TWI643243B - 微影方法及裝置 - Google Patents

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TWI643243B
TWI643243B TW102133983A TW102133983A TWI643243B TW I643243 B TWI643243 B TW I643243B TW 102133983 A TW102133983 A TW 102133983A TW 102133983 A TW102133983 A TW 102133983A TW I643243 B TWI643243 B TW I643243B
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提姆瑟 法蘭西斯 參格
克力斯坦 路易斯 范倫丁
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Abstract

本發明揭示一種使用一極紫外線(EUV)微影裝置將一經圖案化區域曝光於一基板上之方法，該EUV微影裝置具有約5倍之一縮小率及約0.4之一數值孔徑。該方法包含：使用一第一曝光將該經圖案化區域之一第一部分曝光於該基板上，該第一部分之尺寸顯著小於一習知曝光之尺寸；及使用一或多個額外曝光將該經圖案化區域之一或多個額外部分曝光於該基板上，該等額外部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸。該方法進一步包含重複以上各者以將一第二經圖案化區域曝光於該基板上，該第二經圖案化區域具備與該第一經圖案化區域相同的圖案，其中該第一經圖案化區域之中心點與該第二經圖案化區域之中心點之間的一距離對應於一習知曝光之一尺寸。

Description

微影方法及裝置
本發明係關於一種微影方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經 印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可需要提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置能夠投影臨界尺寸小於可使用習知EUV微影裝置而達成之臨界尺寸之圖案。
根據本發明之一第一態樣，提供一種使用一EUV微影裝置將一經圖案化區域曝光於一基板上之方法，該EUV微影裝置具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，該方法包含：使用一第一曝光將該經圖案化區域之一第一部分曝光於該基板上，該第一部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸；及使用一或多個額外曝光將該經圖案化區域之一或多個額外部分曝光於該基板上，該一或多個額外部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸，該方法進一步包含重複以上各者以將一第二經圖案化區域曝光於該基板上，該第二經圖案化區域具備與該第一經圖案化區域相同的圖案，其中該第一經圖案化區域之一中心點與該第二經圖案化區域之一中心點之間的一距離對應於一習知曝光之一尺寸。
該第一經圖案化區域之該中心點與該第二經圖案化區域之該中心點之間的該距離可為大約26毫米或大約33毫米。
該第一經圖案化區域之尺寸可對應於一習知曝光之尺寸。
該第一經圖案化區域可為大約26毫米乘大約33毫米。
每一經圖案化區域可包含複數個晶粒。
每一曝光可包含複數個晶粒。
可使用同一光罩來曝光該第一部分及該一或多個額外部分。
該光罩可為一6吋光罩。
可藉由曝光該第一部分及一個額外部分而形成每一經圖案化區域。
可藉由曝光該第一部分及三個額外部分而形成每一經圖案化區域。
該等曝光可為掃描曝光。
曝光於該基板上之每一部分可在橫向於掃描方向之一方向上小於大約17毫米。
該第一部分及該一或多個額外部分可包含一晶粒之不同部分，該一或多個額外圖案部分包括與該第一圖案部分之特徵連接的特徵。
可使用同一光罩來曝光該第一圖案部分及一第二圖案部分，該方法進一步包含在該第一圖案部分曝光於該基板上之後移動該光罩以允許該第二圖案部分曝光於該基板上，或反之亦然。
在曝光該第一圖案部分之後移動該光罩以允許曝光該第二圖案部分可在將該第一圖案部分多次曝光於該基板上之後發生，或反之亦然。
該光罩可為一450毫米半導體晶圓。
該等圖案可各自具有大於2：1之一縱橫比。
可使用一第一光罩來曝光該第一圖案部分，且可使用一第二光罩來曝光該第二圖案部分。
該第一光罩及該第二光罩可為6吋光罩。
該微影裝置可具有至少大約8倍之一縮小率。
該微影裝置可具有至少大約0.6之一數值孔徑。
該微影裝置可經組態以曝光大約17毫米乘大約26毫米之一第一部分。
該微影裝置可經組態以曝光大約17毫米乘大約13毫米之一第一部分。
根據本發明之一第二態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置經組態以執行本發明之第一態樣之方法。
根據本發明之一第三態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該EUV微影裝置進一步包含一控制系統，該控制系統經組態以移動該支撐結構及該基板台，使得：使用一第一曝光將經圖案化區域之一第一部分曝光於該基板上，該第一部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸；且使用一或多個額外曝光將該經圖案化區域之一或多個額外部分曝光於該基板上，該一或多個額外部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸，重複以上各者以將一第二經圖案化區域曝光於該基板上，該第二經圖案化區域具備與該第一經圖案化區域相同的圖案，其中該第一經圖案化區域之一中心點與該第二經圖案化區域之一中心點之間的一距離對應於一習知曝光之一尺寸。
根據本發明之一第四態樣，提供一種使用一EUV微影裝置將一經圖案化區域曝光於一基板上之方法，該EUV微影裝置具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，該方法包含：使用一第 一曝光將該經圖案化區域之一第一部分曝光於該基板上，該第一部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸；及使用一或多個額外曝光將該經圖案化區域之一或多個額外部分曝光於該基板上，該一或多個額外部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸，其中藉由該經曝光第一部分及該一或多個額外經曝光部分而形成之該經圖案化區域之尺寸對應於一習知曝光之尺寸。
根據本發明之一第五態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置經組態以執行本發明之第四態樣之方法。
根據本發明之一第六態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該EUV微影裝置進一步包含一控制系統，該控制系統經組態以移動該支撐結構及該基板台，使得：使用一第一曝光將經圖案化區域之一第一部分曝光於該基板上，該第一部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸；且使用一或多個額外曝光將該經圖案化區域之一或多個額外部分曝光於該基板上，該一或多個額外部分具有顯著小於一習知曝光之尺寸的尺寸，其中藉由該經曝光第一部分及該一或多個額外經曝光部分而形成之該經圖案化區域之尺寸對應於一習知曝光之尺寸。
該經圖案化區域可為大約26毫米乘大約33毫米。
根據本發明之第七態樣，提供一種使用一EUV微影裝置將一圖案曝光於一基板上之方法，該EUV微影裝置具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，該方法包含：使用一第一掃描曝光 將該圖案之一第一部分曝光於該基板上；及使用一第二掃描曝光將該圖案之一第二部分曝光於該基板上，其中該圖案之該第二部分包括與該圖案之該第一部分之特徵連接的特徵。
根據本發明之一第八態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該EUV微影裝置進一步包含一控制系統，該控制系統經組態以移動該支撐結構及該基板台，使得藉由一第一掃描曝光將一第一圖案部分投影至該基板上且藉由一第二掃描曝光將一第二圖案部分投影至該基板上，該第二圖案部分鄰接於該第一圖案部分且藉此形成一組合式圖案。
該控制系統可經組態以在該第一掃描曝光之後在橫向於掃描方向之一方向上移動該支撐結構，藉此定位該圖案化器件以允許執行該第二掃描曝光。
該支撐結構可經組態以支撐一單一光罩。
該支撐結構可經組態以支撐寬大約450毫米之一光罩。
該支撐結構可經組態以同時地支撐複數個光罩。
該支撐結構可經組態以支撐寬6吋之光罩。
該支撐結構可具備一主動式冷卻系統。
該支撐結構可具備在一光罩收納表面處之複數個致動器，每一致動器經組態以在使用時在實質上垂直於該光罩之一經圖案化表面之一方向上移動該光罩之一部分。
該投影系統可具有大約8倍或更大之一縮小率。
該投影系統可具有大約0.6或更大之一數值孔徑。
根據本發明之一第九態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該支撐結構具備一主動式冷卻裝置。
根據本發明之一第十態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該支撐結構包括在一光罩收納表面處之複數個致動器，每一致動器經組態以在使用時在實質上垂直於該光罩之一經圖案化表面之一方向上移動該光罩之一部分。
根據本發明之一第十一態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該支撐結構經組態以支撐寬大約450毫米之一光罩。
根據本發明之一第十二態樣，提供一種微影光罩，該微影光罩 包含一基板，包含EUV輻射吸收特徵及EUV輻射反射特徵之圖案提供於該基板上，其中一第一圖案及一第二圖案提供於該微影光罩上，該第二圖案不同於該第一圖案且與該第一圖案隔開，該第二圖案之一邊緣包括經配置以與該第一圖案之一邊緣處之特徵連接的特徵。
該基板可寬300毫米或更大。
該基板可為一晶圓。
該晶圓可具有大約450毫米之一直徑。
該第一圖案及該第二圖案可在橫向於在使用期間將發生掃描曝光之一方向的一方向上彼此隔開。
該第一圖案及該第二圖案可具有大於2：1之一縱橫比。
該第一圖案及該第二圖案可各自具有100毫米或更大之一寬度。
根據本發明之一第十三態樣，提供一種積體電路，該積體電路包含一第一層，該第一層具有已使用由一EUV微影裝置投影之兩個或兩個以上圖案部分而形成之一圖案，且該積體電路包括後續層，該等後續層中每一者包含已由一習知微影裝置投影為一單次曝光之一圖案。
該積體電路可為大約26毫米乘大約33毫米。
根據本發明之一第十四態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面中向該EUV輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少大約5倍之一縮小率及至少大約0.4之一數值孔徑，且其中該微影裝置經組態成使得其具有對應於一習知曝光場之一分率的一最大曝光場。
該最大曝光場可為該習知曝光場的一半或該習知曝光場的四分 之一。該最大曝光場可為該習知曝光場的三分之一、六分之一或八分之一，或可為該習知曝光場之某一其他分率。
該習知曝光場可為大約26毫米乘大約33毫米。
根據本發明之一第十五態樣，提供一種光罩，該光罩具備用於圖案化EUV輻射之一圖案，該光罩具有大約300毫米之一直徑。
該光罩可為大體上圓形。
該光罩可具有大約900微米或更小之一厚度。
提供於該光罩上之該圖案可為大約200毫米乘大約150毫米。
該光罩可由矽形成。該光罩可由一矽晶圓形成。
根據本發明之一第十六態樣，提供一種EUV微影裝置，該EUV微影裝置包含一支撐結構，該支撐結構經建構以支撐具有大約300毫米之一直徑之一光罩。
該支撐結構可為經建構以固持一300毫米晶圓之一晶圓台。
本發明之實施例中任一者之特徵可與本發明之其他實施例之合適特徵進行組合。
2‧‧‧材料層
4‧‧‧材料層
5‧‧‧有效反射平面
6a‧‧‧極紫外線(EUV)吸收材料
6b‧‧‧極紫外線(EUV)吸收材料
10a‧‧‧曝光隙縫
10b‧‧‧曝光隙縫
10c‧‧‧曝光隙縫
10d‧‧‧曝光隙縫
11‧‧‧邊界
12a‧‧‧晶粒
12b‧‧‧晶粒
12c‧‧‧晶粒
12d‧‧‧晶粒
12e‧‧‧晶粒
12f‧‧‧晶粒
12g‧‧‧晶粒
12h‧‧‧晶粒
12i‧‧‧晶粒
12j‧‧‧晶粒
12k‧‧‧晶粒
12l‧‧‧晶粒
13a‧‧‧切割道
13b‧‧‧切割道
13c‧‧‧切割道
13d‧‧‧切割道
13e‧‧‧切割道
13f‧‧‧切割道
13g‧‧‧切割道
13h‧‧‧切割道
13i‧‧‧切割道
17‧‧‧定位器
18‧‧‧框架
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化輻射光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
32‧‧‧流體儲集器
33‧‧‧導管
34‧‧‧致動器
100‧‧‧微影裝置
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
A‧‧‧曝光場
B‧‧‧輻射光束(圖1)/經圖案化區域(圖5b)
B1‧‧‧第一曝光場/第一部分
B2‧‧‧第二曝光場/第二部分
C‧‧‧經圖案化區域
C1‧‧‧第一曝光場/第一部分
C2‧‧‧第二曝光場/第二部分
CO‧‧‧輻射收集器/近正入射收集器光學件
CS‧‧‧控制系統
D‧‧‧經圖案化區域
D1‧‧‧第一曝光場/第一光罩/第一圖案
D2‧‧‧第二曝光場/第二光罩/第二圖案
E‧‧‧經圖案化區域
E1‧‧‧第一曝光場/部分
E2‧‧‧第二曝光場/部分
E3‧‧‧曝光場/部分
E4‧‧‧曝光場/部分
F‧‧‧目標部分(圖1)/經圖案化區域(圖6b)
F1‧‧‧曝光
F2‧‧‧曝光
F3‧‧‧曝光
F4‧‧‧曝光
G1‧‧‧第一經圖案化區/第一圖案
G2‧‧‧第二經圖案化區/第二圖案
H‧‧‧圖案
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/晶圓台
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2為微影裝置100之更詳細視圖；圖3為圖1及圖2之裝置之源收集器裝置SO的更詳細視圖；圖4示意性地說明EUV輻射與反射光罩之相互作用；圖5a至圖5d示意性地說明可由本發明之實施例曝光之曝光場；圖6a至圖6b亦示意性地說明可由本發明之實施例曝光之曝光場；圖7示意性地說明根據本發明之一實施例之光罩；圖8示意性地說明根據本發明之一實施例之光罩；及 圖9示意性地說明根據本發明之一實施例之支撐結構。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器裝置SO之微影裝置100。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分F(例如，包含一或多個晶粒)上。目標部分F可被稱作曝光場。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的 任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器裝置SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器裝置SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於 源收集器裝置中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器裝置可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且雷射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器裝置。
在常常被稱為放電產生電漿(DPP)之替代方法中，藉由使用放電以使燃料汽化來產生EUV發射電漿。燃料可為具有在EUV範圍內之一或多種發射譜線之元素，諸如，氙、鋰或錫。放電可由電力供應器產生，電力供應器可形成源收集器裝置之部件或可為經由電連接而連接至源收集器裝置之分離實體。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分F上。目標部分F可被稱作曝光場。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分F定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記 M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
微影裝置之操作可受到控制系統CS控制。舉例而言，控制系統CS可包含微處理器或某一其他處理器件。控制系統CS可經組態以控制圖案化器件MA及基板台WT之定位。控制系統CS可藉由控制第一定位器PM及第二定位器PW之操作而進行此控制。
舉例而言，所描繪裝置可用於掃描模式中，其中在將被賦予至輻射光束之圖案投影至基板W上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率及影像反轉特性而判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。入射於基板W上之經圖案化輻射光束26可包含輻射帶。該輻射帶可被稱作曝光隙縫(exposure slit)。在掃描曝光期間，基板台WT及支撐結構MT之移動可使得曝光隙縫行進遍及基板W之曝光場。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL、投影系統PS及控制系統CS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構220中。EUV輻射發射電漿210可藉由放電產生電漿源而形成。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中創製極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來創製極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖2所說明，收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對 稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
或者，源收集器裝置SO可為如圖3所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
在本發明之一實施例中，EUV微影裝置之投影系統PS具備至少大約5倍之縮小率。該縮小率可(例如)為大約6倍、可(例如)為大約8倍，或可為某一其他值。術語「至少大約5倍」可被解譯為涵蓋4.5倍或更大之縮小率。其可被解譯為涵蓋4.9倍或更大之縮小率。全文以引用方式併入本文中之US6556648中描述能夠提供大於4倍之縮小率之投影系統組態。在此文件中，當提及縮小率時不考量影像反轉，且因此將縮小率值表達為量值。
增加投影系統之縮小率有利，此係因為其允許投影系統PS之基板側上之數值孔徑(NA)增加，而不增加投影系統之光罩側上之數值孔徑。在此內容背景中，術語「投影系統之基板側」意欲意謂最接近於基板台WT的投影系統之部分(此部分亦可被稱作投影系統之射出口(exit))。術語「投影系統之光罩側」意欲意謂最接近於支撐結構MT的投影系統之部分(此部分亦可被稱作投影系統之進入口(entrance))。
自(例如)圖2應瞭解，輻射光束21不垂直地入射於光罩MA上，而是以一角度入射於光罩上。由輻射光束相對於自光罩MA延伸之垂直線而對向之角度可被稱作主射線角(chief ray angle)。主射線角可經選擇成使得在考量投影系統之進入口處的投影系統PS之數值孔徑的情況下，由投影系統俘獲之輻射之俘獲角不與自光罩延伸之垂直線重疊。 因為投影系統PS之俘獲角隨著投影系統之數值孔徑增加而增加，所以此意謂投影系統之進入口側上之數值孔徑的增加必須伴隨有輻射光束之主射線角的增加。
圖4中示意性地表示在主射線角增加時出現之問題。圖4以橫截面展示光罩MA之部件。該光罩包含具有不同折射率之一系列交替材料層2、4。材料層2、4之厚度及折射率係使得該等材料充當多層鏡面結構。入射於光罩MA上之EUV輻射係由多層鏡面結構反射，如由圖4中之一系列射線示意性地所表示。所展示之EUV輻射射線之主射線角φ被指示。EUV輻射之有效反射平面位於多層堆疊內(例如，在說明中之大約16個層之後)，該有效反射平面係由點線5說明。
藉由將EUV吸收材料提供於多層鏡面結構之上部表面上而將圖案形成於光罩MA上。在圖4中，此EUV吸收材料係由兩個區塊6a、6b示意性地表示。區塊6a、6b具有寬度w且具有高度h。若EUV輻射垂直地入射於光罩MA上，則EUV吸收材料區塊6a、6b之高度h將對自光罩MA反射之輻射無影響。入射於多層鏡面結構上之輻射將反射，且入射於吸收區塊6a、6b之上部表面上之輻射將不反射。然而，因為EUV輻射以一角度入射於光罩MA上，所以由多層結構反射之一些EUV輻射受到吸收區塊6a、6b之側阻擋。在涉及區塊6a、6b對EUV輻射之效應的程度上，此情形將增加該等區塊之有效寬度。另外，因為EUV輻射未自多層結構之表面反射，而是有效地自多層結構內反射，所以已由多層結構反射之一些EUV輻射將受到吸收材料區塊6a、6b之下部表面阻擋。圖4中示意性地展示此情形。再次，此情形增加輻射吸收材料區塊6之有效寬度。圖4中之粗射線指示未受到第一輻射吸收材料區塊6a阻擋之EUV輻射。可看出，在自光罩MA反射時之射線之間的分離度顯著大於區塊6a之寬度。因此，區塊6a具有顯著大於該區塊之寬度w的有效寬度w eff 。相似地，區塊6a具有顯著大於該區塊之高度h的 有效高度h eff 。
自圖4應理解，增加入射EUV輻射之主射線角φ將會增加光罩MA上之吸收區塊6a、6b之有效寬度w eff 。此情形可不理想，此係因為其可對由投影系統PS投影之影像之可達成臨界尺寸(CD)具有負面影響及/或可造成經投影影像之其他非想要修改。然而，如上文所解釋，若至投影系統之進入口處之數值孔徑將被增加，則可需要主射線角之增加。
增加由投影系統PS提供之縮小率會允許獲得可達成臨界尺寸(CD)之縮減，而不會增加投影系統PS之進入口處之數值孔徑，藉此避免以上問題。增加由投影系統PS提供之縮小率會增加投影系統之射出口處之數值孔徑，而不會增加投影系統之進入口處之數值孔徑。增加縮小率亦會縮減由投影系統投影之影像之大小。舉例而言，縮小率可自4倍(習知值)增加至至少大約5倍。
在一實施例中，微影裝置可經組態以支援6吋乘6吋之光罩(此等光罩可被稱作6吋光罩)。此為習知光罩大小，且存在經設置以製造及使用具有此大小之光罩的相當大之基礎結構。因此，可有利的是使微影裝置能夠使用6吋光罩。
若使用6吋光罩且投影系統PS之縮小率為大約5倍或更大(代替習知4倍之縮小率)，則在曝光期間投影至基板(例如，晶圓)上之場將相應地縮減。由習知EUV微影裝置使用6吋光罩而達成之曝光場為33毫米×26毫米。圖5a中示意性地展示此習知曝光場A。雙頭箭頭指示掃描曝光方向，亦即，微影裝置之曝光隙縫10a在曝光期間相對於基板移動之方向(該移動通常起因於基板台WT之掃描移動，其中曝光隙縫靜止)。此方向通常被稱作y方向(圖5中出於參考簡易起見而指示笛卡爾(Cartesian)座標)。因為基板與曝光隙縫之間的移動可在正或負y方向上，所以箭頭在圖5a中為雙頭。曝光隙縫10a之大小及基板之掃描 移動之長度係使得整個曝光場A係藉由單一掃描曝光而曝光。儘管曝光隙縫10a被表示為矩形，但曝光隙縫可彎曲。
圖5b說明根據本發明之一實施例之基板曝光方法。該曝光方法可(例如)由具有投影系統PS之EUV微影裝置使用，投影系統PS具有5倍之縮小率。舉例而言，投影系統PS可具有大約0.45之射出口側數值孔徑。如上文所解釋，5倍之縮小率係使得不能在使用6吋光罩之單次曝光中曝光習知曝光場(33毫米乘26毫米)。取而代之，曝光兩個曝光場B1、B2，藉此曝光對應於習知曝光場之經圖案化區域B(此經圖案化區域可被稱作組合式曝光場)。曝光場B1、B2各自為大約26毫米乘大約17毫米(例如，大約16.5毫米)，使得該兩個曝光場一起形成大約26毫米乘大約33毫米之組合式經圖案化區域B。
第一曝光場B1可被視為經圖案化區域B之第一部分，且第二曝光場B2可被視為經圖案化區域B之第二部分。在圖5b中，經圖案化區域之第一部分B1包含由切割道13a環繞之晶粒12a。諸如對準標記或其他特徵之圖案可提供於切割道13a中。切割道13a可被視為形成經圖案化區域之第一部分之部件(且可被視為形成第一曝光場B1之部件)。相似地，經圖案化區域之第二部分B2包含由切割道13b環繞之晶粒12b。諸如對準標記或其他特徵之圖案可提供於切割道13b中。切割道13b可被視為形成經圖案化區域之第二部分之部件(且可被視為用於形成第二曝光場B2之部件)。
晶粒12a、12b可彼此相同。相似地，切割道13a、13b可彼此相同。因此，在一實施例中，同一光罩可用以曝光經圖案化區域B之第一部分B1及經圖案化區域之第二部分B2。舉例而言，光罩可為6吋光罩。
圖5b中亦示意性地展示曝光隙縫10b。儘管曝光隙縫10b被表示為矩形，但曝光隙縫可彎曲。自圖5b可看出，曝光場B1、B2經定向 成使得掃描方向(y方向)對應於曝光場B1、B2之較長側。曝光方向橫向於組合式經圖案化區域B之較長側(其可被稱作組合式曝光場)。
可使用基板在y方向上移動的掃描曝光來曝光經圖案化區域B之第一部分B1，且可使用基板在-y方向上移動的掃描曝光來曝光經圖案化區域之第二部分B2(或反之亦然)。
在器件製作中常見的是提供具有小臨界尺寸的積體電路或其他器件之第一功能層，且提供具有較大臨界尺寸的該器件之後續層。諸如非EUV微影裝置之其他微影裝置可用以投影此等後續層。此等其他微影裝置可具有33毫米乘26毫米之曝光場大小。因此，儘管需要兩次曝光以便使用EUV微影裝置來形成圖5b之經圖案化區域B，但可使用習知單次曝光且使用習知(例如，DUV)微影裝置來執行經圖案化區域之後續曝光。習知單次曝光可使用經提供有兩個晶粒之光罩，該等晶粒係根據圖5b所展示之配置而分離。
鄰近組合式經圖案化區域B可沿著其邊緣而會合(參見圖1中之基板W之目標部分F)。由此可見，第一經圖案化區域之中心點與第二鄰近經圖案化區域之中心點之間的分離度將在一個方向上為33毫米且在另一方向上為26毫米。此情形有利，此係因為其可允許在曝光器件之後續層時方便地使用習知(例如，DUV)微影裝置，例如，若習知微影裝置經組態以在基板之每一掃描曝光之後在橫向於掃描方向之方向上移動基板達26毫米。因此，習知微影裝置可用以將曝光投影於使用EUV微影裝置而形成之經圖案化區域B之頂部上，而不改變該微影裝置之「設置」(亦即，基板在掃描曝光之間移動之距離)。
儘管上文提及尺寸26毫米×33毫米，但習知曝光可具有不同於此尺寸之尺寸。尺寸26毫米×33毫米僅僅為實例尺寸。
在圖5c所展示之實施例中，曝光兩個曝光場C1、C2，藉此曝光對應於習知曝光場之經圖案化區域C。曝光場C1、C2各自為大約26毫 米乘大約17毫米(例如，大約16.5毫米)，使得該兩個曝光場一起形成大約26毫米乘大約33毫米之組合式經圖案化區域C。
第一曝光場C1可被視為經圖案化區域C之第一部分，且第二曝光場C2可被視為經圖案化區域C之第二部分。在圖5c中，經圖案化區域之第一部分C1包含由切割道13c環繞之兩個晶粒12c、12d。諸如對準標記或其他特徵之圖案可提供於切割道13c中。切割道13c可被視為形成經圖案化區域C之第一部分C1之部件(且可被視為形成第一曝光場C1之部件)。相似地，經圖案化區域之第二部分C2包含由切割道13d環繞之兩個晶粒12e、12f。諸如對準標記或其他特徵之圖案可提供於切割道13d中。切割道13d可被視為形成經圖案化區域C之第二部分C2之部件(且可被視為形成第二曝光場C2之部件)。
晶粒12c至12f可皆彼此相同。相似地，切割道13c、13d可彼此相同。在一實施例中，同一光罩可用以曝光經圖案化區域C之第一部分C1及經圖案化區域之第二部分C2。舉例而言，光罩可為6吋光罩。
晶粒12c及12d可彼此不同，且晶粒12e及12f可彼此不同。然而，若晶粒12c及12e彼此相同且晶粒12d及12f彼此相同，則同一光罩可用以曝光經圖案化區域C之第一部分C1及經圖案化區域之第二部分C2。舉例而言，光罩可為6吋光罩。
圖5b中亦示意性地展示曝光隙縫10b。掃描方向(y方向)對應於曝光場C1、C2之較長側。曝光方向橫向於組合式經圖案化區域C之較長側。
可使用基板在y方向上移動的掃描曝光來曝光經圖案化區域C之第一部分C1，且可使用基板在-y方向上移動的掃描曝光來曝光經圖案化區域之第二部分C2(或反之亦然)。
儘管需要兩次曝光以便使用EUV微影裝置來形成圖5c之經圖案化區域C，但可使用習知單次曝光且使用習知(例如，DUV)微影裝置來 執行經圖案化區域之後續曝光。習知單次曝光可使用經提供有四個晶粒之光罩，該等晶粒係根據圖5c所展示之配置而分離。
與圖5b所展示之實施例一樣，第一經圖案化區域C之中心點與第二鄰近經圖案化區域之中心點之間的分離度將在一個方向上為33毫米且在另一方向上為26毫米。此情形有利，此係因為其可允許在曝光器件之後續層時方便地使用習知(例如，DUV)微影裝置。
在圖5d所展示之實施例中，曝光兩個曝光場D1、D2，藉此曝光對應於習知曝光場之經圖案化區域D。曝光場D1、D2各自為大約26毫米乘大約17毫米(例如，大約16.5毫米)，使得該兩個曝光場一起形成大約26毫米乘大約33毫米之組合式經圖案化區域D。在此實施例中，組合式經圖案化區域D為由切割道13e環繞之單一晶粒12g。
可使用第一光罩(例如，6吋光罩)來曝光第一曝光場D1，且可使用第二光罩(例如，6吋光罩)來曝光第二曝光場D2。第一光罩可具備待曝光的圖案之第一部分(亦即，晶粒12g之半部)，且第二光罩可具備待曝光的圖案之第二部分(亦即，晶粒12g之第二半部)。因此，第一圖案部分及第二圖案部分組合於基板上以形成單一晶粒12g。圖案之第一部分及第二部分可包括彼此連接(例如，沿著第一圖案及第二圖案之影像彼此鄰接之邊緣)之特徵。
彼此連接之特徵可具有大於圖案之其他部分中之特徵之臨界尺寸的臨界尺寸。具有較大臨界尺寸之此等特徵可提供對可在經曝光圖案之間的接合點處發生之誤差或其他效應之增加容許度。此情形可縮減經曝光圖案之間的不成功融合之可能性，該可能性可造成積體電路或其他器件不正確地操作。
圖案之拼接可用於經曝光場之間的邊界11處。拼接在此項技術中為吾人所熟知且因此在此處不予以詳細地描述。
圖6a展示本發明之一替代實施例，其中使用四次曝光E1至E4來 曝光經圖案化區域E。此途徑可用於(例如)具有投影系統PS之EUV微影裝置中，投影系統PS具有大約8倍之縮小率。舉例而言，投影系統PS可具有大約0.6之射出口側數值孔徑。每一曝光場E1至E4為大約17毫米(例如，大約16.5毫米)乘大約13毫米，使得該四個曝光場一起形成大約26毫米乘大約33毫米之組合式經圖案化區域E。組合式經圖案化區域E亦可被稱作組合式曝光場。
第一曝光場E1可被視為經圖案化區域E之第一部分，且第二曝光場E2可被視為經圖案化區域E之第二部分，等等。在圖6a中，經圖案化區域之第一部分E1包含由切割道13f環繞之晶粒12h。諸如對準標記或其他特徵之圖案可提供於切割道13f中。切割道13f可被視為形成經圖案化區域之第一部分之部件(且可被視為形成第一曝光場E1之部件)。相同情形適用於經圖案化區域E之部分E2至E4，每一部分包含由切割道13g至13i環繞之晶粒12i至12k。
晶粒12h至12k可彼此相同。相似地，切割道13f至13i可彼此相同。因此，在一實施例中，同一光罩可用以曝光經圖案化區域E之每一部分E1至E4。舉例而言，光罩可為6吋光罩。
圖6a中亦示意性地展示曝光隙縫10c。儘管曝光隙縫10c被表示為矩形，但曝光隙縫可彎曲。自圖6a可看出，曝光場E1至E4經定向成使得掃描方向(y方向)對應於曝光場之較長側。曝光方向平行於組合式經圖案化區域E之較長側(其可被稱作組合式曝光場)。
如上文進一步所解釋，其他微影裝置可具有33毫米乘26毫米之曝光場大小。因此，儘管需要四次曝光以便使用EUV微影裝置來形成圖6a之經圖案化區域E，但可使用習知單次曝光且使用習知(例如，DUV)微影裝置來執行經圖案化區域之後續曝光。習知單次曝光可使用經提供有四個晶粒之光罩，該等晶粒係根據圖6a所展示之配置而分離。
第一經圖案化區域之中心點與第二鄰近經圖案化區域之中心點之間的分離度將在一個方向上為33毫米且在另一方向上為26毫米。此情形有利，此係因為其可允許在曝光器件之後續層時方便地使用習知(例如，DUV)微影裝置(如上文進一步所解釋)。
圖6b展示本發明之一替代實施例，其中再次使用四次曝光F1至F4來曝光經圖案化區域F。然而，在此情況下，每一曝光含有四個晶粒121。因此，經圖案化區域F(其可被稱作組合式曝光場)含有十六個晶粒121。圖6b所展示之實施例之其他態樣可對應於上文關於圖6a所描述之態樣。
在一實施例(未說明)中，可使用四次曝光以形成單一晶粒(以類似於上文關於圖5b所描述之方式的方式)。
在一些情況下，正被曝光之晶粒可具有未很好地配合至33毫米乘26毫米之經圖案化區域中之尺寸。舉例而言，NAND晶粒可具有在150平方毫米至175平方毫米之範圍內之表面積(NAND晶粒之大小可由此處未論述之各種參數判定)。在此狀況下，經圖案化區域(組合式曝光場)之大小可經調整為小於33毫米乘26毫米(亦即，小於858平方毫米)。經圖案化區域之大小可經選擇為對應於晶粒之面積之倍數，但亦考量可使用EUV微影裝置而達成之曝光之大小。舉例而言，參看圖6a，若經圖案化區域E分裂成四次曝光E1至E4，則每一曝光之面積可為大約214平方毫米。此面積不足夠大以容納兩個NAND晶粒(假定NAND晶粒具有在以上範圍內之面積)，但顯著大於單一NAND晶粒之面積。因此，為了最大化可曝光於晶圓上之NAND晶粒之數目，可縮減經圖案化區域E之大小。舉例而言，可將經圖案化區域E之大小縮減為待曝光之NAND晶粒之大小的大約四倍。舉例而言，若NAND晶粒具有150平方毫米之表面積，則經圖案化區域E可具有大約600平方毫米之表面積。相似地，若NAND晶粒具有175平方毫米之表面積， 則經圖案化區域E可具有大約700平方毫米之表面積。若NAND晶粒之表面積處於彼兩個值內之某值，則經圖案化區域E之表面積可對應地在彼兩個值內。儘管在此情形中經圖案化區域E不為33毫米×26毫米，但其仍可被視為具有習知曝光尺寸(使用習知DUV微影裝置而執行的經圖案化區域E之後續曝光可運用習知光罩而執行為單次曝光)。
在一替代實例中，正被曝光之晶粒可為DRAM晶粒。此等晶粒傾向於小於NAND晶粒，且可(例如)具有大約50平方毫米之面積，此面積被預期為在接下來的幾年內收縮至大約30平方毫米。再次，可使用諸如上文關於NAND晶粒所描述之途徑的途徑，從而使儘可能多的DRAM晶粒配合至曝光場中。
在一實施例中，DRAM晶粒可足夠小，使得可有可能使一個以上DRAM晶粒配合至由EUV微影裝置執行之曝光中。舉例而言，如圖6b所展示，可有可能使四個DRAM晶粒配合至每一曝光中。再次，正被曝光之DRAM晶粒可具有未很好地配合至33毫米乘26毫米之經圖案化區域中之尺寸。為了最大化可曝光於晶圓上之DRAM晶粒之數目，可將經圖案化區域F(組合式曝光場)之大小縮減為待曝光之DRAM晶粒之大小的大約十六倍。再次，儘管在此情形中經圖案化區域F不為33毫米×26毫米，但其仍可被視為具有習知曝光尺寸(使用習知DUV微影裝置而執行之經圖案化區域F之後續曝光可運用習知光罩而執行為單次曝光)。
一般而言，對於給定大小之晶粒，可執行計算以判定一個以上晶粒是否將配合至EUV微影裝置能夠提供之最大曝光場中。此最大曝光場可(例如)為大約26毫米乘大約17毫米(例如，大約16.5毫米)、可(例如)為大約13毫米乘大約17毫米(例如，大約16.5毫米)，或可為某一其他大小。若一個以上晶粒將配合至最大曝光場中，則接著判定曝光場中之晶粒之合適配置。晶粒之配置可使最大可能數目個可能晶粒 配合於曝光場中。可縮減曝光場之大小以對應於曝光場中之晶粒之組合式面積。接著可將該等曝光場分組在一起以形成一經圖案化區域，該經圖案化區域在該經圖案化區域中提供最大數目個可能曝光場(該經圖案化區域之大小限於諸如33毫米×26毫米之習知大小)。接著可使用EUV微影裝置之控制系統CS以相應地曝光若干曝光場及經圖案化區域。
若僅單一晶粒將配合至最大曝光場中，則可縮減該曝光場之大小以對應於該晶粒之面積。接著可將該等曝光場分組在一起以形成一經圖案化區域，該經圖案化區域在該經圖案化區域中提供最大數目個可能曝光場(該經圖案化區域之大小限於諸如33毫米×26毫米之習知大小)。接著可使用EUV微影裝置之控制系統CS以相應地曝光若干曝光場及經圖案化區域。
在一些情況下，狀況可為：在晶粒大小與最大曝光場大小之間存在不良匹配。舉例而言，晶粒大小可對應於最大曝光場大小之66%。在此狀況下，一或多個全晶粒可連同一晶粒之部分而曝光。下一曝光接著可曝光該晶粒之另一部分連同一或多個晶粒。舉例而言，第一曝光可曝光一全晶粒及一晶粒之半部，且下一曝光可曝光該晶粒之另一半部且曝光一全晶粒。可使用拼接以將該兩個半晶粒接合在一起。在諸如此實施例之實施例中，可使用一個以上光罩。或者，可使用具備不同圖案之單一光罩(例如，過大光罩)。
上文結合圖5及圖6所提及之投影系統縮小率及射出口側數值孔徑為一起允許形成一經圖案化區域(或組合式曝光場)之縮小率及數值孔徑之實例，該經圖案化區域之尺寸對應於由習知微影裝置曝光之曝光場(及/或該經圖案化區域之分離度對應於習知微影裝置之曝光場之間的分離度)。可使用縮小率及射出口側數值孔徑之其他組合。
上文將尺寸26毫米×33毫米稱作習知曝光場之尺寸。如上文已解 釋，EUV微影裝置可經組態成使得其具有對應於此習知曝光場的一半或對應於此習知曝光場的四分之一(或習知曝光場之某一其他分率，諸如，三分之一、六分之一或八分之一)的最大曝光場。亦如上文已解釋，在一些情況下，使用EUV微影裝置而曝光之曝光場可小於習知曝光場之分率。此可(例如)為了容納未良好地配合於最大曝光場內之晶粒大小，同時最大化曝光於晶圓上之晶粒之數目。然而，狀況仍然可為：可由EUV微影裝置達成之最大曝光場對應於習知曝光場之分率。此係因為：當使用實質上所有可用EUV輻射以將圖案自光罩投影至基板上時，將發生EUV輻射之最有效率使用。亦即，此時不使用遮蔽葉片或其他阻擋裝置以阻擋顯著量之EUV輻射。因為習知微影裝置通常經組態以提供26毫米×33毫米之曝光場，所以EUV微影裝置可經組態成使得其具有實質上對應於此大小之分率之最大曝光場。此情形可提供與習知微影裝置之最佳潛在相容性(其在投影實質上填充26毫米×33毫米之區域之圖案時最有效率)，同時避免阻擋顯著量之EUV輻射(且藉此避免將歸因於EUV輻射之阻擋而出現之產出率縮減)。
再次參看圖5d，在一實施例中，可將待使用第一光罩(此處被稱作光罩D1)而曝光之所有D1曝光場曝光於基板上。此後，可用第二光罩(此處被稱作光罩D2)來調換光罩D1。接著可使用光罩D2以將所有D2曝光場曝光於基板上。因此，在基板之曝光期間需要僅一次光罩交換。為了避免在下一基板之曝光之前必須再次調換光罩，可使用光罩D2以將場曝光於下一基板上。接著可用光罩D1來調換光罩D2，此後可將光罩D1曝光於基板上。
在一替代途徑中，可在每一曝光之後調換光罩D1、D2。然而，此情形對微影裝置之產出率具有顯著影響，此係因為調換光罩可花費顯著時段(例如，大約30秒)。在每一曝光之後調換光罩之優點為：基板上之抗蝕劑條件較不可能地在第一光罩D1之曝光與第二光罩D2之 曝光之間改變(相比於在D2光罩之所有曝光之前執行D1光罩之所有曝光時的情形)。
在一實施例中，支撐結構MT可經組態以固持光罩D1、D2兩者。支撐結構可經組態以在需要投影系統PS時使第一光罩D1與投影系統PS對準，且接著在需要投影系統時使第二光罩D2與投影系統對準(例如，藉由在x方向上移動光罩D1、D2)。
微影裝置可經組態以使用6吋乘6吋之光罩(習知光罩大小)。微影裝置之支撐結構MT可經組態以支撐單一6吋光罩。可有利的是使微影裝置使用6吋光罩，此係因為可使用現有裝置來製造及處置6吋光罩。微影裝置之支撐結構MT可經組態以支撐單一6吋光罩，或兩個或兩個以上6吋光罩。
圖7中示意性地說明一替代實施例。在圖7中，光罩MA具備兩個經圖案化區G1、G2。經圖案化區G1、G2各自具有一不同圖案。經圖案化區G1、G2彼此隔開。在經圖案化區G1、G2之間可存在未經圖案化區。對準標記(圖中未繪示)可位於經圖案化區G1、G2之間(且可位於光罩MA上之其他地方)。
經圖案化區G1、G2之圖案經配置成使得其一起形成單一圖案。亦即，第一經圖案化區G1具有第一圖案部分，且第二經圖案化區G2具有第二圖案部分，該第一圖案部分及該第二圖案部分一起形成一圖案。因此，可使用光罩MA之經圖案化區G1、G2將具有單一組合式經曝光圖案之組合式經曝光場曝光於基板上。第一圖案G1可(例如)用以形成大約13毫米乘大約33毫米之經曝光場，且第二圖案G2可相似地用以形成大約13毫米乘大約33毫米之經曝光場。此兩個經曝光場可經定位為彼此緊接，使得其一起形成大約26毫米乘大約33毫米之組合式經曝光場。兩個圖案G1、G2之特徵可在兩個經曝光場之鄰接邊緣處彼此連接。
舉例而言，光罩MA可用於具有大約8倍之縮小率之EUV微影裝置中。舉例而言，EUV微影裝置可具有大約0.6(例如，大約0.60)之數值孔徑。光罩上之第一圖案G1可(例如)為大約104毫米乘大約264毫米，且光罩上之第二圖案G2可相似地為大約104毫米乘大約264毫米。
因為使用圖7之光罩MA而曝光之組合式曝光場為大約26毫米乘大約33毫米，所以諸如習知微影裝置之其他微影裝置可用以將後續層投影於組合式曝光場之頂部上。此等其他微影裝置可具有大約33毫米×大約26毫米之曝光場大小。因此，儘管需要兩次曝光以便使用圖7之光罩MA來形成組合式曝光場，但可使用習知單次曝光且使用習知微影裝置來執行曝光場之後續曝光。
因為同一光罩MA用於兩次曝光，所以無需在曝光之間用不同光罩來交換該光罩。因此，相比於原本可能達成之產出率，圖7所說明之實施例可提供EUV微影裝置之顯著較高產出率。然而，圖7所展示之實施例可需要經組態以支撐光罩MA之非習知支撐結構MT，此係因為該光罩顯著大於習知光罩。
相比於已知EUV微影裝置，該微影裝置之曝光隙縫10d之大小可實質上未改變。因此，圖案G1、G2可各自具有橫向於掃描方向(亦即，在圖7中之x方向上)之習知大小。然而，在掃描方向(被指示為圖7中之y方向)上的圖案G1、G2之長度可顯著大於習知長度。此情形可無需微影裝置之光學件之任何修改，但可要求支撐結構MT之定位器PM相比於習知定位器具有較長移動。定位器PM之移動足以允許掃描曝光將圖案G1(或G2)之整個長度曝光至基板上。光罩MA之位置可受到微影裝置之控制系統CS控制。
圖案G1、G2之縱橫比可顯著不同於習知光罩上之圖案之縱橫比。舉例而言，習知光罩上之習知圖案可具有1.27：1之縱橫比。舉例 而言，圖案G1、G2可具有為此縱橫比之兩倍(例如，大約2.5：1)的縱橫比。圖案G1、G2之縱橫比可(例如)大於1.5：1，且可(例如)大於2：1。
圖7中之雙頭箭頭指示掃描方向，亦即，在基板之曝光期間發生光罩MA之掃描移動的方向。圖案G1、G2係在非掃描方向上分離。因此，在已使用第一圖案G1來執行曝光之後需要橫向於掃描方向的光罩MA之移動，以便使用第二圖案G2來執行曝光。因此，移動支撐結構MT(參見圖1)之定位器PM可經組態以提供在第一方向上的光罩MA之掃描移動且亦提供光罩之橫向移動。舉例而言，定位器PM可包括提供橫向移動之額外致動器。
一般而言，光罩(例如，過大光罩)可包括在非掃描方向上分離之兩個或兩個以上圖案。微影裝置可包括經組態以在掃描方向上且橫向於非掃描方向而移動支撐結構MT之定位器。此情形將允許使用光罩將不同圖案曝光於基板上。
在一實施例中，將收納第一圖案G1之所有曝光場可曝光於基板上，此後，將收納第二圖案G2之所有曝光場可曝光於基板上。此情形提供如下優點：光罩MA之橫向移動在基板之曝光期間發生僅一次。因此，對微影裝置之產出率之影響可小。在使用此途徑的情況下，對於下一基板，可首先使用第二圖案G2以曝光基板，繼之以使用第一圖案G1以曝光基板。因此，當正用未經曝光基板來交換經曝光基板時，無需光罩MA之橫向移動。
在一實施例中，將收納第一圖案G1之所有曝光場可曝光於基板上，此後，將收納第二圖案G2之所有曝光場可曝光於基板上。因此，光罩MA之橫向移動在基板之曝光期間發生僅一次。在用未經曝光基板來調換經曝光基板之時期期間可再次發生光罩MA之橫向移動。若光罩之橫向移動花費少於基板調換所需要之時間的時間，則橫 向移動不會造成微影裝置之任何產出率損失。在基板調換期間執行橫向移動之優點為：圖案G1、G2係以相同次序曝光於每一基板上。因為抗蝕劑可具有時間相依行為，所以此情形相比於在基板調換期間不執行橫向移動時之狀況可提供經曝光基板之間的較佳一致性。
圖7所展示之光罩MA足夠大以容納兩個圖案G1、G2，且顯著大於習知6吋光罩。可使用顯著大於習知6吋光罩的具有其他大小之光罩。顯著大於習知6吋光罩之光罩可被稱作過大光罩。過大光罩MA可(例如)具有如圖7所展示之圖案配置，或可具有任何其他圖案配置。過大光罩可由任何合適材料製成。舉例而言，過大光罩MA可為大約6吋乘大約12吋。舉例而言，過大光罩可由可購自美國紐約之Corning之ULE(超低膨脹玻璃)形成、由可購自德國梅因斯之Schott AG之ZerodurTM形成、由石英形成、由矽形成，或由某一其他合適半導體形成。舉例而言，過大光罩MA可由大約6吋乘大約12吋之石英板形成。
在圖8示意性地所展示之實施例中，可使用晶圓來形成過大光罩MA。晶圓可(例如)為半導體晶圓，且可(例如)為矽晶圓。晶圓可(例如)為實質上圓形，且可具有大約300毫米之直徑。或者，過大光罩MA可由除了半導體以外之材料(例如，ULE)形成，但可為實質上圓形且可具有大約300毫米之直徑。使用諸如ULE之材料可提供如下優點(相比於矽)：當光罩在使用時由EUV輻射光束加熱時將發生光罩之較小膨脹。半導體或ULE(或其他材料)可提供經提供有使EUV反射之多層堆疊之基板。圖案特徵接著可提供於多層堆疊上。提供於光罩上之圖案H可具有習知配置(例如，具有習知縱橫比之單一矩形)或任何其他合適配置。
提供具有大約300毫米之直徑之光罩MA的優點為：可使用與用以處置300毫米直徑晶圓之裝置相同或相似的裝置來處置該光罩。因 為300毫米直徑晶圓已廣泛地用於微影工業中達許多年，所以可廣泛地得到此裝置。在一實例中，經建構以固持300毫米晶圓之晶圓台WT可用作支撐結構MT(參見(例如)圖2)以固持300毫米直徑光罩MA。相似地，經組態以控制晶圓台WT之位置之定位器PW可用以控制固持光罩MA之支撐結構MT之位置。
可在必要時對裝置進行修改以允許其用以處置300毫米直徑光罩MA而非300毫米直徑晶圓。舉例而言，300毫米直徑光罩MA可顯著厚於300毫米直徑晶圓，且裝置可經修改以容納此增加厚度。
在一實施例中，300毫米直徑光罩MA可具有顯著小於習知光罩之厚度的厚度。300毫米直徑光罩MA可具有相似於或實質上等於300毫米直徑晶圓之厚度的厚度。舉例而言，300毫米直徑光罩MA可具有大約900微米或更小之厚度。舉例而言，300毫米直徑光罩MA可具有大約600微米或更大之厚度。若使用半導體晶圓(例如，矽晶圓)來形成光罩MA，則其可固有地具有在600微米至900微米之範圍內之厚度。若使用某一其他材料(例如，ULE)來形成光罩MA，則其可最初具有顯著大於900微米之厚度，且可使用合適程序(例如，機械程序)而縮減至此厚度。可在已將圖案提供於光罩MA上之前執行此厚度縮減。
提供具有大約900微米或更小之厚度之光罩MA會抵觸提供厚得多之光罩之習知實務。用於微影裝置之習知光罩可(例如)厚幾毫米(例如，大約6毫米)，且可(例如)由ULE或玻璃形成。通常已假定需要厚光罩以便提供足夠機械強度。然而，現在已認識到，顯著較薄光罩可用於EUV微影裝置中。使用較薄光罩有利，此係因為其允許冷卻系統更有效地自該光罩移除熱。此情形在具有高數值孔徑(例如，0.4或更大)之EUV微影裝置中特別有利，此係因為：相比於在較低NA EUV微影裝置中，入射於光罩上之EUV輻射之強度較高，且由EUV輻射造成 的光罩之所得加熱對應地較大。光罩可由為良好熱導體以便促進熱自光罩至冷卻系統之轉移之材料形成。舉例而言，光罩可由矽形成。
以最簡單形式，光罩可包含經提供有圖案(例如，使用多層堆疊)之300毫米直徑矽晶圓。
可(例如)使用300毫米直徑光罩MA而非9吋乘9吋之光罩(其可被稱作9吋光罩)，且300毫米直徑光罩MA可具備尺寸與將在9吋光罩上看見之圖案之尺寸相似的圖案。舉例而言，300毫米直徑光罩上之圖案可為大約200毫米乘大約160毫米(例如，當使用縮減因數為6之微影裝置以形成大約33毫米乘大約26毫米之影像時)。
支撐結構MT(參見(例如)圖2)可經組態以使用主動式冷卻系統來提供300毫米光罩MA之主動式冷卻。主動式冷卻系統可使用流體，例如，諸如水之液體。300毫米光罩MA之冷卻相比於習知光罩之冷卻可更有效。此係因為300毫米光罩MA顯著薄於習知光罩，且結果，可更有效地發生熱自光罩之經加熱表面(亦即，接收EUV輻射的光罩之表面)至光罩之經冷卻表面(亦即，光罩之相對表面)的轉移。300毫米光罩MA之厚度及材料可經選擇以提供所要量之結構剛度，同時亦允許達成光罩之足夠有效冷卻。
光罩MA可具有稍微大於或小於300毫米(例如，達5%)之直徑，但其直徑應使得可使用經組態以處置300毫米直徑晶圓之裝置來處置該光罩。因此，光罩MA可被稱作具有大約300毫米之直徑。
相似地，光罩MA可具有稍微大於或小於習知300毫米直徑晶圓之厚度(例如，達10%)的厚度，但其厚度應使得可使用經組態以處置習知300毫米直徑晶圓之裝置來處置該光罩。因此，光罩MA可被稱作具有實質上等於習知300毫米直徑晶圓之直徑的直徑。
儘管光罩MA被稱作具有300毫米之直徑，但其未必需要為完美圓形。光罩可足夠接近完美圓形，使得可使用經組態以處置300毫米 直徑晶圓之裝置來處置該光罩。光罩可被稱作大體上圓形(其可被解譯為意謂足夠接近完美圓形以允許由經組態以處置300毫米直徑晶圓之裝置進行處置)。舉例而言，光罩可為圓形，但其中其周邊之部分具有扁平邊緣(其通常提供於一些晶圓上)。
在一實施例中，光罩可具有大約450毫米之直徑。450毫米光罩可與300毫米直徑光罩共用諸如材料、厚度等等之一或多個特徵。
圖9中以橫截面示意性地說明本發明之一實施例。圖9展示經組態以固持過大光罩MA之支撐結構MT。舉例而言，支撐結構MT可為圖1及圖2所展示之微影裝置之支撐結構。
支撐結構MT包括定位器17，定位器17經組態以相對於微影裝置之框架18來移動光罩支撐結構。定位器17經組態以在橫向於微影裝置之掃描曝光方向的方向上移動支撐結構MT(亦即，在圖9中之x方向上移動支撐結構)。定位器17可用以在第一圖案D1曝光至基板上之後在橫向方向上移動光罩MA，以便允許第二圖案D2曝光至基板上(參見圖7)。定位器17可相似地用以在第二圖案D2曝光至基板上之後在橫向方向上移動光罩MA，以便允許第一圖案D1曝光至基板上。
支撐結構MT包括主動式冷卻系統，主動式冷卻系統經組態以自支撐結構移除熱，藉此提供光罩MA之溫度之控制程度。主動式冷卻系統可包含冷卻流體可循環通過之一或多個通道。主動式冷卻系統可經由導管33而被提供冷卻流體，導管33連接至流體儲集器32。導管可為可撓性的，以便適應支撐結構MT之移動。冷卻流體可為液體或可為氣體。在一替代配置(未說明)中，主動式冷卻系統可包含氣體出口，氣體出口經組態以遍及光罩之表面提供氣流，氣流用以冷卻光罩。
光罩MA可由矽(或某一其他合適半導體)形成，例如，呈半導體晶圓之形式。在此狀況下，則光罩MA可具有顯著小於由ULE形成之 光罩之厚度的厚度。舉例而言，晶圓可具有大約900微米(或更小)之厚度。此厚度可為ULE光罩之厚度的十分之一。使用晶圓而形成之光罩之主動式冷卻相比於ULE光罩之主動式冷卻可更有效，此係因為：相比於在ULE光罩中將存在之狀況，可更快速地發生熱自光罩之一個側至光罩之相對側的轉移。
除了橫向於掃描曝光方向而移動支撐結構MT以外，定位器17亦可在曝光場之曝光期間在掃描曝光方向上移動支撐結構。或者，可使用不同定位器以在掃描方向上移動支撐結構。
複數個致動器34提供於支撐結構MT之光罩收納表面上。該等致動器經組態以在圖9中之z方向及負z方向上(亦即，在實質上垂直於光罩之經圖案化表面之方向上)移動光罩MA。光罩MA之此移動可用以補償在掃描曝光期間的光罩MA之z方向膨脹。歸因於實質量之熱在曝光期間由EUV輻射遞送至光罩，可發生光罩MA之z方向膨脹。光罩MA可歸因於此熱而膨脹離開支撐結構MT。致動器34可藉由在相對方向上移動(例如，將光罩MA之向內面拖曳朝向支撐結構MT)而補償此膨脹。舉例而言，致動器34可被提供為可橫越光罩MA之經圖案化區延伸之陣列。
在一實施例中，控制系統CS(參見圖1及圖2)可用以控制定位器17。控制系統CS亦可用以控制致動器34。致動器34之控制可基於光罩MA之z方向膨脹之先前所獲得量測(亦即，前饋校正)，或可基於使用感測器(圖中未繪示)而獲得的光罩之z方向膨脹之即時量測(亦即，回饋校正)。
在一替代實施例中，在z方向上移動整個支撐結構MT之定位器或致動器可用以補償(或實質上補償)在掃描曝光期間的光罩MA之z方向膨脹。定位器或致動器可受到控制系統控制，例如，使用前饋校正或回饋校正予以控制。
本發明之實施例可使用具有至少大約5倍之縮小率之投影系統。本發明之實施例可使用具有大約0.4或更大(例如，大約0.45或更大、大約0.50或更大、大約0.55或更大，或大約0.6或更大)之數值孔徑之投影系統。
儘管上文提及尺寸26毫米×33毫米，但習知曝光可具有不同於此尺寸之尺寸。尺寸26毫米×33毫米僅僅為實例尺寸。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (19)

  1. 一種在一基板上形成一經圖案化區域之方法，該方法包含：使用具有至少5倍之一縮小率(demagnification)及至少0.4之一數值孔徑(numerical aperture)的一極紫外線(EUV)微影裝置來依次地(successively)執行一系列曝光(a series of exposures)以在該基板上形成該經圖案化區域；形成該經圖案化區域之一第一圖案，其中該形成包含：在一掃描方向上掃描在一圖案化器件上的一第一經圖案化區域，用該第一經圖案化區域曝光在該基板上的該第一圖案之一第一部分，在橫向於(transverse)掃描方向之一方向上移動該圖案化器件，在該掃描方向上掃描在該圖案化器件上的一第二經圖案化區域，用該第二經圖案化區域曝光在該基板上的該第一圖案之一第二部分，及於該基板上形成該經圖案化區域之一第二圖案，該第二圖案類似於該第一圖案，其中該第一圖案之一中心點與該第二圖案之一中心點之間的一距離對應於藉由具有小於5倍之一縮小率之一微影裝置在一單一曝光中形成之一圖案之一區域之一尺寸(dimension)。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含使用大約26毫米或大約33毫米之一尺寸，以用於該第一圖案之該中心點與該第二圖案之該中心點之間的該距離。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含使用大約26毫米乘大約33毫米之一區域，以用於該第一圖案。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含使用複數個晶粒，以用於該第一圖案與該第二圖案。
  5. 如請求項1之方法，其中該依次地執行該系列曝光包含使用複數個晶粒。
  6. 如請求項1之方法，其中該依次地執行該系列曝光包含使用一6吋光罩。
  7. 如請求項1之方法，其中掃描該圖案化器件上的該第一經圖案化區域包含掃描具有大於2：1之一縱橫比(aspect ratio)之該第一經圖案化區域，且掃描該圖案化器件上的該第二經圖案化區域包含掃描具有大於2：1之一縱橫比之該第二經圖案化區域。
  8. 如請求項1之方法，其中該依次地執行該系列曝光包含使用掃描曝光以形成該經圖案化區域之每一圖案。
  9. 如請求項1之方法，其中該形成該第一圖案包含曝光該第一部分及該第二部分以使每一者在橫向於該掃描方向之一方向上具有小於大約17毫米之一尺寸。
  10. 如請求項1之方法，其中：該形成該第一圖案包含使用一晶粒之不同部分；及該第一圖案之該第一及第二部分具有彼此連接的特徵。
  11. 如請求項1之方法，其中該依次地執行該系列曝光包含使用具有至少8倍之一縮小率之該EUV微影裝置。
  12. 如請求項1之方法，其中該依次地執行該系列曝光包含使用具有至少0.6之一數值孔徑之該EUV微影裝置。
  13. 如請求項1之方法，其中曝光該第一圖案之該第一部分包含曝光具有大約13毫米乘大約33毫米之一區域之該第一部分。
  14. 如請求項1之方法，其中曝光該第一圖案之該第二部分包含曝光具有大約13毫米乘大約33毫米之一區域之該第二部分。
  15. 一種EUV微影裝置，其經組態以在一基板上形成一經圖案化區域，該EUV微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在一EUV輻射光束之橫截面(cross-section)中向該EUV輻射光束賦予(imparting)一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經組態以固持該基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上，其中該投影系統具有至少5倍之一縮小率及至少0.4之一數值孔徑；及一控制系統，其經組態以移動該支撐結構及該基板台，使得：在一掃描方向上掃描在該圖案化器件上的一第一經圖案化區域，使用該第一經圖案化區域將該經圖案化區域的一第一圖案之一第一部分曝光於該基板上，該圖案化器件係在橫向於掃描方向之一方向上移動，在該掃描方向上掃描在該圖案化器件上的一第二經圖案化區域，使用該第二經圖案化區域將該第一圖案之一第二部分曝光於該基板上，及將該第二圖案曝光於該基板上，該第二圖案類似於該第一圖案，其中該第一圖案之一中心點與該第二圖案之一中心點之間的一距離對應於藉由具有小於5倍之一縮小率之一微影裝置在一單一曝光中形成之一圖案之一區域之一尺寸。
  16. 如請求項15之EUV微影裝置，其中該第一圖案之該中心點與該第二圖案之該中心點之間的該距離為大約26毫米或大約33毫米。
  17. 如請求項15之EUV微影裝置，其中該第一圖案包含大約26毫米乘大約33毫米之一區域。
  18. 如請求項15之EUV微影裝置，其中該第一圖案之該第一部分及該第二部分之每一者包含大約13毫米乘大約33毫米之一區域。
  19. 如請求項15之EUV微影裝置，其中在該圖案化器件上的該第一經圖案化區域及該第二經圖案化區域之每一者具有大於2：1之一縱橫比。
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