JP4707593B2 - 熱処理装置と基板吸着方法 - Google Patents

熱処理装置と基板吸着方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して熱処理を行う熱処理装置と基板を吸着する基板吸着方法に係り、特に、熱処理プレートから微小空間を隔てて載置される基板を吸着した状態で熱処理する技術に関する。
近年、基板に形成されるパターンの線幅寸法や線幅均一性の要求値が厳しくなるにしたがい、フォトリソグラフィのベーク熱処理、特に露光後のベーク(PEB:Post Exposure Bake)における温度均一性の要求も高くなっている。
そこで、基板を吸着して熱処理を行う熱処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この熱処理装置は、熱処理プレートの上面に、基板を支持する凸部と基板の周縁を支持するリング状のシール部とが設けられている。また、熱処理プレートの上面に貫通して、気体を排出する排出孔が形成されている。基板が熱処理プレートに載置されると、基板と熱処理プレートとの間に閉塞された空間が形成される。この空間の気体を排出することにより基板が吸着される。このとき、基板に反りが生じている場合であっても矯正することができるので、基板を均一な温度に加熱することができる。
特開平１０−２８４３６０号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
基板と当接する凸部も熱処理プレートと同様に金属であるので、基板へ与えられる熱は主に凸部を介して伝達される。よって、基板面内において凸部の接触部分と非接触部分とで熱履歴が大きく異なるという不都合がある。このような不都合については、先行特許出願（特許願２００５−３５３４３２）に係る先行発明によって解消が図られている。
この先行発明の一態様は、熱処理プレートの上面に、凸部が形成された樹脂製のシート状物を設けている。そして、シート状物に載置された基板を吸着して、所定の熱処理を行う。この先行発明によれば凸部に金属が用いられていないので、基板面内において凸部の接触部分と非接触部分との熱履歴の差を低減させることができる。
しかしながら、本発明者らは、基板を吸着するときにシート状物が浮き上がったり、シート状物に皺が寄ったりする不都合があることを知見した。この場合、基板とシートの間に形成される空間内で気流に乱れが生じたり、空間の気密性が確保できずに外気の流入を招くおそれがある。この結果、基板の面内温度がばらつき、熱処理品質が損なわれる。また、基板にシート状物が触れてしまうと、パーティクルが付着するおそれが高まる。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱処理プレートの上面に設けられるシート状物が熱処理プレートに対して動くことを抑制しつつ、基板を吸着することができる熱処理装置と基板吸着方法を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上面に設けられ、基板を当接支持する凸部が形成されたシート状物と、基板と前記シート状物との間に形成される空間の側方を閉塞する閉塞手段と、前記空間の気体を排出するための排出孔と、前記熱処理プレートに形成され、シート状物を吸引するための吸引孔と、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、シート状物を吸引するための吸引孔が熱処理プレートに形成されているので、シート状物を熱処理プレートに密着させることができる。よって、シート状物が熱処理プレートに対して動くことを抑制しつつ、基板を吸着することができる。
本発明において、前記熱処理プレートの上面に形成され、前記吸引孔に連通する溝部を備えることが好ましい（請求項２）。溝部においてシート状物を吸引することができるため、シート状物を熱処理プレートに適切に密着させることができる。
さらに、前記熱処理プレートの上面に形成され、前記排出孔に連通する溝部を備え、前記排出孔は前記吸引孔を兼ねることが好ましい（請求項３）。排出孔が吸引孔を兼ねるため、専らシート状物を吸引するための吸引孔を設けることを要せず、構造を簡略化することができる。
また、各発明において、前記溝部の底部から前記熱処理プレートの上面までの高さは、前記凸部の高さより高いことが好ましい（請求項４）。基板Ｗを吸着する際、溝部の圧力を空間に比べて低くすることができる。このような圧力差により、シート状物に対して熱処理プレート側の向きに力を作用させ、シート状物を熱処理プレートに密着させることができる。
また、各発明において、前記溝部は、前記熱処理プレートの周縁側と中央とにわたって形成されていることが好ましい（請求項５）。シート状物を全体的に吸引することができる。
また、各発明において、前記排出孔は、前記熱処理プレートに形成されるプレート孔と、前記シート状物に形成され、前記プレート孔に連通するシート孔と、を有し、前記シート孔は前記熱処理プレートの周縁側に設けられていることが好ましい（請求項６）。空間の側方から外気が流入する場合であっても、流入した外気を周縁側の排出孔から排出するので、外気が熱処理プレートの中央部まで進入することを抑制することができる。
請求項７に記載の発明は、凸部が形成されたシート状物を熱処理プレートの上面に設けて、前記凸部に当接支持される基板を吸着する基板吸着方法において、基板と前記シート状物との間に形成される空間を第１空間とし、前記シート状物と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を第２空間として、前記第２空間の圧力を前記第１空間の圧力以下に保ちつつ、前記第１空間および前記第２空間の気体をそれぞれ排出することを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、気体を排出するときの第１、第２空間の圧力の関係によって、シート状物には熱処理プレート側に向く力は生じ得ても、基板側に向く力は生じ得ない。シート状物が熱処理プレートに対して動くことを抑制しつつ、基板を吸着することができる。
また、各発明において、排出時に前記第２空間内に生じる気体の流れに対する流動抵抗は、前記第１空間内に比べて小さいことが好ましい（請求項８）。第２空間の圧力を、第１空間に比べて低くすることができる。よって、シート状物を熱処理プレートに密着させることができる。
なお、本明細書は、次のような熱処理装置に係る発明も開示している。
（１）請求項２から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、前記溝部は直線であることを特徴とする熱処理装置。
前記（１）に記載の発明によれば、溝部の長さを抑えることができる。これにより、溝部に起因するパーティクルの発生や、熱処理品質に与える溝部の影響を抑制することができる。また、直線であるので溝部を容易に加工形成することができる。
（２）請求項２から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、前記溝部は、前記吸引孔ごとに独立して形成されていることを特徴とする熱処理装置。
前記（２）に記載の発明によれば、吸引孔ごとに吸引するタイミングや吸引圧力に差が出たとしても、溝部および吸引孔を通じて排出される気体の流れは相互に干渉しない。
（３）請求項２から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、さらに、前記熱処理プレートに形成され、前記空間に気体を供給するための供給孔を備え、前記供給孔は、前記溝部から外れた位置に形成されていることを特徴とする熱処理装置。
前記（３）に記載の発明によれば、供給孔から供給される気体は、空間を介して溝部に流入するので、気体を供給するときに溝部の方が空間に比べて圧力が上昇することはない。このため、シート状物が熱処理プレートから浮き上がることはない。
（４）請求項１から請求項６に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートは、多孔質部材であり、前記第吸引孔は、前記熱処理プレートが有する気孔であることを特徴とする熱処理装置。
前記（４）に記載の発明によれば、熱処理プレートを貫通する吸引孔を加工形成することを要しない。
この発明に係る熱処理装置によれば、シート状物を吸引するための吸引孔が熱処理プレートに形成されているので、シート状物を熱処理プレートに密着させることができる。よって、シート状物が熱処理プレートに対して動くことを抑制しつつ、基板を吸着することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、熱処理プレートの平面図である。
熱処理プレート１は、平面視で基板Ｗよりやや大径の円形を呈する。熱処理プレート１の材質としては熱伝導率の高い銅やアルミニウム等の金属が例示される。この熱処理プレート１には、マイカヒータなどの発熱体３が付設されている。発熱体３と熱処理プレート１の上面との間にあたる伝熱部５には、図示しないヒートパイプが複数本埋設されている。また、図示しない複数本のヒートパイプの間には、図示しない冷却溝が形成され、冷却用の流体が流通される。
この熱処理プレート１の上面には、基板Ｗを当接支持する凸部１３が形成された支持シート１１が設けられている。支持シート１１は熱処理プレート１に固定されることなく、所定の位置に載置されている。支持シート１１には、さらに基板Ｗの周縁部に沿って当接するシール部１５が形成されている。支持シート１１は、この発明におけるシート状物に相当する。
凸部１３は、複数個（図では４３個）であり、規則的に配置されている。各凸部１３は円柱形状を呈しており、その径は基板Ｗと接触する上端から下端側にかけてやや大きくなっている。各凸部１３の高さは、例えば７５μｍである。
シール部１５は、平面視で基板Ｗの外径よりやや小径の内径を有するリング形状を呈する。その高さは、各凸部１３の高さと同じである。これにより、シール部１５は、基板Ｗと支持シート１１との間に形成される空間（以下では「微小空間ｍｓ」と記載する）の側方を閉塞する。シール部１５は、この発明における閉塞手段に相当する。微小空間ｍｓは、この発明における空間、または第１空間に相当する。
このような支持シート１１は、耐熱性のある樹脂をエッチング処理することで作られる。樹脂としては、さらに耐薬性が有していることが好ましい。具体的には、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、または耐熱性ゴム材料が例示される。ただし、支持シート１１の製作方法はこれに限られるものではなく、樹脂製のフィルムまたはシート等に凸部１３とシール部１５をそれぞれ熱溶着により設けてもよい。また、支持シート１１を一体に成形してもよい。
本実施例に係る熱処理装置は、これら熱処理プレート１と支持シート１１とにわたって貫通する、排出孔２１と供給孔４１と貫通孔５１とを備えている。以下、順に説明する。
排出孔２１は、微小空間ｍｓの気体を排出するために設けられる。排出孔２１は、６個であり、それぞれ平面視で熱処理プレート１の周縁側に配置されている。各排出孔２１は、熱処理プレート１に形成されるプレート孔２１ｐと、支持シート１１に形成され、プレート孔２１ｐと連通するシート孔２１ｓとに分けられる。
熱処理プレート１の上面には、各排出孔２１と連通する溝部２５が設けられている。溝部２５は、熱処理プレート１の周縁側から中央に直線的に延びている。また、各溝部２５は、排出孔２１ごとに独立して形成される。各溝部２５の底部から熱処理プレート１の上面までの高さ（すなわち、溝部２５の深さ）は、後述する凸部１３の高さより高い。溝部２５の寸法は、例えば深さが０．５ｍｍであり、幅が１ｍｍである。なお、溝部２５の上方は支持シート１１で覆われている。したがって、プレート孔２１ｐは、支持シート１１を吸引するための吸引孔としても機能する。また、プレート孔２１ｐを含む排出孔２１は吸引孔を兼ねる。溝部２５は、この発明における溝部または第２空間に相当する。
各排出孔２１には、熱処理プレート１の下面側において、排出配管３１の一端側が共通して連通接続され、その他端側に真空吸引源３３が連通接続されている。この真空吸引源３３は、例えば、クリーンルームに設けられたバキュームのユーティリティである。排出配管３１には、圧力（負圧）を調整する開閉弁３５と、圧力を計測する圧力計３７とが設けられている。排出配管３１と真空吸引源３３とは、排出手段として機能する。
供給孔４１は、微小空間ｍｓに気体を供給するために設けられる。供給孔４１は２個であり、それぞれ溝部２５から外れた位置に形成されている。各供給孔４１には、熱処理プレート１の下面側において、供給配管４３の一端側が共通して連通接続され、その他端側に窒素ガス供給源４５が連通接続されている。この窒素ガス供給源４５は、例えば、クリーンルームに設けられたバキュームのユーティリティである。供給配管４３には、開閉弁４７と、圧力計４９とが配設されている。なお、窒素ガス供給源４５に代えてクリーンエア供給源としてもよい。供給配管４３と窒素ガス供給源４５とは、供給手段として機能する。
貫通孔５１は、昇降ピン５３を挿通するために設けられている。貫通孔５１は３個であり、平面視で熱処理プレート１の中心を重心とする正三角形の各頂点にあたる位置にそれぞれ形成されている。各貫通孔５１に挿通される昇降ピン５３は、その下端側で図示省略の昇降機構に連結されている。そして、昇降ピン５３が昇降することで、図示しない搬送手段との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
制御部６１は、上述した発熱体３の出力と、開閉弁３５および開閉弁４７の開閉と、昇降機構等を統括的に操作する。これらの操作は、予め記憶されているレシピに基づいて行われる。さらに、開閉弁３５と開閉弁４７の開閉操作は、それぞれ圧力計３７と圧力計４９の検出結果に基づいて行われる。制御部６１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
次に、実施例１に係る熱処理装置の動作について説明する。図３は、熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。なお、発熱体３の温度制御等はレシピに応じて既に行われているものとし、以下の説明においては省略する。
＜ステップＳ１＞ 基板Ｗを搬入する
制御部６１が昇降機構を操作することで、昇降ピン５３は図示しない搬送手段から基板Ｗを受け取る。そして、支持シート１１に基板Ｗを載置する。基板Ｗは、凸部１３とシール部１５とに当接支持される。基板Ｗと支持シート１１との間には、気密な微小空間ｍｓが形成される。
＜ステップＳ２＞ 基板Ｗを吸着する
制御部６１は圧力計３７の計測結果を参照しつつ開閉弁３５を開放させて、微小空間ｍｓの圧力を所定の処理圧力Ｐｍｓ（負圧）に制御する。これにより、微小空間ｍｓの気体は、排出孔２１から排出され、溝部２５の気体もプレート孔２１ｐから排出される。
図４は、基板Ｗを吸着するときの微小空間ｍｓと溝部２５とに生じる気体の流れを模式的に示す図である。気体が排出され始めてから処理圧力Ｐｍｓに至るまでの間、微小空間ｍｓおよび溝部２５には、排出孔２１（プレート孔２１ｐ）に向かう気体の流れがそれぞれ生じている（図中において一点鎖線で示す）。それぞれの気流の流路を比較すると、溝部２５の深さが微小空間ｍｓの高さに比べて十分大きく、溝部２５の方が微小空間ｍｓに比べて流路断面積が大きい。したがって、溝部２５内に生じる気流に対する流動抵抗は、微小空間ｍｓ内に比べて小さい。
したがって、基板Ｗを吸着する際、微小空間ｍｓと溝部２５との圧力は図５に示すように低下する。図５は、微小空間ｍｓの圧力を処理圧力Ｐｍｓに変更したときの微小空間ｍｓおよび溝部２５の圧力変化の様子を示す模式図である。図５において、時刻ｔ１は気体の排出を開始する時刻であり、時刻ｔ２は微小空間ｍｓの圧力が処理圧力Ｐｍｓに安定する時刻である。なお、時刻ｔ１以前は、微小空間ｍｓおよび溝部２５は、ともに大気圧にあるものとする。図示するように、時刻ｔ１以降、溝部２５の方が微小空間ｍｓより先に圧力が低下する。そして、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間、溝部２５の圧力は常に微小空間ｍｓの圧力と同じか、それより低い値に保たれている。
したがって、図４に示すように、基板Ｗを吸着する際（時刻ｔ１〜時刻ｔ２）、溝部２５と微小空間ｍｓの過渡的な圧力差によって、支持シート１１には熱処理プレート１側の向きにのみ力Ｆｓが作用する。言い換えれば、支持シート１１に対して基板Ｗ側の向きに力が作用することはない。また、基板Ｗには、微小空間ｍｓの圧力に応じて支持シート１１側に向く力Ｆｗが作用し、基板Ｗは吸着される。
＜ステップＳ３＞ 基板Ｗに対して熱処理を行う
基板Ｗを吸着すると、予め決められた時間だけこの状態を保持することで、基板Ｗに対して所定の熱処理を行う。
＜ステップＳ４＞ 基板Ｗの吸着を解除する
所定の熱処理を終えると、制御部６１は、開閉弁３５を閉止するとともに、開閉弁４７を開放する。窒素ガスは供給孔４１を通じて微小空間ｍｓに供給される。このとき、溝部２５には窒素ガスが微小空間ｍｓから流入するので、溝部２５の圧力が微小空間ｍｓの圧力より高くなることはない。これにより、基板Ｗの吸着を解除する。
＜ステップＳ５＞ 基板Ｗを搬出する
基板Ｗの吸着が解除されると、制御部６１が図示省略の昇降機構を操作することによって、昇降ピン５３が基板Ｗを上方に持ち上げる。そして、図示しない搬送機構に基板Ｗを受け渡す。
このように、実施例１に係る熱処理装置によれば、熱処理プレート１の上面に、排出孔２１と連通する溝部２５を形成したことで、排出孔２１から微小空間ｍｓの気体を排出するとき、溝部２５の気体はプレート孔２１ｐを通じて排出される。これにより、溝部２５において支持シート１１を吸引し、熱処理プレート１に密着させることができる。すなわち、支持シート１１が熱処理プレート１から浮いたり、支持シート１１に皺が生じる等、熱処理プレート１に対して動くことを抑制しつつ、基板Ｗを吸着できる。
また、溝部２５の深さを凸部１３の高さより大きくすることで、基板Ｗを吸着する際、溝部２５の圧力を微小空間ｍｓに比べて低くすることができる。このような圧力差により、支持シート１１に対して熱処理プレート１側の向きに力Ｆｓを作用させることができる。したがって、支持シート１１が熱処理プレート１から浮くなど、熱処理プレート１に対して動くことを確実に防止できる。
また、溝部２５を排出孔２１に連通させて、排出孔２１が吸引孔の機能を兼ねるように構成しているので、別途吸引孔を熱処理プレート１に形成することを省くことができる。また、溝部２５を熱処理プレート１の中央と周縁側とにわたって形成しているので、支持シート１１全体を均一に吸引することができる。さらに、溝部２５が直線的であるので、その距離が短くて済む。
また、排出孔２１が熱処理プレート１の周縁側に設けられているので、基板Ｗとシール部１５との当接部位等、微小空間ｍｓの側方から外気が流入した場合であっても、直ちに排出孔２１によって外気を排出することができる。よって、外気が微小空間ｍｓの中央まで侵入することを阻止してその影響を低減させることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図６は、実施例２に係る熱処理装置の熱処理プレートの平面図である。なお、実施例２の概略構成は実施例１と同様であるので図示を省略する。また、図６に示す平面図において実施例1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
この実施例２に係る熱処理装置は、溝部２６の位置に工夫がされている。すなわち、溝部２６は、熱処理プレート１の周縁側にリング状（円形）に形成されている。よって、溝部２６は単一であり、全ての排出孔２１はこの溝部２６に共通して連通している。溝部２６は、この発明における溝部または第２空間に相当する。
基板Ｗを吸着する際は、溝部２６内の気体は、各排出孔２１を構成するいずれかの第１プレート孔２１ｐを通じて排出される。支持シート１１は溝部２６において吸引され、支持シート１１の全周が外方向に張られた状態になる。
このように、実施例２に係る熱処理装置によれば、熱処理プレート１の外周側にリング状に形成される溝部２６を備えることによって、支持シート１１が撓むことや支持シート１１に皺が発生することを抑制できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。
図７は、実施例３に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
この実施例３に係る熱処理装置は、専ら支持シート１１を吸引するための吸引孔７１を備えている。吸引孔７１は複数である。熱処理プレート１の上面に形成される溝部２７は、各吸引孔７１と連通している。ただし、溝部２７は、排出孔２１と連通していない。溝部２７は、この発明における溝部または第２空間に相当する。
各吸引孔７１には、熱処理プレート１の下面側において、吸引配管７３の一端側が共通して連通接続され、その他端側に真空吸引源７５が連通接続されている。吸引配管７３には、圧力（負圧）を調整する開閉弁７７と、圧力を計測する圧力計７９とが設けられている。吸引配管７３と真空吸引源７５とは、吸引手段として機能する。
基板Ｗを吸着する際、制御部６１は、まず圧力計７９の計測結果を参照しつつ開閉弁７７を開放させて、溝部２７を所定の吸引圧力Ｐｄ（負圧）に制御する。ここで、吸引圧力Ｐｄは、基板Ｗを吸着するときに制御される、微小空間ｍｓの処理圧力Ｐｍｓより低いことが好ましい。溝部２７の気体は、吸引孔７１から排出され、支持シート１１は溝部２７において吸引される。これにより、支持シート１１は熱処理プレート１に密着する。
次に、支持シート１１の吸引を保った状態で、制御部６１は、圧力計３７の計測結果を参照しつつ開閉弁３５を開放させて、微小空間ｍｓを所定の処理圧力Ｐｍｓに制御する。微小空間ｍｓの気体は、排出孔２１から排出される。これにより、基板Ｗは吸着される。
このように、実施例３に係る熱処理装置によれば、専ら支持シート１１を吸引するための吸引孔７１を備えているので、微小空間ｍｓの気体を排出するのに先立って支持シート１１を吸引することができる。よって、基板Ｗを吸着するときに、支持シート１１が熱処理プレート１に対して動くことを抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。
図８は、実施例４に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
この実施例８に係る熱処理装置は、専ら支持シート１１を吸引するための吸引孔７２を備えている。また、熱処理プレート１の上面には実施例１で説明した溝部が形成されていない。各吸引孔７２は、熱処理プレート１の下面側において排出配管３１と連通接続されている。
基板Ｗを吸着する際は、制御部６１による開閉弁３５の操作によって、微小空間ｍｓの気体は、排出孔２１から排出配管３１を通じて排出されるとともに、吸引孔７２内の気体も排出配管３１を通じて排出される。支持シート１１は、熱処理プレート１の上面に形成される吸引孔７２の開口において吸引される。
このように,実施例４に係る熱処理装置によれば、溝部に相当する構成を省略することで、溝部を起因とするパーティクルの影響や、熱処理品質に与える溝部の影響を排除することができる。また、熱処理プレート１の構造を簡略化することができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例１から実施例３では、溝部２５、２６、２７の形状を例示したが、これに限らず、適宜に変更することができる。たとえば、平面視で溝部を螺旋状に形成してもよいし、複数のリング状の溝部を形成してもよい。
（２）上述した各実施例では、排出孔２１が支持シート１１を吸引する吸引孔を兼ねる構成や、排出孔２１とは別個の吸引孔７１、７２を備える構成であったが、これに限られない。たとえば、熱処理プレート１を多孔質部材とすることで、熱処理プレート１が有する気孔を吸引孔として、この気孔を通じて支持シート１１を吸引するように構成してもよい。
（３）上述した実施例３では、基板Ｗを吸着する際は、先に支持シート１１を吸引してから微小空間ｍｓの気体を排出したが、これに限られない。たとえば、溝部２７内の吸引圧力Ｐｄを微小空間ｍｓの処理圧力Ｐｍｓより低く制御する場合は、支持シート１１の吸引とともに微小空間ｍｓの気体の排出を開始してもよい。
（４）上述した各実施例では、排出孔２１は熱処理プレート１の周縁側に配置されていたが、これに限られない。たとえば、微小空間ｍｓの側方からの外気の流入に対しては、少なくともシート孔２１ｓが周縁側に配置されていればよい。また、これに限らず、排出孔２１を熱処理プレート１の中央に配置する等、適宜にその位置は変更できる。
さらに、上述した実施例３、実施例４では、排出孔２１が吸引孔の機能を兼ねる必要がない。このため、微小空間ｍｓの気体を排出することができれば、熱処理プレート１の上面に貫通する排出孔２１から排出する構成に換えて、シール部１５等を貫通する排出孔から排出するように変更してもよい。同様に、供給孔４１についても、微小空間ｍｓに気体を供給することができれば、供給孔４１に換えて、シール部１５等を貫通する供給孔から気体を供給するように変更してもよい。
（５）上述した各実施例では、凸部１３は、その上部から下部にかけて径を大きくしていたが、特にこの形状に限られるものではない。また、凸部１３の配置も適宜に設計変更することができる。さらに、凸部１３は点接触で基板Ｗを支持するものであったが、凸部を連ねて畝状とし、線接触で基板Ｗを支持するように変更してもよい。
（６）上述した各実施例では、支持シート１１にシール部１５を形成していたが、これに限らず、支持シート１１とは別体のシール部を設けてもよい。また、別体のシール部は、支持シート１１上に配置してもよいし、熱処理プレート上に配置してもよい。
（７）上述した各実施例では、基板Ｗが円形である場合であったが、これに限られず、矩形状等の基板を処理対象としてもよい。この場合は、基板の形状に合わせてシール部１５の形状を円環形状から適宜に変更することができる。
（８）上述した各実施例では、伝熱部５にヒートパイプを埋設した構成を例に採って説明したが、ヒートパイプを用いていない基板熱処理装置であっても適用することができる。
実施例に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 熱処理プレートの平面図である。 熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。 基板を吸着するときの微小空間と溝部とに生じる気体の流れを模式的に示す図である。 微小空間の圧力を処理圧力に変更したときの微小空間および溝部の圧力変化の様子を示す模式図である。 実施例２に係る熱処理装置の熱処理プレートの平面図である。 実施例３に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 実施例４に係る熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
符号の説明
１ …熱処理プレート
１１ …支持シート
１３ …凸部
１５ …シール部
２１ …排出孔
２１ｐ …プレート孔
２１ｓ …シート孔
２５、２６、２７ …溝部
４１ …供給孔
６１ …制御部
７１、７２ …吸引孔
Ｗ …基板
ｍｓ …微小空間

Claims (8)

  1. 基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、
    熱処理プレートと、
    前記熱処理プレートの上面に設けられ、基板を当接支持する凸部が形成されたシート状物と、
    基板と前記シート状物との間に形成される空間の側方を閉塞する閉塞手段と、
    前記空間の気体を排出するための排出孔と、
    前記熱処理プレートに形成され、シート状物を吸引するための吸引孔と、
    を備えていることを特徴とする熱処理装置。
  2. 請求項１に記載の熱処理装置において、
    さらに、前記熱処理プレートの上面に形成され、前記吸引孔に連通する溝部を備えることを特徴とする熱処理装置。
  3. 請求項１に記載の熱処理装置において、
    さらに、前記熱処理プレートの上面に形成され、前記排出孔に連通する溝部を備え、
    前記排出孔は前記吸引孔を兼ねることを特徴とする熱処理装置。
  4. 請求項２または請求項３に記載の熱処理装置において、
    前記溝部の底部から前記熱処理プレートの上面までの高さは、前記凸部の高さより高いことを特徴とする熱処理装置。
  5. 請求項２から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記溝部は、前記熱処理プレートの周縁側と中央とにわたって形成されていることを特徴とする熱処理装置。
  6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記排出孔は、前記熱処理プレートに形成されるプレート孔と、前記シート状物に形成され、前記プレート孔に連通するシート孔と、を有し、前記シート孔は前記熱処理プレートの周縁側に設けられていることを特徴とする熱処理装置。
  7. 凸部が形成されたシート状物を熱処理プレートの上面に設けて、前記凸部に当接支持される基板を吸着する基板吸着方法において、
    基板と前記シート状物との間に形成される空間を第１空間とし、前記シート状物と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を第２空間として、前記第２空間の圧力を前記第１空間の圧力以下に保ちつつ、前記第１空間および前記第２空間の気体をそれぞれ排出することを特徴とする基板吸着方法。
  8. 請求項７に記載の基板吸着方法において、
    排出時に前記第２空間内に生じる気体の流れに対する流動抵抗は、前記第１空間内に比べて小さいことを特徴とする基板吸着方法。

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