NL8200753A - Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape. - Google Patents

Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape. Download PDF

Info

Publication number
NL8200753A
NL8200753A NL8200753A NL8200753A NL8200753A NL 8200753 A NL8200753 A NL 8200753A NL 8200753 A NL8200753 A NL 8200753A NL 8200753 A NL8200753 A NL 8200753A NL 8200753 A NL8200753 A NL 8200753A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
coating
passage
channel
cabin
substrate
Prior art date
Application number
NL8200753A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Integrated Automation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Integrated Automation filed Critical Integrated Automation
Priority to NL8200753A priority Critical patent/NL8200753A/nl
Priority to EP83900739A priority patent/EP0101704A1/en
Priority to US06/551,992 priority patent/US4560590A/en
Priority to JP58500767A priority patent/JPS59500459A/ja
Priority to PCT/NL1983/000006 priority patent/WO1983002910A1/en
Publication of NL8200753A publication Critical patent/NL8200753A/nl
Priority to US06/736,739 priority patent/US4576109A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0254Coating heads with slot-shaped outlet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

i - 1 -
Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
Oe uitvinding heeft betrekking op een methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een oppervlak.
5 Daarbij vindt de gebruikmaking van een submicron-gefilterde gas vormige omgeving voor het oppervlak tijdens het opbrengen erop van deze coating plaats.
De aldus van een coating voorziene substraat of tape kunnen bijvoorbeeld worden toegepast in de micro-electronica.
10 In de Nederlandse Octrooi-aanvrage no. 8 103 979 van de aanvrager is een processing systeem aangegeven, waarbij substraten door een doortocht van een cabine worden gevoerd en met behulp van media een "zwevende'1 processing van deze substraten wordt bewerkstelligd.
Daarbij vindt in een coating station het opbrengen van coating op de 15 substraat plaats, waarbij bij voorkeur vervolgens door middel van wervelende gasstromen van de opgebrachte coating laag het teveel aan coating wordt verwijderd.
Hierbij doen zich de volgende nadelen voor: 1. Dun vloeibare coating moet worden toegepast met een zeer geringe laag-20 dikte van de coating, welke op de substraat achterblijft en aldus veelal een opvolgend opbrengen van een groot aantal coating lagenj en 2« Het oppervlak van de coating laag is door inwerking erop van het wervelende medium niet glad.
riet de coating opbreng-inrichting volgens de uitvinding, waarbij de 25 gebruikmaking van deze "zwevende" processing van de substraten of tapes in de cabine-daortocht, wordt nu beoogd om deze bezwaren op te heffen en is dit systeem in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat daarin middelen zijn opgenomen, waardoor van de op de substraat of tape opgebrachte, coating na het passeren van de coating opbreng-sectie geen overtollige coating meer 30 aanwezig is.
Een gunstig kenmerk van de inrichting is nu, dat gezien in de bewegingsrichting van de substraten of tape onmiddellijk voörhet coating toavoer-kanaal een segmentwand-sectie is opgenomen, welke voor tenminste een gedeelte ervan tenminste nagenoeg evenwijdig is met de substraat of tape onder 35 de vorming van een eerste coating-passage.
Tevens, dat daarbij na het coating toevoerkanaal een segmentwand-sectie O is opgenomen, welke eveneens voor tenminste een gedeelte ervan nagenoeg evenwijdig is met de substraat onder de vorming van een tweede coating-passage \ 8200753 ® jf « s - 2 - en onder invloed van media in da doortocht, die op de substraat of tape werken, in deze coating-passage, een zodanig coating-slot wordt opgebouwd en onderhouden, dat coating belet wordt om daarin met een hogere snelheid dan die van de substraat in de bewegingsrichting van deze substraat te 5 verplaatsen.
Ook de eerste passage kan zodanig zijn uitgevoerd, dat daarin een coating-slot wordt opgebouwd en onderhouden, welke belet, dat coating daaruit tegengesteld aan de bewegingsrichting van de substraat of tape weglekt.
Door regeling van het volume van de toegevoerde coating per tijdseen-10 heid kan dan in combinatie met beide coating-sloten de gewenst wordende laagdikte van de opgebrachte coating worden verkregen.
Zulk een coating opbreng-inrichting is geschikt voor rechthoekige substraten en tapes.
Bij substraten, die niet nagenoeg de gehele cabine-doortocht opvullen 15 zoals bij nagenoeg cirkelvormige substraten (wafers) is echter een tenminste periodiek weglekken van coating onvermijdelijk.
Een volgende gunstige uitvoering van de inrichting volgens de uitvinding is nu, dat zoals onmiddellijk voèr het coating toevoerkanaal een va— cuum-afvoerkanaal is opgenomen, dit kanaal tevens dienst kan doen voor het 2D afvoeren van overtollige, coating.
Verder, dat daarbij onmiddellijk. na het toevoerkanaal van coating een stuwkanaal is opgenomen voor het stuwen van gasvormig medium naar de substraat. '
Verder, dat gezien in de bewegingsrichting van de substraten, de 25 stromingsweerstand van de coating-passage tussen het coatingtoevoerkanaal en zulk een er voor liggend vacuumkanaal aanzienlijk kleiner is dan die van de coating-passage tussen het coating-toevoerkanaal en daarop volgende stuwkanaal met tenminste een mogelijk weklekken van coating naar dit vacuumkanaal.
30 Verder, dat zoals de coating in de tweede coating-passage zich als ., een met de substraat verplaatsende coating-slot voor overtollige coating Γ fungeert en via de eerste coating-passage coating naar het vacuumkanaal wordt gestuwd, in combinatie met het toegevoerde volume coating per tijdseenheid de spleetwijdte van beide passages en daardoor de laagdikte van 35 de op de substraat gebrachte coating wordt bepaald.
Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat in een stapelsegment naast elkaar gelegen, van elkaar gescheiden aftakkanalen voor de coating zijn opgenomen, welke aan de ene zijde verbonden zijn met een gemeenschappelijk 0 1 8200755 - 3 - f ' » toevoerkanaal en aan de andere zijde ervan verbonden zijn met tenminste éên mondstuk en in elk van deze aftakkanalen een gelijke doorstroomweerstand is opgenomen met een zodanige grootte ervan, dat deze tenminste gelijk is aan de doorstroomwerstand van de eerste coating-passage.
S Verder, dat de hoogte-instelling van tenminste de media kussens voor de coating opbrengsectie zodanig is, dat bij geen coating toevoer de substraat een mechanisch contact zou maken met deze coating passagewanden.
De onder druk toegevoerde coating zorgt dan voor het bewerkstelligen van de coatingspleet tegen de veerwerking van de substraat en de werking van 10 de media in.
Elke. plaatselijke verkleining in spleetwijdte van de coating-passages bewerkstelligt aldaar gelijk een verhoogde, corrigerende stuwkracht en omgekeerd. Daardoor blijft over de gehele breedte van de substraat de spleetwijdte en daarmede de laagdikte van de coating practisch gelijk* 15 Verdere bijzonderheden van het coating opbrengsysteem volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.
ê
Figuur 1 is een verticale doorsnede van een cabine, waarin de coating opbrenginrichting volgens de uitvinding is opgenomen.
Figuur 2 toont de coating opbrenginrichting in een vergrootte door— 20 snede.
Figuur 3 toont in een sterk vergrootte doorsnede de uitmonding van het coating toevoerkanaal in de cabine-doortocht.
Figuur 4 is een sterk vergrootte doorsnede van de coating opbrenginrichting ter plaatse van de uitmonding van de op het coating toevoer-25 kanaal volgende toevoerkanaal voor gasvormig proces medium*
Figuur 5 is een dwarsdoorsnede van de cabine ter plaatse van de segment, waarin de parallel gelegen aftakkanalen voor de coating toevoer zijn op genomen.
Figuur 6 is een cabine-gedeelte, waarbij door de doortocht ervan 30 rechthoekige substraten worden geleid.
Figuur 7 is het cabine-gedeelte volgens Figuur 6, waarbij een tape door de passage wordt geleid.
Figuur 8 is een langsdoorsnede van een coating opbrenginrichting-gedeelte, welke toepasbaar is in de cabine volgens Figuren 6 of .7· 35 Figuur 9 toont in een langsdoorsnede een coating ophanginrichting* waarbij in het hoogvacuumkanaal een kanaal voor toevoer van coating verdun— V J ning uitmondt.
1 - ·.....— ·" I 82 0 0 753
V V
- 4 -
Figuur 10 is een langsdoorsnede van sen coating opbreng-inrichting, welke zich op aan hoge temperatuur bevindt en waarbij net behulp van toevoer van verdunning in dampvorm opdroging van op de substraat aangebrachte coating uordt vermeden en opeenhopingen van coating in de doorgang worden 5 tegengegaan.
Figuur 11 toont een substraat-sectie met een stepped oppervlak en waarbij daarop een laag dik-vloeibare coating is aangebracht.
Figuur 11' toont deze substraat-sectie na oven-droging ervan.
Figuur 12rt toont een gepoliiste substraat-sectie met een daarop aan-10 gebrachte coating.
Figuur 12'J toont deze sectie na oven-droging ervan.
In de Figuur 1 is een gedeelte van de proces-cabine 10 aangegeven met in het centrumgedeelte ervan de doortacht 12 voor substraten of tape 14.
Aan weerszijden van deze doortocht bauinden zich de stapelsegmenten 16 en 18.
15 In deze cabine vindt onder andere het op de er doorheen geleide substraten aanbrengen van coating plaats en wel in station 20, zie tevens .
Figuur 2. Jaarbjj wordt via kanaal 22 coating 24 naar de coating-passage 26 en 28, zie ook Figuur 3, gestuwd en op de substraat aangebracht, nadat eerst met behulp van het hoogvacuum-kanaal 30 in het opbrenggebied vacuum is ge— 20 trokken.
De lengte van passage 26 is uiterst gering, bijvoorbeeld slechts 30 micrometer, zodat zelfs bij een geringe passage-hoogte van 0.5 micrometer de doörstroomweerstand voor de coating relatief laag blijft.
De lengte van passage 28 is echter in verhouding zeer groot, bijvoor-25 beeld 1 mm, waardoor de doorstroomweerstand ervan voor de coating zodanig hoog is, dat daarin een coating-slot 34 wordt opgebouwd en onderhouden, . welk slot door de substraat wordt medegenomen en continue wordt aangevuld met nieuw opgebrachte coating.
Zoals via kanaal 22 een overmaat aan coating wordt toegevoerd, vindt 30 via passage 25 het uitstuwen van overtollige coating plaats naar hét hoogvacuum-kanaal 30,
Via kanaal 35, zie tevens Figuur 4, wordt gasvormig medium toege-voerd, De coating, welke, gehecht op ds substraat, uit de passage 28'komt, kan riiet hechten aan de achterzijde 38 van het coating-segment door: 35 1. de overdruk van het in kanaal 36 aanwezige gasvormige medium; 2. een relatief zeer·hoge snelheid van de substraat met coating ten opzichte van de laagdikte van deze coating; 3. de hoge viscositeit van de coating; en \4. het scherpkantige profiel van het topgedeelte 40 van deze achterwand.
* 8200753 - 5 - ί
De passage-wand 40 van de coating-segment is ultra gepolijst met een ruwheid, die bij voorkeur kleiner is dan 0.1 micrometer.
Aldus is de vrijgekomen coating-laag 42 uiterst glad en kan nagenoeg onmiddellijk een oven harding van de coating plaats vinden.
5 . In Figuur 5 is de cabine 10 in een gedeeltelijke dwarsdoorsnede aange-; ή geven. Daarbij is in segment 16 de centrale coating-toevoer 44 opgenomen, die aansluit op het coating-toevoerkanaal 46, waike is opgenomen in de cabine 10.
Op deze centrale coating-toevoer zijn een groot aantal aftakkanalen 10 48 aangesloten, die aan hun andere einde aangesloten zijn op het uiterst nauwe gemeenschappelijke toevoerkanaal 22 en waarbij de secties A tot en met X 'van dit kanaal nagenoeg niet met elkaar in verbinding staan.
Deze secties sluiten aan op de corresponderende secties A tot en met X van de coating-passage 26.
15 In de aftakkanalen zijn uiterst nauwe kanaal-secties 50 opgenomen, die een doorsnede hebben van bijvoorbeeld 40 micrometer x 40 micrometer.
In combinatie met de grote lengte van deze secties 50 is aldus een zeer grote doorstroomweerstand bewerkstelligd, welke aanzienlijk groter (3-1Qx) is dan die van de corresponderende secties van de coating-passage 26.
20 Daardoor kunnen de hoogtes van de secties A_X van de coating-passage 26 nagenoeg niet veranderen, omdat deze hoogte-fluctuaties door het toch practisch constant blijven van de totale doorstroomweerstand practisch geen wijziging kunnen bewerkstelligen in het naar deze secties toegevoerde, volume: coating per tijdseenheid.
25 De via andere proceskanalen toegevoerde media worden door commando's vanuit de coating-toevoer zodanig geregeld, dat de proces-passages practisch in overeenstemming zijn met de coating-passages 26 en 28.
Daarbij is een gunstige setting van de passage-hoogtes die, waarbij zonder coating-toevoer de op de substraat werkende media-krachten de sub—
A
30 straat onder gerings kracht tegen tenminste het coating-segment 16 drukken. De stuwkracht van de coating zorgt dan voor het over de gewenst wor- l' dende passage-hoogte vanaf de segmenten verplaatsen van de substraat.
De coating-toevoer en/of de proces media voor de onder de substraat gelegen proces-passages commanderen de toevoer van de media voor de zich 35 boven de substraat bevindende passage 52 ten behoeve van het daarin onderhouden van media-kussens.
Zeer dik-vloeibare coating kan onder hoge druk naar de substraat 4 worden gestuwd en waarbij de via passage 26 afgevoerde overtollige coating jr· · * 8200753 „ i - 6 -
Da rasultarenda vergrootte krachtwerking op de substraat in opwaartse richting doet de krachttoename teniet, welke de substraat plaatselijk naar beneden heeft doen bewegen.
Omgekeerd resulteert elke plaatselijke hoogte-toename in een passage- Α_χ 5 sectie dadelijk in een afname in stuwdruk in kanaalsecties 22 en een resulterende verminderde krachtwerking op de substraat in opwaartse richting.
Aldus vindt een stabilisatie van krachten op de substraat plaats met nagenoeg dezelfde hoogtes voor elke sectie A-X van coating-passages 26 en 28 met daardoor een practisch constante laagdikte van de opgebrachte coa-10 ting.
In de Figuur 2 bevindt zich vèèr het hoogvacuumkanaal 30 het toevoer-kanaal 32 voor gas- en/of dampvormig medium, zie tevens Figuren 9 en 10. Daarbij stroomt dit medium via passage 62 naar het hoogvacuumkanaal 30 en via passage 64 naar het voorliggende hoogvacuumkanaal 66.
15 Nabij het hoogvacuumkanaal 30 is de passage 62 vernauwd. De vernauwing 70 is daarbij uiterst klein en wel bijvoorbeeld 0.3 micrometer. Omdat de lengte ervan, gezien in de lengterichting van de cabinedoortocht, eveneens zeer klein is, bijvoorbeeld 20 micrometer, is de doorstroomweerstand voor deze passage niet groot.
20 In het toevoerkanaal 32 bevindt zich dezelfde opstelling van een groot aantal aftakkanalen, zoals in Figuur 5 is aangegeven, waardoor de doorstroom— weerstand aanzienlijk groter is dan die van de daarmede corresponderende secties van de passage-vemauwingen 70. Aldus is de door het toevoerkanaal 32 gestuwde hoeveelheid medium per tijdseenheid nagenoeg onafhankelijk van 25 het plaatselijk al dan niet aanwezig zijn van een substraat, hetgeen in Figuur 10 is aangegeven met de doorvoer van nagenoeg ronde substraten.
Door de toegevoerde hoeveelheid medium per tijdseenheid, welke gedwongen wordt om via deze vernauwing 70 te stromen, gering te houden, wordt aldus de geringe passage-hoogte van 0.3 micrometer mogelijk.
30 Fluctuaties in de druk van de media in de cabine-doortocht kunnen wel iswaar deze hoogte enigszins veranderen, doch reeds bij een 0.1 micrometer verkleining van de hoogte neemt de studruk in de medium-passages 62 en 70 sterk toe. Aldus wordt door de resulterende vergrootte krachtwerking op de substraat een nivellerende werking verkregen.
35 Door het zich tot zeer nabij het coating-toevoerkanaal 22 uit laten strekken van deze combinatie van passages 62 en 70 en wel tot circa 0.1 mm afstand, is aldus een geleidevlak voor de substraat 14 verkregen, die ten-I minste mede en zelfs mogelijk alleen reeds de gewenst wordende hoogte van de I coating-passages 26 en 28 kan bewerkstelligen.
8200753
•έ . V
- 7 -
Aldus fluctueert ook de dikte van de op de substraat 14 'aangebrachte coating 44 slechts met deze geringe waardes.
In passage 64 is eveneens ter plaatse van het hoagvacuumkanaal 66 een passage-vernauwing 72 aangebracht, waarbij tijdens de processing nagenoeg 5 dezelfde 0.3 micrometer spleethoogte als voor passage 70 kan gelden.
Hierdoor is, gezien in de lengterichting van de cabine-doorgang, voor de coatingtoevoer een geleidingsgebied voor de substraten gecreeerd, welke zelfs bij uiterst dunne substraten met een dikte van slechts 0.15 mm nog een gelijkmatige laagdikte van de opgebrachts coating waarborgen.
1Q Door de uiterst geringe spleethoogte van de passage-vernauwing 70 is de afvoer van medium naar het afvoerkanaal 30 uiterst gering en bedraagt 3 deze bijvoorbeeld slechts 20 mm per seconde voor een substraat met een diameter van 125 mm.
Door het eveneens gering houdBn van de hoeveelheid overtollige coating, 15 die via coating-passage 26 naar dit afvoerkanaal 30 stroomt en welke even- 3 eens bijvoorbeeld slechts 10 mm per seconde bedraagt, wordt een teveel opeenhopen van coating en medium in het vacuumkanaal 30 vermeden en kan dit kanaal met succes een vacuum bewerkstelligen op het substraat-oppervlak 74, zie Figuren 9 en 10, voordat dit oppervlak bedekt wordt door de coating. 20 Tevens kan door de relatief lage doorstroomweerstand van de passages 26,f' 70 en 72 de procesdruk in en nabij de coating-opbrengsectie laag blijven met de navolgende voordelen: 1. een geringe, toelaatbare slijtage van deze passagewandenj 2. de gemiddelde druk in de rest van de cabine-doortocht kan laag blijvenj en 25 3. door de lage procesdruk van het gasvormige medium in de ovensectie is de inwerking van het gasvormige medium op de coatinglaag te verwaarlozen, waardoor geen oppervlak-verslechtering van de aangebrachte coating.
Zeer dik-vloeibare coating kan nu naar de substraat worden gestuwd en waarbij de via passage 26 afgevoerde, overtollige coating in het vacuumka-30 naai 30 dun-vloeibaar gemaakt kan warden door de toevoer via toevoerkanaal 76 van verdunning 78, zie Figuur 9.
Tevens kan tenminste de coatingsectie van de cabine op een hoge temperatuur worden gehouden, tot op bijvoorbeeld 80°C., om daardoor een zo hoog mogelijke percentage aan vaste bestanddelen in de opgebrachte coating te 35 verkrijgen. \
Het hoge percentage aan vaste bestanddelen maakt een ideale opbrenging \ van een planerisatie-laag op een stepped oppervlak van substraat 14 mogelijk, Ksffr) ft
Sa*/ zie Figuur 11 , en waarbij deze planerisatie na oven-droging nog practisch f 8200753 - 8 - onveranderd is met een nagenoeg volkomen wegwerking van de steps, zie Fief guur 11
Verder kan op een gepolijst oppervlak van substraat 14' de bij het op— brengen van de coating 44’ verkregen laagdikte· na ovendroging nog nagenoeg 5 dezelfde hoogte hebben met een volkomen gladde top van de coating, zie A 8
Figuren 12 en 12 ·
Aldus is een perfect systeem voor het brengen van coatings op substraten verkregen, welke door geen enkele bestaande coating-installatie kan worden benaderd.
10 Bij de toepassing van ronde substraten vindt periodiek afvoer van alle plaatselijk toegevoerde coating via het hoogvacuumkanaal 30 plaats.
Bij de processing van rechthoekige substraten 14” of tape 80, zie Figuren 6 en 7, komt zulk een periodiek noodzakelijke afvoer van coating niet voor. Daarbij is de uitvoering volgens Figuur 8 mogelijk, waarbij zowel 15 'in passage 26 als passage 28 de respectievelijke coating-sloten 34 en 82 worden opgebouwd en ook geen overtollige coating uit passage 26 kan ontsnappen naar het hoogvacuumkanaal 30. Beveiligingen kunnen dan in het systeem zijn opgenomen, om te voorkomen, dat coating de doortocht van de cabine verontreinigt.
20 ETen aantal mediumkanalen 84 en 86, die de mediumkussens boven de sub straten voeden, kunnen tenminste verdunning 88 voor de coating in al dan niet dampvormige toestand toevoeren, zie Figuur 10. Bij nagenoeg ronde substraten 14 wordt daarbij tijdelijk zulk een medium in de open doorgang-secties gestuwd en beweegt dit medium naar kanaal 30 onder medename van uit het 25 kanaal 22 gestuwde coating. Aldus wordt een opeenhoping van coating in doorgang 12 voorkomen.
Verder kan bij het onder hoge temperatuur brengen van coating op de substraten het via kanaal 32 toegevoerde medium een verdunning in dampvorm zijn voor het voorkomen van verstoppingen in hoogvacuumkanaal 30.
30 Binnen het kader van de uitvinding zijn variaties in de aangegeven opstellingen van kanalen, procesdrukken, temperaturen en passage-hoogtes .mogelijk.
Verder omvat de inrichting alle benodigde installatie-delen voor de toe- en afvoer van de media en kunnen in de toevoerkanalen van de verschil-35 lende proces^iedia sensoren zijn opgenomen voor het commanderen van regelsystemen.
Θ · \ -if u 1 8200753

Claims (41)

1. Werkwijze voor het in een cabine brengen van een coating naar een door een erin opgenomen doortocht bewegende substraat, bestaande uit: gezien in de lengterichting van deze cabine-doortocht, het via opvol-5 gende mondstukken voor toe- en afvoer van media onderhouden van medium kussens tussen de wanden van de doortocht en de vlakke zijden van de substraat; het via tenminste éên toevoermondstuk brengen van coating naar êên proceszijde van deze substraat; en 10. gezien in de lengterichting van de cabine-doortocht, het tenminste in de doortochtsectie na dit coatingtoevoer-mondstuk met behulp van deze coating in samenwerking met ander media, werkend op de substraat, bewerkstelligen en tenminste tijdelijk onderhouden van een met coating gevulde passage tussen het coating-opbrengstuk en de substraat zodanig, 15 dat daarin de snelheid van de coating niet aanmerkelijk groter is dan die van de substraat.
2. Werkwijze volgens de Conclusie 1, met het kenmerkr dat de cabine—inrichting verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin de snelheid van de coating door deze coating-passage niet groter is dan de snelheid van de substraat.
3. Inrichting, waarin de werkwijze volgens êên der voorgaande Conclusies wordt toegepast, met het kenmerk, dat deze een nauwe doortocht heeft voor de substraten, aan twee zijden van deze doortocht in de lengterichting ervan opvolgende mondstukken voor toe- en afvoer van media in pakketten van segmenten zijn opgenomen en daarin middelen aanwezig zijn, waardoor de met een coating 25 gevulde passage-sectie opzij van de doorgeleide substraten wordt verkregen.
4. Inrichting volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat gezien in de lengterichting van de cabine-doortocht onmiddellijk vo&r het coatingtoevoer-kanaal een eerste segmentwand-sectie is opgenomen voor het met behulp van de door de doortocht geleide substraat vormen van een eerste coating-passage, 30 na het coating-toevoerkanaal een tweede segmentwand-sectie is opgenomen, welke voor tenminste een gedeelte ervan nagenoeg evenwijdig is met de eerste segmentwand-sectie onder de vorming van een tweede coating-passage en de inrichting verder zodanig is uitgevoerd, dat onder invloed van media in de doortocht, die op de substraat werken, in deze tweede coating-passage een \ 35 coatingslat wordt opgebouwd en tenminste tijdelijk wordt onderhouden.
5. Inrichting vólgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat ook de eerste coating-passage zodanig is verkregen, dat daarin eveneens een coatingslot ^ wordt opgebouwd en tenminste tijdelijk wordt onderhouden, welk slot tenminste \ 8200753 - 10 - nagenoeg belet, dat coating daaruit tegengesteld aan de bewegingsrichting van de substraat weglekt·
6· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 5, met het kenmerk, dat door regeling van het volume van de toegevoerde coating per tijdseenheid in com— 5 binatie met beide coatingsloten de gewenst wordende laagdikte van de op de substraat gebrachte coating wordt verkregen· 7« Substraten voor toepassing ervan in de werkwijze volgens Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze rechthoekig zijn·
8, Tape, als een serie met elkaar verbonden substraten, met het kenmerk, dat 10 deze wordt toegepast in de werkwijze volgens Conclusie''6·
9, Werkwijze volgens Conclusie 6, met het kenmerk, dat opvolgende substraten tegen elkaar liggen en tenminste stuwmedia in de cabine-doortocht zorg dragen voor transport van deze substraten·
10, Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 15 gezien in de lengterichting van de cabine-doortocht, onmiddellijk voèr het coating-toevoerkanaal een vacuum-afvoerkanaal is opgenomen en dit kanaal zodanig is uitgevoerd, dat deze tenminste dienst kan doen voor het afvoeren van overtollige coating·
11, Inrichting volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat daarbij onmid-20 dellijk na het toevoerkanaal van coating een stuwkanaal is opgenomen voor het stuwen van gasvormig medium naar de substraat.
12· Inrichting volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat gezien in de lengterichting van de cabine-doortocht, de stromingsweerstand van de coating-passage tussen het coating-toevoerkanaal en zulk een ervoor liggend vacuum-25 kanaal kleiner is dan die van de coating-passage tussen het coating-toevoerkanaal en het daarop volgende stuwkanaal.
13, Inrichting volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daartoe de lengte van de eerste gevormde passage aanzienlijk kleiner is dan die van de tweede gevormde passage· 30 14, Inrichting volgens de Conclusie 13, met het kenmerk, dat de lengte van de segmentwand, welke deel uitmaakt van de eerste coating-passage, minder is dan 0,1 mm.
15, Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 12, met het kenmerk, dat zoals de coating in de tweede coating-passage zich als een met de substraat \ 35 verplaatsend coatingslot voor overtollige coating fungeert en via de eerste coating-passage tenminste tijdelijk coating naar het vacuumkanaal wordt gestuwd, in combinatie met het toegevoerde volume coating per tijdseenheid ten-minste mede de spleetwijdte van beide passages en daardoor de laagdikte van \de op de substraat gebrachte coating wordt bepaald. 8200753 -11.-
16. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in een stapelsegment naast elkaar gelegen, van elkaar gescheiden aftakkana-len voor de coating z!jn opgenomen, uielke aan de ene zijde ervan verbonden zijn met een gemeenschappelijk toevoerkanaal en aan de andere zijde ervan verbonden 5 zijn met tenminste één mondstuk en in elk van deze aftakkanalen een gelijke doorstroomweerstand is opgenomen met een zodanige totaalgrootte ervan, dat deze tenminste gelijk is aan de doorstroomweerstand van de eerste gevormde coating-passage.
17. Inrichting volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat daarbij deze 10 totale doorstroomweerstand tenminste vijf-voudig groter is dan die van de eerste gevormds coating-passage.
18. Inrichting volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat daarbij de wijdte van het coatingtoevoerkanaal ter plaatse van zijn uitmonding in de cabine-doortocht kleiner is dan 50 micrometer.
19. Inrichting volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat de spleetwijdte van de eerste coating-passage geringer is dan van de tweeds coating-passage.
20. Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 16, met het kenmerk, dat de hoogte-instelling van tenminste de media kussens voèr de coating- 20 opbrengsectis zodanig is, dat bij geen coating toevoer de substraat geen mechanisch contact maakt met de segmentwand van de eerste coating-passage.
21. Inrichting volgens Conclusie 19, met het kenmerk, dat daarbij de segmentwand van de eerste coating-passage zich over een afstand groter dan 0.5 micrometer verder in de cabine-doortocht uitstrekt dan de segmentwand 25 van de tweede coating-passage.
22. Inrichting volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat de hoogte van de gevormde eerste coating-passage kleiner is dan 1 micrometer.
23. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 30 gezien in de lengterichting van de cabine-doortocht, aan de proceszijde van de doortacht onmiddellijk vaör het hoogvacuumkanaal zich een substraat-geleidingsgedeelte bevindt, welke bestaat uit tenminste één doortochtwand van een segment, welke evenwijdig is gelegen met de segmentwand van de eerste coating-passage en waarbij deze wand zich tot verder in de doortocht van de 35 substraten uitstrekt dan de wand van de eerste coating-passage.
24. Inrichting volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat aan de proceszijde van de cabine-doortocht vèör het hoogvacuum-afvoerkanaal een toevoerkanaal is opgenomen voor he’t onderhouden van een mediumkussen onder da substraat 8Π waarbij het segment-wandgedeelte van de Cabine-doortocht tussen dit o | 8200753 t - 12 - toevoerkanaal en het hoogvacuumkanaal nabij dit hoogvacuumkanaal zich tot verder in de cabine-doortocht uitstrekt dan het segment-wandgedeelta nabij het toevoerkanaal.
25. Inrichting volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat daarbij, gezien 5 in de lengterichting van de cabine-doortocht, de lengte van het segment- wandgedeelte nabij het hoogvacuumkanaal kleiner is dan de lengte van de coa-ting-passaga wand tussen het hoogvacuumkanaal en het coatingtoevoerkanaal.
26. Werkwijze van da inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat een coating wordt toegepast met een tenminste hoge percen— 10 tage vaste bestanddelen.
27. Werkwijze volgens Conclusie 26, met het kenmerk, dat dit percentage groter is dan 50
28. Werkwijze volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat daartoe de coating een hoge temperatuur heeft.
29. Werkwijze volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze temperatuur tenminste 50°C. is.
30. Werkwijze volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat daartoe tenminste de cabine-sectie ter plaatse van de coatingtoevoer jdLch eveneens op een hoge temperatuur bevindt» 20 31., Werkwijze volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het door de coating-opbrengsectie voeren van de substraten deze op tenminste nagenoeg de coating temperatuur zijn gebracht.
32. Inrichting, waarin de werkwijze volgens 5én der voorgaande Conclusies is toegepast, met het kenmerk, dat deze daarbij middelen b8vat om zulk een 25 plaatselijke hoge temperatuur ts bewerkstelligen en te onderhouden.
33. Werkwijze volgens êên der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals tenminste de coating-opbrengsectie en de substraten zich ter plaatse op een hoge temperatuur bevinden, het medium voor het onderhouden van het mediumkussen voor het hoogvacuumkanaal tenminste verdunning in dampvormige 30 toestand bevat,
34. Werkwijze volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat dit medium uitsluitend verdunning in dampvormige toestand is,
35. Inrichting, waarin de werkwijze volgens Conclusie 33 is toegepaét, met '' het kenmerk, dat daarbij aan de proceszijde van de cabine, gezien in de lengte- 35 richting vanxde cabine-doortocht, vèbr het toevoerkanaal voor tenminste verdunning in dampvorm een hoogvacuumkanaal is opgenomen.
36. Inrichting volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat daarbij het segmentwand-gedeelte van da cabine-doortocht tussen het mediumtoevoerkanaal en het er voor gelegen hoogvacuumkanaal nabij dit vacuumkanaal zich tot \ \8200753 A v — 13 - verder in de cabine-doortocht uitstrekt dan het segmentwand-gedeelte nabij het medium-toevoerkanaal.
37· Inrichting volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat deze wandsectie zich over nagenoeg dezelfde afstand in de doortocht voor de substraten uit-5 strekt als de wandsectie volgens Conclusie 24·
38. Inrichting volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat daarbij zich voor dit hoogvacuumkanaal een toevoerkanaal voor medium bevindt voor het onderhouden van een mediumkussen en waarbij het segmentwand-gedeelte van de cabine-dóortocht tussen deze toe- en afvoerkanalen nabij het hoogvacuumkanaal 10 zich verder in de cabine-doortocht uitstrekt dan het segmentwand-gedeelte nabij het mediumtoevoerkanaal en deze afstand nagenoeg dezelfde is als voor de wandsectie volgens Conclusie 37.
39. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in de toevoerkanalen voor gas- en dampvormig medium eveneens een groot aantal 15 van elkaar gescheiden aftakkanalen zijn opgenomen met een doorstroomweerstand, welke tenminste groter is dan de doorstroomweerstand voor deze media in de corresponderende passage-secties, welke tijdens de processing gevormd worden door de substraat en de segmentwanden tussen toe- en afvoerkanalen·
40· Inrichting volgens Conclusie 39, dat deze doorstroomweerstand tenminste 20 vijf-voudig groter is,
41. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in tenminste het hoogvacuum-afvoerkanaal eveneens een groot aantal van elkaar gescheiden aftakkanalen zijn opgenomen met een hoge doorstroomweerstand, 42« Inrichting volgens Conclusie 41, met het kenmerk, dat deze weerstand zo-25 danig groot is, dat tijdens af voer van gasvormig medium uit de cabine-door— tocht de snelheid van het medium in de uitmonding niet groter is dan 0,1 m per seconde.
43. Inrichting volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat de aftakkanalen ter plaatse van de uitmonding ervan in de cabine-doortocht eveneens nagenoeg 30 van elkaar zijn gescheiden.
44, Werkwijze van de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat aan de proceszijde de druk in de uitmonding van het op de coating toevoer volgende toevoer van tenminste gasvormig medium tenminste ongeveer gelijk is aan de druk in de uitmonding van het coatingtoevoerkanaal.
45. Inrichting volgens êén der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig, is uitgevoerd, dat via toevoerkanalen aan de niet-proces zijde van de cabine-doortocht tenminste ter plaatse van de coating-opbreng-· Θ sectie tevens verdunning in al dan niet dampvormige toestand naar de cabine- doortocht wordt gestuwd. \ 8200753
NL8200753A 1982-02-24 1982-02-24 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape. NL8200753A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200753A NL8200753A (nl) 1982-02-24 1982-02-24 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
EP83900739A EP0101704A1 (en) 1982-02-24 1983-02-21 Method and apparatus for applying a coating on a substrate
US06/551,992 US4560590A (en) 1982-02-24 1983-02-21 Method for applying a coating on a substrate
JP58500767A JPS59500459A (ja) 1982-02-24 1983-02-21 基板上にコ−ティングを付与する方法及び装置
PCT/NL1983/000006 WO1983002910A1 (en) 1982-02-24 1983-02-21 Method and apparatus for applying a coating on a substrate
US06/736,739 US4576109A (en) 1982-02-24 1985-05-22 Apparatus for applying a coating on a substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200753A NL8200753A (nl) 1982-02-24 1982-02-24 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
NL8200753 1982-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8200753A true NL8200753A (nl) 1983-09-16

Family

ID=19839315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8200753A NL8200753A (nl) 1982-02-24 1982-02-24 Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4560590A (nl)
EP (1) EP0101704A1 (nl)
JP (1) JPS59500459A (nl)
NL (1) NL8200753A (nl)
WO (1) WO1983002910A1 (nl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461439B1 (en) 1996-07-08 2002-10-08 Asm International N.V. Apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
EP0910868B1 (en) * 1996-07-08 2004-10-13 ASM International N.V. Method and apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form

Families Citing this family (248)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8300649A (nl) * 1983-02-21 1984-09-17 Integrated Automation Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
NL8402410A (nl) * 1984-08-01 1986-03-03 Bok Edward Verbeterde proces installatie met double-floating transport en processing van wafers en tape.
EP0261145A1 (en) * 1986-02-03 1988-03-30 BOK, Edward Installation for floating transport and processing of wafers
JPS62186966A (ja) * 1986-02-12 1987-08-15 Fuji Photo Film Co Ltd 塗布方法及び装置
US5194406A (en) * 1988-12-01 1993-03-16 Edward Bok Installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition
US5516545A (en) * 1991-03-26 1996-05-14 Sandock; Leonard R. Coating processes and apparatus
NL1011856C2 (nl) * 1999-04-21 2000-10-24 Asm Internat B V Floating wafer reactor alsmede werkwijze voor het regelen van de temperatuur daarvan.
US20020132113A1 (en) * 2000-01-14 2002-09-19 Ball Semiconductor, Inc. Method and system for making a micromachine device with a gas permeable enclosure
US6592942B1 (en) 2000-07-07 2003-07-15 Asm International N.V. Method for vapour deposition of a film onto a substrate
NL1018086C2 (nl) 2001-05-16 2002-11-26 Asm Int Werkwijze en inrichting voor het thermisch behandelen van substraten.
US6818517B1 (en) 2003-08-29 2004-11-16 Asm International N.V. Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ
US7410355B2 (en) * 2003-10-31 2008-08-12 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US7022627B2 (en) 2003-10-31 2006-04-04 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US6940047B2 (en) * 2003-11-14 2005-09-06 Asm International N.V. Heat treatment apparatus with temperature control system
US7217670B2 (en) * 2004-11-22 2007-05-15 Asm International N.V. Dummy substrate for thermal reactor
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721472A (en) * 1969-01-03 1973-03-20 Western Electric Co Coanda effect switch for handling and conveying workpieces on a layer of fluid
US3707944A (en) * 1970-10-23 1973-01-02 Ibm Automatic photoresist apply and dry apparatus
JPS503096A (nl) * 1973-05-15 1975-01-13
US4047498A (en) * 1975-11-21 1977-09-13 Wood Laurier A Apparatus and method for repeatable transfers of liquid deposits
JPS54127940A (en) * 1978-03-29 1979-10-04 Fujitsu Ltd Coating blade
JPS56159646A (en) * 1980-04-28 1981-12-09 Grace W R & Co Method and device for forming and distributing photosensitive polymer

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461439B1 (en) 1996-07-08 2002-10-08 Asm International N.V. Apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
EP0910868B1 (en) * 1996-07-08 2004-10-13 ASM International N.V. Method and apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form
US6805749B2 (en) 1996-07-08 2004-10-19 Asm International, N.V. Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US7312156B2 (en) 1996-07-08 2007-12-25 Asm International N.V. Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US6613685B1 (en) 1997-07-08 2003-09-02 Asm International N.V. Method for supporting a semiconductor wafer during processing

Also Published As

Publication number Publication date
EP0101704A1 (en) 1984-03-07
US4560590A (en) 1985-12-24
WO1983002910A1 (en) 1983-09-01
JPS59500459A (ja) 1984-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8200753A (nl) Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
US5318804A (en) Extrusion type coater and coating method
US4681062A (en) Coating apparatus
EP0104089B1 (en) Simultaneous formation and deposition of multiple ribbon-like streams
EP0804292B1 (en) Method and apparatus for coating substrates using an air knife
US4384015A (en) Process and an apparatus for simultaneously coating several layers to moving objects, particularly webs
DE69521532T2 (de) Verfahren zur herstellung von mehrschichtiger bechichtungen
EP0313043B1 (en) Apparatus for simultaneous multilayer application
US5612092A (en) Knife coating method using ascension of the fluid by its tension
KR19980701874A (ko) 박막의 유체 코팅 스트라이프를 도포하는 방법 및 장치
US4748057A (en) Coating method
US3726701A (en) Method for controlling deposit of coating material in electrostatic coating
JPS6057385B2 (ja) 両面塗布方法
JP3118095B2 (ja) 写真用被覆装置のための液体分布装置
US3973062A (en) Coating device
JPH06206034A (ja) 流し塗り用エッジガイド装置及び方法
US4222343A (en) Coating apparatus
US5569494A (en) Method for high-speed application of a coating while adjusting the coat thickness
US4576109A (en) Apparatus for applying a coating on a substrate
EP0649053B1 (en) Extrusion-type coating equipment for uniformly applying a coating fluid to a support surface
US5376178A (en) Coating apparatus
US6294023B1 (en) Curtain coating apparatus and method
US5358569A (en) Curtain coating method and apparatus
CN1067298C (zh) 正交流动的刮板涂料器及施加涂料的方法
EP0850696B1 (en) Process for coating a light-sensitive material

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed