JP2003158173A

JP2003158173A - ウェハホルダ

Info

Publication number: JP2003158173A
Application number: JP2001354767A
Authority: JP
Inventors: Kouji Komatsu; 功侍小松
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd; Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd; Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Priority date: 2001-11-20
Filing date: 2001-11-20
Publication date: 2003-05-30
Also published as: US6844921B2; US20030095244A1

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェハへの塵埃等の異物の付着を抑制するよう
にしたウェハホルダを提供することにある。【解決手段】円板状の基板部１２の一側円板面にウェハ
支持部１３を設けてなるウェハホルダ２０において、前
記ウェハ支持部１３をウェハ１０の最外周を支持可能な
必要最小限度の幅としたこと。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おける縮小投影露光装置（以下ステッパ）等に使用する
ウェハホルダに関する。

【０００２】

【従来技術】従来、ホトリソグラフィ工程においてはウ
ェハに塗布されたレジスト層に所望するパターンを形成
するために、ステッパ、スキャナ等の露光装置が用いら
れている。

【０００３】ステッパにおいては、ガラスマスクに描画
されている回路パターンが、投影され、ＸＹステージ上
に設けられたウェハホルダ上に位置決めされるホトレジ
スト塗布済のウェハに露光される。この露光処理の際、
１ショットで露光できる範囲にはガラスマスクの大きさ
と投影倍率により限度がある為、レジスト層を含めたウ
ェハ表面の高さが常に一定となるように、焦点位置合わ
せをしながら露光と移動を繰り返し、ウェハ全体にパタ
ーンを形成している。

【０００４】最近の集積回路製造用の縮小投影型露光装
置等の露光装置においては、露光用の投影光学系によ
り、投影像面に対する感光基板の局所的な傾きを補正す
るレベリング機構を備えた露光装置がある。

【０００５】一般に、レチクル上のパターンをウェハ上
に縮小して転写する集積回路製造用の縮小投影型露光装
置には大きな開口数を有する投影レンズが用いられてい
るため、焦点深度が非常に浅い。このため、ウェハの露
光領域を投影レンズの光軸に対して正確に垂直、即ちウ
ェハ面と投影像面とを厳密に平行に維持すると共に、オ
ートフォーカス機構によりそのウェハの光軸方向への位
置決めを行う必要がある。しかしながら、ウェハの平面
度は必ずしも良好ではないため、各露光ショット毎にそ
れぞれの露光対象面が投影レンズの光軸に垂直になるよ
うに、局所的な面の傾きの補正を行うためのレベリング
機構が設けられている（例えば特開昭５８−１１３７０
６号公報参照）。

【０００６】従来のレベリング機構においては、例えば
ウェハ上の矩形の被露光パターン領域に内接するような
円形の感光性の弱い光束がそのウェハ上に斜めに照射さ
れ、その光束の反射光が集束レンズで集光されて、４分
割された受光素子等よりなる検出器上に導かれる。そし
て、この検出器上での集光光の重心位置により現在の露
光対象面の傾きが計測され、この傾きが所定の許容誤差
内で予め設定された値になるように、面の傾きの補正が
行われる。面の傾きの補正は、例えばウェハを３点でレ
ベリングステージ上に支持し、その３点の内の２点の高
さを調整することにより行われる。その後、必要に応じ
てオートフォーカス機構によりウェハの投影レンズの光
軸方向への位置決めが行われる。

【０００７】そして、従来のレベリング機構において
は、一般にウェハ内の露光ショット位置に関係なく一律
に露光対象面の傾きの実測値を所定の値に戻すように傾
きの調整が行われている。また、ウェハの周辺部は一般
にだれて平面度が悪くなっていることが多いので、その
周辺部に計測禁止領域を設定し、この領域中の露光対象
面については傾きの実測値を使用することなく、傾きが
例えば予め定められた値であるものとみなして調整を行
う方法も使用されている。

【０００８】このように、レベリング機構は、ウェハ露
光面が平坦でなくても、レベリングステージを調節して
ウェハ露光面を平坦になるように調節する。この結果、
ウェハ面が多少撓んでいても、前記のようにレベリング
を行って、ウェハの露光面を露光するのに問題が生じな
い程度に平坦に調節できることになる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記レベリン
グ調整によっても平坦性を確保できない事態が発生す
る。例えば、ウェハの周辺部に塗布されたレジストに起
因する異物の発生である。前記異物がウェハとウェハホ
ルダの間に混入すると、ウェハの表面が異物により局所
的に膨出するので焦点が合わず露光結果に滲み等が発生
する。このため、異物の挟み込みを阻止することができ
るウェハホルダが要求されている。

【００１０】そこで次に、ウェハホルダについて検討す
る。

【００１１】上記露光装置であるステッパに使用する従
来のウェハホルダの模式図を図６、図７に示す。

【００１２】図６は従来型の角溝タイプのウェハホルダ
を示す図である。図６（ａ）は平面図であり、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、説明の都
合上、ウェハを載置した状態に記載してある。

【００１３】この従来型の角溝タイプのウェハホルダ４
０は、円板状の基板部４７に、所定間隔で十字状にウェ
ハを吸着固定するための吸着口４１を穿孔し、異なる半
径で同心円状に形成されたウェハ支持部４２〜４６を形
成し、基板部４７の外側にウェハの横方向のズレを阻止
するガイド４８を設けてなる。

【００１４】ウェハの吸着時における変形を小さく抑え
るために、ウェハ支持部４２〜４６のピッチを小さくし
て、密に配列した同心円タイプのウェハホルダ４０は、
ウェハ支持部４２〜４６の面積がかなり広くなることか
ら、塵埃等の異物を挟み込む致命的な欠点を持ってい
た。また、塵挨等の有無にかかわらず、ウェハホルダ４
０の載直面は、ウェハを焦平面に合致させる必要がある
ため、極めて高精度の平坦度が要求されていた。ところ
が、上記のウェハ支持部４２〜４６の全てを、高精度の
平坦度を有する程度に仕上げるには、多くの時間とコス
トがかかっていた。

【００１５】この他に次のような例がある。

【００１６】図７は、従来型のピンタイプのウェハホル
ダを示す図である。図７（ａ）は平面図であり、図７
（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、説明の都
合上、ウェハを載置した状態に記載してある。

【００１７】ウェハホルダ４０は、円板状の基板部４７
に、所定間隔で十文字状にウェハを吸着固定するための
吸着口４１を穿孔し、異なる半径で同心円状に形成され
たウェハ支持部４２および５０を形成し、ウェハ支持部
５０内に、接触面積を減少させるためにウェハ１０を点
支持するピン部４９を形成し、前記基板部４７と支持部
４２に接するようにガイド４８を設けてなる。

【００１８】ピン部４９は錐状のピン状凸部を単位とし
これを全面的に整列配置したものである。

【００１９】このピンタイプの場合も、ウェハ支持部４
２および５０並びにピン部４９の実質的な面積がかなり
広くなるので、塵埃等の異物を挟み込む致命的な欠点を
持っていた。

【００２０】ところで、半導体製造工程の中でも基板上
に微細なパターンを露光転写するホトリソグラフィ工程
では素子の微細化に伴って焦点深度が減少してきてお
り、その実用深度は１μｍ以下の世代に突入しつつあ
る。素子製造のプロセスマージンを考慮すると、ウェハ
ホルダ上で平面矯正されるウェハは少なくとも焦点深度
の１／５〜１／１０程度の平面度に平坦化する必要があ
る。特に重要となるウェハホルダの機能は、プロセスを
経て反りの発生したウェハであっても、ウェハ外周周辺
まで全面にわたって平面矯正することである。現状は、
ベアウェハで１００μｍ、薄膜を形成した処理ウェハに
おいては２００μｍを超える反りをもつものも存在す
る。ウェハホルダの反りウェハに対する平面矯正は、反
り上がったウェハの上面から押し付ける大気圧力の作用
によって達成する。特に外周部に反りの発生しやすいプ
ロセスウェハの場合、ウェハホルダ外周部の真空度を確
保することが重要となる。従来のウェハホルダでは、こ
の外周部における矯正能力が十分でない。

【００２１】一方、露光すべき１５×１５ｍｍ角内の領
域は、前面において±１μｍの焦点深度しかないため、
基板上の露光すべき一つの領域の全面は、投影レンズの
最良結像面と正確に一致させる必要がある。ところが、
ウェハやガラスプレートの表面には、局所的に数μｍ程
度、全面では数十μｍ程度の反りや凹凸が存在するた
め、そのままでは良好な解像特性でパターンを露出する
ことは困難である。

【００２２】そこで、ウェハホルダによってウェハを平
坦化するように矯正する。ウェハホルダは、ウェハより
も十分に厚い金属、またはセラミック材で円板状に形成
されており、載直面の形状はウェハの直径よりも若干小
さい径の円形とされている。

【００２３】また、従来の基板吸着保持装置の場合、リ
フトピン用の貫通穴は真空空間とはならないため、貫通
穴上のウェハ部分には吸着による平面矯正力が作用しな
い。その結果、貫通穴上のウェハ部分の平坦度は、その
周辺の真空吸着された周辺部の平坦度の影響を直接受け
ることになる。経験的には、このような貫通穴部分にお
いては、吸着されたウェハが局所的に盛り上がる傾向を
有することが知られている。また、ウェハ周辺部におい
てもはね上がりが発生する。この局所的な盛り上がり
は、所望の平坦度を達成するのを妨げるばかりか、その
部分のウェハを平面方向に対しても歪ませ、転写露光さ
れる像の歪みを助長する要因にもなっている。

【００２４】これらの盛り上がりやはね上がりの原因
は、真空吸着時にウェハホルダの凸部が受ける圧縮力に
よる凸部のたわみに起因する。特に、近接する凸部と縁
堤部とのたわみ量に差が生じると、ウェハを局所的に歪
ませて盛り上がりやはね上がりを引き起こす。

【００２５】近年、ウエハホルダとウェハとの間の異物
はさみ込みの確率的要因を低減させるため、ウェハホル
ダとウェハの接触面積を微小化していく傾向があり、個
々の凸部は細る方向にある。その一方、これまでウェハ
ホルダを半導体製造装置に用いた場合、基板の吸着完了
までの時間を１／１００秒オーダーで短縮を図る必要が
あった。それには真空吸着時に十分な排気速度を確保し
排気抵抗の低減のため、ウェハとウェハホルダ凹部との
ギャップ、すなわち凸部の高さを大きくとる必要があっ
た。このことは、凸部の縦横比を大きくし、圧縮力によ
るたわみを大きくすることになってしまい、結果として
ウェハの局所的な歪みは、ますます顕著となることにな
る。

【００２６】従来の真空吸着装置の真空吸着器にあって
は、真空排気によって試料を真空吸着部の突子とランド
部の上面に吸着することにより、試料の反りや変形を矯
正し平面にすることができる。また、突子により真空吸
着器と試料との接触面積をきわめて小さくすることがで
きるので、ダスト等による平面度の低下は殆ど生じな
い。しかし、この場合、単に突子のみで試料を支承する
構造にすると、真空吸着部が外部と連通して試料を吸着
するのに十分な真空度が得られず、また外部の空気や加
工液を吸い込んでしまい、試料や真空吸着器を汚染す
る。そこで、従来は真空吸着部を真空封止するためにラ
ンド部を設けている。真空封止を十分に行うためにはラ
ンド部の幅を広くすることが必要となるが、幅が広くな
ればなるほど、ランド部上に塵埃等が付着する確率が高
くなり、試料の外周部を高精度な平面に矯正できないと
いう問題があった。

【００２７】以上述べた従来型ウェハホルダの場合、ウ
ェハホルダのウェハ接触部分に塵埃等の異物が付着した
場合、又はウェハ自体の裏面にウェハ厚みを局部的に変
えてしまうようなデポジット膜が付着した場合等は、レ
ジスト膜面はその分だけ平坦面から突出するので、焦点
の基準は平坦面なので、局部的に投影像の焦点が合わ
ず、デフォーカス（ぼけた）したレジストパターンが形
成されるという問題があった。

【００２８】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ウェ
ハへの塵埃等の異物の影響を抑制するようにしたウェハ
ホルダを提供することにある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために以下の解決手段を採用する。（１）円板状の基板部の一側円板面にウェハ支持部を設
けてなるウェハホルダにおいて、前記ウェハ支持部をウ
ェハの最外周を支持可能な必要最小限度の幅としたこと
を特徴とする。（２）上記（１）記載のウェハホルダにおいて、前記ウ
ェハ支持部を、ホルダ上の異物又はウェハ裏面の異物の
影響でウェハ表面の高さが不均一とならないようにウェ
ハのレジストパターンを形成する領域以外の位置に設け
ることを特徴とする。（３）上記（１）または（２）記載のウェハホルダにお
いて、前記ウェハ支持部を円弧形状とし、前記外周に沿
って所定間隔で離間して設けることを特徴とする。（４）上記（１）ないし（３）のうちのいずれか１項記
載のウェハホルダにおいて、ウェハとウェハホルダの基
板部との間にウェハ基板部を貫通して減圧用の吸着口を
設けることを特徴とする。（５）上記（４）記載のウェハホルダにおいて、前記吸
着口をウェハ支持部に沿って設けることを特徴とする。（６）上記（５）記載のウェハホルダにおいて、前記吸
着口を挟んで前記ウェハ支持部と反対側に他のウェハ支
持部を前記ウェハ支持部と同心円状に設けることを特徴
とする。（７）上記（１）ないし（６）のいずれか１項記載のウ
ェハホルダにおいて、ウェハの面方向の移動を阻止する
ためのガイドを設けることを特徴とする。（８）上記（１）ないし（７）のいずれか１項記載のウ
ェハホルダにおいて、ウェハの抜け止めを行なうウェハ
押さえを設けることを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて詳細に説明する。

【００３１】（第１実施例）図１は、本発明の第１実施
例の構成図である。図１（ａ）はウェハホルダの平面図
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図であ
り、説明の都合上、ウェハを載置した状態に記載してあ
る。

【００３２】図１のウェハホルダ２０は、吸着口１１と
ウェハ支持部１３が形成されている円板状の基板部１２
と、ガイド１４とから構成される。前記吸着口１１は、
減圧する際の空気抜き口として、十文字の形に沿って所
定間隔で基板部１２を貫通する形で形成されている。前
記基板部１２の一側円板面外周に沿って形成されたウェ
ハ支持部１３は、基本的に、ウェハ１０を支持するため
に上面が平坦に形成され、ウェハとの間で異物を挟み込
まないようにウェハ１０の最外周を支持可能な必要最小
限度の幅としている。ガイド１４は、前記基板部１２の
外側面と前記ウェハ支持部１３の側面とに接して円形に
設けられ、ウェハ１０の面方向の移動を阻止している。

【００３３】ウェハ１０とウェハホルダ２０、特にウェ
ハ支持部１３との接触部は、ウェハ１０の外周側のみと
なり、ウェハ１０の内側でレジストパターンが形成され
る領域は前記支持部１３による支持の行われない状態と
なる、即ち、ウェハ１０は多少中央部が下がった状態に
撓むことになる。

【００３４】（ウェハ装着等）ウェハホルダ２０のウェ
ハ支持部１３上にウェハ１０を載置し、吸着口１１から
真空引きする。この真空引きにより、ウェハ１０はウェ
ハ支持部１３に強固に位置決めされる。この状態では、
ウェハ１０は中央部が下がった状態に撓む。しかし、塵
芥等の異物がなければ、ステッパ等のレべリング機構に
よって問題なく露光することができる。

【００３５】（第１実施例の効果）図１のようなウェハ
ホルダ２０を用いることにより、ウェハホルダ２０上の
異物又はウェハ裏面に付着したゴミ／デポジット膜等が
存在したとしても、レジスト層を含めたウェハ表面の高
さに変化を与えず、局部的なレジストパターン異常の発
生を抑制できる。

【００３６】（第２実施例）図２は、本発明の第２実施
例の構成図である。図２（ａ）はウェハホルダ２０の平
面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’断面図
であり、説明の都合上、ウェハを載置した状態に記載し
てある。

【００３７】図２のウェハホルダ２０は、ウェハ支持部
１３および１５と複数の吸着口１１を設けてなる円板状
の基板部１２と、ガイド１４とからなる。

【００３８】前記ウェハ支持部１３と１５は、半径の異
なる所定幅の同心円として形成され、ウェハ１０を支持
するために上面が平坦に形成されている。前記支持部１
３はウェハ１０外径に沿う形状に形成され、前記支持部
１５は前記支持部１３と組み合わされて吸着口１１に連
なる空間を画成するような位置に形成される。ガイド１
４は、前記基板部１２の外側面と前記支持部１３の側面
とに接して円形に設けられ、ウェハ１０の面方向の移動
を阻止している。

【００３９】前記吸着口１１は、減圧する際の空気抜き
口として、前記ウェハ支持部１３と１５の間に前記両ウ
ェハ支持部１３および１５に沿って所定間隔で基板部１
２を貫通する形で形成されている。ウェハ１０の周辺部
分のみを吸着するように吸着口１１のホルダ内側部分に
ウェハ支持部１５を設けている。

【００４０】前記第１実施例に比べ、ウェハ１０とウェ
ハ支持部１３および１５の接触面積は増加することにな
るが、前記第１実施例がウェハ全面を吸着するのに対し
て、図２の第２実施例の場合はウェハ外周部分のみを帯
状に吸着することになり、吸着面積が均等幅でかつ円形
になることから、ウェハに対して吸着力が均等にかかる
ことになり、２つの円形によって支持するので、吸着力
に対するウェハの湾曲変形を抑制することができる。

【００４１】また、吸着口１１から減圧することによ
り、減圧による負圧は、前記両ウェハ支持部１３および
１５とウェハ１０によって画成される空間にかかるの
で、該空間に均一に作用する。このため、負圧をウェハ
１０の一部分に負荷しているが均一に作用するので吸着
応力によるウェハ１０の湾曲変形を抑制することができ
る。

【００４２】なお、ウェハ支持部が２つ在ることから、
片方のウェハ支持部１５を省略することもできる。その
場合、吸着口１１の減圧作用はウェハ１０全面に作用す
ることになる。

【００４３】（ウェハ装着等）ウェハホルダ２０のウェ
ハ支持部１３上にウェハ１０を載置し、吸着口１１から
真空引きする。この真空引きにより、ウェハ１０はウェ
ハ支持部１３および１５に強固に位置決めされる。この
状態では、ウェハ１０は中央部が下がった状態に撓む。
しかし、塵芥等の異物がなければ、ステッパ等のレべリ
ング機構によって問題なく露光することができる。

【００４４】（第２実施例の効果）前記第１実施例と同
様、通常ホルダに比べウェハ１０との接触面積が少ない
ため塵埃等の異物による局部的パターン異常を抑制でき
る。また、第１実施例の場合、ウェハ支持部１３は外側
円部のみなので、ウェハ１０表面の傾斜状態が支持手段
のない内側（中心付近）で変化してしまう可能性がある
が、図２の第２実施例では外周のみを吸着してはいる
が、ウェハ支持部１３が径の異なる２つの円状支持部で
支持しているので、吸着力によるウェハの湾曲変形の発
生が抑制できる。

【００４５】（第３実施例）図３は、本発明の第３実施
例の構成図である。

【００４６】図３（ａ）はウェハホルダの平面図であ
り、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、
説明の都合上、ウェハを載置した状態に記載してある。

【００４７】図３の第３実施例は、図６、図７、図１お
よび図２に示した、本発明の前記第１および第２実施例
並びに前記従来例と異なり、ウェハを吸着する吸着口は
備えてなく、基板部１２の最外周部分に円形のウェハ支
持部１３のみが設けられている点に特徴を有する。

【００４８】ウェハホルダ２０は、円板状の基板部１２
の一側円板面外周にウェハ支持部１３が設けら、円板状
の基板部１２とウェハ支持部１３に接してウェハを案内
支持するガイド１４が設けられている。

【００４９】前記第１実施例と同様、ウェハ１０の内側
でレジストパターンを形成する領域は中空となっている
が、吸着固定していないためウェハ１０は外周側のウェ
ハ支持部１３に単に載置される。

【００５０】（ウェハ装着等）ウェハホルダ２０のウェ
ハ支持部１３上にウェハ１０を載置する。この状態で
は、ウェハ１０は中央部が下がった状態に撓む。しか
し、塵芥等の異物がなければ、ステッパ等のレべリング
機構によって問題なく露光することができる。

【００５１】（第３実施例の効果）第３実施例は前記第
１実施例と同様の効果、即ち、ウェハホルダ２０上の異
物又はウェハ１０裏面に付着したゴミ／デポジット膜等
が存在したとしても、レジスト層を含めたウェハ表面の
高さに変化を与えず、局部的なレジストパターン異常の
発生を制限することができる。

【００５２】また、吸着しないので吸着力によるウェハ
１０の湾曲を伴う表面高さの不均一性も発生しない。
又、第２の実施例の様にウェハホルダ２０とウェハ１０
の接触面積低下も伴わない為、より効率的に局部的フォ
ーカス異常を抑制できる。

【００５３】（第４実施例）図４は本発明の第４実施例
の構成図である。

【００５４】図４（ａ）はウェハホルダの平面図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、
説明の都合上、ウェハを載置した状態に記載してあ
る。。

【００５５】図４のウェハホルダ２０は、図３の第３実
施例と同様、吸着固定する為の吸着口は設けられていな
いが、ウェハ１０を固定する為のウェハ押さえ１６が周
辺部分に３つ以上設けられている点に特徴を有する。

【００５６】ウェハホルダ２０は、円板状の基板部１２
の一側円板面外周にウェハ支持部１３が設けら、基板部
１２とウェハ支持部１３に接してウェハ１０を案内支持
するガイド１４が設けられている。

【００５７】前記第１実施例と同様、ウェハ１０はその
外周のみがウェハ支持部１３に支持され、ウェハ１０の
内側でレジストパターンを形成する領域は対応する支持
手段がない。

【００５８】ウェハ押さえ１６は、円弧状に形成され、
ウェハ１０を支持したとき、ウェハ１０の面が局所的に
歪まないように、その数、配置位置等を設定する。この
実施例の場合、円周上に均等に離間して３箇所設けられ
ている。ウェハ押さえ１６は３個以上設ける。

【００５９】第４実施例は、前記第１実施例と同様、ウ
ェハホルダ２０内部は、ウェハ支持部１３が無いため、
中空となっているが、ウェハ１０はウェハホルダ２０上
にクランプ等のウェハ押さえ１６で圧着固定される。

【００６０】（ウェハ装着等）ウェハホルダ２０のウェ
ハ支持部１３上にウェハ１０を載置し、ウェハ押さえ１
６で上から押さえる。この状態でも、ウェハ１０は中央
部が下がった状態に撓むことがある。しかし、塵芥等の
異物がなければ、ステッパ等のレべリング機構によって
問題なく露光することができる。

【００６１】（第４実施例の効果）第１の実施例と同様
の効果、即ち、ウェハホルダ２０上の異物又はウェハ裏
面に付着したゴミ／デポジット膜等が存在したとして
も、支持手段であるウェハ支持部１３およびウェハ押さ
え１６は接する位置がウェハ外周側なので、レジスト層
を含めたウェハ表面の高さに変化を与えず、局部的なレ
ジストパターン異常の発生を制限できる効果がある。

【００６２】また、ウェハ１０を吸着しないことによ
り、吸着力によるウェハ湾曲の影響による表面高さの不
均一も発生しない。又、第３の実施例で懸念されるＸＹ
ステージ高速移動に伴うウェハ１０の微動も、クランプ
等で圧着固定することで解消され、より効率的に局部的
なフォーカス異常を抑制できる。

【００６３】（第５実施例）図５は、本発明の第５実施
例の構成図である。

【００６４】図５（ａ）はウェハホルダの平面図であ
り、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、
説明の都合上、ウェハを載置した状態に記載してある。

【００６５】本発明の第５実施例は、前記第３実施例と
比べ、ウェハ支持部１３の形状をウェハ外周の一部を切
り取った円弧形状とし、前記外周に沿って所定間隔で離
間して設けることとした点で相違する。

【００６６】これにより、上記円弧形状のウェハ支持部
１３の形状および配置は、ウェハの平坦性が保持できる
ようにする。

【００６７】（ウェハ装着等）ウェハホルダ２０のウェ
ハ支持部１３上にウェハ１０を載置する。この状態で
は、ウェハ１０は中央部が下がった状態に撓む。しか
し、塵芥等の異物がなければ、ステッパ等のレべリング
機構によって問題なく露光することができる。

【００６８】（第５実施例の効果）第５実施例は、第３
実施例が奏する効果と同じ効果を奏する。また、ウェハ
支持部１３間に間隙があるので、ウェハホルダ２０内部
の熱を排出し易くなる。

【００６９】（他の利用形態）第１〜第５の実施例で
は、ステッパにおける例を説明したが、ホトリソグラフ
ィ工程においてガラスマスク投影像をある領域をもって
レジスト層に転写させるような装置（反射型投影露光装
置）のウェハホルダにも適用できる。

【００７０】

【発明の効果】本発明のウェハホルダは、ウェハへの塵
埃等の異物の影響を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。

【図２】本発明の第２実施例の構成図である。

【図３】本発明の第３実施例の構成図である。

【図４】本発明の第４実施例の構成図である。

【図５】本発明の第５実施例の構成図である。

【図６】従来型の角溝タイプのウェハホルダを示す図で
ある。

【図７】従来型のピンタイプのウェハホルダを示す図で
ある。

【符号の説明】

１０ウェハ１１吸着口１２基板部１３、１５ウェハ支持部１４ガイド１６ウェハ押さえ２０ウェハホルダ

フロントページの続きＦターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA07 HA01 HA05 HA14 HA24 MA27 PA14 PA30 5F046 BA04 CC08 CC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円板状の基板部の一側円板面にウェハ支持
部を設けてなるウェハホルダにおいて、前記ウェハ支持
部をウェハの最外周を支持可能な必要最小限度の幅とし
たことを特徴とするウェハホルダ。
【請求項２】請求項１記載のウェハホルダにおいて、前
記ウェハ支持部を、ホルダ上の異物又はウェハ裏面の異
物の影響でウェハ表面の高さが不均一とならないように
ウェハのレジストパターンを形成する領域以外の位置に
設けることを特徴とするウェハホルダ。
【請求項３】請求項１または２記載のウェハホルダにお
いて、前記ウェハ支持部を円弧形状とし、前記外周に沿
って所定間隔で離間して設けることを特徴とするウェハ
ホルダ。
【請求項４】請求項１ないし３のうちのいずれか１項記
載のウェハホルダにおいて、ウェハとウェハホルダの基
板部との間にウェハ基板部を貫通して減圧用の吸着口を
設けることを特徴とするウェハホルダ。
【請求項５】請求項４記載のウェハホルダにおいて、前
記吸着口をウェハ支持部に沿って設けることを特徴とす
るウェハホルダ。
【請求項６】請求項５記載のウェハホルダにおいて、前
記吸着口を挟んで前記ウェハ支持部と反対側に他のウェ
ハ支持部を前記ウェハ支持部と同心円状に設けることを
特徴とするウェハホルダ。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれか１項記載のウ
ェハホルダにおいて、ウェハの面方向の移動を阻止する
ためのガイドを設けることを特徴とするウェハホルダ。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれか１項記載のウ
ェハホルダにおいて、ウェハの抜け止めを行なうウェハ
押さえを設けることを特徴とするウェハホルダ。