JPH08162432A - 半導体基板の研磨方法及び研磨装置並びに研磨されたウエハ - Google Patents

半導体基板の研磨方法及び研磨装置並びに研磨されたウエハ

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JPH08162432A
JPH08162432A JP32370494A JP32370494A JPH08162432A JP H08162432 A JPH08162432 A JP H08162432A JP 32370494 A JP32370494 A JP 32370494A JP 32370494 A JP32370494 A JP 32370494A JP H08162432 A JPH08162432 A JP H08162432A
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JP32370494A
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Yasuhiro Sato
康弘 佐藤
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
株式会社リコー
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ表面をステッパによる露光やエッチン
グに対して必要な平坦性をもつ形状に研磨する。 【構成】 ウエハ6はウエハ支持台10の上面に支持さ
れ、研磨中はウエハ6の位置が固定される。研磨ヘッド
11の先端面には研磨パッド1aが設けられ、研磨ヘッ
ド11により1回の研磨で研磨される領域13は、ウエ
ハ6の表面を等しい面積の複数の領域に分割したものの
1つであり、研磨パッド1aのサイズはその1つの領域
13を研磨するのに必要な数mm〜数cmの大きさであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置を製
造するウエハプロセスの途中段階において、配線を形成
する際に基板ウエハ表面に生ずる凹凸を平坦にする化学
機械的研磨(CMP; Chemical Mechanical Polishin
g)研磨方法とそれに用いる研磨装置に関するものであ
る。

【0002】

【従来の技術】半導体集積回路装置はシリコン基板ウエ
ハに拡散層を形成したり、導電膜を形成してパターン化
したり、絶縁膜を形成したりする工程を何段階にも繰り
返して半導体素子をシリコン基板ウエハに作り込んでい
く。半導体集積回路装置が高集積化するに伴い、ウエハ
表面に生じる段差が大きな問題となっている。半導体素
子を製造するためにシリコンウエハ上に様々な薄膜を積
層し、その不要な部分をエッチングなどの方法で削り取
ることにより回路を形成しているが、その際エッチング
のマスクとして用いられるレジストパターンは、主に水
銀ランプのg線やi線を用いた縮小投影露光装置を用い
てリソグラフィー技術により形成されている。積層数が
増えて段差が大きくなってくると、縮小投影露光装置の
焦点深度が不足することから、リソグラフィーによるレ
ジストパターンの形成が困難になってくる。

【0003】そこで、レジスト層を形成する面を平坦に
するために、途中の工程でウエハ表面を研磨して平坦化
するCMP技術が注目されている。CMP技術を適用し
た方法の一例は、凹凸のあるウエハ表面に絶縁膜を形成
し、その絶縁膜表面を平坦化するために研磨剤としてコ
ロイダルシリカと水酸化カリウムの混合液からなる研磨
液(以下スラリーという)を用い、機械的な研磨と化学
的な作用を同時に行なわせてウエハ表面の凹凸を取り除
く方法である。

【0004】CMP技術のための研磨装置としては図1
に示されるものが用いられている。上面に研磨パッド1
を有する円盤状の研磨プレート2が水平面内で回転し、
ウエハ6を保持したウエハ支持台5がウエハ6の被研磨
面を研磨パッド1に押しつけながら回転し、スラリーが
スラリー供給部4から供給口3を経て研磨パッド1上に
滴下される。研磨パッド1上に滴下されたスラリーはウ
エハ6の周辺を通ってウエハ6と研磨パッド1の間に供
給されながら研磨が行なわれていく。

【0005】図1の研磨装置を用いてCMP研磨を行な
うと、ウエハが大型化するに伴い、ウエハ中心部と周辺
部での相対的な運動量や、ウエハを押しつける圧力の不
均一、ウエハ中心部と周辺部でのスラリー供給量の差な
どに起因して研磨のされ方が不均一になってしまい、ウ
エハ表面が凹状又は凸状の形状になる問題が生じてい
る。

【0006】そこで、ウエハ全体での凹凸形状に対する
対策として、研磨パッドの所要個所に穴をあけ、そこか
らスラリーを供給することにより、ウエハの被研磨面全
面にスラリーが均等に供給されるようにした研磨装置が
提案されている(特開平5−13389号公報(以下、
第1引用文献という)参照)。

【0007】一方、ウエハにはうねりが存在する。そこ
で、研磨パッドを改良して、緩衝層として作用する弾性
材料の第1の層と、その上に設けられて支持層として作
用する剛性材料の第2の層と、さらにその上に設けられ
てスラリーを運ぶ第3の層とを組み合わせた複合研磨パ
ッドが提案されている(特開平5−212669号公報
(以下、第2引用文献という)参照)。

【0008】

【発明が解決しようとする課題】図2にはウエハ表面の
断面を、高さや凹凸を発生させる構造物の大きさを強調
して模式的に示している。(A)は研磨前の断面形状で
あり、基板9上に配線構造8により形成された段差を厚
いシリコン酸化膜7で被っているが、その酸化膜表面に
は凹凸が生じている。

【0009】図2(B)は、第1引用文献に示されてい
るように、スラリーをウエハ全面に均等に供給してウエ
ハ全面が単一平面になるように平坦に研磨した状態を表
したものである。この研磨方法では酸化膜表面は全体と
して平坦になっているが、ウエハ自身にうねりがあるた
め、酸化膜7の膜厚に薄い部分と厚い部分が生じてい
る。このような状態になると、縮小投影露光によるレジ
ストパターンの形成は容易になるが、その後のエッチン
グにおいては様々な厚さの酸化膜7を均一にエッチング
することが必要となり、好ましくない。

【0010】図2(C)は、第2引用文献に示されてい
るような複合研磨パッドを用いて、ウエハ表面のうねり
に沿うように研磨した状態を表したものである。ウエハ
のうねりに合わせて研磨することにより、エッチングに
対してもレジストパターン形成のためのステッパによる
露光に対しても好ましい断面形状となる。しかし、研磨
する酸化膜の膜質やウエハのうねりの量に変化が生じた
場合は、それに合わせた構造の複合研磨パッドが必要に
なり、研磨パッドが劣化して固さが変化すれば研磨後の
ウエハ表面の状態も変化してしまうため、研磨パッドの
管理が問題になってくる。

【0011】また、ウエハ全面を研磨パッドに押しつけ
て全面を一度に研磨する従来の研磨装置(引用文献1,
2のものはいずれもこれに属する)では、ウエハがさら
に大型化していくとそれに対応して大型の研磨パッドが
必要になるため、スラリーの均等な供給や多層構造をも
った均質な複合研磨パッドの製造はますます困難になっ
ていく。

【0012】本発明は、大型化するウエハをスラリー供
給の不均等性の問題やウエハのうねりに基づく問題を解
決し、ステッパによる露光やエッチングに対して必要な
平坦性をもつ形状にウエハ表面を研磨できる方法とその
ための研磨装置を提供することを目的とするものであ
る。また本発明は、そのような方法及び装置を用いて研
磨され、露光やエッチングに対して良好な表面平坦性を
備えたウエハ自体を提供することを目的とするものであ
る。

【0013】

【課題を解決するための手段】ウエハ表面を平坦化する
目的は、主にレジストパターンを形成するためにマスク
パターンを通して行なうステッパによる露光工程におい
て、焦点深度が不足するためである。このとき、1回に
露光を行なう領域は15〜20mm角程度であり、露光
装置はこの1回の露光ごとに露光される領域が水平にな
るようにウエハの傾きを調整している。したがって、露
光工程にとっては1回に露光を行なう15〜20m角程
度の領域が露光パターンの焦点深度に対して十分なくら
いに平坦であればよく、ウエハ全体を同じ高さに揃えて
平坦にする必要はない。

【0014】エッチングに対してはうねりに合わせた研
磨を行ない、研磨後の絶縁膜の膜厚をなるべく一定にし
ておく必要がある。しかしながら、1回に露光を行なう
程度の領域であれば、ウエハ全体のうねりに起因する大
きな周期の凹凸はエッチングで問題となるほどの大きさ
ではない。

【0015】このことから、本発明ではウエハを数mm
〜数cmの領域に分割し、各領域で平坦性が維持される
ように、領域ごとに研磨を行なうようにする。そのため
に、本発明では、凹凸をもつウエハ表面に絶縁膜を形成
した後、ウエハ表面を複数の領域に分割し、それぞれの
領域に対して研磨パッドをウエハ表面に垂直に接触さ
せ、ウエハ表面と研磨パッドとの間に荷重をかけ、両者
間にスラリーを供給しながらウエハと研磨パッドの少な
くとも一方を回転させて研磨を行なう。

【0016】この研磨方法を実施する研磨装置は、半導
体基板ウエハをその被研磨面が上向きになるように、か
つ回転しないようにして水平方向に支持するウエハ支持
台と、ウエハと接触する先端面に直径が数mm〜数cm
の研磨パッドを有し回転する研磨ヘッドと、ウエハの表
面と研磨パッドとの間にスラリーを供給するスラリー供
給機構と、研磨パッドとウエハの間を加圧して接触させ
る加圧機構と、ウエハの表面領域を等しい面積の複数の
領域に分割してその1つの領域内を研磨ヘッドが水平面
内で移動して隈なく研磨するようにウエハ支持台又は研
磨ヘッドを移動させる第1の移動機構と、ウエハの表面
の1つの領域の研磨終了後、研磨ヘッドが次の領域へ移
動するようにウエハ支持台又は研磨ヘッドを移動させる
第2の移動機構とを備えている。

【0017】研磨パッドが各領域のウエハ表面に垂直に
接触するようにウエハ支持台又は研磨ヘッドの傾きを調
整する傾斜機構をさらに備えていることが好ましい。好
ましい態様では、研磨ヘッドが複数個配置されており、
その複数の研磨ヘッドによる複数領域の研磨が同時に実
行され、第2の移動機構はそれらの複数の研磨ヘッドを
単位として次の領域へ移動させる。

【0018】さらに好ましい態様では、ウエハ表面の被
研磨領域の研磨状態又は平坦度を測定する測定装置をさ
らに備え、研磨ヘッドの回転と移動を制御する制御装置
はその測定装置の出力を取り込み、研磨動作と被研磨領
域の研磨状態又は平坦度の測定とを交互に又は同時に行
なう。その測定装置の一例は、ウエハ表面の被研磨領域
にレーザ光を照射しその干渉からウエハ表面高さを検出
して研磨状態又は平坦度を測定するものである。その測
定装置の他の例は、ウエハ表面の被研磨領域に光を照射
しその反射光強度又はスペクトルの変化により研磨の終
了点を検出するものである。

【0019】この研磨方法により研磨されて得られるウ
エハは、表面に絶縁膜が形成されており、その絶縁膜表
面が等しい面積の複数の領域に分割され、各領域がウエ
ハのうねりに応じた方向の平坦面になるように研磨され
ている。

【0020】

【作用】スラリーと研磨パッドを用いた研磨を行なう場
合の研磨パッドのサイズを研磨面積に合わせて小さくす
ることができるので、研磨パッドとウエハの接触面積が
減少し、研磨パッドとウエハの間に供給されるスラリー
の均等性はウエハ全面を一度に研磨する場合に比べて大
きく向上させることができる。また、ウエハの中心と周
辺を分けて研磨するため、ウエハ全体が凹レンズ状にな
ったり凸レンズ状になったりすることも避けられる。

【0021】小さい領域に分けてウエハのうねりに合わ
せた平坦化が行なえるので、それぞれの領域では下地の
膜厚をほぼ一定に保つことができる。したがって、下地
のエッチング時の問題も避けられる。また、ウエハがさ
らに大面積になっても小さなウエハと同様に研磨を行な
うことができる。

【0022】

【実施例】図3は第1の実施例を表したものである。
(A)は概略正面図、(B)はウエハと研磨パッドの関
係を示す平面図である。ウエハ6はウエハ支持台10の
上面に支持され、研磨中は支持台10が固定されること
によりウエハ6も位置が固定されている。研磨ヘッド1
1の先端面には研磨パッド1aが設けられている。
(B)に示されるように、研磨ヘッド11により1回の
研磨で研磨される領域13は、ウエハ6の表面を等しい
面積の複数の領域に分割したものの1つであり、研磨パ
ッド1aのサイズはその1つの領域13を研磨するのに
必要な数mm〜数cmの大きさに設定されている。12
は研磨ヘッド11の回転と移動を制御し、スラリーの供
給も制御する制御系である。

【0023】研磨ヘッド11は研磨パッド1aをウエハ
6の表面に押しつけ、回転しながら水平方向に移動する
ことにより、ウエハ6の表面の1つの領域13を隈なく
研磨する。スラリー供給口3からはウエハ6上にスラリ
ーが供給され、供給されたスラリーは研磨パッド1aの
周辺を通って研磨パッド1aとウエハ6の間に供給され
ていく。ウエハ6は平坦な支持台10上に支持されてお
り、研磨中はウエハ6の移動を防ぐために、ウエハ6は
支持台6に密着させ、移動しないように吸着などの手段
により固定されていることが望ましい。

【0024】ウエハ6上にはスラリー供給口3からスラ
リーが供給され、研磨ヘッド11が回転しながらウエハ
6上を水平方向に移動することにより、1つの領域13
を研磨して平坦化する。研磨ヘッド11の動きはこのよ
うなものに限らず、1つの領域13で必要な平坦性が得
られるのであればどのような動きをしても構わない。

【0025】1つの領域が平坦化されたら研磨ヘッド1
1が次の領域に移動して同様に平坦化を行なう。研磨ヘ
ッド11の移動には、ウエハ支持台10が水平方向に移
動することによりウエハ6側を移動させる構造であって
もよく、研磨ヘッド11が水平方向に移動する構造であ
ってもよい。スラリーはこの実施例では研磨ヘッド側に
向けて供給口から流し込む構造になっているが、研磨ヘ
ッド11を中空の構造にし、研磨ヘッド11の内側から
スラリーを供給するようにしてもよい。

【0026】研磨を行なう際、研磨パッド1aがウエハ
6に対して垂直に接触する必要があるが、これは研磨パ
ッド1aの弾性を利用することによって実現することが
できるし、後の図6を参照して示す第4の実施例のよう
にウエハ6の被研磨面に対して研磨ヘッド11を傾ける
傾斜機構を設けることによっても実現することができ
る。

【0027】図2(D)はこのようにウエハ表面を複数
の領域に分割し、それぞれを平坦に研磨した後の状態を
示す断面図である。全体のうねりは残っており、露光が
一度に行なわれるそれぞれの領域13の表面が平坦化さ
れているため、レジストパターンの形成時の露光装置の
焦点深度不足は解消される。また、うねりに合わせて研
磨が行なわれているので、それぞれの領域13では研磨
後に残っている膜厚はほぼ一定になっている。

【0028】図4は第2の実施例を表わす。(A)は概
略正面図、(B)は研磨パッドとウエハの関係を示す概
略平面図、(C)は1つの研磨ヘッドを示す断面図であ
る。図3の実施例と比較すると、研磨ヘッド11が複数
個(この場合3個)が配置され、その複数の研磨ヘッド
11により複数の領域を同時に研磨する構造になってい
る点で図3の実施例と異なる。また、スラリーは(C)
に示されるように各研磨ヘッド11の内側を通って供給
される。

【0029】図4では、複数の領域が同時に研磨され、
それらの複数の領域の研磨が終了すると、その複数の研
磨ヘッド11が単位として次の複数の被研磨領域へ移動
し、同様に研磨が続けられる。スラリーは特に研磨ヘッ
ド11内を経て供給される構造に限らず、研磨ヘッド間
の隙間から供給するようにしてもよい。図4のように複
数の研磨ヘッドを同時に駆動することにより、広い面積
を短時間で研磨することができるようになる。

【0030】図5は第3の実施例を表わす。(A)は概
略正面図、(B)は研磨パッドとセンサを表わす概略平
面図である。本発明の研磨装置では、従来のようにウエ
ハ表面を一度に研磨する装置と異なり、研磨はウエハの
一部分ずつを順次研磨していくので、ウエハ6の表面の
うち研磨中の領域以外は露出している。したがって、露
出している部分でウエハ6の研磨状態を観察しながら研
磨を行なうことができる。図5の実施例ではレーザ光の
干渉を用いてウエハ6の表面高さを測定するセンサ15
が研磨ヘッド11の周囲に4個配置されている。

【0031】センサ15は例えば図5(C)に示される
ような構造になっており、光源17から出た光はビーム
スプリッタ18でウエハに照射される光と参照光として
ミラー19に入射する光に分けられる。そしてウエハ6
からの反射光とミラー19からの反射光は光強度センサ
20素子上で干渉し、光強度センサ素子20で測定され
る光強度はウエハの高さが光源17からの光の波長の1
/2変化するごとに強弱1周期分の変化をする。

【0032】この装置は、ウエハ6と制御ユニット16
の高さは変化しないようにして、研磨ヘッド11のみが
上下に動くようになっており、光強度センサ素子20の
取りつけられた部分も制御ユニット16と同様に高さは
変化しない。研磨を行なう前に、同一の点を4つのセン
サ15で1回ずつ測定することでセンサ15間の整合を
とり、移動中の研磨ヘッド11の前方と後方になるセン
サ15の光強度センサ素子20での干渉光の強度変化か
ら研磨量を計算し、その検出値に基づいて研磨を行な
う。この場合、制御ユニット16は研磨ヘッド11の回
転及び移動、スラリー供給、並びにウエハ表面の高さの
測定を行なう。

【0033】ウエハ6の表面に特定の層が露出したとき
に研磨を終了するような場合は、研磨される層と研磨の
終点とする層とで光の吸収率や反射率が異なることを利
用する。センサ15としては、ウエハ6で反射された光
を光強度センサ素子で検出すればよいので、例えば、図
5(C)においてミラー19を取り除いたような構成の
センサを用いることができる。

【0034】図6は第4の実施例を表わす。この実施例
ではウエハの傾きにあわせて研磨ヘッド11の傾きを調
整する機構がついている。図6に示されているのは研磨
ヘッド11が取りつけられている制御部の構造である。
圧力コントローラ21とシリンダ22は研磨ヘッド11
に上から圧力を加えるための加圧部である。液体又は窒
素などの気体でシリンダ22を満たし、圧力コントロー
ラ21からそれに加える圧力をコントロールすることで
研磨ヘッド11に圧力をかけている。23は研磨ヘッド
11を回転させるためのモータである。24は圧電素子
又は油圧シリンダ等、図中で上下方向に大きさが変化す
る素子である。その素子24は研磨ヘッド11の周辺に
複数個取りつけられており、制御ユニット25によって
制御される。ウエハの傾きは図5に示した実施例3のセ
ンサ15を用いて研磨を始める前に測定し、その情報を
もとに素子24を制御して研磨ヘッド11を傾ける。

【0035】

【発明の効果】本発明では、ウエハ表面を複数の領域に
分割して研磨することにより、ウエハのうねりを残して
ウエハ表面を研磨できるので、半導体装置製造時のマス
クパターン露光工程に必要なレベルの平坦性をもち、か
つエッチング時にその対象となる膜厚が均一なウエハ表
面を得ることができる。また、ウエハが大きくなっても
研磨剤が均等に行き渡らない問題は生じない。複数の研
磨ヘッドを設けることにより研磨処理を短時間で行なえ
るようになる。ウエハ表面の被研磨領域の研磨状態又は
平坦度を測定する測定装置を設けて被研磨領域の研磨状
態又は平坦度を測定しながら研磨を行なうことにより、
研磨の終点を検出することが容易になり、片べりを避け
るのが容易になり、被研磨面の研磨精度が向上する。こ
のようにして得られたウエハは、半導体製造におけるマ
スクパターンの投影露光を容易に行なうことができ、エ
ッチングも容易になるため、高密度に集積された半導体
集積回路装置を製造するのが容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図1】従来の研磨装置を示す概略斜視図である。

【図2】ウエハ断面を概略的に示す断面図であり、
(A)は研磨前の状態、(B)はウエハ表面全体を均一
な高さに平坦化した状態、(C)はウエハのうねりに沿
って研磨した状態、(D)は本発明により複数に分割さ
れたウエハ表面をそれぞれ研磨した状態である。

【図3】第1の実施例を示す図であり、(A)は概略正
面図、(B)はウエハと研磨パッドの関係を示す平面図
である。

【図4】第2の実施例を示す図であり、(A)は概略正
面図、(B)はウエハと研磨パッドの関係を示す平面
図、(C)は1つの研磨ヘッドを示す断面図である。

【図5】第3の実施例を示す図であり、(A)は概略正
面図、(B)は研磨パッドとセンサを示す概略平面図、
(C)はセンサを示す概略正面断面図である。

【図6】第4の実施例にいて、研磨ヘッドの傾きを調整
する機構を示す断面図である。

【符号の説明】

1a 研磨パッド 3 スラリー供給口 6 ウエハ 10 ウエハ支持台 11 研磨ヘッド 12,16 制御系 13 一度に研磨を行なうウエハ表面の領域 14 スラリー 15 センサ 17 センサの光源 18 ビームスプリッタ 19 ミラー 20 光強度センサ素子 21 研磨ヘッドの圧力コントローラ 22 研磨ヘッドに圧力を加えるためのシリンダ 23 研磨ヘッドを回転させるモータ 24 高さ調節のための素子 25 高さ調節用コントローラ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 凹凸をもつ半導体基板ウエハ表面に絶縁
    膜を形成した後、そのウエハ表面と研磨パッドとの間に
    荷重をかけて接触させ、両者間に研磨液を供給しながら
    ウエハと研磨パッドの少なくとも一方を回転させて前記
    絶縁膜表面を平坦化する研磨方法において、 ウエハ表面を複数の領域に分割し、それぞれの領域に対
    して研磨パッドをウエハ表面に垂直に接触させて研磨を
    行なうことを特徴とする研磨方法。
  2. 【請求項2】 半導体基板ウエハをその被研磨面が上向
    きになるように、かつ回転しないようにして水平方向に
    支持するウエハ支持台と、 ウエハと接触する先端面に直径が数mm〜数cmの研磨
    パッドを有し回転する研磨ヘッドと、 ウエハの表面と研磨パッドとの間に研磨液を供給する研
    磨液供給機構と、 研磨パッドとウエハの間を加圧して接触させる加圧機構
    と、 ウエハの表面領域を等しい面積の複数の領域に分割して
    その1つの領域内を研磨ヘッドが水平面内で移動して隈
    なく研磨するようにウエハ支持台又は研磨ヘッドを移動
    させる第1の移動機構と、 ウエハの表面の1つの領域の研磨終了後、研磨ヘッドが
    次の領域へ移動するようにウエハ支持台又は研磨ヘッド
    を移動させる第2の移動機構と、を備えたことを特徴と
    する研磨装置。
  3. 【請求項3】 研磨パッドが各領域のウエハ表面に垂直
    に接触するようにウエハ支持台又は研磨ヘッドの傾きを
    調整する傾斜機構をさらに備えている請求項2に記載の
    研磨装置。
  4. 【請求項4】 研磨ヘッドが複数個配置されており、そ
    の複数の研磨ヘッドによる複数領域の研磨が同時に実行
    され、第2の移動機構はそれらの複数の研磨ヘッドを単
    位として次の領域へ移動させるものである請求項2に記
    載の研磨装置。
  5. 【請求項5】 ウエハ表面の被研磨領域の研磨状態又は
    平坦度を測定する測定装置をさらに備え、研磨ヘッドの
    回転と移動を制御する制御装置はその測定装置の出力を
    取り込み、研磨動作と被研磨領域の研磨状態又は平坦度
    の測定とを交互に又は同時に行なう請求項2〜4に記載
    の研磨装置。
  6. 【請求項6】 前記測定装置はウエハ表面の被研磨領域
    にレーザ光を照射しその干渉からウエハ表面高さを検出
    して研磨状態又は平坦度を測定するものである請求項5
    に記載の研磨装置。
  7. 【請求項7】 前記測定装置はウエハ表面の被研磨領域
    に光を照射しその反射光強度又はスペクトルの変化によ
    り研磨の終了点を検出するものである請求項5に記載の
    研磨装置。
  8. 【請求項8】 表面に絶縁膜が形成されており、その絶
    縁膜表面が等しい面積の複数の領域に分割され、各領域
    がウエハのうねりに応じた方向の平坦面になるように研
    磨されていることを特徴とする半導体基板ウエハ。
JP32370494A 1994-11-30 1994-11-30 半導体基板の研磨方法及び研磨装置並びに研磨されたウエハ Pending JPH08162432A (ja)

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JP (1) JPH08162432A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6705922B1 (en) 1999-12-06 2004-03-16 Renesas Technology Corp. Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer
JP2009107069A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding equipment
WO2014128754A1 (ja) * 2013-02-19 2014-08-28 株式会社Leap Cmp装置及びcmp方法
JP2014200901A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 尚一 島田 加工装置
KR102000419B1 (ko) * 2019-01-08 2019-07-15 서순규 대상물 가공 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6705922B1 (en) 1999-12-06 2004-03-16 Renesas Technology Corp. Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer
JP2009107069A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding equipment
WO2014128754A1 (ja) * 2013-02-19 2014-08-28 株式会社Leap Cmp装置及びcmp方法
JP2014200901A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 尚一 島田 加工装置
KR102000419B1 (ko) * 2019-01-08 2019-07-15 서순규 대상물 가공 장치

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