KR20080068006A

KR20080068006A - 노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법

Info

Publication number: KR20080068006A
Application number: KR1020087006595A
Authority: KR
Inventors: 히데야 이노우에; 도루 기우치
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2005-11-15
Filing date: 2006-11-15
Publication date: 2008-07-22
Also published as: US8605249B2; JPWO2007058188A1; TW200734828A; EP1956431A4; TWI479271B; EP1956431A1; US20090263736A1; US7573052B2; US20080210888A1; WO2007058188A1

Abstract

패턴상 생성 장치(10, 12, PL)에 의해, 패턴상이 생성되고, 그 생성된 패턴상 또는 생성되어 물체 상에 형성된 패턴상의 적어도 일부가 검출계(42, 48)에 의해 광전적으로 검출된다. 그리고, 수정 장치(32)는, 그 검출 결과에 기초하여 패턴상 생성 장치에 입력해야 할 설계 데이터를 수정한다. 따라서, 이 수정 후의 설계 데이터의 입력에 대응하여, 패턴상 생성 장치에 의해 물체(P) 상에 패턴상이 생성되고, 이 패턴상으로 물체가 노광됨으로써, 원하는 패턴이 물체 상에 정밀하게 형성된다.

Description

노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 노광 장치와 노광 방법 및 디바이스 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반도체 소자, 액정 표시 소자 등의 전자 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서 이용되는 노광 장치와 노광 방법, 및 상기 노광 장치와 노광 방법을 이용하는 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.

종래부터, 반도체 소자 또는 액정 표시 소자 등의 전자 디바이스(마이크로 디바이스)를 제조하는 리소그래피 공정에서는, 마스크(레티클, 포토마스크 등)에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 통해 레지스트 등의 감광제가 도포된 플레이트(유리 플레이트, 웨이퍼 등) 상에 전사하는 스텝 앤드 리피트(step and repeat) 방식의 투영 노광 장치(스테퍼) 또는 스텝 앤드 스캔(step and scan) 방식의 투영 노광 장치 등이 이용되고 있다.

그런데, 최근에 디바이스 패턴의 대소(예컨대 선폭, 피치 등의 미세도)에 관계없이 고가의 마스크를 이용하지 않고 디바이스를 형성할 수 있는 마스크리스 타입(고정의 패턴 원판인 마스크를 이용하지 않음)의 주사형 투영 노광 장치가 제안되고 있다(예컨대 특허 문헌 1 참조). 이 특허 문헌 1에 기재한 주사형 투영 노광 장치에 따르면, 기판 스테이지의 주사에 동기하여 가변 패턴 생성 장치에서 생성되는 전사 패턴을 변화시킴으로써 원하는 패턴을 용이하게 생성할 수 있다. 또한, 종래의 마스크를 이용하는 노광 장치와는 달리 마스크 스테이지를 구비한 필요가 없기 때문에, 노광 장치의 비용 절감 및 소형화가 가능하다.

그런데, 상기한 마스크리스 타입, 즉 가변 패턴이 성형되는 가변 성형 마스크(액티브 마스크 또는 이미지 제너레이터라고도 불림)라도, 투과형의 경우는 물론, 반사형의 경우에도, 현실적으로는, 원하는 형상, 사이즈의 패턴상(像)을 얻는 것은 용이하지 않다는 것이 최근에 와서 판명되었다. 이것은, 가변 성형 마스크를 이용하는 경우에도, 가변 성형 마스크에 의해 생성된 패턴이 광학계를 통해 피노광면에 결상될 때에, 여러 가지 광학적인 현상, 예컨대 광 근접 효과(OPE: Optical Proximity Effect), 소위 플레어 또는 광학계의 수차 등에 의해 영향을 받는 것이 원인이라고 생각된다.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-327660호 공보

본 발명은 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 제1 관점에서 보면, 패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 장치로서, 설계 데이터의 입력에 대응하여 패턴상을 생성하는 패턴상 생성 장치와; 생성된 패턴상 또는 생성되어 물체 상(上)에 형성된 패턴상의 적어도 일부를 광전적으로 검출하는 검출계와; 검출 결과에 기초하여 상기 패턴상 생성 장치에 입력해야 할 상기 설계 데이터를 수정하는 수정 장치를 구비하는 제1 노광 장치이다.

이것에 따르면, 패턴상 생성 장치에 의해 생성된 패턴상 또는 생성되어 물체 상에 형성된 패턴상의 적어도 일부가 검출계에 의해 광전적으로 검출된다. 그리고, 수정 장치는, 그 검출 결과에 기초하여 패턴상 생성 장치에 입력해야 할 설계 데이터를 수정한다. 따라서, 이 수정 후의 설계 데이터의 입력에 대응하여, 패턴상 생성 장치에 의해 물체 상에 패턴상이 생성되고, 이 패턴상으로 물체가 노광됨으로써, 원하는 패턴이 물체 상에 정밀하게 형성된다.

본 발명은, 제2 관점에서 보면, 패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 장치로서, 설계 데이터의 입력에 대응하여 광의 진폭, 위상 및 편광의 상태 중 적어도 하나를 공간적으로 변조하는 가변 성형 마스크를 통해 패턴상을 생성하는 패턴상 생성 장치와; 생성된 패턴상 또는 생성되어 물체 상에 형성된 패턴상 중 적어도 일부를 광전적으로 검출하는 검출계와; 검출 결과에 기초하여 가변 성형 마스크의 동작 상태를 검출하는 제어 장치를 구비하는 제2 노광 장치이다.

이것에 따르면, 노광 장치에 장착된 가변 성형 마스크의 동작 상태를 간단히 확인할 수 있고, 가변 성형 마스크를 이용하여 정밀하게 물체 상에 패턴을 형성할 수 있게 된다.

본 발명은, 제3 관점에서 보면, 본 발명의 제1, 제2 노광 장치 중 어느 하나를 이용하여 물체를 노광시키는 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법이다.

본 발명은, 제4 관점에서 보면, 설계 데이터의 입력에 대응하여 생성되는 패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 방법으로서, 상기 설계 데이터에 대응하여 생성되는 패턴상 또는 생성되어 물체 상에 형성되는 패턴상을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 상기 설계 데이터를 수정하며, 상기 물체의 노광시, 상기 수정된 설계 데이터를 이용하여 패턴상을 생성하는 제1 노광 방법이다.

본 발명은, 제5 관점에서 보면, 패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 방법으로서, 설계 데이터의 입력에 대응하여, 가변 성형 마스크를 통해 생성되는 패턴상 또는 생성되어 물체 상에 형성되는 패턴상을 검출하고, 이 검출 결과에 기초하여 가변 성형 마스크의 동작 상태를 검출하는 제2 노광 방법이다.

본 발명은, 제6 관점에서 보면, 본 발명의 제1, 제2 노광 방법 중 어느 하나를 이용하여 물체를 노광시키는 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법이다.

도 1은 제1 실시 형태에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 2는 플레이트(P) 상에 형성되는 패턴상(PA)을, 노광 영역, 상검출기의 촬상 영역(검출 영역)과 함께 도시한 도면이다.

도 3은 촬상 영역 내부의 복수 라인의 메인 주사 라인 상의 광 강도 신호(메인 주사 라인 상의 화소열의 휘도값에 대응)의 가산 평균에 대응하는 신호의 일례를 도시한 도면이다.

도 4는 한 쌍의 보조 패턴(AP₁, AP₂)이 주기 방향의 양단에 배치된 라인 앤 드 스페이스 패턴(LSP), 이 패턴에 대응하는 설계 상의 광 강도 신호, 및 실제로 검출한 라인 앤드 스페이스 패턴(LSP) 및 보조 패턴(AP₁, AP₂)상(像)의 메인 주사 라인 상의 광 강도 신호를 도시한 도면이다.

도 5는 제2 실시 형태에 따른 노광 장치의 투영 광학계의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 6은 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 7은 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

《제1 실시 형태》

이하, 본 발명의 제1 실시 형태를 도 1 내지 도 4에 기초하여 설명한다. 도 1에는 제1 실시 형태에 따른 노광 장치(100)의 구성이 개략적으로 도시되어 있다.

노광 장치(100)는 조명계(10), 마스크 장치(12), 투영 광학계(PL), 스테이지 장치(16) 및 이들을 제어하는 제어계 등을 구비하고 있다. 이 노광 장치(100)는 스테이지 장치(16)의 일부를 구성하는 스테이지(ST) 상에 적재된 플레이트(감광성 기판)(P) 상에, 마스크 장치(12)의 일부를 구성하는 반사형 가변 성형 마스크(전자마스크)(VM)의 패턴상을 투영함으로써 노광 처리를 수행한다. 제어계는 마이크로 컴퓨터를 포함하고, 장치 전체를 통괄적으로 제어하는 주제어 장치(20)를 중심으로 하여 구성되어 있다. 또한, 노광 장치(100)는 가변 성형 마스크(VM)에 의한 생성 패턴의 전환(변경)과 플레이트(P)의 이동을 동기시켜서 플레이트(P) 상에 패턴을 형성하는 주사형 노광 장치이다.

상기 조명계(10)는 조명광(IL)으로 가변 성형 마스크(VM)의 균일 조명을 행하는 것으로서, 광원 및 광원 제어계(모두 도시하지 않음)를 포함하는 광원계(22),조명 광학계(24), 미러(M) 및 집광 렌즈(26) 등을 구비하고 있다. 조명 광학계(24)는 조명 조건을 가변으로 하는 성형 광학계, 광 인테그레이터(조도 균일화 부재), 시야 조리개, 릴레이 렌즈 등(모두 도시하지 않음)을 포함하며, 이하에서는 미러(M) 및 집광 렌즈(26)도 포함하는 것으로서 설명한다.

여기서, 광원으로서는, 일례로서, 파장 248 ㎚의 레이저광을 출력하는 KrF 엑시머 레이저가 이용되고 있는 것으로 한다. 또한, 광원으로서, KrF 엑시머 레이저 대신에 출력 파장 193 ㎚의 ArF 엑시머 레이저는 물론, 자외역의 휘선(g선, i선 등)을 출력하는 초고압 수은 램프 또는 예컨대 국제 공개 제1999/46835호 팜플렛 및 이것에 대응하는 미국 특허 제7,023,610호 명세서 등에 개시되는 반도체 레이저 등의 고조파 발생 장치 등을 이용하여도 좋다.

또한, 성형 광학계는 예컨대 조명 광학계(24) 내에서 광 인테그레이터의 입사측에 배치되고, 교환 가능한 회절 광학 소자, 가동 프리즘, 줌 광학계 및 편광 부재 등을 포함하는 복수의 광학 소자를 가지며, 적어도 하나의 광학 소자의 교환 또는 이동 등에 의해, 조명 광학계(24)의 동면(瞳面) 상에서의 조명광(IL)의 강도 분포(2차 광원의 형상 및/또는 크기), 즉 가변 성형 마스크(VM)의 조명 조건을 변 경한다. 광 인테그레이터로서는, 예컨대 플라이 아이 렌즈가 이용되지만, 내면 반사형 인테그레이터 또는 회절 광학 소자 등을 이용하여도 좋다.

조명 광학계(24)는 플라이 아이 렌즈의 후측 초점면[조명 광학계(24)의 동면]에 형성되는 2차 광원(다수의 광원상으로 이루어진 면광원)으로부터 사출되는 조명광(IL)을 가변 성형 마스크(VM)에 조사한다. 즉, 파면 분할형의 쾰러 조명(Kohler illumination)이 행해진다. 또한, 조명 광학계(24)는 성형 광학계에 의해 조명 조건, 예컨대 간섭 인자(coherence factor)(σ값: 투영 광학계의 마스크측 개구수에 대한 2차 광원으로부터의 조명 광속의 개구수의 비)를 연속적으로 가변으로 할 수 있다.

마스크 장치(12)는 스테이지(ST) 상에 적재된 플레이트(P)에 투영해야 할 가변의 패턴을 생성하는 전자 마스크 시스템으로서, 가변 성형 마스크(VM)와, 가변 성형 마스크(VM)를 지지(유지)하는 마스크 홀더(28)와, 가변 성형 마스크(VM)의 동작 상태를 제어하는 마스크 구동계(30)를 구비한다.

여기서, 가변 성형 마스크(VM)는 예컨대 비발광형 화상 표시 소자[공간 광 변조기: Spatial Light Modulator(SLM)라고도 불림]의 일종인 DMD(Deformable Micromirror Device 또는 Digital Micro-mirror Device)를 포함하고, 입사광을 2차원적으로 배열된 소자 단위로 반사·편향시켜 투영 광학계(PL)에의 입사광의 강도(진폭)를 공간적으로 변조한다.

마스크 홀더(28)는 그 유지하는 가변 성형 마스크(VM)의 투영 광학계(PL)에 대한 자세를 조정할 수 있다. 즉, 가변 성형 마스크(VM)는 마스크 홀더(28)에 의 해, 도 1에 있어서의 Y축 방향으로 평행한 투영 광학계(PL)의 제1 광축(AX1)에 대하여 YZ 면내에서 각도(θ)를 이루는 방향을 법선 방향으로 하는 평면 내에서 2차원적으로 이동 가능하고, 제1 광축(AX1)과 교차하는 법선(NL) 주위로 회전 가능하며, 나아가서는 그 법선(NL)을 따라 이동 가능, 및/또는 법선(NL)의 평면에 대하여 틸트 가능하여도 좋다. 이 때, 가변 성형 마스크(VM)의 위치는 예컨대 마스크 홀더(28)의 위치를 계측하는 도시하지 않은 계측 장치(레이저 간섭계 및/또는 인코더 등)에 의해 계측되며, 그 계측된 위치 정보가 마스크 구동계(30)로 공급된다.

마스크 구동계(30)는 계측된 위치 정보에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)의 위치를 조정한다. 또한, 마스크 구동계(30)는 패턴 데이터 생성 장치(32)로부터 출력되는 지령이나 데이터에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)에 표시 동작을 행하게 할 수 있다. 구체적으로는, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성해야 할 화상 또는 패턴 정보에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)의 표면에 2차원 매트릭스형으로 화소 단위로 배열되어 있는 각 마이크로 미러의 자세를, 이 각 마이크로 미러에 설치한 구동부를 통해 전자적으로 제어한다. 이에 따라, 각 마이크로 미러는, 조명광(IL)을 노광 광로로 유도하여 투영 광학계(PL)에 입사시키는 ON 상태와, 조명광(IL)을 비노광 광로로 유도하여 투영 광학계(PL)에 입사시키지 않는 OFF 상태 사이에서 2치 동작하고, 가변 성형 마스크(VM)의 적어도 일부에 원하는 반사 패턴을 생성한다. 또한, 마스크 구동계(30)는 패턴 데이터 생성 장치(32)로부터 순차적으로 출력되는 패턴 정보에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)에 생성해야 할 표시 패턴을 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성되는 패턴을, 스테이 지(ST) 상에 적재된 플레이트(P)의 이동에 동기하여 적절하게 변화시킬 수 있다.

상기 투영 광학계(PL)는 쐐기형의 광학 소자(34), 빔스플리터(BS), 오목 거울(36) 및 복수의 렌즈 등을 포함하고, Y축 방향으로 평행한 제1 광축(AX1)을 갖는 제1 부분 광학계(PL1)와, 빔스플리터(BS)를 제1 부분 광학계(PL1)와 공유하고, Z축 방향으로 평행한 제2 광축(AX2)을 갖는 제2 부분 광학계(PL2)를 포함한다. 제2 부분 광학계(PL2)는 경통 내에 제2 광축(AX2)을 따라 복수의 렌즈 엘리먼트가 배열되는 굴절 광학계이다. 투영 광학계(PL)는, 전체적으로는 상(像)측 텔레센트릭 반사 굴절 광학계로서, 조명광(IL)에 의해 조명된 가변 성형 마스크(VM)의 패턴을, 피노광면(상면) 상에 배치된 플레이트(P) 상에 투영 배율 β(β는 예컨대 1/500)로 축소 투영한다.

상기 쐐기형의 광학 소자(34)는 가변 성형 마스크(VM)의 표면이 조명 광학계(24) 및 투영 광학계(PL)의 양쪽 광축에 대하여 경사져 있는 것을 고려하여 설치되어 있다. 즉, 광학 소자(34)는 가변 성형 마스크(VM)에서 반사된 광의 투영 광학계(PL)의 제1 광축(AX1)에 대한 경사각을 거의 0으로 한다.

투영 광학계(PL)에는, 그 적어도 하나의 광학 소자, 예컨대 제2 부분 광학계(PL2) 중 적어도 하나의 렌즈 엘리먼트를, 제2 광축(AX2)을 따라 이동시키고, 또한 제2 광축(AX2)과 직교하는 XY 평면에 대하여 경사 구동시키는 결상 특성 보정 장치(38)가 설치되어 있다. 이 결상 특성 보정 장치(38)는 투영 광학계(PL)를 통해, 플레이트(P) 상에 생성되는 패턴상의 결상 상태[투영 광학계(PL)의 결상 특성]를 조정하지만, 투영 광학계(PL)의 광학 소자를 이동시키는 방식 대신에 또는 그 방식과 조합하여 다른 방식, 예컨대 광원계(22)를 제어하여 조명광(IL)의 파장 특성(중심 파장, 스펙트럼폭 등)을 조정하는 방식을 채용하여도 좋다.

스테이지 장치(16)는 노광 대상 물체로서의 플레이트(예컨대 유리 기판, 반도체 웨이퍼 등)(P)를 유지하는 가동 스테이지(ST)와, 주제어 장치(20)로부터의 지령에 따라 스테이지(ST)의 동작 상태(이동 등)를 제어하는 스테이지 구동계(40)를 구비한다.

스테이지(ST)는 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동 가능하고, X축, Y축 및 Z축 주위의 회전(θX, θY, θZ) 방향으로 회전 가능하며, 투영 광학계(PL)를 통해 생성되는 가변 성형 마스크(VM)의 패턴상에 대하여 플레이트(P)를 6자유도로 얼라이먼트할 수 있다. 또한, 가변 성형 마스크(VM) 및 투영 광학계(PL)를 통해 조명광(IL)으로 플레이트(P)를 주사 노광시키기 위해서, 스테이지(ST)는 XY 평면 내의 소정의 주사 방향(예컨대, 도 1에 있어서의 지면 내 수평 방향인 Y축 방향)으로 원하는 속도로 이동하며, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성된 패턴(표시 화상)의 변화와 플레이트(P)의 이동을 동기시킨다.

스테이지(ST)의 위치 정보(회전 정보도 포함함)는 도시하지 않은 위치 계측계(예컨대, 레이저 간섭계 및/또는 인코더를 포함하고, 필요하면 포커스 센서 등도 포함함)에 의해 계측되며, 주제어 장치(20)로 공급된다. 주제어 장치(20)는 이 위치 정보에 기초하여 스테이지 구동계(40)의 모터 등을 구동시켜 플레이트(P)의 이동 및 위치 결정을 수행한다.

주제어 장치(20)는, 조명계(10), 마스크 장치(12), 스테이지 장치(16) 등의 동작을 제어하고, 투영 광학계(PL)를 통해, 플레이트(P) 상에 가변 성형 마스크(VM)에 의해 순차적으로 생성된 패턴의 상을 형성한다. 이 때, 주제어 장치(20)는 플레이트(P)를 적당한 속도로 이동시키면서, 이것에 동기하여 마스크 구동계(30)를 통해 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성한 패턴을 스크롤시킴으로써, 주사형 노광을 수행한다.

여기서, 플레이트(P)를 유지하는 스테이지(ST)의 주사 속도를 V1이라고 하면, 가변 성형 마스크(VM)로써 표시되는 패턴의 주사 방향에서의 표시 속도(V2)는 하기 식과 같이 된다.

V2=V1/β

따라서, 투영 광학계(PL)의 투영 배율(β)이 1/500인 본 실시 형태에서는, 가변 성형 마스크(VM)의 패턴의 주사 방향에서의 표시 속도(V2)는 스테이지(ST)의 속도(V1)의 500배의 속도가 된다.

노광 장치(100)는 기타 요소로서 스테이지(ST)에 설치된 상검출기(42), 플레이트(P) 상에 형성된 패턴을 검출하는, 예컨대 화상 처리 방식의 패턴 검출계(현미경)(44, 46), 상기 상검출기(42) 및 패턴 검출계(44, 46)로부터 각각 출력되는 신호를 처리하는 신호 처리계(48), 및 패턴 데이터 생성 장치(32) 등을 구비하고 있다. 또한, 패턴 검출계(44, 46)는 각각 비축(off-axis) 방식, TTL 방식이다.

상기 상검출기(42)는 스테이지(ST)에 설치된 하우징(50)과, 이 하우징(50) 내부에 배치된 렌즈계(52) 및 CCD 2차원 이미지 센서(54)를 구비하고 있다. 하우징(50)의 상벽은 그 상면(표면)이 상검출기(42)의 수광면이 되는 유리 플레이트이 다. 이 유리 플레이트의 상면은 플레이트(P)의 상면(표면)과 거의 동일면이며, 또한 투영 광학계(PL)에 관해서 가변 성형 마스크(VM)의 면과 광학적으로 공역 관계로 되어 있다. 또한, 유리 플레이트의 상면과 CCD 2차원 이미지 센서(54)의 촬상면은 렌즈계(52)를 통해 광학적으로 공역 관계로 되어 있다. 따라서, 상검출기(42)의 수광면이 투영 광학계(PL)의 투영 영역[조명광(IL)의 조사 영역]에 배치되면, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성된 패턴의 적어도 일부의 투영 광학계(PL) 및 렌즈계(52)를 통한 상이 CCD 2차원 이미지 센서(54) 상에 결상하고, 그 상이 CCD 2차원 이미지 센서(54)에 의해 광전적으로 검출된다. 상검출기(42)는 패턴상의 광강도 분포에 따른 신호를 신호 처리계(48)에 공급한다. 또한, 상검출기(42)는, 그 일부, 예컨대 CCD 이미지 센서가 스테이지(ST)의 외부에 배치되어 있어도 좋고, 그 경우에는, 광 가이드 또는 릴레이 광학계를 통해 렌즈계(52)에 접속되어 있어도 좋다.

상기 패턴 검출계(44)는 대물 렌즈(도시하지 않음)와, 이 대물 렌즈를 통해, 플레이트(P) 표면과 광학적으로 공역이 되는 면에 배치된 CCD 2차원 이미지 센서(도시하지 않음)를 포함한다. 이 패턴 검출계(44)는 노광 처리를 거쳐 플레이트(P) 상의 레지스트층에 형성되는 패턴상(잠상) 및/또는 노광 및 현상 처리를 거쳐 플레이트(P) 상에 형성되는 패턴상(레지스트상)의 일부 또는 전부를 촬상하고, 그 촬상 신호를 신호 처리계(48)에 공급한다.

상기 패턴 검출계(46)는 대물 렌즈 및 CCD 2차원 이미지 센서(모두 도시하지 않음)를 포함한다. CCD 2차원 이미지 센서는 빔스플리터(BS), 제2 부분 광학계(PL2) 및 대물 렌즈로 이루어진 광학계를 통해, 플레이트(P) 표면과 광학적으로 공역이 되는 면에 배치되어 있다. 이 패턴 검출계(46)는 패턴 검출계(44)와 마찬가지로 플레이트(P) 상의 잠상 및/또는 레지스트상의 일부 또는 전부를 촬상하고, 그 촬상 신호를 신호 처리계(48)에 공급한다. 또한, 이 패턴 검출계(46)는 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성된 패턴 중 적어도 일부의 상을, 스테이지(ST) 상의 반사면(예컨대 반사판 등의 반사율이 높은 부재의 표면) 및 상기 광학계를 통해 촬상하는 것도 가능하다. 또한, 패턴 검출계(44, 46)는 각각 전술한 잠상, 레지스트상뿐만 아니라, 스테이지(ST) 상의 마크[예컨대 플레이트(P)의 얼라이먼트 마크] 등도 검출할 수 있도록 되어 있다.

상기 패턴 데이터 생성 장치(32)는 패턴상의 형성에 필요한 데이터 중 패턴의 설계 데이터(CAD 데이터)를, 워크스테이션 등으로 이루어진 도시하지 않은 상위 장치로부터 독출한다. 또한, 이 패턴 데이터 생성 장치(32)는 패턴의 CAD 데이터에 기초하여, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성해야 할 기본 패턴인 마스크 패턴[플레이트(P) 상에 형성해야 할 패턴에 해당]을 산출한다. 이 마스크 패턴은 주사 노광에 있어서의 스크롤을 예정한 것으로 되어 있고, 시간적인 프레임 방식으로서의 표시 데이터로 되어 있다. 여기서, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성되는 패턴의 스크롤 속도(표시 속도)는 플레이트(P)의 이동 속도 등을 포함하는 주사 노광용 파라미터의 일부로서, 주제어 장치(20)에 의해 결정된다.

또한, 이 패턴 데이터 생성 장치(32)는 예컨대 마스크 구동계(30)를 통해 주제어 장치(20)와의 사이에서 통신하고, 주제어 장치(20)는 패턴 데이터 생성 장치(32)로부터의 표시 데이터(예컨대 전술한 마스크 패턴의 일부)에 따라 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성된 패턴의 투영 광학계(PL)에 의한 투영상(공간상)을, 상검출기(42)를 이용하여 검출한다. 그리고, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 검출시에 신호 처리계(48)로부터 출력되는 패턴상의 광강도 분포에 따른 신호를 수신하여 해석하고, 패턴상의 특성으로서 사이즈, 예컨대 선폭을 산출한다.

여기서, 이 패턴 데이터 생성 장치(32)에 의한, 신호 해석 및 패턴상의 선폭의 산출(특성 검출)에 대해서 설명한다.

도 2에는 플레이트(P) 상에 형성되는 패턴상(PA)이 도시되어 있다. 이 도 2에 있어서, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 한번에 형성할 수 있는 패턴상의 영역은 부호 IA로 표시되는 영역으로서, 이 영역(IA)이 노광 영역(전술한 투영 영역)이 분명하다. 또한, 부호 IF1로 표시되는 영역은 상검출기(42)의 촬상 영역(검출 영역)을 나타낸다. 또한, 부호 IF2는 스테이지(ST)가 이동하여 상검출기(42)로 패턴(PA)의 별도의 부분을 촬상할 때의 촬상 영역을 나타낸다.

도 3에는 촬상 영역(IF1) 내부의 부호 SD로 표시되는 서브 주사 범위의 복수 라인의 메인 주사 라인 상의 광강도 신호(메인 주사 라인 상의 화소열의 휘도값에 대응)의 가산 평균에 대응하는 신호(IS)의 일례가 도시되어 있으며, 여기서 횡축은 상위치, 종축은 광강도(에너지 강도) Es를 나타낸다. 또한, 이 도 3에 있어서, 부호 S1, S2, S3은 슬라이스 레벨을 나타내고, 이들 슬라이스 레벨 S1, S2, S3은 레지스트 감도의 일례에 대응한다. 즉, 패턴 데이터 생성 장치(32)에 의해, 신호(IS)와 상위 장치로부터 취득한 레지스트 감도 정보에 기초하여, 예컨대 레지스트 감도가 슬라이스 레벨 S2에 해당하는 경우, 좌측에서부터 3번째의 라인 패턴상은 그 선 폭이 LW2로 산출되고, 예컨대 레지스트 감도가 슬라이스 레벨 S1에 해당하는 경우, 좌측에서부터 3번째 스페이스의 라인 패턴상은 그 선폭이 LW1로 산출된다. 패턴 데이터 생성 장치(32)는 동일한 라인 패턴상의 기타 부분의 선폭 및 기타 라인 패턴상의 선폭도 마찬가지로 하여 산출한다.

또한, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 그 산출한 선폭을, 예컨대 패턴상(PA)의 투영시에 마스크 구동계(30)에 공급한 패턴 데이터(설계 데이터) 중의 패턴 선폭과 비교하고, 그 산출 선폭이 설계 선폭보다 좁은 경우에는, 패턴상(PA)의 선폭이 커지도록 패턴 데이터(설계 데이터)를 수정한다. 그리고, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 수정 후의 패턴 데이터(또는 수정량의 데이터)를 메모리에 기억시켜 두거나 또는 상위 장치에 반환한다. 어느 쪽이든, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 실제의 노광시에는, 그 수정 후의 패턴 데이터를 마스크 구동계(30)에 공급한다.

이 경우에 있어서, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 상검출기(42)에 의한 패턴상을 검출할 때마다 상기한 패턴 데이터(설계 데이터)를 수정하여도 좋다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 신호 처리계(48)로부터의 신호에 기초하여, 생성된 패턴상을 해석하고, 그 해석 결과에 기초하여, 생성된 패턴상의 질이 소정의 규격에서 벗어나는 경우, 예컨대 선폭 오차의 절대값이 소정의 허용치를 초과하는 경우에만, 마스크 구동계(30)에 공급해야 할 패턴 데이터(설계 데이터)를 수정하는 것으로 하여도 좋다.

또한, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 패턴 데이터(설계 데이터)를 수정하지 않는 경우에 있어서, 마스크 구동계(30)를 통해 주제어 장치(20)와의 사이에서 통 신하고, 그 선폭 오차의 정보를 주제어 장치(20)에 제공하여도 좋다. 이 경우, 주제어 장치(20)는 그 오차 정보에 기초하여 노광 조건을 변경(조정)한다. 예컨대 그 선폭 오차가 노광 영역 전체에 거의 균일하게 발생하고 있다면, 광원계(22)를 통해 노광량을 제어하는 것으로 하여도 좋고, 및/또는 결상 특성 보정 장치(38)를 통해 투영 광학계(PL)의 결상 특성(예컨대 배율 등)을 제어하는 것으로 하여도 좋다. 여기서, 광원계(22)에 의한 조명광(IL)의 강도 및/또는 반복 주파수의 변경뿐만 아니라, 주사 노광시의 플레이트(P)의 주사 속도 또는 전술한 투영 영역의 주사 방향의 폭 등을 변경하여 노광량을 조정하여도 좋다. 또한, 노광량 및/또는 결상 특성의 조정을 패턴 데이터의 수정과 병용하는 것도 가능하다. 또한, 패턴 데이터의 수정 대신에 또는 그것과 조합하여 전술한 성형 광학계에 의한 가변 성형 마스크(VM)의 조명 조건을 조정하는 것으로 하여도 좋다. 이 경우, 조명 광학계(24)의 동면 상에서의 조명광(IL)의 강도 분포(2치 광원)를 다른 형상으로 변경하여도 좋고, 그 형상은 실질적으로 동일하게 하여 크기(σ값 등)를 변경하여도 좋다. 또한, 조명 조건을 조정하는 경우, 노광량 및/또는 결상 특성의 조정을 병용하여도 좋다. 또한, 노광 조건은 노광량, 결상 특성 및 조명 조건에 한정되지 않고, 예컨대 투영 광학계(PL)의 개구수 또는 주사 노광 중에 플레이트 상의 소정점을 연속적으로 다른 Z 위치에 설정하여 실질적으로 초점 심도를 확대하는 초해상 기술의 실시 유무 및 Z축 방향의 진폭(이동 범위) 등을 포함하는 것으로 하여도 좋다.

그런데, 패턴상의 선폭의 오차 요인으로서, 광학계의 플레어 등의 기타, 소위 광 근접 효과가 있을 수 있다. 이 광 근접 효과에 의한 패턴상의 선폭의 오차는 통상 노광 영역 내에서 불균일하기 때문에, 이러한 경우의 패턴상의 선폭의 수정은 전술한 패턴 데이터(설계 데이터) 수정에 의한 방법이 효과적이다. 또한, 광 근접 효과를 보정하는 방법은 광 근접 효과 보정(OPC: Optical Proximity Correction)이라 불리고 있다. 이 OPC의 일종으로서, 보조 패턴을 이용하는 방법이 알려져 있다. 여기서, 보조 패턴을 이용하는 OPC에 대해서 간단히 설명한다. 일례로서, 라인 앤드 스페이스 패턴을 채용하면, 주기 방향의 양단에 위치하는 라인 패턴에서는, 그 한쪽(외측)에 패턴이 존재하지 않기 때문에, 그 한쪽으로부터 돌아 들어가는(creep into) 광량이 다른 라인 패턴보다 많아져, 결과적으로 포지티브 레지스트에 형성되는 그 양단에 위치하는 라인 패턴의 레지스트상의 선폭이 다른 라인 패턴의 레지스트상의 선폭에 비하여 작아진다. 이러한 현상을 방지하기 위해서, 결상되지 않을 정도의 좁은, 즉 선폭이 투영 광학계(PL)의 해상 한계 이하인 더미 패턴(보조 패턴)을, 주기 방향의 양단에 위치하는 라인 패턴의 외측에 배치하고, 이 더미 패턴의 존재에 따라 상기한 광이 돌아 들어가는 양을 줄여, 모든 라인 패턴의 레지스트상 선폭을 설계 선폭과 동일하게 하는 기술이다. 이 보조 패턴을 이용하는 OPC에서도, 본 실시 형태의 방법은 유효하다.

도 4의 상단에는 한 쌍의 보조 패턴(AP₁, AP₂)이 주기 방향의 양단에 배치된 라인 앤드 스페이스 패턴(LSP)이 도시되어 있다. 또한, 도 4의 중단에는 그 상단의 패턴에 대응하는 설계 상의 광강도(에너지 강도) 신호가 도시되고, 도 4의 하단에는 실제로 검출한 라인 앤드 스페이스 패턴(LSP) 및 보조 패턴(AP₁, AP₂)상의 메인 주사 라인 상의 광강도(에너지 강도) 신호(메인 주사 라인 상의 화소열의 휘도값에 대응)가 도시되어 있다.

그래서, 패턴 데이터 생성 장치(32)는 도 4의 하단에 도시된 신호를 취득했을 때에는 그 신호와 슬라이스 레벨(S)에 기초하여, 전술한 해석 및 선폭 산출을 행하고, 예컨대 양단의 2개의 라인 패턴상의 선폭과, 다른 라인 패턴상의 선폭(여기서는, 설계 선폭과 동일하게 되어 있는 것으로 함)을 비교하여, 양단의 라인 패턴상의 선폭 오차를 산출한다. 그리고, 그 산출 결과에 따라 모든 라인 패턴상의 선폭이 거의 같아지도록, 보조 패턴(AP₁, AP₂)의 설계 데이터 중의 선폭 및 위치 중 적어도 한쪽을 보정하는 것으로 하면 된다.

본 제1 실시 형태에 따른 노광 장치(10)에 의하면, 노광에 앞서 전술한 바와 같이 하여 패턴 데이터 생성 장치(32)에 의해, 상검출기(42)의 검출 결과에 기초하여 패턴의 설계 데이터가 수정되고, 그 수정 후의 패턴의 설계 데이터가 패턴 데이터 생성 장치(32)로부터 마스크 구동계(30)에 대하여 출력된다. 마스크 구동계(30)는 설계 데이터의 입력에 대응(응답)하여, 가변 성형 마스크(VM)의 각 마이크로 미러를 개별적으로 ON, OFF한다. 이 상태에서, 가변 성형 마스크(VM)이 조명계(10)로부터의 조명광(IL)에 의해 균일하게 조명되면, 상기 설계 데이터에 따른 반사 패턴이 생성된다. 그리고, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성된 패턴의 정보를 포함하는 광속(光束)은 투영 광학계(PL)를 통해 플레이트(P) 상에 패턴의 상을 생성한다. 그리고, 플레이트(P)를 Y축 방향으로 주사하면서, 이것에 동기하여 가변 성형 마스 크(VM)에 의해 생성되는 패턴을 스크롤함으로써, 플레이트(P) 상에 원하는 패턴이 서서히 형성된다. 이와 같이 하여, 플레이트(P) 상에 패턴상, 예컨대 전술한 패턴상(PA)이 형성된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 제1 실시 형태에 따른 노광 장치(100)에 의하면, 플레이트의 노광에 앞서, 패턴 데이터 생성 장치(32)로부터의 설계 데이터(패턴 데이터)의 입력에 응답하여 마스크 구동계(30)에 의해 가변 성형 마스크(VM)의 각 마이크로 미러가 개별적으로 ON, OFF되고, 조명계(10)로부터의 조명광(IL)에 의해 그 가변 성형 마스크(VM)가 조사되어 그 가변 성형 마스크(VM)로 생성된 패턴의 상이 투영 광학계(PL)에 의해 생성되며, 그 생성된 패턴상의 적어도 일부가 상검출기(42)에 의해 광전적으로 검출된다. 그리고, 패턴 데이터 생성 장치(32)에서는, 상검출기(42)의 신호를 처리하는 신호 처리계(48)로부터의 신호에 기초하여 생성된 패턴상을 해석하고, 그 해석 결과에 따라 마스크 장치(12)에 공급(입력)해야 할 설계 데이터를 수정한다. 이 경우에 있어서, 패턴 데이터 생성 장치(32)에서는, 투영 광학계(PL)의 상면(像面)에 형성되는 패턴상의 적어도 일부의 사이즈, 예컨대 선폭이 변경되도록 상기 설계 데이터를 수정한다.

따라서, 플레이트를 노광시킬 때에는 수정 후의 설계 데이터가 마스크 장치(12)에 공급(입력)되어, 그 입력에 응답하여, 전술한 바와 같이 하여 마스크 장치(12), 조명계(10) 및 투영 광학계(PL)에 의해 플레이트(P) 상에 패턴상이 생성되며, 이 패턴상으로 플레이트(P)가 노광됨으로써, 원하는 패턴이 플레이트(P) 상에 정밀하게 형성된다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 투영 광학계(PL)에 의해 형성된 패턴의 투영상을 검출하는 상검출기(42)의 검출 신호에 기초하여, 패턴 데이터 생성 장치(32)가 그 패턴상을 해석하고, 그 해석 결과에 따라 마스크 장치(12)에 공급(입력)해야 할 설계 데이터를 수정하는 것으로 하였다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 전술한 패턴 검출계(44 또는 46)로 플레이트(P) 상에 형성된 패턴상, 예컨대 레지스트상을 촬상하고, 그 촬상 결과에 기초하여 패턴 데이터 생성 장치(32)가 그 패턴상을 해석하며, 그 해석 결과에 따라 마스크 장치(12)에 공급(입력)해야 할 설계 데이터를 수정하는 것으로 하여도 좋다. 또한, 레지스트상 대신에 전술한 잠상 또는 에칭 처리하여 얻어지는 상을 해석하도록 하여도 좋다.

상기 실시 형태에서는, 패턴상(투영상, 레지스트상 등을 포함함)의 검출 장치로서, 노광 장치(100)가 상검출기(42), 패턴 검출계(44, 46)를 3개 모두 구비하는 경우에 대해서 설명하였지만, 이것에 한정되지 않고, 이들 중 적어도 하나를 구비하고 있으면 된다. 또한, 전술한 플레이트 상에 형성되는 패턴상(레지스트상 등)을 검출하는 장치[패턴 검출계(44, 46) 등]는 화상 처리 방식에 한정되지 않고, 예컨대 검출광의 조사에 의해 레지스트상으로부터 발생되는 회절광 또는 산란광을 검출하는 방식 등이라도 좋다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 투영 광학계(PL)에 대하여 플레이트(P)를 Y축 방향으로 주사하면서 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성되는 패턴을 스크롤하여 플레이트(P)를 주사 노광시켰지만, 노광 장치(100)는 그 주사 노광의 종료 후에, 플레이트(P)를 X축 방향으로 스텝 이동시키고, 또한 플레이트(P)를 재차 Y축 방향으 로 주사하면서 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성되는 패턴을 스크롤하여 플레이트(P)를 주사 노광시키는, 스텝 앤드 스티치 방식(스캔 앤드 스캔 방식) 또는 스텝 앤드 리피트 방식(스텝 앤드 스캔 방식)을 채용하여도 좋다. 스텝 앤드 스티치 방식에서는, 플레이트(P) 상에 대면적의 패턴을 형성하는 것이 가능하고, 스텝 앤드 리피트 방식에서는, 플레이트(P) 상의 복수의 구획 영역에 각각 패턴을 형성하는 것이 가능하다.

《제2 실시 형태》

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태를 도 5에 기초하여 설명한다. 이 제2 실시 형태에 따른 노광 장치는 조명 광학계의 일부 및 투영 광학계의 구성, 마스크 홀더(28) 및 가변 성형 마스크(VM)의 배치가 전술한 제1 실시 형태와 다를 뿐이며, 그 밖의 부분의 구성 등은 전술한 제1 실시 형태와 동일하거나 또는 동등하다. 따라서, 이하에서는, 중복 설명을 피하는 관점에서 차이점을 중심으로 설명하고, 동일하거나 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 이용하며, 그 설명을 생략하는 것으로 한다.

도 5에는 본 제2 실시 형태의 노광 장치를 구성하는 투영 광학계(PL) 등의 구성이 도시되어 있다. 이 투영 광학계(PL)는 Z축 방향과 평행한 단일 광축(AX)을 갖고, 분리면이 XY 평면과 45°를 이루며 배치되는 편광 빔스플리터(PBS)를 포함하는 양측 텔레센트릭 반사 굴절계이다. 또한, 조명 광학계(24)[도 1 참조, 본 예에서는 도 1에서 미러(M) 및 집광 렌즈(26)를 포함하지 않음]는 그 일부, 즉 가변 성형 마스크(VM) 상에서의 조명광(IL)의 조사 영역(조명 영역)을 규정하는 시야 조리 개(62) 및 렌즈계(60)가 도시되어 있다. 이 시야 조리개(62)는 본 예에서는 렌즈계(60)에 관해서 가변 성형 마스크(VM)의 표면(마이크로 미러의 배치면)과 거의 공역으로 배치되어 있다.

본 제2 실시 형태에서는, 가변 성형 마스크(VM)는 그 표면(모든 미러가 ON 상태일 때)이 XY 평면과 거의 평행하게 배치되도록 마스크 홀더(28)에 유지되고, 이 마스크 홀더(28)에 의해 XY 평면 내에서 미동 가능하다. 또한, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 가변 성형 마스크(VM)를 Z축 방향을 따라 이동 가능하게 하고, 및/또는 XY 평면에 대하여 틸트 가능하게 하여도 좋다.

투영 광학계(PL)는 조명 광학계(24)의 일부도 겸하는, XY 평면에 평행하게 배치된 1/4 파장판(이하, 「λ/4판」이라 약술함)(64) 및 편광 빔스플리터(PBS)를 포함하는 제1 부분 광학계(PL1')와, 제1 부분 광학계(PL1')와 공통의 광축(AX)을 갖는 제2 부분 광학계(PL2)를 포함한다.

도 5에 있어서의 편광 빔스플리터(PBS)의 ＋Y측에는 광 트랩(66)이 배치되어 있다. 또한, 도 5에 있어서의 편광 빔스플리터(PBS)의 우측 아래의 위치에는 별도의 광 트랩(68)이 배치되어 있다.

광원계(22)(도 5에서는 도시하지 않음, 도 1 참조)로부터 조명 광학계(24)로 입사된 직선 편광, 예컨대 S 편광의 조명광(IL)은 시야 조리개(62) 및 렌즈계(60)를 통해 편광 빔스플리터(PBS)에 입사한다. 그리고, 그 조명광(IL)은 편광 빔스플리터(PBS)에 의해 반사된 후, λ/4판(64)을 통과하여 원편광이 되어 가변 성형 마스크(VM)에 입사한다.

조명광(IL)은 가변 성형 마스크(VM) 상의 조명 영역 내의 다수의 마이크로 미러 중 ON 상태인 마이크로 미러에 의해 －Z 방향으로 반사되고, 이전과 역방향의 원편광이 되어 λ/4판(64)을 재차 통과하며, 입사시와는 편광 방향이 다른 직선 편광, 즉 P 편광이 되어 편광 빔스플리터(PBS)에 입사한다. 그리고, 이 P 편광의 조명광(IL)은 편광 빔스플리터(PBS)를 투과하여 제2 부분 광학계(PL2)에 입사하고, 이 제2 부분 광학계(PL2)를 통해, 표면에 레지스트가 도포된 플레이트(P)에 투사된다. 이와 같이 하여, 조명광(IL)에 의해 조명된 가변 성형 마스크(VM)의 패턴이 투영 광학계(PL)에 의해 피노광면(상면) 상에 배치된 플레이트(P) 상의 노광 영역(조명 영역과 공역인 투영 영역) 내에 투영 배율 β(β는 예컨대 1/500)로 축소 투영된다.

한편, 가변 성형 마스크(VM) 상의 조명 영역 내에서 OFF 상태인 마이크로 미러에 입사한 조명광(IL)은 그 마이크로 미러에 의해 노광 광로 밖, 즉 도 5에 있어서의 우측 아래 방향으로 반사되며, λ/4판(64) 및 편광 빔스플리터(PBS)를 통과하여 광 트랩(68)으로 흡수된다.

또한, S 편광의 조명광(IL)은 편광 빔스플리터(PBS)에서 거의 반사되지만, 약간 투과한다. 그 편광 빔스플리터(PBS)를 투과한 조명광(IL)을 흡수하기 위해서, 광 트랩(66)이 설치되어 있다.

기타 부분의 구성 등은 전술한 제1 실시 형태와 동일하다.

따라서, 본 제2 실시 형태에 따른 노광 장치에 의하면, 전술한 제1 실시 형태와 동등한 효과를 얻을 수 있다. 이것에 덧붙여, 본 제2 실시 형태에 따른 노광 장치에서는, 반사형의 가변 성형 마스크(VM)에의 조명광(IL)의 입사각을 90°로 할 수 있기 때문에, 양측 텔레센트릭, 즉 상면측(플레이트측) 및 물체면측(마스크측)이 텔레센트릭한 투영 광학계(PL)를 사용하는 것이 가능해져 노광 장치의 결상 성능을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 제1 실시 형태에 있어서, 제2 실시 형태와 마찬가지로, 전술한 빔스플리터(BS) 대신에 편광 빔스플리터와 λ/4판을 설치하여도 좋다. 이 경우, 투영 광학계(PL)에 있어서의 광량 손실을 대폭 억제할 수 있다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는 노광 장치가 패턴 데이터 생성 장치(32)를 구비하고 있지 않아도 좋다. 이 경우, 예컨대 외부 장치(패턴 데이터 생성 장치 또는 그 상위 장치에 해당) 등으로부터 취득한 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성해야 할 마스크 패턴 정보(표시 데이터) 및 전술한 패턴상의 검출 결과에 기초하여 주제어 장치(20)가 패턴 데이터의 수정 등을 수행하는 것으로 하여도 좋다. 또는, 주제어 장치(20)는 전술한 패턴상을 검출하고, 패턴 데이터의 수정 등은 그 외부 장치 등에서 수행하는 것으로 하여도 좋다. 물론, 패턴 데이터의 수정뿐만 아니라, 전술한 조명 조건, 노광량 및 결상 특성에 대해서도 동일하다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는 노광 장치의 패턴 검출계(44, 46)를 이용하여 플레이트 상에 형성된 패턴상(레지스트상 등)을 검출하는 것으로 하였지만, 노광 장치 이외에 예컨대 계측 전용 장치(예컨대, 레지스트레이션 측정기, 웨이퍼 검사 장치 등)를 이용하여 플레이트 상의 패턴상을 검출하는 것으로 하여도 좋다. 이 경우, 계측 전용 장치가 그 계측 결과와, 전술한 마스크 패턴 정보에 기초하여 패 턴 데이터의 수정 등을 수행하여도 좋고, 또는 통신 회선 등을 통해 그 계측 결과를 다른 장치[예컨대, 상기한 외부 장치 또는 주제어 장치(20) 등]에 보내어 다른 장치에 의해 패턴 데이터의 수정 등을 수행하여도 좋다.

또한, 노광 및 현상 처리를 거쳐 플레이트 상에 형성되는 레지스트상의 패턴 사이즈, 예컨대 선폭이 목표 선폭이라도, 또한 경화(가열) 및 에칭 처리를 거쳐 플레이트 상에 형성되는 패턴상의 선폭이 목표 선폭과 달라지게 되는 경우가 있다. 그래서, 전술한 잠상 또는 레지스트상이 아니라, 에칭 후에 형성되는 패턴상을 검출하고, 전술한 패턴 데이터의 수정 등에서는 이 검출 결과를 이용하는 것으로 하여도 좋다. 또는, 시뮬레이션 또는 실험 등에 의해, 사전에 패턴상의 선폭 특성을 구해 두고, 전술한 패턴 데이터의 수정 등에서는 패턴상(투영상, 잠상 및 레지스트상 중 어느 하나)의 검출 결과와 그 선폭 특성을 이용하는 것으로 하여도 좋다. 이 경우, 예컨대 가변 성형 마스크에 의해 생성되는 패턴의 투영상의 첨예 특성(투영상의 상(像)강도 분포에 있어서의 소정 위치에서의 미분값 또는 로그 슬로프, 혹은 투영상의 콘트라스트 등)에 기초하여, 플레이트 상에 형성되는 레지스트상의 패턴 프로파일을 예측하고, 또한 그 패턴 프로파일에 기초하여 디바이스 선폭 특성을 예측하는 것이 바람직하다. 또한, 패턴 프로파일은 레지스트상의 가열 처리에 의한 변형을 고려하여 예측하는 것이 바람직하며, 디바이스 선폭 특성은 에칭 특성을 고려하여 예측하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는 패턴상(투영상, 레지스트상 등)의 검출 결과에 기초하여 패턴 데이터의 수정 등을 수행하는 것으로 하였지만, 예컨대 그 검출 결과를 이용하여 가변 성형 마스크(VM)의 마이크로 미러의 동작 상태의 확인 등을 수행하는 것으로 하여도 좋다. 구체적으로는, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성되는 패턴의 투영시에 ON 상태가 되어야 할 마이크로 미러가 OFF 상태인 경우, 그 동작 불량인 마이크로 미러에 의해 패턴상의 일부에 결함이 생긴다. 이 패턴 결함은 패턴상의 검출 결과와 전술한 마스크 패턴 정보를 비교하여 특정할 수 있으며, 이 특정된 패턴 결함에 기초하여 동작 불량인 마이크로 미러를 구할 수 있다. 이 경우, 가변 성형 마스크를 교환하여도 좋거나 또는 가변 생성 마스크(VM)와 전술한 조명 영역을 상대 이동시켜 그 조명 영역 내에서 동작 불량인 마이크로 미러를 제거하도록 하여도 좋다.

또한, 상기 각 실시 형태에 있어서는, 가변 성형 마스크(전자 마스크)(VM)의 각 소자(마이크로 미러 등)를 온·오프함으로써 전사 패턴을 형성하고 있지만, 가변 성형 마스크의 각 소자를 온·오프하는 것에 덧붙여 각 소자의 중간조(中間調)를 이용하여 패턴을 형성하여도 좋다. 가변 성형 마스크로서, 예컨대 투과형 액정 마스크를 이용하는 경우에는, 가변 성형 마스크의 각 소자를 중간조로 구동함으로써, 가변 성형 마스크 상에서의 조명광의 조도가 불균일하여도, 실질적으로 조도가 균일한 조명광으로 할 수 있다. 따라서, 조명 광학계의 광학 특성(수차 등) 또는 경년 열화에 의해 발생하는 조명광의 조도 분포의 불균일성, 나아가서는 패턴상 선폭의 불균일을 보정하는 것이 가능해진다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 패턴상의 특성으로서 사이즈(선폭)를 구하는 것으로 하였지만, 그 상특성은 사이즈에 한정되지 않고, 예컨대 콘트라스트 등 을 구하여도 좋다.

또한, 패턴상의 검출시, 스테이지(ST)는 정지시켜 두는 것으로 하였지만, 가변 성형 마스크(VM)의 각 마이크로 미러의 온·오프와 스테이지(ST)의 이동을 동기시켜 패턴상을 생성하고, 그 동기 중에 패턴상을 상검출기(42)로써 검출하거나 또는 플레이트 상에 전사하여 얻을 수 있는 상(레지스트상 등)을 검출하도록 하여도 좋다.

또한, 전술한 상검출기(42)의 수광 소자로서 CCD를 이용하는 것으로 하였지만, 그 대신에, 예컨대 TDI(Time Delay and Integration) 센서 등을 이용하여도 좋다. 또한, 전술한 상검출기(42)는 그 적어도 일부가 스테이지(ST)에 설치되는 것으로 하였지만, 스테이지(ST)와는 별도의 가동체에 상검출기(42)의 일부 또는 전부를 설치하여도 좋다. 이 별도의 가동체는 예컨대 일본 특허 공개 평성 제11-135400호 공보(대응 국제 공개 제1999/23692호 팜플렛), 일본 특허 공개 제2000-164504호 공보(대응 미국 특허 제6,897,963호 명세서) 등에 개시되는, 계측 부재(기준 마크, 센서 등)를 구비하는 계측 스테이지 등이 좋다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 노광 장치가 가변 성형 마스크(VM) 및 투영 광학계(PL)를 1세트만 구비하는 것으로 하였지만, 예컨대 노광 영역이 비주사 방향(X축 방향)에 배치되는 복수 세트의 가변 성형 마스크(VM) 및 투영 광학계(PL)를 설치하여도 좋다. 또한, 전술한 조명 광학계는 시야 조리개를 구비하는 것으로 하였지만, 그 시야 조리개를 설치하지 않고, 예컨대 가변 성형 마스크의 각 마이크로 미러의 온·오프에 의해, 플레이트 상에서의 조명광(IL)의 조사 영역(전술한 노광 영역에 대응)을 실질적으로 규정하도록 하여도 좋다.

또한, 상기 각 실시 형태에서는, 노광 장치가 가변 성형 마스크(액티브 마스크, 이미지 제너레이터)로서 비발광형 화상 표시 소자인 DMD를 구비하는 것으로 하였지만, 가변 성형 마스크는 DMD에 한정되지 않고, DMD 대신에 이하에 설명하는 비발광형 화상 표시 소자를 이용하여도 좋다. 여기서, 비발광형 화상 표시 소자는 공간 광변조기(SLM: Spatial Light Modulator)라고도 불리고, 소정 방향으로 진행하는 광의 진폭(강도), 위상 또는 편광의 상태를 공간적으로 변조하는 소자이며, 투과형 공간 광변조기로서는, 투과형 액정 표시 소자(LCD: Liquid Crystal Display) 이외에 전기 변색 표시 소자(ECD: ElectronChromic Display) 등을 예로서 들 수 있다. 또한, 반사형 공간 광변조기로서는, 전술한 DMD 이외에 반사 미러 어레이, 반사형 액정 표시 소자, 전기 영동 디스플레이(EPD: Electro Phonetic Display), 전자 페이퍼(또는 전자 잉크), 광회절형 라이트 벌브(Grating Light Valve) 등을 예로서 들 수 있다.

또한, 반사형인 비발광형 화상 표시 소자를 이용하여 가변 성형 마스크를 구성하는 경우, 투영 광학계로서는, 전술한 반사 굴절계 이외에 반사계를 이용할 수도 있다. 또한, 투과형인 비발광형 화상 표시 소자를 이용하여 가변 성형 마스크를 구성하는 경우, 투영 광학계로서는, 반사 굴절계, 반사계뿐만 아니라, 굴절계도 채용할 수 있다.

또한, 상기 각 실시 형태의 노광 장치는 비발광형 화상 표시 소자를 구비하는 가변 성형 마스크 대신에, 자발광형 화상 표시 소자를 포함하는 패턴 생성 장치 를 구비하도록 하여도 좋다. 이 경우, 조명계는 불필요하게 된다. 여기서 자발광형 화상 표시 소자로서는, 예컨대 CRT(Cathode Ray Tube), 무기 EL 디스플레이, 유기 EL 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Diode), LED 디스플레이, LD 디스플레이, 전계 방출 디스플레이(FED: Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이(PDP: Plasma Display Panel) 등을 들 수 있다. 또한, 패턴 생성 장치가 구비하는 자발광형 화상 표시 소자로서, 복수의 발광점을 갖는 고체 광원칩, 칩을 복수개 어레이형으로 배열한 고체 광원칩 어레이, 또는 복수의 발광점을 1장의 기판에 제조한 타입의 것 등을 이용하며, 이 고체 광원칩을 전기적으로 제어하여 패턴을 형성하여도 좋다. 또한, 고체 광원 소자는 무기든지 유기든지 상관없다.

또한, 자발광형 화상 표시 소자를 포함하는 패턴 생성 장치를 구비하는 경우에, 투영 광학계 또는 결상 광학계를 이용하는 경우에는, 이들의 광학계로서, 반사 굴절계, 반사계뿐만 아니라, 굴절계도 채용할 수 있다.

또한, 본 발명의 노광 장치가 구비하는 투영 광학계는 축소계에 한정되지 않고, 등배계 또는 확대계도 좋다. 또한, 투영 광학계의 투영 영역에 생성되는 투영상은 도립상(倒立像) 및 정립상(正立像) 중 어느 것이라도 좋다.

또한, 예컨대 국제 공개 제99/49504호 팜플렛, 유럽 특허 출원 공개 제1,420,298호 명세서, 국제 공개 제2004/055803호 팜플렛, 일본 특허 공개 제2004-289126호 공보(대응 미국 특허 제6,952,253호 명세서) 등에 개시되어 있는 바와 같이, 투영 광학계와 플레이트 사이에 조명광의 광로를 포함하는 액침 공간을 형성하고, 투영 광학계 및 액침 공간의 액체를 통해 조명광으로 플레이트를 노광시키는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 예컨대 일본 특허 공개 평성 제10-163099호 공보 및 일본 특허 공개 평성 제10-214783호 공보(대응 미국 특허 제6,590,634호 명세서), 일본 특허 공표 제2000-505958호 공보(대응 미국 특허 제5,969,441호 명세서), 미국 특허 제6,208,407호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같이, 복수의 스테이지를 구비한 멀티 스테이지형 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 예컨대 일본 특허 공표 제2004-519850호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 제6,611,316호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같이, 복수의 가변 성형 마스크에 의해 각각 생성되는 패턴을, 투영 광학계를 통해 플레이트 상에서 합성하고, 1회의 주사 노광에 의해 플레이트 상의 하나의 영역을 거의 동시에 이중 노광시키는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 복수의 광학 소자로 각각 구성되는 조명 광학계 및 투영 광학계를 노광 장치 본체에 내장하여 광학 조정하고, 전술한 가변 성형 마스크(마스크 장치), 다수의 기계 부품으로 이루어진 스테이지를 노광 장치 본체에 부착해서 배선이나 배관을 접속하여, 종합 조정(전기 조정, 동작 확인 등)을 더 함으로써, 상기 각 실시 형태의 노광 장치를 제조할 수 있다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 청정도 등이 관리된 클린룸에서 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 적용하는 것에 한정되지 않고, 예컨대 액정 표시 소자 또는 플라즈마 디스플레이 등의 디스플레이 장치의 제조 프로세스, 촬상 소자(CCD 등), 마이크로 머신, MEMS(MicroElectroMechanical Systems: 미소 전기 기계 시스템), 세라믹스 웨이퍼 등을 기판으로서 이용하는 박막 자기 헤드, 및 DNA 칩 등의 각종 디바이스의 제조 프로세스에도 널리 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 각종 디바이스의 마스크 패턴이 형성된 마스크(포토마스크, 레티클 등)를 포토리소그래피 공정을 이용하여 제조할 때의 제조 프로세스에도 적용할 수 있다.

또한, 본 발명은 노광 대상이 되는 물체(플레이트)가 웨이퍼에 한정되지 않고, 유리 플레이트, 세라믹 기판, 필름 부재 또는 마스크 블랭크(mask blank) 등 이외의 물체도 좋고, 그 형상도 원형에 한정되지 않고 직사각형 등도 좋다.

또한, 본 국제 출원으로 지정(또는 선택)된 나라의 법령에 의해 허용되는 한, 상기 각 실시 형태 및 변형예로 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보(국제 공개 팜플렛을 포함함) 및 미국 특허 명세서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.

《디바이스 제조 방법》

다음에, 상기 제1, 제2 실시 형태의 노광 장치를 리소그래피 공정에서 사용한 마이크로 디바이스의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 6은 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

우선, 도 6의 단계 102에 있어서, 1로트의 웨이퍼(플레이트) 상에 금속막이 증착된다. 다음 단계 104에 있어서, 그 1로트의 웨이퍼(플레이트) 상의 금속막 상에 포토레지스트가 도포된다. 그 후, 단계 106에 있어서, 상기 제1, 제2 실시 형태의 노광 장치를 이용하여, 패턴 데이터 생성 장치(32)에서 수정된 설계 데이터에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)에서 생성된 패턴의 상이 투영 광학계(PL)를 통해 그 1로트의 웨이퍼(플레이트) 상의 각 쇼트 영역에 순차적으로 투영된다. 즉, 웨이퍼(플레이트) 상의 각 쇼트 영역이 패턴상으로 순차적으로 노광된다.

그 후, 단계 108에 있어서, 그 1로트의 웨이퍼(플레이트) 상의 포토레지스트가 현상된 후, 단계 110에 있어서, 그 1로트의 웨이퍼(플레이트) 상에서 레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭함으로써, 가변 성형 마스크(VM)에 의해 생성된 패턴에 대응하는 회로 패턴이 각 웨이퍼(플레이트) 상의 각 쇼트 영역에 형성된다.

그 후, 더 상위 레이어의 회로 패턴의 형성 등을 수행함으로써, 반도체 소자 등의 디바이스가 제조된다. 따라서, 패턴 데이터 생성 장치(32)에서 수정된 설계 데이터에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)에서 생성된 패턴의 상, 즉 원하는 선폭의 패턴상을 정밀하게 형성할 수 있고, 결과적으로, 반도체 소자 등의 디바이스를 수율 좋게 제조할 수 있다.

또한, 상기 제1, 제2 실시 형태에 따른 노광 장치에서는, 플레이트(유리 기판) 상에 소정의 패턴(회로 패턴, 전극 패턴 등)을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 수도 있다. 도 7은 제1, 제2 실시 형태의 노광 장치를 이용하여 플레이트 상에 소정의 패턴을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 7의 단계 202의 패턴 형성 공정에서는, 제1, 제2 실시 형태의 노광 장치를 이용하여 패턴 데이터 생성 장치(32)에서 수정된 설계 데이터에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)에서 생성된 패턴의 상을 투영 광학계(PL)를 통해 감광성 기판(레 지스트가 도포된 유리 기판 등)에 형성하는, 소위 광 리소그래피 공정이 실행된다. 이 광 리소그래피 공정에 의해 감광성 기판 상에는 다수의 전극 등을 포함하는 소정 패턴이 형성된다. 그 후, 노광된 기판은 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정 등의 각 공정을 거침으로써, 기판 상에 소정의 패턴이 형성된다.

다음에, 단계 204의 컬러 필터 형성 공정에 있어서, R(Red), G(Green), B(Blue)에 대응한 3개의 도트의 세트가 매트릭스형으로 다수 배열되거나 또는 R, G, B의 3개의 스트라이프 필터의 세트를 복수 수평 주사선 방향으로 배열한 컬러 필터를 형성한다. 그리고, 컬러 필터 형성 공정(단계 204) 후에, 단계 206의 셀 조립 공정이 실행된다. 단계 206의 셀 조립 공정에서는, 패턴 형성 공정에서 얻은 소정 패턴을 갖는 기판, 및 컬러 필터 형성 공정에서 얻어진 컬러 필터 등을 이용하여 액정 패널(액정 셀)을 조립한다.

단계 206의 셀 조립 공정에서는, 예컨대, 패턴 형성 공정에서 얻은 소정 패턴을 갖는 기판과 컬러 필터 형성 공정에서 얻은 컬러 필터 사이에 액정을 주입하여 액정 패널(액정 셀)을 제조한다. 그 후, 단계 208의 모듈 조립 공정에서 조립된 액정 패널(액정 셀)의 표시 동작을 행하게 하는 전기 회로, 백라이트 등의 각 부품을 부착하여 액정 표시 소자로서 완성시킨다. 따라서, 이 마이크로 디바이스의 제조 방법의 패턴 형성 공정에서는, 패턴 데이터 생성 장치(32)에서 수정된 설계 데이터에 기초하여 가변 성형 마스크(VM)에서 생성된 패턴의 상, 즉 원하는 선폭의 패턴상을 정밀하게 형성할 수 있고, 결과적으로 액정 표시 소자를 수율 좋게 제조할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 노광 장치 및 노광 방법은 플레이트 등의 물체 상에 패턴상을 형성하는 데 적합하다. 또한, 본 발명의 디바이스 제조 방법은 마이크로 디바이스의 제조에 적합하다.

Claims

패턴상(像)으로 물체를 노광시키는 노광 장치에 있어서,

설계 데이터의 입력에 대응하여 패턴상을 생성하는 패턴상 생성 장치와;

상기 생성된 패턴상 또는 상기 생성되어 물체 상(上)에 형성된 패턴상 중 적어도 일부를 광전적으로 검출하는 검출계와;

검출 결과에 기초하여 상기 패턴상 생성 장치에 입력해야 할 상기 설계 데이터를 수정하는 수정 장치

를 구비하는 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 수정 장치는 상기 패턴상을 검출할 때마다 그 검출 결과에 따라 상기 패턴상 생성 장치에 입력해야 할 상기 설계 데이터를 수정하는 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 수정 장치는 상기 패턴상의 질이 소정의 규격에서 벗어나 있을 때에, 상기 패턴상 생성 장치에 입력해야 할 상기 설계 데이터를 수정하는 것인 노광 장치.
제3항에 있어서, 상기 패턴상의 질에는 상기 패턴상의 선폭 오차의 절대값이 포함되는 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 패턴상 생성 장치는, 상기 설계 데이터의 입력에 대응하여, 소정 방향으로 진행하는 광의 진폭, 위상 및 편광 상태 중 적어도 하나를 공간적으로 변조하여 패턴을 발생시키는 가변 성형 마스크와, 상기 가변 성형 마스크에 의해 발생한 패턴을 상기 물체 상에 결상시키는 광학계를 포함하는 것인 노광 장치.
제5항에 있어서, 상기 가변 성형 마스크는 반사형의 가변 성형 마스크이고,

상기 광학계는 상(像)측 텔레센트릭 반사 굴절계이며, 상기 가변 성형 마스크에서 반사된 광의 그 광학계의 광축에 대한 경사각을 거의 0으로 하는 광학 소자를 포함하는 것인 노광 장치.
제5항에 있어서, 상기 가변 성형 마스크는 반사형의 가변 성형 마스크이고,

상기 광학계는 상기 가변 성형 마스크에 입사하기 전의 광, 및 상기 가변 성형 마스크에서 반사된 광이 각각 통과하는 빔스플리터를 포함하는 양측 텔레센트릭 반사 굴절계인 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 검출계는, 그 적어도 일부가 가동체에 설치되고, 상기 패턴상 생성 장치에 의해 생성되는 패턴상의 광강도 분포에 따른 신호를 출력하는 공간상 검출기를 포함하는 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 검출계는 상기 물체 상에 형성된 패턴상을 촬상한 촬상 신호를 출력하는 화상 처리 방식의 검출기를 포함하는 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 수정 장치는 상기 패턴상 중의 적어도 일부의 사이즈가 변경되도록 상기 설계 데이터를 수정하는 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 패턴상 생성 장치에 의해 생성되는 패턴상은 광 근접 효과 보정용 보조 패턴을 갖는 패턴의 상이며,

상기 수정 장치는 상기 보조 패턴의 사이즈 및 위치 중 적어도 한쪽이 변경되도록 상기 설계 데이터를 수정하는 것인 노광 장치.
제1항에 있어서, 상기 수정 장치는 상기 검출 결과에 따라 상기 물체의 노광 조건을 수정하는 것인 노광 장치.
패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 장치에 있어서,

설계 데이터의 입력에 대응하여 광의 진폭, 위상 및 편광 상태 중 적어도 하나를 공간적으로 변조하는 가변 성형 마스크를 통해 패턴상을 생성하는 패턴상 생성 장치와;

상기 생성된 패턴상 또는 상기 생성되어 물체 상에 형성된 패턴상의 적어도 일부를 광전적으로 검출하는 검출계와;

상기 검출 결과에 기초하여 상기 가변 성형 마스크의 동작 상태를 검출하는 제어 장치

를 구비하는 노광 장치.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재한 노광 장치를 이용하여 물체를 노광시키는 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법.
설계 데이터의 입력에 대응하여 생성되는 패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 방법에 있어서,

상기 설계 데이터에 대응하여 생성되는 패턴상 또는 그 생성되어 물체 상에 형성되는 패턴상을 검출하고, 그 검출 결과에 따라 상기 설계 데이터를 수정하며,

상기 물체의 노광시, 상기 수정된 설계 데이터를 이용하여 패턴상을 생성하는 노광 방법.
제15항에 있어서, 상기 패턴상의 질이 소정의 규격에서 벗어나 있을 때에, 상기 설계 데이터를 수정하는 노광 방법.
제15항에 있어서, 상기 패턴상은 가변 성형 마스크 및 투영계를 통해 생성되는 것인 노광 방법.
제17항에 있어서, 상기 투영계의 상(像)면에 생성되는 패턴상의 적어도 일부를 광전적으로 검출하는 노광 방법.
제15항에 있어서, 상기 검출 결과에 따라 상기 물체의 노광 조건을 수정하는 노광 방법.
패턴상으로 물체를 노광시키는 노광 방법에 있어서,

설계 데이터의 입력에 대응하여, 가변 성형 마스크를 통해 생성되는 패턴상 또는 상기 생성되어 물체 상에 형성되는 패턴상을 검출하고,

상기 검출 결과에 기초하여 상기 가변 성형 마스크의 동작 상태를 검출하는 노광 방법.
제20항에 있어서, 상기 검출 결과에 기초하여 상기 설계 데이터를 수정하고, 상기 물체의 노광시, 상기 수정된 설계 데이터를 이용하여 패턴상을 생성하는 노광 방법.
제15항 내지 제21항 중 어느 한 항에 기재한 노광 방법을 이용하여 물체를 노광시키는 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법.