JP6373803B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
以下、図1乃至図4を参照して本発明の実施の形態について説明する。
ここで図1は、本発明による基板処理装置を示す縦断面図である。図1に示すように基板処理装置1は基板であるウエハWの中央近傍を、被処理面が上を向くようにほぼ水平な状態で吸着保持すると共に、当該ウエハWを鉛直軸まわりに回転させ、かつ昇降させるための、例えばポリテトラフルオロエチレンやポリエ−テルエ−テルケトン等の樹脂あるいは金属により構成されたウエハ保持部(基板保持機構)22と、このウエハ保持部22の上方に配置され、ウエハ保持部22により吸着保持されたウエハW表面に薬液、DIW(De Inoized Water)等からなる処理液、あるいはN2ガス等の乾燥ガスを供給するノズル(処理流体供給部)5とを備えている。このうち、ウエハ保持部22は基板保持機構をなすものであって、ウエハWを保持する保持面23と、保持面23の中央部に開口し、ウエハWを真空吸着する開口(吸引部)24とを有している。そしてこのウエハ保持部22は昇降機構とモ−タとが組み合わされた駆動部21により、回転軸を介して鉛直軸まわりに回転自在かつ昇降自在となっている。こうしてウエハWは、ウエハ保持部22により、図1に示すウエハ保持部22に吸着保持された処理位置と、処理位置よりも上方側のウエハWの受け渡し位置Hとの間で昇降自在、回転自在に保持される。
まず、図5に示すように、ノズル(塗布液供給部)50を退避位置から保持面23の例えば周縁部の上方位置に移動させ、ウエハ保持部22を回転させながら、ウエハ保持部22の保持面23の周縁部にノズル(塗布液供給部)50から塗布液50aを供給する。
このためウエハWを清浄に保ちならが、ウエハWに対して液処理を施すことができる。
このため、開口24から噴出されたDIW24aはウエハW裏面を通って外方へ流出する。
次に本発明の変形例について述べる。上記実施の形態において、保持面23上に環状塗布膜25を形成した後、保持面23の中央部に設けられた開口24からDIW24aを保持面23に供給して環状塗布膜25を溶解またはエッチングして除去する例を示したが、これに限らず保持面23の周縁部にDIWを供給する3個の開口24Aを設けてもよい(図4参照)。この場合、保持面23の中央部の開口24は真空源56に接続されて吸引部として機能する。また周縁部の開口24Aは、DIW供給源57またはN2ガス供給源58に選択的に接続されてDIW供給部あるいはN2ガス供給部として機能する。
3 カップ
4 保持ピン
5 ノズル
5a 処理流体
10 制御部
11 記憶媒体
22 ウエハ保持部
23 保持面
24 開口
24a DIW
24b N2ガス
25 環状塗布膜
31 外カップ
32 内カップ
42 昇降機構
50 ノズル
50a 塗布液
51 塗布液カップ
52 リングガイド
W ウエハ
Claims (16)
- 保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構と、
前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する塗布液供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持部は、回転自在であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記保持面上の前記環状塗布膜を溶解またはエッチングする処理液を供給する塗布膜処理液供給部を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板保持機構の外周に、前記基板保持機構に保持された基板を上方へ持上げる保持ピンを設けたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の基板処理装置。
- 前記基板保持機構の外周に、前記基板保持機構に保持された基板の周縁部を保持して持上げるリングガイドを設けたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の基板処理装置。
- 前記基板保持機構と前記保持ピンとの間に、前記基板保持機構の保持面周縁部に供給された塗布液を下方へ導く塗布液カップを設けたことを特徴とする請求項4または5記載の基板処理装置。
- 基板保持機構の上方に、前記基板保持機構に保持された基板に対して処理流体を供給する処理流体供給部を設けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか記載の基板処理装置。
- 保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構を準備する工程と、
前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液供給部から塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する工程と、
前記保持面の前記環状塗布膜上に基板を載置して基板を吸引部により吸着保持する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板保持機構は、回転自在であることを特徴とする請求項8の基板処理方法。
- 前記基板保持機構により保持された基板上に、前記基板保持機構の上方に設けられた処理流体供給部から処理流体を供給する工程を更に備えたことを特徴とする請求項8または9記載の基板処理方法。
- 前記保持面の周縁部に塗布液を供給する際、前記基板保持機構外周に設けられた塗布液カップにより塗布液を下方へ導くことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか記載の基板処理方法。
- 前記保持面上の前記環状塗布膜を溶解またはエッチングする処理液を塗布膜処理液供給部から供給することを特徴とする請求項8乃至11のいずれか記載の基板処理方法。
- 前記基板保持機構の外周に設けられたリングガイドにより、前記基板保持機構に保持された基板の周縁部を保持して持上げることを特徴とする請求項12記載の基板処理方法。
- 前記塗布液は溶剤と残部とを含み、前記保持面に供給された後、溶剤が外方へ放出され、残部が前記保持面上に残ることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか記載の基板処理方法。
- 前記塗布液はトップコート液、レジスト液または反射防止膜液のいずれかを含むことを特徴とする請求項14記載の基板処理方法。
- コンピュータに基板処理方法を実行させるための記憶媒体において、
前記基板処理方法は、
保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構を準備する工程と、
前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液供給部から塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する工程と、
前記保持面の前記環状塗布膜上に基板を載置して基板を吸引部により吸着保持する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体。
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