JP2011150227A - 露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 例えばＥＵＶ光を用いる露光装置であって、高いスループットを達成することのできる露光装置。
【解決手段】 本発明の露光装置は、光源（１）より射出された光が集光する集光点（１ａ）からの光を用いて、第１面に設置される反射型のマスク（Ｍ）を照明する照明光学系と、マスクのパターンを第２面に設置される感光性基板（Ｗ）に投影する投影光学系（ＰＯ）とを備えている。集光点から投影光学系の光軸（ＡＸ）へ導いた垂線の長さをＤｈとし、第１面と第２面との光軸に沿った距離をＤｖとするとき、０．１２＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．３４の条件を照明光学系と投影光学系とが満足する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、リソグラフィ技術を利用して、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に使用される露光装置、さらには、その露光装置を用いて露光する工程を含むデバイス製造方法に関するものである。

従来、半導体素子などの各種デバイスを製造するための露光工程において、マスク（レチクル）上に形成された回路パターンを、投影光学系を介して感光性基板（たとえばウェハ）上に投影露光するために、一括露光型の投影露光装置（ステッパー）または走査露光型の投影露光装置（スキャニングステッパー）などの露光装置が使用されている。感光性基板にはレジストが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によりレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジストパターンが得られる。露光装置の解像力は、露光光の波長と投影光学系の開口数とに依存する。したがって、露光装置の解像力を向上させるには、露光光の波長を短くすることや、投影光学系の開口数を大きくすること等が必要になる。

一般に、投影光学系の開口数を所定値以上に大きくすることは光学設計の観点から困難であるため、露光光の短波長化が必要になる。そこで、半導体パターニングの次世代の露光方法（露光装置）として、ＥＵＶＬ（Extreme UltraViolet Lithography：極紫外リソグラフィ）の手法が注目されている。このＥＵＶＬの手法を用いたＥＵＶ露光装置では、５〜４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Extreme UltraViolet：極紫外線）光を用いる。露光光としてＥＵＶ光を用いる場合、使用可能な光透過性の光学材料が存在しなくなる。このため、ＥＵＶ露光装置では、照明光学系および投影光学系として反射光学系を用いるとともに、反射型のマスクを用いることになる（例えば、特許文献１を参照）。

米国特許出願公開第２００７／０２７３８５９号明細書

ＥＵＶ露光装置に限らず、一般の露光装置において、光学面での十分に高い透過率または反射率を確保し、ひいては高いスループットを達成することが望まれている。特に、ＥＵＶ露光装置では、光学系に用いられる各ミラーの反射膜の反射率が７０％程度と比較的小さいため、露光装置に使用されるミラーの枚数をできるだけ少なく抑えて露光にかかるスループットの低下を回避することは重要である。しかしながら、単純にミラー枚数を削減すると、パターンを照明する照明光に要求される高度な収差補正を達成することが困難となってしまう。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、例えばＥＵＶ光を用いる露光装置であって、高いスループットを達成することのできる露光装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明の第１の態様に従えば、光源より射出された光が集光する集光点からの光を用いて、第１面に設置される反射型のマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを第２面に設置される感光性基板に投影する投影光学系とを備えた露光装置において、
前記集光点から前記投影光学系の光軸へ導いた垂線の長さをＤｈとし、前記第１面と前記第２面との前記光軸に沿った距離をＤｖとするとき、
０．１２＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．３４
の条件を前記照明光学系と前記投影光学系とが満足することを特徴とする露光装置を提供する。

本発明の第２の態様に従えば、第１形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。

本発明の露光装置では、照明光学系において高い反射率を確保し、ひいては高いスループットを達成することができる。

本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 図１の光源の内部構成を概略的に示す図である。 本実施形態における１回の走査露光を概略的に説明する図である。 マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。

本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図２は、図１の光源の内部構成を概略的に示す図である。図１において、感光性基板であるウェハＷの表面（露光面）の法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハＷの表面において図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハＷの表面において図１の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。

図１を参照すると、本実施形態の露光装置には、光源１から露光光（照明光）が供給される。光源１として、たとえばレーザプラズマ光源を用いることができる。レーザプラズマ光源１は、図２に示すように、レーザ光源１１、集光レンズ１２、ノズル１４、楕円反射鏡１５、およびダクト１６を備えている。光源１では、たとえばキセノン（Ｘｅ）からなる高圧ガスがノズル１４より供給され、ノズル１４から噴射されたガスが気体ターゲット１３を形成する。そして、レーザ光源１１から発した光（非ＥＵＶ光）が、集光レンズ１２を介して、気体ターゲット１３上に集光する。

気体ターゲット１３は、集光されたレーザ光によりエネルギーを得てプラズマ化し、ＥＵＶ光を発する。気体ターゲット１３は、楕円反射鏡１５の第１焦点に位置決めされている。したがって、レーザプラズマ光源１から放射されたＥＵＶ光は、楕円反射鏡１５の第２焦点１ａに集光する。すなわち、第２焦点１ａは、光源１からの光が集光する集光点を構成している。一方、発光を終えたガスは、ダクト１６を介して吸引されて外部へ導かれる。光源１として、放電プラズマ光源や他のＸ線源を用いることもできる。

光源１から射出されて集光点１ａを形成した光は、必要に応じて配置された波長選択フィルタ（不図示）を介して、一対のフライアイ光学系２ａおよび２ｂからなるオプティカルインテグレータ２に入射する。波長選択フィルタは、光源１が供給する光から、所定波長（例えば１３．５ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを経たＥＵＶ光は、オプティカルインテグレータ２および斜入射ミラー３を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク（レチクル）Ｍを照明する。

第１フライアイ光学系２ａは、並列配置された複数の第１反射光学要素を有する。第２フライアイ光学系２ｂは、複数の第１反射光学要素に対応するように並列配置された複数の第２反射光学要素を有する。具体的に、フライアイ光学系２ａは例えば円弧状の外形を有する多数の凹面鏡要素を縦横に且つ稠密に配列することにより構成され、フライアイ光学系２ｂは例えば矩形状の外形を有する多数の凹面鏡要素を縦横に且つ稠密に配列することにより構成されている。フライアイ光学系２ａ，２ｂの詳細な構成および作用については、たとえば米国特許出願公開第２００２／００９３６３６Ａ１号明細書を参照して援用することができる。

オプティカルインテグレータ２に入射した光は、第２フライアイ光学系２ｂの反射面の近傍に、所定の形状を有する実質的な面光源を形成する。この実質的な面光源は、一対のフライアイ光学系２ａおよび２ｂを含む照明光学系の射出瞳位置に形成される。照明光学系の射出瞳位置（すなわち第２フライアイ光学系２ｂの反射面の近傍位置）は、逆瞳タイプの投影光学系ＰＯの入射瞳の位置と一致している。すなわち、投影光学系ＰＯは、マスクＭが配置された物体面を挟んで投影光学系ＰＯの反対側に所定距離だけ離れた位置に入射瞳を有する逆瞳タイプの投影光学系である。

実質的な面光源からの光、すなわち第２フライアイ光学系２ｂから射出された光は、斜入射ミラー３により反射された後、マスクＭ上に円弧状の照明領域を形成する。このように、オプティカルインテグレータ２および斜入射ミラー３は、光源１より射出された光が集光する集光点１ａからの光を用いて、投影光学系ＰＯの物体面に設置される反射型のマスクＭを照明する照明光学系を構成している。一例として、照明光学系は、ケーラー照明により反射型のマスクＭを照明する。また、第２フライアイ光学系２ｂとマスク４との間の光路中には、パワーを有する反射鏡が配置されていない。反射鏡のパワーとは、当該反射鏡の焦点距離の逆数である。なお、第２フライアイ光学系２ｂとマスク４との間の光路中にパワーを有する反射鏡を配置する構成も可能である。

マスクステージＭＳは、マスクＭをマスクＭのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように保持し、Ｙ方向に沿って移動できるように構成される。マスクステージＭＳの移動は、周知の構成を有するレーザ干渉計やエンコーダ（不図示）により計測される。照明されたマスクＭのパターンからの光は、反射光学系として構成された投影光学系ＰＯを介して、感光性基板であるウェハＷ上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、投影光学系ＰＯの像面に設置されたウェハＷ上には、後述するように、たとえばＹ軸に関して対称な円弧状の静止露光領域（実効露光領域）が形成される。

投影光学系ＰＯは、マスクＭのパターンの中間像を形成する第１反射結像光学系と、マスクパターンの中間像の像（マスクＭのパターンの二次像）をウェハＷ上に形成する第２反射結像光学系とにより構成されている。第１反射結像光学系は例えば４つの反射鏡（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）により構成され、第２反射結像光学系は２つの反射鏡（Ｍ５，Ｍ６）により構成されている。また、投影光学系ＰＯはウェハ側（像側）にテレセントリックな光学系である。この構成により、投影光学系ＰＯの焦点深度内でウェハＷに凹凸があっても良好な結像が可能になっている。

以下、説明を単純化するために、投影光学系ＰＯを構成するすべての反射鏡がＺ方向に延びる１本の直線状の光軸ＡＸに沿って配置される共軸光学系とする。ここで、光軸ＡＸとは、投影光学系ＰＯを構成する各ミラーの曲率中心を結んだ直線である。ウェハＷは、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージＷＳによって保持されている。ウェハステージＷＳの移動は、周知の構成を有するレーザ干渉計やエンコーダ（不図示）により計測される。

こうして、マスクステージＭＳおよびウェハステージＷＳをＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系ＰＯに対してマスクＭおよびウェハＷをＹ方向に沿って相対移動させながら走査露光（スキャン露光）を行うことにより、ウェハＷの１つの矩形状のショット領域にマスクＭのパターンが転写される。このとき、投影光学系ＰＯの投影倍率（転写倍率）が例えば１／４である場合、ウェハステージＷＳの移動速度をマスクステージＭＳの移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージＷＳをＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的にステップ移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハＷの各ショット領域にマスクＭのパターンが逐次転写される。

図３は、本実施形態における１回の走査露光を概略的に説明する図である。図３を参照すると、本実施形態の露光装置では、投影光学系ＰＯの円弧状の有効結像領域および有効視野に対応するように、Ｙ軸に関して対称な円弧状の静止露光領域ＥＲがウェハＷの表面上に形成され、同じくＹ軸に関して対称な円弧状の照明領域がマスクＭのパターン面上に形成される。この円弧状の露光領域ＥＲは、１回の走査露光（スキャン露光）によりウェハＷの矩形状の１つのショット領域ＳＲにマスクＭのパターンを転写する際に、図中実線で示す走査開始位置から図中破線で示す走査終了位置まで移動する。

本実施形態では、照明光学系と投影光学系ＰＯとが、次の条件式（１）を満足している。条件式（１）において、Ｄｈは光源１より射出された光が集光する集光点１ａから投影光学系ＰＯの光軸ＡＸへ導いた垂線の長さ（すなわち集光点１ａから投影光学系ＰＯの光軸ＡＸまでの距離）であり、ＤｖはマスクＭのパターン面が設置される投影光学系ＰＯの物体面（第１面）とウェハＷの転写面が設置される投影光学系ＰＯの像面（第２面）との光軸ＡＸに沿った距離（すなわち投影光学系ＰＯの全長）である（図１を参照）。
０．１２＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．３４ （１）

条件式（１）の下限値を下回ると、集光点から照明光学系を介してマスクＭに入射する光と、マスクＭを反射して投影光学系ＰＯ（またはマスクステージＭＳ）に入射する光との光線分離が困難になる。一方、条件式（１）の上限値を上回ると、光源から照明光学系を介してマスクＭに入射する光線の角度が大きくなるため、マスク反射率が低下してしまう。

換言すると、本実施形態の露光装置では、照明光学系と投影光学系ＰＯとが条件式（１）を満足しているので、光源１より射出された光が損なわれることがないため、高いスループットを達成することができる。

なお、本実施形態の効果をさらに良好に発揮するために、集光点１ａとマスクＭとの間に一対のフライアイ光学系２ａおよび２ｂを備えた露光装置を考える。このとき、次の条件式（２）を満足している。
０．２６＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．０４ （２）

条件式（２）の下限値を下回ると、フライアイ光学系２ａへ入射する光とフライアイ光学系２ａを反射する光との光線分離、および、フライアイ光学系２ａを反射しフライアイ光学系２ｂに入射する光とフライアイ光学系２ｂを反射する光との光線分離が困難になる。一方、条件式（２）の上限値を上回ると、フライアイ光学系２ａおよび２ｂを構成する各ミラー要素（例えば凹面鏡要素）の反射膜に入射する光の入射角度が大きくなり過ぎて、フライアイ光学系２ａおよび２ｂにおける光の反射率が低下してしまう。

換言すると、本実施形態の露光装置では、照明光学系と投影光学系ＰＯとが条件式を満足しているので、照明光学系において高い反射率を確保し、ひいては高いスループットを達成することができる。

また、本実施形態の効果をさらに良好に発揮するために、一対のフライアイ光学系２ａおよび２ｂとマスクＭとの間に斜入射ミラー３を備え、マスクＭへの光線の入射角度を５〜７°とした露光装置を考える。このとき、次の条件式（３）を満足している。
０．３３＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．００ （３）

条件式（３）の下限値を下回ると、斜入射ミラー３を介してマスクＭに入射する光とマスクＭを反射して投影光学系ＰＯに入射する光との分離が難しくなる。一方、条件式（３）の上限値を上回ると、斜入射ミラー３への光の入射角を所要の大きさに設定した場合、斜入射ミラー３の反射率が低下する。

換言すると、本実施形態の露光装置では、照明光学系と投影光学系ＰＯとが条件式を満足しているので、照明光学系、マスクＭにおいて高い反射率を確保するため、高いスループットを達成することができる。

なお、条件式（２），（３）にて設定した数値範囲は、下記事由により広く設定することができる。

例えば、数値範囲が上限値を超えて大きくなり過ぎると、露光装置のフットプリント（据え付け面積）が広くなり過ぎることが考えられる。しかし、露光装置のフットプリントが広く確保できる場合、上限値を超えて実施することが可能である。すなわち、露光装置のフットプリントを広く確保することができれば、上限値を超えたものについても本発明の権利範囲は適用される。

さらに、数値範囲が上限値を超えて大きくなり過ぎると、反射型マスクを利用する場合には、マスク上の凹凸によって光がけられてしまうために所望の結像パターンを得ることが困難となる。しかし、マスク上の凹凸のないマスクを用いることができる場合、上限値を超えて実施することが可能である。すなわち、マスク上の凹凸のないマスクを用いることができれば、上限値を超えたものについても本発明の権利範囲は適用される。

一方、数値範囲が下限値を超えて小さくなり過ぎると、斜入射ミラー３の有効径及び有効領域の増大が生じることが考えられる。しかし、斜入射ミラー３の有効径及び有効領域が増大できる場合、下限値を超えて実施することが可能である。すなわち、斜入射ミラー３の有効径及び有効領域が増大できれば、下限値を超えたものについても本発明の権利範囲は適用される。なお、斜入射ミラー３の有効径及び有効領域が増大できる場合とは、例えば、有効径及び有効領域の大きな斜入射ミラー３を設置しても、露光光ＥＬを遮ることがないよう設計する場合や、斜入射ミラー３を低コストで作製できる場合、また、斜入射ミラー３を軽量化して作製できる場合のことである。

なお、上述の実施形態では、投影光学系ＰＯが反射光学系であって、かつ、すべての反射鏡が１本の直線状の光軸ＡＸに沿って配置される共軸光学系である。しかしながら、投影光学系の具体的な構成については様々な形態が可能である。投影光学系が直線状に延びる１本の光軸を有しない偏心光学系の場合、条件式（１）のパラメータであるＤｈおよびＤｖの決定に際して、光軸ＡＸとして投影光学系ＰＯから感光性基板へ光を形成する最後のミラー（図１では、ミラーＭ６）の曲率中心を通り、Ｚ軸に平行な直線とする。

また、上述の実施形態では、逆瞳タイプの投影光学系を例にとって本発明を説明しているが、これに限定されることなく、正瞳タイプの投影光学系に対しても同様に本発明を適用することができる。なお、正瞳タイプの投影光学系とは、物体面を挟んで光学系側に入射瞳を有する投影光学系である。

また、上述の実施形態では、１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ光を例示的に用いているが、これに限定されることなく、例えば５〜４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ光や、他の適当な波長の光を使用する露光装置に対しても同様に本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行っても良い。

次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図４は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図４に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハＷに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、上述の実施形態の露光装置を用い、マスク（レチクル）Ｍに形成されたパターンをウェハＷ上の各ショット領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウェハＷの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。その後、ステップＳ４６によってウェハＷの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハＷの表面に対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。

ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウェハＷの表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウェハＷの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップＳ４４では、上述の実施形態の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハＷを感光性基板としてパターンの転写を行う。

なお、上述の実施形態では、ＥＵＶ光を供給するための光源としてレーザプラズマＸ線源を用いているが、これに限定されることなく、ＥＵＶ光としてたとえばシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光を用いることもできる。

また、上述の実施形態では、ＥＵＶ光を供給するための光源を有する露光装置に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、ＥＵＶ光以外の他の波長光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を適用することができる。

また、上述の実施形態では、マスクＭの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを動的に形成する可変パターン形成装置を用いることができる。このような可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含むＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）を用いることができる。ＤＭＤを用いた露光装置は、例えば米国特許公開第２００７／０２９６９３６号公報や第２００９／０１２２３８１号公報に開示されている。

また、上述の実施形態では、露光装置に対して本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、光源より射出された光が集光する集光点からの光を用いて第１面に設置される反射型のマスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンを第２面に設置される感光性基板に投影する投影光学系とを備えた露光装置に対しても同様に本発明を適用することができる。

１ 光源
２ オプティカルインテグレータ
２ａ，２ｂ フライアイ光学系
３ 斜入射ミラー
１１ レーザ光源
１３ 気体ターゲット
１４ ノズル
１５ 楕円反射鏡
Ｍ マスク
ＭＳ マスクステージ
ＰＯ 投影光学系
Ｗ ウェハ
ＷＳ ウェハステージ
ＥＲ 静止露光領域

Claims (13)

1. 光源より射出された光が集光する集光点からの光を用いて、第１面に設置される反射型のマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを第２面に設置される感光性基板に投影する投影光学系とを備えた露光装置において、
   前記集光点から前記投影光学系の光軸へ導いた垂線の長さをＤｈとし、前記第１面と前記第２面との前記光軸に沿った距離をＤｖとするとき、
   ０．１２＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．３４
   の条件を前記照明光学系と前記投影光学系とが満足することを特徴とする露光装置。
2. 前記照明光学系は、前記集光点と前記第１面との間の光路中に配置され、並列配置された複数の第１反射光学要素を有する第１フライアイ光学系と前記複数の第１反射光学要素に対応するように並列配置された複数の第２反射光学要素を有する第２フライアイ光学系とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. ０．１２＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．３４の前記条件に代えて、
   ０．２６＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．０４
   の条件を前記照明光学系と前記投影光学系とが満足することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 前記照明光学系は、前記第２フライアイ光学系と前記第１面との間の光路中に配置され、前記反射型のマスクを照明する斜入射ミラーをさらに有することを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
5. ０．１２＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．３４または０．２６＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．０４の前記条件に代えて、
   ０．３３＜Ｄｈ／Ｄｖ＜１．００
   の条件を前記照明光学系と前記投影光学系とが満足することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
6. 前記投影光学系の入射瞳は、前記第１面を挟んで前記投影光学系の反対側、または前記第１面で折り返されて前記照明光学系の内部に位置していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
7. 前記照明光学系の射出瞳と前記投影光学系の入射瞳とが一致することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
8. 前記照明光学系の射出瞳に前記第２フライアイ光学系の反射面を配置することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
9. 前記第２フライアイ光学系と前記第１面との間に、パワーを有する反射鏡がないことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
10. 前記投影光学系は反射光学系であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置。
11. 前記投影光学系は、前記感光性基板側にテレセントリックな光学系であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の露光装置。
12. 前記光源から供給される光は波長が５ｎｍ乃至４０ｎｍのＥＵＶ光であり、
    前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板に投影露光することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
    前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
    前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。

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