特許請求の範囲第１５項に記載の反応器。
17. １７．上記少なくとも１個の穴が上記ガイド表面で縮小
    されている特許請求の範囲第１５項に記載の反応器。
18. １８．上記少なくとも１個の穴が上記基体に向かって外
    方向にフレアー形になっている特許請求の範囲第１５項
    の反応器。
19. １９．上記１個の穴が上記ガイドの中心にあり、更にそ
    の中心に隣接し上記ガイドを通る流体放出チャンネルを
    含み、上記ガイド及び上記基体の間の間隙中に流体の泡
    が存在することを防止する特許請求の範囲第１５項の反
    応器。
20. ２０．上記ガイド及び上記基体の回転の軸がずれていて
    、泡の生成を防止する特許請求の範囲第５項の反応器。
21. ２１．更に上記間隙中の流体の予め決められたパラメー
    タをモニターする手段を含む特許請求の範囲第１項の反
    応器。
22. ２２．更に上記モニターされたパラメータに応答する上
    記ガイドを通る流体の流れを変更させる為の手段を含ん
    でいる特許請求の範囲第２１項に記載の反応器。
23. ２３．上記モニター手段が上記間隙中に光を向け上記間
    隙中の光を検出する手段を含む特許請求の範囲第２１項
    の反応器。
24. ２４．上記光を向ける手段が上記ガイドの少なくとも一
    部分を通過する光の通路を確立する為の手段を含む特許
    請求の範囲第２３項の反応器。
25. ２５．上記光の通路を確立する手段が上記ガイド中の光
    学的に透明な窓を含む特許請求の範囲第２４項の反応器
    。
26. ２６．上記ガイドが予め決められた波長の光に光学的に
    透明である特許請求の範囲１項に記載の反応器。
27. ２７．更に上記ガイドを通過し、上記間隙に達する光を
    向けるための光源及び手段を含む特許請求の範囲第２６
    項の反応器。
28. ２８．上記光源が円状であって上記ガイドの上に中心を
    おく特許請求の範囲第２７項の反応器。
29. ２９．基体の頂部表面に接触する化学剤で加工された基
    体を処理するのに汚染を減少させる改良方法に於いて、 上記基体及び基体のホルダーを設け、 上記基体のすぐ上に流体流れガイドを設け、上記基体及
    び流体流れガイドの間で、上記基体上で行なわれるどん
    な化学反応も化学剤が基体の中心から外側に流れること
    を生じさせる混合作用及び遠心力作用の組合せを通じて
    されるように相対運動をさせ、そして 基体の表面上で任意の活性化学反応が起きている加工の
    間は流体流れガイド及び基体の間の間隙が連続的に流体
    で満たされるようにする方法。
30. ３０．更に最初に比較的大きな間隙を設け、そして流体
    を間隙中に導入後に間隙を減少させ、それによって間隙
    内での泡の生成を減少させる段階を含む特許請求の範囲
    第２９項に記載の方法。
31. ３１．方法が流体ガイドに関する基体の相対運動が回転
    運動であり、低い回転数である乾燥段階を含むが、ここ
    で化学反応を生じる作動流体は不活性ガスで置き換えら
    れガイド及び基体の間の相対回転速度は乾燥工程の間少
    なくとも大きさが１オーダーだけ増加される特許請求の
    範囲第２９項に記載の方法。