JP2020145215A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す模式的側面図であり、図2は図1の熱処理装置100の模式的平面図である。図1に示すように、熱処理装置100は、主として支持部S、昇降装置30、吸気装置40、制御装置50および提示装置60を備える。なお、図2では、図1に示される複数の構成要素のうち一部の図示が省略されている。
図3は、基板Wが熱処理プレート10上で正常に支持されている状態を示す模式的側面図である。図3および後述する図4および図5では、複数の支持体11および複数のガイド部材12のうち一部の図示が省略されている。本実施の形態では、基板Wの支持状態が正常であることは、図2に示すように平面視で基板Wが複数のガイド部材12の上端部の間に位置しかつ図3に示すようにプレート上空間SSに各支持体11よりも大きい高さを有する異物が存在しないことである。この場合、プレート上空間SS内の雰囲気が複数の貫通孔14を通して予め定められた流量で吸引されると、プレート上空間SS内の圧力は、大きく低下する。
図1に示すように、制御装置50は、CPU(中央演算処理装置)、RAM(ランダムアクセスメモリ)およびROM(リードオンリメモリ)により構成され、温度制御部51、吸気制御部52、圧力取得部53、状態判定部54、記憶部55、種類判定部56および昇降制御部57を有する。制御装置50においては、CPUがROMまたは他の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより、上記の各機能部が実現される。なお、制御装置50の機能的な構成要素の一部または全てが電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
上記の状態判定は、図1の制御装置50が下記の状態判定処理を実行することにより行われる。図6は、図1の制御装置50において実行される状態判定処理の一例を示すフローチャートである。
図7は、状態判定処理の実行時におけるプレート上空間SS内の圧力変動の一例を示す図である。図7に示すグラフにおいては、縦軸がプレート上空間SSの圧力の大きさ(絶対値)を表し、横軸が時間を表す。換言すれば、図7の縦軸は、基準圧力(例えば大気圧)とプレート上空間SSの圧力(負圧)との差分の絶対値を表す。
上記の種類判定は、図1の制御装置50が下記の種類判定処理を実行することにより行われる。図8は、図1の制御装置50において実行される種類判定処理の一例を示すフローチャートである。
上記の熱処理装置100においては、熱処理プレート10の載置面10s上で基板Wが複数の支持体11の少なくとも一部により支持され、基板Wに加熱処理が行われる。プレート上空間SSの気体が吸気装置40により吸引される。この場合、基板Wに反り等の局所的な変形部分が存在する場合でも、プレート上空間SSの圧力が低下することにより基板Wの下面の全体が載置面10sに向かって吸引される。したがって、基板Wが熱処理プレート10に対して予め定められた位置に存在しかつプレート上空間SS内に異物が存在しない場合、基板Wの下面は載置面10s上で複数の支持体11の全てにより支持されることになる。このように、基板Wの支持状態が正常で場合には、基板Wの下面と載置面10sとの間の距離が小さく維持されかつプレート上空間SSがそのプレート上空間SSの外方に大きく開放されない。したがって、そのプレート上空間SS内の圧力は大きく低下する。すなわち、プレート上空間SSの圧力と大気圧との差分の絶対値が大きくなる。
図9は、図1の熱処理装置100を備える基板処理装置の一例を示す模式的ブロック図である。図1に示すように、基板処理装置400は、露光装置500に隣接して設けられ、制御部410、塗布処理部420、現像処理部430、熱処理部440および基板搬送装置450を備える。熱処理部440は、基板Wに加熱処理を行う複数の図1の熱処理装置100と、基板Wに冷却処理を行う複数の熱処理装置(図示せず)とを含む。基板Wに冷却処理を行う複数の熱処理装置(図示せず)は、図1の発熱体20に代えて基板Wを冷却するための構成(例えばペルチェ素子または冷却水循環機構等)を備える点を除いて、図1の熱処理装置100と同じ構成および動作を有する。それにより、冷却処理を行う各熱処理装置においても、上記の状態判定および種類判定が行われる。
(a)上記実施の形態においては、支持部Sは、熱処理プレート10に基板Wの下面を支持するための複数の支持体11および複数のガイド部材12を有するが、本発明はこれに限定されない。支持部Sの熱処理プレート10の載置面10s上には、複数の支持体11および複数のガイド部材12に代えて、基板Wの下面を支持するための円形のシート状部材が設けられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、熱処理装置100が熱処理装置の例であり、載置面10sが載置面の例であり、熱処理プレート10がプレート部材の例であり、発熱体20が熱処理部の例であり、吸気装置40が吸引部の例であり、圧力センサ43が圧力検出器の例であり、圧力取得部53および状態判定部54が状態判定部の例であり、提示装置60が第1および第2の提示部の例であり、種類判定部56が種類判定部の例である。
Claims (10)
- 基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
載置面を有するプレート部材と、
基板の下面を支持可能に前記載置面上に設けられた複数の支持体と、
前記載置面上で支持された基板に熱処理を行う熱処理部と、
前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の気体を吸引する吸引部と、
前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の圧力を検出する圧力検出器と、
前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の気体が前記吸引部により吸引された状態で、前記圧力検出器により検出された圧力に基づいて基板の支持状態を判定する状態判定部とを備え、
前記吸引部は、基板への前記熱処理の初期の所定期間中前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の気体を吸引し、前記所定期間の経過時点から前記熱処理の終了までの間に前記吸引を停止する、熱処理装置。 - 前記吸引部は、前記所定期間の経過時点で前記吸引を停止し、
前記所定期間は、前記載置面上に基板が載置されてから前記載置面の温度が前記熱処理のために予め設定された設定温度に到達するまでの期間である、請求項1記載の熱処理装置。 - 前記状態判定部は、前記検出された圧力の大きさが予め定められたしきい値以上であるときに基板の支持状態が正常であると判定し、前記検出された圧力の大きさが予め定められたしきい値よりも低いときに基板の支持状態が異常であると判定する、請求項1または2記載の熱処理装置。
- 前記状態判定部による判定結果を提示する第1の提示部をさらに備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 前記状態判定部による複数の基板についての複数の判定結果に基づいて、支持状態が異常であると判定された基板について異常の種類を判定する種類判定部と、
前記種類判定部による判定結果を提示する第2の提示部とをさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 基板に熱処理を行う熱処理方法であって、
プレート部材が有する載置面上に基板を載置することにより、前記載置面上に設けられた複数の支持体の少なくとも一部により基板の下面を支持させるステップと、
前記載置面上で支持された基板に熱処理を行うステップと、
前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の気体を吸引するステップと、
前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の圧力を検出するステップと、
前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の気体が吸引された状態で、前記検出するステップにより検出された圧力に基づいて基板の支持状態を判定するステップとを含み、
前記吸引するステップは、基板への前記熱処理の初期の所定期間中前記載置面上で支持された基板と前記載置面との間の空間の気体を吸引し、前記所定期間の経過時点から前記熱処理の終了までの間に前記吸引を停止することを含む、熱処理方法。 - 前記吸引するステップは、前記所定期間の経過時点で前記吸引を停止することを含み、
前記所定期間は、前記載置面上に基板が載置されてから前記載置面の温度が前記熱処理のために予め設定された設定温度に到達するまでの期間である、請求項6記載の熱処理方法。 - 前記基板の支持状態を判定するステップは、前記検出された圧力の大きさが予め定められたしきい値以上であるときに基板の支持状態が正常であると判定し、前記検出された圧力の大きさが予め定められたしきい値よりも低いときに基板の支持状態が異常であると判定することを含む、請求項6または7記載の熱処理方法。
- 前記基板の支持状態を判定するステップによる判定結果を提示するステップをさらに含む、請求項6〜8のいずれか一項に記載の熱処理方法。
- 前記基板の支持状態を判定するステップによる複数の基板についての複数の判定結果に基づいて、支持状態が異常であると判定された基板について異常の種類を判定するステップと、
前記異常の種類を判定するステップによる判定結果を提示するステップとをさらに含む、請求項6〜9のいずれか一項に記載の熱処理方法。
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