TWI794585B - 熱處理裝置及熱處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之熱處理板具有載置面。於載置面上設置有可支持基板之下表面之複數個支持體。於熱處理板進而設置有發熱體。發熱體對被支持在載置面上之基板進行熱處理。藉由抽氣裝置抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的支持空間之氣體。此時，藉由壓力感測器檢測支持空間之壓力。基於檢測出之壓力，判定基板之支持狀態。於自對基板進行熱處理之初始規定期間經過之時間點至熱處理結束之期間內，停止藉由抽氣裝置進行抽吸。

Description

熱處理裝置及熱處理方法

本發明係關於一種對基板進行熱處理之熱處理裝置及熱處理方法。

先前以來，為了對液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等中所使用之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等各種基板進行熱處理，使用熱處理裝置。

專利文獻1中所記載之熱處理單元(熱處理裝置)包含調溫板、複數個基板升降銷及升降裝置。於調溫板之載置面中央部，離散地配置有複數個基板載置片。又，於調溫板之載置面周緣部，在調溫板之圓周方向上大致等間隔地配置有複數個定位構件。進而，於調溫板，形成有於上下方向上延伸之複數個銷導入孔。複數個基板升降銷被保持為能夠藉由升降裝置而通過複數個銷導入孔升降。

於複數個基板升降銷突出至調溫板上方之狀態下，基板載置於複數個基板升降銷之上端部上。其後，升降裝置使複數個基板升降銷下降。藉由複數個基板升降銷之上端部移動至較調溫板上之複數個基板載置片更靠下方，而複數個基板升降銷之上端部上之基板於複數個定位構件間由複數個基板載置片支持。於該狀態下，開始基板之熱處理。

此時，若基板相對於調溫板位置偏移較大，則無法對整個基板均勻地進行熱處理。因此，於上述熱處理單元中，基於調溫板載置有基板時之基板與調溫板之間之空間(以下，稱為板上空間)內之氣流變化，判定基板之位置偏移。

[專利文獻1]日本專利第4522139號

[發明所欲解決之問題]

然，使對基板進行之熱處理之品質下降之主要因素並不限於上述位置偏移。例如，若板上空間內存在異物，則該異物會使對基板進行之熱處理之均勻性降低。

於板上空間內存在較複數個基板載置片更大之異物之情形時，於調溫板上基板之一部分覆蓋於該異物上。因此，存在異物之情形時於板上空間內產生之氣流變化與不存在異物之情形時於板上空間內產生之氣流變化不同。因而，根據專利文獻1中所記載之位置偏移之判定方法，可認為亦可基於板上空間內之氣流變化，進行關於有無異物之判定。

然而，即便於將基板載置於調溫板上之預先規定之位置且板上空間內不存在異物之情形時，調溫板上載置有基板時於板上空間內產生之氣流實際上亦依存於基板之形狀而變化。

近年來，基板上所形成之膜之多層化不斷發展。此種膜之多層化增加了成為膜之形成對象之基板中產生之翹曲等變形量。針對基板之複數個部分分別調整變形量並不容易。若將具有互不相同之形狀之複數個基板載置於上述調溫板上，則與複數個基板分別對應地於板上空間內產生之氣流變化存在差異。於該情形時，藉由專利文獻1中所記載之上述判定方法，難以較高精度地判定基板之位置偏移及異物之有無。

本發明之目的係提供一種熱處理裝置及熱處理方法，其能夠以較高之精度判定熱處理時之基板支持狀態，以使得能掌握對基板進行之熱處理之均勻性。 [解決問題之技術手段]

(1)本發明之一態樣之熱處理裝置係對基板進行熱處理者，且具備：板構件，其具有載置面；複數個支持體，其等能夠支持基板下表面地設置於載置面上；熱處理部，其對被支持在載置面上之基板進行熱處理；抽吸部，其抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體；壓力檢測器，其檢測被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之壓力；及狀態判定部，其於已由抽吸部抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體之狀態下，基於由壓力檢測器檢測出之壓力，判定基板之支持狀態；且抽吸部於對基板進行熱處理之初始規定期間內，抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體，於自規定期間經過之時間點至熱處理結束之期間內停止抽吸。

於該熱處置裝置中，於板構件之載置面上藉由複數個支持體之至少一部分支持基板，對基板進行熱處理。藉由抽吸部抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體。於該情形時，即便於基板上存在翹曲等局部之變形部分之情形時，亦因基板與載置面之間之空間之壓力下降，而將基板之整個下表面朝向載置面抽吸。因而，於基板相對於板構件存在於預先規定之位置，且基板與載置面之間之空間內不存在異物之情形時，基板之下表面於載置面上由複數個支持體之全部支持。如此，於基板之支持狀態正常之情形時，基板之下表面與載置面之間之距離維持為較小，且基板與載置面之間之空間不會朝該空間之外側較大地開放。因而，該空間內之壓力大幅度下降。即，基板和載置面之間之空間之壓力與大氣壓之差量之絕對值變大。

另一方面，於基板存在於相對於板構件偏移後之位置之情形時，基板之下表面並非由複數個支持體之全部支持之可能性較高。又，於基板與載置面之間之空間內存在異物之情形時，基板之下表面並非由複數個支持體之全部支持之可能性較高。此時，若基板與載置面之間之空間朝該空間之外側較大地開放，則包圍板構件之空間內之氣體容易流入至基板與載置面之間之空間內。因此，即便利用抽吸部抽吸基板與載置面之間之空間之氣體，該空間內之壓力亦不易相較於支持狀態正常之情形時下降。即，基板和載置面之間之空間之壓力與大氣壓之差量之絕對值不易變大。藉此，基板與載置面之間之空間之壓力基本維持於大氣壓。

因而，根據藉由壓力檢測器所檢測出之壓力，能以較高之精度判定基板之支持狀態。

進而，根據上述構成，由於在自對基板之熱處理之初始規定期間經過之時間點至熱處理結束之期間內停止抽吸，故能防止於進行熱處理之至少一段期間內繼續進行氣體之抽吸。藉此，能減少因抽吸氣體而損害對基板進行之熱處理之均勻性之情況。因而，根據上述判定結果，能掌握對基板進行之熱處理之均勻性。

(2)亦可為，抽吸部於規定期間經過之時間點停止抽吸，規定期間係從基板被載置於載置面上起至載置面之溫度達到為了進行熱處理而預先設定之設定溫度為止之期間。

基板之熱處理係於將基板載置於維持為設定溫度之載置面上之狀態下穩定地進行。另一方面，關於載置面之溫度，若載置有未處理之基板，則從設定溫度暫時變化之後，再恢復至設定溫度，並維持該溫度。根據上述構成，於從基板被載置於載置面上起至載置面之溫度達到設定溫度為止之期間內，停止抽吸。

因而，於基板之熱處理穩定地進行之時間點，不會於基板與載置面之間之空間內產生抽吸所引起之氣流。藉此，能抑制因抽吸氣體而損害對基板進行之熱處理之均勻性之情況。因而，根據上述判定結果，能準確地掌握對基板進行之熱處理之均勻性。

(3)亦可為，狀態判定部於檢測出之壓力大小為預先規定之閾值以上時，判定為基板之支持狀態正常，於檢測出之壓力大小低於預先規定之閾值時，判定為基板之支持狀態異常。

於該情形時，能藉由簡單之處理以較高之精度判定基板之支持狀態。

(4)熱處理裝置亦可進而具備第1提示部，該第1提示部提示狀態判定部之判定結果。

於該情形時，使用者能容易地掌握對基板支持狀態之判定結果。

(5)熱處理裝置亦可進而具備：種類判定部，其基於由狀態判定部對複數個基板之複數個判定結果，針對被判定為支持狀態異常之基板，判定異常之種類；及第2提示部，其提示種類判定部之判定結果。

於該情形時，使用者能針對被判定為支持狀態異常之基板，容易地掌握該異常之種類。

(6)本發明之另一態樣之熱處理方法係對基板進行熱處理者，且包括如下步驟：藉由將基板載置於板構件所具有之載置面上，藉由設置於載置面上之複數個支持體之至少一部分支持基板下表面；對被支持在載置面上之基板進行熱處理；抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體；檢測被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之壓力；及於已抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體之狀態下，基於藉由進行檢測之步驟所檢測出之壓力，判定基板之支持狀態；且進行抽吸之步驟包括：於對基板進行熱處理之初始規定期間內，抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體，於自經過規定期間之時間點起至熱處理結束之期間內，停止抽吸。

於該熱處置方法中，於板構件之載置面上藉由複數個支持體之至少一部分支持基板，對基板進行熱處理。抽吸被支持在載置面上之基板與載置面之間的空間之氣體。於該情形時，即便於基板上存在翹曲等局部之變形部分之情形時，亦因基板與載置面之間之空間之壓力下降，而將基板之整個下表面朝向載置面抽吸。因而，於基板相對於板構件存在於預先規定之位置，且於基板與載置面之間之空間內不存在異物之情形時，基板之下表面於載置面上由複數個支持體之全部支持。如此，於基板之支持狀態正常之情形時，將基板之下表面與載置面之間之距離維持為較小，且基板與載置面之間之空間不會朝該空間之外側較大地開放。因而，該空間內之壓力大幅度下降。即，基板和載置面之間之空間之壓力與大氣壓之差量之絕對值變大。

另一方面，於基板存在於相對於板構件偏移後之位置之情形時，基板之下表面並非由複數個支持體之全部支持之可能性較高。又，於基板與載置面之間之空間內存在異物之情形時，基板之下表面並非由複數個支持體之全部支持之可能性較高。此時，若基板與載置面之間之空間朝該空間之外側較大地開放，則包圍板構件之空間內之氣體容易流入至基板與載置面之間之空間內。因此，即便利用抽吸部抽吸基板與載置面之間之空間之氣體，該空間內之壓力亦不易相較於支持狀態正常之情形時下降。即，基板和載置面之間之空間之壓力與大氣壓之差量之絕對值不易變大。藉此，基板與載置面之間之空間之壓力基本維持於大氣壓。

因而，根據所檢測出之壓力，能以較高之精度判定基板之支持狀態。

進而，根據上述構成，從經過對基板之熱處理之初始之規定期間後之時間點起至熱處理結束為止之期間內，停止抽吸，故能防止於進行熱處理之至少一段期間內繼續進行氣體之抽吸。藉此，能減少因抽吸氣體而損害對基板進行之熱處理之均勻性之情況。因而，根據上述判定結果，能掌握對基板進行之熱處理之均勻性。

(7)亦可為，進行抽吸之步驟包括：於經過規定期間之時間點停止抽吸，規定期間係從基板被載置於載置面上起至載置面之溫度達到為了進行熱處理而預先設定之設定溫度為止之期間。

基板之熱處理係於將基板載置於維持為設定溫度之載置面上之狀態下穩定地進行。另一方面，關於載置面之溫度，若載置有未處理之基板，則從設定溫度暫時變化之後，再恢復至設定溫度，並維持該溫度。根據上述構成，於從基板被載置於載置面上起至載置面之溫度達到設定溫度為止之期間內停止抽吸。

因而，於基板之熱處理穩定地進行之時間點，不會於基板與載置面之間之空間內產生抽吸所引起之氣流。藉此，能抑制因抽吸氣體而損害對基板進行之熱處理之均勻性之情況。因而，根據上述判定結果，能準確地掌握對基板進行之熱處理之均勻性。

(8)判定基板支持狀態之步驟亦可包括：於檢測出之壓力大小為預先規定之閾值以上時，判定為基板之支持狀態正常，於檢測出之壓力大小低於預先規定之閾值時，判定為基板之支持狀態異常。

於該情形時，能藉由簡單之處理以較高之精度判定基板之支持狀態。

(9)熱處理方法亦可進而具備如下步驟：提示藉由判定基板支持狀態之步驟所得之判定結果。

於該情形時，使用者能容易地掌握對基板支持狀態之判定結果。

(10)熱處理方法亦可進而具備如下步驟：基於藉由判定基板之支持狀態之步驟所得之對複數個基板之複數個判定結果，針對被判定為支持狀態異常之基板，判定異常之種類；及提示藉由判定異常之種類之步驟所得之判定結果。

於該情形時，使用者能針對被判定為支持狀態異常之基板，容易地掌握該異常之種類。 [發明之效果]

根據本發明，能以較高之精度判定熱處理時之基板支持狀態。

以下，參照圖式，對本發明之實施形態之熱處理裝置及熱處理方法進行說明。於以下之說明中，基板係指液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等中所使用之FPD(Flat Panel Display)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。於以下之說明中，作為熱處理裝置之一例，針對將基板進行加熱處理之熱處理裝置進行說明。

(1)熱處理裝置之構成 圖1係表示本發明之一實施形態之熱處理裝置之構成之模式性側視圖，圖2係圖1之熱處理裝置100之模式性俯視圖。如圖1所示，熱處理裝置100主要具備支持部S、升降裝置30、抽氣裝置40、控制裝置50及提示裝置60。再者，於圖2中，省略圖1所示之複數個構成要素中之一部分之圖示。

支持部S包含熱處理板10、複數個支持體11、複數個導向構件12及發熱體20，用作加熱板。熱處理板10例如為具有圓板形狀之傳熱板，具有平坦之載置面10s。載置面10s具有較成為加熱處理對象之基板之外徑更大之外徑。於熱處理板10，設置有發熱體20。發熱體20例如由雲母加熱器或帕耳帖元件等構成。於發熱體20，連接有發熱驅動電路21。發熱驅動電路21基於下述溫度控制部51之控制，驅動發熱體20。藉此，於基板W之加熱處理時，發熱體20發熱。

如圖2所示，於熱處理板10之載置面10s上，以朝上方突出之方式設置有複數個(於本例中為10個)支持體11及複數個(於本例中為4個)導向構件12。

複數個支持體11離散地配置於熱處理板10之載置面10s中除外周緣部及其附近以外之中央區域，且構成為能夠支持基板W之下表面。各支持體11為球狀之近似球(proximity ball)，例如由陶瓷形成。在圖1及圖2中，以單點鏈線表示於熱處理板10上由複數個支持體11支持之基板W。

複數個導向構件12按等角度間隔配置於熱處理板10之載置面10s之周緣部。各導向構件12之上半部具有朝向上端部逐漸縮徑之圓錐台形狀。藉此，於基板W藉由下述之複數個升降銷31而下降且被支持在複數個支持體11上時，各導向構件12之上半部之外周面將該基板W之外周端部朝熱處理板10上之預先規定之位置引導。各導向構件12例如由PEEK(聚醚醚酮)等具有較高耐熱性之樹脂形成。

如圖1所示，於在熱處理板10上由複數個支持體11正常地支持基板W之狀態下，於基板W與載置面10s之間形成間隙。該間隙之大小(上下方向上之基板W與載置面10s之間之距離)例如為80 μm～100 μm。於以下之說明中，將被支持在載置面10s上之基板W與載置面10s之間之空間稱為板上空間SS。

如圖2所示，於熱處理板10，形成有於厚度方向貫通之複數個(於本例中為7個)貫通孔13、14。於圖2中，為了容易地區分複數個貫通孔13、14與複數個支持體11，以粗實線表示複數個貫通孔13、14。

複數個貫通孔13、14中之一部分(於本例中為3個)貫通孔13形成為能夠供下述複數個升降銷31分別插入。又，複數個貫通孔13按等角度間隔形成於以熱處理板10之中心為基準之規定之假想圓上。另一方面，其餘(於本例中為4個)貫通孔14形成為氣體流路，用以供利用下述抽氣裝置40抽吸板上空間SS內之氣體。複數個貫通孔14與複數個貫通孔13同樣地，按等角度間隔形成於以熱處理板10之中心為基準之規定之假想圓上。再者，於圖1中，省略4個貫通孔14中之2個貫通孔14之圖示。

如圖1所示，升降裝置30包含複數個(於本例中為3個)升降銷31及連結構件32。升降裝置30進而包含未圖示之馬達及馬達驅動電路等。複數個升降銷31各者為棒狀構件，例如由陶瓷形成。又，複數個升降銷31藉由連結構件32相互連結，並且被保持為於複數個升降銷31之一部分分別插入於熱處理板10之複數個貫通孔13之狀態下於上下方向上延伸。

於升降裝置30中，藉由基於下述升降控制部57之控制使未圖示之馬達動作，而連結構件32於上下方向上移動。藉此，複數個升降銷31係於上方位置與下方位置之間移動，該上方位置係複數個升降銷31之上端部位於較複數個支持體11之上端部更靠上方，該下方位置係複數個升降銷31之上端部位於較複數個支持體11之上端部更靠下方。

藉由此種構成，升降裝置30作為如下交接部發揮功能，即，接收從熱處理裝置100外部交遞之基板W，載置於複數個支持體11上，使載置於複數個支持體11上之基板W上升後，交遞至熱處理裝置100外部。

於熱處理板10，連接有複數個(於本例中為4個)副配管42。複數個副配管42之內部空間分別與複數個貫通孔14之內部空間連通。複數個副配管42連接於共通之主配管41。主配管41被設置為從抽氣裝置40延伸。抽氣裝置40例如包含抽氣器、真空泵、或連接於工廠內之排氣設備之控制閥等。

於本實施形態之熱處理裝置100中，於基板W支持於熱處理板10之載置面10s上之狀態下，判定複數個支持體11對基板W之支持狀態是正常還是異常。將該支持狀態之判定稱為狀態判定。抽氣裝置40於狀態判定時通過複數個副配管42及主配管41抽吸板上空間SS內之氣體氛圍。狀態判定之詳細情況及狀態判定時之抽氣裝置40之動作之詳細情況將於下文敍述。

於主配管41，設置有壓力感測器43。壓力感測器43例如為微差壓感測器，於狀態判定時通過主配管41及複數個副配管42檢測板上空間SS之壓力，輸出與所檢測出之壓力對應之檢測信號。

控制裝置50對發熱驅動電路21、升降裝置30及抽氣裝置40等之動作進行控制。提示裝置60包含未圖示之顯示器及聲音輸出裝置。控制裝置50及提示裝置60之詳細情況將於下文敍述。

(2)基板W之支持狀態 圖3係表示基板W正常地支持於熱處理板10上之狀態之模式性側視圖。於圖3及下述圖4及圖5中，省略複數個支持體11及複數個導向構件12中之一部分之圖示。於本實施形態中，基板W之支持狀態正常係指如圖2所示於俯視時基板W位於複數個導向構件12之上端部之間，且如圖3所示板上空間SS內不存在具有較各支持體11更大之高度之異物。於該情形時，若通過複數個貫通孔14以預先規定之流量抽吸板上空間SS內之氣體氛圍，則板上空間SS內之壓力大幅度下降。

圖4係表示因異物而導致基板W未正常地支持於熱處理板10上之狀態之模式性側視圖。如圖4所示，於例如在成為熱處理對象之基板W下表面附著有異物cn之情形時，根據異物cn之大小，基板W之一部分藉由異物cn而支持於熱處理板10上。藉此，基板W並非由複數個支持體11之全部支持。於在熱處理板10之載置面10s附著有異物cn之情形時，亦與圖4之例同樣地，根據異物cn之大小，基板W之一部分藉由異物cn而支持於熱處理板10上。

圖5係表示因位置偏移而導致基板W未正常地支持於熱處理板10上之狀態之模式性側視圖。如圖5所示，例如，若基板W相對於熱處理板10之位置從預先規定之位置(例如圖2及圖3所示之基板W之位置)大幅度偏移，則基板W之一部分覆蓋於複數個導向構件12中之任一者之上。

如圖4及圖5所示，於基板W之支持狀態異常之情形時，與基板W之支持狀態正常之情形相比，板上空間SS以更大程度相對於其外側(側方)之空間開放。因此，板上空間SS之外側之氣體氛圍容易流入至板上空間SS。因而，若通過複數個貫通孔14以預先規定之流量抽吸板上空間SS內之氣體氛圍，則板上空間SS內之壓力不會大幅度下降，能夠基本維持於大氣壓。

因此，於本實施形態中，每次將基板W支持於熱處理板10上時，一面抽吸板上空間SS之氣體，一面檢測板上空間SS內之壓力，基於所檢測出之壓力進行狀態判定。於該狀態判定時，即便於如圖3中之單點鏈線所示，基板W上存在翹曲等局部之變形部分之情形時，亦將基板W整體朝向載置面10s抽吸。藉此，基板W之形狀暫時性地得以矯正。因而，能以較高之精度判定基板W之支持狀態是正常，還是異常。

如上所述，可認為基板W之載置狀態異常例如存在：由附著於基板W之異物cn引起之異常、由附著於熱處理板10之異物cn引起之異常、及由基板W之位置偏移引起之異常。

然，由附著於熱處理板10之異物cn引起之異常只要不將異物cn從熱處理板10之載置面10s去除，便無法消除。又，由基板W之位置偏移引起之異常係因無法從熱處理裝置100外部正常地將基板交遞至熱處理裝置100所導致之異常。換言之，由基板W之位置偏移引起之異常係由將基板搬入至熱處理裝置100之搬送機器人之動作引起之異常。該異常只要不實施對該搬送機器人之示教，便無法消除。

因而，於對複數個基板W依序進行加熱處理之情形時，由附著於熱處理板10之異物cn及基板W之位置偏移引起之異常係與由附著於基板W之異物cn引起之異常相比，連續地進行判定之可能性較高。

因此，於本實施形態中，基於針對複數個基板W之狀態判定結果，對被判定為存在異常之基板W進一步判定異常之種類。將該異常之種類之判定稱為種類判定。具體而言，於種類判定中，於針對複數個基板W對預先規定之數量連續地判定為支持狀態異常之情形時，可判定為關於該等基板W之異常係由附著於熱處理板10之異物cn或基板W之位置偏移所引起。另一方面，關於被判定為支持狀態異常之其他基板W之異常，可判定為由附著於基板W之異物cn引起。

(3)控制裝置50及提示裝置60 如圖1所示，控制裝置50包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)(中央運算處理裝置)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)及ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)，具有溫度控制部51、抽氣控制部52、壓力獲取部53、狀態判定部54、記憶部55、種類判定部56及升降控制部57。於控制裝置50中，藉由CPU執行ROM或其他記憶媒體中所記憶之電腦程式，而實現上述各功能部。再者，亦可藉由電子電路等硬體實現控制裝置50之功能性構成要素之一部分或全部。

溫度控制部51控制發熱驅動電路21，以使其按照預先規定之熱處理條件而動作。藉此，針對每個成為處理對象之基板W調整發熱體20之溫度。

升降控制部57於將從熱處理裝置100外部搬入之基板W載置於熱處理板10之載置面10s上時，以使複數個升降銷31從上方位置向下方位置移動之方式對升降裝置30進行控制。又，升降控制部57於將載置於載置面10s上之基板W交遞至熱處理裝置100外部時，以使複數個升降銷31從下方位置移動至上方位置之方式對升降裝置30進行控制。

抽氣控制部52於狀態判定時，控制抽氣裝置40，以使其抽吸板上空間SS之氣體。更具體而言，抽氣控制部52以如下方式對抽氣裝置40進行控制，即，於對基板W之熱處理之初始之規定期間內，抽吸板上空間SS之氣體，於從經過規定期間後之時間點至熱處理結束為止之期間內停止抽吸。於以下之說明中，將抽氣裝置40應進行抽吸動作之上述規定期間稱為抽吸期間。

此處，基板W之熱處理係於將基板W載置於維持在為了熱處理而預先設定之設定溫度之載置面10s上之狀態下穩定地進行。另一方面，關於載置面10s之溫度，若載置有未處理之基板W，則從設定溫度暫時變化之後，再恢復至設定溫度，並維持該溫度。上述抽吸期間例如為從將基板W載置於載置面10s上起至載置面10s之溫度達到設定溫度為止之期間。

經過抽吸期間後之時間點例如可藉由如下方式進行判定，即，藉由實驗或模擬而預先設定適當之抽吸期間，從將基板W載置於載置面10s之時間點起計測所設定之抽吸期間。或者，經過抽吸期間後之時間點亦可於對基板W進行之熱處理之初期，一面使用溫度感測器監視載置面10s之溫度，一面基於監視結果進行判定。

壓力獲取部53基於從壓力感測器43輸出之檢測信號，獲取板上空間SS內之壓力。具體而言，壓力獲取部53藉由在規定之時間點對從壓力感測器43輸出之檢測信號進行取樣，而獲取該時序之壓力值。或者，壓力獲取部53藉由在規定之期間內以固定週期對從壓力感測器43輸出之檢測信號進行取樣，而獲取表示壓力變化之壓力波形。

狀態判定部54基於藉由壓力獲取部53所獲取之壓力，進行狀態判定。又，狀態判定部54將該判定結果作為狀態判定結果記憶至記憶部55，並且輸出至提示裝置60。

例如，狀態判定部54於壓力獲取部53在規定之時間點獲取之壓力之大小(絕對值)為預先規定之閾值以上時，判定為基板W之支持狀態正常。又，狀態判定部54於壓力之大小(絕對值)低於預先規定之閾值時，判定為基板W之支持狀態異常。

或者，狀態判定部54於壓力獲取部53在規定期間內獲取之壓力波形滿足預先規定之壓力條件時，判定為基板W之支持狀態正常。又，狀態判定部54於壓力波形不滿足預先規定之壓力條件時，判定為基板W之支持狀態異常。於該情形時，壓力條件可為壓力波形中之壓力之平均值或最大值等之大小(絕對值)為預先規定之閾值以上。或者，壓力條件亦可為壓力波形中之壓力之變化率(例如，壓力之上升或下降之斜率之大小)為預先規定之閾值以上。

記憶部55針對每個基板W記憶從狀態判定部54賦予之狀態判定結果。又，記憶部55記憶用於狀態判定之資訊(於上述例中為閾值或壓力條件)及每個基板W之熱處理條件等。種類判定部56基於複數個狀態判定結果，針對被判定為存在異常之基板W，進行判定異常之種類之種類判定。種類判定部56進一步將種類判定之判定結果作為種類判定結果輸出至提示裝置60。

提示裝置60例如包含顯示器及聲音輸出裝置。於該情形時，顯示器顯示從狀態判定部54及種類判定部56賦予之狀態判定結果及種類判定結果。又，聲音輸出裝置以聲音之形式輸出狀態判定結果及種類判定結果。藉此，使用者能容易地掌握熱處理裝置100中之基板W之支持狀態是否異常。又，於產生支持狀態異常時，使用者能容易地掌握該異常之種類。

(4)狀態判定處理 上述狀態判定係藉由圖1之控制裝置50執行下述狀態判定處理而進行。圖6係表示圖1之控制裝置50中所執行之狀態判定處理之一例之流程圖。

狀態判定處理係藉由熱處理裝置100之電源變為接通狀態而開始。於初始狀態下，圖1之複數個升降銷31處於上方位置。又，載置面10s之溫度維持於設定溫度。

首先，圖1之升降控制部57判定是否已將基板W搬入至熱處理裝置100(步驟S10)。即，升降控制部57判定是否已利用熱處理裝置100外部之搬送機器人將基板W交遞至複數個升降銷31上。具體而言，該判定處理係基於是否被賦予已從熱處理裝置100外部利用搬送機器人將基板W搬送至熱處理裝置100內之意旨之信號而進行。於未搬入基板W之情形時，升降控制部57反覆進行步驟S10之處理。

另一方面，若已搬入基板W，則升降控制部57使複數個升降銷31從上方位置下降至下方位置(步驟S11)。又，圖1之抽氣控制部52控制抽氣裝置40，以使其抽吸板上空間SS之氣體(步驟S12)。圖1之壓力獲取部53基於從壓力感測器43輸出之檢測信號，獲取板上空間SS內之壓力(步驟S13)。其後，抽氣控制部52以如下方式對抽氣裝置40進行控制，即，於從將基板W載置於載置面10s上起經過抽吸期間後之時間點，停止對板上空間SS之氣體之抽吸(步驟S14)。

繼而，圖1之狀態判定部54基於藉由前一步驟S13所獲取之壓力，判定基板W之支持狀態(步驟S15)。又，狀態判定部54將判定結果作為狀態判定結果記憶至記憶部55，並且輸出至提示裝置60(步驟S16)。

其後，升降控制部57判定對當前載置於熱處理板10上之基板W進行之熱處理是否已結束(步驟S17)。具體而言，升降控制部57基於進行前一步驟S11之處理後，是否已經過針對成為處理對象之基板W而預先規定之時間，來判定熱處理是否已結束。

若熱處理結束，則升降控制部57使複數個升降銷31從下方位置上升至上方位置(步驟S18)，返回至步驟S10之處理。

(5)狀態判定之具體例 圖7係表示執行狀態判定處理時之板上空間SS內之壓力變動之一例之圖。於圖7所示之曲線圖中，縱軸表示板上空間SS之壓力之大小(絕對值)，橫軸表示時間。換言之，圖7之縱軸表示基準壓力(例如大氣壓)與板上空間SS之壓力(負壓)之差量之絕對值。

於圖7之例中，於熱處理板10上方之位置由複數個升降銷31支持之基板W，從時間點t0至時間點t1下降，於時間點t1支持於載置面10s上。又，如圖7中之中空箭頭所示，對支持於載置面10s上之基板W，從時間點t1至經過預先規定之熱處理時間後之時間點t2進行加熱處理。

如圖7中之粗虛線箭頭所示，於本例中，於對基板W進行之加熱處理之初始之抽吸期間內，抽吸板上空間SS之氣體，於從經過抽吸期間後之時間點至熱處理結束為止之期間內，停止該抽吸。更具體而言，於從對基板W進行之加熱處理開始之時間點t1至經過極短之抽吸期間後之時間點t3為止之期間內，利用圖1之抽氣裝置40抽吸板上空間SS之氣體。抽吸期間例如為5秒左右。再者，只要能檢測基板W之支持狀態判定所需之壓力，抽吸期間便亦可為例如2秒左右。

於支持狀態正常之情形時，如圖7中之粗實線所示，板上空間SS內之壓力從時間點t1起相對急遽地變化，達到規定之值pd。另一方面，於支持狀態異常之情形時，如圖7中之單點鏈線所示，板上空間SS內之壓力相對和緩地變化，不會達到與支持狀態正常之情形時同等程度之高度。板上空間SS內之壓力基本維持於大氣壓。

因此，於本例中，於在抽吸板上空間SS之氣體時檢測出之壓力之大小(絕對值)為預先規定之閾值Th以上時，判定為基板W之支持狀態正常。又，於在抽吸板上空間SS之氣體時檢測出之壓力之大小(絕對值)低於預先規定之閾值Th時，判定為基板W之支持狀態異常。於該情形時，能藉由簡單之處理以較高之精度判定基板W之支持狀態。

再者，於圖7之例中，於從對基板W進行之加熱處理開始起經過初始之抽吸期間後之時間點t3，停止抽吸，故而能防止於進行加熱處理之期間內繼續進行氣體之抽吸。藉此，能減少於對基板W進行之加熱處理之期間內，因氣體之抽吸而於板上空間SS內產生氣流之情況。因而，能減少損害對基板W進行之加熱處理之均勻性之情況。

(6)種類判定處理 上述種類判定係藉由圖1之控制裝置50執行下述種類判定處理而進行。圖8係表示圖1之控制裝置50中所執行之種類判定處理之一例之流程圖。

種類判定處理係與上述狀態判定處理獨立進行，藉由熱處理裝置100之電源變為接通狀態而開始。於以下之說明中，於圖1之控制裝置50中，預先內置有用以對表示異常之狀態判定結果進行計數之計數器。

首先，圖1之種類判定部56將計數器之值重設(步驟S20)。其次，種類判定部56判定新記憶於圖1之記憶部55中之狀態判定結果是否為表示正常者(步驟S21)。

於狀態判定結果表示異常之情形時，種類判定部56將內置於控制裝置50之計數器之值遞增(increment)(步驟S22)，返回至步驟S21之處理。另一方面，於異常判定結果表示正常之情形時，種類判定部56判定前一次之異常判定結果是否為異常(步驟S23)。

若前一次之異常判定結果為正常，種類判定部56返回至步驟S21之處理。另一方面，若前一次之異常判定結果為異常，種類判定部56判定表示異常之異常判定結果是否已連續地記憶了預先規定之數n(n為2以上之自然數)以上(步驟S24)。再者，數n之值亦可由使用者對設置於熱處理裝置100之未圖示之操作部進行操作而設定。

於連續記憶了n以上之表示異常之異常判定結果之情形時，種類判定部56判定為最近連續地判定了n以上之異常，乃由附著於載置面10s之異物cn或基板W之位置偏移所引起(步驟S25)。其後，種類判定部56將判定結果作為種類判定結果輸出至提示裝置60(步驟S27)，返回至步驟S20之處理。

於步驟S24中，於表示異常之異常判定結果未連續地記憶n以上之情形時，種類判定部56判定為最近單獨或連續地判定了未達n之異常，乃由附著於基板W之異物cn所引起(步驟S26)。其後，種類判定部56進行至步驟S27之處理。

根據上述種類判定處理，利用圖1之提示裝置60將步驟S27中所輸出之種類判定結果提示給使用者。藉此，使用者能針對被判定為支持狀態異常之基板W，容易地掌握該異常之種類。

(7)效果 於上述熱處理裝置100中，於熱處理板10之載置面10s上利用複數個支持體11中之至少一部分支持基板W，對基板W進行加熱處理。利用抽氣裝置40抽吸板上空間SS之氣體。於該情形時，即便於基板W上存在翹曲等局部之變形部分之情形時，亦因板上空間SS之壓力下降而將基板W之下表面整體朝向載置面10s抽吸。因而，於基板W相對於熱處理板10存在於預先規定之位置，且板上空間SS內不存在異物之情形時，基板W之下表面於載置面10s上由複數個支持體11之全部支持。如此，於基板W之支持狀態正常之情形時，基板W之下表面與載置面10s之間之距離維持為較小，且板上空間SS不會朝該板上空間SS之外側較大地開放。因而，該板上空間SS內之壓力大幅度下降。即，板上空間SS之壓力與大氣壓之差量之絕對值變大。

另一方面，於基板W存在於相對於熱處理板10偏移之位置之情形時，基板W之下表面並非由複數個支持體11之全部支持之可能性較高。又，於板上空間SS內存在異物cn之情形時，基板W之下表面並非由複數個支持體11之全部支持之可能性較高。此時，若板上空間SS朝該空間之外側較大地開放，則包圍熱處理板10之空間內之氣體容易流入至基板W與載置面10s之間之空間內。因此，即便抽吸板上空間SS之氣體，該板上空間SS內之壓力亦不易相較於基板W之支持狀態正常之情形時下降。即，板上空間SS之壓力與大氣壓之差量之絕對值不易變大。藉此，板上空間SS之壓力基本維持於大氣壓。

因而，根據藉由壓力感測器43所檢測出之壓力，能以較高之精度判定基板W之支持狀態。

進而，根據上述構成，於經過對基板W進行之熱處理之初始之抽吸期間後之時間點，停止抽吸，故而於基板W之熱處理穩定地進行之時間點，不會於板上空間SS內產生抽吸所引起之氣流。藉此，能抑制因抽吸氣體而損害對基板W進行之熱處理之均勻性之情況。因而，根據上述判定結果，能準確地掌握對基板W進行之熱處理之均勻性。

(8)具備圖1之熱處理裝置100之基板處理裝置 圖9係表示具備圖1之熱處理裝置100之基板處理裝置之一例的模式性方塊圖。如圖1所示，基板處理裝置400與曝光裝置500鄰接地設置，具備控制部410、塗佈處理部420、顯影處理部430、熱處理部440及基板搬送裝置450。熱處理部440包含對基板W進行加熱處理之複數個圖1之熱處理裝置100、及對基板W進行冷卻處理之複數個熱處理裝置(未圖示)。對基板W進行冷卻處理之複數個熱處理裝置(未圖示)除了具備用以將基板W冷卻之構成(例如帕耳帖元件或冷卻水循環機構等)代替圖1之發熱體20之點以外，具有與圖1之熱處理裝置100相同之構成及動作。藉此，於進行冷卻處理之各熱處理裝置中，亦可進行上述狀態判定及種類判定。

控制部410例如包含CPU及記憶體、或微電腦，對塗佈處理部420、顯影處理部430、熱處理部440及基板搬送裝置450之動作進行控制。又，於圖9之例中，於控制部410，連接有顯示裝置490。

基板搬送裝置450於基板處理裝置400對基板W進行處理時，將基板W於塗佈處理部420、顯影處理部430、熱處理部440及曝光裝置500之間搬送。

塗佈處理部420於未處理之基板W之一面上形成抗蝕劑膜(塗佈處理)。對形成有抗蝕劑膜之塗佈處理後之基板W，於曝光裝置500中進行曝光處理。顯影處理部430藉由對經曝光裝置500曝光處理後之基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處理。熱處理部440係於塗佈處理部420所進行之塗佈處理、顯影處理部430所進行之顯影處理、及曝光裝置500所進行之曝光處理之前後，進行基板W之熱處理。

再者，塗佈處理部420亦可於基板W形成抗反射膜。於該情形時，於熱處理部440中亦可設置用以進行密接強化處理之處理單元，以提高基板W與抗反射膜之密接性。又，塗佈處理部420亦可於基板W上形成抗蝕劑覆蓋膜(resist cover film)，用以保護形成於基板W上之抗蝕劑膜。

如上所述，於熱處理部440中，進行狀態判定及種類判定。於本例中，將狀態判定結果及種類判定結果賦予至控制部410。於該情形時，控制部410將被賦予之狀態判定結果及種類判定結果顯示於顯示裝置490。藉此，使用者能容易地掌握是否利用熱處理部440中之各熱處理裝置進行了適當之熱處理。又，於判定為在各熱處理裝置中基板W之支持狀態存在異常之情形時，能容易地掌握該異常之種類。

(9)其他實施形態 (a)於上述實施形態中，支持部S係於熱處理板10上具有用以支持基板W下表面之複數個支持體11及複數個導向構件12，但本發明並不限定於此。亦可於支持部S之熱處理板10之載置面10s上，設置用以支持基板W下表面之圓形之片狀構件，以代替複數個支持體11及複數個導向構件12。

片狀構件係由具有耐熱性之樹脂形成，設置為覆蓋熱處理板10之整個載置面10s。於從片狀構件之外周端部朝向片狀構件之中心之固定寬度之部分，設置有能夠支持基板W之下表面周緣部之圓環狀密封部。於密封部內側之區域中，設置有能夠支持基板W下表面之複數個凸部。藉由此種構成，若於基板W之支持狀態正常時抽吸板上空間SS之氣體，則板上空間SS內急遽地真空化。另一方面，於基板W之支持狀態異常時，即便抽吸板上空間SS之氣體，亦因基板W下表面與密封部之間形成有間隙，而板上空間SS內不會從大氣壓大幅度變化。

藉此，於在熱處理板10上設置有片狀構件之情形時，亦可藉由進行與上述實施形態相同之狀態判定及種類判定，而以較高之精度判定基板W之支持狀態。

(b)於上述實施形態中，說明了於固定之熱處理板10上對基板W進行加熱處理或冷卻處理之熱處理裝置，但本發明之熱處理裝置之構成亦可應用於一面搬送基板W，一面對搬送中之基板W進行熱處理之構成。

例如，存在具備搬送臂之搬送機構，該搬送臂具有上述載置面10s及複數個支持體11。該搬送機構構成為能將支持於載置面10s上之基板W於相互隔開之2個位置之間搬送。進而，於該搬送機構之搬送臂中，進而設置有發熱體或冷卻機構，用以對支持於載置面10s上之基板W進行熱處理。

於該情形時，可藉由在搬送機構中設置抽吸板上空間SS之氣體之構成及用以檢測板上空間SS內之壓力之構成，而進行狀態判定及種類判定。其結果，可藉由狀態判定而判定搬送臂上之基板W之支持狀態。又，可藉由種類判定而判定搬送臂上之基板W之支持狀態之異常種類。

(10)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明。於上述實施形態中，熱處理裝置100為熱處理裝置之例，載置面10s為載置面之例，熱處理板10為板構件之例，發熱體20為熱處理部之例，抽氣裝置40為抽吸部之例，壓力感測器43為壓力檢測器之例，壓力獲取部53及狀態判定部54為狀態判定部之例，提示裝置60為第1及第2提示部之例，種類判定部56為種類判定部之例。

作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種要素。

10:熱處理板 10s:載置面 11:支持體 12:導向構件 13:貫通孔 14:貫通孔 20:發熱體 21:發熱驅動電路 30:升降裝置 31:升降銷 32:連結構件 40:抽氣裝置 41:主配管 42:副配管 43:壓力感測器 50:控制裝置 51:溫度控制部 52:抽氣控制部 53:壓力獲取部 54:狀態判定部 55:記憶部 56:種類判定部 57:升降控制部 60:提示裝置 100:熱處理裝置 400:基板處理裝置 410:控制部 420:塗佈處理部 430:顯影處理部 440:熱處理部 450:基板搬送裝置 490:顯示裝置 500:曝光裝置 cn:異物 S:支持部 SS:板上空間 W:基板

圖1係表示本發明之一實施形態之熱處理裝置之構成的模式性側視圖。 圖2係圖1之熱處理裝置之模式性俯視圖。 圖3係表示基板正常地支持於熱處理板上之狀態之模式性側視圖。 圖4係表示因異物而導致基板未正常地支持於熱處理板上之狀態之模式性側視圖。 圖5係表示因位置偏移而導致基板未正常地支持於熱處理板上之狀態之模式性側視圖。 圖6係表示圖1之控制裝置中所執行之狀態判定處理之一例之流程圖。 圖7係表示執行狀態判定處理時之板上空間內之壓力變動之一例之圖。 圖8係表示圖1之控制裝置中所執行之種類判定處理之一例之流程圖。 圖9係表示具備圖1之熱處理裝置之基板處理裝置之一例之模式性方塊圖。

10:熱處理板

10s:載置面

11:支持體

12:導向構件

13:貫通孔

14:貫通孔

20:發熱體

21:發熱驅動電路

30:升降裝置

31:升降銷

32:連結構件

40:抽氣裝置

41:主配管

42:副配管

43:壓力感測器

50:控制裝置

51:溫度控制部

52:抽氣控制部

53:壓力獲取部

54:狀態判定部

55:記憶部

56:種類判定部

57:升降控制部

60:提示裝置

100:熱處理裝置

S:支持部

SS:板上空間

W:基板

Claims (6)

1. 一種熱處理裝置，其係對基板進行熱處理者，且具備：板構件，其具有載置面；複數個支持體，其等能夠支持基板下表面地設置於上述載置面上；熱處理部，其對被支持在上述載置面上之基板進行熱處理；抽吸部，其抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體；壓力檢測器，其檢測被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之壓力；及狀態判定部，其於已由上述抽吸部抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間的氣體之狀態下，基於藉由上述壓力檢測器檢測出之壓力，判定基板之支持狀態；及上述抽吸部於對基板進行上述熱處理之初始之規定期間內，抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體，於經過上述規定期間之時間點停止上述抽吸，上述規定期間係從基板被載置於上述載置面上起至上述載置面之溫度達到為了進行上述熱處理而預先設定之設定溫度為止之期間，自對被支持在上述載置面上之基板進行上述熱處理之初始之經過上述規定期間之時間點至上述熱處理結束之期間內，在停止上述抽吸的狀態下藉由上述設定溫度對上述基板進行熱處理，上述狀態判定部於上述檢測出之壓力大小為預先規定之閾值以上時，判定為基板之支持狀態正常，於上述檢測出之壓力大小低於預先規定 之閾值時，判定為基板之支持狀態異常。
2. 如請求項1之熱處理裝置，其進而具備第1提示部，上述第1提示部提示上述狀態判定部之判定結果。
3. 一種熱處理裝置，其係對基板進行熱處理者，且具備：板構件，其具有載置面；複數個支持體，其等能夠支持基板下表面地設置於上述載置面上；熱處理部，其對被支持在上述載置面上之基板進行熱處理；抽吸部，其抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體；壓力檢測器，其檢測被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之壓力；及狀態判定部，其於已由上述抽吸部抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間的氣體之狀態下，基於藉由上述壓力檢測器檢測出之壓力，判定基板之支持狀態；及上述抽吸部於對基板進行上述熱處理之初始之規定期間內，抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體，於經過上述規定期間之時間點停止上述抽吸，上述規定期間係從基板被載置於上述載置面上起至上述載置面之溫度達到為了進行上述熱處理而預先設定之設定溫度為止之期間，自對被支持在上述載置面上之基板進行上述熱處理之初始之經過上述規定期間之時間點至上述熱處理結束之期間內，在停止上述抽吸的狀態下藉由上述設定 溫度對上述基板進行熱處理；上述熱處理裝置進而具備：種類判定部，其基於由上述狀態判定部對複數個基板之複數個判定結果，針對被判定為支持狀態異常之基板判定異常之種類；及第2提示部，其提示上述種類判定部之判定結果。
4. 一種熱處理方法，其係對基板進行熱處理者，且包括如下步驟：藉由將基板載置於板構件所具有之載置面上，藉由設置於上述載置面上之複數個支持體之至少一部分支持基板之下表面；對被支持在上述載置面上之基板進行熱處理；抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體；檢測被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之壓力；及於已抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體之狀態下，基於藉由上述進行檢測之步驟所檢測出之壓力，判定基板之支持狀態；且上述進行抽吸之步驟包括：於對基板進行上述熱處理之初始之規定期間內，抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體，於經過上述規定期間之時間點，停止上述抽吸，上述規定期間係從基板被載置於上述載置面上起至上述載置面之溫度達到為了進行上述熱處理而預先設定之設定溫度為止之期間，自對被支持在上述載置面上之基板進行上述熱處理之初始之經過上述規定期間之時 間點至上述熱處理結束之期間內，在停止上述抽吸的狀態下藉由上述設定溫度對上述基板進行熱處理，上述判定基板支持狀態之步驟包括：於上述檢測出之壓力大小為預先規定之閾值以上時，判定為基板之支持狀態正常，於上述檢測出之壓力大小低於預先規定之閾值時，判定為基板之支持狀態異常。
5. 如請求項4之熱處理方法，其進而包括如下步驟：提示藉由上述判定基板支持狀態之步驟所得之判定結果。
6. 一種熱處理方法，其係對基板進行熱處理者，且包括如下步驟：藉由將基板載置於板構件所具有之載置面上，藉由設置於上述載置面上之複數個支持體之至少一部分支持基板之下表面；對被支持在上述載置面上之基板進行熱處理；抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體；檢測被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之壓力；及於已抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體之狀態下，基於藉由上述進行檢測之步驟所檢測出之壓力，判定基板之支持狀態；且上述進行抽吸之步驟包括：於對基板進行上述熱處理之初始之規定期間內，抽吸被支持在上述載置面上之基板與上述載置面之間的空間之氣體，於經過上述規定期間之時間點，停止上述抽吸， 上述規定期間係從基板被載置於上述載置面上起至上述載置面之溫度達到為了進行上述熱處理而預先設定之設定溫度為止之期間，自對被支持在上述載置面上之基板進行上述熱處理之初始之經過上述規定期間之時間點至上述熱處理結束之期間內，在停止上述抽吸的狀態下藉由上述設定溫度對上述基板進行熱處理；上述熱處理方法進而包括如下步驟：基於藉由上述判定基板之支持狀態之步驟所得之對複數個基板之複數個判定結果，針對被判定為支持狀態異常之基板判定異常之種類；及提示藉由上述判定異常之種類之步驟所得之判定結果。

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