JP4666473B2 - 基板熱処理装置 - Google Patents

基板熱処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4666473B2
JP4666473B2 JP2005139567A JP2005139567A JP4666473B2 JP 4666473 B2 JP4666473 B2 JP 4666473B2 JP 2005139567 A JP2005139567 A JP 2005139567A JP 2005139567 A JP2005139567 A JP 2005139567A JP 4666473 B2 JP4666473 B2 JP 4666473B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
heat treatment
treatment apparatus
discharge
bake plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005139567A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006319093A (ja
Inventor
彰彦 森田
茂宏 後藤
啓司 松近
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2005139567A priority Critical patent/JP4666473B2/ja
Priority to US11/417,691 priority patent/US7432476B2/en
Priority to TW095116649A priority patent/TWI307926B/zh
Priority to KR1020060042724A priority patent/KR100750630B1/ko
Priority to CNB200610081842XA priority patent/CN100536074C/zh
Publication of JP2006319093A publication Critical patent/JP2006319093A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4666473B2 publication Critical patent/JP4666473B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/04—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D3/0084—Charging; Manipulation of SC or SC wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置に係り、特に、基板をベークプレートに密着させずに微小空間を隔てて熱処理する技術に関する。
従来、この種の装置として、昇降温されるベークプレートと、ベークプレートの上面に、平面視で正三角形の各頂点に位置するように埋設された３個の球体とを備えた装置が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。この装置では、基板をベークプレートに載置すると、基板の下面が３個の球体で支持され、基板の下面全体がベークプレートに密着することなく、基板の全面が微小空間を隔てて離間された状態となる。このように微小空間を隔てて基板を載置することにより、ベークプレートに温度ムラが存在していたとしても、基板にはその影響が極力及ばないようになっている。
特開２０００−１９３３７６号公報
ところで、半導体製造プロセスにおいては、基板の加熱処理は欠かせないものであるが、フォトレジストにおけるマスク生成プロセスにおいても現像処理前に行われる加熱処理は、エッチングマスク寸法の精度に大きく関わる重要な問題である。昨今のプロセスの微細化に伴い、基板熱処理装置に要求される温度均一性は高いものとなってきており、それらの要求を満たす様々な改良が行われてきた。
しかしながら、現実の半導体製造プロセスでは、物性の異なる種々の膜が多層に組み合わされていくため、それらの熱収縮率及び膨張率の相違により、工程が進むに従って基板自体が反る（厚み方向に湾曲する）のが一般的である。したがって、ベークプレートの面内温度分布をいくら精度よく均一にしても、半導体製造工程における現実の基板を加熱処理する際には、ベークプレートと基板面との間の微小空間が基板の全面にわたって同じにならず、不均一な間隔となってしまう。そのため、ベークプレートが本来有している高精度な温度均一性を、基板の熱処理に生かし切れていないという問題がある。
なお、上記の問題を解決するために、ベークプレートの温度制御を複数のエリアに分割し、基板とベークプレートの距離に応じてエリアごとに異なる加熱制御を行うという提案がなされている。しかしながら、基板の反り量や反り方向が一様ではないので、一枚の基板ごとに最適な温度制御を実施する必要が生じ、現実的には容易に実施できるものではなく、実施したとしても、複雑な制御の割に基板の温度処理の均一性を向上することができない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、吸引によって基板の反りを矯正することにより、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、ベークプレートの上面に凸部を備え、ベークプレートに基板を載置して、基板の下面とベークプレートの上面との間に微小空間を形成した状態で基板に対する熱処理を行う基板熱処理装置において、前記ベークプレートの上面周縁部に備えられ、前記微小空間の側方を閉塞するとともに、基板の側方への移動を規制する規制部と、基板の下面に当接し、基板の外径より小径であって、前記規制部との間に空間をおいて配設された当接部とを備えたシール部と、前記微小空間の気体を排出するための排出孔とを備え、前記排出孔を介して前記微小空間の気体を排出した状態で、前記ベークプレートに載置された基板に熱処理を行うことを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、基板下面とベークプレート上面との間の微小空間の側方（外周部）がシール部によって閉塞されているので、排出孔を介して微小空間の気体を排出すると、微小空間には負圧が生じ、この負圧によって基板面がベークプレート側に吸引される。したがって、基板に反りがあっても矯正され、基板の下面が凸部に当接してベークプレート上面との距離が適切に維持されるので、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる。また、当接部が規制部との間に空間をおいて配設されているので、基板の下面周縁部に処理液等が回り込んでいたとしても、基板をシール部から離れやすくすることができる。
本発明において、排出孔は、前記ベークプレートの上面に開口していることが好ましい（請求項２）。ベークプレートの上面に排出孔が開口していると、基板面にベークプレート方向への吸引力を作用させ易く吸引を効率的に行うことができる。
また、本発明において、排出孔は、前記ベークプレートの中心部よりも前記シール部側に形成されていることが好ましい（請求項３）。基板の中央部は吸引により湾曲しやすい関係上、中央部が先に吸引されて閉塞空間が形成されると、基板の周辺部にあたる微小空間の負圧が小さいままとなり、基板の周辺部が十分に吸引されない恐れがある。そこで、排出孔をベークプレートの中心部よりも外寄りに形成することにより、基板面全体をほぼ均等に吸引することができ、より均一な熱処理を行うことができる。
また、本発明において、ベークプレートは、その上面が下方に凹んだ凹部形状を呈することが好ましい（請求項４）。基板の中央部が周辺部よりも下方に突出した反り（谷型反り）を有する場合には、中央部が先に吸引されて周辺部の吸引が不足する場合があるが、ベークプレート正面を凹部形状することにより、基板の周辺部を十分に吸引することができる。したがって、基板の反りにかかわらず基板の面内において均一な熱処理を行うことができる。
また、本発明において、前記シール部は、前記規制部と前記当接部との間に、前記当接部より外側で基板の下面に非接触である溝部を備えていることが好ましい（請求項５）。処理液等が回り込んでいる恐れがある基板の下面周縁部には溝部で当接しないようにしてあるので、基板の下面周縁部に処理液等が付着していても基板をシール部から離れやすくすることができる。
また、本発明において、前記微小空間に気体を供給するための供給孔を備え、基板に対する熱処理を終えた後、前記供給孔から気体を供給するとともに前記排出孔からの排出を停止することが好ましい（請求項６）。吸引を解除して基板を開放するために、微小空間の気体を排出した排出孔から気体を供給すると、パーティクル等が基板の下面に向けて吹き上げられ、基板が汚染される恐れがある。そこで、排出孔とは異なる供給孔を備え、吸引を解除する際には、まず供給孔から気体を供給して負圧を解消し、その後に排出孔からの排出を停止することにより、パーティクル等の吹き上げを防止でき、清浄度高く基板を処理することができる。また、基板の下面に回り込んだ処理液等の影響により、負圧が解消されても基板が張り付いたようになって基板を離脱させ難くなることがあるが、積極的に気体を供給することにより、基板を持ち上げるように圧力をかけることになるので、基板を容易に離脱させ易くできる。
また、本発明において、前記排出孔の排出圧を検出する排出圧検出手段と、前記排出圧検出手段から得られた排出圧に基づき、排出系に異常があるか否かを判断する判断手段と、前記判断手段が異常ありと判断した場合には、異常を報知する報知手段と、をさらに備えていることが好ましい（請求項７）。排出圧検出手段で排出圧を検出し、排出圧に基づき排出系に異常があると判断手段が判断した場合には、報知手段で異常を報知する。これにより、排出系に異常があって微小空間を十分に負圧に保てず、基板に対する熱処理が不均一になる状況にあることを事前に報知できる。したがって、継続的に基板に不適切な処理が行われることを防止することができる。
また、本発明において、前記排出孔からの排出圧を切り替え可能に構成され、前記微小空間内の排出初期の排出圧を、その後の定常時の排出圧よりも大きく切り替える切替手段と、をさらに備えていることが好ましい（請求項８）。排出圧が大きいほど基板に作用する吸引力が大きくなるが、気体の流れによりベークプレートの熱分布を不均一にする恐れがある。一方、基板の周辺部が中央部よりも上方に反っている場合には、シール部と基板周辺部との隙間が大きいので、排出圧を大きくしないと周辺部を十分に吸着できない恐れがある。そこで、排出初期の排出圧をその後の定常時の排出圧より大きくすることにより、反りがある基板も確実に吸引することができつつも、ベークプレートの熱分布に悪影響を与えないようにすることができる。
また、請求項９に記載の発明は、ベークプレートの上面に凸部を備え、ベークプレートに基板を載置して、基板の下面に微小空間を形成した状態で基板に対する熱処理を行う基板処理装置において、前記ベークプレートの上面外周部に備えられ、前記微小空間の側方を閉塞するとともに、基板の側方への移動を規制する規制部と、基板の下面に当接し、基板の外径より小径であって、前記規制部との間に空間をおいて配設された当接部とを備えたシール部と、前記ベークプレートの上面のうち前記シール部材より中心側に配設された多孔質部材と、前記微小空間の気体を排出するため、前記多孔質部材に連通接続された排出孔とを備え、前記排出孔を介して前記微小空間の気体を排出した状態で、前記ベークプレートに載置された基板に熱処理を行うことを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項９に記載の発明によれば、基板下面とベークプレート上面との間の微小空間の側方がシール部によって閉塞されているので、排出孔を通して微小空間の気体を排出すると、多孔質部材を介して微小空間の下方から全体的に排出が行われて負圧が生じ、この負圧によって基板面がベークプレート側に吸引される。したがって、基板に反りがあっても矯正され、基板の下面が凸部に当接してベークプレート上面との距離が適切に維持されるので、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる。その上、多孔質部材を介して面的に排出が行われるので、微小空間の気体の排出を全体的に均等に行うことができる。その結果、ベークプレートの熱分布に偏りが生じにくく、熱処理をより均一に行うことができる。また、当接部が規制部との間に空間をおいて配設されているので、基板の下面周縁部に処理液等が回り込んでいたとしても、基板をシール部から離れやすくすることができる。
本発明に係る基板熱処理装置によれば、排出孔を介して微小空間の気体を排出することにより微小空間には負圧が生じ、基板面がベークプレート側に吸引される。したがって、基板に反りがあっても負圧によって矯正され、基板の下面が凸部に当接してベークプレート上面との距離が適切に維持されるので、基板の面内において均一な熱処理を行うことができる。また、当接部が規制部との間に空間をおいて配設されているので、基板の下面周縁部に処理液等が回り込んでいたとしても、基板をシール部から離れやすくすることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は、実施例１に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、図１の平面図であり、図３は、ベークプレートを拡大した縦断面図である。
上面に基板Ｗを載置するベークプレート１は、下部にマイカヒータなどの発熱体３が付設されている。発熱体３とベークプレート１の上面との間にあたる伝熱部５には、図示しないヒートパイプが複数本埋設されている。また、図示しない複数本のヒートパイプの間には、図示しない冷却溝が形成され、冷却用の流体が流通される。
ベークプレート１には、上面から下面に貫通した３個の貫通孔７が形成されている。これらの貫通孔７は平面視で正三角形の各頂点にあたる位置に形成され、それぞれに支持ピン９が挿通されている。各支持ピン９は、下部が支持部材１１に配設されているとともに、各支持ピン９の下部側方を周囲から閉塞する蛇腹部材１３が、支持部材１１の上面とベークプレート１の下面との間に固着されている。支持部材１１は、エアシリンダ１５の作動軸に連結された昇降アーム１７に取り付けられている。したがって、エアシリンダ１５を作動させると、昇降アーム１７が上昇して各支持ピン９がベークプレート１の上面から上方へ突出し（図１中に二点鎖線で示す）、エアシリンダ１５を非作動にすると、作動軸が収縮して昇降アーム１７が下降し、各支持ピン９がベークプレート１の上面から下方に退出する（図１中に実線で示す）。これにより、図示しない搬送手段との間で基板Ｗの受け渡しを行うようになっている。
ベークプレート１の上面には、各貫通孔７を避ける位置であって、中心位置と、正三角形の各頂点に相当する位置と、中心位置と各頂点相当位置の延長上の位置とに、７個の凹部が穿たれ、各凹部のそれぞれに凹部の深さよりも若干大径の球体１９が嵌め込まれている。また、中心位置と各貫通孔７の延長線上の位置には、同様に３個の凹部が穿たれ、各凹部に球体１９が嵌め込まれている。基板Ｗがベークプレート１に載置されると、これらの１０個の球体１９によって ベークプレート１の上面からプロキシミティギャップと呼ばれる微小空間ｍｓが形成された状態で支持され（図３参照）、ベークプレート１の上面からの輻射熱によって均一に加熱できるように構成されている。なお、本発明における凸部に相当する球体１９の個数や位置は、基板Ｗの径等に応じて適宜に設定すればよい。
また、ベークプレート１の上面周縁部には、ベークプレート１の上面から球体１９が突出している微小高さにほぼ等しい厚みを有する、平面視リング状を呈した支持部２１が配設されている。この支持部２１の上面には、平面視環状かつ縦断面形状が台形状を呈する規制部２３が立設されている。支持部２１は基板Ｗの下面周縁部に当接し、かつその下面を微小空間ｍｓの高さに合わせて支持する。また、規制部２３は、基板Ｗの側方への移動を規制する。これらの支持部２１と規制部２３は、微小空間ｍｓの側方を閉塞するシール部２５を構成している。
なお、上記のシール部２５としては、例えば、耐熱性及び弾性を有するポリイミド樹脂が好ましい。また、その他に、例えば、テフロン樹脂が利用可能である。
また、ベークプレート１には、最外周側に位置している球体１９とシール部２５との間の３箇所に、上面に開口した排出孔２７が形成されている。この排出孔２７には排出配管２９の一端側が連通接続され、その他端側に真空吸引源３１が連通接続されている。この真空吸引源３１は、例えば、クリーンルームに設けられたバキュームのユーティリティである。排出配管２９には、排気時における上流側から真空吸引源３１に向かって、真空破壊弁を備えた開閉弁３３と、流量調整弁３５と、圧力計３７とが順に取り付けられている。なお、流量調整弁３５は、開閉弁３３が開放されたときに排出される気体の流量を予め設定するためのものである。
上述した発熱体３、エアシリンダ１５や開閉弁３３等は、ＣＰＵ３９によって制御される。その制御は、メモリ４１に予め記憶されているレシピに基づいて行われる。特に開閉弁３３は、ＣＰＵ３９によって、上記開閉弁３３を開放して排出配管２９を介した吸引を行わせる動作と、開閉弁３３を閉止して吸引を停止するとともに、開閉弁３３から排出孔２７側を大気圧に開放する真空破壊弁の動作とが制御される。
次に、図４から図７を参照して、上記のように構成されている基板熱処理装置の動作について説明する。なお、図４及び図５は、基板を処理する過程の動作説明図であり、図６は、中央部が上方に突出して反った基板の処理を示す説明図であり、図７は、中央部が下方に突出して反った基板の処理を示す説明図である。また、発熱体３の温度制御等はレシピに応じて既に行われているものとし、以下の説明においては省略する。
まず、ＣＰＵ３９は、エアシリンダ１５を作動させて、作動軸を上方へ突出させる（図４）。これにより、三本の支持ピン９がベークプレート１の上面から上方へ突出した状態となる。このとき蛇腹部材１３は、支持部材１１とベークプレート１の下面で圧縮されて収縮した状態となる。この状態で、図示しない搬送手段から（例えば、回路等が形成されるエピタキシャル層を上方に向けた状態の）基板Ｗを受け取り、突出した支持ピン９で基板Ｗを水平姿勢で支持する。
次いで、ＣＰＵ３９は、エアシリンダ１５を非作動とし、作動軸を収縮させる（図５）。これにより、基板Ｗの下面が１０個の球体１９に当接し、下面の周縁部が支持部２１に当接した状態とされる。さらに、ＣＰＵ３９は、開閉弁３３を開放動作させ、微小空間ｍｓ内の気体（空気や窒素）を、排出孔２７及び排気配管２９を介して一定の流量で排出する。これにより、微小空間ｍｓには負圧が生じ、基板Ｗ面が球体１９と支持部２１で支持されてベークプレート１側に吸引される。したがって、基板Ｗに反りがあっても負圧によって矯正され、基板Ｗの下面が球体１９及び支持部２１に当接してベークプレート１上面との距離が適切に維持されるので、基板Ｗの面内において均一な熱処理を行うことができる。
ところで、基板Ｗの反りとしては、図６に示すように基板Ｗの中央部が上方に突出するように反ったもの（山型反り）と、図７に示すように基板Ｗの中央部が下方に突出するように反ったもの（谷型反り）がある。中央部が上方に突出した基板Ｗでは、吸引により微小空間ｍｓから気体が排出され、負圧が生じて基板Ｗの中央部がベークプレート１の上面側に引き寄せられることにより、基板Ｗの全面が微小空間ｍｓを隔ててベークプレート１の上面側に載置される。一方、中央部が下方に突出した基板Ｗでは、周縁部が上方に反り上がった状態であるが、吸引により周縁部の外側から気体が流入して、ベルヌーイ効果が生じ、基板Ｗの周縁部が下方に引き寄せられる。したがって、同様に基板Ｗの全面が微小空間ｍｓを隔ててベークプレート１の上面側に載置される。このように、基板Ｗの反りの方向に関係なく、基板Ｗを適切にベークプレート１の上面側に載置できる。
なお、基板Ｗの中央部が吸引により湾曲しやすい関係上、中央部が先に吸引されて閉塞空間が形成されると、基板Ｗの周辺部にあたる微小空間ｍｓの負圧が小さいままとなり、基板Ｗの周辺部が十分に吸引されない恐れがある。しかし、排出孔２７をベークプレート１の中心部よりも外寄りに形成しているので、そのような不都合が生じることがなく、基板Ｗの面全体をほぼ均等に吸引することができ、より均一な熱処理を行うことができるようになっている。
上記のようにして基板Ｗを載置した後、予め決められた時間だけこの状態を保持することにより、基板Ｗに対して所定の熱処理を施す。
所定時間の熱処理を終えると、ＣＰＵ３９は、開閉弁３３を閉止して、微小空間ｍｓ内の気体の排気を停止するとともに、開閉弁３３の真空破壊弁を作動させる。これにより、微小空間ｍｓ内に気体が流入し、基板Ｗのベークプレート１側への吸引が解除される。次いで、エアシリンダ１５を作動させて作動軸を伸長させ、基板Ｗを上方へ持ち上げる。この状態で、図示しない搬送手段により基板Ｗを搬出する。
このように、本基板熱処理装置によれば、排出孔２７を介して微小空間ｍｓの気体を排出することにより微小空間ｍｓには負圧が生じ、基板Ｗ面がベークプレート１側に吸引される。したがって、基板Ｗに反りがあっても負圧によって矯正され、基板Ｗの下面が球体１９に当接してベークプレート１上面との距離が適切に維持されるので、基板Ｗの面内において均一な熱処理を行うことができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、図８は、実施例２に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。以下の説明では、上述した実施例１と同じ構成について同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
この実施例２は、ベークプレート１Ａの上面が工夫されている。
すなわち、ベークプレート１Ａの上面、詳細には伝熱部５Ａの上面のうちシール部２５より内側が、中心部に向かって凹んだ凹部形状あるいは浅いすり鉢状を呈するように構成されている。基板Ｗの中央部が周辺部よりも下方に突出した反り（谷型反り）を有する場合には、中央部が先に吸引されて周辺部の吸引が不足する場合があるが、ベークプレート１Ａの上面を凹部形状することにより、基板Ｗの周辺部を十分に吸引することができる。したがって、基板Ｗの反りにかかわらず基板Ｗの面内において均一な熱処理を行うことができる。なお、このようなベークプレート１Ａを採用しても、中心部が上方へ突出した反り（山型反り）を有する基板Ｗであっても処理することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、図９は、実施例３に係る基板熱処理装置の一部を拡大して示した縦断面図である。また、上述した実施例１と同じ構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
この実施例３は、上記実施例１，２とシール部２５Ａの構成が異なる。
すなわち、シール部２５Ａは、支持部２１Ａと規制部２３とを備え、支持部２１Ａが当接部４３と溝部４５で構成されている。当接部４３は、基板Ｗの外径よりやや小径の内径を有し、その上面が基板Ｗのうち外周よりやや内側の下面に当接する。溝部４５は、当接部４３より外側で基板Ｗの下面に非接触である。
このような構成の基板熱処理装置に基板Ｗを載置すると、シール部２５Ａの支持部２１Ａで基板Ｗの周辺下面が球体１９の高さに支持されるとともに、側方への移動が規制部２３によって規制されるので、基板Ｗの位置ずれを防止できる。さらに、基板Ｗの下面周辺部には各種の工程における処理液等が回り込んでいる恐れがあり、これが支持部２１Ａに密着した状態で基板Ｗが吸引されると、吸引を解除しても基板Ｗの周辺部が支持部２１Ａから離れ難くなる恐れがある。しかし、基板Ｗの外径より小径の当接部４３で基板Ｗの下面を当接して支持するとともに、処理液等が回り込んでいる恐れがある基板Ｗの下面周縁部には溝部４５で当接しないようにしてあるので、基板Ｗの下面周縁部に処理液等が付着していても基板Ｗをシール部２５Ａから離れやすくすることができる。
なお、当接部４３を、上部に一頂点が位置するような縦断面三角形状で構成し、これを複数個同心円状に配置する構成としてもよい。これにより、気密性を高めることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、上述した実施例１と同じ構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。図１０は、実施例４に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
ベークプレート１Ｂの伝熱部５Ｂのうち、シール部２５より内側には、浅い凹部４７が形成されている。この凹部４７には、連続気泡の多孔質部材４９が配設されている。また、凹部４７には、ベークプレート１Ｂの上面と下面に連通した排出孔２７Ａが形成されている。
このような構成では、基板Ｗの下面とベークプレート１Ｂの上面との間の微小空間ｍｓの側方がシール部２５によって閉塞されているので、排出孔２７Ａを通して微小空間ｍｓの気体を排出すると、多孔質部材４９を介して微小空間ｍｓの下方から全体的に排出が行われて負圧が生じ、この負圧によって基板Ｗがベークプレート１Ｂ側に吸引される。したがって、基板Ｗに反りがあっても矯正され、基板Ｗの下面が球体１９に当接してベークプレート１Ｂの上面との距離が適切に維持されるので、基板Ｗの面内において均一な熱処理を行うことができる。その上、多孔質部材４９を介して面的に排出が行われるので、微小空間ｍｓの気体の排出を全体的に均等に行うことができる。その結果、ベークプレート１Ｂの熱分布に偏りが生じにくく、熱処理をより均一に行うことができる。
なお、本実施例装置と、上述した実施例１〜３あるいは以下の各実施例５〜８等のいずれかを組み合わせてもよい。
次に、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。なお、上述した実施例１と同じ構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。図１１は、実施例５に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
本実施例は、ベークプレート１Ｃに複数個の供給孔５１を備えている。これらの供給孔５１は、窒素ガス供給源５３に供給配管５５で連通接続されている。供給配管５５には、開閉弁５７と、流量調整弁５９と、圧力計６１とが配設されている。なお、窒素ガス供給源５３に代えて、クリーンエア供給源を採用してもよい。開閉弁５７の開放・閉止の動作は、ＣＰＵ３９で制御される。また、排出配管２９には、上述した実施例１の開閉弁３３に代えて、真空破壊弁を備えていない通常の開閉弁６３が配設されている。
本実施例装置では、開閉弁６３がＣＰＵ３９によって開放にされ、排出孔２７を通して一定流量で微小空間ｍｓ内の気体を排出する。すると、微小空間ｍｓには負圧が生じ、基板Ｗが球体１９と支持部２１で支持されてベークプレート１Ｃ（伝熱部５Ｃ）側に吸引される。この状態をレシピに応じて所定時間だけ保持して熱処理を施す。所定時間の経過後、ＣＰＵ３９は、まず開閉弁５７を開放して供給孔５１を通して一定流量で窒素ガスを微小空間ｍｓに送り込むとともに、開閉弁６３を閉止して吸引を停止する。
上記のように、微小空間ｍｓの吸引を解除して基板Ｗを開放するために、微小空間ｍｓの気体を排出した排出孔２７から気体を供給あるいは大気に連通させると、パーティクル等が基板Ｗの下面に向けて吹き上げられ、基板Ｗが汚染される恐れがある。しかし、排出孔２７とは異なる供給孔５１を備え、吸引を解除する際には、まず供給孔５１から気体を供給して微小空間ｍｓ内の負圧を積極的に解消し、その後に排出孔２７からの排出を停止することにより、パーティクル等の吹き上げを防止でき、清浄度高く基板Ｗを処理することができる。
また、基板Ｗの下面に回り込んだ処理液等の影響により、負圧が解消されても基板Ｗがシール部２５に張り付いたようになって支持ピン９で持ち上げ難くなることがあるが、積極的に気体を供給することにより、基板Ｗを持ち上げる方向に圧力をかけることになるので、支持ピン９で基板Ｗを容易に持ち上げ易くできる。
次に、図面を参照して本発明の実施例６を説明する。なお、上述した実施例５と同じ構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。図１２は、実施例６に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
本実施例では、排出配管２９のうち、開閉弁６３よりも上流側（排出孔２７に近い側）に圧力計６５が配設され、その圧力値がＣＰＵ３９によって監視されている。なお、圧力計６５が本発明における排出圧検出手段に相当し、ＣＰＵ３９が本発明における判断手段及び報知手段に相当する。
本実施例装置の動作について、図１３を参照して説明する。なお、図１３は、実施例６の動作説明を示すフローチャートである。
ステップＳ１
基板Ｗを搬入する。エアシリンダ１５を作動させて支持ピン７を上昇させ、基板Ｗを受け取る。
ステップＳ２〜Ｓ４
エアシリンダ１５を非作動とし、作動軸を収縮させて支持ピン７を下降させる。これにより基板Ｗがベークプレート１Ｃに載置される。このとき図示しないセンサなどで支持ピン７が正常に降下したか否かをＣＰＵ３９が判断し（ステップＳ３）、正常に降下するまで監視する（ステップＳ４）。
ステップＳ５〜Ｓ７
基板Ｗが載置されたのを確認した後、開閉弁６３（第１バルブ）を開放し、ＣＰＵ３９は圧力計６５の圧力が設定圧に到達したか否かを一定時間にわたり監視して処理を分岐する。つまり、基板Ｗが破損したり、シール部２５が破損したりする等の障害が生じたことにより、微小空間ｍｓを設定圧にまで減圧できなかった場合と、障害が発生せずに設定圧にまで減圧できた場合とで処理を分岐する。
ステップＳ８
所定圧にまで減圧できた場合には、レシピに基づいて処理時間だけ待機して、基板Ｗに熱処理を施す。
ステップＳ９〜Ｓ１１
処理時間に達すると、開閉弁５７（第２バルブ）を開放する。これにより、微小空間ｍｓ及びこれに連通している排出配管２９に窒素ガスが供給される。ＣＰＵ３９は、圧力計６５の圧力を一定時間にわたって監視し、設定圧に達したか否かを判断して処理を分岐する。つまり、窒素ガスの供給系統などに不具合が生じて窒素ガスを十分に供給することができずに負圧を解消できなかった場合と、障害が発生せずに負圧を解消できた場合とで処理を分岐する。
ステップＳ１２〜Ｓ１４
設定圧に達して負圧が解消された場合には、開閉弁６３（第１バルブ）を閉止して、排気動作を停止する。そして、ＣＰＵ３９は、圧力計６５の圧力を一定時間にわたって監視し、設定圧に達したか否かを判断して処理を分岐する。つまり、排気系統の開閉弁６３を閉じたので、窒素ガスの供給により微小空間ｍｓ及びこれに連通している部分において圧力が高まったか否かを一定時間にわたって監視し、その結果に応じて処理を分岐する。このように負圧を解消するために窒素ガスを供給するので、例えば、基板Ｗの下面周縁部が支持部２１に張り付いてしまった場合であっても、基板Ｗを支持ピン７で容易に上昇させることができる。
ステップＳ１５〜Ｓ１７
設定圧に達した後、ＣＰＵ３９は、開閉弁５７を閉止して窒素ガスの供給を停止するとともに、エアシリンダ１５を作動させて支持ピン７を上昇させる。ＣＰＵ３９は、図示しないセンサなどにより支持ピン９が正常に上昇したか否かを一定時間にわたって監視し、その結果に応じて処理を分岐する。
上述した一連の処理により一枚の基板Ｗに対する処理が行われるが、各ステップＳ４，Ｓ７，Ｓ１１，Ｓ１４，Ｓ１７においてタイプアップした場合には、ステップＳ１８に処理が分岐する。このステップＳ１８では、ＣＰＵ３９が処理を中断するとともに、装置に何らかの不具合が生じたことをオペレータに報知する。報知するには、例えば、ランプを点滅させたり、ブザーを鳴らしたりする。このように不具合を検知して、処理を停止・報知するので、排出系に異常があって微小空間を十分に負圧に保てず、基板Ｗに対する熱処理が不均一になる状況にあることを事前に報知できる。したがって、継続的に不適切な処理が行われることを防止できる。また、排出系だけでなく、供給系に不具合が生じたことを検出して報知することができる。さらに、支持ピン９の昇降も監視しているので、排出・供給系だけでなく、昇降系にも不具合が生じたことを検出することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例７を説明する。なお、上述した実施例６と同じ構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。図１４は、実施例７に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
本実施例装置は、排出系において排気圧力を二段階に変える点が特徴的となっている。
すなわち、排出配管２９のうち、圧力計６５と開閉弁６３との間で排出配管６７が分岐して設けられている。この排出配管６７には、開閉弁６９と、流量調整弁７１と、圧力計７３とが配設されている。流量調整弁７１は、流量調整弁３５よりも大流量（排気圧力が高い）となるように予め設定されている。開閉弁６３，６９をＣＰＵ３９が時間をおいて切り替えることにより、以下に説明するように排出圧を二段階に切り替えることができるようになっている。
なお、上記の開閉弁６３，６９と、流量調整弁３５，７１とが本発明における切替手段に相当する。
このように構成された実施例装置の動作について、図１５を参照して説明する。なお、図１５は、実施例７の動作説明のうちの一部を示すフローチャートである。このフローチャートは、上述した実施例６におけるフローチャート（図１３）における微小空間ｍｓの気体排出動作（ステップＳ５，Ｓ６）を代替するものである。したがって、以下の説明においては、支持ピン９が上昇したのが確認されてからの処理以降を説明する。
ステップＳ５１，Ｓ５２
開閉弁６９（第０バルブ）を開放し、比較的高い圧力で微小空間ｍｓ内の気体を排出する。そして、圧力計６５の圧力が設定圧に達したか否かを判断し、達した場合にはステップＳ５３へ移行し、達しない場合にはステップＳ７以降に分岐する。
ステップＳ５３
開閉弁６９（第０バルブ）を閉止するとともに、開閉弁６３（第１バルブ）を開放する。これにより、開閉弁６９を開放したときよりも低い排気圧力で排気を開始する。これ以降の処理は、上述した実施例６における動作説明と同じである。
このように本実施例装置では、排気圧を二段階に切り替えて微小空間ｍｓ内の気体を排出するようにしているが、このように構成することの利点は、次のとおりである。
すなわち、排出圧が大きいほど基板Ｗに作用する吸引力が大きくなるが、大流量の気体の流れによりベークプレート１の熱分布を不均一にする恐れがある。一方、基板Ｗの周辺部が中央部よりも上方に反っている場合には、シール部２５と基板Ｗの周辺部との隙間が大きいので、排出圧を大きくしないと周辺部を十分に吸引できない恐れがある。そこで、排出初期の排出圧を、その後の定常時の排出圧より大きくすることにより、基板Ｗの中央部が下方に突出するような反りがある基板Ｗも確実に吸引することができつつも、ベークプレート１の熱分布に悪影響を与えないようにできる。
次に、図面を参照して本発明の実施例８を説明する。なお、上述した各実施例１〜７と同じ構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。図１６は、実施例８に係る基板熱処理装置の一部を拡大して示した縦断面図である。
上述した実施例１のようにベークプレート１の上面に排出孔２７が開口していると、基板Ｗの下面にベークプレート１方向への吸引力を作用させ易く、吸引を効率的に行うことができる。しかし、本発明は微小空間ｍｓ内の気体を排出することができれば、どのように排出孔を構成してもよく、例えば、以下に説明するように構成してもよい。
本実施例８では、ベークプレート１Ｄの伝熱部５Ｄが排出孔（２７）を備えておらず、シール部２５の支持部２１Ｂの下部に、流路縦断面形状が半円形状を呈する排出孔２７Ｂを複数個形成してある。但し、微小空間ｍｓを負圧する関係上、基板Ｗの下面周縁部で支持部２１Ｂが上方からベークプレート１Ｄ側に押圧されるので、その圧力により変形しない強度を有するように孔の形状及び個数を設定するのが好ましい。また、全てを排出に用いるのではなく、一部を窒素の供給に用いるようにしてもよい。
このように伝熱部５Ｄが排出孔（２７）を備えていないので、ベークプレート１Ｄの熱分布をより均一にすることができ、その上、基板Ｗの反りを矯正して均一な熱処理を施すことができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した各実施例では、球体１９を備えて微小空間ｍｓを構成しているが、これに代えて、例えば、ベークプレート１の伝熱部５上面をエッチングや部分メッキ、部分コーティングすることにより、同心円形状やメッシュ状に凹凸を形成してもよい。また、これらのパーツを別体部品で構成し、伝熱部５の上面に接着する構成としてもよい。
（２）上述した各実施例では、伝熱部５にヒートパイプを埋設した構成を例に採って説明したが、ヒートパイプを用いていない基板熱処理装置であっても適用することができる。
（３）上述した各実施例では、平面視円形状の基板を例にとって説明したが、矩形状の基板を処理する基板熱処理装置であっても適用できる。
実施例１に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 図１の平面図である。 ベークプレートを拡大した縦断面図である。 基板を処理する過程の動作説明図である。 基板を処理する過程の動作説明図である。 中央部が上方に突出して反った基板の処理を示す説明図である。 中央部が下方に突出して反った基板の処理を示す説明図である。 実施例２に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 実施例３に係る基板熱処理装置の一部を拡大して示した縦断面図である。 実施例４に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 実施例５に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 実施例６に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 実施例６の動作説明を示すフローチャートである。 実施例７に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。 実施例７の動作説明のうちの一部を示すフローチャートである。 実施例８に係る基板熱処理装置の一部を拡大して示した縦断面図である。
符号の説明
Ｗ … 基板
１ … ベークプレート
３ … 発熱体
５ … 伝熱部
７ … 貫通孔
９ … 支持ピン
１９ … 球体
ｍｓ … 微小空間
２１ … 支持部
２３ … 規制部
２５ … シール部
２７ … 排出孔
２９ … 排出配管
３１ … 真空吸引源
３３ … 開閉弁

Claims (14)

  1. ベークプレートの上面に凸部を備え、ベークプレートに基板を載置して、基板の下面とベークプレートの上面との間に微小空間を形成した状態で基板に対する熱処理を行う基板熱処理装置において、
    前記ベークプレートの上面周縁部に備えられ、前記微小空間の側方を閉塞するとともに、基板の側方への移動を規制する規制部と、基板の下面に当接し、基板の外径より小径であって、前記規制部との間に空間をおいて配設された当接部とを備えたシール部と、
    前記微小空間の気体を排出するための排出孔とを備え、
    前記排出孔を介して前記微小空間の気体を排出した状態で、前記ベークプレートに載置された基板に熱処理を行うことを特徴とする基板熱処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板熱処理装置において、
    前記排出孔は、前記ベークプレートの上面に開口していることを特徴とする基板熱処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板熱処理装置において、
    前記排出孔は、前記ベークプレートの中心部よりも前記シール部側に形成されていることを特徴とする基板熱処理装置。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記ベークプレートは、その上面が下方に凹んだ凹部形状を呈することを特徴とする基板熱処理装置。
  5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記シール部は、前記規制部と前記当接部との間に、前記当接部より外側で基板の下面に非接触である溝部を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記微小空間に気体を供給するための供給孔を備え、
    基板に対する熱処理を終えた後、前記供給孔から気体を供給するとともに前記排出孔からの排出を停止することを特徴とする基板熱処理装置。
  7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記排出孔の排出圧を検出する排出圧検出手段と、
    前記排出圧検出手段から得られた排出圧に基づき、排出系に異常があるか否かを判断する判断手段と、
    前記判断手段が異常ありと判断した場合には、異常を報知する報知手段と、
    をさらに備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記排出孔からの排出圧を切り替え可能に構成され、前記微小空間内の排出初期の排出圧を、その後の定常時の排出圧よりも大きく切り替える切替手段と、
    をさらに備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  9. ベークプレートの上面に凸部を備え、ベークプレートに基板を載置して、基板の下面に微小空間を形成した状態で基板に対する熱処理を行う基板処理装置において、
    前記ベークプレートの上面外周部に備えられ、前記微小空間の側方を閉塞するとともに、基板の側方への移動を規制する規制部と、基板の下面に当接し、基板の外径より小径であって、前記規制部との間に空間をおいて配設された当接部とを備えたシール部と、
    前記ベークプレートの上面のうち前記シール部材より中心側に配設された多孔質部材と、
    前記微小空間の気体を排出するため、前記多孔質部材に連通接続された排出孔とを備え、
    前記排出孔を介して前記微小空間の気体を排出した状態で、前記ベークプレートに載置された基板に熱処理を行うことを特徴とする基板熱処理装置。
  10. 請求項９に記載の基板熱処理装置において、
    前記ベークプレートは、その上面が下方に凹んだ凹部形状を呈することを特徴とする基板熱処理装置。
  11. 請求項９または１０に記載の基板熱処理装置において、
    前記シール部は、前記規制部と前記当接部との間に、前記当接部より外側で基板の下面に非接触である溝部を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  12. 請求項９から１１のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記微小空間に気体を供給するための供給孔を備え、
    基板に対する熱処理を終えた後、前記供給孔から気体を供給するとともに前記排出孔からの排出を停止することを特徴とする基板熱処理装置。
  13. 請求項９から１２のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記排出孔の排出圧を検出する排出圧検出手段と、
    前記排出圧検出手段から得られた排出圧に基づき、排出系に異常があるか否かを判断する判断手段と、
    前記判断手段が異常ありと判断した場合には、異常を報知する報知手段と、
    をさらに備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
  14. 請求項９から１３のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
    前記排出孔からの排出圧を切り替え可能に構成され、前記微小空間内の排出初期の排出圧を、その後の定常時の排出圧よりも大きく切り替える切替手段と、
    をさらに備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
JP2005139567A 2005-05-12 2005-05-12 基板熱処理装置 Active JP4666473B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139567A JP4666473B2 (ja) 2005-05-12 2005-05-12 基板熱処理装置
US11/417,691 US7432476B2 (en) 2005-05-12 2006-05-03 Substrate heat treatment apparatus
TW095116649A TWI307926B (en) 2005-05-12 2006-05-11 Substrate heat treatment apparatus
KR1020060042724A KR100750630B1 (ko) 2005-05-12 2006-05-12 기판 열처리 장치
CNB200610081842XA CN100536074C (zh) 2005-05-12 2006-05-12 基板热处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005139567A JP4666473B2 (ja) 2005-05-12 2005-05-12 基板熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006319093A JP2006319093A (ja) 2006-11-24
JP4666473B2 true JP4666473B2 (ja) 2011-04-06

Family

ID=37389684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005139567A Active JP4666473B2 (ja) 2005-05-12 2005-05-12 基板熱処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7432476B2 (ja)
JP (1) JP4666473B2 (ja)
KR (1) KR100750630B1 (ja)
CN (1) CN100536074C (ja)
TW (1) TWI307926B (ja)

Families Citing this family (352)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4535499B2 (ja) * 2005-04-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
JP4666496B2 (ja) * 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JP4827569B2 (ja) 2006-03-23 2011-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板支持構造とこれを用いた熱処理装置と基板支持構造に用いられるシート状物と基板支持構造の製造方法
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US8209833B2 (en) * 2008-11-07 2012-07-03 Tokyo Electron Limited Thermal processing system and method of using
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8785821B2 (en) * 2009-07-06 2014-07-22 Sokudo Co., Ltd. Substrate processing apparatus with heater element held by vacuum
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR20120108229A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공용 워크 테이블
KR20120119781A (ko) * 2011-04-22 2012-10-31 삼성전자주식회사 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9099514B2 (en) * 2012-03-21 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer holder with tapered region
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9076834B2 (en) * 2012-09-28 2015-07-07 United Microelectronics Corp. Spacer for thermal plate in semiconductor processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9583363B2 (en) 2012-12-31 2017-02-28 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2014126896A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-21 Entegris, Inc. Vacuum chuck with polymeric embossments
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
CN104600000A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板周边吸附烘烤结构
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
JP6732429B2 (ja) * 2014-11-28 2020-07-29 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN107112267B (zh) 2015-01-12 2020-09-22 应用材料公司 用于基板背侧变色控制的支撑组件
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6436828B2 (ja) * 2015-03-26 2018-12-12 株式会社テックインテック 熱処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
KR102447723B1 (ko) * 2016-03-18 2022-09-27 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 열처리 장치
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
KR102308929B1 (ko) * 2016-04-08 2021-10-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 척 압력 제어 시스템
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP2018122380A (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 ブラザー工業株式会社 部品保持装置
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6978840B2 (ja) * 2017-02-28 2021-12-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板保持装置
JP6970515B2 (ja) * 2017-03-08 2021-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US9983118B1 (en) * 2017-06-03 2018-05-29 Himax Technologies Limited Wafer holding apparatus
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US12027407B2 (en) * 2017-07-19 2024-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate support apparatus and method
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11955362B2 (en) * 2017-09-13 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Substrate support for reduced damage substrate backside
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
JP7104531B2 (ja) * 2018-03-19 2022-07-21 キヤノン株式会社 基板保持装置および基板処理装置
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
JP7541005B2 (ja) 2018-12-03 2024-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャックとアーク放電に関する性能が改良された静電チャック設計
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
JP7493516B2 (ja) 2019-01-15 2024-05-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理チャンバ用ペデスタル
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP6535828B1 (ja) * 2019-02-08 2019-06-26 株式会社幸和 基板処理装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
JP7249814B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
JP7256034B2 (ja) * 2019-03-04 2023-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
CN112185844A (zh) * 2019-07-01 2021-01-05 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11177146B2 (en) 2019-10-31 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
TW202143380A (zh) * 2020-03-21 2021-11-16 美商應用材料股份有限公司 用於快速氣體交換的基座幾何形狀
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI786408B (zh) * 2020-05-28 2022-12-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓承載台及晶圓鑲埋結構的形成方法
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
JP7413164B2 (ja) * 2020-06-26 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理ユニット、基板処理装置、熱処理方法、及び記憶媒体
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0484410A (ja) * 1990-07-27 1992-03-17 Tokyo Electron Ltd レジスト処理装置
JPH06123924A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Nikon Corp 基板ホルダ
JPH06338450A (ja) * 1993-05-27 1994-12-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JPH0927541A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nikon Corp 基板ホルダ
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JPH11330212A (ja) * 1998-05-08 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板冷却装置および基板冷却方法
JP2000200824A (ja) * 1999-01-07 2000-07-18 Canon Inc 半導体製造装置
JP2001313246A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法及びデバイス
JP2002050557A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Tokyo Electron Ltd 判別方法及び処理装置
JP2002343852A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Canon Inc 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4949783A (en) * 1988-05-18 1990-08-21 Veeco Instruments, Inc. Substrate transport and cooling apparatus and method for same
JPH02290013A (ja) 1989-04-28 1990-11-29 Tokyo Electron Ltd 温度処理方法
US5096536A (en) * 1990-06-12 1992-03-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials
KR970048917A (ko) * 1995-12-15 1997-07-29 김주용 포토 마스크 제작방법
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
KR100212715B1 (ko) * 1996-10-08 1999-08-02 윤종용 베이크 챔버내의 웨이퍼 탑재장치
JP2000193376A (ja) 1998-12-24 2000-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP3356115B2 (ja) * 1999-05-20 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 レジスト硬化装置
JP2001093864A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Toshiba Corp 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法
KR100407364B1 (ko) * 2000-06-26 2003-12-01 유니셈 주식회사 반도체 웨이퍼 베이크 장치
JP2002134484A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
JP2002173250A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Nitto Denko Corp 吸着搬送方法および吸着加工方法
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
KR100396699B1 (ko) * 2001-01-10 2003-09-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조를 위한 리플로우 베이크 시스템
JP3515963B2 (ja) 2001-04-25 2004-04-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20030092791A (ko) * 2002-05-31 2003-12-06 삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사 기판고정장치
JP2004052098A (ja) 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ
KR20050040512A (ko) * 2003-10-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 베이크 장치

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0484410A (ja) * 1990-07-27 1992-03-17 Tokyo Electron Ltd レジスト処理装置
JPH06123924A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Nikon Corp 基板ホルダ
JPH06338450A (ja) * 1993-05-27 1994-12-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JPH0927541A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nikon Corp 基板ホルダ
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JPH11330212A (ja) * 1998-05-08 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板冷却装置および基板冷却方法
JP2000200824A (ja) * 1999-01-07 2000-07-18 Canon Inc 半導体製造装置
JP2001313246A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法及びデバイス
JP2002050557A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Tokyo Electron Ltd 判別方法及び処理装置
JP2002343852A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Canon Inc 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7432476B2 (en) 2008-10-07
TWI307926B (en) 2009-03-21
US20060289432A1 (en) 2006-12-28
TW200735219A (en) 2007-09-16
KR100750630B1 (ko) 2007-08-20
KR20060117249A (ko) 2006-11-16
JP2006319093A (ja) 2006-11-24
CN1862204A (zh) 2006-11-15
CN100536074C (zh) 2009-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4666473B2 (ja) 基板熱処理装置
JP4666496B2 (ja) 基板熱処理装置
KR100831446B1 (ko) 기판지지구조와, 이것을 사용한 열처리장치와,기판지지구조에 사용되는 제1시트형상물과, 기판지지구조의제조방법과, 열처리장치와, 기판흡착방법
JP2007158077A (ja) 基板熱処理装置
US8003919B2 (en) Substrate heat treatment apparatus
JP6711168B2 (ja) 基板載置装置及び基板載置方法
JP2007158074A (ja) 基板熱処理装置
JP2006339485A (ja) 基板熱処理装置
JP2007123790A (ja) 冷却プレート及びベーク装置並びに基板処理装置
US20200272055A1 (en) Substrate treating method and apparatus used therefor
TWI794585B (zh) 熱處理裝置及熱處理方法
KR102303631B1 (ko) 기판 처리 방법 및 그 장치
JP2008004580A (ja) 基板処理装置
US11387121B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating system including pin lift mechanism below cooling base and heat plate
JP2007080935A (ja) 基板熱処理装置
JP2007158075A (ja) 基板熱処理装置
US11495476B2 (en) Substrate treating apparatus
JP2885502B2 (ja) 熱処理装置
JP2007158076A (ja) 基板熱処理装置
JP2007258439A (ja) 熱処理プレート
JP6683579B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7025964B2 (ja) 熱処理装置
JP2023161719A (ja) 加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100511

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110106

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4666473

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250