TW202309644A - 用於具有經增加容限之微影工具的系統及方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於一微影工具之方法，其包括相對於各自具有小透鏡列之一第一微透鏡陣列(MLA)及一第二MLA而掃描一基板。該第一MLA具有功能性小透鏡及額外小透鏡，且該掃描包括經由該第一MLA及該第二MLA之該等小透鏡將光傳遞至該基板。該傳遞包括經由該等功能性小透鏡傳遞光以在該基板上形成一圖案，該圖案具有由該第一MLA與該第二MLA之該等功能性小透鏡之間的一位置或旋轉未對準引起之間隙。該傳遞亦包括經由該等額外小透鏡傳遞光以填充該圖案中之該等間隙。

Description

用於具有經增加容限之微影工具的系統及方法

本文中之描述大體上係關於圖案化程序。更特定言之，本發明包括用於增加可用容限之微影工具之設備、方法及電腦程式產品。

微影投影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。可藉由諸如經由圖案化裝置上之圖案輻照目標部分之方法來將對應於IC之個別層之圖案(「設計佈局」)轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上，該目標部分已塗佈有一層輻射敏感材料(「抗蝕劑」)。一般而言，單個基板含有複數個鄰近目標部分，藉由微影投影設備順次地將圖案轉印至該複數個鄰近目標部分上，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，整個圖案化裝置上之圖案一次性轉印至一個目標部分上；此設備亦可稱作步進器。在替代設備中，步進掃描設備可使得投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上掃描圖案化裝置，同時平行或反平行於此參考方向同步地移動基板。圖案化裝置上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。由於一般而言，微影投影設備將具有縮減比率M (例如，4)，因此基板移動之速度F將為投影光束掃描圖案化裝置之速度的1/M倍。關於微影裝置之更多資訊可見於例如以引用之方式併入本文中的US 6,046,792。

在將圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序(「曝光後工序」)，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及對經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製得裝置(例如IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械研磨等，該等製程皆意欲精整裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對各層來重複整個工序或其變體。最終，基板上之各目標部分中將存在裝置。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，據此，可將個別裝置安裝於載體上、連接至銷釘等。

因此，製造裝置(諸如半導體裝置)通常涉及使用數個製造程序來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成裝置之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械研磨及離子植入來製造及處理此類層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製造多個裝置，且接著將該等裝置分離成個別裝置。此裝置製造程序可視為圖案化程序。圖案化程序涉及使用微影設備中之圖案化裝置進行圖案化步驟，諸如光學及/或奈米壓印微影，以將圖案化裝置上之圖案轉印至基板，且該圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等。

如所提及，微影為在諸如IC之裝置之製造時的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定裝置之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置以及2D及/或3D積層製造。

隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每一裝置之諸如電晶體的功能元件之量已在穩定地增加，此遵循稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影設備來製造裝置之層，該等微影投影設備使用來自深紫外照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100 nm (亦即，小於來自照明源(例如，193 nm照明源)之輻射的波長之一半)之個別功能元件。

供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD = k1×λ/NA可稱為低k1微影，其中λ為所採用輻射之波長(例如，248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學器件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影投影設備、設計佈局或圖案化裝置。此等步驟包括例如但不限於NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦稱作「光學及程序校正」)，或通常定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文中所使用之術語「投影光學器件」應廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學器件、反射光學器件、光圈及反射折射光學器件。術語「投影光學器件」亦可包括根據此等設計類型中之任一者而操作以用於共同地或單一地引導、塑形或控制投影輻射光束之組件。術語「投影光學器件」可包括微影投影設備中之任何光學組件，無論光學組件位於微影投影設備之光學路徑上之何處。投影光學器件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學器件通常排除源及圖案化裝置。

揭示用於與微影工具一起使用之方法、系統及電腦程式。在一個態樣中，一種方法包括相對於各自具有小透鏡列之一第一微透鏡陣列(MLA)及一第二MLA而掃描一基板。該第一MLA具有功能性小透鏡及額外小透鏡。該掃描包括經由該第一MLA及該第二MLA之該等小透鏡將光傳遞至該基板。該傳遞包括經由該等功能性小透鏡傳遞光以在該基板上形成一圖案，該圖案具有由該第一MLA與該第二MLA之該等功能性小透鏡之間的一位置或旋轉未對準引起之間隙。光接著經由該等額外小透鏡傳遞以填充該圖案中之該等間隙。

在一些變化中，該第一MLA與該第二MLA之一位置未對準超過一容限可引起該等間隙。該等額外小透鏡可在該第一MLA之一額外列中。可增加該等額外小透鏡之額外列之一數目以按比例增加該等容限。舉例而言，該MLA之三個額外列可專用於填充該等間隙，藉此將該容限自10至500 nm增加至1至10 um。

在其他變化中，該掃描可以一第二掃描角度進行，該第二掃描角度可由於利用該等額外小透鏡填充該等間隙而自一第一掃描角度減小。此外，可將光傳遞至一拼接區，該拼接區位於該第一MLA之一第一掃描圖案與該第二MLA之一第二掃描圖案重疊處。另外，可將光傳遞至一末端間隙，該末端間隙位於該第一MLA之一第一掃描圖案與該第二MLA之一第二掃描圖案不重疊的該圖案之一區域中。

在又其他變化中，該方法可包括在該光之該傳遞期間藉由在一掃描方向上繼續該基板之該掃描以填充該圖案中之該等間隙來進行過度掃描，藉此進一步增加在該掃描方向上之一容限。該等間隙可至少部分地由該第一MLA與該第二MLA之一位置未對準引起，且該掃描係在藉由利用該等額外小透鏡而增加之該位置未對準之一位置容限內進行。此外，該等間隙可至少部分地由該第一MLA與該第二MLA之一旋轉未對準引起，且該掃描係在藉由利用該等額外小透鏡而增加之該旋轉未對準之一旋轉容限內進行。

在一些變化中，可以該等容限掃描該基板，該等容限為一位置容限及一旋轉容限之一組合，其中該掃描係在均藉由利用該等額外小透鏡而增加之該位置容限及該旋轉容限兩者內進行。舉例而言，該等容限之該增加之大約一半可應用於增加該位置容限，且該增加容限之大約一半可應用於增加該旋轉容限。

如本文中所使用，術語「基板」描述可引導光作為製造程序之部分的材料。舉例而言，基板可包括光阻、晶圓、平板顯示器、具有(例如，金屬或其他功能材料)之感光性材料及粒子之研磨漿等。

如本文中所使用，術語「圖案化程序」或「印刷」意謂作為微影程序之部分藉由施加光之所指定圖案產生經蝕刻基板的製程。圖案化程序亦可包括涉及在平面螢幕裝置或積體電路之製造中(例如，其顯影中)傳遞光的任何程序。

本文中描述微影系統及設備、微影方法、可程式化圖案化裝置及其他設備、製品及方法之一或多個實施例。在實施例中，提供低成本及/或可撓性無遮罩微影設備。由於其為無遮罩的，因此無需習知遮罩來曝光例如IC或平板顯示器。類似地，封裝應用不需要一或多個環；可程式化圖案化裝置可為封裝應用提供數位邊緣處理「環」以避免邊緣投影。無遮罩(數位圖案化)亦可在可撓性基板上實現圖案化。如本文中所描述，所揭示系統及方法之各種實施例允許增加用於微影製造中之透鏡陣列之對準/定位的容限。

圖1為說明根據實施例之例示性微影系統的簡化圖。如圖1中所展示，微影設備100可包括圖案化裝置110及投影系統150。圖案化裝置110可包括光源112 (諸如，如本文中所論述之雷射二極體)及鏡面陣列140。鏡面陣列140可自光源112接收光(在本文中亦稱作輻射光束或光束114)且使得光束114在X及/或Y方向上側向地位移。在實施例中，圖案化裝置110可包括透鏡130以使來自光源112之輻射光束114成像至鏡面陣列140。

來自鏡面陣列140之偏轉光束114可由投影系統150接收。投影系統150可包括物鏡152、透鏡陣列154及用於進行聚焦、放大、像差校正等之任何數目個其他透鏡或透鏡陣列。物鏡152可經配置以自圖案化裝置110接收光束114。在圖1之實例中，光束114自物鏡152發散且由透鏡陣列154接收，該透鏡陣列154可包括任何數目之個別透鏡。透鏡陣列154可隨後將光束114聚焦至基板160上。如本文中進一步描述，基板160可相對於微影設備100移動，如藉由箭頭所說明。

藉由控制成像至基板160之特定位置上的光之振幅，可進行無遮罩微影以及對微影程序提供益處之併入灰階化(在下文中進一步詳細描述)中之方法。因此，在實施例中，進行微影之方法可包括用光束114照明鏡面陣列140。鏡面陣列140可包括接收光之數個鏡面。光可成像至基板160上以產生圖案。

在實施例中，可存在用於鏡面陣列140之單個光源112。在其他實施例中，光源112可包含經組合以提供照明之多個光源(例如，2個、3個、6個、10個等)。在實施例中，光源112可以對應於鏡面陣列140之調整頻率之雙態觸發頻率來開啟及關閉。舉例而言，若鏡面陣列140能夠一秒改變其組態30次(例如，1/60秒靜止且1/60秒調整)，則光源112可經操作以接通及斷開，使得在其1/60秒調整週期期間不照明鏡面陣列140。在另一實施例中，一或多個雷射二極體可充當光源112，且可經控制以例如呈雙態觸發頻率或圖案或連續地發射光。

在另一實施例中，微影系統可包括經組態以產生具有多個光振幅之光之多個光源(在圖1中共同地說明為光源112)。光可接著在鏡面陣列處形成圖案，該鏡面陣列經組態以將具有圖案之光引導至基板。

視情況，微影設備可包含用以將輻射(例如，紫外線(UV)輻射)供應至複數個光源112之輻射系統(未展示)。若圖案化裝置自身為輻射源(例如，雷射二極體陣列或LED陣列)，則微影設備可經設計為不具有輻射系統(亦即，不具有除圖案化裝置自身以外之輻射源)，或至少為經簡化輻射系統。

輻射系統可包括經組態以自輻射源接收輻射之照明系統(照明器)。照明系統可包括以下元件中之一或多者：輻射傳遞系統(例如，合適的引導鏡面)、輻射調整裝置(例如，光束擴展器)、用以設定輻射之角度振幅分佈(一般而言，至少可調整照明器之光瞳平面中的振幅分佈之外部及/或內部徑向範圍(其可分別稱作σ外部及σ內部))之調整裝置、積光器及/或聚光器。照明系統可用於調節提供至光源112之輻射以在其橫截面中具有所要均一性及振幅分佈。照明系統可經配置以將輻射劃分成子光束，該等子光束可例如各自與複數個光源112中之一或多者相關聯。二維繞射光柵可例如用於將輻射劃分成子光束。在本說明書中，術語「輻射光束(beam of radiation/radiation beam)」及「光束」涵蓋但不限於光束114包含輻射之複數個此類子光束之情形。

在其他實施例中，輻射系統亦可包括用以產生輻射以用於供應至光源112或藉由該光源112供應之輻射源(例如，準分子雷射)。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影設備100可為分離實體。在此類情況下，不認為輻射源形成微影設備100之部分，且輻射自源傳送至照明器。在其他情況下，例如當源為水銀燈時，輻射源可為微影設備100之整體部分。此等情形中之兩者皆涵蓋於本發明之範疇內。

在實施例中，輻射源(在實施例中，其可為光源112)可提供具有至少5 nm，例如至少10 nm、至少50 nm、至少100 nm、至少150 nm、至少175 nm、至少200 nm、至少250 nm、至少275 nm、至少300 nm、至少325 nm、至少350 nm或至少360 nm之波長之輻射。在實施例中，輻射具有至多450 nm，例如至多425 nm、至多375 nm、至多360 nm、至多325 nm、至多275 nm、至多250 nm、至多225 nm、至多200 nm或至多175 nm之波長。在實施例中，輻射可具有包括436 nm、405 nm、365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm、126 nm及/或13.5 nm之波長。在實施例中，輻射可包括約365 nm或約355 nm之波長。在實施例中，輻射可包括波長之寬頻帶，例如涵蓋365 nm、405 nm及436 nm。亦可使用355 nm雷射源。在實施例中，輻射可具有約405 nm之波長。

在實施例中，輻射可以0與90°之間，例如5與85°之間、15與75°之間、25與65°之間或35與55°之間的角度自照明系統引導於圖案化裝置110處。可將來自照明系統之輻射直接提供至圖案化裝置110 (亦即，而不依賴於鏡面陣列140)。在替代實施例中，可藉助於光束分光器將輻射自照明系統引導至圖案化裝置110，該光束分光器經組態以使得輻射最初由光束分光器反射且引導至圖案化裝置110。圖案化裝置110可調變光束114且將其反射回光束分光器，該光束分光器將經調變光束朝向基板160傳輸。然而，替代配置可用於將輻射引導至圖案化裝置110且隨後引導至基板160。特定言之，若使用透射圖案化裝置110 (例如，LCD陣列)或圖案化裝置110為自發光的(例如，雷射二極體)，則可能不需要照明系統配置。

儘管根據本發明之實施例之微影設備100在本文中描述為用於曝光基板，但微影設備100亦可用於曝光基板上的抗蝕劑或用於投影經圖案化光束114以用於無抗蝕劑微影。

為了尋址基板上需要曝光之像素(或更一般而言，位置)，可提供將光束114引導至所要位置之鏡面陣列140。在實施例中，光束114可由鏡面陣列140引導至基板160上需要曝光之光點。在實施例中，鏡面陣列140可經組態以使光束114在X及Y方向兩者上偏轉以將光點定位於基板上之像素上。在不需要光束114之一部分時，可使該部分朝向光束集堆偏轉。

如上文所論述，鏡面陣列140可促進光束114在X及/或Y方向上自光源112偏轉。換言之，此類型之鏡面陣列140可將光束114指向透鏡陣列154上之特定位置且因此指向基板160。在實施例中，鏡面陣列140可使輻射僅在Y方向或僅在X方向上偏轉。在實施例中，鏡面陣列140可使輻射在X及Y方向兩者上偏轉。

在實施例中，鏡面陣列140可為機械(亦即，電流計型)、電光及/或聲光鏡面陣列。機械鏡面陣列往往會提供最大數目之可解析輻射光點(亦即，可解析光點意謂光束經偏轉等於其自身角度展度之角度)，但就光點掃描速率而言往往會最慢。電光鏡面陣列就光點掃描速率而言往往會最快，但往往會具有最小數目之可解析輻射光點。

在實施例中，鏡面陣列140可為電光鏡面陣列。電光鏡面陣列可提供至多幾奈秒之切換速度。在實施例中，電光鏡面陣列可提供+/−15度之偏轉角度。在實施例中，此可針對0.05度之輸入光束發散度產生約600個輻射光點。在實施例中，電光鏡面陣列之使用可避免具有用於輻射偏轉之快速移動機械部分。在實施例中，輻射源112與基板160之間可不存在移動光學元件。

電光鏡面陣列可包括光學透明壓電材料。因此，在實施例中，由於施加在壓電材料上之電位差，可使光束114轉向。舉例而言，當在此光學透明材料上施加電位差時，材料之折射率改變，此改變光束傳播之方向(亦即，可使輻射光束偏轉)。在實施例中，材料選自以下：LiNbO ₃、LiTaO ₃、KH ₂PO ₄(KDP)或NH ₄H ₂PO ₄(ADP)。LiTaO ₃在405 nm波長下為透明的。

投影系統150 (例如，石英及/或CaF ₂透鏡系統或包含由此類材料製得之透鏡元件之反射折射系統，或鏡面系統)可用於將光束114投影至基板160上。投影系統150可投影由光源112及鏡面陣列140提供之第一灰階圖案，使得第一灰階圖案相干地形成於基板160上。

就此而言，投影系統可包括一聚焦元件或數個聚焦元件(本文中一般稱作鏡面陣列或透鏡陣列154)，例如微透鏡陣列154 (MLA)或菲涅爾透鏡陣列(Fresnel lens array) 154，以形成次級源且使光點成像至基板160上。

在實施例中，可使光成像至包括將光聚焦至基板160上之透鏡的透鏡陣列154上。在另一實施例中，可在一位置處多次照明基板160以傳遞總光振幅。

在實施例中，透鏡陣列154 (例如，MLA)可包括至少10個聚焦元件，例如至少100個聚焦元件、至少1,000個聚焦元件、至少10,000個聚焦元件、至少100,000個聚焦元件或至少1,000,000個聚焦元件。在一些實施例中，透鏡陣列154中之透鏡之數目可等於鏡面陣列140中之數目或鏡面。

在實施例中，透鏡陣列154可至少在去往基板及遠離基板之方向上例如在使用一或多個致動器之情況下移動。能夠將透鏡陣列154移動至基板及遠離基板允許例如用於聚焦調整而不必移動基板160。在實施例中，透鏡陣列154中之個別透鏡元件(例如，透鏡陣列154中之各個別透鏡元件)可至少在去往基板及遠離基板的方向上移動(例如，用於對非平坦基板進行局域聚焦調整或使各光學柱處於相同焦距)。

透鏡陣列154中之透鏡中之任一者可將光聚焦至基板上之光點上。如本文中所使用，「光點」意謂來自一或多個透鏡之光到達基板160之基板上的區域。光點可為但並非必需為任何特定透鏡之焦點。在一些實施例中，光點可對應於高斯光束之腰部。由於基板及光束之距離、角度等、任何透鏡之形狀、具有塑形孔徑之光束區塊等，光點可為圓形、橢圓或任何其他形狀。

在實施例中，光點大小可為10微米或更小、5微米或更小，例如3微米或更小、2微米或更小、1微米或更小、0.5微米或更小、0.3微米或更小或約0.1微米。在實施例中，基板上之光點大小為0.1微米或更大、0.2微米或更大、0.3微米或更大、0.5微米或更大、0.7微米或更大、1微米或更大、1.5微米或更大、2微米或更大或5微米或更大。在實施例中，光點大小為約0.1微米。在實施例中，光點大小為約0.5微米。在實施例中，光點大小為約1微米。此類大小可應用於光點之直徑、長軸或半長軸或其他相關尺寸。

在一些實施例中，微影設備可包括在曝光程序期間在各階段產生信號以將圖案化裝置設定成必要狀態之控制器。可將待形成於基板上之圖案以例如GDSII之向量定義之格式提供至微影設備。為了將設計資訊轉換為控制信號，控制器可包括可經組態以對表示圖案之資料流進行處理步驟的一或多個資料操縱裝置。資料操縱裝置可共同地稱作「資料路徑」。

資料路徑之資料操控裝置可經組態以進行以下功能中之一或多者：將基於向量之設計資訊轉換成位元映像圖案資料；將位元映像圖案資料轉換成所需輻射劑量映像(亦即，遍及基板之所需輻射劑量輪廓)；將所需輻射劑量映像轉換成各光源之所需輻射振幅值；及將各光源之所需輻射振幅值轉換成對應控制信號。

在實施例中，可藉由有線或無線通信將控制信號供應至光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)。此外，可將來自光源112及/或來自一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)之信號傳達至控制器。以與控制信號類似之方式，可藉由有線或無線方式將電力供應至光源112或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)。舉例而言，在有線實施例中，可藉由一或多個線供應電力，而不管其與攜載信號之線相同或不同。可提供滑動接觸配置以傳輸電力。在無線實施例中，可藉由RF耦合傳遞電力。

雖然先前論述集中於供應至光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)之控制信號，但應理解，其涵蓋另外或替代地經由適當組態將來自光源112及/或來自一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)之信號傳輸至控制器。因此，通信可為單向的(例如，僅至光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)或自光源112及/或一或多個其他裝置通信)或雙向的(亦即，自光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)通信及至光源112及/或一或多個其他裝置)。

在一實施例中，用以提供圖案之控制信號可經更改以考慮可影響基板上之圖案的恰當供應及/或顯現之因數。舉例而言，校正可應用於控制信號以考慮光源112、透鏡等中之一或多者的加熱。此加熱可引起光源112、透鏡等之指向方向改變、輻射之均一性改變等。在一實施例中，與光源112及/或來自例如感測器之另一元件相關聯之一所量測溫度及/或膨脹/收縮可用於更改控制信號，否則該等控制信號將已經以其他方式提供以形成圖案。因此，舉例而言，在曝光期間，光源112之溫度可變化，該變化引起將在單個恆定溫度下提供之經投影圖案的改變。因此，控制信號可經更改以考慮此變化。類似地，在實施例中，來自對準感測器及/或位準感測器150之結果可用於更改由光源112提供之圖案。圖案可經更改以校正例如可肇因於例如光源112與基板160之間的光學器件(若存在)、基板160之定位之不規則性、基板160之不均勻性等的失真。

藉助於定位裝置(及視情況基座上之位置感測器(例如，接收干涉光束之干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器))，可準確地移動基板160，例如以便將不同目標部分定位於光束114之路徑中。在其他實施例中，光源112之定位裝置可用於例如在掃描期間相對於光束114之路徑準確地校正光源112之位置。舉例而言，一些實施例可包括相對於本文中所描述之MLA或光學柱之其他組件(例如，具有圖1中之組件之任何組合)控制基板之掃描的控制系統。控制系統可因此以任何組合提供基板之二維水平平移、豎直平移或基板之旋轉。控制系統亦可經組態以使得光根據本文中所描述之方法中之任一者自光源112傳遞。

圖2為說明例示性微影系統及用於將圖案印刷至經掃描基板之方法的簡化圖。在實施例中，微影設備100可以並不形成用於投影至基板上之個別像素而實際上形成用於投影至基板上之實質上連續影像的方式將光源112之輻射投影至基板上。微影設備100 (特定言之，光源112)可經配置以提供如本文中更詳細地描述之像素柵格成像。如圖2之上部圖式中所描繪，基於微透鏡陣列中之小透鏡之分離，光點210將似乎具有重疊。然而，藉由以某些角度掃描基板，可產生具有光點大小之足夠重疊的經印刷圖案以避免印刷中之間隙。

圖2之下部圖式中的實心圓表示由投影系統150中之透鏡陣列154投影至基板160上的光點S (或側視圖中之310)之陣列。當在基板上曝光一系列曝光時，使基板160在X方向上相對於投影系統150移動。空心圓表示可能先前已曝光於基板160上之光點曝光SE (或側視圖中之210)。如所展示，藉由投影系統150內之透鏡陣列154投影至基板160上的各光點在基板160上曝光一列R之曝光光點。基板160之完整圖案藉由光點S中之各者所曝光的光點曝光SE之所有列R之總和產生。此配置可稱作「像素柵格成像」。應瞭解，圖2為示意圖且光點S實際上可重疊，例如如本文中進一步所論述。

可看出，輻射光點S之陣列可相對於基板掃描方向以角度α配置(基板160之邊緣處於平行於X及Y方向)。進行此動作，使得當基板160在掃描方向(X方向)上移動時，各輻射光點將越過基板之不同區域，藉此允許整個基板由輻射光點S之陣列覆蓋。在各種實施例中，角度α可為大致80°、75°、60°、45°、30°、20°、10°、5°、3°、1°、0.5°、0.25°、0.10°、0.05°或0.01°。在實施例中，角度α為至少0.0001°，例如至少0.001°。根據在垂直於掃描方向之方向上的影像光點大小及陣列間距來判定掃描方向上之傾斜角度α及陣列之寬度以確保尋址基板160之整個表面區域。在本文中進一步論述之許多實施例中，由於所呈現之例示性鏡面陣列，角度(亦稱作掃描角度)可為大致45°。

如本文中所使用，關於掃描角度之術語「大致」意謂角度可能不確切地為特定角度，但實際上可由於系統之幾何細節而稍微不同。因此，此類數字主要出於說明性目的而給出，且應理解，熟習此項技術者將認識到確切值將變化。

圖3為說明根據實施例之藉由透鏡陣列印刷之軌道之間的例示性重疊提供之容限的簡化圖。如上文所描述，當相對於透鏡陣列(在本文中等效地稱作微透鏡陣列或MLA)掃描基板時，投影至基板上之經聚焦光可在基板上追蹤出數個「軌道」310。軌道可為將不同強度之光提供至用於微影程序之基板的位置。微影系統可經組態以提供重疊320，使得小透鏡(MLA之個別透鏡)可將光傳遞至基板之所要部分而不具有間隙。如本文中所使用，術語「軌道寬度」330係指基板處之光點大小(例如，直徑)。如自圖3所見，當以使得軌道之間存在一些重疊之方式進行印刷時，此寬度稱作「重疊」340。術語「軌道間距」350係指軌道之剩餘寬度(亦即，「軌道寬度」-「重疊」)。根據圖3，可看出，重疊亦表示軌道之間的容限，使得其間不存在空間或間隙。然而，由於極小光點大小及某些高精確度製造程序之其他限制，軌道位置或掃描角度相對於基板之偏差的容限可能有問題地較小。舉例而言，若製造程序需要軌道之位置在目標位置之100 nm (亦即，100 nm之容限)內，則若可僅在1000 nm內判定MLA (及因此軌道)之定位準確度，則可在軌道之間的一些地點出現不容許的間隙。本發明之實施例藉由顯著地增加對此類未對準之容限的系統及方法來解決此問題。

圖4為說明根據實施例之判定間距及掃描角度的簡化圖。MLA之間距(標示為 dx且展示於頂部面板中)可為在豎直方向n _y之小透鏡、軌道寬度及重疊以及其上置放第一軌道之所要小透鏡的函數。在此情況下，第一軌道正接觸上部一列及右邊一行之小透鏡，從而產生接近45°掃描角度。因此，最佳間距410藉由以下判定：

。            (等式1)

底部面板中展示之對應掃描角度α遵循最佳間距、軌道寬度及重疊：

(等式2)

圖5為說明根據實施例之在掃描程序期間在不同時間產生圖案的簡化圖。為了進一步說明圖案如何藉由基板相對於MLA之掃描而形成的實例，圖5展示在三個時間點處之掃描程序。

頂部面板說明傳遞至基板510之初始圖案。圖案正展示為由六個鄰近MLA 520傳遞。MLA之細長描述表示MLA可為例如2560 × 100個小透鏡之二維陣列。在初始時間處，圖案直接印刷於小透鏡下方。

在中間面板中，表示某一稍後時間，基板已經以圖4中先前所描繪之大致45°掃描角度向上掃描至右側。如所見，由於MLA傳遞之光，軌道已開始形成。在此階段，由鄰近MLA印刷之軌道尚未彼此接觸或大體上彼此重疊。此處未描繪，但在以下圖式中更詳細地展示，經印刷圖案之邊緣具有間隙或空間，其中根本不存在以下軌道來填充該等間隙或空間。由於軌道之間的先前所描述之重疊，此類間隙及空間並不存在於經印刷圖案之中間部分中。

應理解，特定實施可根據本發明之教示之應用而變化，例如，掃描角度無需為45°。如在圖2中所闡述之幾何結構中所見，掃描角度為基板處之光點的大小及任何所要重疊度的複雜函數。本文中進一步論述此等細節，但應強調，給定實例在其確切設計中無需為限制性的。舉例而言，掃描角度可為大致0°、10°、20°、30°、45°、60°、80°或90°。圍繞特定指定掃描角度之變化可基於容許角度容限，例如，1至5微弧度(µrad)、6至10 µrad或小於20 µrad之變化。

在底部面板中，基板甚至進一步經掃描至由於鄰近MLA而導致之軌道相遇之點，且甚至在一定程度上重疊。因此，印刷程序產生實質上填充有經傳遞至基板之所要光但包括(再次在圖5中未描繪)圍繞邊緣之區的圖案，該等區可包括覆蓋範圍中之間隙。同樣，並非在下一MLA到達由鄰近MLA印刷之軌道之第一部分時掃描停止，為了獲得全覆蓋範圍，該等軌道略微交織。特別參考圖7及圖8，本文中進一步描述「拼接區」540。

圖6為說明根據實施例之完成掃描圖案610的簡化圖。圖6中所展示之例示性圖案描繪全掃描覆蓋範圍之區域。此圖案在某些實施例中亦可稱作「瓦片」，此係由於某些微影程序可提供由大量類似MLA群組對多個瓦片之印刷。圖案輪廓具有與自圖5中所展示的明顯形狀稍微不同的形狀。同樣，此係由於此完成圖案僅描繪軌道之間不存在間隙的區。

圖案610之邊緣具有在本文中稱作鋸齒形區之邊緣。此等區為先前所論述之印刷方法之自然結果。鋸齒形區之確切形狀將取決於特定MLA幾何形狀及系統設定而變化。舉例而言，若使用不同陣列大小之MLA，或使用不同掃描角度，或MLA之間的分離不同，則此等情形皆可影響經印刷圖案之細節。

圖7為說明根據實施例之各種類型之未對準對印刷鄰近MLA之拼接區的軌道之效應的簡化圖。左上面板701描繪在不存在未對準之理想化情況下由第一MLA 720及第二MLA 730傳遞之圖案中之拼接區710 (類似於拼接區540)的簡化表示。可看出在一個MLA之軌道結束之處另一MLA開始。右上面板702及右中面板703描繪在軌道之方向(亦即，掃描方向)上之位移的效應。在右上面板中，MLA 720具有稍微向上位移，其引起所展示之間隙740。在一些實施例中，系統可利用藉由MLA中之任一者進行之過度掃描以填充間隙。類似地，右中面板展示頂部MLA具有稍微向下位移，引起一些額外重疊750。此處，此可藉由縮短掃描中之一者來補償。

左中面板705及下部面板704描繪橫向位移(亦即，垂直於掃描方向)之效應。下部面板展示向左位移，其導致兩個MLA之軌道之間的較小間隙。在某些實施例中，此可藉由再次擴展掃描來補償，儘管可看出相比於在右上面板702中所描繪之較小間隙，增加之縱向範圍將需要較長掃描時間用於補償。因此，在此類情況下，此可使總體印刷程序之產出量降低多達百分之幾。在製造領域中，此類產出量損耗可為相當昂貴且嚴重的。左中面板705展示存在向右位移之最嚴重情況。此處，由於位移作為印刷圖案之結果極長，因此補償所描繪間隙將需要甚至更多的額外掃描，此對於印刷產出量成本顯著。因此，如本文中進一步描述之某些實施例藉由所提供足夠重疊來提供對此問題之解決方案，使得未對準之容限可在僅對製造產出量之輕微影響的情況下極大地增加。

如本文中所使用，諸如「側向」、「右側」、「左側」等的術語並不意欲將本發明之範疇限制於相對於任意系統之任何特定實施例或定向。此等方向僅意欲用於解釋性目的，且因此應將其技術等效物辨識為在本發明之範疇內。

類似地，經改良容限可因此在不參考絕對座標系統或特定硬體設定之情況下在符合本發明之教示內容的任何方向上。舉例而言，當描述在掃描方向上改良容限時，經審慎考慮，經印刷圖案之不同設定或實施可導致方向反轉(例如，反轉「左」與「右」移位)。此外，通常不相關的係，哪一微透鏡陣列被視為經正確地定位，且哪一微透鏡陣列被視為相對於另一者位移或旋轉。

圖8為說明根據實施例之利用透鏡陣列中之額外小透鏡填充掃描圖案中之間隙的簡化圖。圖8展示由單一MLA傳遞之經印刷圖案之一部分。出於解釋性目的，MLA中之小透鏡810之位置由圖式之底部部分中之圓圈展示。在此實例中，MLA僅具有5個列，而非實際MLA中之典型的100或更多個列。如下文進一步所解釋，在此簡化實例中，由圓圈區所展示之小透鏡之頂部列稱作「額外」小透鏡820。其他四個列稱作「功能性」小透鏡830。軌道由成角之矩形展示，其中由功能性小透鏡印刷之軌道為開放的，且由額外小透鏡印刷之軌道填充於其中。在頂部填充之所展示軌道用於填充由例如圖7中之面板705中所展示類型的嚴重未對準所引起之間隙。

本文中揭示用於導致對未對準之改良容限的微影工具(例如，MLA及相關聯系統)之系統及方法。如先前所論述，所揭示方法可包括相對於各自具有小透鏡列之第一微透鏡陣列(MLA)及第二MLA而掃描基板，其中掃描包含經由第一MLA及第二MLA之小透鏡將光傳遞至基板。然而，為了解決改良對未對準之容限之先前所描述問題，如在圖8之實例中所描繪的第一MLA可具有功能性小透鏡810及額外小透鏡820。藉由經由額外小透鏡傳遞光以填充圖案中之間隙，此類間隙係由過大未對準所引起，藉由額外小透鏡填充彼等間隙會有效地增加系統之容限。同樣地，由額外小透鏡傳遞光可經程式化以僅在存在間隙時發生，因此避免開始時存在間隙。各種實施可因此顯著地增加未對準之容限(例如，使得先前具有±50 nm容限之系統現在具有大致±1000 nm容限)。

當間隙出現於未對準MLA之間時，所揭示方法之一些實施例可包括將光傳遞至拼接區，該拼接區位於MLA之掃描圖案與鄰近MLA掃描圖案之鄰近掃描圖案重疊處。藉由將所描繪圖案底部處之大體上開放區域與所描繪圖案頂部處之區域進行比較，可看出額外小透鏡填充於間隙之相當大部分中，藉此在間隙出現於拼接區中之前增加未對準之容限。

概言之，鄰近MLA之位置及/或旋轉未對準超過容限可引起軌道之間的間隙。為了解決此問題，可利用數個額外列(及其小透鏡)來填充間隙，藉此按比例增加容限。雖然特定容限及其對應增加為非常具體應用的，但在一個實施例中，所揭示之系統及方法可包括專用於填充間隙之MLA的三個額外列，藉此將容限自10至500 nm增加至1至10 um之第二容限。在一個特定實例中，容限可自50 nm增加至950 nm。因此，一般而言，容限可增加與軌道寬度之一半成比例的量(例如，±50 nm至± (50 + Nx300) nm，其中N為具有額外小透鏡之額外列的數目)。在一些實施中，可利用其他數目之額外列。舉例而言，一個、兩個、五個、10個、20個等，以滿足系統容限增加之所要位準。此外，並非額外列中之每一小透鏡皆需要用作額外小透鏡以供印刷。舉例而言，經審慎考慮，由於DMD在給定時間點將光提供至特定小透鏡之能力，此可經控制以僅啟動所需小透鏡。所利用之小透鏡可因此包括例如在藉由給定MLA印刷之圖案之任一側上的拼接區中之額外小透鏡之任何組合。

一些實施例可包括將光傳遞至末端間隙。圖8中可見「末端間隙」之一個實例為最左側區，該最左側區在當前實例中位於MLA之掃描圖案與鄰近MLA之鄰近掃描圖案(例如，當前MLA上方或下方之MLA)不重疊之區域中。對於三個最左軌道，可看出其正在填充覆蓋範圍中之遺漏間隙。此具有增加實際印刷區域且藉此在出現不可接受之間隙之前亦增加未對準之容限的效應。

圖9為描繪根據實施例之由於利用額外小透鏡而增加容限之實例的簡化圖。圖9中之圖式說明，儘管額外小透鏡自身可增加可用重疊且因此增加容限，但當僅依賴於額外小透鏡時，此僅適用於位移。因此，雖然額外小透鏡自身確實提供一些益處，且因此仍解決本文中所闡述之技術問題，但具有額外特徵(例如，過度掃描)之其他實施可提供其他益處且在本文中進一步加以論述。對於僅使用額外小透鏡改良容限之簡化實例，如頂部面板901中所展示，對於掃描方向上之位移的容限不存在有效改變，此係由於並非每一軌道具有可用於填充間隙之額外列。

然而，如先前所描述，額外列可在左側寫入第一遺漏軌道。此使域寬度增加n _y-1個軌道。如面板902及903中所展示，額外小透鏡可增加在側向方向至掃描方向上之容限。中間面板902說明對於側向向右位移，間隙之程度顯著地減小。在此實例中，藉由使側向方向上之重疊增加軌道間距(例如，600 nm)，容限增加600 nm，或±300 nm。底部面板903說明對於向左移位，當由於增加之重疊而已移除一個間隙時，保留兩個其他間隙，且因此，系統對此類位移之容限保持不變。

此外，由於功能性軌道之減小數目(假定列之總數目固定於例如100處)，具有額外小透鏡之額外列有效地減小功能列之數目。因此，用於以第二掃描角度進行掃描之間距由於利用額外小透鏡來填充間隙而自第一掃描角度減小。

圖10為描繪根據實施例之由於利用額外小透鏡及過度掃描而增加容限之實例的簡化圖。在一些實施例中，所揭示之方法可包括在光之傳遞期間藉由在掃描方向上繼續基板之掃描以至少部分地填充圖案中之間隙來進行過度掃描，藉此進一步增加在掃描方向上之容限。頂部面板1001說明在掃描方向上之位移之重疊增加及對應容限增加。中間面板1002說明向右位移之重疊增加。此配置維持先前針對向右位移所描述之經改良容限。然而，下部面板1003說明在將額外小透鏡與過度掃描組合時所實現之協同結果。此處，由於額外列提供數個間隙之覆蓋範圍，向左之容限以與向右位移相同之方式增加。因而，可看出，此等所揭示方法之組合提供任何方向上之位移之容限的穩健增加。回想一下，在本文中給出之一個實例中，單獨的過度掃描(面板901)僅增加掃描方向上之容限，因此對側向位移之容限保持在100 nm。類似地，單獨的額外小透鏡(面板903)並不覆蓋所有間隙，藉此亦將容限保持在100 nm。因此，協同效應係藉由基於軌道寬度且與所揭示方法所使用之額外列之數目成比例的容限之增加來證明。因此，在此實例中，利用三個額外列及過度掃描提供± 300 nm × 3 = ± 900 nm額外容限之增加。因此，容限增加10倍，其中由於掃描角度之改變，產出量僅具有極小改變。

圖11為描繪根據各種實施例之鄰近透鏡陣列之增加重疊之實例的簡化圖。以上概念藉由展示不同重疊改變之四個面板而在圖11中稍微不同地重新陳述及描繪。面板1101說明覆蓋間隙之可用重疊。面板1102說明進行一個間距過度掃描(亦即，繼續掃描足以覆蓋由圖案之一個間距引起之間隙)之效應。此處，可看出更多重疊可用於覆蓋間隙。面板1103說明使用一個額外列(在無過度掃描之情況下)之效應。同樣，更多重疊可用於覆蓋間隙。面板1104展示將一個間距過度掃描與一個額外列組合以增加重疊之實例。此處，對於例示性位移(± 350 nm)，未展示間隙，且因此極大地改良系統之容限。

圖12描繪根據實施例之未旋轉但在MLA中心處具有例示性旋轉軸的例示性MLA。圖13描繪根據實施例之相同但以角度δα 1310旋轉的MLA。先前已論述改良對位置未對準(亦即線性)之容限。然而，所揭示方法亦可類似地改良對旋轉未對準之容限，該等旋轉未對準可在鄰近MLP相對於彼此旋轉時發生。此可藉由認識到經旋轉MLA導致給定小透鏡之有效平移(例如，在X及Y上)來理解，此取決於其與旋轉軸之距離。因此，藉由改良如本文中所描述之對平移之容限，此亦可有效地提供對旋轉未對準之容限。

有問題的跨軌道位移可由MLA之旋轉引起。一個實例為沿如所展示之x _{s c a n}軸之位移。在以下實例中，可在MLA座標系統中定義小透鏡，且該等小透鏡具有座標：間距( l _x ， l _y )，其中l _x及l _y為自MLA之左下方自零計數的小透鏡之索引(元素1220)。此可使用齊次座標轉換為掃描座標系統，如下：

，                         (等式3)

，                    (等式4)

，及             (等式5)

。  (等式6)

若MLA相對於掃描方向旋轉 δα，使得小透鏡位於由元素1320所展示之位置，則由小透鏡 l _MLA 掃描之軌道之位置藉由以下等式改變：

，                     (等式7)

掃描座標系統中之位移接著為：

，及                (等式8)

吾人對沿著x _scan方向之最大位移d _max感興趣：

。                     (等式9)

矩陣乘法中之填充給出：

及 (等式10)

。         (等式11)

對 δα之求解給出垂直於掃描方向之掃描軌道之給定最大位移的角度容限：

(等式12) 其中

且

。在掃描方向

接近45°之情況下，主要在

最大化時最大化該容限。亦即，具有最大y _scan座標之小透鏡將具有最大位移。在此組態中，此將為左下方(

)或右上方(

)小透鏡。以此方式，此等小透鏡之座標可判定角度容限。因此，如上文所見，在一些實施例中，間隙可至少部分地由鄰近MLA之旋轉未對準引起。如藉由先前解決方案所描述，可藉由利用額外小透鏡而增加旋轉未對準之容限。

在一些實施中，可存在兩種類型之未對準。因此，在包括以容限掃描基板之實施例中，該容限為位置容限及旋轉容限之組合，利用額外小透鏡增加位置容限及旋轉容限兩者。在一些實施例中，可能需要在位置容限與旋轉容限之間平衡由所揭示方法提供之經改良容限。因此，此類實施例可具有應用於增加位置容限之大致一半增加容限，及應用於增加旋轉容限之大致一半增加容限。然而，應理解，本發明預期用於改良由於線性位移及旋轉引起之容限之任何所要分配。

圖14為根據實施例之實例電腦系統CS的方塊圖。

電腦系統CS包括用於傳達資訊之匯流排BS或其他通信機制，及與匯流排BS耦接以處理資訊之一處理器PRO (或多個處理器)。電腦系統CS亦包括耦接至匯流排BS以儲存待由處理器PRO執行之資訊及指令的一主記憶體MM，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體MM亦可用於在待由處理器PRO執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統CS進一步包括耦接至匯流排BS以儲存用於處理器PRO之靜態資訊及指令的一唯讀記憶體(ROM) ROM或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之一儲存裝置SD，且將其耦接至匯流排BS以儲存資訊及指令。

電腦系統CS可經由匯流排BS耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之一顯示器DS，諸如一陰極射線管(CRT)，或平板或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之一輸入裝置ID耦接至匯流排BS以將資訊及命令選擇傳達至處理器PRO。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器PRO且用於控制顯示器DS上之游標移動的游標控制器CC，諸如一滑鼠、一軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常在兩個軸(第一軸(例如x)及第二軸(例如y))上具有兩個自由度，其允許裝置指定一平面中之位置。一觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作一輸入裝置。

根據一個實施例，本文中所描述之一或多種方法的部分可藉由電腦系統CS回應於處理器PRO執行主記憶體MM中所含有之一或多個指令的一或多個序列來進行。可將此類指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存裝置SD)讀取至主記憶體MM中。主記憶體MM中所含有之指令序列的執行使得處理器PRO進行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用於執行主記憶體MM中所含有之指令序列。在替代性實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器PRO以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置SD。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體MM。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排BS之導線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體可為非暫時性的，例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣。非暫時性電腦可讀媒體可具有記錄於其上之指令。在由電腦執行時，指令可實施本文中所描述之特徵中之任一者。暫時性電腦可讀媒體可包括載波或其他傳播電磁信號。

可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器PRO以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，可初始地將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統CS本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換為紅外線信號。耦接至匯流排BS之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排BS上。匯流排BS將資料攜載至主記憶體MM，處理器PRO自該主記憶體MM擷取且執行指令。由主記憶體MM接收到之指令可視情況在由處理器PRO執行之前或之後儲存於儲存裝置SD上。

電腦系統CS亦可包括耦接至匯流排BS之通信介面CI。通信介面CI提供與網路鏈路NDL之雙向資料通信耦接，該網路鏈路NDL連接至區域網路LAN。舉例而言，通信介面CI可為提供與對應類型之電話線的資料通信連接的整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機。作為另一實例，通信介面CI可為提供與相容LAN之資料通信連接的區域網路(LAN)卡。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面CI發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。

網路鏈路NDL通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料裝置。舉例而言，網路鏈路NDL可經由區域網路LAN將連接提供至主機電腦HC。此可包括經由全球封包資料通信網路(現在通常稱作「網際網路」INT)而提供之資料通信服務。區域網路LAN (網際網路)皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路資料鏈路NDL上且經由通信介面CI之信號為輸送資訊之例示性載波形式，該等信號將數位資料攜載至電腦系統CS且自該電腦系統CS攜載數位資料。

電腦系統CS可經由網路、網路資料鏈路NDL及通信介面CI發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，主機電腦HC可經由網際網路INT、網路資料鏈路NDL、區域網路LAN及通信介面CI傳輸用於應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一個此經下載應用程式可提供本文中所描述之方法中的全部或部分。所接收程式碼可在其經接收時由處理器PRO執行，及/或儲存於儲存裝置SD或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統CS可獲得呈載波形式之應用程式碼。

圖15為根據實施例之微影投影設備的示意圖。

微影投影設備可包括照明系統IL、第一物件台MT、第二物件台WT及投影系統PS。

照明系統IL可調節輻射光束B。在此特定情況下，照明系統亦包含輻射源SO。

第一物件台(例如，圖案化裝置台) MT可具有用以固持圖案化裝置MA (例如，倍縮光罩)之圖案化裝置固持器，且連接至第一定位器以相對於項目PS來準確地定位圖案化裝置。

第二物件台(基板台) WT可具備用以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至第二定位器以相對於項目PS來準確地定位基板。

投影系統(「透鏡」) PS (例如，折射、反射或反射折射光學系統)可將圖案化裝置MA之經輻射部分成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

如本文中所描繪，設備可屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化裝置)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化裝置)。設備可採用與經典遮罩不同種類之圖案化裝置；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。

源SO (例如，水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(LPP) EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束直接地或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節設備之後饋入至照明系統(照明器) IL中。照明器IL可包含調整裝置AD，以設定光束中之振幅分佈之外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，其通常將包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化裝置MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及振幅分佈。

在一些實施例中，源SO可在微影投影設備之殼體內(如常常係在源SO為例如水銀燈時的情況)，但其亦可遠離微影投影設備，該源產生的輻射光束經引導至設備中(例如藉助於合適的導向鏡面)；此後一情形可為在源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F2發出雷射)時的情況。

光束PB可隨後截取固持於圖案化裝置台MT上之圖案化裝置MA。在已橫穿圖案化裝置MA之情況下，光束B可穿過透鏡PL，該透鏡PL將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位設備(及干涉式量測設備IF)，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似地，第一定位設備可用於例如在自圖案化裝置庫中機械擷取圖案化裝置MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，可藉助於長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之情況下，圖案化裝置台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。

可在兩種不同模式(步進模式及掃描模式)中使用所描繪工具。在步進模式中，將圖案化裝置台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化裝置影像一次性投影(亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。可使基板台WT在x及/或y方向上移位，使得不同目標部分C可由光束PB輻照。

在掃描模式中，基本上相同的情形適用，不同之處在於不在單次「閃光」中曝光給定目標部分C。實際上，圖案化裝置台MT可在給定方向(所謂的「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得使投影光束B在圖案化裝置影像上進行掃描；同時，基板台WT以速度V = Mv在相同或相對方向上同時移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M = 1/4或1/5)。以此方式，可在不必損害解析度之情況下曝光相對較大目標部分C。

圖16為根據實施例之另一微影投影設備(LPA)的示意圖。

LPA可包括源收集器模組SO、經組態以調節輻射光束B (例如EUV輻射)之照明系統(照明器) IL、支撐結構MT、基板台WT及投影系統PS。

支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT可經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM。

基板台(例如，晶圓台) WT可經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位基板之第二定位器PW。

投影系統(例如，反射性投影系統) PS可經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

如此處所描繪，LPA可屬於反射類型(例如，採用反射圖案化裝置)。應注意，由於大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，因此圖案化裝置可具有包含例如鉬及矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬及矽之40個層對，其中各層之厚度為四分之一波長。可利用X射線微影來產生甚至更小之波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，因此圖案化裝置構形上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正性抗蝕劑)或不印刷(負性抗蝕劑)之處。

照明器IL可自源收集器模組SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於藉由在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一個元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此方法(常常稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料之小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射之EUV輻射系統的部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所產生電漿發射輸出輻射(例如EUV輻射)，該輸出輻射使用安置於源收集器模組中之輻射收集器進行收集。舉例而言，當CO2雷射用於為燃料激發提供雷射光束時，雷射及源收集器模組可為分離實體。

在此類情況下，可不認為雷射形成微影設備之部分，且輻射光束可藉助於包含例如合適的導向鏡面及/或光束擴展器之光束傳遞系統而自雷射傳送至源收集器模組。在其他情況下，例如，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度振幅分佈之調整器。大體上，可調整照明器之光瞳平面中之振幅分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱為σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明器可用於調節輻射光束以在其橫截面中具有所要均一性及振幅分佈。

輻射光束B可入射於固持於支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且由圖案化裝置進行圖案化。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用於相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA及基板W。

所描繪之設備LPA可用於以下模式中之至少一者：步進模式、掃描模式及靜止模式。

在步進模式中，在將經賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

在掃描模式中，在將經賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT之速度及方向。

在靜止模式中，在將經賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之各移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。

圖17為根據實施例之微影投影設備的詳細視圖。

如所展示，LPA可包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置以使得可在源收集器模組SO之圍封結構ES中維持真空環境。可藉由放電產生電漿源而形成發射熱電漿HP之EUV輻射。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生熱電漿HP以發射在電磁波譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由產生至少部分離子化電漿之放電來產生熱電漿HP。為了輻射之高效產生，可能需要為例如10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適的氣體或蒸汽。在實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。

由熱電漿HP發射之輻射經由定位於源腔室SC中之開口中或後方的視情況選用之氣體障壁或污染物截留器CT (在一些情況下，亦稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室SC傳送至收集器腔室CC中。污染物截留器CT可包括通道結構。污染物截留器CT亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁CT至少包括通道結構。

收集器腔室CC可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側US及下游輻射收集器側DS。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器SF反射以沿著由點虛線『O』指示之光軸聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF可稱作中間焦點，且源收集器模組可經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構ES中之開口OP處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿HP之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置FM及琢面化光瞳鏡面裝置pm，該琢面化場鏡面裝置FM及琢面化光瞳鏡面裝置pm經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束B之所要角度分佈以及在圖案化裝置MA處的輻射振幅之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束B後，形成經圖案化光束PB，且經圖案化光束PB藉由投影系統PS經由反射元件RE成像至由基板台WT固持之基板W上。

比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，光柵光譜濾光器SF可視情況存在。此外，可存在比圖式中所展示之鏡面更多的鏡面，例如，可存在存在於投影系統PS中之1至6個額外反射元件。

收集器光學器件CO可為具有掠入射反射器GR之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器GR經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學器件CO可與通常稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。

圖18為根據實施例之微影投影設備LPA之源收集器模組SO的詳細視圖。

源收集器模組SO可為LPA輻射系統之部分。雷射LA可經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數10 eV之電子溫度的高度離子化電漿HP。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學器件CO收集，且聚焦至圍封結構ES中之開口OP上。

本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括極紫外線(EUV)、DUV微影，其能夠藉由使用ArF雷射來產生193 nm波長，且甚至藉由使用氟雷射來產生157 nm波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由用高能電子撞擊材料(固體或電漿)來產生在20至50 nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除矽晶圓以外之基板上成像的微影成像系統。

以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

在經編號條項之後續清單中揭示其他實施例： 1. 一種用於一微影工具之方法，該方法包含：相對於各自具有複數個小透鏡列之一第一微透鏡陣列(MLA)及一第二MLA而掃描一基板，其中該第一MLA具有功能性小透鏡及額外小透鏡，其中該掃描包含經由該第一MLA及該第二MLA之該等小透鏡將光傳遞至該基板，該傳遞包括：經由該等功能性小透鏡傳遞光以在該基板上形成一圖案，該圖案具有由該第一MLA與該第二MLA之該等功能性小透鏡之間的一位置或旋轉未對準引起之間隙，及經由該等額外小透鏡傳遞光以填充該圖案中之該等間隙。 2. 如前述條項中任一項之方法，其中該第一MLA與該第二MLA之一位置未對準超過一容限引起該等間隙。 3. 如前述條項中任一項之方法，其中該等額外小透鏡係在該第一MLA之一額外列中。 4. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含增加該等額外小透鏡之額外列之一數目以按比例增加該等容限。 5. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含將該MLA之三個額外列用於填充該等間隙，藉此將該容限自10至500 nm增加至1至10 um。 6. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含以一第二掃描角度進行該掃描，該第二掃描角度由於利用該等額外小透鏡來填充該等間隙而自一第一掃描角度減小。 7. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含將該光傳遞至一拼接區，該拼接區位於該第一MLA之一第一掃描圖案與該第二MLA之一第二掃描圖案重疊處。 8. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含將該光傳遞至一末端間隙，該末端間隙位於該第一MLA之一第一掃描圖案與該第二MLA之一第二掃描圖案不重疊的該圖案之一區域中。 9. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含在該光之該傳遞期間藉由在一掃描方向上繼續該基板之該掃描以填充該圖案中之該等間隙來進行過度掃描，藉此進一步增加在該掃描方向上之該容限。 10.   如前述條項中任一項之方法，其中該等間隙至少部分地由該第一MLA與該第二MLA之一位置未對準引起，且該掃描係在藉由利用該等額外小透鏡而增加之該位置未對準之一位置容限內進行。 11.   如前述條項中任一項之方法，其中該等間隙至少部分地由該第一MLA與該第二MLA之一旋轉未對準引起，且該掃描係在藉由利用該等額外小透鏡而增加之該旋轉未對準之一旋轉容限內進行。 12.   如前述條項中任一項之方法，其進一步包含以一容限掃描該基板，該容限為一位置容限及一旋轉容限之一組合，其中該掃描係在均藉由利用該等額外小透鏡而增加之該位置容限及該旋轉容限兩者內進行。 13.   如前述條項中任一項之方法，其中將該容限之增加之大致一半應用於增加該位置容限，且將增加容限之大致一半應用於增加該旋轉容限。 14.   一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施如前述條項中任一項之方法。 15.   一種微影系統，其包含：一微影工具，其包含各自具有複數個小透鏡列之一第一微透鏡陣列(MLA)及一第二MLA，其中該第一MLA具有功能性小透鏡及額外小透鏡；其中該等功能性小透鏡經組態以接收穿過其之光以在一基板上形成一圖案，該圖案具有由該第一MLA與該第二MLA之功能性小透鏡之間的一位置或旋轉未對準引起之間隙，且其中該等額外小透鏡經組態以接收穿過其之光以用於填充該圖案中之該等間隙；及一控制系統，其藉由穿過功能性小透鏡及該等額外小透鏡之該光來控制該基板之一掃描。 16.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板處於自一第一掃描角度減小之一第二掃描角度，其中該第二掃描角度係由於利用該等額外小透鏡來填充該等間隙而產生的。 17.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板以一掃描角度定向以具有由於利用該等額外小透鏡而增加之一位置容限。 18.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板以一掃描角度定向以具有由於利用該等額外小透鏡而增加之一旋轉容限。 19.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板以一掃描角度定向以具有由於利用該等額外小透鏡而增加之一位置容限及一旋轉容限。 20.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該增加在該位置容限與該旋轉容限之間大致相等地劃分。 21.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該第一MLA具有100個列，且該等100個列中之三者包括藉由填充該等間隙而將一容限自10至500 nm增加至1至10 um之該等額外小透鏡。 22.   如前述條項中任一項之微影系統，其中該微影系統經組態以製造平板顯示器。

100:微影設備 110:圖案化裝置 112:光源 114:光束 140:鏡面陣列 150:投影系統/位準感測器 152:物鏡 154:透鏡陣列 160:基板 210:光點/光點曝光 310:光點/軌道 320:重疊 330:軌道寬度 340:重疊 350:軌道間距 410:最佳間距 510:基板 520:微透鏡陣列 540:拼接區 610:圖案 701:面板 702:面板 703:面板 704:面板 705:面板 710:拼接區 720:第一MLA 730:第二MLA 740:間隙 750:重疊 810:小透鏡 820:額外小透鏡 830:功能性小透鏡 901:面板 902:面板 903:面板 1001:面板 1002:面板 1003:面板 1101:面板 1102:面板 1103:面板 1104:面板 1220:元素 1310:角度 1320:元素 AD:調整裝置 B:光束 BS:匯流排 C:目標部分 CC:游標控制器/收集器腔室 CI:通信介面 CO:聚光器/輻射收集器/收集器光學器件 CS:電腦系統 CT:污染物截留器/污染物障壁 DS:顯示器/下游輻射收集器側 ES:圍封結構 Ex:光束擴展器 FM:琢面化場鏡面裝置 GR:掠入射反射器 HC:主機電腦 HP:電漿 ID:輸入裝置 IF:干涉式量測設備/虛擬源點 IL:照明系統/照明光學器件單元 IN:積光器 INT:網際網路 LA:雷射 LAN:區域網路 LPA:微影投影設備 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MM:主記憶體 MT:第一物件台/圖案化裝置台/支撐結構 NDL:網路鏈路 n _y:豎直方向 O:光軸 OP:開口 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PB:經圖案化光束 PL:透鏡 PM:第一定位器/琢面化光瞳鏡面裝置 PRO:處理器 PS:投影系統/項目 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 R:列 RE:反射元件 ROM:唯讀記憶體 S:光點 SC:源腔室 SD:儲存裝置 SE:光點曝光 SF:光柵光譜濾光器 SO:輻射源/源收集器模組 US:上游輻射收集器側 W:基板 WT:第二物件台/基板台 α:掃描角度

併入本說明書中且構成其一部分的隨附圖式展示本文中所揭示之主題的某些態樣，且與描述一起，有助於解釋與所揭示之實施方式相關聯的一些原理。在圖式中，

圖1為說明根據實施例之例示性微影系統的簡化圖。

圖2為說明根據實施例之例示性微影系統及用於將圖案印刷至經掃描基板之方法的簡化圖。

圖3為說明根據實施例之藉由透鏡陣列印刷之軌道之間的例示性重疊提供之容限的簡化圖。

圖4為說明根據實施例之判定間距及掃描角度的簡化圖。

圖5為說明根據實施例之在掃描程序期間在不同時間產生圖案的簡化圖。

圖6為說明根據實施例之完成掃描圖案的簡化圖。

圖7為說明根據實施例之各種類型之未對準對印刷鄰近MLA之拼接區的軌道之效應的簡化圖。

圖8為說明根據實施例之利用透鏡陣列中之額外小透鏡填充掃描圖案中之間隙的簡化圖。

圖9為描繪根據實施例之由於利用額外小透鏡而增加容限之實例的簡化圖。

圖10為描繪根據實施例之由於利用額外小透鏡及過度掃描而增加容限之實例的簡化圖。

圖11為描繪根據各種實施例之鄰近透鏡陣列之增加重疊之實例的簡化圖。

圖12描繪根據實施例之未旋轉但在MLA中心處具有例示性旋轉軸的例示性MLA。

圖13描繪根據實施例之相同但以角度 δα旋轉的MLA。

圖14為根據實施例之實例電腦系統的方塊圖。

圖15為根據實施例之微影投影設備的示意圖。

圖16為根據實施例之另一微影投影設備的示意圖。

圖17為根據實施例之微影投影設備的詳細視圖。

圖18為根據實施例之微影投影設備之源收集器模組的詳細視圖。

154:透鏡陣列

160:基板

210:光點

R:列

S:光點

SE:光點曝光

α:掃描角度

Claims (20)

1. 一種用於一微影工具之方法，該方法包含： 相對於各自具有複數個小透鏡列之一第一微透鏡陣列(MLA)及一第二MLA而掃描一基板，其中該第一MLA具有功能性小透鏡及額外小透鏡，其中該掃描包含經由該第一MLA及該第二MLA之該等小透鏡將光傳遞至該基板，該傳遞包括： 經由該等功能性小透鏡傳遞光以在該基板上形成一圖案，該圖案具有由該第一MLA與該第二MLA之該等功能性小透鏡之間的一位置或旋轉未對準引起之間隙，及 經由該等額外小透鏡傳遞光以填充該圖案中之該等間隙。
2. 如請求項1之方法，其中該第一MLA與該第二MLA之一位置未對準超過一容限引起該等間隙。
3. 如請求項2之方法，其中該等額外小透鏡係在該第一MLA之一額外列中。
4. 如請求項3之方法，其進一步包含增加該等額外小透鏡之額外列之一數目以按比例增加該等容限。
5. 如請求項1之方法，其進一步包含以一第二掃描角度進行該掃描，該第二掃描角度由於利用該等額外小透鏡來填充該等間隙而自一第一掃描角度減小。
6. 如請求項1之方法，其進一步包含將該光傳遞至一拼接區，該拼接區位於該第一MLA之一第一掃描圖案與該第二MLA之一第二掃描圖案重疊處。
7. 如請求項1之方法，其進一步包含將光傳遞至一末端間隙，該末端間隙位於該第一MLA之一第一掃描圖案與該第二MLA之一第二掃描圖案不重疊的該圖案之一區域中。
8. 如請求項1之方法，其進一步包含在該光之該傳遞期間藉由在一掃描方向上繼續該基板之該掃描以填充該圖案中之該等間隙來進行過度掃描，藉此進一步增加在該掃描方向上之該容限。
9. 如請求項1之方法，其中該等間隙至少部分地由該第一MLA與該第二MLA之一位置未對準引起，且該掃描係在藉由利用該等額外小透鏡而增加之該位置未對準之一位置容限內進行。
10. 如請求項1之方法，其中該等間隙至少部分地由該第一MLA與該第二MLA之一旋轉未對準引起，且該掃描係在藉由利用該等額外小透鏡而增加之該旋轉未對準之一旋轉容限內進行。
11. 如請求項1之方法，其進一步包含以一容限掃描該基板，該容限為一位置容限及一旋轉容限之一組合，其中該掃描係在均藉由利用該等額外小透鏡而增加之該位置容限及該旋轉容限兩者內進行。
12. 一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施如請求項1至11中任一項之方法。
13. 一種微影系統，其包含： 一微影工具，其包含各自具有複數個之小透鏡列之一第一微透鏡陣列(MLA)及一第二MLA，其中該第一MLA具有功能性小透鏡及額外小透鏡； 其中該等功能性小透鏡經組態以接收通過其之光以在一基板上形成一圖案，該圖案具有由該第一MLA與該第二MLA之該等功能性小透鏡之間的一位置或旋轉未對準引起之間隙，且其中該等額外小透鏡經組態以接收通過其之光以用於填充該圖案中之該等間隙；及 一控制系統，其藉由穿過該等功能性小透鏡及該等額外小透鏡之該光來控制該基板之一掃描。
14. 如請求項13之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板處於自一第一掃描角度減小之一第二掃描角度，其中該第二掃描角度係由於利用該等額外小透鏡來填充該等間隙而產生的。
15. 如請求項13之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板以一掃描角度定向以具有由於利用該等額外小透鏡而增加之一位置容限。
16. 如請求項13之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板以一掃描角度定向以具有由於利用該等額外小透鏡而增加之一旋轉容限。
17. 如請求項13之微影系統，其中該第一MLA及該第二MLA相對於該基板以一掃描角度定向以具有均由於利用該等額外小透鏡而增加之一位置容限及一旋轉容限。
18. 如請求項17之微影系統，其中該增加在該位置容限與該旋轉容限之間大致相等地劃分。
19. 如請求項13之微影系統，其中該第一MLA具有100個列，且該等100個列中之三者包括藉由填充該等間隙而將一容限自10至500 nm增加至1至10 um之該等額外小透鏡。
20. 如請求項13之微影系統，其中該微影系統經組態以製造平板顯示器。

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