JP2002124496A - 研磨加工の終点検出計測方法及びその装置、並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法及びその製造装置 - Google Patents

研磨加工の終点検出計測方法及びその装置、並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法及びその製造装置

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JP2002124496A
JP2002124496A JP2000318202A JP2000318202A JP2002124496A JP 2002124496 A JP2002124496 A JP 2002124496A JP 2000318202 A JP2000318202 A JP 2000318202A JP 2000318202 A JP2000318202 A JP 2000318202A JP 2002124496 A JP2002124496 A JP 2002124496A
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丈師 廣瀬
Mineo Nomoto
峰生 野本
Hiroyuki Kojima
弘之 小島
Hidemi Sato
秀己 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＭＰ加工によって研磨加工するウェハ表面
の層間絶縁膜の膜厚を精度良く検出可能とすることによ
り、研磨加工の終点検出の精度を高める。 【解決手段】 レーザ源九，１０から波長の異なるレー
ザ光Ｌ1，Ｌ2を出力し、ビームスプリッタ１２を介して
検出窓６から、パッド１によって研磨加工されるウェハ
１８の表面に形成した図示しない層間絶縁膜に照射す
る。夫々のレーザ光Ｌ1，Ｌ2は、この層間絶縁膜の表面
とその表面の下のパターンとから反射されて干渉光とな
り、これら干渉光は検出窓６，ビームスプリッタ１２，
ダイクロイックミラー１３を介して異なる光検出器１
５，１６で検出される。それらの検出結果は膜厚評価処
理ユニット７に供給され、これらレーザ光Ｌ1，Ｌ2夫々
に対する反射干渉光の強度の関係、もしくはこれらの強
度比から層間絶縁膜の膜厚が検出され、この膜厚が所定
の値のとき、この研磨加工の終点とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
研磨加工の終点検出に係り、特に、シリコンウェハ上に
半導体デバイスを製造するに際し、ウェハ表面の平坦化
処理における終点検出方法及びその装置、並びにそれを
用いた半導体デバイスの製造方法及びその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは、シリコンウェハ（以
下、単にウェハという）表面での成膜，所望パターンで
の露光及び露光部分のエッチングなどして素子や配線な
どのパターンをこのウェハ上に形成することにより、製
造される。そして、このように素子や配線などのパター
ンを形成すると、次に、これら素子や配線などのパター
ンを覆うように、ＳｉＯ2などの透明な層間絶縁膜が形
成され、かかる層間絶縁膜上に次の素子や配線などのパ
ターンが形成されるようにしており、製造される半導体
デバイスは積層構造をなしている。
【０００３】ところで、ウェハ上のある層で素子や配線
などのパターンを形成し、それらを覆うように層間絶縁
膜を形成した後、この層間絶縁膜上に次の層の素子や配
線などのパターンを形成するために、成膜された膜を所
望のパターンで露光する場合には、露光する光のフォー
カシング状態（露光状態）がかかる膜全体にわたって均
一である必要がある。しかし、ウェハ上の素子や配線な
どのパターンが形成された層上に次の層を形成するため
に設けられる層間絶縁膜の表面には、その下に形成され
た素子や配線などパターンによって凹凸が発生する。特
に、近年では、半導体デバイスの高精度化・高密度化を
実現するために、ウェハに形成されるパターンの微細化
・多層化が進んでおり、これにより、形成される層間絶
縁膜の表面の凹凸が増大している。このような層間絶縁
膜の表面の凹凸が増大すると、この層間絶縁膜上に成膜
される膜全体にわたって露光状態を均一にすることは困
難であり、このため、成膜を行なう前に、層間絶縁膜の
平坦化処理が行われる。
【０００４】この平坦化処理には、従来、化学的及び物
理的作用によって表面を研磨して平坦化を実現する方法
(ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）が用いられ
る。以下、このＣＭＰ加工について、図２０を用いて説
明する。
【０００５】同図において、使用される研磨装置では、
研磨盤２の表面にパッド１が設けられている。このパッ
ド１は多孔質の硬いスポンジ状の材質のシートであっ
て、その表面に微細な孔を有している。この研磨盤２が
回転され、パッド１の表面に、微細な砥粒が混入された
液状の研磨剤であるスラリー５が添加、塗布される。そ
して、ウェハチャック３に図示しないウェハがパッド１
に押しつけられ、これにより、そのウェハの表面に形成
されている層間絶縁膜がパッド１によって研磨加工され
る。
【０００６】ここで、回転する研磨盤２の中心部と周辺
部とでは、その回転速度が異なるので、ウェハチャック
３は研磨盤２の半径方向に移動させられたり、それ自身
回転させられ、ウェハ上の層間絶縁膜が全体にわたって
均一の膜厚に研磨されるようにしている。また、この研
磨は、スラリー５の砥粒がパッド１の微細な孔に入り込
み、この孔内に保持されることによって行なわれるもの
であるが、多数のウェハを研磨加工すると、パッド１の
表面がつぶれてパッド１の研磨性能が低下するし、ま
た、パッド１の表面に異物が付着するなどしてウェハの
表面の層間絶縁膜に傷を付けてしまうような事態が発生
する。このため、ドレッサ４が設けられ、これでもって
パッド１の表面を削ってパッド表面の再生が行なわれ
る。
【０００７】以上がＣＭＰ加工であるが、かかるＣＭＰ
加工において重要な課題として、ウェハ表面の層間絶縁
膜が所定の膜厚に研磨されたときに研磨を終了する終点
検出が挙げられる。ＣＭＰ加工の終点検出は、最初は、
予め評価した研磨レートから加工時間を算出することに
より、あるいは所定時間研磨する毎にウェハをＣＭＰ加
工装置から取り外し、直接層間絶縁膜の膜厚を測定する
ことにより、その管理を行なっていたが、研磨レートが
ばらつくため、精度の高い管理ができないし、また、管
理に手間がかかるものであった。
【０００８】この問題を解決する方法として、特開平９
−７９８５号公報に、研磨しながら層間絶縁膜の膜厚を
計測し、実際のウェハでの終点検出を可能なインサイチ
ュウ（in-situ)計測システムが開示されている。
【０００９】これは、図２０に示すように、研磨盤２や
パッド１を貫通する検出窓６を設け、検出ユニット８か
らこの検出窓６を介して単波長のレーザ光をウェハの表
面の層間絶縁膜に照射し、この層間絶縁膜の表面からの
反射光とこの層間絶縁膜の下に形成されているパターン
からの反射光との干渉光を検出ユニット８で検出し、膜
厚評価処理ユニット７により、この干渉光の検出強度の
変化Ｐから層間絶縁膜の膜厚の変化を検出して研磨加工
の終点検出を行なうものである。
【００１０】図２１は図２０での検出ユニット８で検出
される干渉光の検出強度変化Ｐを示す図であって、図示
するように、周期的に変化する。このときの干渉光の最
大振幅はウェハの表面に形成された層間絶縁膜やパター
ンなどの反射率などによって決まり、また、この干渉光
の周期は照射するレーザ光の波長や層間絶縁膜の膜厚，
膜材質の屈折率によって決まり、この干渉光の振幅は、
研磨加工されている層間絶縁膜の表面とその下に形成さ
れている１つ前の層のパターン表面との距離（即ち、層
間絶縁膜の膜厚）の変化とともに変化する。従って、時
刻ｔで干渉光の強度がＩとすると、層間絶縁膜の膜厚は
この強度Ｉの干渉光を生ずる厚さとなっている。
【００１１】そこで、計算により、あるいは実験によ
り、予め層間絶縁膜の膜厚がＣＭＰ加工の終点となる
（即ち、この層間絶縁膜の表面全体が均一に平坦化され
る）所定の厚さとなるときの干渉光の強度Ｉを求めてお
き、図２０で説明したようにして、ウェハをＣＭＰ加工
しながら膜厚評価処理ユニット７で干渉光の強度を計測
し、この計測した強度が予め決められた強度Ｉと等しく
なったとき、ＣＭＰ加工の終点とすることにより、焦点
検出が可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェハの表
面の層間絶縁膜の研磨の進行とともに、干渉光の強度は
図２１に示す曲線Ｐで変化するが、時間経過に伴うこの
強度変化Ｐはゆっくりしたものである。このため、この
曲線Ｐの勾配も小さく、所定の強度Ｉを検出するように
しても、これを精度良く検出することは難しい。このた
め、従来のインサイチュウ計測による場合には、比較的
加工量（研磨量）の大きい場合には有効であるが、加工
量が小さい場合や膜構造によっては、精度良く終点検出
をすることは不可能である場合が多かった。
【００１３】本発明は上記問題対して、研磨加工量や膜
構造にかかわらず、加工の終点検出を精度良く行なうこ
とができるようにした研磨加工の終点検出方法及び装
置、並びに半導体製造方法及びその製造装置を提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による研磨加工の終点検出方法及びその装置
は、研磨加工中のウェハの表面に形成された膜に２つ以
上の異なる波長の光，白色光または紫外線を照射し、該
膜からの反射光の強度または分光強度、あるいは紫外線
の強度から、該半導体デバイス表面に形成された該膜の
膜厚を評価して該膜の研磨加工の終点検出をするもので
ある。これによると、研磨加工量が小さい場合も、ま
た、膜構造にかかわらず、該膜の研磨加工の終点を検出
精度を高めることができる。
【００１５】また、本発明による半導体デバイスの製造
方法及びその装置は、かかる膜厚の評価手段を研磨加工
装置に組み込むことにより、研磨加工のパッドの劣化状
態を評価を評価し、研磨加工条件やその加工の際のパッ
ドのドレッシング（目立て）条件を最適化する。これに
より、研磨加工対象、例えば、ウェハに形成した膜など
の平坦性がより向上し、高精度の膜厚管理や高品質の加
工管理が可能となってスループット向上を実現する。
【００１６】また、本発明による半導体デバイスの製造
方法及びその装置は、パッドの評価手段でウェハ表面の
複数の位置で評価することによりウェハ、ウェハ表面に
形成した膜の膜厚分布を加工中に評価することが可能と
なる。
【００１７】さらに、本発明による半導体デバイスの製
造方法及びその装置は、ウェハ表面に形成した膜の膜厚
評価結果に基づいて、ＣＭＰプロセスの安定，最適化を
可能とする。
【００１８】さらに、本発明による半導体デバイスの製
造装置は、ウェハの表面に形成した膜を研磨する研磨手
段と、この研磨加工中にウェハ表面に形成した該膜に上
記の光や紫外線を照射する照射手段と、ウェハ表面に形
成した該膜からの反射光または紫外線を検出する検出手
段と、該検出手段によって検出された反射光の強度また
は分光強度、もしくは紫外線の強度に基づいて、ウェハ
表面に形成した膜の膜厚を評価する処理回路部とを備え
た構成としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。なお、以下に説明する実施形態は、図
２０で説明したＣＭＰ加工によるものとするが、本発明
はこれのみに限るものではない。
【００２０】図１は本発明による研磨加工の終点検出方
法及び装置の第１の実施形態の要部を示す構成図であっ
て、９，１０はレーザ光源、１１はレンズ、１２はビー
ムスプリッタ、１３はダイクロイックミラー、１４はレ
ンズ、１５，１６は光検出器、１７は対物レンズ、１８
はウェハであり、図２０に対応する部分には同一符号を
付けて重複する説明を省略する。
【００２１】同図において、レーザ光源９，１０からは
異なる波長のレーザ光Ｌ1，Ｌ2が出力される。これらレ
ーザ光Ｌ1，Ｌ2は、レンズ１１でビームとされた後、夫
々ビームスプリッタ１２で反射され、対物レンズ１７及
び研磨盤２やパッド１を貫通して設けられた検出窓６を
介して、ウェハチャック３に保持されたウェハ１８に、
その層間絶縁膜（図示せず）側から照射される。なお、
この場合、ビームスプリッタ１２で反射されたレーザ光
源９，１０からのレーザ光Ｌ1，Ｌ2は、必ずしも同一光
軸上にある必要はない。
【００２２】ウェハ１８からの上記の反射によって生じ
た夫々のレーザ光Ｌ1，Ｌ2毎の干渉光Ｐ1，Ｐ2は、検出
窓６，対物レンズ１７及びビームスプリッタ１２を通
り、ダイクロイックミラー１３により、これらが波長に
よって分離される。即ち、レーザ光源９からのレーザ光
Ｌ1による干渉光Ｐ1は、例えば、ダイクロイックミラー
１３で反射され、レンズ１４を介して光検出器１５で検
出される。また、レーザ光源１０からのレーザ光Ｌ2に
よる干渉光Ｐ2は、例えば、ダイクロイックミラー１３
を透過し、レンズ１４を介して光検出器１６で検出され
る。膜厚評価処理ユニット７は、これら光検出器１５，
１６の検出出力に基づいてウェハ１８の研磨状態を管理
し、その研磨の終点検出を行なう。
【００２３】なお、以上の構成において、レーザ光源
９，１０、レンズ１１，１４、ビームスプリッタ１２、
ダイクロイックミラー１３、光検出器１５，１６及び対
物レンズ１７が、図２０における検出ユニット８を構成
するものである。他の実施形態についても同様である。
【００２４】また、図１に示す実施形態では、異なる波
長のレーザ光Ｌ1，Ｌ2による干渉光Ｐ1，Ｐ2をダイクロ
イックミラー１３で分離するようにしたが、第２の実施
形態として図２に示すように、回折格子１９を用いて分
離するようにしてもよい。さらには、プリズムなどのそ
れ以外の波長分離手段を用いるようにしてもよい。
【００２５】さらに、図１及び図２の光検出器１５，１
６としては、ＣＣＤ２次元センサや１次元のラインセン
サなど、または、ＣＣＤセンサ以外の光センサを用いて
もよい。
【００２６】図１及び図２において、研磨盤２に１個の
検出窓６を設けてあって、ウェハ１８が対物レンズ１７
の光軸の延長線上にある場合には、研磨盤２の１回転に
１回ずつ間欠的に光検出器１５，１６が干渉光Ｐ1，Ｐ2
を検出するが、これら干渉光Ｐ1，Ｐ2は必ずしもウェハ
１７の表面の研磨しようとする層間絶縁膜の膜厚検出の
ために必要なものばかりではない。
【００２７】即ち、図３において、いま、Ｓ2を前回積
層された層間絶縁膜とし、この層間絶縁膜Ｓ2 の上にパ
ターンＥが形成され、これを覆うように層間絶縁膜Ｓ1
が形成され、この層間絶縁膜Ｓ1 を一点鎖線Ａの厚さま
で研磨加工するものとする。図１，図２で示した実施形
態の場合（後述する他の実施形態についても同様）、層
間絶縁膜Ｓ1の表面で反射する光ＬX1と層間絶縁膜Ｓ1中
のパターンＥの表面で反射する光ＬX2との干渉光ＰXば
かりでなく、層間絶縁膜Ｓ1の表面で反射する光ＬY1と
層間絶縁膜Ｓ2中のパターンＥ’の表面で反射する光Ｌ
Y2との干渉光ＰYも検出されることになる。
【００２８】図４は図１及び図２での膜厚評価処理ユニ
ット７による研磨加工の終点検出方法の一具体例を示す
図である。
【００２９】この膜厚評価処理ユニット７には、光検出
器１５，１６の検出結果が供給される。これらの検出結
果は図４のように示される。即ち、曲線(実線）Ｐ1はレ
ーザ光源９からのレーザ光Ｌ1による干渉光Ｐ1の強度変
化を、曲線(破線）Ｐ2はレーザ光源１０からのレーザ光
Ｌ2による干渉光Ｐ2の強度変化を夫々示しており、ここ
では、レーザ光源１０からのレーザ光Ｌ2はレーザ光源
９からのレーザ光Ｌ1よりも波長が長いものとしてい
る。従って、ウェハ１８の表面の層間絶縁膜の膜厚に対
するこれら干渉光Ｐ1，Ｐ2の強度は、通常、互いに異な
るものである。
【００３０】そこで、膜厚評価処理ユニット７では、計
算や実験などにより、この層間絶縁膜の膜厚が所定の値
となる研磨加工の終点でのこれら干渉光Ｐ1,Ｐ2の強度
Ｉ1，Ｉ2を予め求めておき、光検出器１５の検出結果か
ら干渉光Ｐ1が強度Ｉ1となり、かつ光検出器１６の検出
結果から干渉光Ｐ2が強度Ｉ2になったとき、研磨加工の
終点ｔとする。
【００３１】干渉光Ｐ1を単独にあるいは干渉光Ｐ2を単
独に用いて終点検出を行なう場合には、上記従来技術で
説明したように、終点を精度良く検出することができな
いが、この具体例のように、これら２つの干渉光Ｐ1，
Ｐ2を組み合わせ、これらの強度が同時に上記の所定強
度Ｉ1，Ｉ2となったとき、研磨加工の終点とする場合に
は、これらの検出誤差を互いに補償し合うので、終点検
出の精度が高まることになる。
【００３２】以上のようにして、この具体例において
は、研磨加工の終点を精度良く検出することができる。
従って、研磨量が小さい場合も、また、ウェハ１８での
膜構造にかかわらず、精度の高い研磨加工の終点検出が
可能となる。
【００３３】なお、この具体例では、光源として２つの
レーザ光源９，１０を設け、２つの異なる波長のレーザ
光Ｌ1，Ｌ2を用いたものであったが、３個以上のレーザ
光源を用い、３種類以上の波長のレーザ光を用いてもよ
く、これらレーザ光の干渉光の強度の組み合わせによっ
て研磨加工の終点を検出することができる。
【００３４】また、図５は図１及び図２での膜厚評価処
理ユニット７による研磨加工の終点検出方法の他の具体
例を示す図である。この具体例は、光検出器１５，１６
の検出結果の比を求め、これによって研磨加工の終点を
検出するものである。
【００３５】即ち、この具体例においても、図４に示し
た干渉光Ｐ1，Ｐ2の強度が得られるものであるが、さら
に、これらの強度比Ｐ1/Ｐ2を求め、この強度比Ｐ1/Ｐ2
が計算や実験などによって求められた膜厚のときの値Ｘ
1と等しくなったとき、研磨加工の終点ｔとするもので
ある。
【００３６】この場合、図４に示す干渉光Ｐ1，Ｐ2の強
度の比Ｐ1/Ｐ2を求めると、図５に示すように、その特
性が急峻に立ち上がり、急峻に立ち下がる部分と、立上
り，立下りが緩やかな部分とがある。この実施形態で
は、当然立上り，立下りが急峻な部分で終了点が検出さ
れるようにするものであり、このためには、これを満足
するような波長のレーザ光Ｌ1，Ｌ2を用いるようにすれ
ばよい。
【００３７】このようにすることにより、特性が急峻な
部分で研磨加工の終点を検出することができるから、精
度の高い終点検出が実現できる。
【００３８】また、研磨加工するウェハ１８の種類の違
いなどにより、光検出器１５，１６で検出される干渉光
の強度が異なるし、また、後述するように、パッド１と
して透明な材質のものを用いることもでき、このような
場合には、検出窓６で貫通する孔を開ける必要はない
が、研磨加工の継続によってパッド１の表面状態が変化
すると、そこでの光透過状態が変化し、光検出器１５，
１６で検出される干渉光の強度が変化してくるし、ま
た、後述するように、検出窓６内に透明板を設け、スラ
リー５（図２０）などが検出窓６から対物レンズ１７な
どの光学系に漏れでないようにするが、スラリー５など
がこの透明板に溜まってその透過率が低下することによ
り、光検出器１５，１６で検出される干渉光の強度が変
化する場合もあるが、図５に示したように、干渉光
Ｐ1，Ｐ2の強度比率Ｐ1/Ｐ2から研磨加工の終点を検出
する場合には、以上のような影響が比率を取ることによ
ってキャンセルされ、その影響を防止することができ
る。
【００３９】なお、図５に示す具体例では、強度比Ｐ1/
Ｐ2が直接予め設定された値Ｘ1に達したとき、研磨加工
の終点ｔとしたが、強度比Ｐ1/Ｐ2のピーク点Ｑ1を過ぎ
た強度比Ｐ1/Ｐ2が直接予め設定された値Ｘ2に等しい点
Ｑ2で終点ｔ1とする場合には、このピーク点Ｑ1から点
Ｑ2までの時間Δｔを予め計算や実験などで求めてお
き、強度比Ｐ1/Ｐ2のピーク点Ｑ1が検出されると（時刻
ｔ0）、それから時間Δｔを計測して研磨加工の終点ｔ1
としてもよい。この場合、強度比Ｐ1/Ｐ2の特性が急峻
であるため、そのピーク点Ｑ1を精度良く検出すること
ができる。
【００４０】また、このピーク点Ｑ1の代わりに、強度
比Ｐ1/Ｐ2の特性の急峻な立上りまたは立下りの任意の
点を検出し、この検出点から所定時間経過した時点を研
磨加工の終点としてもよい。
【００４１】さらに、図４に示した具体例でも、同様
に、研磨加工の終点よりも前の時点の干渉光Ｐ1，Ｐ2の
所定の強度Ｉ1，Ｉ2と、これら強度が同時に検出される
時点から研磨加工の終点までの時間Δｔとを予め求めて
おき、これら強度Ｉ1，Ｉ2が同時に検出されてから時間
Δｔが経過した時点を研磨加工の終点としてもよい。
【００４２】以上のようにして、この具体例において
も、研磨加工の終点を精度良く検出することができる。
従って、研磨量が小さい場合も、また、ウェハ１８での
膜構造にかかわらず、精度の高い研磨加工の終点検出が
可能となる。
【００４３】ここで、図６により、以上の焦点検出の処
理動作について説明する。
【００４４】図６（ａ）は図４に示した焦点検出の処理
動作、あるいは図５の検出終了時点ｔを検出するための
処理動作を示すフローチャートであって、干渉光Ｐ1，
Ｐ2の検出を行ない、光検出器１５，１６で干渉光Ｐ1，
Ｐ2が検出されると（ステップ１００）、これら干渉光
Ｐ1，Ｐ2の強度を求め、これらの関係が終点検出する規
定の関係Ｉ1，Ｉ2になっているか否か（図４の場合）、
あるいは、これら干渉光Ｐ1，Ｐ2の強度を求め、これら
の強度比Ｐ1/Ｐ2が規定の値になっているか否か（図５
の場合）を判定し（ステップ１０１，１０２）、このよ
うな関係あるいはこのような値になっていないときに
は、ステップ１００に戻って次の干渉光の検出を待つ
が、このような関係あるいはこのような値になっている
ときには、研磨加工の終点と判定する（ステップ１０
３）。
【００４５】また、図６(ｂ）は、図５において、終点
を強度比Ｐ1/Ｐ2のピークから予め設定した時間Δｔ経
過した時点とする場合の処理動作を示すフローチャート
であって、干渉光Ｐ1，Ｐ2の検出を行ない、光検出器１
５，１６で干渉光Ｐ1，Ｐ2が検出されると（ステップ２
００）、これら干渉光Ｐ1，Ｐ2の強度比Ｐ1/Ｐ2がピー
ク値か否か判定し（ステップ２０１）、ピーク値でない
ときには、ステップ２００に戻って次の干渉光の検出を
待つが、ピーク値であるときには、時間計測を開始し
(ステップ２０２）、時間がΔｔ経過すると(ステップ２
０３）、研磨加工の終点と判定する(ステップ２０
４）。
【００４６】なお、図４で干渉光Ｐ1，Ｐ2の検出強度が
同時に予め設定された値Ｉ1，Ｉ2となり、これからさら
に予め設定された時間Δｔだけ研磨加工を続けて研磨加
工の終点とする場合の処理動作も、図６（ｂ）と同様で
ある。
【００４７】図７は本発明による研磨加工の終点検出方
法及び装置の第３の実施形態の要部を示す構成図であっ
て、２０は白色光源、２１は分光器であり、前出図面に
対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略
する。この第３の実施形態は、光源として白色光源を用
いるものである。
【００４８】図７において、白色光源２０からは白色光
Ｌが出力される。この白色光Ｌは、レンズ１１でビーム
とされた後、ビームスプリッタ１２で反射され、対物レ
ンズ１７及び検出窓６を介してウェハ１８に、その層間
絶縁膜（図示せず）側から照射される。この場合も、先
の実施形態と同様、白色光Ｌは、その波長成分毎に、層
間絶縁膜の表面からの反射光とその下のパターン表面か
らの反射光とが干渉し、これら干渉光の複合光（以下、
これも干渉光という）Ｐが生ずる。この干渉光Ｐは、検
出窓６，対物レンズ１７及びビームスプリッタ１２を通
り、分光器２１で検出され、各波長毎の干渉光の分光強
度データが得られる。この分光強度データは膜厚評価処
理ユニット７に供給され、この分光強度に基づいて研磨
加工の終点が検出される。
【００４９】ここで、この分光強度データに基づく研磨
加工の終点検出は、ウェハ１８の表面の層間絶縁膜の膜
厚がその表面が平坦化される所定の値になるときの干渉
光Ｐでの各波長の干渉光の強度からなる強度分布が計算
あるいは実験などが予め求められており、分光器２１か
らの分光強度データによる干渉光Ｐの強度分布がこの予
め設定されている強度分布と等しくなったとき、研磨加
工の終点するものである。
【００５０】この場合、白色光Ｌでの終点検出に用いる
波長としては、２種類以上任意であり、図４で示した具
体例と同様に、精度の良い終点検出が可能となるが、用
いる波長の種類が多いほど精度が高くなることはいうま
でもない。勿論、使用する波長の種類が少ない場合に
は、互いにある程度波長が異なるものを使用する方が好
ましい。
【００５１】なお、白色光源２０としては、ハロゲンラ
ンプやキセノンランプなどの広い波長帯域を持つ光源を
用いてもよいし、また、分光器２１の干渉光Ｐの検出部
としては、ＣＣＤ２次元センサや１次元のラインセンサ
など、ＣＣＤセンサ以外の光センサを用いてもよい。
【００５２】図８は本発明による研磨加工の終点検出方
法及び装置の第４の実施形態の要部を示す構成図であっ
て、１１’は紫外線用のレンズ、１２’は紫外線用のビ
ームスプリッタ、１７’は紫外線用の対物レンズ、１
４’は紫外線用のレンズ、２２は紫外線発生手段、２３
はホトマルなどの紫外線検出器であり、前出図面に対応
する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略す
る。この第４の実施形態は、可視光に対して波長が短か
い紫外線を用いるようにしたものである。
【００５３】図８において、紫外線発生手段２２からは
紫外線が出力される。この紫外線は、レンズ１１’でビ
ームとされた後、ビームスプリッタ１２’で反射され、
対物レンズ１７’及び検出窓６を介してウェハ１８に、
その層間絶縁膜（図示せず）側から照射される。紫外線
がこの層間絶縁膜に照射されると、先の実施形態と同
様、反射した紫外線に干渉が生ずる。この干渉を伴う反
射紫外線Ｐ’は、検出窓６，対物レンズ１７’及びビー
ムスプリッタ１２’を通り、紫外線検出器２３で検出さ
れ、その強度データが得られる。この強度データは膜厚
評価処理ユニット７に供給され、この強度に基づいて研
磨加工の終点が検出される。
【００５４】図９（ａ）は従来の１つの可視光を用いた
ときのウェハの表面に形成した膜からの反射光（干渉
光）Ｐの強度変化を示すものであるが、図９（ｂ）は図
８で示した実施形態での膜厚評価処理ユニット７で得ら
れる反射紫外線Ｐ’の強度変化を示すものである。同図
（ａ），（ｂ）を比較して明らかなように、可視光を用
いた従来技術に比べ、図８に示した実施形態では、得ら
れる強度変化の周期が短く、急峻な傾斜やピークの特性
が得られることになり、研磨加工の終点を高い精度で検
出できることになる。ここでも、図５で説明した２つの
終点検出方法を用いることができることはいうまでもな
い。
【００５５】なお、図９(ｂ)においては、研磨加工の終
点となる点Ｑ’以前にこの点Ｑ’と同じ強度Ｉの点Ｑ”
が得られているが、このような場合、何回目にこの強度
Ｉが得られたときを研磨加工の終点とするかは、計算あ
るいは実験によって知ることができるものである。この
ようなことは、図４，図５で説明した終点検出方法にお
いても同様である。
【００５６】以上のように、上記各実施形態では、イン
サイチュウ計測システムを用いることにより、ウェハ表
面に形成した層間絶縁膜を平坦化するための研磨加工
中、即ち、研磨盤２が回転中にウェハ１８の表面に形成
された膜の膜厚を評価する。そのため、光学系（各実施
形態での光源から検出器までの部分）全体を研磨盤２に
固定し、この研磨盤２と同時に回転させるようにしても
よいし、光学系を研磨盤２とは独立させて定位置に固定
してもよい。また、対物レンズ１７のみを研磨盤２に固
定し、研磨盤２と同時に回転させる方法も考えられる。
要するに、研磨加工中にウェハ表面に形成した膜に光屋
紫外線を照射し、その反射光や反射紫外線を検出できれ
ばよい。
【００５７】また、ウェハを何枚か研磨加工しているう
ちにパッド１などの光学的特性が変化する場合もある。
このために、予めその変化量を評価しておき、反射光や
反射紫外線の強度，強度分布を評価するとき、これにパ
ッド１などの光学的特性の変化を反映させることによ
り、この変化による影響を低減することができる。
【００５８】図１０〜図１４は研磨装置に設けられる検
出窓６を構成する孔（検出孔）の開口形状の具体例を示
す平面図である。
【００５９】上記各実施形態での検出窓６としては、図
１０に示すように、パッド１を設けた研磨盤２に検出孔
２４の開口形状が円形のものを１個設けてもよいが（こ
の場合、光源からの光ビームＬの直径をこの検出孔２４
の直径より小さくてもよいし、また、破線で示すよう
に、大きくしてもよい。）、図１１に示すように、研磨
盤２の半径方向に細長い矩形状の開口形状としてもよ
い。この場合には、光ビームＬとしては、その断面形状
をスリット状などとし、また、その断面の大きさも検出
孔２４よりも大きくしてもよい（検出孔２４よりも大き
くする場合には、破線で図示するように、断面が楕円形
状の光ビームＬとしてもよい）。このような光ビームＬ
を用いることにより、ウェハ表面の層間絶縁膜の半径方
向の膜厚の平均を検出することができ、検出光量も多く
なって終点検出をより高精度で実現できる。
【００６０】また、このようにスリット形状の光ビーム
Ｌを用いる場合には、この光ビームＬは研磨加工される
ウェハ表面の層間絶縁膜の半径方向の異なる場所で反射
されるものであり、従って、この反射されたスリット状
の干渉光をラインセンサを持つ光検出器で検出すること
により、層間絶縁膜の半径方向夫々の場所での膜厚を検
出することが可能である。ウェハ表面の層間絶縁膜を研
磨加工する場合、ウェハチャックへの押圧力の加え方に
よっては、層間絶縁膜の研磨加工量をその半径方向で均
一とならない場合もあるが、かかる膜厚の検出結果に応
じてウェハチャックへの押圧力の加え方を制御すること
により、かかる不均一さを除くようにすることができ
る。
【００６１】図１２に示す検出窓６の具体例は、複数の
検出孔２４を研磨盤２の半径方向に１列に配列したもの
とするものである。この具体例では、夫々の検出孔２４
に光ビームＬを通すものであり、図１１に示した具体例
と同様にして、層間絶縁膜の半径方向での膜厚を評価で
きる。勿論、これらの検出孔２４を通った反射干渉光を
検出して加算することにより、図１１に示した具体例と
同様に、ウェハ表面の層間絶縁膜の半径方向の膜厚の平
均を検出することができる。
【００６２】図１３に示す検出窓６の具体例は、研磨盤
２の同一円周上に複数の検出孔２４を並べたものであ
る。ここでは、この円周上の一部に配列しているように
図示しているが、この円周全体にわたって等間隔に配列
するようにする。図１０〜図１２に示した具体例では、
光学系を固定している場合、研磨盤２の１回転に１回し
か反射干渉光の検出ができないが、図１３に示す検出窓
６を用いる場合には、ほとんど常にこの干渉光の検出が
できる。なお、これら検出孔２４としては、円形の孔で
はなく、所定の長さを持った円弧状の孔としてもよい。
【００６３】また、もともと研磨盤２上のパッド１の表
面には、図１４に示すように、互いに直交する多数の細
い溝２５が形成されているが、この溝２５に沿って検出
窓６の１個以上の検出孔２４を設けるようにしてもよ
い。これによると、既に存在する溝２５の部分に検出孔
２４を設けるため、パッド１に孔を開けることによる研
磨自体への影響、例えば、スクラッチの増加などを充分
に小さくすることができる。
【００６４】図１５及び図１６は夫々研磨装置に設けら
れた検出窓６の内部構造の具体例を示す図であって、２
６は透明パッド、２７は光学窓であり、前出図面に対応
する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略す
る。
【００６５】図１５に示す具体例は、検出窓６でのパッ
ドを透明パッド２６とし、且つこの透明バッド２６を支
えるようにして、検出窓６の検出孔２４を塞ぐ光学窓２
７を設けた構造をなすものである。この光学窓２７は厚
みが一定の薄いガラス板などからなっている。パット１
全体を透明なものとしてもよい。
【００６６】また、図１６に示す具体例のように、パッ
ド１での検出窓６の検出孔２４の部分を切り欠いて孔部
１ａとしてもよい。但し、この場合には、パッド１上に
広がったスラリー５（図２０）がこの孔部１ａの光学窓
２７上に溜り、この光学窓２７の透過率を低下させるか
ら、このスラリー５の流出口を、検出孔２４内や対物レ
ンズ１７に流れ込まないように、設けることが必要であ
る。
【００６７】なお、パッド１自体に光学窓２７を埋め込
むようにしてもよい。
【００６８】図１７は本発明による半導体デバイスの製
造方法及びその装置の一実施形態のウェハ研磨工程を示
す図であって、２８は膜厚評価データ判定処理ユニッ
ト、２９はアラーム装置、３０はパッド交換ユニット、
３１はドレッシング制御ユニット、３２はスラリー供給
制御ユニット、３３はウェハチャック制御ユニット、３
４は研磨盤制御ユニットであり、前出図面に対応する部
分には同一符号を付けて重複する説明を省略する。この
実施形態は、ウェハ表面の層間絶縁膜の研磨に先に説明
した本発明による終点検出方法及びその装置による研磨
装置（ＣＭＰ研磨加工装置）を用いるものである。
【００６９】同図において、ウェハ１８（図示せず）が
ウェハチャック３に保持されてその表面の層間絶縁膜が
研磨加工中、検出ユニット８の検出結果は膜厚評価処理
ユニット７で評価され、その評価の結果得られた膜厚評
価データが膜厚評価データ判定処理ユニット２８に供給
される。膜厚評価データ判定処理ユニット２８は、この
膜厚評価データからＣＭＰ研磨加工装置の加工状態を判
定し、アラーム装置２９やパッド交換ユニット３０，ド
レッシング制御ユニット３１，スラリー供給制御ユニッ
ト３２，ウェハチャック制御ユニット３３，研磨盤制御
ユニット３４を制御する。
【００７０】図４や図５などで説明したようにして、ウ
ェハ表面の層間絶縁膜の膜厚が所定の値となり、この膜
表面が平坦化されると、膜厚評価データ判定処理ユニッ
ト２８はこれを膜厚評価処理ユニット７からの膜厚評価
データから判定し、アラーム装置２９を駆動する。これ
により、アラーム装置２９はアラームを発し、作業者に
ウェハが研磨加工の終点に達したことを知らせる。な
お、これとともに、研磨盤２の回転を停止させるととも
に、ウェハチャック３を持ち上げてウェハをパット１へ
の押圧状態から解除し、研磨加工を終了させるようにし
てもよい。
【００７１】また、膜厚評価データ判定処理ユニット２
８は膜厚評価処理ユニット７からの膜厚評価データを処
理してパッド１の状態を判定することができる。このた
めに、膜厚評価処理ユニット７は、また、検出ユニット
８からの検出結果からウェハからの反射光（反射紫外
線）の時間的な平均強度を求め、膜厚評価データ判定処
理ユニット２８は、図１８に示すように、研磨加工した
ウェハの枚数に対するこの平均強度の変化を評価し、こ
れを予め設定したしきい値と比較する。そして、平均強
度がこのしきい値よりも小さくなると、パッド１が劣化
したものと判定し、パット交換ユニット３０を駆動す
る。これにより、パッド交換ユニット３０は警報発生な
どの動作を行ない、作業者にパット交換の必要性を通知
する。
【００７２】また、検出ユニット８で検出した検出強度
から膜厚評価処理ユニット７が図４や図５などで示すよ
うな検出強度の変動周期（あるいは、予め決められた膜
厚までの研磨時間）を評価して研磨レートを算出し、こ
の算出結果に基づいて膜厚評価データ判定処理ユニット
２８がパッド１の表面状態やウェハ表面の層間絶縁膜の
研磨状態を判定する（研磨レートが低下すると、検出強
度の周期あるいは上記研磨時間が長くなる）。そして、
膜厚評価データ判定処理ユニット２８は、この判定結果
に基づいて、ドレッシング制御ユニット３１を動作させ
てドレッサ４の押圧力（ドレッシング圧力）や回転数，
揺動運動などのドレッシング条件を最適化し、研磨レー
トの低下を防止できるようにする。
【００７３】また、検出した反射光あるいは反射紫外線
の時間的な平均強度と研磨レートとの間には、図１９に
示すような関係があり、平均強度が小さくなると、研磨
レートも低下している。そこで、図１７において、膜厚
評価データ判定処理ユニット２８は、膜厚評価処理ユニ
ット７からの平均強度の膜厚評価データから研磨レート
を判定し、スリラー供給制御ユニット３２を動作させて
スラリー５の供給を制御し、ウェハチャック制御ユニッ
ト３３を動作させてウェハのパッド１への押圧力を制御
し、あるいは研磨盤制御ユニット３４を制御して研磨盤
２の回転速度を変化させるなどして最適な研磨レートが
設定されるようにする。
【００７４】また、ウェハチャック制御ユニット３３が
ウェハ面でのパッド１への圧力分布を制御できるもので
あるときには、図１１または図１２に示すように検出窓
６を設けてウェハ７表面の層間絶縁膜の半径方向の膜厚
分布を検出することにより、その検出結果に応じて膜厚
評価データ判定処理ユニット２８がウェハチャック制御
ユニット３３を制御し、層間絶縁膜がほぼ全面にわたっ
て均一な厚さとなるように研磨加工させることができ
る。これにより、ウェハ表面の層間絶縁膜の均一性の高
い研磨加工が可能となる。
【００７５】なお、図１７に示す実施形態では、フィー
ドバック先への判定方法の一具体例を示しているもので
あり、判定方法としては、上記のものに限られるもので
はない。また、上記の判定及び判定の結果に伴う動作
は、装置操作者がマニュアルで行なうようにしてもよい
し、自動で行なわれるようにしてもよい。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨加工での高精度の終点検出が可能となり、高精度の
研磨加工管理が可能となる。
【００７７】また、かかる終点検出を行なう処理ユニッ
トを研磨加工工程に組み込むことにより、工程のスルー
プットの向上が図れる。例えば、ウェハ上に半導体デバ
イスを製造する方法及び製造ラインにおけるＣＭＰ研磨
加工工程において、終点検出を高精度に行なうことが可
能となり、工程のスループット向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による研磨加工の終点検出方法及び装置
の第１の実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明による研磨加工の終点検出方法及び装置
の第２の実施形態を示す構成図である。
【図３】多層化されたウェハからの干渉光の発生を概略
的に示す図である。
【図４】図１，図２に示した実施形態での研磨加工の終
点検出方法の一具体例を示す図である。
【図５】図１，図２に示した実施形態での研磨加工の終
点検出方法の他の具体例を示す図である。
【図６】図４及び図５での終点検出動作を示すフローチ
ャートである。
【図７】本発明による研磨加工の終点検出方法及び装置
の第３の実施形態を示す構成図である。
【図８】本発明による研磨加工の終点検出方法及び装置
の第４の実施形態を示す構成図である。
【図９】図８で示した実施形態での検出強度の変化を従
来技術での検出強度の変化と対比して示す図である。
【図１０】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の開口形状の一具体例を示す平面図であ
る。
【図１１】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の開口形状の他の具体例を示す平面図で
ある。
【図１２】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の開口形状のさらに他の具体例を示す平
面図である。
【図１３】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の開口形状のさらに他の具体例を示す平
面図である。
【図１４】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の開口形状のさらに他の具体例を示す平
面図である。
【図１５】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の内部構造の一具体例を示す縦断面図で
ある。
【図１６】図１〜図９で説明した実施形態での研磨装置
に設けた検出窓の内部構造の他の具体例を示す縦断面図
である。
【図１７】本発明における半導体デバイス製造方法およ
びその装置の一実施形態での研磨工程の一具体例を概略
的に示す構成図である。
【図１８】本発明における研磨加工装置での研磨加工枚
数と検出光の平均強度との関係の一を示す図である。
【図１９】本発明における研磨加工装置での研磨速度と
検出光の平均強度との関係の一例を示す図である。
【図２０】ＣＭＰ研磨加工の一例を示す図である。
【図２１】図２０に示したＣＭＰ加工での従来の終点検
出方法を示す図である。
【符号の説明】
１ パッド ２ 研磨盤 ３ ウェハチャック ４ ドレッサー ５ スラリー ６ 検出窓 ７ 膜厚評価処理ユニット ８ 検出ユニット ９，１０ レーザ光源 １２ ビームスプリッタ １３ ダイクロイックミラー １５，１６ 光検出器 １７ 対物レンズ １８ ウェハ １９ 回折格子 ２０ 白色光源 ２１ 分光器 ２２ 紫外線発生手段 ２３ 紫外線検出手段 ２４ 検出孔 ２５ 溝 ２６ 透明パッド ２７ 光学窓 ２８ 膜厚評価データ判定処理ユニット ２９ アラーム装置 ３０ パッド交換ユニット ３１ ドレッシング制御ユニット ３２ スラリー供給制御ユニット ３３ ウェハチャック制御ユニット ３４ 研磨盤制御ユニット
フロントページの続き (72)発明者 小島 弘之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 佐藤 秀己 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 3C047 AA02 AA04 AA05 AA08 AA34 BB01 3C058 AA09 AA19 AC02 BA01 BA07 BA09 CB03 CB04 DA17 5F043 AA01 DD16 DD25 FF07

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 研磨加工中のウェハ表面に形成した膜に
    ２つ以上の異なる波長の光を同時に照射して該膜からの
    夫々の反射光を検出し、該検出した夫々の反射光の強度
    の関係に基づいて該膜の研磨加工の終点を検出すること
    を特徴とする研磨加工の終点検出方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、 前記検出した夫々の反射光の強度比に基づいて前記研磨
    加工の終点を検出することを特徴とする研磨加工の終点
    検出方法。
  3. 【請求項３】 研磨加工中のウェハ表面に形成した膜に
    白色光を照射して該膜からの反射光を検出し、該反射光
    の強度の分光強度に基づいて該膜の研磨加工の終点を検
    出することを特徴とする研磨加工の終点検出方法。
  4. 【請求項４】 研磨加工中のウェハ表面に形成した膜に
    紫外線を照射して該膜から反射される紫外線を検出し、
    検出した該紫外線の強度に基づいて該膜の研磨加工の終
    点を検出することを特徴とする研磨加工の終点検出方
    法。
  5. 【請求項５】 研磨加工中のウェハ表面に形成した膜に
    ２つ以上の異なる光を同時に照射する照射手段と、 該膜からの夫々の反射光を検出する検出手段と、 該検出した夫々の反射光の強度の関係に基づいて該膜の
    研磨加工の終点を検出する処理手段とを備えることを特
    徴とする研磨加工の終点検出装置。
  6. 【請求項６】 請求項５において、 前記処理手段は、前記検出した夫々の反射光の強度比に
    基づいて前記膜の研磨加工の終点を検出することを特徴
    とする研磨加工の終点検出装置。
  7. 【請求項７】 研磨加工中のウェハ表面に形成した膜に
    白色光を照射する照射手段と、 該膜からの反射光を検出する検出手段と、 該検出した反射光の分光強度の関係に基づいて該膜の研
    磨加工の終点を検出する処理手段とを備えることを特徴
    とする研磨加工の終点検出装置。
  8. 【請求項８】 研磨加工中のウェハ表面に形成した膜に
    紫外線を照射する照射手段と、 該膜から反射された該紫外線を検出する検出手段と、 該検出した紫外線の強度の関係に基づいて該膜の研磨加
    工の終点を検出する処理手段とを備えることを特徴とす
    る研磨加工の終点検出装置。
  9. 【請求項９】 ウェハの表面に形成した膜を研磨加工す
    る工程で、請求項１〜４のいずれか１つに記載の研磨加
    工の終点検出方法を用いて該研磨加工の終点を検出する
    ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
  10. 【請求項１０】 ウェハの表面に形成した膜を研磨加工
    する工程で、請求項１〜４のいずれか１つに記載の研磨
    加工の終点検出方法で検出される反射光の強度に基づい
    て該膜の研磨レートを評価し、この評価結果に基づい
    て、研磨加工に用いるパッドへのドレッサのドレッシン
    グ条件を最適化することを特徴とする半導体デバイスの
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、 前記ドレッシング条件は、前記ドレッサのドレッシング
    圧力，回転数，揺動運動の周期，ドレッシングに用いる
    加工具の種類の少なくともいずれか１つであることを特
    徴とする半導体デバイスの製造方法。
  12. 【請求項１２】 ウェハの表面に形成した膜を研磨加工
    する工程で、請求項１〜４のいずれか１つに記載の研磨
    加工の終点検出方法で検出される反射光の強度に基づい
    て該膜の研磨レートを評価し、この評価結果に基づい
    て、該ウェハの膜の加工条件を最適化することを特徴と
    する半導体デバイスの製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２において、 前記加工条件は、前記パッドに押圧する前記ウェハの押
    圧力，回転数，揺動運動の周期の少なくともいずれか１
    つであることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
  14. 【請求項１４】 ウェハの表面に形成した膜を研磨加工
    する研磨手段と、 請求項５〜８のいずれか１つに記載した研磨加工の終点
    検出装置とを備え、該膜の研磨加工の終点を検出可能に
    構成したことを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
  15. 【請求項１５】 ウェハの表面に形成した膜を研磨加工
    する研磨手段と、 請求項５〜８のいずれか１つに記載した研磨加工の終点
    検出装置での前記検出手段の検出出力の強度に基づい
    て、該膜の研磨レートを評価する評価手段と、 該評価手段の評価結果に基づいて該膜を研磨加工するパ
    ッドのドレッシング条件を最適に設定する制御手段とを
    備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５において、 前記ドレッシング条件は、前記ドレッサのドレッシング
    圧力，回転数，揺動運動の周期，ドレッシングに用いる
    加工具の種類の少なくともいずれか１つであることを特
    徴とする半導体デバイスの製造装置。
  17. 【請求項１７】 ウェハの表面に形成した膜を研磨加工
    する研磨手段と、 請求項５〜８のいずれか１つに記載した研磨加工の終点
    検出装置での前記検出手段の検出出力の強度に基づい
    て、該膜の研磨レートを評価する評価手段と、 該評価手段の評価結果に基づいて該ウェハの膜の加工条
    件を最適に設定する制御手段とを備えたことを特徴とす
    る半導体デバイスの製造装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、 前記加工条件は、前記パッドに押圧する前記ウェハの押
    圧力，回転数，揺動運動の周期の少なくともいずれか１
    つであることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
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