NL8402410A

NL8402410A - Verbeterde proces installatie met double-floating transport en processing van wafers en tape.

Info

Publication number: NL8402410A
Application number: NL8402410A
Authority: NL
Original assignee: Bok Edward
Priority date: 1984-08-01
Filing date: 1984-08-01
Publication date: 1986-03-03
Also published as: US4662987A; WO1986001034A1; AU4671185A; EP0188593A1

Description

* *

Sth .

Verbeterde proces installatie met "double-floating"transport en processing van wafers,en tape·

In de Nederlandse Octrooi-aanvragen No's 8 103 979, 8 200 753 en 8 203 318 van de aanvrager zijn installaties aangegeven met double-floating 5 transport en processing van substraten en taps* Daarbij vindt onder andere het in een nauwe tunnel onder double floating conditie processing van wafers als substraten plaats met behulp van vloeibaar medium en het veranderen van vloeibaar medium naar gasvormig medium en omgekeerd·

Voor hst verwijderen van het vloeibare medium van de wafer met behulp 10 van het gasvormige medium is het daarbij noodzakelijk, dat de spleetwijdte tussen wafer en het onderblok respectievelijk het bovenblok relatief groot is, bijvoorbeeld 1 -1,5 mm, om een zodanig kleven van de wafer tegen zulk een blok tegen te gaan, dat het gasvormigs medium in staat is om dit vloeibare medium voldoende snel te verwijderen· 15 Hierdoor is het gebruik van medium ten behoeve van zulk een trans port en processing relatief groot, vooral voor gasvormig medium·

Verder zijn voorzieningen, zoals doorstroom-begrenzers in de tos— voerkanalen van het medium gewenst om een uit het midden van de tunnel naar zulk een onder— of bovenblok geraken van de wafer zoveel mogelijk tegen te 20 gaan, omdat anders de krachten-balans tussen de beide tunnelpassage-secties opzij van zulk een wafer wordt verstoord·

De installatie volgens de uitvinding beoogt nu om deze bezwaren tegen te gaan en is in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat zoals een stroom medium wordt onderhouden vanuit een toevoerkanaal naar zulk een passags-25 sectie tussen wafer en onder- of bovenblok en via zulk een nauwe passage— sectie langs een blok-sectie naar een afvoerkanaal wordt geleid, het grootste gedeelte van zulk een blok-sectie verdiept is onder de vorming van een ter plaatse grotere hoogte van de tunnel-passage.

Een volgend zeer gunstig kenmerk is daarbij, dat een opstaande wand 30 naast zulk een nis zich bevindt tussen deze nis en het afvoerkanaal·

Daarbij is een hoogte—verschil tussen het verhoogde gedeelte en het verlaagde gedeelte van circa 1 mm wenselijk met minimale afmetingen van de top van zulk een ópstaande wand·

Verder is een arrangement van toe— en afvoerkanalen mogelijk, waarin 35 in de richting van wafer-verplaatsing opvolgend een tweetal toevoerkanalen met tussengelegen verhoogde blok-sectie en met mediumstromen naar afvoerkanalen, welke gezien in de richting van verplaatsing van de wafer, zich bevinden opzij van zulk een een combinatie van toevoerkanalen.

Daarbij het bewerkstelligen van stromen medium, welke tegengesteld ' 8402410 τ %. ϊ - 2 - van richting zijn ten behoeve van het· regelen van de wafer-verplaatsing en de processing.

Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat daarbij zulk een verhoogde blok—secties tussen de beide toevoerkanalen eveneens een hoogte hebben, ί 5 uielke tenminste nagenoeg gelijk is aan die van de opstaande mand tussen zulk een nis met toevoerkannal en het afvoerkanaal.

In het boven- respectievelijk onderblok zijn verder de uitmondingen van een groot aantal toevoerkanalen in laterale richting naast elkaar gelegen over nagenoeg de gehele passage-breedte, terwijl in zulk een blok het 10 afvoerkanaal of groep van afvoerkanalen zich eveneens in laterale richting uitstrekken.

Een volgend gunstig kenmerk van de installatie is nu, dat daarbij zulk een opstaande wand tussen de toe— en afvoerkanalen en mogelijk tussen groepen van toevoerkanale zich uitstrekt in laterale richting over tenminste 15 nagenoeg de gehele tunnel-breedte.

Een volgend gunstig, kenmerk is, dat daarbij het verbindingsvlak tussen de uiterst smalle topsecties en het onderste gedeelte van zulk een wand een schuine positie heeft»

Tijdens het, verplaatsen van het medium in zulk een passage-spleet. op- * 20 zij van de wafer wordt dit medium nu gedwongen om over de opstaande wand naar het afvoerkanaal te bewegen met een verhoogde druk-opbouw in de nissen als verlaagde blok-secties.

Het resultaat is daarbij een verhoogde krachtwerking van het medium op de wafer in de gewenst wordende richting naast een ideale double-floa— 25 ting van zulk een wafer.

Een volgend gunstig kenmerk is nu ook, dat de opstaande wand tussen de toevoerkanalen en de afvoerkanalen ten behoeve van medium-stromen in de gewenst wordende richting een uitsparing heeft met een micro-hoogte ervan.

Een volgend gunstig kenmerk is, dat de ópstaande wanden , welke zich 30 in laterale richting uitstrekken, met elkaar zijn verbonden met opstaande wanden met ongeveer dezelfde hoogte en welke zich in de lengterichting van de installatie uitstrekken. Zulks met het doel om een ontsnappen van medium in laterale richting zoveel mogelijk tegen te gaan.

Verder zijn de de toevoerkanalen in een tweetal groepen opzij van het 35 midden van de tunnel schuin opgesteld ten behoeve van het in het midden van deze tunnel verplaatsen van de wafers.

Daartoe zijn tevens bij tenminste een aantal nissen in de omliggende opstaande wand eveneens een uitsparing opgenomen ten behoeve van medium stromen in de richting van het midden van de tunnel.

8402410 £’ - - 3 -

Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat de uitsparing ten behoeve van wafer transport in de lengterichting van de tunnel één geheel vormt met de uitsparing ten behoeve van deze medium stromen in de richting van het midden van de tunnel· 5 Tevens, dat de betreffende tosvoerkanalen voor deze nissen zodanig schuin zijn opgesteld, dat het uitstromende medium zowel een krachtwerking op de wafer uitoefent in de richting van het midden van de tunnel als in de lengterichting van deze tunnel.

Verder is het veelal gewenst, dat tijdens de processing van de wafer 10 een rotatie ervan optreedt ten behoeve van een zo gelijkmatig magelijke processing ·

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat een tweetal groepen van nissen, welke zich in laterale richting uitstrekken opzij van het midden van de tunnel, elk een zodanige uitsparing in hun omliggende wand hebben, dat 15 vanuit deze groepen zodanig medium in tegengestelde richting langs de wafer wordt gestuwd, dat rotatie van zulk een wafer optreedt*

Een volgend gunstig kenmerk van de installatie is daarbij verder, dat de groepen van toevoerkanalen opzij van het midden van de tunnel elk een aparte toevoer hebben en met behulp van regeling van deze toevoeren de wa— 20 fer tijdens de rotatie oscillerend in dwarsrichting van de tunnel wordt verplaatst· mat een voor de processing gewenst wordende amplitude·

Andere gunstige kenmerken volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren·

Figuur 1 toont een gedeeltelijk bovenaanzicht van het ondergedeelte 25 van de installatie volgens de uitvinding·

Figuur 2 is een vergrootte sectie van de installatie volgens de Figuur 1, waarin een 2-stromen regeling ten behoeve van wafer transport en processing plaats vindt·

Figuur 3 is een doorsnede over de lijn 3-3 van de sectie volgens de 30 Figuur 2·

Figuur 4 is een doorsnede over de lijn 4-4 van de sectie volgens de Figuur 2*

Figuur 5 is een doorsnede over de lijn 5-5 van de sectie volgens de Figuur 2.

35 Figuur 6 is een vergrootte sectie van de installatie volgens de

Figuur 1 ter plaatse van het centrum voor wafer-rotatie.

Figuur 7 is een doorsnede over de lijn 7-7 van de sectie volgens de Figuur 6,

Figuur 8 is een vergroot gedeelte van de transport-sectie van de 8402410 ** 'ï 4 » installatie volgens de Figuur 1.

Figuur 9 is een doorsnede over de lijn 9-9 van de sectie volgens de Figuur 8.

Figuur 10 toont een gedeeltelijk bovenaanzicht van een nis-opstelling 5 van de installatie volgens de Figuur 1·

Figuur 11 is een doorsnede over de lijn 11-11 van de nis-opstelling volgens de Figuur 1Q·

Figuur 12 toont een installatie volgens de uitvinding met opvolgende processing secties· 10 Figuur 13 toont de installatie volgens de Figuur 12 en waarbij de wafers zich verplaatsen van een processing sectie naar een volgende processing sectie*

A

Figuur 14 toont een positie bepalingssysteem voor wafers met behulp van variabele medium stromen·

B A

15 Figuur 14 toont het systeem volgens Figuur 14 met een wafer ter plaatse van dit systeem·

In de Figuur 1 is van de installatie 10 het onderblok 12 aangegeven· Daarbij heeft het bovenblok 14, zie tevens onder andere de Figuren 3, 4 en 5, een soortgelijke opbouw, met tussen deze blokken in opgenomen de nauwe 20 tunnel 16 ten behoeve van double-floating transport en processing van de wafers 18·

Het blok 12 bevat een groot aantal nissen 20, welke zijn omgeven door opstaande wanden 22·

In de Figuur 2 is zulk een nis-opstelling van de blok-sectie 24 25 gedetailleerd aangsgeven·

Daarbij zijn tussen opvolgende afvoerkanalen 26 een tweetal aan elkaar grenzende en zich in laterale richting uitstrekkende rijen nissen 20 opgenomen· De ópstaande wanden 22 strekken zich voor het grootste gedeelte ervan uit tot nabij het midden 40 van de tunnel onder de vorming van uiterst 30 smalle passage-wanden 28, waarlangs de wafer 18 onder double-floating conditie wordt geleid, zie tevens de Figuur 11.

De spleet 30 tussen deze passage-wanden 28 en de wafer 18 bedraagt daarbij bijvoorbeeld slechts 0,1 mm·

Via de toevoerkanalen 32, welke elke gewenst wordende omvang en 35 positie kunnen hebben en geplaatst kunnen zijn onder elke gewenst wordende hoek, wordt medium 34 naar de nissen 20 gestuwd en vindt afvoer van dit medium vanuit deze nissen hoofdzakelijk plaats via de in de wanden 22 opgenomen uitsparingen 36 en 38, waarvan de uitsparingshoogte bijvoorbeeld slechts 50 micrometer bedraagt.

8402410 - 5 -

Via uitsparingen 38 wordt medium 34 in de richting van het centrum 40 van de tunnel-passage 16 geleid, indien de betreffende nissen 20 bedekt zijn door een wafer 18, Hierdoor wordt zulk ββη wafer tijdens het plaats vindende transport en de processing naar dit tunnel-midden ge-5 stuwd en gehouden, zonder het kunnen raken van de tunnel-zijwanden 42 en 44,

Via de uitsparingen 36 wordt medium 34 naar de afvoerkanalen 26 gestuwd. Daarbij beweegt één groep 46 van medium in de bewegingsrichting van de wafer 18, terwijl de andere groep 48 van medium tegen deze bewe-10 gingsrichting in beweegt, zie de Figuren 2 en 4,

Door regeling van de toevoer van deze groepen kan deze uafsr zich verplaatsen in twee richtingen en met elke gewenst wordende snelheid ervan,

In de sectie 50, zie de Figuren 1, 6 en 12, wordt in een tweetal 15 groepen 52 en 54, welke aan weerszijde van het midden 40 van de tunnel 16 zijn gegroepeerd, medium 34 in tegengestelde richting via de uitsparingen 56 langs de wafer 18 naar de afvoerkanalen 26 gestuwd, waardoor een rotatie van de wafer plaats vindt. Door regeling van de toevoerdruk van het medium voor deze groepen is elke gewenst wordende rotatie-snelheid moge— 20 lijk,

In de transportsecties 58 van de installatie, zie de Figuren 8, 12 en 13, vindt vanuit de groepen 60 alleen stuwing van medium 34 via de uitsparingen 62 naar de afvoerkanalen 26 plaats in de bewegingsrichting van de wafer 18, 25 De nissen 20 hebben ten opzichte van de uiterst nauwe wanden 22 2 2 een relatief groot oppervlak, bijvoorbeeld 120 mm ten opzichte van 10 mm , en kunnen een diepte hebben van bijvoorbeeld 0,5 mm tot 2 mm in afhankelijkheid van de viscositeit van het gebruikt wordende medium en de soort van processing.

30 Gedurende het transport en de processing van de wafer 18 met behulp van vloeibaar medium onder druk is nu dit medium niet in staat om een zodanig grote kleefkracht tussen wafer en nis-oppervlak te ontwikkelen en te onderhouden, dat deze wafer tegen één van de passage-wanden 28 wordt getrokken, waardoor het transport en de processing van de wafer bemoeilijkt 35 wordt,

De uit de nissen 20 langs de passage-wanden 28 en via de diverse uitsparingen 36, 38, 56 en 62 gestuwd wordende media drukken daarbij de wafer onder double-floating conditie naar de midden-positie ervan in de tunnel.

Da nissen 20 kunnen elk profiel hebben, zoals in de Figuur 10 is aan- 8402410 4 - 6 - gegeven, bijvoorbeeld cirkelvormig in verband met een eenvoudige bewerking van de blokken 12 en 14· l/erder kunnen in de zijwand 22 van zulk een nis schuin naar het midden van de tunnel toe geplaatste afvoer-uitsparin-gen zijn opgenomen voor stuwing van het medium langs de wafer in zowel de j 5 lengterichting van de tunnel als naar het midden van deze tunnel·

Verder kan de diameter en aantal van de bij voorkeur schuin geplaatste toevoerkanalen 32 per nis verschillen in afhankelijkheid van de plaats van processing en plaats van de nissen 20 ten opzichte van het midden van de tunnel· 10 In de Figuur 12 is de installatie 10 aangegeven met een aantal pro- cessing-secties, welke binnen het kader van de uitvinding kunnen variëren in aantal en soort·

Daarbij vindt in opvolgende secties bijvoorbeeld gedurende enige tijd, zoals één minuut,de navolgende processings van de wafers 18 plaats: 15 in sectie 64 processing met zwavelzuur onder hoge temperatuur, bij voorbeeld 100° C.; in sectie 66 het spoelen met water; in sectie 68 het etsen met behulp van H.F.; in sectie 70 het spoelen met water; en 20 in sectie 72 het spin-drogen·

Na zulk een processing bewegen de wafers 18 via de transportsecties 74 naar de volgende processing-secties, waarbij de sensoren 80 signalen doorgeven voor omschakeling van transport naar processing en omgekeerd, zoals is aangegeyen in de Figuur 13* 25 De wafers zijn afkomstig uit de toevoerdome 76 met cassette en komen uiteindelijk terecht in de afvoerdome 78 met cassette* De constructieve opbouw van zulk een domes is omschreven in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 8 401 777 van de aanvrager* Binnen het kader van de uitvinding zijn andere toe- en afvoersystemen voor de wafers mogelijk· Ook kan tape door zulk 30 een installatie worden geleid*

A B

In de Figuren 14 en 14 is zulk een sensor 80, werkend op verschillen in vloeistofdruk of gasdruk,aangegeven·

Bevindt zich geen wafer 18 boven deze sensor, zoals is aangegeven in

A

de Figuur 14 , dan is de medium-stroom 82 maximaal* 35 Is de wafer 18 echter tot boven deze sensor 80 bewogen, dan blok keert deze wafBr nagenoeg geheel de medium-stroom 82 en wordt de daardoor bewerkstelligde drukverhoging in de toevoer van dit medium vertaald in een impuls voor schakeling van stromen medium ten behoeve van transport en processing van de wafer.

8402410 ·* » - 7 -

Zo kunnen tijdens het transport van de wafer de mediumstromen resulterende krachten bewerkstelligen in de richting van de wafer-verplaatsing, terwijl tijdens de processing de al dan niet versterkte mediumstromen naar het centrum van zulk een processing zijn gericht· Daarbij eveneens aangepaste afvoordrukken in de afvoer voor zulke media, met eventueel regeling van de hoogte van het vaccum in deze afvoeren·

De groepen nissen 20 aan weerszijde van het centrum van de tunnel zijn bij voorkeur elk aangesloten op een eigen toevoerkanaal 84 respectievelijk 86, zie de Figuur 1* Daarbij kan door variatie in de toevoerdruk voor het proces-medium de wafer 18 in laterale richting oscilleren, hetgeen voor een gelijkmatige processing gewenst kan zijn*

Verder kunnen in deze kanalen 84 en 86 de respectievelijke doorstroom-begrenzers 88 en 90 zijn opgenomen ten behoeve van een zo gelijk mogelijke verdeling van de medium stromen naar de nissen in onderblok 12 en bovenblok 14.

Verder monden per blok 12 respectievelijk 14 de toevoerkanalen groepsgewijs, bijvoorbeeld kanalen 84 en 86, uit in gemeenschappelijke hoofdtoe-voerkanalen, zoals de kanalen 92, 94, 96 en 98, welke bij voorkeur opzij van , deze blokken in de aansluitblokken 100 en 102 zijn opgenomen, zie tevens, de Figuur 4.

Λ

Deze kanalen zijn dan weer verbonden met de gemeenschappelijke toevoeren 104 en 106, waarin de regelbare doorstroombegrenzers 108 en 110 zijn opgenomen·

Overeenkomstig kunnen de afvoerkanalen 26 groepsgewijs verbonden zijn met de gemeenschappelijke afvoerkanalen 112 en 114, die op hun beurt weer zijn aangesloten op centrale af voeren 116·

Binnen het kader van de uitvinding zijn variaties op da aangegeven constructies en loop van de toe- en afvoerkanalen mogelijk· 9402410

Claims

1· Installatie, tenminste bevattende een onderblok en een bovenblok met tussen gelegen tunnel ten behoeve van processing van wafers en/ of tape onder double floating conditie, met het kenmerk, dat een groot 5 gedeelte van zulk een onder- en bovenblok naast de erin opgendmen afvoerkanalen bestaat uit een aantal nissen onder de vorming van ter plaatse een grotere hoogte van de tunnel-passage*

2. Installatie volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat in zulk een nis tenminste één toevoexkanaal voor medium uitmondt* 10 3* Installatie volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij de diepte van zulk een nis groter is dan 0,5 mm* 4* Installatie volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij tenminste een opstaande wand zich bevindt tussen zulk een nis en een afvoerkanaal voor dit medium* 15 5* Installatie volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat zoals deze ópstaande wanden zijn opgenomen in zowel het boven— als onderblok, de tunnel-passage ter plaatse van deze wanden is vernauwt tot minder dan 1 mm exclusief de dikte van de wafer of tape* 6, ii/erkwijze van de installatie volgens de Conclusie 5, met het ken-20 merk, dat gedurende het double-floating transport en processing van de wafer met de wafer bedekkend zulk een nis, in deze nis automatisch een drukverhoging van het daarin toegevoerde medium plaats vindt om een verders afvoer van dit medium via de tunnel-passage tussen wafer en opstaande wand mogelijk te doen zijn* 25 7* Installatie volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat deze, gezien in de lengterichting van de tunnel,opvolgende groepen van een tweetal nissen bevat, welkë van elkaar zijn gescheiden met behulp van een opstaande wand en waarbij afvoerkanalen zich bevinden opzij van deze groepen van nissen,

8. Installatie volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat daarbij zulk een verhoogde wand tussen naast elkaar gelegen nissen eveneens een hoogte heeft , welke tenminste nagenoeg gelijk is aan die van de opstaande wand tussen zulk een nis en een afvoerkanaal*

9. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken-35 merk, dat in het boven- respectievelijk onderblok de uitmondingen van een groot aantal toevoerkanalen in laterale richting naast elkaar zijn gelegen over nagenoeg de gehele passage-breedte, terwijl in zulk een blok afvoer-kanalen voor het medium zich eveneens in laterale richting uitstrekken. Y 8402410 # _ «r * - 9 -

10. Installatie volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat daarbij zulk een opstaande wand tussen de nissen en de afvoerkanalen en mogelijk tussen groepen van nissen zich uitstrekt in laterale richting over tenminste nagenoeg de gehele tunnel-breedte. 5 11« Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat de opstaande wand tussen de nissen en de afvoerkanalen ten behoeve van medium-stromen in de gewenst wordende richting een uitsparing heeft met een micro-hoogte ervan.

12. Installatie volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze 10 hoogte niet meer bedraagt dan 0,1 mm.

13. Installatie volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat de ópstaande wanden, welke zich in laterale richting uitstrekken, met elkaar zijn verbonden met wanden met ongeveer dezelfde hoogte en welke zich in de lengterichting van de installatie uitstrekken*

14. Merkwijze van de installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met hst kenmerk, dat de stromen medium vanuit-de nissen tenminste een stroom bevatten in de richting van de wafer toevoer naar de wafer afvoer en een stroom, welke tegengesteld is aan deze eerste stroom.

15. Merkwijze volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat daarbij de-20 ze stromen zodanig regelbaar zijn, dat de wafers, waarlangs deze stromen medium worden geleid, met behulp van de daarop door deze medium-stromen uitgeoefende krachten kunnen worden verplaatst in de richting van wafer afvoer, of wafer toevoer of dat stilstand van deze wafers plaats vindt.

16. Merkwijze volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat daarbij ge-25 durende het transport van wafers naar opvolgende processing secties de toevoer van medium naar de nissen, waaruit een stroom medium in de richting van de wafer toevoer wordt onderhouden, tenminste kleiner is dan de toevoer van medium naar de nissen, waaruit een stroom medium wordt onderhouden in de richting van de wafer afvoer.

17. Merkwijze volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat daarbij, zo als wafer processing in opvolgende vaste centra in de tunnel geschiedt, tijdens zulk een processing de afvoer van medium vanuit de nissen naar de afvoerkanalen zodanig geschiedt, dat de wafer met behulp van de daarop uitge-oefende krachtwerkingen van de medium-stromen in zulk een centrum wordt ge-^^*35 houden. /18. Merkwyze volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat daarbij bij de nissen, welke vóór zulk een centrum zijn gelegen, de stromen medium in de j richting van de wafer afvoer zijn veranderd in stromen medium in de richting 8402410 ** * <. - 10 - van de wafer toevoer.

19. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de toevoerkanalen in een tweetal groepen opzij van het midden van de tunnel schuin zijn opgesteld ten behoeve van het in het midden van ί 5 deze tunnel verplaatsen van de wafers.

20. Installatie volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat daarbij tevens bij tenminste een aantal nissen in de omliggende wand een uitsparing is opgenomen ten behoeve van medium stromen in de richting van het midden van de tunnel.

21. Installatie volgens de Conclusie 20, met hst kenmerk, dat de uitsparing in de wand ten behoeve van wafer transport in de lengterichting van de tunnel één geheel vormt met de uitsparing ten behoeve van deze medium stromen in de richting van het midden van de tunnel.

22. Installatie volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat de 15 toevoerkanalen voor deze nissen zodanig schuin zijn opgesteld, dat het uitstromende medium zowel een krachtwerking op de wafer uitoefent in de richting van hst midden van de tunnel als in de lengterichting van deze tunnel.

23. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken- - 20 merk, dat ter plaatse van het centrum van de processing een tweetal nis- * opstellingen opzij van het midden van de tunnel zijn opgenomen, waarbij deze nissen in combinatie met toevoerkanalen, welke daarin uitmonden, zodanig zijn uitgevoerd, dat stromen medium, gestuwd wordend vanuit één nis-opstel-ling, een tegengestelde stroomrichting heeft als de stroom medium, welke 25 gestuwd wordt uit de andere nis-opstelling, zodanig, dat rotatie van de wafer ter plaatse optreedt.

24. Werkwijze van de installatie volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat gedurende de processing met behulp van medium stromen een rotatie van de wafer plaats vindt.

25. Installatie volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat daar bij een tweetal groepen van nissen, welke zich in laterale richting uitstrekken opzij van het midden van de tunnel, elk een zodanige uitsparing in hun omliggende wand hebben, dat vanuit deze groepen van nissen zodanig medium in tegengestelde richting langs de wafer wordt gestuwd, dat rotatie 35 van zulk een wafer optreedt.

26. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken-merk, dat de groepen van toevoerkanalen opzij van het midden van de tunnel elk een aparte toevoer hebben en verder een zodanige regeling van deze toevoeren bevat, dat de wafer tijdens de rotatie oscillerend in laterale / 84024H - 11 - richting van de tunnel wordt verplaatst met een voor de processing gewenst wordende amplitude*

27. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat groepen van toevoerkanalen opzij van het midden van de tunnel 5 elk een aparte toevoer hebban en de installatie verder zodanige middelen bevat, dat de wafers door het midden van de tunnel worden geleid.

28. Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals de groepen van toevoerkanalen voor het bovenblok en het onderblok zijn aangesloten op een gemeenschappelijke toevoer, in de aftak- 10 kingen naar deze groepen van toevoerkanalen tenminste één doorstroom-begrenzer is opgenomen. 29* Installatie volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarin sensoren ten behoeve van de regeling van de media Zijn opgenomen, deze zodanig zijn uitgevoerd, dat zij reageren op verschillen 15 in medium-druk* 30* Installatie volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat zulk ββη sensor-opetelling een toevoerkanaal voor medium bevat, welke zodanig uitmondt in het midden van de tunnel, dat bij het passeren van een wafer ever de uitmonding van zulk een kanaal de doorstroom van het medium in 20 dit toevoerkanaal wordt beperkt met overeenkomstig een verhoogde druk van het medium in dit kanaal, verschaffende een middel tot het geven van een schakel—impuls naar toevoeren van transport- en processing media* Λ 4 / 8402410