JP5453778B2 - 照明光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

照明光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置、この照明光学装置を備えた露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
露光波長を短波長化して解像度を高めるために、最近では、露光ビームとして波長が例えば100nm程度以下の極端紫外光(Extreme Ultraviolet Light:以下、EUV光という)を用いて、レチクル(マスク)を介してウエハ等の基板を露光する露光装置(以下、EUV露光装置という。)が開発されている。EUV露光装置においては、EUV光を透過する光学部材がないため、照明光学系及び投影光学系等は、特定の光学フィルタ等を除いて反射光学部材を用いて構成され、レチクルも反射型で構成される。
また、EUV光は気体によって吸収されるため、EUV露光装置は、大気圧よりもかなり低い気圧の真空雰囲気を維持する真空チャンバ内に設置されている(例えば、特許文献1参照)。さらに、レーザプラズマ光源等の光源部に関しては、より真空度を高めるために独立の小型の真空チャンバ内に設けられることがある。
特開2004−152843号公報
EUV露光装置においては、露光を継続すると、光源部で発生するデブリ(飛散粒子)が照明光学系及び投影光学系の反射光学部材の反射面に付着して、これらの反射面の反射率が次第に低下することが知られている。そこで、光源部に近い位置に配置される照明光学系においては、反射率が低下した場合に、反射光学部材を個別に交換できるような構造が採用されている。
しかしながら、投影光学系については、レチクルパターンの像を高精度にウエハ上に投影する必要があるため、複数の反射光学部材は高精度に位置決めされて鏡筒内に設置されている。そのため、仮に一つの反射光学部材の反射率が許容範囲よりも低下した場合であっても、投影光学系の全体を交換する必要性が生じる。従って、光源部で発生したデブリが照明光学系を介して投影光学系側に到達する量を減少させて、そのデブリが投影光学系の反射光学部材の反射面に付着しないようにすることが求められている。
本発明は、かかる事情に鑑み、反射面に付着するデブリ等の微粒子の量を減少できる反射型の照明技術、この照明技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
本発明に従えば、照明光を被照射面(Ra)に導く反射型の照明光学装置であって、複数の反射ミラー要素(22a,23a)を有するオプティカルインテグレータ(22,23)と、その複数の反射ミラー要素の各々で反射された照明光を反射する第1反射面(24)と、その第1反射面で反射された照明光をその被照射面に導く第2反射面(25)とを有し、その第1反射面とその第2反射面とによってそのオプティカルインテグレータとその第1反射面との間にその被照射面と共役な位置(27)を形成する光学系(ILS)と、その第1反射面が配置される第1空間(B)とその第2反射面が配置される第2空間(C)とを互いに異なる真空環境又は減圧環境に分離し、かつその照明光が通過する開口(5a)が形成された隔壁部材(5)とを備え、その隔壁部材の開口は、その第1反射面で反射した照明光の光束のうち、断面積が最も小さい位置又はその近傍に配置される照明光学装置が提供される。
なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。
本発明によれば、第1反射面で反射した照明光の光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍に隔壁部材を配置したため、その開口を小さくできる。従って、第1空間と第2空間との間の気体の流量を小さくでき、微粒子の通過量が減少し、第2空間内に配置される光学部材の反射面に付着するデブリ等の微粒子の付着を減少することができる。
本発明の実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す断面図である。 (A)は図1中の第1フライアイ光学系22を示す図、(B)は図1中の第2フライアイ光学系23を示す図である。 (A)は図1の第2アパーチャ板5の近傍の構成を示す断面図、(B)は図3(A)の第2アパーチャ板5の変形例を示す断面図である。 (A)は本発明の実施形態の第1変形例の要部を示す断面図、(B)は図4(A)のノズル部材38の先端部を示す断面図である。 (A)は本発明の実施形態の第2変形例を示す断面図、(B)は図5(A)の排気管の連結機構の変形例を示す断面図である。 実施形態におけるデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
1…真空チャンバ、3…第1アパーチャ板、4…第2サブチャンバ、5…第2アパーチャ板、5a…開口、6…第3サブチャンバ、10…レーザプラズマ光源、ILS…照明光学系、R…レチクル、PO…投影光学系、W…ウエハ、33,35…真空ポンプ、33a,33b,35a,35b…排気管、37,38…ノズル部材、39…ベローズ
本発明の実施形態の一例につき図1〜図3を参照して説明する。
図1は、本実施形態の露光光EL(露光ビーム又は照明光)として波長が3〜50nm程度の範囲内で例えば11nm又は13nm等のEUV光を用いる露光装置(EUV露光装置)100の全体構成を概略的に示す断面図である。図1において、露光装置100は、露光光ELを発生するレーザプラズマ光源10と、露光光ELでレチクルR(マスク)を照明する照明光学系(光学系)ILSと、レチクルRを移動するレチクルステージRSTと、レチクルRのパターン面(以下、レチクル面という)Raに形成されたパターンの像を、レジスト(感光材料)が塗布されたウエハ(感応基板)W上に投影する投影光学系POとを備えている。さらに、露光装置100は、ウエハWを移動するウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御系31と、真空ポンプ等とを備えている。
本実施形態では、露光光ELとしてEUV光が使用されているため、照明光学系ILS及び投影光学系POは、特定のフィルタ等(不図示)を除いて複数の反射光学部材より構成され、レチクルRも反射型で構成される。これらの反射光学部材の反射面及びレチクル面Ra(反射面)には、EUV光を反射する多層の反射膜が形成されている。レチクル面Ra上の反射膜上には、吸収層によって回路パターンが形成されている。また、露光光ELの気体による吸収を防止するため、露光装置100はほぼ全体として箱状の真空チャンバ1内に収容され、真空チャンバ1内の空間Aを排気管32aを介して真空排気するための大型の真空ポンプ32が備えられている。さらに、真空チャンバ1内で露光光ELの光路上の真空度をより高めるために複数のサブチャンバ2,4,6(詳細後述)が設けられている。
以下、図1において、ウエハステージWSTが移動するガイド面(真空チャンバ1の底面)の法線方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で図1の紙面に垂直にX軸を、図1の紙面に平行にY軸を取って説明する。本実施形態では、レチクル面Ra上での露光光ELの照明領域は、X方向に細長い円弧状であり、露光時にレチクルR及びウエハWは投影光学系POに対してY方向に同期して走査される。
先ず、レーザプラズマ光源10は、高出力のレーザ光源11と、レーザ光源11から真空チャンバ1の窓部材15を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ12と、キセノン又はクリプトン等のターゲットガスを噴出するノズル14と、楕円形状の反射面を持つ集光ミラー(楕円反射鏡)13とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。レーザプラズマ光源10から放射された露光光ELは、集光ミラー13の第2焦点に集光する。その第2焦点に集光した露光光ELは、凹面ミラー(コリメータ光学系)21を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイ光学系22及び23からなるオプティカルインテグレータに導かれる。
一例として、第1フライアイ光学系22は、図2(A)に示すように、二次元的に配列された多数の円弧状の外形を有する反射ミラー要素22aより構成されている。第2フライアイ光学系23は、第1フライアイ光学系22の多数の反射ミラー要素22aに対応して、図2(B)に示すように、二次元的に配列された多数の矩形状の外形を有する反射ミラー要素23aより構成されている。フライアイ光学系22及び23のより具体的な構成及び作用については、例えば米国特許第6,452,661号明細書に開示されており、指定国または選択国の法令が許す範囲において米国特許第6,452,661号の開示を援用して本文の記載の一部とする。
図1において、第2フライアイ光学系23の反射面の近傍(オプティカルインテグレータの射出面の近傍)には、所定形状を有する実質的な面光源が形成される。即ち、その実質的な面光源が形成される面は、照明光学系ILSの瞳面であり、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞りASが配置されている。開口絞りASは、種々の形状の開口を有する複数の開口絞りを代表的に表しており、主制御系31の制御のもとで、開口絞りASを交換することによって、照明条件を通常照明、輪帯照明、2極照明、又は4極照明等に切り換えることができる。
開口絞りASを通過した露光光ELは、一度集光した後に曲面ミラー24に入射し、曲面ミラー24で反射された露光光ELは、凹面ミラー25で反射された後、視野絞り26の開口を介して、レチクル面Raの円弧状の照明領域を下方から斜めに均一な照度分布で照明する。曲面ミラー24と凹面ミラー25とからコンデンサ光学系が構成されている。コンデンサ光学系によって、第2フライアイ光学系23の多数の反射ミラー要素からの光がレチクル面Raの照明領域を重畳的に照明する。なお、図1の例では、曲面ミラー24は凸面ミラーであるが、曲面ミラー24を凹面ミラーより構成し、その分だけ凹面ミラー25の曲率を小さくするようにしてもよい。凹面ミラー21、フライアイ光学系22,23、開口絞りAS、曲面ミラー24、及び凹面ミラー25を含んで照明光学系ILSが構成されている。
本実施形態の照明光学系ILSでは、コンデンサ光学系が、第2フライアイ光学系23とレチクルRとの間の光路中、言い換えれば、第2フライアイ光学系23と曲面ミラー25との間の光路中に、レチクルRと光学的に共役な位置を形成している。すなわち、コンデンサ光学系は、この共役な位置にレチクルR上を照明する照明領域の倒立像を形成する結像光学系として機能している。また、照明光学系ILSを構成する反射光学部材(凹面ミラー21、一対のフライアイ光学系22及び23、曲面ミラー24、凹面ミラー25)のうち、レチクルRに最も近い反射光学部材(凹面ミラー25)の反射面は、凹面状に形成されている。
本実施形態では、第2フライアイ光学系23から曲面ミラー24に向かう光路上で露光光ELが一度集光する位置が、レチクル面Raとの共役面(以下、レチクル共役面という)27となる。なお、例えば曲面ミラー24を第2フライアイ光学系23に近付けることによって、レチクル共役面27は、曲面ミラー24から凹面ミラー25に向かう光路上に形成することも可能である。また、視野絞り26は、レチクル面Raの近傍に配置されているが、視野絞り26をレチクル共役面27に配置することも可能である。
また、曲面ミラー24と凹面ミラー25との間の光路上に、照明光学系ILSの瞳面と共役な面28が形成される。本実施形態では、曲面ミラー24と凹面ミラー25との間に形成される照明光学系ILSの瞳面と共役な位置(共役面28)が、曲面ミラー24で反射した露光光ELの光束の断面積が最も小さくなる位置とみなすことができる。なお、図1では、露光光ELの光束全体を表しているので、拡散している光束の途中に共役面28が位置しているように見える。実際には、面光源を形成するフライアイ光学系23の各反射ミラー要素23a(図2(B)参照)からの反射光は、曲面ミラー24で反射した後、共役面28で収束し、そこで各反射光の断面積が最も小さくなる。
なお、この照明光学系ILSのより具体的な構成及び作用については、米国仮出願番号60/935375(出願日2007年8月9日)とその本出願12/170933(出願日2008年7月10日)及び、米国仮出願番号60/935377(出願日2007年8月9日)とその本出願12/170236(出願日2008年7月9日)に開示された内容を参照することができる。
次に、レチクルRは、レチクルステージRSTの底面に静電チャックRHを介して吸着保持されている。レチクルステージRSTは、レーザ干渉計(不図示)の計測値及び主制御系31の制御情報に基づいて、真空チャンバ1の外面のXY平面に平行なガイド面に沿って駆動系(不図示)によってY方向に所定ストロークで駆動されるとともに、X方向及びθz方向(Z軸回りの回転方向)等にも微小量駆動される。レチクルRは、真空チャンバ1の上面の開口を通して真空チャンバ1で囲まれた空間A内に設置されている。レチクルステージRSTを真空チャンバ1側に覆うようにパーティション8が設けられ、パーティション8内は不図示の真空ポンプによって大気圧と空間Aの気圧との間の気圧に維持されている。
レチクル面Raで反射された露光光ELが視野絞り26の開口を通過して投影光学系POに向かう。投影光学系POは、一例として、6枚のミラーM1〜M6を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体(レチクルR)側に非テレセントリックで、像(ウエハW)側にテレセントリックの反射系であり、投影倍率は1/4倍等の縮小倍率である。レチクルRで反射された露光光ELは、投影光学系POを介してウエハW上の露光領域に投射され、レチクルRのパターンの縮小像がウエハWに転写される。投影光学系POにおいて、レチクルRからの露光光ELは、ミラーM1で上方(+Z方向)に反射され、続いてミラーM2で下方に反射された後、ミラーM3で上方に反射され、ミラーM4で下方に反射される。次にミラーM5で上方に反射された露光光ELは、ミラーM6で下方に反射されて、ウエハW上にレチクルRのパターンの像を形成する。一例として、ミラーM1,M2,M4,M6は凹面鏡であり、他のミラーM3,M5は凸面鏡である。なお、投影光学系POは、図1の構成には限定されず、反射光学部材の枚数も6枚以外、例えば8枚であってもよい。
一方、ウエハWは、静電チャックWHを介してウエハステージWST上に吸着保持されている。ウエハステージWSTは、XY平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージWSTは、レーザ干渉計(不図示)の計測値及び主制御系31の制御情報に基づいて、駆動機構(不図示)によってX方向及びY方向に所定ストロ−クで駆動され、必要に応じて、Z軸の周りの回転方向等にも駆動される。
ウエハW上の1つのダイ(ショット領域)を露光するときには、露光光ELが照明光学系ILSによりレチクルRの照明領域に照射され、レチクルRとウエハWとは投影光学系POに対して投影光学系POの縮小倍率に従った所定の速度比でY方向に同期して移動する(同期走査される)。このようにして、レチクルパターンはウエハW上の一つのダイに露光される。その後、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをステップ移動した後、ウエハW上の次のダイに対してレチクルRのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の複数のダイに対して順次レチクルRのパターンが露光される。
露光の際には、ウエハW上のレジストから生じるガスが投影光学系POのミラーM1〜M6に悪影響を与えないように、ウエハWはパーティション7の内部に配置される。パーティション7には露光光ELを通過させる開口が形成され、パーティション7内の空間は、主制御系31の制御のもとで真空ポンプ36により排気管36aを介して真空排気されている。
次に、本実施形態の露光装置100の真空チャンバ1内のサブチャンバ2,4,6及びこれらの連結機構につき説明する。
図1の真空チャンバ1によりその内部に画成された空間Aにおいて、レーザプラズマ光源10の集光レンズ12、集光ミラー13、及びノズル14の先端部は第1サブチャンバ2内に収容され、第1サブチャンバ2は不図示の真空ポンプによって真空排気されている。また、照明光学系ILS内の凹面ミラー21、フライアイ光学系22,23、及び曲面ミラー24が第2サブチャンバ4内に収容されている。第2サブチャンバ4によりその内部に画成された空間Bは、真空ポンプ33によって排気管33aを介して真空排気されている。さらに、照明光学系ILS内で最もレチクル面(被照射面)Raに近い凹面ミラー25、及び投影光学系POが第3サブチャンバ6内に収容されている。第3サブチャンバ6によりその内部に画成された空間Cは、真空ポンプ35によって排気管35aを介して真空排気されている。第3サブチャンバ6のレチクルRと対向する面は、視野絞り26によって覆われ、第3サブチャンバ6のウエハWと対向する面には、露光光ELを通過させる開口が形成されている。なお、視野絞り26をレチクル共役面27に設ける場合には、図1の視野絞り26の位置には、開口を有する別のアパーチャ板を設けてもよい。真空チャンバ1内のサブチャンバ2,4,6は、高耐熱性の材料であるモリブデン(Mo)、又はクロム−モリブデン鋼のようなモリブデン合金等から形成してもよい。
真空ポンプ32,33,35はそれぞれ気圧計を備えており、この気圧計の計測値に基づいて主制御系31が空間A、空間B、及び空間Cがそれぞれ所定の真空度となるように真空ポンプ32,33,35を制御する。一例として、真空チャンバ1内の空間Aの気圧は10-5Pa程度、第1サブチャンバ2内の気圧は10-6〜10-7Pa程度、第2サブチャンバ4内の空間Bの気圧は10-6〜10-7Pa程度、第3サブチャンバ6内の空間Cの気圧は10-5〜10-6Pa程度である。即ち、空間Aに比べて空間Cの真空度は高く、空間Cに比べて空間Bの真空度はさらに高く設定されている。なお、真空ポンプ32,33,35は、露光装置100や照明光学系ILSに備え付ける必要はなく、露光装置が設けられる現場に設けられた真空ポンプを用いてもよい。
また、第1サブチャンバ2と第2サブチャンバ4との境界部は、集光ミラー13の第2焦点の近傍であり、その境界部に露光光ELをケラレがない状態で通過させる開口が形成された第1アパーチャ板3が設置されている。その第2焦点では露光光ELの断面積が最も小さいため、その境界部では露光光ELが収束しており、その結果、第1アパーチャ板3の開口を小さくすることができる。従って、第1アパーチャ板3によって、レーザプラズマ光源10で発生して第2サブチャンバ4内に拡散するデブリ(飛散粒子)等の微粒子の量が減少する。そして、第1アパーチャ板3を介して第2サブチャンバ4に拡散したデブリ等の多くは、排気管33aを通して真空ポンプ33によって気体とともに真空チャンバ1外に排出される。その結果、照明光学系ILSの凹面ミラー21から曲面ミラー24までの光学部材の反射面の反射率が劣化するまでの時間が長くなり、照明光学系ILSのメンテナンスコストを低減できる。
また、第2サブチャンバ4と第3サブチャンバ6との境界部、すなわち、第2サブチャンバ4と第3サブチャンバ6を連結している部分は、照明光学系ILSの曲面ミラー24と凹面ミラー25との間の露光光ELの光路上で、照明光学系ILSの瞳面と共役な面28の近傍にある。その境界部に露光光ELをケラレがない状態で通過させる開口5aが形成された第2アパーチャ板5が設置されている。第1アパーチャ板3及び第2アパーチャ板5は、高耐熱性の材料であるモリブデン(Mo)、又はクロム−モリブデン鋼のようなモリブデン合金等から形成することが好ましい。アパーチャ板3,5の開口の両面の周囲には、内側が薄くなるようにテーパ部が形成されている。これによって、露光光ELのケラレをなくして、かつ開口を小さくできる。
また、その面28の近傍では、曲面ミラー24で反射した露光光の光束のうち、露光光ELの断面積が小さいため、開口5aを小さくすることができる。従って、第2アパーチャ板5によって、レーザプラズマ光源10で発生したデブリのうち、第1アパーチャ板3を通過して、第2サブチャンバ4内で拡散したデブリが、第3サブチャンバ6内で再び拡散する割合が大きく減少する。また、第2アパーチャ板5を介して第3サブチャンバ6内に拡散したデブリの多くは、排気管35aを通して真空ポンプ35によって気体とともに真空チャンバ1外に排出される。さらに、デブリ以外の微粒子についても、第3サブチャンバ6内への拡散が抑制される。なお、「光束の断面積が最も小さい位置の近傍」とは、例えば、「光束の断面積が最も小さい位置」における光束の径φとしたときに2φまでの位置をいい、このような範囲とすることで、開口の断面積を光束に応じて小さくして反射光学素子を収容する個別チャンバへのデブリ等の微粒子の出入りを抑制できる。
さらに、図3(A)は、図1の第2サブチャンバ4及び第3サブチャンバ6の一部を示す断面図である。図3(A)において、第2サブチャンバ4の第2アパーチャ板5の近傍に排気管33bの排気口が設置され、真空ポンプ33は、さらに排気管33bを介して第2サブチャンバ4内の空間Bの真空排気を行う。同様に、第3サブチャンバ6の第2アパーチャ板5の近傍に排気管35bの排気口が設置され、真空ポンプ35は、さらに排気管33bを介して第3サブチャンバ6内の空間Cの真空排気を行う。この結果、第2アパーチャ板5の開口5aを通過しようとするデブリ等、及び開口5aを通過したデブリ等は効率的に排気管33b及び35bによって排出されるため、第3サブチャンバ6内に拡散するデブリ等の微粒子の割合をさらに低減できる。また、前述のように第2サブチャンバ4内の空間Bの真空度は、第3サブチャンバ6内の空間Cの真空度に比べて高く設定されているので、第2サブチャンバ4から第3サブチャンバ6内へのデブリ等の微粒子の移動が抑制されている。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
(1)図1の露光装置100の照明光学装置は、露光光ELをレチクル面Ra(被照射面)に導く反射型の照明光学装置であって、複数の反射ミラー要素22a,23aを有するオプティカルインテグレータ(一対のフライアイ光学系22及び23)と、複数の反射ミラー要素22a,23aの各々で反射された露光光ELを反射する曲面ミラー(第1反射面)24と、曲面ミラー24で反射された露光光ELをレチクル面(被照射面)Raに導く凹面ミラー(第2反射面)25とを有し、オプティカルインテグレータとレチクル面Raとの間にレチクル共役面27を形成する照明光学系ILSと;曲面ミラー24が配置される空間Bと凹面ミラー25が配置される空間Cとを互いに異なる真空環境又は減圧環境に分離し、かつ露光光ELが通過する開口5aが形成された第2アパーチャ板(隔壁部材)5と;を備えている。そして、開口5aは、曲面ミラー24で反射した露光光ELの光束のうち、実質的に断面積が最も小さい位置又はその近傍の位置である面(照明光学系ILSの瞳面と共役な面)28を通るように配置されている。
従って、第2アパーチャ板5によって、照明光学系ILSの後続の光学系である投影光学系POに対するデブリ等の微粒子の通過量を減少できる。さらに、その開口5aを小さくできるため、空間Bと空間Cとの間の気体の流量を小さくでき、その微粒子の通過量をさらに減少できる。その結果、空間C内の照明光学系ILSの凹面ミラー25、及び投影光学系POのミラーM1〜M6の反射面の反射率が劣化するまでの時間が非常に長くなり、凹面ミラー25及び投影光学系POのメンテナンスコストを低減できる。さらに、投影光学系POからウエハWに照射される露光光ELの照度を高く維持できる。
(2)照明光学系ILSは、複数の反射光学部材として、凹面ミラー21及びフライアイ光学系22,23を含み、曲面ミラー24から凹面ミラー25に向かう光路上で、露光光ELの光束の断面積が実質的に最も小さい位置は、照明光学系ILSの瞳面又はこの瞳面と共役な面28の位置である。従って、例えば面28又はその近傍に開口5aを配置すれば、開口5aをより小さくできる。
なお、照明光学系ILSの配置によって、曲面ミラー24から凹面ミラー25に向かう光路上にレチクル共役面27が形成される場合には、このレチクル共役面27で露光光ELの断面積が最も小さくなるため、このレチクル共役面27又はこの近傍の位置にその開口5aを配置してもよい。
(3)第2アパーチャ板5が照明光学系ILSの瞳面若しくは該瞳面と共役な面28、又はこれらの面の近傍に配置されている場合に、第2アパーチャ板5の開口5aが、照明光学系ILSの開口絞りASの少なくとも一部を兼用することも可能である。例えば図1において、開口5aによって露光光ELの光束の外径、ひいてはコヒーレンスファクタ(σ値)を規定することも可能である。これによって、開口5aをより小さくできるため、第3サブチャンバ6内への微粒子の拡散をより低減できる。
(4)空間B及び空間Cを排気する真空ポンプ33,35(排気機構)を備え、図3(A)に示すように、第2アパーチャ板5の近傍に真空ポンプ33,35の排気管33b,35bの排気口が設けられているため、開口5aを通過して空間C内に拡散する微粒子の量を低減できる。
なお、排気管33b,35bの排気口を第2サブチャンバ4及び第3サブチャンバ6内に直接設置する代わりに、図3(B)に示すように、第2アパーチャ板5の内部に排気孔5b及び5cを形成し、排気孔5b,5cに排気管33b,35bを接続してもよい。なお、排気管33b,35b又は排気孔5b,5cのそれぞれの少なくとも一方を設けるだけでもよい。
ただし、第2アパーチャ板5の空間B側に設けられる排気口を有する真空ポンプ33と、第2アパーチャ板5の空間C側に設けられる排気口を有する真空ポンプ35とを有することによって、開口5aを通過して第3サブチャンバ6内に拡散する微粒子を最も効率的に低減できる。
(5)図1において、曲面ミラー24と凹面ミラー25との間に、照明光学系ILSの瞳面との共役面が配置されているため、複数の反射光学部材のうち、凹面ミラー21及びフライアイ光学系22,23が配置される空間Bと、曲面ミラー24及び投影光学系POが配置される空間Aとの分離を容易に行うことができる。
(6)図1の露光装置100は、上記の照明光学装置と、レチクル面Raに配置可能な反射型原版の像をウエハWの表面(投影面)に投影する投影光学系POとを備え、投影光学系POは、曲面ミラー24及び凹面ミラー25のうちの凹面ミラー25と共に、空間Cに配置される。この結果、投影光学系POの反射光学部材に対するデブリ等の微粒子の付着量が減少する。EUV光源からの光束が収束している位置が、前記第1サブチャンバ2(EUV光源を収容する空間)と第2サブチャンバ4との境界部であり、その位置に小さい開口の第1アパーチャ板3が設けられているので、第1サブチャンバ2内に発生したデブリ等の微粒子が第2サブチャンバ4(空間B及び空間C)に移動するのが抑制される。
また、上記の実施形態は以下のような変形が可能である。
(1)図1に対応する部分に同一符号を付した図4(A)に示すように、第2アパーチャ板5の開口5aを囲み、かつ第2サブチャンバ4内の空間Bで露光光ELを取り囲む円筒状のノズル部材(第1部材)37と、開口5aを囲み、かつ第3サブチャンバ6内の空間Cで露光光ELを取り囲む円筒状のノズル部材(第2部材)38とを設けてもよい。このようにノズル部材(周囲部材)37,38を設けることによって、空間B内のデブリ等が空間C内に拡散しにくくなる。すなわち、ノズル部材37及び38は、第2アパーチャ板5から露光光ELの光路に沿って第2サブチャンバ4内部と第3サブチャンバ6内部に向かってそれぞれ延在する円筒状部材である。図3(A)には図示していないが、光束の断面積が最も小さい位置(光束の収束部)、照明光学系の瞳面、それと共役な面またはレチクル共役面がノズル部材37または38内に位置している。ノズル部材37,38の先端(第2アパーチャ板5と反対側)は、第2サブチャンバ4及び第3サブチャンバ6の物質(微粒子)及び光の出入口とみなすことができるので、ノズル部材37,38内に露光光ELのミラー24からの反射光束の収束部が存在することにより、ノズル部材37,38の内径を小さくして、それにより、第2サブチャンバ4と第3サブチャンバ6との間のデブリ等の微粒子の移動を抑制することができる。
ノズル部材37,38も、高耐熱性の材料であるモリブデン(Mo)、又はクロム−モリブデン鋼のようなモリブデン合金等から形成することが好ましい。
なお、ノズル部材37,38のうちの一方(特に空間B側のノズル部材37)を設けるのみでも、微粒子の拡散抑制効果は得られる。
また、上記の実施形態では、レチクルRの照明領域の形状は円弧状である。そのため、第2アパーチャ板5の開口5aから離れた位置の露光光ELの断面形状は図4(B)に示すように、円弧状となる。そこで、ノズル部材38(ノズル部材37も同様)の先端部の形状は、露光光ELを遮光しない範囲で、露光光ELの断面形状に近い円弧状としてもよい。これによって、ノズル部材38(ノズル部材37)を小型化できる。
(2)図1に対応する部分に同一符号を付した図5(A)に示すように、第3サブチャンバ6内の空間Cから排気管35aを介して真空ポンプ35によって真空排気する際に、第3サブチャンバ6の排気口6bと排気管35aとを、可撓性のあるベローズ39で連結してもよい。これは、他の真空ポンプ33についても同様である。これによって、例えばターボポンプ等からなる真空ポンプ35の振動が第3サブチャンバ6に直接伝達しなくなり、投影光学系POの振動が減少するため、解像度等が向上する。
なお、図5(B)に示すように、第3サブチャンバ6の排気口6bと排気管35aとを例えば0.1mm程度の小さいギャップgを介して非接触で連結し、排気管35aから第3サブチャンバ6の空間Cの真空排気を行っても良い。この場合、第3サブチャンバ6の周囲の空間Aも高真空であるため、空間Aからギャップgの隙間を通して空間C又は排気管35a内に流入する気体は極めて僅かである。従って、図5(A)の構成に比べれば、ある程度は効率が低下するが、図5(B)の構成でも、真空ポンプ35の振動を第3サブチャンバ6に伝達することなく、空間Cの排気を行うことが可能である。
(3)上記実施形態では、第2サブチャンバ4内に、照明光学系ILS内の凹面ミラー21、フライアイ光学系22,23、及び曲面ミラー24が収容されていたが、曲面ミラー24だけを空間Bを画成する第2サブチャンバ4内に収容してもよい。この場合、凹面ミラー21、フライアイ光学系22,23は、それぞれ、第2サブチャンバ4とは異なる一のまたは複数のサブチャンバに収容してもよく、そのようなサブチャンバに収容しなくてもよい。
(4)第1サブチャンバ2と第2サブチャンバ4と第3サブチャンバ6は、一体的に形成されていてもよく、あるいはそれぞれ別々に形成して、適当な連結部材により気密に連結してもよい。
(5)第2サブチャンバ4と第3サブチャンバ6の境界部に設けられた第2アパーチャ板5は、その開口5aの寸法が光束に応じて変化できるように、例えば、シャッター構造のように第2アパーチャ板5を構成するパーツを変位可能にしてもよい。
(6)上述の実施形態では、露光光源としてレーザプラズマ光源を用いるものとしたが、これに限らず、SOR(Synchrotron Orbital Radiation)リング、ベータトロン光源、ディスチャージド光源、X線レーザなどのいずれを用いても良い。
(7)また、上記実施形態では、露光ビームとしてEUV光を用い、6枚のミラーのみから成るオール反射の投影光学系を用いる場合について説明したが、これは一例である。例えば、特開平11−345761号公報に開示されるような4枚のミラーのみから成る投影光学系を備えた露光装置は勿論、光源に波長100〜160nmのVUV光源、例えばAr2 レーザ(波長126nm)を用い、4〜8枚等のミラーを有する投影光学系を備えた露光装置などにも本発明を適用することができる。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図6に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した実施形態の露光装置(EUV露光装置)によりマスクのパターンを基板(感応基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いてその投影面上に設置される基板(ウエハ)を露光することと、露光された基板を処理すること(ステップ224)とを含む。この際に、上記の実施形態の露光装置によれば、レーザプラズマ光源10で発生するデブリ等が投影光学系POのミラーに殆ど付着しないため、投影光学系POの反射率が高く維持される。従って、投影光学系POのメンテナンスコストを低減できるとともに、高機能のデバイスを高スループットに製造できる。
また、上記実施形態の露光装置100(EUV露光装置)は、本願の特許請求の範囲に挙げられた照明光学装置(レーザプラズマ光源10、照明光学系ILS)等の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するため、この組み立て前後に、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
本発明の照明光学装置及びそれを有する露光装置によれば、デブリ等が照明光学系のミラー等に付着しにくいため、照明光学装置及び露光装置のメンテナンスコストが低減される。このため、本発明を用いることにより高機能デバイスを高スループットで製造するでき、それゆえ、本発明は、半導体産業を含む精密機器産業の国際的な発展に著しく貢献するであろう。

Claims (19)

  1. 照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置であって、
    複数の反射ミラー要素を有するオプティカルインテグレータと、前記複数の反射ミラー要素の各々で反射された照明光を反射する第1反射面と、前記第1反射面で反射された前記照明光を前記被照射面に導く第2反射面とを有し、前記第1反射面と前記第2反射面とによって前記オプティカルインテグレータと前記第1反射面との間に前記被照射面と共役な位置を形成する光学系と、
    前記第1反射面が配置される第1空間と前記第2反射面が配置される第2空間とを互いに異なる真空環境又は減圧環境に分離し、かつ前記照明光が通過する開口が形成された隔壁部材と、を備え、
    前記隔壁部材の開口は、前記第1反射面で反射した前記照明光の光束のうち、断面積が最も小さい位置又はその近傍に配置される照明光学装置。
  2. 前記照明光の光束の断面積が最も小さい位置は、前記光学系の瞳面の位置又は該瞳面と共役な位置である請求項1に記載の照明光学装置。
  3. 前記隔壁部材は、前記光学系の瞳面若しくは該瞳面と共役な面、又はこれらの面の近傍に配置され、
    前記隔壁部材の前記開口が、前記光学系の開口絞りとして機能する請求項2に記載の照明光学装置。
  4. 前記第1空間及び前記第2空間を排気する排気機構を備え、
    前記隔壁部材またはその近傍に前記排気機構の排気口が設けられた請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  5. 前記排気機構は、前記隔壁部材の前記第1空間側に設けられる排気口を有する第1の排気機構と、前記隔壁部材の前記第2空間側に設けられる排気口を有する第2の排気機構とを有する請求項4に記載の照明光学装置。
  6. 前記第2空間側に設けられる排気口と第2の排気機構が可撓性部材で接続されている請求項5に記載の照明光学装置。
  7. 前記第2空間側に設けられる排気口と第2の排気機構がギャップを介して接続されている請求項5に記載の照明光学装置。
  8. 前記排気機構は、第1空間の圧力が前記第2空間の圧力よりも低くなるよう前記第1空間及び前記第2空間を排気する請求項4から7のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  9. 前記隔壁部材の前記開口を囲み、かつ前記照明光の光束を取り囲む周囲部材を有する請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  10. 前記周囲部材は、前記隔壁部材の前記開口を前記第1空間側で取り囲む第1部材と、前記隔壁部材の前記開口を前記第2空間側で取り囲む第2部材とを有する請求項9に記載の照明光学装置。
  11. 前記断面積が最も小さい位置が、前記隔壁部材の前記開口、第1部材または第2部材内に位置する請求項10に記載の照明光学装置。
  12. 前記隔壁部材がモリブデンまたはその合金から形成されている請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  13. 前記光学系は、複数の反射光学部材を備え、
    前記複数の反射光学部材は、前記照明光を射出する光源と、前記第1反射面との間に配置され、かつ前記オプティカルインテグレータ及び前記第1反射面と共に、前記第1空間に配置される請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  14. 前記光学系は、複数の反射光学部材を備え、
    前記第2反射面は、前記複数の反射光学部材のうち、前記被照射面に最も近い位置に配置される反射光学部材に形成され、
    前記第2反射面の形状は、凹面である請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  15. 前記隔壁部材の前記開口が形成された部分は、平板状であり、
    前記隔壁部材の前記開口が形成された平板状の部分は、前記光学系の光軸に垂直な面に対して斜めに配置されている請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  16. 請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の照明光学装置と、
    前記被照射面に配置可能な反射型原版の像を投影面に投影する投影光学系とを備え、
    前記投影光学系は、前記第2反射面と共に、前記第2空間に配置される露光装置。
  17. さらに、EUV光源を備える請求項16に記載の露光装置。
  18. 前記EUV光源を収容する空間と前記第1空間と隔離する別の隔壁部材が設けられ、この別の隔壁部材の開口でEUV光源からの光束が収束している請求項17に記載の露光装置。
  19. 請求項16から請求項18のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記投影面上に設置される基板を露光することと、
    前記露光された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
DE102009034166A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Carl Zeiss Smt Ag Kontaminationsarme optische Anordnung
CN102326076B (zh) 2008-12-31 2016-06-01 3M创新有限公司 化学指示剂组合物、指示物和方法
JP5559562B2 (ja) 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
DE102009029282A1 (de) 2009-09-08 2011-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, insbesondere in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
EP2480936B1 (en) * 2009-09-25 2015-03-18 ASML Netherlands BV Source collector apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102009045223A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
DE102011075465B4 (de) * 2011-05-06 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2013135494A2 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE102012010093A1 (de) * 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102014226272A1 (de) * 2014-12-17 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Einrichtung
CN105487350B (zh) * 2016-01-26 2018-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种防止镜组雾化的曝光装置
US11590366B2 (en) * 2020-06-09 2023-02-28 Varian Medical Systems, Inc. Live view camera for radiation therapy

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833904B1 (en) * 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6438199B1 (en) * 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
JPH11345761A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2001110709A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nikon Corp 多層膜反射鏡及び露光装置ならびに集積回路の製造方法。
JP4503906B2 (ja) 2000-05-03 2010-07-14 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. パージガスを用いた非接触型シール
JP4747409B2 (ja) 2000-11-09 2011-08-17 ソニー株式会社 受信装置
IT1316249B1 (it) 2000-12-01 2003-04-03 Enea Ente Nuove Tec Procedimento di abbattimento del flusso di ioni e di piccoli detritiin sorgenti di raggi-x molli da plasma, tramite l'uso di kripton.
TW594043B (en) * 2001-04-11 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle
TW594847B (en) * 2001-07-27 2004-06-21 Canon Kk Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed
EP1349008A1 (en) 2002-03-28 2003-10-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004152843A (ja) 2002-10-29 2004-05-27 Nikon Corp Euv露光方法及び露光装置
TWI230847B (en) 2002-12-23 2005-04-11 Asml Netherlands Bv Contamination barrier with expandable lamellas
JP2004228456A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Canon Inc 露光装置
WO2005083759A1 (ja) 2004-02-27 2005-09-09 Nikon Corporation 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法
JP2006049815A (ja) * 2004-07-02 2006-02-16 Canon Inc 露光装置
JP2006024849A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
CN101006557A (zh) * 2004-11-17 2007-07-25 株式会社尼康 照明装置、曝光装置以及微元件的制造方法
JP4710406B2 (ja) * 2005-04-28 2011-06-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置
US7372049B2 (en) * 2005-12-02 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element
JP4904809B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-28 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP4989180B2 (ja) * 2006-10-13 2012-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系および露光装置

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