CN102736443A - 双euv照射均匀性校正系统和方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了双EUV照射均匀性校正系统和方法。光刻设备包括照射系统。照射系统包括均匀性校正系统。均匀性校正系统包括指状件，配置成可移入和移出辐射束，以便校正辐射束的各个部分的强度；和致动装置，耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动对应的指状件。光刻方法包括：聚焦辐射束在第一平面处，以便在第一平面处形成大致恒定的光瞳；通过将定位在第一平面附近的指状件移入和移出辐射束路径来调节靠近第一平面的辐射束的强度，其中指状件中的每一个的尖端的宽度大于用于移动指状件中的每一对应的指状件的对应的致动装置的宽度；引导辐射束到图案形成装置上以图案化辐射束；和将图案化的辐射束投影到衬底上。

Description

双EUV照射均匀性校正系统和方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和照射均匀性校正系统。本发明主要涉及光刻术，尤其涉及用于补偿由例如照射束移动、光柱均匀性、均匀性补偿器漂移等引起的均匀性漂移的系统和方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应于所述IC的单层的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上，所述目标部分具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

光刻设备通常包括照射系统，所述照射系统被布置成在辐射入射到图案形成装置上之前调节由辐射源产生的辐射。照射系统可以例如修改辐射的一种或更多种性质，诸如偏振和/或照射模式。照射系统可以包括均匀性校正系统，其被布置以校正或减小在辐射中存在的非均匀性，例如强度的非均匀性。均匀性校正装置可以采用被致动的指状件，所述指状件被插入到辐射束的边缘中以校正强度变化。然而，可以被校正的强度变化的空间周期的宽度依赖于用于移动均匀性校正系统的指状件的致动装置的尺寸。此外，在一些情形中，如果修改了用于校正辐射束的非规则性的指状件的尺寸或形状，那么均匀性校正系统可以以不被希望的方式折衷或修改辐射束的一种或更多种性质，诸如由辐射束形成的光瞳。

光刻术被广泛地公认为制造集成电路(IC)以及其它器件和/或结构的关键工艺。光刻设备是在光刻术过程中使用的机器，其施加期望的图案到衬底上，诸如到衬底的目标部分上。在用光刻设备制造IC的过程中，(可替代地称为掩模或掩模版的)图案形成装置生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅衬底)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成了图案的相邻目标部分的网络。为了降低制造IC的成本，惯常的做法是曝光每一IC的多个衬底。同样地，另外的惯常做法是光刻设备处于几乎持续的使用中。也就是，为了保持所有类型的IC的制造成本处于潜在的最小值，衬底曝光之间的停机时间也被最小化。因此，光刻设备吸收热量，所述热量引起光刻设备的部件膨胀，导致了漂移、移动和均匀性变化。

为了确保在图案形成装置和衬底上的好的成像品质，保持辐射束的受控制的均匀性。也就是，辐射束在被反射远离或透射穿过图案形成装置之前潜在地具有不均匀的强度轮廓。期望对于整个光刻过程以至少一些均匀性控制辐射束。均匀性可以表示横跨整个照射束的恒定的强度，还可以表示将照射控制成目标照射的能力。目标照射均匀性具有平坦的或非平坦的轮廓。图案形状装置赋予辐射束以图案，所述图案被成像到衬底上。所投影的辐射束的成像品质受照射束的均匀性影响。

市场要求光刻设备尽可能有效地执行光刻过程，以最大化制造能力和保持每一器件的成本低廉。这意味着将制造缺陷保持至最低值，这就是为什么需要在实践中尽可能大程度地最小化照射束的均匀性的效应。

发明内容

期望提供克服或减轻无论是在此处或其它地方提出的一个或更多的问题的光刻设备和方法。

根据本发明的一个实施例，提供了一种光刻设备，包括：照射系统，所述照射系统配置成调节辐射束。所述照射系统包括定位在配置成在用所述辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳的平面处的均匀性校正系统。所述均匀性校正系统包括：指状件，所述指状件配置成可移动成与辐射束相交和移出而不与之相交，以便校正所述辐射束的各个部分的强度；和致动装置，所述致动装置耦接至所述指状件中的对应的指状件且配置成移动所述对应的指状件。

根据本发明的一个实施例，每一所述指状件的尖端的宽度大于配置成移动所述尖端的所述致动装置的宽度。

在一个例子中，所述光刻设备还包括支撑结构、衬底台和投影系统。所述支撑装置配置成保持图案形成装置，所述图案形成装置配置成在辐射束的横截面中将图案赋予所述被调节的辐射束。衬底台配置成保持衬底。投影系统配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。

根据本发明的另一实施例，提供了一种光刻方法，包括以下步骤：(1)将辐射束聚焦在第一平面处，以便在所述第一平面处形成大致恒定的光瞳；(2)通过将定位在所述第一平面附近的指状件移动到所述辐射束的路径中和移动到所述辐射束的路径外面，来调节靠近所述第一平面的辐射束的强度，其中所述指状件中的每一个的尖端的宽度大于用于移动所述指状件中的每一对应的指状件的对应的致动装置的宽度；(3)将所述辐射束引导到图案形成装置上以图案化所述辐射束；和(4)将所述图案化的辐射束投影到衬底上。

本发明的另外的特征和优点以及本发明各实施例的结构和操作将在下文中参考附图进行详细描述。注意到，本发明不限于此处描述的具体实施例。此处提出这样的实施例仅是为了说明的目的。基于此处包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实施例。

附图说明

此处包含的且形成了说明书的一部分的附图示出了本发明，且与所述描述一起进一步用于说明本发明的原理，和使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1A和1B分别示出了具有均匀性补偿器和相关的传感器的反射式和透视式光刻设备。

图2示出了示例性的极紫外(EUV)光刻设备。

图3示出相对于照射束狭缝的均匀性补偿器的例子。

图4示出照射束狭缝的例子。

图5A和5B示出包含均匀性补偿器的示例性反射式光刻系统。

图6A和6B示出示例性的均匀性补偿器。

图7是示例性均匀性补偿器的三维模型。

图8是控制示例性均匀性补偿器中的指状件移动的机构的剖视图。

图9A和9B示出具有重叠指状件的示例性均匀性补偿器，该指状件分别具有4mm和2mm的节距。

图10A-10D示出示例性均匀性补偿系统的重叠指状件。

图11示出具有4mm节距的示例性实施例的均匀性补偿系统的均匀性误差性能。

图12示出具有2mm节距的示例性实施例的均匀性补偿系统的均匀性误差性能。

图13示出均匀性更新的流程。

图14示出一般性的主流程，其是均匀性更新和(可选的)离线校准的组合。

图15示出了在示例性的计算机系统1500的视图，其中本发明的实施例或其部分可以被实施为计算机可读编码。

结合附图通过下文阐述的详细描述，将更加明白本发明的特征和优点，在附图中相同的附图标记在全文中表示对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。元件首次出现的附图用相应的附图标记中最左边的数字表示。

具体实施方式

本发明涉及使用均匀性补偿器补偿由例如照射束移动、光柱均匀性、均匀性补偿器漂移等引起的均匀性漂移的方法。本说明书公开了包括本发明的特征的一个或更多的实施例。所公开的实施例仅示例性地说明本发明。本发明的范围不受所述公开的实施例的限制。本发明由随附的权利要求限定。

所描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的提及表示所述的实施例可以包括特定的特征、结构或特点，但是每个实施例不一定包括特定的特征、结构或特点。此外，这些措词不必表示同一实施例。此外，当特定特征、结构或特点被关于实施例进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，结合其他的实施例实现这些特征、结构或特点在本领域技术人员的知识范围内。

然而，在更加详细地描述这样的实施例之前，有益的是，呈现出本发明的实施例可以被实施的示例性环境。

I.示例性的光刻环境

A.示例性的反射式和透射式光刻系统

图1A和1B分别示意地示出了光刻设备100和光刻设备100′。所述光刻设备100和光刻设备100′中的每个包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，深紫外(DUV)或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；以及衬底台(例如衬底台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的衬底)W，并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。光刻设备100和100′还具有投影系统PS，该投影系统PS配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射性的，在光刻设备100′中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射性的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射束B。照射系统IL还可以包括提供对能量(每脉冲)的测量的能量传感器ES、用于测量光束的移动的测量传感器MS和允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器UC。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100和100′的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。

术语“图案形成装置”MA应当被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的(如在图1B中的光刻设备100′)或反射式的(如在图1A中的光刻设备100)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型和衰减型相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。

术语“投影系统”PS可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，这是因为其他气体可能吸收太多的辐射或电子。因此，可以在真空壁和真空泵的帮助下，将真空环境提供至整个束路径。

光刻设备100和/或光刻设备100′可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它的衬底台WT用于曝光。

参考图1A和1B，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备100、100′可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备100或100′的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(图1B)的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备100、100′的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(图1B)。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(图1B)，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。所需的均匀性可以通过使用能量传感器ES和均匀性补偿器UC来保持，能量传感器ES分配(divide-out)源输出的变化，均匀性补偿器UC由多个凸起(例如指状件)构成，所述凸起可以插入到照射束和从照射束移除以修改照射束的均匀性和强度。

参考图1A，所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA形成图案。在光刻设备100中，辐射束B被从图案形成装置(例如掩模)MA反射。在被从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，所述辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。

参考图1B，所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1B中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。同理，在图2中具有衬底平台狭缝传感器WS，其与能量传感器ES结合在每脉冲的基础上产生从照射系统IL至衬底W的归一化的强度数据。

通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所示的光刻设备100和100′用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如此处所述的一类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“衬底”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

在另外的实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其配置成产生用于EUV光刻术的EUV辐射束。通常，EUV源配置在辐射系统中(参见下文)，对应的照射系统配置成调节EUV源的EUV辐射束。

B.示例性的EUV光刻设备

图2示例性地示出了根据本发明的一实施例的示例性EUV光刻设备。在图2中，EUV光刻设备包括辐射系统202、照射光学装置单元204和投影系统PS。辐射系统202包括辐射源SO，其中辐射束可以通过放电等离子体形成。在一实施例中，EUV辐射可以由气体或蒸汽(例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)产生，其中温度非常高的等离子体被产生以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。温度非常高的等离子体可以由例如通过放电产生至少部分离子化的等离子体而生成。例如10Pa分压的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适合的气体或蒸汽对于有效地产生辐射可能是需要的。由辐射源SO发射的辐射被经由定位在源腔206中的开口中或其后面的气体阻挡件或污染物阱210从源腔206传递至收集器腔208中。在一实施例中，气体阻挡件210可以包括通道结构。

收集器腔208包括辐射收集器212(其也可以被称为收集器反射镜或收集器)，其可以由掠入射收集器形成。辐射收集器212具有上游辐射收集器侧214和下游辐射收集器侧216，穿过收集器212的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片218，以被聚焦在收集器腔208中的孔阑处的虚源点220处。辐射收集器212对技术人员来说是已知的。

来自收集器腔208的辐射束226在照射光学装置单元204中被借助于正入射反射器222和224反射到定位在掩模版台或掩模台MT上的掩模版或掩模(未显示)上。形成了图案化的束228，其被借助于反射元件230和232在投影系统PS中成像到被支撑在衬底平台或衬底台WT上的衬底(未显示)上。在各实施例中，照射光学装置单元204和投影系统PS可以包括比图2显示的元件更多(或更少)的元件。例如，照射光学装置单元204还可以包括提供对能量(每脉冲)的测量的能量传感器ES、用于测量光束的移动的测量传感器MS以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器UC。另外，可以依赖于光刻设备的类型可选地设置光栅光谱滤光片218。此外，在一实施例中，照射光学装置单元204和投影系统PS可以包括比图2中显示的反射镜更多的反射镜。例如，除了反射元件230和232之外，投影系统PS还可以包括一至四个反射元件。在图2中，参考标记240表示两个反射器之间的空间(例如反射器234和236之间的空间)。

在一实施例中，替代掠入射反射镜或除了掠入射反射镜之外，收集器反射镜212还可以包括正入射收集器。另外，收集器反射镜212，尽管被参考具有反射器234、236和238的巢状的收集器进行了描述，但是在此处还被用作收集器的示例。

另外，替代光栅218，如图2中示意性地显示的，还可以应用透射式光学滤光片。对于EUV是透射的光学滤光片以及对于UV辐射是较不透射的或甚至是基本上吸收UV辐射的光学滤光片对于本领域技术人员是已知的。因此，“光栅光谱纯度滤光片”的使用在此处还可替换地被表示成“光谱纯度滤光片”，其包括光栅或透射滤光片。尽管未在图2中示出，但是EUV透射式光学滤光片可以被包括作为额外的光学元件，例如，配置在收集器反射镜212的上游，或是在照射单元204和/或投影系统PS中的光学EUV透射滤光片。

对于光学元件，术语“上游”和“下游”分别表示一个或更多的光学元件在一个或更多的额外的光学元件的“光学上游”和“光学下游”的位置。遵循辐射束穿过光刻设备的光路，与第二光学元件相比，更靠近源SO的第一光学元件配置在第二光学元件的上游；第二光学元件配置在第一光学元件的下游。例如，收集器反射镜212配置在光谱滤光片218的上游，而光学元件222配置在光谱滤光片218的下游。

在图2中显示的所有光学元件(和未在该实施例的示意图中显示的额外的光学元件)可能易受由源SO产生的污染物(例如Sn)的沉积的损害。对于辐射收集器212可能是这样，如果存在的话，对于光谱纯度滤光片218也可能是这样。因此，可以采用清洁装置以清洁这些光学元件中的一个或更多个，以及可以将清洁方法应用至这些光学元件，而且还可以应用至正入射反射器222和224以及反射元件230和232或其它光学元件，例如额外的反射镜、光栅等。

辐射收集器212可以是掠入射收集器，在这一实施例中，收集器212被沿着光轴O对准。源SO或其图像还可以被沿着光轴O定位。辐射收集器212可以包括反射器234、236和238(也被称为“壳”或包括几个沃尔特(Wolter)类型反射器的Wolter型反射器)。反射器234、236和238可以是巢状的，且关于光轴O是旋转对称的。在图2中，内反射器由参考标记234表示，中间反射器由参考标记236表示，外反射器由参考标记238表示。辐射收集器212包围特定的体积，例如在外反射器238内的体积。通常，在外反射器238内的体积被圆周地封闭，尽管可以存在小的开口。

反射器234、236和238分别可以包括表面，所述表面至少部分地设置有一反射层或多个反射层。因此，反射器234、236和238(或在具有多于3个反射器或壳的辐射收集器的实施例中的额外的反射器)至少部分地被设计用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，反射器234、236和238的至少一部分不能设计成反射和收集EUV辐射。例如，反射器背侧的至少一部分不能设计成反射和收集EUV辐射。在这些反射层的表面上可以另外有用于保护的覆盖层或作为在反射层的表面的至少一部分上设置的光学滤光片。

辐射收集器212可以放置在源SO或源SO的像的附近区域中。每个反射器234、236和238可以包括至少两个相邻的反射表面，较远离源SO的所述反射表面，与较靠近源SO的反射表面相比，被相对于光轴O以更小的角度放置。这样，掠入射收集器212配置成产生沿着光轴O传播的EUV辐射束。至少两个反射器可以基本上同轴地放置，且关于光轴O大致旋转对称地延伸。应当认识到，辐射收集器212可以具有在外反射器238的外表面上的另外的特征或围绕外反射器238的另外的特征，例如保护性保持器、加热器等。

在允许的情况下，在此处描述的实施例中，术语“透镜”和“透镜元件”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。

另外，这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长λ)、极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如具有5-20nm范围的波长，例如13.5nm)，或以小于5nm波长工作的硬X射线以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，波长在大约780-3000nm(或更大)之间的辐射被认为是IR辐射。UV表示具有大约100-400nm波长的辐射。在光刻术中，通常还将其应用至以下波长，所述波长可以由汞放电灯产生：G线436nm、H线405nm和/或I线365nm。真空UV或VUV(即被空气吸收的UV)表示具有大约100-200nm波长的辐射。深UV(DUV)通常表示具有从126nm至428nm范围的波长的辐射，在一实施例中，准分子激光器可以产生在光刻设备内使用的DUV辐射。应当认识到，例如波长在大5-20nm范围内的辐射与特定波段的辐射相关，其至少一部分在5-20nm的范围内。

II.用于补偿照射束均匀性的漂移的系统和方法

图3示出了根据本发明的一实施例的均匀性更新(UR)校正系统300的机械部分。在图3中，均匀性更新(UR)校正系统300包括能量传感器(ES)310和多个均匀性补偿器320。UR校正系统300可以在光刻操作过程中修改照射束。在本发明的至少一个实施例中，照射束被成形为弧形，并被称为照射狭缝330。通过控制单个均匀性补偿器320移动进入照射狭缝330和移出照射狭缝330，可以控制照射狭缝330的均匀性。均匀性补偿器320还可以被称为指状件。可以在于2010年5月28日申请的共同拥有的共同未决的美国非临时专利申请12/789,795中找到均匀性补偿器的示例性操作，通过引用将其全部内容并入本文中。

在一个例子中，图3中显示的指状件可以被单独地控制以修改照射狭缝的强度，用于实现目标均匀性。

图4是根据本发明的一个实施例的照射狭缝430的放大视图。例如，在至少一个实施例中，图4示出了照射狭缝430的尺寸和形状。图4未显示均匀性补偿器的指状件，其被插入照射狭缝的路径和从照射狭缝的路径撤回，用于修改其强度均匀性。在一个实施例中，均匀性补偿器仅定位在照射狭缝的一侧上。

图5A和5B显示示例性的反射式光刻系统，其分别包括均匀性补偿器514和528。在第一例子中，图5A示出了照射源502，其提供反射远离反射镜504、506、508、510和512的照射束。所述束在撞击掩模版516之前与均匀性补偿器514的指状件相互作用。掩模版是反射性的。因此，图案化的辐射束518在其朝向衬底(未显示)传播时被从掩模版516反射。

在图5B中显示了使用均匀性补偿器系统528的另一示例性的反射式光刻系统。照射源520提供照射束，其被从反射镜522、524、和526反射。所述束在撞击掩模版530之前与均匀性补偿器528的指状件相互作用。掩模版是反射性的。因此，辐射束由掩模版530形成图案，并在其朝向衬底(未显示)传播时被反射作为图案化的束532。

在图6A和6B中更详细地显示了示例性的均匀性补偿器。图6A显示了从掩模版向下观看的均匀性补偿器系统的示例性的正视图。图6A类似于图3，显示具有指状件602和能量传感器606的示例性的均匀性补偿器。通过控制单个均匀性补偿器602移动到束604中和移动出束604，可以控制照射狭缝608的均匀性。

在图6B中显示了图6A的示例性的均匀性补偿器的侧视图。在图6B中以标记602显示出在图6A中以标记602显示的均匀性补偿器指状件。如图6B所示，均匀性补偿指状件处于掩模版616的下方和被分开距离610。在指状件尖端和掩模版之间的距离610在几毫米的量级上。在一示例性的实施例中，距离610可以在大约10-20mm之间。

可见图6B中显示的入射和反射束与指状件602和掩模版616相互作用，如标记614和620所示与掩模版成一角度。图6B中的结构的剩余部分与致动器相关，其如下文所讨论地控制指状件的移动。

在图7中显示均匀性补偿器的三维模型。可以看到均匀性补偿器的指状件602。延伸到辐射束中的指状件尖端602可以移动到辐射束中和移出辐射束，和连接至指状件颈部704。由编码器箱706控制指状件的移动的测量和控制。以标记708示出示例性的安装硬件。

图8是编码器箱706的剖视图。如前所述，移动到辐射束中和移出辐射束的指状件尖端602连接至指状件颈部704。控制电路容纳在编码器箱706中以及测量机构808中，所述测量机构808测量指状件的位移。通过线性电机812移动每个单独的指状件(以平移的方式)，该线性电机812采用磁体810。该剖视图还显示指状件主体814和弯曲部816和818。

图9A显示了特定的实施例，其中重叠的指状件产生了预定的指状件间距906。图8的指状件602更详细地在图9A的左手部分中显示为特征902和904，其是指状件的从上至下的视图。在图10A和10B中更详细地显示了重叠指状件尖端的集合。图9A的右手侧是对应于图8的剖视结构的示意性侧视图。在一个实施例中，预定的指状件节距906是在3-5mm之间，优选地大约为4mm。

图10A显示了对应于图9A的左侧上示出的重叠指状件的重叠指状件的集合。在图10B中显示了单独的指状件的形状。图10B由横向地分离图10A中的指状件获得。指状件尖端被选择成图10B中显示的“T”形，以便于与白色指状件顶部上的灰色指状件重叠。在这一示例性的实施例中，指状件1008和1010的宽度是7mm。这一布置的节距由于图10A中显示的重叠放置而成为4mm。

在图8的剖视图中显示的详细结构被在图9A的右手侧上进行抽象提炼。图8中显示的指状件颈部704在图9A中示意性地显示为具有上指状件920和下指状件922的也被示意性地显示的特征918。在图9的右侧上的上指状件920和下指状件922是重叠的，如在图9A的左侧上的从上至下的视图中由各自的灰色指状件902和白色指状件904显示的。

图8的磁体810被抽象为图9A中的特征916，线性电机914(812)的其他细节在图9A中亦被抽象。图8中的编码器箱706现在被抽象为图9A中的灰色矩形910。该编码器箱使用测量传感器912测量指状件致动器的移动。编码器箱910还包含控制指状件移动的电路。

图8中显示的垂直指状件颈部704现在看上去为在从上至下的视图中在图9A的左侧上的阴影区域908和在侧视图中在图9A的右侧上的区域918。节距906被确定为在一个指状件的右边缘和相邻的指状件的对应的右边缘之间的距离。虽然在这一例子中给定指状件的宽度是7mm，但是因为指状件重叠的方式，节距小于该宽度。尤其是，在这一情形中其为4mm。

图9B显示另一示例性的实施例，其中两组指状件相互位移。图9B的实施例通过布置(或另外地配置)两组指状件和将它们相对彼此移位来产生。因此，在图9B的左侧上的视图中，灰色指状件现在对应于在图9A中示出的所有指状件。白色指状件对应于在横向和垂直移位之后的图9A中显示的指状件的布置，如在图9B中的右侧上示意性地显示的。

图9B中的上面一组指状件928是图9A中的完整的一组指状件920和922的复制。同样地，图9B中的下面一组指状件930是图9A中的完整的一组指状件920和922的相似的复制。同理，图9B的示例性的实施例包括多达图9A的指状件数量的两倍的指状件。这样的布置可以通过使用双面编码器箱940来实现。用于顶部的指状件集合的电机机构被以标记948与磁体946一起示出。同样地，下部电机952和用于下面的指状件集合的磁体组件950被显示。在这一实施例中，双面编码器箱使用一个编码器942来对上面一组指状件的位置进行编码和使用另一编码器944来对下面一组指状件的位置进行编码。由标记938示出在从上至下的视图中在图9B的左手侧上的右边阴影区域934和936上的两个指状件集合的颈部。

在图9A中显示的示例性实施例中，提供了一组28个重叠的指状件，每个指状件具有7mm的指状件宽度，导致了4mm的节距。图9B的对应的实施例包括两组28个指状件，每个指状件具有的宽度为3mm。第二组可以被横向地移位2mm，使得总共48个指状件具有2mm的节距。为了适应图9B的配置，指状件的长度必须不同于图9B中的两组指状件928和930。这在图10A-D中更详细地显示出。

图10C显示重叠以实现2mm的节距的指状件的集合。这些包括两组重叠的指状件。以灰色表示的图10C中的指状件对应于图10A中的所有指状件，但是图10C和10D中的指状件尖端的宽度是3mm。同样地，在图10C中以白色表示标记为1014的指状件还对应于图10A中显示的例如在将宽度从7mm减小至3mm时的所有指状件的复制组。如之前提及的，两组指状件彼此移位2mm。

在图11和12中显示图9A和9B中显示的实施例在校正照射束的均匀性方面的性能。图11和12绘制了对于各种类型的照射的均匀性误差(1.准-conv(quasi-conv)；2.大环形；3.小环形；4.双极x 90；5.双极y 90；6.类星体状45；7.cquad 45；8.双极x 120；和9.双极y120)。

图11对应于具有4mm节距的图9A的实施例，而图12显示具有2mm节距的图9B的实施例的均匀性误差。

均匀性误差被定义为最大和最小强度之差与最大和最小强度之和之间的比率。理想地，该比应当对于完全均匀束是零。对于非均匀性照射，该比率量化均匀性补偿器的性能。这解释了为什么图11和12显示了不同照射的变化。图12是使用图9B的配置的对于相同组的照射图案的被测量的均匀性误差。清楚地，具有2mm节距的图9B的实施例如图12所示的均匀性性能相对于具有4mm节距的图9A的实施例如图11所示的均匀性性能有所改善。这是因为图9B的实施例的更小的节距提供了以更高的空间频率校正照射变化的能力。

图13显示根据本发明的一实施例的方法，用于补偿系统均匀性漂移。这样的方法可以用于通过提高在衬底至衬底的基础上的成功地成像的器件的数量来最大化制造效率。

在一个例子中，该方法以每一批衬底1310的起点开始。在步骤1320中，测量了照射狭缝均匀性(例如通过利用沿着狭缝的离散的强度样本的狭缝扫描平均或狭缝积分强度)。在步骤1320中，均匀性更新(UR)校正系统基于横跨狭缝的平坦强度轮廓来计算均匀性补偿器(例如指状件)位置。可选地，在步骤1340中，均匀性更新(UR)校正系统基于非平坦的强度轮廓计算均匀性补偿器(例如指状件)位置(利用诸如Netherlands，Veldhoven，ASML制造的

或DoMa的系统)。关于

实施例的例子可以在2009年5月12日授权的美国专利No.7,532,308中发现，通过参考将其全部内容并入本文中。在步骤1350中，均匀性更新(UR)校正系统设定多个均匀性补偿器(例如指状件)的位置。在步骤1360中，曝光衬底。在一个例子中，在曝光每一衬底的过程中，可以(例如依赖于被曝光的衬底部分)使用多个的不同的非平坦轮廓(例如

目标照射狭缝轮廓)。因此，在单个衬底的曝光过程中，甚至可以有均匀性补偿器指状件位置的变化。在步骤1370中，确定另一衬底是否在所述批次中被曝光。如果步骤1370返回“是”，则所述方法返回至步骤1320。如果步骤1370返回“否”，那么所述批次中的更多衬底被曝光，在步骤1390方法结束。

在本发明的一实施例中，在步骤1310过程中，在单个批次的连续的衬底之间控制(例如校正)照射狭缝均匀性，使得所述批次中的每一衬底被以独立控制的均匀照射狭缝曝光。在步骤1320中，测量了照射狭缝的均匀性。例如，照射狭缝的均匀性可能由于诸多因素而变化，例如照射束移动、光柱均匀性或均匀性补偿器指状件漂移。

在一个例子中，通过对横跨整个狭缝的照射狭缝强度求积分作为连续的强度轮廓来测量照射狭缝的均匀性。附加地或替代地，可以使用沿着狭缝的离散的强度样本作为狭缝扫描的平均强度来测量照射狭缝的均匀性。

在步骤1330中，使用来自步骤1320的所测量的照射狭缝均匀性，指状件位置被计算以便产生平坦的目标照射狭缝均匀性。可选地，在步骤1340中，可以使用非平坦(DOMa)的均匀性轮廓以及来自步骤1320的所测量的照射狭缝均匀性，来计算指状件位置。在步骤1350中，所计算的指状件位置被设定成使得照射束均匀性与平坦的目标轮廓或非平坦的目标轮廓匹配。在步骤1360中，曝光衬底。

在一个实施例中，在衬底的曝光过程中移动指状件，使得使用不同的照射狭缝目标轮廓来曝光衬底的不同的部分。

在步骤1370中，确定是否存在所述批次中的额外的衬底要被曝光。如果步骤1370返回“是”，那么所述方法返回至步骤1320。在一个例子中，测量和校正单个批次中的衬底之间的照射狭缝的均匀性是被期望的，这是因为系统移动、热量产生以及振动可以引起照射狭缝的均匀性变化。如果步骤1370返回“否”，那么在步骤1390结束所述方法。

图14示出了根据本发明的一实施例的方法，用于补偿系统均匀性漂移。例如，所述方法可以用于通过提高在衬底至衬底的基础上被成功成像的器件的数量来最大化制造效率。图14中显示的方法可以包括在第一衬底被处理之前的起初的校准步骤。随后的衬底可以不具有校准步骤，而是使用之前的衬底的最终测量值作为初始测量值。

在步骤1410中，执行均匀性补偿器位置的离线校准。在步骤1415中，机械地调整均匀性补偿器。在步骤1420中，产生辐射束。在步骤1425中，辐射束穿过包括均匀性补偿器的光学系统。在可选的步骤1430中，束移动被测量或束移动被计算。在步骤1435中，照射狭缝均匀性被测量或计算(例如如果被测量，其可以通过狭缝积分强度来进行或其可以通过使用沿着狭缝的离散的强度样本的狭缝扫描平均来进行)。在步骤1440中，均匀性补偿器(例如指状件)的位置被基于当前的均匀性、离线数据和/或扫描移动来确定。在步骤1445中，均匀性补偿器(例如指状件)的位置被调整。在步骤1450中，进行了在图13中显示的方法是否应当被再次执行的确定。如果步骤1450返回“是”，那么图14中显示的方法返回至步骤1420。如果步骤1450返回“否”，那么图14中显示的方法移动至步骤1455，在该过程中衬底被曝光。

在一例子中，在每一衬底的曝光过程中，可以依赖于所曝光的衬底部分，使用多个不同的非平坦的轮廓(例如目标照射狭缝轮廓)。例如，甚至在单个衬底的曝光过程中，可能存在均匀性补偿器指状件位置变化。关于在加热和冷却循环期间均匀性变化的建模、校准相关的参数以及应用这些结果至单独的衰减器的致动的例子可以在2009年5月12日授权的美国专利No.7,532,308和在2002年9月24日授权的美国专利No.6,455,862中找到，上述两者通过参考将其全部内容并入本文中。

在本发明的一实施例中，如参考图13所描述的，在随后的衬底之间控制(例如校正)照射狭缝的均匀性。此外，在本发明的一实施例中，所述方法用于调整均匀性补偿器，使得照射狭缝均匀性匹配于目标照射狭缝均匀性，其包括每一衬底的照射狭缝均匀性的至少两个测量值。也就是，在图14中显示的方法达到步骤1450时，做出“重复”判定。“重复”判定通常对于每一衬底的第一次是“是”。当判定1450是“是”时，那么步骤1420被重复和新的辐射束被产生。在步骤1435中使新的辐射束穿过光学系统。步骤1435测量照射狭缝均匀性，步骤1440确定均匀性补偿器的位置，而步骤1445调整均匀性补偿器。

在图14显示的方法的重复过程中，如果所测量的照射狭缝均匀性在目标照射狭缝强度轮廓(平坦或非平坦)的预定公差内，那么将不需要进一步重复所述补偿方法且在步骤1450处将选择“否”。在此之后，在步骤1455处，可以如参考图13描述的发生衬底的曝光。在没有与预定的公差比较的情况下，还可以执行图14显示的方法。在一实施例中，图14显示的方法仅被执行一次，且不会重复确定步骤1445中的均匀性补偿器调节是否使照射狭缝均匀性与目标照射狭缝强度轮廓(平坦或非平坦)相匹配。

在另一例子中，如果所测量的照射狭缝均匀性未在目标照射狭缝强度轮廓(平坦或非平坦)的预定公差内，那么可能需要进一步调整均匀性补偿器。在所述情形中，将在步骤1450中再次选择“是”。照射狭缝均匀性可以被精细调节以更靠近目标照射狭缝强度轮廓。替代地，如果所测量的照射狭缝均匀性在目标照射狭缝强度轮廓的预定公差内，即使是在衬底的第一次之后，也不需要重复所述方法。

图13和14显示的本发明的控制方法可以在软件、固件、硬件或它们的组合中实施。图15是示例性的计算机系统1500的视图，其中本发明的实施例或其一部分可以被实施为计算机可读编码。图13和14的流程图显示的方法可以在计算机系统1500中实施，计算机系统1500包括耦接至显示器1530的显示器接口1502。本发明的各实施例在这一示例性的计算机系统1500方面进行描述。在阅读了这一描述之后，相关领域的技术人员将明白如何使用其他计算机系统和/或计算机架构实施本发明的实施例。

计算机系统1500包括一个或更多的处理器，诸如处理器1504。处理器1504可以是专门目的或通用目的处理器。处理器1504连接至通信基础设施1506(例如总线或网络)。

计算机系统1500还包括主存储器1505，优选地是随机存取存储器(RAM)，还可以包括辅助存储器1510。辅助存储器1510可以例如包括硬盘驱动器1512、可移除存储驱动器1514、和/或记忆棒。可移除存储驱动器1514可以包括软盘驱动器、磁带驱动器、光盘驱动器、闪存等。可移除存储器驱动器1514以公知的方式从可移除存储单元1518读取和/或对其进行写入。可移除存储单元1518可以包括软盘、磁带、光谱等，其被可移除存储驱动器1514读取和写入。如相关领域的技术人员所理解的，可移除存储单元1518包括计算机可使用的存储介质，其中存储有计算机软件和/或数据。

在可替代的实施例中，辅助存储器1510可以包括用于允许计算机程序或其它命令装载到计算机系统1500中的其它的类似装置。这样的装置可以包括例如可移除存储单元1518和接口1520。这样的装置的例子可以包括程序卡带和卡带接口(诸如在视频游戏装置中提供的那些)、可移除存储器芯片(例如EPROM或PROM)以及相关的接口和其它可移除的存储单元1518和接口1520，其允许软件和数据被从可移除存储单元1518转移至计算机系统1500。

计算机系统1500还可以包括通信接口1524。通信接口1524允许软件和数据在计算机系统1500和外部装置之间传递。通信接口1524可以包括调制解调器、网络接口(诸如以太网卡)、通信端口、PCMCIA插槽和卡等。经由通信接口1524传递的软件和数据成信号的形式，其可以是电子的、电磁的、光学的或能够被通信接口1524接收的其它的信号。这些信号被借助于通信路径1526和1528提供至通信接口1524。通信路径1526和1528传送信号和可以使用电线或电缆、光纤光学装置、电话线、蜂窝电话链路、RF链路或其它通信信道来实施。

在本文中，术语“计算机程序介质”和“计算机可使用介质”用于通常表示诸如可移除存储单元1518、可移除存储单元1518和安装在硬盘驱动器1512中的硬盘的介质。计算机程序介质和计算机可使用的介质还可以称为存储器，诸如主存储器1505和辅助存储器1510，其可以是存储器半导体(例如DRAM等)。这些计算机程序产品提供软件至计算机系统1500。

计算机程序(也被称为计算机控制逻辑)存储在主存储器1505和/或辅助存储器1510中。计算机程序还可以经由通信接口1524来接收。这样的计算机程序在被执行时能够使得计算机系统1500实施如此处讨论的本发明的实施例。尤其是，计算机程序在被执行时能够使处理器1504实施如在上文讨论的由图13的流程图显示的方法中的步骤的本发明的过程。因此，这样的计算机程序代表了计算机系统1500的控制器。在使用软件来实施本发明的实施例的情况下，所述软件可以通过使用可移除存储驱动器1514、接口1520、硬盘驱动器1512或通信接口1524存储在计算机程序产品中和装载到计算机系统1500中。

本发明的实施例还涉及包括存储在任何计算可使用的介质上的软件的计算机程序产品。这样的软件在一个或更多的数据处理装置中执行时，使得数据处理装置进行如此处描述的操作。本发明的实施例采用现在已知的或将来已知的任何计算机可使用的或可读的介质。计算机可使用的介质的例子包括但不限于主存储器装置(例如任何类型的随机存取存储器)、辅助存储装置(例如硬盘驱动器、软盘、CD ROMS、ZIP盘、带、磁存储装置、光学存储装置、MEMS、纳米技术逻辑存储装置等)和通信介质(例如有线和无线通信网络、局域网、广域网、企业内部网等)。

结论

应该认识到，“具体实施方式”部分，而不是发明内容和摘要部分，意图用于诠释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐明由本发明人设想的本发明的所有示例性实施例中的一个或更多个示例性实施例，但不是本发明的全部示例性实施例，因而不是要以任何方式限制本发明和随附的权利要求。

借助示出具体功能的实施方式及其关系的功能构建块，在上文描述了本发明。为了描述方便，这些功能构建块的边界在本文是任意限定的。可以限定可替代的边界，只要特定功能及其关系被适当地执行即可。

具体实施例的前述说明如此充分地揭示了本发明的一般属性，使得其他人通过应用本领域的知识可以在不需要过多的实验且在不背离本发明的一般思想的情况下容易地修改和/或适应用于各种应用的这样的具体实施例。因此，基于这里给出的教导和引导，这种适应和修改是在所公开的实施例的等价物的范围和含义内。可以理解，这里的措词或术语是为了描述的目的，而不是限制性的，使得本说明书的术语或措辞由本领域技术人员根据教导和引导进行解释。

本发明的覆盖度和范围不应该受上述的任何示例性实施例的限制，而应该仅根据权利要求及其等价物来限定。

当前申请中的权利要求不同于母案或其他相关申请中的权利要求。因此，申请人取消在母案申请中或与当前申请有关的任何之前申请中所作出的权利要求的范围中的任何放弃。因此，提醒审查员，任何这样的之前放弃的范围和没有被采用的被引用的对比文献可能需要被重新考虑。此外，还提醒审查员在当前申请中作出的任何放弃的范围不应当对母案申请产生影响。

Claims (15)

1.一种光刻设备，包括：

照射系统，配置成调节辐射束，所述照射系统包括定位在配置成在用所述辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳的平面处的均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括：

指状件，配置成可移动成与辐射束相交和移出辐射束不与之相交，以便校正所述辐射束的各个部分的强度，和

致动装置，耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动所述对应的指状件，

其中每一所述指状件的尖端的宽度大于所述致动装置的宽度；

支撑结构，配置成保持图案形成装置，所述图案形成装置配置成图案化所述被调节的辐射束；

衬底台，配置成保持衬底；和

投影系统，配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述指状件布置成在各自的第一平面和第二平面中的第一组和第二组，所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开，其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距，使得相邻的指状件重叠。

3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中由所述指状件校正的辐射的强度变化的最小空间周期小于所述指状件尖端的宽度。

4.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述辐射的强度变化的最小空间周期是大约所述指状件尖端的尺寸的一半。

5.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述尖端的宽度是大约7mm，所述辐射的强度变化的最小空间周期是大约4mm。

6.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述指状件布置成分别在第一平面、第二平面、第三平面和第四平面中的第一组、第二组、第三组和第四组，所述第一平面、第二平面、第三平面和第四平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开，其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距，使得相邻的指状件重叠。

7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中由所述指状件校正的辐射的强度变化的最小空间周期小于所述指状件尖端的宽度。

8.根据权利要求6所述的光刻设备，其中所述辐射的强度变化的最小空间周期是大约所述指状件尖端的尺寸的一半。

9.根据权利要求6所述的光刻设备，其中所述尖端的宽度是大约3mm，辐射的强度变化的最小空间周期是大约2mm。

10.一种器件制造方法，包括：

将辐射束聚焦在第一平面处，以便在所述第一平面处形成大致恒定的光瞳；

通过将定位在所述第一平面附近的指状件移动到所述辐射束的路径中和移动到所述辐射束的路径外面，来调节靠近所述第一平面的辐射束的强度，

其中所述指状件中的每一个的尖端的宽度大于用于移动所述指状件中的每一对应的指状件的对应的致动装置的宽度；

将所述辐射束引导到图案形成装置上以图案化所述辐射束；和

将所述图案化的辐射束投影到衬底上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述指状件布置成分别在第一平面和第二平面中的第一组和第二组，所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开，其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距，使得相邻的指状件重叠。

12.一种均匀性校正系统，包括：

指状件，配置成可移动成与辐射束相交和移出辐射束不与之相交，以便校正所述辐射束的各个部分的强度，所述辐射束定位在配置成在用所述辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳的平面处，和

致动装置，耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动所述对应的指状件，

其中所述每一指状件的尖端的宽度大于所述致动装置的宽度。

13.根据权利要求12所述的均匀性校正系统，其中所述指状件布置成分别在第一平面和第二平面中的第一组和第二组，所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开，其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距，使得相邻的指状件重叠。

14.一种方法，包括步骤：

提供位于第一平面处的指状件，所述第一平面在用辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳；和

提供耦接至所述指状件中的对应的指状件的致动装置，所述致动装置通过移动定位在所述第一平面处的所述指状件进入所述辐射束的路径中或出离所述辐射束的路径来调节在所述第一平面处的辐射束的强度；

其中所述指状件中的每一指状件的尖端的宽度大于用于移动所述指状件中的每一对应的指状件的所述致动装置中的对应的致动装置的宽度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述指状件布置成分别在第一平面和第二平面中的第一组和第二组，所述第一平面和第二平面沿着垂直于所述平面的方向彼此分开，其中每一指状件的宽度大于所述指状件之间的间距，使得相邻的指状件重叠。

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