JP5656392B2 - 基板保持装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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本発明の基板保持装置は、ピンチャック方式を採用し、真空排気により基板を載置及び吸着保持するための保持装置である。この基板保持装置は、例えば、露光装置等の半導体デバイスの製造装置に使用されるものであって、本実施形態では、被処理基板であるウエハを保持するための保持装置とする。まず、比較のために、従来の基板保持装置の構成について説明する。図1は、従来の基板保持装置1の構成を示す概略図であり、図1(a)は、断面図であり、図1(b)は、図1(a)に対応した平面図である。基板保持装置1は、ウエハ2を載置するチャック本体3と、ウエハ2を支持しつつ、載置面に対して上下移動を可能とする3本のリフトピン4と、真空排気を実施するための、不図示の真空装置に接続された排気配管5とを備える。
ΔP=32μLu/D2 (1)
ΔP=12μLu/H2 (2)
ここで、式(1)は、流路が管の場合に適用され、式(2)は、流路が隙間の場合に適用されるものである。式(1)及び式(2)において、ΔPは、圧力損失を、μは、流体の粘度を、Lは、管、あるいは隙間の長さを、uは、平均流速を、Dは、管の直径を、更に、Hは、隙間の幅をそれぞれ示す。本実施形態では、排気配管5における圧力損失は、式(1)を採用し、一方、チャック本体21の第1領域25及び第2領域24における圧力損失は、式(2)を適用する。また、真空排気の際、ウエハ2の裏面と3箇所の円筒部9の隙間を介し、リフトピン穴8からの空気漏れを考慮すると、次式が成り立つ。
ΔPout=ΔPlift (3)
ΔPout+△Pin=98(KPa) (4)
Fout+Flift=Fin (5)
ここで、ΔPoutは、ウエハ2の外周部からリフトピン4までの領域におけるウエハ2の裏面とチャック本体21の底面との隙間での圧力損失を示す。ΔPliftは、リフトピン4とリフトピン穴8との隙間での圧力損失と、ウエハ2と円筒部9との隙間での圧力損失の合計を示す。ΔPinは、リフトピン4から真空穴10までの領域におけるウエハ2の裏面とチャック本体21の底面との隙間での圧力損失と、排気配管5を経由した真空装置に至るまでの圧力損失の合計を示す。Foutは、隔壁部7からリフトピン4までの領域におけるウエハ2の裏面とチャック本体21の底面との隙間を流れる空気の流量を示す。Fliftは、リフトピン4での空気の流量を示す。更に、Finは、リフトピン4から真空穴10までの領域におけるウエハ2の裏面とチャック本体21の底面との隙間を流れる空気の流量を示す。上記の関係と数式から、ウエハ各点におけるチャック底部とウエハ2との隙間での真空圧が計算できる。このチャック本体21の底部とウエハ2との隙間での真空圧は、吸着力となる。
Rb=R2/(2d) (6)
θ=sin‐1(R/Rb) (7)
ここで、Rは、ウエハ2の半径であり、隔壁部7の内径L1の1/2である。dは、反り量である。したがって、ウエハ2の中心部からの距離rにおける、ウエハ2の裏面から第1底部23、若しくは第2底部22までの隙間の高さHは、次式で表される。
H=Rb×(1−cos(θ×r/R))+h (8)
ここで、hは、各底部22、23の深さ(ピン6の高さ)である。また、第1領域25を通過する空気の圧力損失は、次式で得られる。
ΔP=∫12μu/H2dr (9)
なお、この場合の圧力損失は、近似的には、式(9)のように積分を行わなくとも、uとHとの平均値を式(2)に代入すれば、μuの倍数として、計算結果が得られる。同様に、リフトピン穴8を通過する空気の圧力損失は、リフトピン4とリフトピン穴8との寸法から、μuの倍数として、計算結果が得られる。更に、円筒部9を通過する空気の圧力損失も、μuの倍数として、計算結果が得られる。このように、全ての圧力損失は、μuの関数として計算することができる。
μ∝P (10)
u∝1/P (11)
ここで、式(10)は、圧力Pが半分になると、ボイル・シャルルの法則により、気体の密度が半分になり、粘度も近似的に半分になることを意味する。また、式(11)は、ボイル・シャルルの法則により、気体の体積は、圧力Pに半比例するので、気体の流れる量が一定であり、流路の断面積が変わらない場合は、真空の減圧により圧力Pが減れば、気体の体積Vが増え、それに比例して流速も増えることを意味する。即ち、式(10)と式(11)を掛け合わせると、μとuとの積μuは、圧力Pに対する依存性がなくなり、流路の断面積が一定であれば、近似的に一定である。次に、流路の断面積が変わる場合を考察する。隙間26での空気の流れ、第1領域25での空気の流れ、及び第2領域24における円筒部9までの空気の流れは、一連の流れであり、気圧は各地点において変化するが、この間の空気の増減は無い。ここで、流路の断面積をSとすると、流量は、S×uで表される。このとき、圧力の変化が無いと仮定すると、一連の流れでは、流量は一定となる。更に、流速と断面積の積は、単位時間当りに通過する気体の体積であるため、気圧の変化がある場合は、ボイル・シャルルの法則より、次式で表される。
S×u∝1/P (12)
したがって、式(10)、(12)より、S×μuは、圧力Pに依存せず、即ち、圧力の変化があっても、一連の空気の流れでは一定となる。
S0μ0u0=S1μ1u1 (13)
式(2)から、チャック本体21の各地点での圧力損失の計算結果は、μuの倍数として表される。また、式(13)より、各地点でのμuは、次式で表される。
μ1u1=(S0μ0u0)/S1 (14)
ここで、各地点の断面積Sは別途求められるので、式(14)を各地点での圧力損失の計算結果のμ1u1に代入すると、その計算結果は、S0μ0u0の倍数となる。このとき、隔壁部7から空気の合流地点である円筒部9までの各圧力損失の合計は、上記の圧力差ΔPoutとなり、各地点での圧力損失S1μ1u1の倍数の和であるから、S0μ0u0の倍数の和となり、ΔPoutはS0μ0u0の倍数である。一方、空気がリフトピン4とリフトピン穴8との隙間を通過する時のS×μuを、S2μ2u2と表記する。この場合も、リフトピン4とリフトピン穴8との隙間を通過する空気の流れ、及びウエハ2と円筒部9との隙間を通過する空気の流れは一連の流れである。即ち、リフトピン穴8から円筒部9までの各圧力損失の合計は、上記の圧力差ΔPliftとなり、各地点でのS2μ2u2の倍数の和である。ここで、ΔPoutとΔPliftとは、式(3)より同じ値であることから、上記のS0μ0u0の倍数で表されたΔPoutの圧力損失と、S2μ2u2の倍数の和で表されたΔPlift圧力損失とは、同じ値となる。したがって、この関係から、S0μ0u0とS2μ2u2の倍数の和との比が求められ、各地点でのS2μ2u2はS0μ0u0の倍数で表現できる。同様に、合流した空気が第2領域24を通過する時のS×μuを、S3μ3u3と表記する。この場合も、円筒部9からの第2領域24を通過し、真空穴10に至る空気の流れ、及び排気配管5から真空装置に至るまでの空気の流れは一連の流れであるので、圧力損失は、各地点でのS3μ3u3の倍数の和である。各地点でのμ、uは、減圧された状態での値である。これを大気圧に戻したと仮定した場合のμ、uをμS、uSと表す。ここで、S×μSuSは、大気圧での流量と粘度の積である。また、空気の流れが合流した場合は、流量が和となるため、S×μSuSも和となる。したがって、合流地点から真空装置の入口までの空気の流れのS3×μSuS3は、S1μSuS1とS2μSuS2との合流となるので、S3μSuS3は、次式で表される。
S3μSuS3=S1μSuS1+S2μSuS2 (15)
また、積μuは、圧力Pに依存性せず、一定であるので、以下の関係がある。
μSuS1=μ1u1 (16)
μSuS2=μ2u2 (17)
μSuS3=μ3u3 (18)
この式(16)、(17)、(18)を式(15)に代入すると、次式が得られる。
S3μ3u3=S1μ1u1+S2μ2u2 (19)
即ち、S1μ1u1とS2μ2u2は、S0μ0u0の倍数で表現できるため、S3μ3u3もS0μ0u0の倍数で表現できる。このように、全ての圧力損失は、S0μ0u0の倍数で表すことができる。ここで、式(4)に示すように、隙間26から進入して真空装置の入口に至る空気の圧力損失と、リフトピン穴8から進入して真空装置の入口に至る空気の圧力損失は、同一であり、真空装置の真空圧となる。この真空圧は、十分強力な真空ポンプであれば、98(KPa)である。そこで、S0μ0u0の倍数で表された、隙間26から進入して真空装置の入口に至る空気の圧力損失の式を、98(KPa)と等しくなると仮定して計算し、S0μ0u0の値を求める。この計算結果と、S1μ1u1とS2μ2u2との比率から、S1μ1u1及びS2μ2u2の値が算出でき、最終的に、全ての地点における圧力損失を算出できる。このとき、ウエハ2の裏面とチャック本体21の底部との隙間における圧力損失の計算では式(2)を採用し、排気配管5等、管における圧力損失の計算では式(1)を採用する。
次に、本発明の基板保持装置を適用する露光装置の構成について説明する。図16は、本発明の基板保持装置を適用する露光装置の構成を示す概略図である。露光装置90は、照明光学系91と、レチクルを保持するレチクルステージ92と、投影光学系93と、被処理基板を保持する基板ステージ94とを備える。なお、本実施形態における露光装置90は、ステップ・アンド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式を採用し、レチクルに形成されたパターンを、被処理基板であるウエハに露光する走査型投影露光装置である。
次に、本発明の一実施形態のデバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
6 ピン
7 隔壁部
10 真空穴
20 基板保持装置
21 チャック本体
22 第2底部
23 第1底部
24 第2領域
25 第1領域
90 露光装置
91 照明光学系
92 レチクルステージ
93 投影光学系
94 基板ステージ
Claims (4)
- 複数のピン状凸部が形成された底部と、前記複数のピン状凸部の外周に位置する隔壁部と、前記底部に貫設された真空排気のための真空穴とを備えたチャック本体を有し、前記ピン状凸部の表面を含む載置面に基板が載置された際に前記基板と前記底部との間に形成された領域を真空排気することで前記基板を吸着保持する基板保持装置であって、
前記底部は、前記真空穴が貫設された中心領域とその外周に設けられた外周領域とを含み、
前記中心領域の深さは、前記外周領域よりも深く、前記中心領域の半径は、前記基板の半径の2/3以上であることを特徴とする基板保持装置。 - 前記中心領域の深さと前記外周領域の深さとの差は、40μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 光源部からの光で原版を照明する照明光学系と、前記原版を載置して移動可能なレチクルステージと、前記原版からの光を基板に導く投影光学系と、前記基板を載置して移動可能な基板ステージとを有する露光装置であって、
前記基板ステージは、請求項1または2に記載の基板保持装置を備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項3に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された基板を現像する工程と、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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