TWI786408B - 晶圓承載台及晶圓鑲埋結構的形成方法 - Google Patents

晶圓承載台及晶圓鑲埋結構的形成方法 Download PDF

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Abstract

一種晶圓承載台適於承載裸晶圓。晶圓承載台包括底座以及環狀墊。底座具有基面。環狀墊位於底座的基面上，底座的基面與環狀墊的頂面之間具有間距。環狀墊的頂面與底座的基面構成晶圓承載面，且裸晶圓適於置於晶圓承載面上。一種晶圓鑲埋結構的形成方法亦被提出。

Description

晶圓承載台及晶圓鑲埋結構的形成方法
本發明是有關於一種晶圓承載台，且特別是有關於一種適於形成有蠟式晶圓鑲埋結構的晶圓承載台。
晶圓加工的流程可以包括長晶(crystal growth)、切片(slicing)、研磨(lapping)、蝕刻(etching)、拋光(polishing)及/或清洗(cleaning)等步驟。加工完成後的晶圓可被稱為裸晶圓(bare wafer)。之後，可以在裸晶圓的表面上進行對應的半導體製程，而形成晶片。
在進行晶圓的研磨或拋光步驟之前，可以會將蠟塗附在用於研磨或拋光的承載盤上。然後，將未被研磨或拋光的晶圓貼附至承載盤上的蠟。接著，可以對承載盤及/或晶圓施加適當的壓力，而使未被研磨或拋光的晶圓可以經由蠟而緊密地黏貼在承載盤上，以構成晶圓鑲埋結構。晶圓鑲埋結構可以包括承載盤、位於承載盤上的蠟以及鑲埋於蠟的晶圓。之後，再將前述的晶圓鑲埋結構移至研磨設備或拋光設備，以對晶圓進行研磨或拋光。
裸晶圓的平坦度會對半導體製程的良率或品質有一定的影響。因此，如何提升裸晶圓的晶圓整體的平坦度，實已成目前亟欲解決的課題。
本發明提供一種晶圓承載台，對使用其所製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓進行拋光，可以提升晶圓整體的平坦度。
本發明的晶圓承載台適於承載裸晶圓。晶圓承載台包括底座以及環狀墊。底座具有基面。環狀墊位於底座的基面上。底座的基面與環狀墊的頂面之間具有間距。環狀墊的頂面與底座的基面構成晶圓承載面，且裸晶圓適於置於晶圓承載面上。
本發明的晶圓鑲埋結構的形成方法包括以下步驟：將晶圓、蠟以及承載盤置於前述的晶圓承載台的晶圓承載面上，其中蠟位於晶圓及承載盤之間；以及對晶圓承載台上的晶圓或承載盤施力，以形成晶圓鑲埋結構。
基於上述，再對使用本發明的晶圓承載台所製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓進行拋光，可以提升晶圓整體的平坦度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300、400、500、600:晶圓承載台
110、210、310、410:底座
111:外緣
112、212、312、412:基面
112R:基面直徑
313、413:凹陷
120、220、320、420、520:環狀墊
121:外緣
122、522a、522b:頂面
123:內緣
120W:墊寬度
120H:墊高度
324、424:凸起
520a:第一環
520b:第二環
130:晶圓承載面
640:定位柱
643:頂斜面
750:承載盤
752:承載面
760、760’:蠟
780:安裝罩
770:晶圓黏片
90、90’:裸晶圓
91:定位座
800:晶圓鑲埋結構
S1、S2、S3:剖面
圖1A是依照本發明的第一實施例的一種晶圓承載台的立體示意圖。
圖1B是依照本發明的第一實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。
圖3A是依照本發明的第三實施例的一種晶圓承載台的爆炸示意圖。
圖3B是依照本發明的第三實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。
圖4A是依照本發明的第四實施例的一種晶圓承載台的爆炸示意圖。
圖4B是依照本發明的第四實施例的一種晶圓承載台的立體示意圖。
圖5是依照本發明的第五實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。
圖6是依照本發明的第六實施例的一種晶圓承載台的立體示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種形成裸晶圓鑲埋結構的部分方法的部分立體示意圖。
圖8A至圖8B是依照本發明的一實施例的一種形成裸晶圓鑲埋結構的部分方法的部分側視示意圖。
圖9為比較例的與測試例1之間的比較圖。
圖10為不同測試例之間的比較圖。
圖11為不同測試例之間的比較圖。
在以下詳細描述中，為了說明而非限制，闡述揭示特定細節之示例性實施例以提供對本發明之各種原理之透徹理解。然而，本領域一般技術者將顯而易見的是，得益於本揭示案，可在脫離本文所揭示特定細節的其他實施例中實踐本發明。此外，可省略對熟知裝置、方法及材料之描述以免模糊對本發明之各種原理之描述。最後，在適用時，相同元件符號指示相同元件。
關於文中所使用「基本上」、「大致上」、「約」等等用語，可以是包含可接受的公差範圍(tolerance range)。
關於文中所使用之方向術語(例如：上、下、右、左、前、後、頂部、底部)僅參看所繪圖式使用且不意欲暗示絕對定向。
圖1A是依照本發明的第一實施例的一種晶圓承載台的立體示意圖。圖1B是依照本發明的第一實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。具體而言，圖1B可以是圖1A中，位於剖面S1位置上的剖視示意圖。
請參照圖1A及圖1B，晶圓承載台100包括底座(mounting base)110以及環狀墊120。底座110具有基面112。環狀墊120 位於底座110的基面112上。底座110的基面112(或；自其向外延伸的虛擬平面)與環狀墊120的頂面122(或；自其向外延伸的虛擬平面)之間具有間距。環狀墊120的頂面122與底座110的基面112構成晶圓承載面130。
在一實施例中，一片裸晶圓(bare wafer)(如：相同或相似於圖7中所繪示的裸晶圓90)可以適於置於晶圓承載面130上。
裸晶圓為無法再藉由機械方法(如：破碎、剪、切、鋸、磨等方式)將元件拆離成不同的單一材料的均質材料。換句話說，裸晶圓的正面上及背面上，基本上皆不具有任何的膜層(如：矽膜層、氧化矽膜層、氮化矽膜層、金屬膜層、光阻層或其他半導體製程中可能會使用到的膜層(film layer))或局部摻雜(如：P型局部摻雜、N型局部摻雜或其他類似的局部摻雜(local implantation)區)。在一實施例中，裸晶圓可以是矽晶圓，但本發明不限於此。在一實施例中，裸晶圓的周緣可以具有缺口(notch)或平邊(flat)。在後續的製程(不以本發明為限)中，缺口或平邊可以被用於較容易地對齊晶圓的晶向。
在本實施例中，底座110的基面112基本上為圓形，且基面112具有基面直徑112R。
在一實施例中，基面112的基面直徑112R基本上略大於其承載的裸晶圓的直徑。以俗稱的8吋晶圓為例，在適於承載8吋裸晶圓的晶圓承載台(如：晶圓承載台100)中，基面(如：基面112)的基面直徑(如：基面直徑112R)約為200公釐(或約為 8吋)。一般而言，基面112的基面直徑112R基本上略大於欲進行拋光的晶圓的直徑。
環狀墊120具有內緣123及外緣121，而墊寬度120W基本上為內緣123與外緣121之間的最短距離。
在本實施例中，內緣123的輪廓基本上為圓形，外緣121的輪廓基本上為圓形，且內緣123與外緣121基本上平行。
在本實施例中，環狀墊120的外緣121基本上切齊底座110的外緣111。也就是說，基面112的基面直徑112R基本上可以視為晶圓承載面130的承載面直徑。
在本實施例中，墊寬度120W與基面直徑112R的比值介於0.5%至3.0%。以適於承載8吋裸晶圓的晶圓承載台(如：晶圓承載台100)為例，環狀墊(如：環狀墊120)的墊寬度(如：墊寬度120W)大致上為1公釐(millimeter；mm)至6公釐。
在一較佳的實施例中，墊寬度120W與基面直徑112R的比值介於0.5%至2.5%。以適於承載8吋裸晶圓的晶圓承載台(如：晶圓承載台100)為例，環狀墊(如：環狀墊120)的墊寬度(如：墊寬度120W)大致上為1公釐至5公釐。
環狀墊120具有頂面122，頂面122位於內緣123與外緣121之間，而墊高度120H基本上為環狀墊120的頂面122與底座110的基面112之間(或從基面112延伸出之虛擬面)的最長距離。
在本實施例中，墊高度120H與基面直徑112R的比值小於或等於0.7%，且大於0%。以適於承載8吋裸晶圓的晶圓承載 台(如：晶圓承載台100)為例，環狀墊(如：環狀墊120)的墊高度(如：墊高度120H)大致上小於或等於1.4公釐，且大於0公釐。
在一較佳的實施例中，墊高度120H與基面直徑112R的比值小於或等於0.5%，且大於0.025%。以適於承載8吋裸晶圓的晶圓承載台(如：晶圓承載台100)為例，環狀墊(如：環狀墊120)的墊高度(如：墊高度120H)大致上小於或等於1.0公釐，且大於0.05公釐。
在本實施例中，底座110的基面112基本上為一平整面。換句話說，若將裸晶圓置於晶圓承載面130上，而使裸晶圓與環狀墊120的頂面122與底座110的基面112部分接觸(包含直接接觸或間接接觸)時，裸晶圓的內側可以略呈現凹陷的狀態。如此一來，再對裸晶圓進行晶圓拋光(wafer polish)時，可以提升晶圓整體的平坦度。
在本實施例中，底座110與環狀墊120可以是不同的構件，但本發明不限於此。換句話說，底座110與環狀墊120可以具有一介面。
另外，本發明對於底座110的材質與環狀墊120的材質並不加以限制。舉例而言，環狀墊120可以是金屬環片、塑膠環片、陶瓷環片或其他適宜的環片。較佳地，環狀墊120可以由抗酸鹼的材質(如：抗酸鹼的合金)所製成。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種晶圓承載台的部 分剖視示意圖。本實施例的晶圓承載台200與第一實施例的晶圓承載台100相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或相對關係，並省略描述。
本實施例的晶圓承載台200與第一實施例的晶圓承載台100的外觀相似。舉例而言，本實施例的晶圓承載台200的外觀可以相同或相似於圖1中所繪示的晶圓承載台100。另外，圖2可以是類似於圖1A中，位於剖面S1位置上的晶圓承載台的剖視示意圖。
在本實施例中，底座210及環狀墊220為同一體。換句話說，底座210與環狀墊220之間不具有介面。
另外，若以底座210的基面212及其所延伸出之虛擬面來畫分。舉例而言，基面212及其所延伸出之虛擬面的下方可以視為底座210，且基面212及其所延伸出之虛擬面的上方可以視為環狀墊220。也就是說，環狀墊220可以視為位於底座210的基面212所延伸出之虛擬面的上，且墊高度120H基本上為環狀墊220的頂面122與底座210的基面212所延伸出之虛擬面的最長距離。
圖3A是依照本發明的第三實施例的一種晶圓承載台的爆炸示意圖。圖3B是依照本發明的第三實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。本實施例的晶圓承載台300與第一實施例的晶圓承載台100相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或相對關係，並省略描述。
本實施例的晶圓承載台300與第一實施例的晶圓承載台 100於組裝後的外觀相似。舉例而言，本實施例的晶圓承載台300的外觀可以相同或相似於圖1中所繪示的晶圓承載台100。也就是說，將圖3A中所繪示的底座310及環狀墊320組裝後的晶圓承載台300，其外觀可以相同或相似於圖1中所繪示的晶圓承載台100。另外，圖3B可以是類似於圖1A中，位於剖面S1位置上的晶圓承載台的剖視示意圖。
在本實施例中，底座310具有環狀凹陷313，環狀墊320具有環狀凸起324。在組裝後的晶圓承載台300中，環狀凸起324可以嵌入於凹陷313內。如此一來，可以使環狀墊320被固定於底座310的基面312上。
圖4A是依照本發明的第四實施例的一種晶圓承載台的爆炸示意圖。圖4B是依照本發明的第四實施例的一種晶圓承載台的立體示意圖。本實施例的晶圓承載台400與第一實施例的晶圓承載台100或第三實施例的晶圓承載台300相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或相對關係，並省略描述。
將圖4A中所繪示的底座410及環狀墊420組裝後的晶圓承載台400，其外觀可以如圖4B中所繪示。也就是說，本實施例的晶圓承載台400與第一實施例的晶圓承載台100或第三實施例的晶圓承載台300於組裝後的外觀相似。另外，於圖4B中，位於剖面S2位置(即，位於環狀墊420的凸起424及底座410的凹陷413的位置)上的晶圓承載台400的剖視示意圖可以相同或相似於 圖3B所示，位於剖面S3位置(即，遠離環狀墊420的凸起424及底座410的凹陷413的位置)上的晶圓承載台400的剖視示意圖可以相同或相似於圖1B所示。
在本實施例中，底座410具有多個凹陷413，環狀墊420具有多個凸起424，底座410的凹陷413的個數大於或等於環狀墊420的凸起424的個數。在組裝後的晶圓承載台400中，環狀墊420的凸起424可以嵌入對應的底座410的凹陷413內。如此一來，可以使環狀墊420被固定於底座410的基面412上，且可以進一步地降低環狀墊420在底座410的基面412上旋轉的可能。
在本實施例中，底座410的凹陷413的個數等於環狀墊420的凸起424的個數，但本發明不限於此。在一未繪示的實施例中，底座410的凹陷413的個數可以大於環狀墊420的凸起424的個數。
另外，本發明對於底座410的凹陷413的輪廓與環狀墊420的凸起424的外型並不加以限制，只要可使環狀墊420的凸起424可以嵌入對應的底座410的凹陷413內即可。
在一實施例中，多個凹陷413或多個凸起424可以是以非對稱的方式配置。如此一來，在多次地將環狀墊420及底座410彼此拆卸或組裝的過程中，可使環狀墊420的方位(orientation)一致。
圖5是依照本發明的第五實施例的一種晶圓承載台的部分剖視示意圖。本實施例的晶圓承載台500與第一實施例的晶圓 承載台100、第三實施例的晶圓承載台300或第四實施例的晶圓承載台400相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或相對關係，並省略描述。
本實施例的晶圓承載台500與第一實施例的晶圓承載台100於組裝後的外觀相似。舉例而言，本實施例的晶圓承載台500的外觀可以相同或相似於圖1中所繪示的晶圓承載台100或是圖4B中所繪示的晶圓承載台400。另外，圖5可以是類似於圖3B中的晶圓承載台的剖視示意圖；或是圖5可以是類似於圖4B中，位於剖面S2位置上的晶圓承載台的剖視示意圖。
在本實施例中，環狀墊520包括第一環520a以及第二環520b。第一環520a位於底座310的基面312上。第二環520b位於第一環520a上。第二環520b至少覆蓋所述第一環520a的頂面522a。
在本實施例中，環狀墊520是由兩個環(即，第一環520a及第二環520b)所構成。也就是說，第二環520b的頂面522b基本上即為環狀墊520的頂面。
在一實施例中，環狀墊可以是由多個環所構成(如：兩個以上的環)。也就是說，最上層的環的頂面基本上即為環狀墊的頂面。
藉由多個環(如：第一環520a及第二環520b)，可以使環狀墊520在墊高度120H的調整上較具有彈性。
圖6是依照本發明的第六實施例的一種晶圓承載台的立 體示意圖。本實施例的晶圓承載台600與第一實施例的晶圓承載台100相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或相對關係，並省略描述。
在本實施例中，晶圓承載台600更包括定位柱640。定位柱640位於基面112的外側。定位柱640具有頂斜面643，且頂斜面643基本上至少朝向底座110。也就是說，定位柱640的頂端可以呈類似錐狀。如此一來，可以較容易地將裸晶圓置於晶圓承載面130上，且可以使裸晶圓(如：相同或相似於圖7中所繪示的裸晶圓90)大致上位於晶圓承載面130的範圍內。
值得注意的是，在本實施例中，晶圓承載台600中的底座110與環狀墊120可以是相同或相似於第一實施例的晶圓承載台100中的底座110與環狀墊120，但本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，具有定位柱640的晶圓承載台中的的底座與環狀墊可以是相同或相似於其他實施例的晶圓承載台中的底座與環狀墊。
圖7是依照本發明的一實施例的一種形成裸晶圓鑲埋結構的部分方法的部分立體示意圖。圖8A至圖8B是依照本發明的一實施例的一種形成裸晶圓鑲埋結構的方法立體示意圖。值得注意的是，在圖7及圖8A至圖8B所繪示的實施例中，是是示例性地使用第一實施例的晶圓承載台100作為晶圓承載台，但本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，可以是使用其他相同或相似於晶圓承載台100的晶圓承載台(如：相同或相似於晶圓承載 台100、晶圓承載台200、晶圓承載台300、晶圓承載台400、晶圓承載台500、晶圓承載台600或上述之結合的晶圓承載台)。
請參照圖7，可以將裸晶圓90置於晶圓承載台100的底座110上。然後，使晶圓90貼附至承載盤750上的蠟760。在一實施例中，可以先將蠟760塗附在承載盤750的承載面752上，然後使塗附於承載盤750上的蠟760接觸底座110上的裸晶圓90，但本發明不限於此。在另一可能的實施例中，可以將蠟760塗附於裸晶圓90上，然後使承載盤750的承載面752與塗附於裸晶圓90上的蠟760接觸。
在本實施例中，晶圓承載台100可以更包括定位座91，底座110可以被定位座91所固定，但本發明不限於此。
請參照圖7及圖8A，在本實施例中，可以在底座110的晶圓承載面130上配置晶圓黏片(wafer mount pad)770。晶圓黏片770可以使裸晶圓90較容易地被固定在晶圓承載面130上。
請參照圖8A至圖8B，在將裸晶圓90與承載盤750上的蠟760接觸之後，可以藉由安裝罩(mount lid)780對承載盤750施加適當的壓力，而使裸晶圓90可以經由蠟760而緊密地黏貼在承載盤750上，以構成如圖8B中所示的晶圓鑲埋結構800。另外，基於類似於作用力與反作用力原理，對承載盤750施加壓力可以相當於對承載盤750的裸晶圓90施加壓力。如圖8B所示，晶圓鑲埋結構800可以包括承載盤750、位於承載盤750上的蠟760’以及鑲埋於蠟760’的裸晶圓90’。之後，可以藉由相同或相似於常 用的研磨方式或拋光方式對如圖8B中所示的晶圓鑲埋結構800進行研磨或拋光，故於此對於研磨方式或拋光方式的細節不加以贅述。
在本實施例中，由於晶圓承載台100包括環狀墊120。因此，在藉由安裝罩780對承載盤750施加適當的壓力時，用於鑲埋裸晶圓90的蠟760及裸晶圓90之間的受力可以因為晶圓承載台100的環狀墊120而被改變。如此一來，在將裸晶圓90鑲埋於蠟760之後，可以降低或更進一步地解決蠟760的邊緣與中央之間因受力而分布不均的問題。
[比較例與測試例]
為了證明使用本發明的晶圓承載台(如：相同或相似於晶圓承載台100、晶圓承載台200、晶圓承載台300、晶圓承載台400、晶圓承載台500或晶圓承載台600的晶圓承載台)所製作的晶圓鑲埋結構(如：相同或相似於圖8B中所繪示的晶圓鑲埋結構800)進行拋光，可以提升晶圓整體的平坦度，特別以比較例與測試例作為說明。然而，這些測試例在任何意義上均不解釋為限制本發明之範疇。
一般而言，晶圓整體的平坦度可以由局部晶圓表面平坦值(Site Total Indicator Reading；STIR)來描述。就數值的描述上，局部晶圓表面平坦值越小則晶圓的平坦度越好。
如圖9至圖11所示，比較例與各測試例的統計數據以一般統計上常用的箱線圖(box plot)來表示。箱形圖可用於顯示出 一組數據中的最大值、最小值、中位數、及上下四分位數。另外，於圖9至圖11中，縱座標表示了比較例與測試例1-8之間的相對局部晶圓表面平坦值。
[比較例與測試例1]
圖9為比較例與測試例1之間的的比較圖。具體而言，圖9為「對藉由比較例的晶圓承載台所製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓」與「對藉由測試例的晶圓承載台所製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓」進行拋光後的比較圖。
測試例1為使用相同或相似於第一實施例至第六實施例的晶圓承載台100、200、300、400、500、600製作的晶圓鑲埋結構。簡單來說，測試例1所使用的晶圓承載台包括位於底座的基面上的環狀墊。
比較例所使用的晶圓承載台不同但類似於測試例1的晶圓承載台，差別在於：比較例所使用的晶圓承載台的底座的基面上不具有環狀墊。
如圖9所示，相較於比較例的晶圓承載台，藉由測試例1的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構之後，再對前述的晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後，晶圓整體的平坦度較佳。
[測試例2至測試例5]
圖10為不同測試例之間的比較圖。具體而言，圖10為使用測試例2、測試例3、測試例4及測試例5(後稱：測試例2至測試例5)的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構之後，再對前述的 晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後的比較圖。
測試例2至測試例5所使用的晶圓承載台可以相同或相似於前述實施例的晶圓承載台。也就是說，至測試例2至測試例5所使用的晶圓承載台可以包括相同或相似於第一實施例至第六實施例的晶圓承載台100、200、300、400、500、600，差別在於：在測試例2至測試例5所使用的晶圓承載台中，環狀墊的墊寬度彼此不同。
詳細而言，在測試例2至測試例5中，為針對8吋裸晶圓形成晶圓鑲埋結構後，對再對前述的晶圓鑲埋結構的裸晶圓進行晶圓拋光測試。並且，在測試例2至測試例5所使用的晶圓承載台中，底座的基面的基面直徑約為200公釐，且環狀墊的墊高度約為1.2公釐。另外，針對各測試例的環狀墊的墊寬度，測試例2的墊寬度約為3公釐，測試例3的墊寬度約為4公釐，測試例4的墊寬度約為5公釐，測試例5的墊寬度約為6公釐。換句話說，針對各測試例的墊寬度與基面直徑的比值，測試例2約為1.5%，測試例3約為2.0%，測試例4約為2.5%，測試例5約為3%。
如圖9及圖10所示，相較於比較例的晶圓承載台，藉由測試例2至測試例5的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構之後，再對前述的晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後，晶圓整體的平坦度較佳。
如圖10所示，在藉由測試例2至測試例5的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後，若針對局部晶圓表面平坦值的最大值進行比較，則測試例2、測試例3及測試例4優於測試 例5。
[測試例6至測試例8]
圖11為不同測試例之間的比較圖。具體而言，圖11為測試例6、測試例7及測試例8(後稱：測試例6至測試例8)的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構之後，再對前述的晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後的比較圖。
測試例6至測試例8所使用的晶圓承載台可以相同或相似於前述實施例的晶圓承載台。也就是說，至測試例6至測試例8所使用的晶圓承載台可以包括相同或相似於第一實施例至第六實施例的晶圓承載台100、200、300、400、500、600，差別在於：在測試例6至測試例8所使用的晶圓承載台中，環狀墊的墊高度彼此不同。
詳細而言，在測試例6至測試例8中，為針對8吋裸晶圓形成晶圓鑲埋結構後，對再對前述的晶圓鑲埋結構的裸晶圓進行晶圓拋光測試。並且，在測試例6至測試例8所使用的晶圓承載台中，底座的基面的基面直徑約為200公釐，且環狀墊的墊寬度約為3公釐。另外，針對各測試例的環狀墊的墊高度，測試例6的墊高度約為0.65公釐，測試例7的墊高度約為1.2公釐，測試例8的墊高度約為1.4公釐。換句話說，針對各測試例的墊高度與基面直徑的比值，測試例6約為0.325%，測試例7約為0.6%，測試例8約為0.7%。
如圖9及圖11所示，相較於比較例的晶圓承載台，藉由 測試例6至測試例8的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構之後，再對前述的晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後，晶圓整體的平坦度較佳。
如圖11所示，在藉由測試例6至測試例8的晶圓承載台製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓拋光後，若針對局部晶圓表面平坦值的最大值進行比較，則測試例6優於測試例7，且測試例7優於測試例8。
綜上所述，再對使用本發明的晶圓承載台所製作的晶圓鑲埋結構的裸晶圓進行拋光，可以提升晶圓整體的平坦度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:晶圓承載台
110:底座
112:基面
112R:基面直徑
120:環狀墊
S1:剖面

Claims (10)

  1. 一種晶圓承載台，適於承載裸晶圓，所述晶圓承載台包括：底座，具有基面；以及環狀墊，僅位於所述底座的對應所述裸晶圓的外圍的所述基面上，所述底座的所述基面與所述環狀墊的頂面之間具有間距，其中所述環狀墊的所述頂面與所述底座的所述基面構成晶圓承載面，且所述裸晶圓適於置於所述晶圓承載面上，並將蠟置於所述裸晶圓上，其中所述基面中未具有所述環狀墊位於其上的其餘部分所述基面為平整面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓承載台，其中：所述基面為圓形，且所述基面具有基面直徑；所述環狀墊具有墊寬度；且所述墊寬度與所述基面直徑的比值介於0.5%至3%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓承載台，其中：所述基面為圓形，且所述基面具有基面直徑；所述環狀墊具有墊高度；且所述墊高度與所述基面直徑的比值小於或等於0.7%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓承載台，其中：所述底座具有至少一凹陷；所述環狀墊具有至少一凸起；且所述凸起嵌入於所述凹陷內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓承載台，其中：所述至少一凹陷為環狀凹陷；所述至少一凸起為環狀凸起。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓承載台，其中：所述至少一凹陷為多個凹陷；所述至少一凸起為多個凸起；且所述多個凹陷的個數大於或等於所述多個凸起的個數。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓承載台，其中所述環狀墊包括：第一環，位於所述底座的所述基面上；以及第二環，位於所述第一環上，且至少覆蓋所述第一環的頂面。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓承載台，其中所述底座及所述環狀墊為同一體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓承載台，更包括：定位柱，位於所述基面的外側，所述定位柱具有頂斜面，且所述頂斜面至少朝向所述底座。
  10. 一種晶圓鑲埋結構的形成方法，包括：將晶圓、蠟以及承載盤置於如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的晶圓承載台的所述晶圓承載面上，其中所述蠟位於所述晶圓及所述承載盤之間；以及對所述晶圓承載台上的所述晶圓或所述承載盤施力，以形成晶圓鑲埋結構。
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