JP2009130366A - 照明光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

照明光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】反射光学素子に対するデブリ等の微粒子の付着量を減少できる照明技術を提供する。
【解決手段】露光光ＥＬを曲面ミラー２４、凹面ミラー２５等を介してレチクル面Ｒａに導く反射型の照明光学装置は、曲面ミラー２４、凹面ミラー２５等を収容する真空チャンバ１と、真空チャンバ１内に配置され、曲面ミラー２４を収容するサブチャンバ４Ｄとを備える。サブチャンバ４Ｄは、曲面ミラー２４に入射して射出される露光光ＥＬが通過する開口４Ｄａ，４Ｄｂを有し、開口４Ｄａ，４Ｄｂはそれぞれ光束の断面積が最も小さい位置の近傍に配置される。真空排気機構の能力を必要以上に向上させることなく、反射光学素子に対するデブリ等の微粒子の付着量を減少させることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置、この照明光学装置を備えた露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
露光波長を短波長化して解像度を高めるために、最近では、露光ビームとして波長が例えば１００ｎｍ程度以下の極端紫外光（Extreme Ultraviolet Light:以下、ＥＵＶ光という）を用いて、レチクル（マスク）を介してウエハ等の基板を露光する露光装置（以下、ＥＵＶ露光装置という。）が開発されている。ＥＵＶ露光装置においては、ＥＵＶ光を透過する光学部材がないため、照明光学系及び投影光学系等は、特定の光学フィルタ等を除いて反射光学部材を用いて構成され、レチクルも反射型で構成される。
また、ＥＵＶ光は気体によって吸収されるため、ＥＵＶ露光装置は、大気圧よりもかなり低い気圧の真空雰囲気を維持する真空チャンバ内に設置されている（例えば、特許文献１参照）。さらに、レーザプラズマ光源等の光源部に関しては、より真空度を高めるために独立の小型の真空チャンバ内に設けられることがある。
特開２００４−１５２８４３号公報
ＥＵＶ露光装置においては、露光を継続すると、光源部で発生するデブリ（飛散粒子）が照明光学系を構成する反射光学部材の反射面に付着して、この反射面の反射率が次第に低下することが知られている。この場合、反射率が許容範囲より低下した反射光学部材については、別の反射光学部材に交換する必要がある。また、反射光学部材を交換するときには、光学調整を行う必要があるため、特に反射光学部材の交換頻度が高くなると、露光装置の稼働率が大きく低下する。
また、反射光学部材の反射面の反射率の低下を抑制するために、露光装置全体が収容されている真空チャンバの真空度を向上させることは、必要以上に真空排気機構が大型化して、露光装置の運転コストが上昇する。
本発明はかかる事情に鑑み、真空排気機構の能力を必要以上に向上させることなく、反射光学素子に対するデブリ等の微粒子の付着量を減少できる反射型の照明技術、この照明技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
本発明による第１の態様に従えば、照明光を被照射面（Ｒａ）に導く反射型の照明光学装置（ＩＳＬ）であって、複数の反射光学素子（２１〜２５）を収容する第１チャンバ（１）と、その第１チャンバ内に配置され、その複数の反射光学素子のうちの第１の反射光学素子（２４）を収容する第２チャンバ（４Ｄ）とを備え、その第２チャンバは、その第１の反射光学素子に入射する照明光の光束が通過する第１開口部（４Ｄａ）と、その第１の反射光学素子で反射した照明光の光束が通過する第２開口部（４Ｄｂ）とを有し、その第１開口部は、その第１の反射光学素子に入射する光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍に配置され、その第２開口部は、その第１の反射光学素子で反射した光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍に配置される照明光学装置が提供される。
また、本発明の第２の態様に従えば、照明光を被照射面（Ｒａ）に導く反射型の照明光学装置（ＩＳＬ）であって、複数の反射光学素子（２１〜２５）を収容する第１チャンバ（１,４）と、その複数の反射光学素子のうちの第１の反射光学素子（２４）の反射面の近傍に配置された第１の排気ノズル（３７Ｄ，３９Ｄ）と、その第１の排気ノズルを介して、その第１の反射光学素子の反射面の近傍を排気する第１の排気装置（３３Ｄ，４０Ｂ）と、を備える照明光学装置（ＩＳＬ）が提供される。
本発明の第３の態様に従えば、照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置（ＩＳＬ）であって、複数の反射光学素子を収容する第１チャンバ（１,４）と、前記第１チャンバ内に配置され、前記複数の反射光学素子のうちの第１の反射光学素子（２４）を収容する第２チャンバ（４Ｄ）とを備え、第２チャンバ（４Ｄ）に設けられた円筒部（３７Ｄ，３８Ｄ）であって、前記第１の反射光学素子に入射または反射する前記照明光の光束が円筒部（３７Ｄ，３８Ｄ）の内部を通過するように前記第２チャンバから延在するとともに、前記第１の反射光学素子に入射または反射する光束の断面積が最も小さくなる位置（２７、２８）が前記円筒部内に存在する照明光学装置（ＩＳＬ）が提供される。
本発明に従えば、上記本発明の照明光学装置（ＩＳＬ）と、前記被照射面に配置可能な反射型原版の像を投影面に投影する投影光学系（ＰＯ）とを備え、前記投影光学系（ＰＯ）は、前記第１チャンバとは別の投影系チャンバ（６）内に収納される露光装置（１００）が提供される。さらに、本発明に従えば、本発明に従う露光装置を用いて前記投影面上に設置される基板を露光することと、前記露光された基板を処理すること（２２４）と、を含むデバイス製造方法が提供される。
なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。
本発明の第１の照明光学装置によれば、第１の反射光学素子は、照明光の光路に開口部が形成された個別のチャンバ内に収容される。また、その開口部の位置は照明光の断面積が小さい位置であるため、その開口部を小さくできる。
本発明の第２の照明光学装置によれば、第１の反射光学素子の反射面の近傍で第１の排気ノズルを介して局所的に真空排気又は微粒子を含む気体の吸引が行われる。
従って、これらの照明光学装置によれば、光源から拡散してくるデブリ等の微粒子がその第１の反射光学素子に付着しにくくなる。また、局所的に真空排気等を行うため、全体の雰囲気をより高真空にする場合に比べて、真空排気機構の能力を必要以上に向上させる必要がない。
本発明の第１の実施形態の露光装置の概略構成を示す断面図である。 （Ａ）は図１中の第１フライアイ光学系２２を示す図、（Ｂ）は図１中の第２フライアイ光学系２３を示す図である。 （Ａ）は図１のサブチャンバ４Ｃを示す斜視図、（Ｂ）は図１のサブチャンバ４Ｄを示す斜視図である。 本発明の第２の実施形態の露光装置の概略構成を示す断面図である。 上記の実施形態の露光装置を用いるデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
１…真空チャンバ、２…光源チャンバ、４…照明系チャンバ、４Ａ〜４Ｅ…照明系のサブチャンバ、６…投影系チャンバ、１０…レーザプラズマ光源、ＩＬＳ…照明光学系、Ｒ…レチクル、ＰＯ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、３２，３３Ａ〜３３Ｅ，４０Ａ，４０Ｂ…真空ポンプ、３３Ａａ〜３３Ｅａ，３９Ａ〜３９Ｅ…排気ノズル、３７Ａ〜３７Ｅ，３８Ａ，３８Ｄ…ノズル部材、１００，１００Ａ…露光装置
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態につき図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本実施形態の露光光ＥＬ（露光ビーム又は照明光）として波長が３〜５０ｎｍ程度の範囲内で例えば１１ｎｍ又は１３ｎｍ等のＥＵＶ光を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）１００の全体構成を概略的に示す断面図である。図１において、露光装置１００は、露光光ＥＬを発生するレーザプラズマ光源１０と、露光光ＥＬでレチクルＲ（マスク）を照明する照明光学系（光学系）ＩＬＳと、レチクルＲを移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターン面（以下、レチクル面という）Ｒａに形成されたパターンの像を、レジスト（感光材料）が塗布されたウエハ（感応基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＯとを備えている。さらに、露光装置１００は、ウエハＷを移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御系３１と、真空ポンプ等とを備えている。
本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が使用されているため、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯは、特定のフィルタ等（不図示）を除いて複数の反射光学部材（反射光学素子）より構成され、レチクルＲも反射型で構成される。これらの反射光学部材の反射面及びレチクル面Ｒａ（反射面）には、ＥＵＶ光を反射する多層の反射膜が形成されている。レチクル面Ｒａ上の反射膜上には、吸収層によって回路パターンが形成されている。また、露光光ＥＬの気体による吸収を防止するため、露光装置１００はほぼ全体として箱状の真空チャンバ１内に収容され、真空チャンバ１内の空間を排気管３２ａを介して真空排気するための大型の真空ポンプ３２が備えられている。さらに、真空チャンバ１内で露光光ＥＬの光路上の真空度をより高めるために光源チャンバ２、照明系のサブチャンバ４Ａ〜４Ｅ、投影系チャンバ６（詳細後述）が設けられている。
以下、図１において、ウエハステージＷＳＴが移動するガイド面（真空チャンバ１の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直にＸ軸を、図１の紙面に平行にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、レチクル面Ｒａ上での露光光ＥＬの照明領域は、Ｘ方向に細長い円弧状であり、露光時にレチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向に同期して走査される。
先ず、レーザプラズマ光源１０は、高出力のレーザ光源１１と、レーザ光源１１から真空チャンバ１の窓部材１５を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ１２と、キセノン又はクリプトン等のターゲットガスを噴出するノズル１４と、楕円形状の反射面を持つ集光ミラー（楕円反射鏡）１３とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。レーザプラズマ光源１０から放射された露光光ＥＬは、集光ミラー１３の第２焦点に集光する。その第２焦点に集光した露光光ＥＬは、凹面ミラー（コリメータ光学系）２１を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイ光学系２２及び２３からなるオプティカルインテグレータに導かれる。
一例として、第１フライアイ光学系２２は、図２（Ａ）に示すように、二次元的に配列された多数の円弧状の外形を有する反射ミラー要素２２ａより構成されている。第２フライアイ光学系２３は、第１フライアイ光学系２２の多数の反射ミラー要素２２ａに対応して、図２（Ｂ）に示すように、二次元的に配列された多数の矩形状の外形を有する反射ミラー要素２３ａより構成されている。フライアイ光学系２２及び２３のより具体的な構成及び作用については、例えば米国特許第６，４５２，６６１号明細書に開示されており、指定国または選択国の法令が許す範囲において米国特許第６，４５２，６６１号の開示を援用して本文の記載の一部とする。
図１において、第２フライアイ光学系２３の反射面の近傍（オプティカルインテグレータの射出面の近傍）には、所定形状を有する実質的な面光源が形成される。即ち、その実質的な面光源が形成される面は、照明光学系ＩＬＳの瞳面であり、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは、種々の形状の開口を有する複数の開口絞りを代表的に表しており、主制御系３１の制御のもとで、開口絞りＡＳを交換することによって、照明条件を通常照明、輪帯照明、２極照明、又は４極照明等に切り換えることができる。
開口絞りＡＳを通過した露光光ＥＬは、一度集光した後に曲面ミラー２４に入射し、曲面ミラー２４で反射された露光光ＥＬは、凹面ミラー２５で反射された後、視野絞り２６の開口を介して、レチクル面Ｒａの円弧状の照明領域を下方から斜めに均一な照度分布で照明する。曲面ミラー２４と凹面ミラー２５とからコンデンサ光学系が構成されている。コンデンサ光学系によって、第２フライアイ光学系２３の多数の反射ミラー要素からの光がレチクル面Ｒａの照明領域を重畳的に照明する。なお、図１の例では、曲面ミラー２４は凸面ミラーであるが、曲面ミラー２４を凹面ミラーより構成し、その分だけ凹面ミラー２５の曲率を小さくするようにしてもよい。凹面ミラー２１、フライアイ光学系２２，２３、開口絞りＡＳ、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの反射光学部材は、不図示のミラー保持部材を介して真空チャンバ１内に設けられたフレーム（不図示）に固定されている。
本実施形態の照明光学系ＩＬＳでは、コンデンサ光学系が、第２フライアイ光学系２３とレチクルＲとの間の光路中、言い換えれば、第２フライアイ光学系２３と曲面ミラー２５との間の光路中に、レチクルＲと光学的に共役な位置を形成している。すなわち、コンデンサ光学系は、この共役な位置にレチクルＲ上を照明する照明領域の倒立像を形成する結像光学系として機能している。また、照明光学系ＩＬＳを構成する反射光学部材（凹面ミラー２１、一対のフライアイ光学系２２及び２３、曲面ミラー２４、凹面ミラー２５）のうち、レチクルＲに最も近い反射光学部材（凹面ミラー２５）の反射面は、凹面状に形成されている。
本実施形態では、第２フライアイ光学系２３から曲面ミラー２４に向かう光路上で露光光ＥＬが一度集光する位置が、レチクル面Ｒａとの共役面（以下、レチクル共役面という）２７となる。なお、例えば曲面ミラー２４を第２フライアイ光学系２３に近付けることによって、レチクル共役面２７は、曲面ミラー２４から凹面ミラー２５に向かう光路上に形成することも可能である。また、視野絞り２６は、レチクル面Ｒａの近傍に配置されているが、視野絞り２６をレチクル共役面２７に配置することも可能である。
また、曲面ミラー２４と凹面ミラー２５との間の光路上に、照明光学系ＩＬＳの瞳面と共役な面２８が形成される。本実施形態では、曲面ミラー２４と凹面ミラー２５との間に形成される照明光学系ＩＬＳの瞳面と共役な位置（共役面２８）が曲面ミラー２４で反射した露光光ＥＬの光束のうち、断面積が最も小さくなる位置とみなすことができる。
なお、この照明光学系ＩＬＳのより具体的な構成及び作用については、米国仮出願番号６０／９３５３７５（出願日２００７年８月９日）とその本出願１２／１７０９３３（出願日２００８年７月１０日）及び、米国仮出願番号６０／９３５３７７（出願日２００７年８月９日）とその本出願１２／１７０２３６（出願日２００８年７月９日）に開示された内容を参照することができる。
次に、レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの底面に静電チャックＲＨを介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、真空チャンバ１の外面のＸＹ平面に平行なガイド面に沿って駆動系（不図示）によってＹ方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｘ方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）等にも微小量駆動される。レチクルＲは、真空チャンバ１の上面の開口を通して真空チャンバ１で囲まれた空間内に設置されている。レチクルステージＲＳＴを真空チャンバ１側に覆うようにパーティション８が設けられ、パーティション８内は不図示の真空ポンプによって大気圧と真空チャンバ１内の気圧との間の気圧に維持されている。
レチクル面Ｒａで反射された露光光ＥＬが視野絞り２６の開口を通過して投影光学系ＰＯに向かう。投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体（レチクルＲ）側に非テレセントリックで、像（ウエハＷ）側にテレセントリックの反射系であり、投影倍率は１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲで反射された露光光ＥＬは、投影光学系ＰＯを介してウエハＷ上の露光領域に投射され、レチクルＲのパターンの縮小像がウエハＷに転写される。投影光学系ＰＯにおいて、レチクルＲからの露光光ＥＬは、ミラーＭ１で上方（＋Ｚ方向）に反射され、続いてミラーＭ２で下方に反射された後、ミラーＭ３で上方に反射され、ミラーＭ４で下方に反射される。次にミラーＭ５で上方に反射された露光光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンの像を形成する。一例として、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ４，Ｍ６は凹面鏡であり、他のミラーＭ３，Ｍ５は凸面鏡である。なお、投影光学系ＰＯは、図１の構成には限定されず、反射光学部材の枚数も６枚以外、例えば８枚であってもよい。
一方、ウエハＷは、静電チャックＷＨを介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、駆動機構（不図示）によってＸ方向及びＹ方向に所定ストロ−クで駆動され、必要に応じて、Ｚ軸の周りの回転方向等にも駆動される。
ウエハＷ上の１つのダイ（ショット領域）を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系ＩＬＳによりレチクルＲの照明領域に照射され、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系ＰＯに対して投影光学系ＰＯの縮小倍率に従った所定の速度比でＹ方向に同期して移動する（同期走査される）。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の一つのダイに露光される。その後、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをステップ移動した後、ウエハＷ上の次のダイに対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の複数のダイに対して順次レチクルＲのパターンが露光される。
露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが投影光学系ＰＯのミラーＭ１〜Ｍ６に悪影響を与えないように、ウエハＷはパーティション７の内部に配置される。パーティション７には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション７内の空間は、主制御系３１の制御のもとで真空ポンプ３６により排気管３６ａを介して真空排気されている。
次に、本実施形態の露光装置１００の真空チャンバ１内の光源チャンバ２、照明系のサブチャンバ４Ａ〜４Ｅ、及び投影系チャンバ６につき詳細に説明する。
図１の真空チャンバ１内の空間において、レーザプラズマ光源１０の集光レンズ１２、集光ミラー１３、及びノズル１４の先端部は光源チャンバ２内に収容され、光源チャンバ２は不図示の真空ポンプによって真空排気されている。光源チャンバ２の端部は、集光ミラー１３の第２焦点の近傍であり、その端部に露光光ＥＬをケラレがない状態で通過させる開口が形成されたアパーチャ板３が設置されている。その第２焦点では露光光ＥＬの断面積が最も小さいため、その開口を小さくすることができ、アパーチャ板３によってレーザプラズマ光源１０で発生したデブリ（飛散粒子）の照明光学系ＩＬＳ側への通過量が抑制される。
次に、照明光学系ＩＬＳ内の凹面ミラー２１、第１フライアイ光学系２２、第２フライアイ光学系２３、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５は、それぞれ小型の箱状のサブチャンバ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，及び４Ｅ内に収容されている。これらのサブチャンバ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，及び４Ｅは、それぞれ排気ノズル３３Ａａ，３３Ｂａ，３３Ｃａ，３３Ｄａ，及び３３Ｅａを介して真空ポンプ３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ，及び３３Ｅによって真空排気されている。一例として、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅは、対応する凹面ミラー２１〜凹面ミラー２５の不図示のミラー保持部材とともに真空チャンバ１内に設けられたフレーム（不図示）に固定されている。
また、凹面ミラー２１を収容するサブチャンバ４Ａの露光光ＥＬが入射する部分及び射出する部分にはそれぞれ開口４Ａａ及び４Ａｂが形成され、開口４Ａａ及び４Ａｂを囲むように、円筒状のノズル部材３７Ａ及び３８Ａが設けられている。また、フライアイ光学系２２，２３を収容するサブチャンバ４Ｂ，４Ｃの露光光ＥＬが入射して射出する部分にはそれぞれ開口が形成され、これらの開口を囲むように円筒状のノズル部材３７Ｂ及び３７Ｃが設けられている。
代表的に図３（Ａ）に示すように、第２フライアイ光学系２３を収容するサブチャンバ４Ｃの開口４Ｃａを囲むように設けられるノズル部材３７Ｃは、入射光及び射出光を遮光しないように、次第に先端部が広がっている。
さらに、図１の曲面ミラー２４を収容するサブチャンバ４Ｄの露光光ＥＬが入射する部分及び射出する部分にはそれぞれ開口４Ｄａ及び４Ｄｂが形成されている。入射側の開口４Ｄａは、レチクル共役面２７又はこの近傍に配置され、射出側の開口４Ｄｂは照明光学系ＩＬＳの瞳面と共役な面２８又はこの近傍に配置されている。言い換えると、開口４Ｄａ及び４Ｄｂはそれぞれ曲面ミラー２４に入射する光束及び曲面ミラー２４から反射される光束の断面積が最も小さい位置又はこの近傍に配置されている。そして、開口４Ｄａ及び４Ｄｂを囲むように、かつ露光光ＥＬを囲むように円筒状のノズル部材３７Ｄ及び３８Ｄが設けられている。なお、「光束の断面積が最も小さい位置の近傍」とは、例えば、「光束の断面積が最も小さい位置」における光束の径φとしたときに２φまでの位置をいい、このような範囲とすることで、開口の断面積を光束に応じて小さくして反射光学素子を収容する個別チャンバへのデブリ等の微粒子の浸入を抑制できる。なお、図１では、レチクル共役面２７が開口４Ｄａより光入射側に位置するように例示されているが、ミラー２１〜２５などの配置を調整することによってレチクル共役面２７が開口４Ｄａに位置することは容易に理解されよう。
図３（Ｂ）に示すように、ノズル部材３７Ｄ及び３８Ｄは、それぞれ露光光ＥＬを遮光しないように、露光光ＥＬの断面形状にならって広がっている。すなわち、ノズル部材３７Ｄ及び３８Ｄは、サブチャンバ４Ｄから露光光ＥＬのミラー２４への入射光束又は反射光束に沿って延在する円筒であり、円筒の内径はサブチャンバ４Ｄ（ミラー２４）に近づくほど小さくなっている。図３（Ｂ）には図示していないが、光束の断面積が最も小さい位置（光束の収束部）、ここでは、レチクル共役面２７がノズル部材(円筒)３７Ｄ及び３８Ｄ内に位置している。あるいは、光束の収束部は、ノズル部材(円筒)３７Ｄ及び３８Ｄのサブチャンバ４Ｄ側端部、すなわち、開口４Ｄａ及び４Ｄｂに位置していてもよい。なお、サブチャンバ４Ａのノズル部材３７Ａのように、露光光ＥＬの断面形状にならってサブチャンバ４Ａ（ミラー２１）に近づくほどその内径が大きくなっていてもよい。 図１に戻り、凹面ミラー２５を収容するサブチャンバ４Ｅの露光光ＥＬが入射及び射出する部分にも開口が形成され、この開口を囲むように、かつ露光光を囲むように円筒状のノズル部材３７Ｅが設けられている。
アパーチャ板３、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅ、及びノズル部材３７Ａ〜３７Ｅ，３８Ａ，３８Ｄは、高耐熱性の材料であるモリブデン（Ｍｏ）、又はクロム−モリブデン鋼のようなモリブデン合金等から形成することが好ましい。
なお、例えばサブチャンバ４Ａには露光光ＥＬの入射用及び射出用に２つの開口が設けられているが、これらの開口を１つの開口にまとめることも可能である。逆に、サブチャンバ４Ｃ、４Ｅの開口を、入射用及び射出用の２つの開口に分離して形成することも可能である。
図１において、ターボポンプ等からなる真空ポンプ３２，３３Ａ〜３３Ｅはそれぞれ気圧計を備えており、この気圧計の計測値に基づいて主制御系３１が真空チャンバ１内の空間、及びサブチャンバ４Ａ〜４Ｅ内の空間が所定の真空度となるように真空ポンプ３２，３３Ａ〜３３Ｅを制御する。一例として、真空チャンバ１内の空間の気圧は１０-5Ｐａ程度、光源チャンバ２内の気圧は１０-6〜１０-7Ｐａ程度、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅ内の空間の気圧は１０-6Ｐａ程度である。即ち、真空チャンバ１内の空間に比べてサブチャンバ４Ａ〜４Ｅ内の真空度は高く設定されている。なお、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅはそれぞれ開口を介して真空チャンバ１内の空間と連通しているが、真空チャンバ１内も高真空であるため、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅの外部からサブチャンバ４Ａ〜４Ｅの内部に流入して来る気体の量は僅かである。
本実施形態では、真空ポンプ３３Ａ〜３３Ｅによってサブチャンバ４Ａ〜４Ｅ内を常時真空排気（吸引）することによって、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅ内の凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの各反射光学部材の反射面の近傍のデブリ等の微粒子を効率的に外部に排除することができる。さらに、露光光ＥＬがそれらの反射面の多層膜等に照射されることによって発生する微粒子も、同時に排除される。従って、これらの反射光学部材の反射面に対する微粒子の付着量が減少して、これらの反射光学部材の反射率が許容範囲より小さくなるまでの時間が長くなり、照明光学系ＩＬＳのメンテナンス間隔を長くでき、露光装置１００の稼働率が向上する。なお、真空ポンプ３２，３３Ａ〜３３Ｅは、露光装置１００や照明光学系ＩＬＳに備え付ける必要はなく、露光装置が設けられる現場に設けられた真空ポンプを用いてもよい。
特に曲面ミラー２４を収容するサブチャンバ４Ｄにおいては、開口４Ｄａ及び４Ｄｂはそれぞれ曲面ミラー２４に入射する光束及び曲面ミラー２４から反射される光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍にあるため、開口４Ｄａ及び４Ｄｂを小さくできる。従って、外部からサブチャンバ４Ｄ内に拡散する微粒子の量が減少して、曲面ミラー２４の反射面に対する微粒子の付着量が減少する。さらに、真空チャンバ１の内部とサブチャンバ４Ｄの内部との気圧差を大きくできるため、露光光ＥＬの透過率が向上し、露光装置１００のウエハ上での照度を向上できるため、スループットを向上できる。
また、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅにはそれぞれノズル部材３７Ａと３８Ａ；３７Ｂ；３７Ｃ；３７Ｄと３８Ｄ；３７Ｅが設けられているため、真空ポンプ３３Ａ〜３３Ｅの真空排気によって露光光ＥＬの光路上の気圧が低下する。従って、露光光ＥＬの透過率が向上し、スループットを向上できる。なお、光束収束部がノズル部材との関係で規定される場合を除いて、ノズル部材３７Ａ〜３７Ｅ，３８Ａ，３８Ｄは必ずしも設ける必要はない。ノズル部材３７Ａ〜３７Ｅ，３８Ａ，３８Ｄのいくつかを省略してもよい。例えば、サブチャンバ４Ｄのノズル部材３７Ｄ及び３８Ｄの一方のみを設けてもよい。 また、投影光学系ＰＯが投影系チャンバ６内に収容され、投影系チャンバ６内の空間は、真空ポンプ３５によって排気管３５ａを介して真空排気されている。投影系チャンバ６のレチクルＲと対向する部分には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、投影系チャンバ６のウエハＷと対向する部分にも、露光光ＥＬを通過させる開口が形成されている。
真空ポンプ３５も気圧計を備えており、この気圧計の計測値に基づいて主制御系３１が投影系チャンバ６内が所定の真空度となるように真空ポンプ３５を制御する。一例として、投影系チャンバ６内の空間の気圧は１０-5〜１０-6Ｐａ程度である。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
（１）図１の露光装置１００の照明光学装置（レーザプラズマ光源１０及び照明光学系ＩＬＳ）は、レーザプラズマ光源１０からの露光光ＥＬ（照明光）をレチクル面Ｒａ（被照射面）に導く反射型の照明光学装置において、凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの複数の反射光学素子を収容する真空チャンバ１（第１のチャンバ）と、真空チャンバ１内に配置され、曲面ミラー２４（第１の反射光学素子）を収容するサブチャンバ４Ｄ（第２のチャンバ）とを備えている。そして、サブチャンバ４Ｄは、曲面ミラー２４に入射する露光光ＥＬが通過する開口４Ｄａと、曲面ミラー２４で反射した露光光ＥＬが通過する開口４Ｄｂとを有し、開口４Ｄａは、曲面ミラー２４に入射する光束の断面積が最も小さい位置（レチクル共役面２７）又はその近傍に配置され、開口４Ｄｂは、曲面ミラー２４で反射した光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍（面２８）に配置される。
本実施形態によれば、曲面ミラー２４は露光光ＥＬの光路に開口４Ｄａ，４Ｄｂが形成された個別のサブチャンバ４Ｄ内に収容される。また、その開口４Ｄａ，４Ｄｂの位置は露光光ＥＬの断面積が小さい位置であるため、それらの開口を小さくできる。
従って、レーザプラズマ光源１０から拡散してくるデブリ等の微粒子が曲面ミラー２４の反射面に付着しにくくなるため、曲面ミラー２４の反射率が高く維持されて、照明光学系ＩＬＳのメンテナンス間隔を長くできる。また、局所的に真空空間を維持するため、真空チャンバ１内の全部の空間をより高真空にする場合に比べて、真空排気機構の能力を必要以上に向上させる必要がない。
（２）また、サブチャンバ４Ｄ内の圧力を真空チャンバ１内の圧力より低く制御する主制御系３１及び真空ポンプ３２，３３Ｄ（圧力制御装置）を備えているため、微粒子が吸引によって排除されるとともに、露光光ＥＬの透過率を高く維持できる。
また、照明光学系ＩＬＳは、多数の反射ミラー要素２３ａを有する第２フライアイ光学系２３（オプティカルインテグレータ）と、凹面ミラー２５（第２の反射光学素子）とを含み、曲面ミラー２４は、多数の反射ミラー要素２３ａの各々で反射された露光光ＥＬを開口４Ｄａを介して入射すると共に、開口４Ｄｂを介して射出し、凹面ミラー２５は、曲面ミラー２４で反射された露光光ＥＬをレチクル面に導いている。
この場合、曲面ミラー２４の反射率が高く維持されるため、多数の反射ミラー要素２３ａからの露光光ＥＬを正確に重畳してレチクル面を照明でき、レチクル面での照度分布の均一性が高く維持される。
（３）また、照明光学系ＩＬＳは、レチクル面までの間にレチクル共役面２７を形成する光学系を構成し、図１では、サブチャンバ４Ｄの開口４Ｄａはレチクル共役面２７の近傍（レチクル共役面２７上がより好ましい）に配置されている。レチクル共役面２７は、光束の断面積が最も小さいため、開口４Ｄａをほぼ最も小さくでき、微粒子の付着防止効果がより高くなる。
なお、仮に曲面ミラー２４の位置によって、曲面ミラー２４から凹面ミラー２５に向かう光路上で、かつ曲面ミラー２４の近傍にレチクル共役面２７が形成されるような場合には、開口４Ｄａは、曲面ミラー２４の反射面との間で必要な間隔（サブチャンバ４Ｄ内の気圧を真空チャンバ１内の気圧よりも低くできる間隔）を維持した上で、できるだけ曲面ミラー２４に近い位置に配置し、射出側の開口４Ｄｂをレチクル共役面２７に近い位置に配置してもよい。
（４）また、照明光学系ＩＬＳは、曲面ミラー２４と凹面ミラー２５との間に、照明光学系ＩＬＳの瞳面と共役な面２８を形成し、開口４Ｄｂはその面２８の近傍（瞳面又は面２８上がより好ましい）に配置されている。これによって、開口４Ｄｂを小さくできる。
また、サブチャンバ４Ｄ内の曲面ミラー２４の反射面の近傍に設けられた排気口を持つ排気ノズル３３Ｄａを含み、サブチャンバ４Ｄ内を真空チャンバ１内とは個別に減圧する真空ポンプ３３Ｄ（減圧装置）を備えている。従って、曲面ミラー２４の反射面の近傍のデブリ等の微粒子は吸引によって排除されるため、その反射面の反射率が高く維持される。また、その反射面の反射膜と露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）との相互作用で発生する微粒子も吸引で排除されるため、他の光学部材に対する悪影響が減少する。
（５）また、図１では、サブチャンバ４Ａ〜４Ｅが独立に真空ポンプ３３Ａ〜３３Ｅによって真空排気されているが、例えば複数のサブチャンバ（例えばサブチャンバ４Ｄ，４Ｅ）を共通の真空ポンプ（ターボポンプ等）によって真空排気してもよい。
（６）また、サブチャンバ４Ｄの２つの開口を通過する露光光ＥＬの光路を取り囲むノズル部材３７Ｄ，３８Ｄ（周囲部材）が設けられているため、露光光ＥＬの光路上の微粒子を吸引によって効率的に排除できるとともに、露光光ＥＬの光路の気圧を下げることができ、露光光ＥＬの透過率が向上する。ノズル部材３７Ｄ，３８Ｄのうちの一方を設けるだけでも、光路上からの微粒子の排除効果が向上する。また、ノズル部材３７Ｄ，３８Ｄの先端（サブチャンバ４Ｄと反対側）は、サブチャンバ４Ｄとその外部との物質（微粒子）及び光の出入口とみなすことができるので、ノズル部材３７Ｄ，３８Ｄ内に露光光ＥＬのミラー２４への入射光束又は反射光束の収束部が存在することにより、ノズル部材３７Ｄ，３８Ｄの内径を小さくして、ノズル部材３７Ｄ，３８Ｄの先端からのデブリ等の微粒子がサブチャンバ４Ｄ内に入りにくくすることができる。
（７）また、真空チャンバ１内に配置され、凹面ミラー２５を収容するサブチャンバ４Ｅ（第３チャンバ）を有し、サブチャンバ４Ｅは、凹面ミラー２５に入射する光束及び凹面ミラー２５で反射した光束が通過する開口部を有し、真空ポンプ３２，３３Ｅ（圧力制御装置）は、サブチャンバ４Ｅ内の圧力を真空チャンバ１内の圧力より低く制御する。これによって、レチクル面に近い凹面ミラー２５の反射面に対する微粒子の付着量も減少し、かつサブチャンバ４Ｅ内の露光光ＥＬの透過率が高く維持される。また、後続の投影光学系等に向かう微粒子の量が減少する。
このように複数の反射光学部材の反射面の近傍を局所的に真空排気する方式では、個々の真空ポンプ３３Ａ〜３３Ｅの能力（容量）は低くできるため、真空排気機構の能力を必要以上に高めることがない。
なお、サブチャンバ４Ａ，４Ｄに対する露光光ＥＬの入射角及び反射角が小さい場合には、サブチャンバ４Ｄの２つの開口４Ｅａ，４Ｄｂ及びサブチャンバ４Ａの２つの開口４Ａａ，４Ａｂは、一つの開口で兼用することも可能である。
（８）また、図１の露光装置１００は、上記の照明光学装置と、レチクル面Ｒａに配置可能な反射型原版の像をウエハＷの表面（投影面）に投影する投影光学系ＰＯとを備え、投影光学系ＰＯは、その照明光学装置の複数の反射光学素子が収納されるサブチャンバ４Ａ〜４Ｅとは別の投影系チャンバ６内に収納される。
この場合、照明光学装置の透過率が高いとともに、照明光学装置を通過したデブリ等の微粒子が投影光学系ＰＯ内に拡散しにくいため、投影光学系ＰＯの透過率も高く維持され、高いスループットで露光を行うことができる。
上記実施例において、ミラー２１〜２５についてそれぞれサブチャンバを設けたが、サブチャンバ４Ｄ以外のサブチャンバのすべてまたはいくつかを省略してもよい。
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態につき図４を参照して説明する。図４において、図１に対応する部分には同一又は類似の符号を付してその詳細な説明を省略する。
図４は、本実施形態の露光装置１００Ａの概略構成を示す断面図である。図４において、照明光学系ＩＬＳを構成する凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの全部の反射光学部材は真空チャンバ１内に設けられた照明系チャンバ４内に収容されている。光源チャンバ２と照明系チャンバ４とはアパーチャ板３によって連結されている。また、凹面ミラー２５からレチクル面Ｒａに向かう露光光ＥＬの光路上の照明系チャンバ４の隔壁に、露光光ＥＬを通過させる小さい開口が設けられている。
また、主制御系４１によって制御される真空ポンプ４０Ａ及び４０Ｂが設置され、真空ポンプ４０Ａに３つの排気ノズル３９Ａ，３９Ｃ，３９Ｅが接続され、真空ポンプ４０Ｂに２つの排気ノズル３９Ｂ，３９Ｄが接続されている。さらに、排気ノズル３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ，３９Ｄ，３９Ｅの先端の排気口は、それぞれ照明系チャンバ４内の凹面ミラー２１、第１フライアイ光学系２２、第２フライアイ光学系２３、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５の反射面の近傍に配置されている。この他の構成は、図１の実施形態と同様である。
図４において、照明系チャンバ４内の凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの全部の反射光学部材の反射面の近傍の気体を真空ポンプ４０Ａ及び４０Ｂによって吸引（真空排気）することによって、照明系チャンバ４内の気圧は真空チャンバ１内の気圧よりも低く設定されている。さらに、レーザプラズマ光源１０から照明系チャンバ４内に拡散してくるデブリ等の微粒子が、その反射面に付着する前に効率的に排除されるため、凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの反射面の反射率が高く維持される。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
（１）図４の実施形態の露光装置１００Ａの照明光学装置（レーザプラズマ光源１０及び照明光学系ＩＬＳ）は、露光光ＥＬ（照明光）をレチクル面Ｒａ（被照射面）に導く反射型の照明光学装置において、凹面ミラー２１から凹面ミラー２５までの複数の反射光学素子を収容する照明系チャンバ４（又は真空チャンバ１）と、曲面ミラー２４（第１の反射光学素子）の反射面の近傍に排気口が配置された排気ノズル３９Ｄと、排気ノズル３９Ｄから排気を行う真空ポンプ４０Ｂと、を備えている。
本実施形態によれば、曲面ミラー２４の反射面の近傍で排気ノズル３９Ｄを介して局所的に真空排気及び／又は微粒子を含む気体の吸引が行われる。従って、レーザプラズマ光源１０から拡散してくるデブリ等の微粒子が曲面ミラー２４の反射面に付着しにくくなる。また、特にその反射面の近傍で露光光ＥＬの透過率が高く維持される。また、局所的に真空排気等を行うため、全体の雰囲気をより高真空にする場合に比べて、真空排気機構の能力を必要以上に向上させる必要がない。
（２）なお、図４において、点線で示すように、照明系チャンバ４内で曲面ミラー２４を収容する箱状のサブチャンバ４Ｄ（第２チャンバ）を備えてもよい。これは他の凹面ミラー２１等も同様である。これによって、曲面ミラー２４に微粒子がさらに付着しにくくなる。
（３）また、凹面ミラー２５（第２の反射光学素子）の反射面の近傍に配置された排気口を有する排気ノズル３９Ｅと、排気ノズル３９Ｅから排気を行う真空ポンプ４０Ａとを備えている。従って、凹面ミラー２５においても反射率が高く維持されるとともに、特に凹面ミラー２５の反射面の近傍で露光光ＥＬの透過率が高く維持される。
また、上記の実施形態は以下のような変形が可能である。
（１）上述の実施形態では、露光光源としてレーザプラズマ光源を用いるものとしたが、これに限らず、ＳＯＲ（Synchrotron Orbital Radiation)リング、ベータトロン光源、ディスチャージド光源、Ｘ線レーザなどのいずれを用いても良い。
（２）また、上記実施形態では、露光ビームとしてＥＵＶ光を用い、６枚のミラーのみから成るオール反射の投影光学系を用いる場合について説明したが、これは一例である。例えば、特開平１１−３４５７６１号公報に開示されるような４枚のミラーのみから成る投影光学系を備えた露光装置は勿論、光源に波長１００〜１６０ｎｍのＶＵＶ光源、例えばＡｒ2 レーザ（波長１２６ｎｍ）を用い、４〜８枚等のミラーを有する投影光学系を備えた露光装置などにも本発明を適用することができる。
（３）また、照明光学系ＩＬＳの構成は、図１のように凹面ミラー２１から凹面ミラー２５を含む構成に限られず、要は複数の反射光学部材を含んでいればよい。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図５に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造してレジストを塗布するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置（ＥＵＶ露光装置）によりマスクのパターンを基板（感応基板）に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いてその投影面上に設置される基板（ウエハ）を露光することと、露光された基板を処理すること（ステップ２２４）とを含んでいる。この際に、上記の実施形態の露光装置によれば、レーザプラズマ光源１０で発生するデブリ等が照明光学系ＩＬＳのミラー等に付着しにくく、照明光学系ＩＬＳの透過率が高く維持されて、露光装置のメンテナンスコストが低減される。さらに、露光光ＥＬの強度が高く維持されるため、高機能のデバイスを高スループットに製造できる。
また、上記の実施形態の露光装置１００，１００Ａ（ＥＵＶ露光装置）は、本願の特許請求の範囲に挙げられた照明光学装置（レーザプラズマ光源１０、照明光学系ＩＬＳ）等の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
本発明の照明光学装置及びそれを有する露光装置によれば、デブリ等が照明光学系のミラー等に付着しにくいため、照明光学装置及び露光装置のメンテナンスコストが低減される。このため、本発明を用いることにより高機能デバイスを高スループットで製造するでき、それゆえ、本発明は、半導体産業を含む精密機器産業の国際的な発展に著しく貢献するであろう。

Claims (24)

  1. 照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置であって、
    複数の反射光学素子を収容する第１チャンバと、
    前記第１チャンバ内に配置され、前記複数の反射光学素子のうちの第１の反射光学素子を収容する第２チャンバとを備え、
    前記第２チャンバは、前記第１の反射光学素子に入射する前記照明光の光束が通過する第１開口部と、前記第１の反射光学素子で反射した前記照明光の光束が通過する第２開口部とを有し、
    前記第１開口部は、前記第１の反射光学素子に入射する光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍に配置され、
    前記第２開口部は、前記第１の反射光学素子で反射した光束の断面積が最も小さい位置又はその近傍に配置される照明光学装置。
  2. 前記第２チャンバ内の圧力を前記第１チャンバ内の圧力より低く制御する圧力制御装置を備える請求項１に記載の照明光学装置。
  3. 前記複数の反射光学素子は、多数の反射ミラー要素を有するオプティカルインテグレータと、第２の反射光学素子とを含み、
    前記第１の反射光学素子は、前記多数の反射ミラー要素の各々で反射された前記照明光を前記第１開口部を介して入射すると共に、前記第２開口部を介して射出し、
    前記第２の反射光学素子は、前記第１の反射光学素子で反射された前記照明光を前記被照射面に導く請求項１または請求項２に記載の照明光学装置。
  4. 前記複数の反射光学素子は、前記被照射面との間に、前記被照射面と共役な位置を形成する光学系を構成し、
    前記第１開口部は、前記共役な位置又はこの近傍の位置に配置される請求項３に記載の照明光学装置。
  5. 前記光学系は、前記第１の反射光学素子と前記第２の反射光学素子との間に、かつ前記光学系の瞳面の位置若しくは該瞳面と共役な位置を形成し、
    前記第２開口部は、前記光学系の瞳面の位置若しくは該瞳面と共役な位置に配置される請求項４に記載の照明光学装置。
  6. 前記第２チャンバ内の前記第１の反射光学素子の反射面の近傍に設けられた排気口を含み、前記第２チャンバ内を前記第１チャンバとは個別に減圧する減圧装置を備える請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  7. 前記減圧装置は、前記第２チャンバ内の前記排気口に接続される第１の真空ポンプを有する請求項６に記載の照明光学装置。
  8. 前記第１開口部及び前記第２開口部の少なくとも一方に設けられ、前記第１開口部及び前記第２開口部の少なくとも一方を通過する前記照明光の光路を取り囲む周囲部材が設けられた請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  9. 前記第２の反射光学素子を収容する第３チャンバを有し、
    前記第３チャンバは、前記第２の反射光学素子に入射する前記照明光の光束及び前記第２の反射光学素子で反射した前記照明光の光束が通過する開口部を有し、
    前記圧力制御装置は、前記第３チャンバ内の圧力を前記第１チャンバ内の圧力より低く制御する請求項３に記載の照明光学装置。
  10. 照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置であって、
    複数の反射光学素子を収容する第１チャンバと、
    前記複数の反射光学素子のうちの第１の反射光学素子の反射面の近傍に配置された第１の排気ノズルと、
    前記第１の排気ノズルを介して、前記第１の反射光学素子の反射面の近傍を排気する第１の排気装置と、
    を備える照明光学装置。
  11. 前記第１チャンバ内に配置され、前記第１の反射光学素子を収容する第２チャンバを備える請求項１０に記載の照明光学装置。
  12. 前記第１チャンバ内に配置され、前記複数の反射光学素子のうちの第２の反射光学素子を収容する第３のチャンバを備える請求項１１に記載の照明光学装置。
  13. 前記複数の反射光学素子のうちの第２の反射光学素子の反射面の近傍に配置された第２の排気ノズルと、
    前記第２の排気ノズルを介して、前記第２の反射光学素子の反射面の近傍を排気する第２の排気装置とを備える請求項１０又は請求項１１に記載の照明光学装置。
  14. 照明光を被照射面に導く反射型の照明光学装置であって、
    複数の反射光学素子を収容する第１チャンバと、
    前記第１チャンバ内に配置され、前記複数の反射光学素子のうちの第１の反射光学素子を収容する第２チャンバとを備え、
    第２チャンバに設けられた円筒部であって、前記第１の反射光学素子に入射または反射する前記照明光の光束が円筒部の内部を通過するように前記第２チャンバから延在するとともに、前記第１の反射光学素子に入射または反射する光束の断面積が最も小さくなる位置が前記円筒部内に存在する照明光学装置。
  15. 前記円筒部が、前記第１の反射光学素子に入射する前記照明光の光束が円筒部の内部を通過する第１円筒部と前記第１の反射光学素子から反射する前記照明光の光束が円筒部の内部を通過する第２円筒部とを備える請求項１４に記載の照明光学装置。
  16. 円筒部の内径は第２チャンバに近づくに従って小さくなる請求項１４に記載の照明光学装置。
  17. 第１円筒部と第２円筒部の延在方向が異なる請求項１５に記載の照明光学装置。
  18. 前記第２チャンバ内の圧力を前記第１チャンバ内の圧力より低く制御する圧力制御装置を備えることを特徴とする請求項１４に記載の照明光学装置。
  19. 前記第２チャンバが、モリブデンまたはその合金から形成されている請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の照明光学装置。
  20. 請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の照明光学装置と、
    前記被照射面に配置可能な反射型原版の像を投影面に投影する投影光学系とを備え、
    前記投影光学系は、前記第１チャンバとは別の投影系チャンバ内に収納される露光装置。
  21. 前記第１チャンバが前記投影系チャンバを収容する請求項２０に記載の露光装置。
  22. 前記第１チャンバと前記投影系チャンバを収容する装置チャンバを有する請求項２０に記載の露光装置。
  23. さらに、ＥＵＶ光源を備える請求項２０に記載の露光装置。
  24. 請求項２０から２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記投影面上に設置される基板を露光することと、
    前記露光された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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